DE1067918B - Gesinterter Halbleiterwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik - Google Patents

Gesinterter Halbleiterwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik

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DE1067918B
DE1067918B DES38611A DES0038611A DE1067918B DE 1067918 B DE1067918 B DE 1067918B DE S38611 A DES38611 A DE S38611A DE S0038611 A DES0038611 A DE S0038611A DE 1067918 B DE1067918 B DE 1067918B
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semiconducting
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Dr Rudolf Schoefer
Dr Bruno Thiede
Erich Fenner
Dr Julius Schneider
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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    • H01B1/18Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
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Description

  • Gesinterter Halbleiterwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik Es entspricht dem Stande der Technik, die elektrischen Eigenschaften von aus körnigem Halbleitermaterial, wie Siliziumcarbid, gesinterten Widerständen zu verbessern, indem der halbleitenden Grundsubstanz ein Zusatzstoff, der als Füll- bzw. als Bindemittel wirkt, zugegeben wird. Solche Widerstände besitzen vorzugsweise eine negative Stromspannungscharakteristik und werden als Varistoren bezeichnet.
  • So wurden z. B. aus Siliziumcarbidkörnern bestehende Varistoren mit Oxyden, wie Quarz, Titandioxyd oder Aluminiumoxyd, als Zusatzstoff hergestellt, wobei diese Stoffe gleichzeitig als Bindemittel wirken und die Körner der Grundsubstanz mit einer Fremdschicht überziehen. Ferner war es bekannt, als Grundmaterial an Stelle des Siliziumcarbids Stoffe wie Zinkit, Bleiglanz, Psilomelan, als Zusatzstoff außer den genannten Oxyden die Stoffe Tellur, Silizium und Bleiborat sowie keramische Stoffe, wie Ton, zu verwenden. Schließlich war es auch bekannt, als Zusatzstoff anreduziertes Ti 02, A1203 und Zr 02 zu verwenden.
  • Es wurde nun bei den zu der Erfindung führenden Untersuchungen festgestellt, daß bei Verwendung halbleitender Zusatzstoffe eine technisch ausnutzbare Abweichung der Strotnspannungscharakteristik von Ohmschen Verhalten bei niedrigeren Spannungen eintritt, als wenn isolierende Zusatzstoffe verwendet werden. Da es Aufgabe der Erfindung ist, Halbleiterwiderstände zu entwickeln, welche dieses Verhalten bei besonders niedrigen Spannungen aufweisen, dient bei den Widerständen nach der Erfindung als Zusatzstoff ein Material, welches die Körner der Grundsubstanz in ein halbleitendes Medium einbettet. Zwar weist unter den bekannten Zusatzstoffen anreduziertes Ti 02, A1203 und Zr 02 ebenfalls halbleitende Eigenschaften auf. Diese sogenannten anreduzierten Halbleiter verdanken ihre Halbleitereigenschaften der Zahl der in ihrem Kristallgitter anwesenden Sauerstoffehlstellen. Die Zahl dieser Sauerstoffehlstellen ist jedoch, wie die Erfahrung zeigt, sehr von thermischen und atmospärischen Einflüssen abhängig, was erhebliche Nachteile mit sich bringt; denn es ist praktisch unmöglich, die Zahl dieser Fehlstellen durch einen gelenkten Reduktionsvorgang auch nur einigermaßen reproduzierbar einzustellen. Infolgedessen schwanken die elektrischen Eigenschaften der bekannten Widerstände innerhalb einer Fertigungsserie erheblich. Sie sind außerdem wenig alterungsbeständig und gegen Überbelastung sehr empfindlich. Diese Nachteile sind bei den bei besonders niedrigen Spannungen (z. B. 20 Volt) anwendbaren Varistoren gemäß der Erfindung vermieden.
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen gesinterten Halbleiterwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik aus einer körnigen halbleitenden Grundsubstanz, vorzugsweise aus Siliziumcarbid, und einem zwischen den Körnern der Grundsubstanz eingebetteten, aus Metalloxyd bestehenden Zusatzstoff und/oder Bindemittel mit halbleitenden Eigenschaften. Nach der Erfindung enthält der aus oxydischen Bestandteilen zusammengesetzte halbleitende Zusatzstoff Bleioxyd und mindestens je ein weiteres stabiles Oxyd eines Metalls der II. Hauptgruppe und eines Metalls der IV. Gruppe des Periodischen Systems.
  • Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß es bei Wahl des Zusatz- bzw. Bindemittels, welches dem zu verwendenden Grundstoff - z. B. Siliziumcarbid oder verwandten Verbindungen, vorzugsweise derselben Kristallstruktur, wie z. B. anderen halbleitenden Carbiden oder Siliciden - beigegeben wird, darauf ankommt, daß die Beimengung mit dem Grundstoff in Wechselwirkung tritt, um die elektrischen Eigenschaften zu verbessern, insbesondere um die Steilheit des Widerstandszusammenbruches des Varistors zu erhöhen. Der von der Erfindung vorgeschlagene Zusatzstoff ist nun in der Lage, auf den Kornoberflächen der Grundsubstanz, vor allen an den gegenseitigen Berührungsstellen dieser Körner, eine definierte, Halbleitereigenschaften aufweisende Zwischenschicht zu erzeugen. Außerdem besitzen diese Zwischenschichten eine erhebliche Widerstandsfähigkeit gegen Feuchtigkeit, Oxydation usw., so daß die sich während des Sintervorgangs auf den Körnern der Grundsubstanz ausbreitende, diese Körner völlig umgebende, aus dem Zusatzstoff gebildete Schicht die für den Varistoreffekt maßgebende Oberfläche der Grundsubstanzkörner schützt. Da die Oxyde der Metalle der II: Hauptgruppe mit den Oxyden der Metalle der IV. Gruppe des Periodischen Systems und mit Bleioxyd sich leicht zu Mischkörpern vereinigen, die entweder selbst halbleitend sind oder in Wechselwirkung mit der halbleitenden Grundsubstanz während des Sintervorganges halbleitende Eigenschaften erhalten, ist die Entstehung einer halbleitenden Zwischenschicht mit Sicherheit gewährleistet. Der Vorteil der Widerstände nach der Erfindung liegt vor allem darin, daß die Halbleitereigenschaften des die Zwischenschicht bildenden Mediums nicht auf dem Vorhandensein unbesetzter Gitterfehlstellen wie bei den sogenannten anreduzierten Halbleitern beruht, sondern in der Kristallstruktur der sich bildenden Mischkörper liegt bzw. durch den Einbau von aus der Grundsubstanz stammenden Stoffen in das Kristallgitter dieser Mischkörper bestimmt ist. Dies führt zu definierten Halbleitereigenschaften der Zwischenschicht und zur Vermeidung der geschilderten Nachteile.
  • Die Bleioxydkomponente erleichtert den Sintervorgang, sorgt für eine gute Benetzung der Körner der Grundsubstanz durch den Zusatzstoff und beseitigt eine etwa vorhandene störende Fremdschicht auf der Grundsubstanz. Auf den Körnern der bekannten Siliziumcarbidvaristoren ist nämlich erfahrungsgemäß fast immer eine isolierende S'02-Fremdschicht vorhanden, welche die Empfindlichkeit des Widerstandes bezüglich seiner Halbleitereigenschaften herabsetzt. Diese ist bei den Widerständen nach der Erfindung vermieden.
  • Bei der Fertigung der Widerstände nach der Erfindung wird der Zusatz dem Grundmaterial, vorzugsweise Si C, zunächst beigemengt und dann mit diesem zusammengesintert. Die Sintertemperaturen und Sinterzeiten sind derart gewählt, daß sich dünne Zwischenschichten bilden, die an den Berührungsstellen der Körner möglichst dünner als 1 w sind. Gegebenenfalls betragen sie nur wenige Molekülschichten. Dies wird vor allem durch die Verwendung des Bleioxydanteils möglich, welcher infolge seiner niedrigen Schmelztemperatur den Sintervorgang erleichtert bzw. bei relativ niedrigen Temperaturen möglich macht und die Benetzung der Grundsubstanz bewirkt. Die höherschmelzenden Oxyde werden dann von dem flüssigen Bleioxyd aufgelöst und in die die Zwischenschicht bildenden halbleitenden Mischkörper übergeführt.
  • Außer den vorzugsweise in Form niederwertiger Oxyde, z. B. Monoxyde, zugegebenen Zusatzstoffe können diese auch in Form von Mischoxyden, z. B. in Form von Ferriten, Spinellen, Titanaten oder Verbindungen mit Perowskitstruktur verwendet werden, wodurch man Variationsmöglichkeiten hinsichtlich Bindevermögen, Sintertemperatur, Durchschlagsspannung, Dielektrizitätskonstante und anderer, das Herstellungsverfahren und die elektrischen Daten der Halbleiterwiderstände bestimmenden Eigenschaften erhält.
  • Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung können dem Zusatzstoff weitere Stoffe zugefügt werden, welche die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterwiderstandes günstig beeinflussen. So kann z. B. .dem Zusatzstoff ein Stoff mit einer hohen Dielektrizitätskonstante zugemischt werden, um die Kapazität des Widerstandes zu erhöhen. Hierbei kommen vornehmlich Stoffe mit Perowskitstruktur in Frage. Auch eine Beimengung von einem Stoff von Ferritcharakter kann eine Verbesserung der Eigenschaften hervorrufen. Schließlich ist es vorteilhaft, wenn man dafür sorgt, daß die auf den Körnern der Grundsubstanz erzeugte halbleitende Fremdschicht einen anderen Leitungstypus besitzt als die Grundsubstanz.
  • Als günstiger Zusatzstoff entsprechend der Lehre der Erfindung hat sich ein Dreistoffsystem erwiesen, welches aus einem Dreifachoxyd, z. B. Barium-Blei-Titan-Oxyd, besteht. Noch günstiger ist das Vierstoffsystem von Barium-Blei-Titan-Zinn-Oxyd (BaPb) (Ti Sn) 03. Bei diesem System wirkt das Bleioxyd als zwischenschichtbildende Komponente, während die übrigen Oxyde vor allem die mechanische und elektrische Festigkeit des Sinterkörpers hervorrufen. Bei Verwendung dieses Zusatzstoffes ergab sich noch ein wesentlicher Vorteil. Während die bekannten Varistoren nach starleer Überbelastung dadurch unbrauchbar werden, daß durch den sie überbelastenden Stromstoß Kurzschlußkanäle in dem Widerstandskörper eingebrannt werden und dadurch ihr Widerstandswert irreversibel niedrig bleibt, findet bei den das besagte Vierstoffsystem als Zwischenschicht verwendenden, auf Basis von Siliziumcarbid aufgebauten Varistoren keine Bildung von Kurzschlußbahnen statt. Ein solcher Widerstand kann also auch nach sehr starker Überbelastung immer wieder verwendet werden.
  • Das Verhältnis zwischen der schichtbildenden und der Festigkeit gebenden Komponente ist gemäß einer weiteren Ausführung des Erfindungsgedankens derart bemessen, daß sich gewünschte Steilheiten der Charakteristik und Widerstände ergeben; z. B. hat sich eine Mischung von 30 Molprozent Ba0 mit 70 Molprozent Bleioxyd im oben angegebenen Vierstoffsystem als günstig erwiesen, wobei das Verhältnis von Ti zu Sn noch variiert werden kann, um einen niederohmigen und trotzdem mechanisch und elektrisch sehr widerstandsfähigen Varistor zu erzielen. Zur Herstellung besonders hochohmiger Varistoren, wie sie z. B. in Feuchtemessern benötigt werden, hat sich das Mischungsverhältnis Pb 0 zu BaO von 50: 50 Molprozent bewährt. Für die praktisch meist vorkommenden Fälle liegt der Bleioxydgehalt zwischen etwa 80 Molprozent und etwa 50 Molprozent. Das Verhältnis von Titan- zu Zinnoxyd wird vorteilhafterweise gleich 1 gewählt.
  • Die Beimengung insgesamt soll möglichst weniger Raum einnehmen als das Hohlraumvolumen zwischen den sich berührenden Körnern der Grundsubstanz, das ist beispielsweise bei der Verwendung von Siliziumcarbid als Grundsubstanz mit dem o. a. Vierstoffsystem als Zusatz weniger als etwa 30 Gewichtsprozent der Siliziumcarbidmasse. Zur Erzielung möglichst dichter Sinterkörper sollte man möglichst nahe an diesen oberen Grenzwert herangehen, also insbesondere etwa zwischen 20 und 30 Gewichtsprozent verwenden.

Claims (7)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Gesinterter Halbleiterwiderstand mit negativer Stromspannungscharakteristik aus einer körnigen halbleitenden Grundsubstanz, vorzugsweise aus Siliziumcarbid, und einem zwischen den Körnern der Grundsubstanz eingebetteten, aus Metalloxyd bestehenden Zusatzstoff und/oder Bindemittel mit halbleitenden Eigenschaften, dadurch gekennzeichnet, daß der aus oxydischen Bestandteilen zusammengesetzte, halbleitende Zusatzstoff Bleioxyd und mindestens je ein weiteres stabiles Oxyd eines Metalls der II. Hauptgruppe und eines Metalls der IV. Gruppe des Periodischen Systems enthält.
  2. 2. Gesinterter Halbleiterwiderstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beimengung ein Dreifachoxyd aus den Komponenten Ba O, Pb O, Ti 02 ist.
  3. 3. Halbleiterwiderstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beimengung ein Vierfachperowskit (Ba Pb) (Ti Sn) 03 ist.
  4. 4. Halbleiterwiderstand nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht einen anderen Leitungstypus besitzt als die Grundsubstanz.
  5. 5. Halbleiterwiderstand nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Zwischenschicht an den Stellen größter Annäherung zweier benachbarter Körner der Grundsubstanz wesentlich kleiner als 1 [, ist und vorzugsweise nur eine oder wenige Molekülschichten stark ist.
  6. 6. Halbleiterwiderstand nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Beimengung einen kleineren Raum einnimmt als das Hohlraumvolumen zwischen den Körnern der Grundsubstanz, so daß beispielsweise bei Siliziumcarbid als Grundmaterial das (BaPb) (Ti Sn) 03 weniger als 30 Gewichtsprozent des Grundmaterials ausmacht.
  7. 7. Halbleiterwiderstand nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Hohlraumvolumen der Grundsubstanz möglichst ganz ausgefüllt ist. B. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwiderstandes nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Beimengung in fester oder flüssiger Phase mit der Grundsubstanz vermischt und anschließend bei einer derartigen Temperatur gesintert wird, daß Zwischenschichten geeigneter Dicke auf den Körnern der Grundsubstanz entstehen. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 896 386; schweizerische Patentschriften Nr. 224 046, 222 633; britische Patentschriften Nr. 292 110, 542 520.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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