DE3216045A1

DE3216045A1 - Hochtemperaturthermistor

Info

Publication number: DE3216045A1
Application number: DE19823216045
Authority: DE
Inventors: Yasuo Matsushita; Kousuke Nakamura; Mitsuru Hitachi Ura
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1981-04-30
Filing date: 1982-04-29
Publication date: 1982-12-30
Also published as: DE3216045C2; US4467309A; JPS57180101A; JPS6328325B2

Description

Vorliegende Erfindung betrifft einen Hochtemperaturthermistor, der eine Art von temperaturempfindlichem Widerstand darstellt.

Thermistoren sind keramische Temperaturmeßfühler, die auf der hohen Temperaturabhängigkeit ihres elektrischen Widerstandes beruhen und in breitem Umfange zur Temperaturmessung und -kontrolle eingesetzt werden. Die praktische Betriebstemperatur eines Thermistors hängt vom Betriebswiderstand und der Beständigkeit des Widerstandswertes ab. Hochtemperaturthermistoren werden im allgemeinen in einem Temperaturbereich zwischen 300 und 1OOO°_C eingesetzt.

Die konventionellen Hochtemperaturthermistor-Elemente beruhen auf Spinell-, Perovskit- oder ZrO₂-Basis. Eine beträchtliche Anzahl von ihnen hat bereits technische Anwendung gefunden. Die genannten Werkstoffe sind zwar bei Temperaturen bis zu ca. 500⁰C relativ beständig, haben jedoch den Nachteil, daß sich ihr elektrischer Widerstand bei Einwirkung von Temperaturen von mindestens 7OO°C über

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längere Zeit ändert, was ihren praktischen Einsatz erschwert. Außerdem haben Untersuchungen zur Verwendbarkeit von Monokristallen von Siliciumcarbid für Hochtemperaturthermistoren ergeben, daß erstere für praktische Zwecke nicht einsetzbar sind, da ihre Parameter sehr stark schwanken und ihre Herstellung außerdem nicht einfach ist. Aus US-PS 4 023 975 ist ferner die Verwendung eines polykristallinen Sinterkörpers aus Silicium- und Berylliumcarbid als Temperaturfühler bekannt. Der elektrische Widerstand dieses Sinterkörpers beträgt jedoch bei Raumtemperatur 29-O.cm, bei Temperaturen von 500 bis 1000⁰C ist er sogar noch niedriger. Außerdem ist die Änderung des elektrischen Widerstandes mit der Temperatur (Thermistorkonstante) nur gering. Ein derartiger Sinterkörper kann daher nicht als Hochtemperaturthermistor verwendet werden. Ein polykristalliner Sinterkörper aus Siliconcarbid und Bor wird auch in US-PS 2 916 460 beschrieben. Dieser kann aufgrund seines extrem niedrigen elektrischen Widerstandes im Temperaturbereich von 5OO bis 1000 C und der niedrigen Thermistorkonstante als Hochtemperaturthermistor nicht verwendet werden.

Erfindungsgegenstand ist nun ein Hochtemperaturthermistor mit hoher Thermistorkonstante und geringer Änderung des elektrischen Widerstandes mit der Zeit.

Die Erfinder gemäß der vorliegenden Anmeldung hatten in der US-PA Nr. 203 554/80, "Elekctrically Insulating Substrate and Method of Making Such Substrate", eingereicht am 5. November 1980, geoffenbart, daß ein Sinterkörper, enthaltend mindestens ein Glied aus der Gruppe Be, Behaltige Substanz, B, B-haltige Substanz und die unvermeidlichen Verunreinigungen, wobei der Rest auf SiC entfällt, als Isolator bei Raumtemperatur verwendet werden kann. Es wurde gefunden, daß dieser Sinterkörper als

Hochtemperaturthermistor verwendet werden kann, da er ausgezeichnete Hochtemperaturthermistoreigenschaften, wie entsprechenden elektrischen Widerstand, hohe Thermistorkonstante bei 500 bis 1000⁰C und geringe Änderung des Widerstandswertes infolge von Alterung über längere Zeit aufweist, und die erwähnten Nachteile der konventionellen Thermistoren durch Verwendung des erfindungsgemäßen Sinterkörpers beseitigt werden können.

Der erfindijngsgemäße Hochtemperaturthermistor stellt einen Sintei körper dar, der SiC als Hauptkomponente enthält sowie 0,1 bis 8 Gew.-% mindestens eines Elements bzw. mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe Be, BeO, Be₂C, B, BN, B₃O- und B.C, berechnet als Menge an Be oder B als einzige Substanzen, ausgehend von der Nettomenge, wobei die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% SiO₃/ höchstens 0,1 Gew.-% Al, höchstens O,2 Gew.-% Fe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.-% freier Kohlenstoff, wobei Al, Fe und Si als Verunreinigung die einzigen Metalle außer Be darstellen, oder vorzugsweise die im wesentlichen keine freien Kohlenstoff enthaltenden Verunreinigungen höchstens 1 Gew.-% SiO₂, höchstens O,O5 Gew.-% Al und höchstens 0,1 Gew.-% Fe ausmachen.

Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Sinterkörpers 25 mischt man SiC-Pulver mit 0,1 bis 8 Gew.-% mindestens

eines Elements bzw. mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe Be, BeO, Be₃C, B, BN, B₃O₃ und B₄C, berechnet als Menge an Be oder B als einzige Substanzen, ausgehend von der Nettomenge, wobei die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% SiO.-,, höchstens 0,1 Gew.-% Al, höchstens 0,2 Gew.-% Fe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.-% frei or Kohl ons I ofJ betragen, wobei vorzugsweise die im wt'sontli rhen keine freien Koh--

lenstoff enthaltenden Verunreinigungen höchstens 1 Gew.-5 SiO₂, höchstens 0,05 Gew.-% Al und höchstens 0,1 Gew.-% Fe ausmachen.

Dem erwähnten Gemisch wird dann als Bindemittel eine .5 durch Verdünnen mit einem organischen Lösungsmittel erhaltene Silikonharzlösung in einer Menge von 10 bis 30 Gew.-% zugesetzt, wodurch man eine granulierte Mischung erhält. Diese wird dann einer Preßformung unterzogen.

Die erhaltenen Preßlinge werden schließlich unter einem -3 -4
Vakuum von IO bis 10 Torr heißverpreßt und bei einer Temperatur von 19OO bis 23OO°C während O,l bis 4 Stunden gesintert. Nach der Bearbeitung des Sinterkörpers zwecks Verleihung entsprechender Form und Abmessungen werden auf der Oberfläche des Sinterkörpers durch Metallisieren Elektroden aufgebracht und die Leitungsdrähte mit den entsprechenden Elektroden verbunden, wodurch man den erfindungsgemäßen Hochtemperaturthermistor erhält. Der Sinterkörper hat eine relative Dichte von mindestens 95 %, bezogen auf die theoretische Dichte. Liegt die relative Dichte des Sinterkörpers unter 95 %, bezogen auf die theoretische Dichte, schwankt der Widerstand des daraus hergestellten Thermistors bei längerem Einsatz bei hohen Temperaturen stark, was für einen Thermistor nicht akzeptabel ist. Das erwähnte Pulver hat eine durchschnittliche Teilchengröße von maximal 3 mkm. Das organische Lösungsmittel ist vorzugsweise Xylol. Es wird vorzugsweise in einer Menge von 30 bis 70 Vol.-%, bezogen auf 1 Vol.-% Silicon eingesetzt. Vorzugsweise werden die Elemente des Thermistors mit Keramik und insbesondere mit Glas überzogen, um so die Elemente vor der Hochtemperaturatmosphäre zu schützen.

Der erfindungsgemäße Hochtemperaturthermistor hat einen Widerstand von ca. 1 k 11 bei 7OO bis 1OOO°C, eine Thermistorkonstante von 10.000 bis 16.000 in einem Temperaturbereich von 50o bis 700 C und zeigt eine Schwankung des Widerstandes von höchstens 3 % bei Temperaturen von 500 bis 1OOO°C über einen längeren Zeitraum. Der erfindungsgemäße Thermistor hat somit ausgezeichnete Eigenschaften als Hochtemperaturthermistor.

Die Zugabe von mindestens einem Glied der Gruppe Be, BeO, Be₂C, B, BN, B₃O₃ und B₄C zu SiC hat eine günstige Wirkung auf die Erzielung eines hochdichten Sinterkörpers aus SiC, das als solches schwer zu sintern ist. Außerdem besitzt der erfindungsgemäß herstellbare Sinterkörper einen Widerstand und eine Thermistorkonstante, daß ein Thermistor auf der Basis desselben als Hochtemperaturthermistor zu praktischen Zwecken verwendet werden kann. Besonders bevorzugte Zusätze sind BeO und BN. Die Beziehung /.wischen der Menge an Zusätzen und den Thermistoreigenschaften zeigt eine gewisse Abhängigkeit von der Art bzw. der Kombination der Zusätze. Übersteigt die Menge an Zusätzen, berechnet als Menge ausschließlich an Be bzw. B , ausgehend von der Nettomenge, 8 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmenge des Sinterkörpers, kommte es über einen längeren Zeitraum in einer oxydierenden Atmosphäre bei hoher Temperatur zu einer Widerstandsänderung infolge Alterung und zum Ansteigen der Thermistorkonstante, was die Genauigkeit der Temperaturmessung beeinträchtigt. Fällt umgekehrt die Menge an Zusätzen unter 0,1 Gew.-%, ist es schwierig einen hochdichten Sinterkörper zu erhalten und außerdem zeigen dann der Widerstandswert und die Thermistorkonstante starke Streuungstendenz.

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die nachfolgende Beschreibung von Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeich-

nungen näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Hochtemperaturthermistors und

Fig. 2 die Beziehung zwischen dem elektrischen Widerstand und dem Kehrwert der Temperatur.

Hei spi el 1

Silikoncarbidpulver, das im wesentlichen aus 0,57 Gew.-% freies Si, 0,08 Gew.-% freier C, 0,054 Gew.-% Fe, 0,022 Gew.-% Al besteht, wobei der Rest auf Sie entfällt, mit einer durchschnittlichen Korngröße von 2 mkm, wurde mit 0,05 bis 20 Gew.-% BeO mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,23 mkm vermischt, wobei die Prozentgehalte als Menge an Be als einzige Substanz, auf der Basis der Nettomenge an BeO berechnet wurden. Dem erhaltenen Gemisch wurde ein organisches Bindemittel, bestehend aus 50 Teilen Siliconharz und 5O Teilen flüssiges Xylol zugesetzt, wonach eine ausreichende Mischung erfolgte.

Dieses Gemisch wurde dann bei einem Druck von lOOO kg/cm einer Preßformung unterzogen, wodurch man einen Preßling mit einem Durchmesser von 50 mm und einer Dicke von 2 mm erhielt. Dieser wurde dann während einer Stunde einer

-5 -4 Vakuumheißverpressung bei einem Vakuum von 10 bis 10

Torr, einem Druck von 300 kg/cm und einer Temperatur

von 205O⁰C unterzogen, wodurch man einen ca. 1 mm dicken SiC-Sinterkörper erhielt. Nach leichtem Vermählen wurde auf beide Seiten des scheibenförmigen Sinterkörpers zur Bildung einer Elektrode durch Metallisieren ein Nickelfilm (3) aufgebracht. Danach wurde der Sinterkörper mit Hilfe eines Diamantschneidegeräts in Stücke (1 mm χ 1 mm χ 1 mm), wonach schließlich zur Herstellung der Thermistorelemente durch Punktschweißen Platindrähte (2) aufgeschweißt wurden.

Die Parameter der auf diese Weise erhaltenen Thorinist.orelemente sind in Tabelle 1 zusammengefaßt.

Elemente mit O,l bis 8 Gew.-% Be erwiesen sich aufgrund ihres Widerstandes bei 1OOO°C und ihrer Thermistorkonstanten (8OO bis 1OOO°C) als für die Verwendung als Hochtemperaturthermistoren geeignet.

Liegt andererseits der Berylliumgehalt des Elements unter 0,1 Gew.-%, ist die relative Dichte des Sinterkörpers gering (90 % oder darunter) und der Widerstand und die Thermistorkonstante schwanken stark von Stück zu Stück. Umgekehrt, wenn der Berylliumgehalt 8 Gew.-% überschreitet, steigen Widerstand und Thermistorkonstante an, was die Genauigkeit bei der Temperaturmessung beeinträchtigt.

Elemente mit verschiedenen Berylliumgehalten wurden einem Hitzetest bei 1000°C während lOOO Stunden unterzogen. Die Testergebnisse in Tabelle 1 zeigen, daß bei Elementen mit 0,1 bis 8 Gew.-% Beryllium die durch die Erwärmung verursachte Schwankung im Widerstand nur gering ist (3 % oder darunter). Übersteigt andererseits der Be-Gehalt 8 Gew.-%, ist die WiderstandsSchwankung über 3 %, d.h. daß die Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen nur gering ist.

Beispiel 2

Dasselbe Siliconcarbidpulver wie in Beispiel 1 wurde

mit 0,05 bis 20 Gew.-% Bornitrid mit einer durchschnittlichen Korngröße von o,5 mkm vermischt, wobei die Prozentgehalte als Menge an B als einzige Substanz auf der Basis der Nettomenge an BN berechnet wurden. Die auf diese Weise erhaltenen Mischungen wurden wie im Beispiel 1 angegeben behandelt, wodurch man Thermistorelemente mit den in Tabelle 2 angeführten Parametern erhielt.

Elemente mit 0,1 bis 8 Gew.-% (berechnet als B) BN zeigten Widerstandswerte (bei 100O⁰C) und Thermistorkonstanten (800 bis 1000⁰C), die mit den entsprechenden Werten aus Beispiel 1 in Einklang stehen und den Einsatz dieser Elemente in der Praxis ermöglichen. Außerdem zeigen diese Elemente nur geringe Schwankungen im Widerstand (3 % oder darunter) bei Erwärmen auf hohe Temperaturen, weshalb diese als Hochtemperaturthermistoren überaus geeignet sind. Liegt andererseits der Be-Gehalt des Elements unter 0,1 Gew.-%, 1st die relative Dichte des Sinterkörpers gering und die Einheitlichkeit der Parameter ist verringert. Umgekehrt vermindert ein Be-Gehalt von über 8 Gew.-% die Genauigkeit der Temperaturmessung und die Alterungsbeständigkeit bei hohen Temperaturen.

15 Beispiel 3

Analog Beispiel 1 wurde ein Thermistorelement hergestellt, nur daß das Siliconcarbidpulver mit 1 Gew.-% Berylliumoxid (als Be) mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,23 mkm und 1 Gew.-% Bornitrid (als B) mit einer durchschnittlichen Korngröße von 0,5 mkm zur Herstellung der Pu.l vergemische vermischt wurde. Das Element hatte einen Widerstand von 1,2 kJl bei lOOO C, eine Thermistorkonstante (800 bis 1000⁰C von 14.300 und eine Widerstandsschwankung (unter Erwärmung bei lOOO C während lOOO Stunden) von höchstens 3 %. Diese Werte zeigen, daß das Element ein Hochtemperaturthermistor mit ausgezeichneten Eigenschaften innerhalb eines Temperaturbereichs von 8OO bis 1OOO°C ist.

Beispiel 4

Drei Arten von Gemischen wurden hergestellt, wobei jeweils Bor (B), Boroxid (B-O^) und Bornitrid (BN) mit jeweils einer durchschnittlichen Korngröße von 0,5 mkm und in einer Menge; von 1 bis A Gcw.-%, bezogen lediglich auf die Menge von B, der einzige Zusatz zum Siliconcarbid-

pulver waren. Aus diesen Mischungen wurden wie in Beispiel 1 Thermistorelemente hergestellt. Die Parameter der die einzelnen Zusätze enthaltenden Elemente sind in Tabelle 3 zusammengefaßt.

Tabelle 1

Probe Nr .	Gehalt an Zu satz , Be (*)	Relative Dichte des Sin terkör pers (%)	Wider stand bei 1000°C (IcA)	Thermistor konstante (500 bis 1000°C)	Widerstands- Schwankung nach Erwär mung auf 1000 C während 1000 Stunden (*)	Elektrischer Widerstand bei Raum temperatur (XI .cm)
1-1	0,05	88,5	0,65	9.400	+ 2,5	10⁷
1-2	0,1	95,3	1,23	13.750	+ 2,7	ίο⁸
1-3	0,5	97,6	1,05	15.300	+ 2,3	>io¹³·
1-4	1	98,5	1,16	15.150	+ 2,0	>io¹³
1-5	2	99,4	1,18	15.420	+ 1,7	>io¹³
1-6	4	100	1,26	15.700	+ 2,3	.1O¹³
1-7	8	1OO	1,33	15.730	+ 2,6	>io¹³
1-8	15	99,2	2,34	17.240	+ 3,6	>io¹³
1-9	20	98,7	3,53	19.300	+ 4,0

Tabelle 2

Probe Nr.	Gehalt an Zu satz, B (*)	Relative Dichte des Sin terkör pers (%)	Wider stand bei 1000°C (kA)	Thermistor konstante (500 bis 1000°C)
2-1	0,05	87,3	0,56	8.750
2-2	0,1	92,4	0,83	13.600
2-3	0,5	95,7	1,02	13.800
2-4	1	98,5	1,07	13.850
2-5	2	99,9	1,11	14.030
2-6	4	100	1/15	14.000
2-7	8	99,2	1,23	. 15.300
2-8	15	98,7	2,59	16.900
2-9	20	98,8	3,78	18.700

Widerstandsschwankung
nach Erwärmung auf 1000⁰C peratur während 1000 Stunden, [%)

Elektrischer Widerstand bei Raumtem-

+ 3,0
+ 2,6
+ 2,5
+ 2,5
+ 2,3
+ 2,4
+ 2,7
+ 3,4
+ 5,1

(Jl.cm)

107 108 10 10 10

y 10

7 10

> 10

11 11 11 11 11 11 11

Tabelle 3

Probe Nr.	Gehalt an Zu satz (Zusatz) {% als B)	(B)	Relative Dichte des Sinterkör pers (*)	Wider stand bei 700°C	Thermistor konstante (500 bis 700⁰C)	Widerstands schwankung nach Erwär mung auf 700°C während 1000 Stunden (%)	Elektrischer Widerstand bei Raumtem peratur (Sl. cm) ·	C
4-1	1	(B) (B)	98,5	0,85	10.700	+ 2,4	> ίο^{11 :}	β β * * t C • «. Λ * ft
4-2 4-3	2 4	^(B2^O5^}	99,5 99,3	1,05 1,03	10.650 10.8 30	+ 2,4 + 2,3	> 10¹¹ > 10¹¹ \^ '	* · * β * « · W « • S * β ψ · * W
4-4	1	(B₂O₅)	98,7	1,05	10.500	+ 2,7	> ίο¹¹	e * < * s t # B C «
4-5	2	(B₂O₅)	99,3	1,11	11.200	+ 2,5	> 10¹¹	« * < β * t * C
4-6	4	(B₄C)	99,5	1,07	11.200	+ 2,5	> ίο¹¹	* · «
4-7	1	(B₄C)	98,9	1,00	11.700	+ 2,3	> ίο¹¹
4-8	2	(B₄C)	100	1,23	11.500	+ 2,6	> ίο¹¹
4-9	4		99,2	1,21	11.400	+ 2,7	> ίο¹¹
							CO

- yi -

Diese Elemente zeigten Widerstandswerte von 0,8 bis 1,2 kXL bei 7OO C und Thermistorkonstanten (500 bis 700°C) von ca. ll.OOO, was sie damit für den Einsatz als Hochtemperaturthermistoren in einem Temperaturbereich von 5OO bis 700⁰C als geeignet erweist. Außerdem ergab der Hitzetest unter Erwärmung der Elemente auf 7OO C während 1000 Stunden eine Widcrstandsschwankung von höchstens 3 %, was zeigt, daß diese Elemente ausgezeichnete Alterungsbeständigkeit bei hohen Temperaturen aufweisen. In Fig. 2 ist die Beziehung zwischen dem elektrischen Widerstand und dem Kehrwert der Temperatur dargestellt. Wie Fig. 2 zeigt, kann mit dem erfindungsgemäßen Element eine sehr starke Widerstandsschwankung im Verhältnis zur Temperaturschwankung erzielt werden, was es für den Einsatz als Hochtemperaturthermistor überaus geeignet macht.

Der erfindungsgemäße Thermistor ist somit gekennzeichnet durch eine hohe Thermistorkonstante und eine geringere Tendenz zu Schwankungen des Widerstands über längere Zeit unter Einfluß hoher Temperaturen. Da die Thermistorelemente außerdem aus einem gesinterten Siliconcarbidkörper von hoher Reinheit und hoher Dichte bestehen, zeigen sie auch noch hohe Wärmebeständigkeit, hohe mechanische Festigkeit, hohe Wärmespannungsfestigkeit und besitzen demnach hohe Lebensdauer. Schließlich hat der Sinterkörper einen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten von 0,15 bis 0,75 cal/cm.see.°c. Dieser Wert übersteigt den entsprechenden Wert bei Thermistoren auf Oxidbasis um das 10-fache oder liegt sogar noch darüber.

Schließlich kann das Element auch noch zu einem Produkt von geringen Abmessungen geformt werden und zeigt aufgrund seiner niedrigen Wärmekapazität außerordentlich hohe Erwärmungsansprechgeschwi ndigkeit.

Der erfindungsgemäße Thermistor auf der Basis eines Siliconcarbidkörpers zeigt somit ausgezeichnete Eigenschaften und gewährleistet einen Hochtemperaturthermistor, der

geeignet ist für den Einsatz in einem Temperaturbereich von 7OO bis 1000°C. Ein derartiger Thermistor ist ausgehend vom Stand der Technik nur schwer herzustellen.

Claims

Patentansprüche

/71 -) Hochtemperaturthermxstor, dadurch gekennzeichnet , daß dieser einen polykristallinen Sinterkörper aus O,1 bis 8 Gew.-% mindestens eines EIements bzw. mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe Be, BeO, Be₃C, B, BN, B„0_ und B.C, berechnet als Menge an Be oder B als einzige Substanzen, ausgehend von der Nettomenge, wobei der Rest auf SiC entfällt, und die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% SiC^/ höchstens O,l Gew.-% Al, höchstens O,2 Gew.-% Fe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.-% freier Kohlenstoff betragen, ein Paar auf den Oberflächen des polykristallinen Sinterkörpers angebrachter Elektroden und Leitungsdrähte, deren ein Ende mit der jeweiligen Elektro-

15 de verbunden ist, aufweist.
2. Hochtemperaturthermxstor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß dieser einen polykristallinen Sinterkörper nach Anspruch 1 mit einer relativen Dichte von mindestens 95 %, einer Thermistorkonstante von 10.000 bis 16.000 innerhalb eines Temperaturbereichs von 500 bis 700°c, Schwankungen im elektrischen Widerstand bei EinsaLz wührunc] ei ness

- 01 -

Zeitraums bei Tcmptii ut uc i*n von buO bis l.OOO Ό von höchstens 3 X₁ und einem spezifischen Widerstand von mindestens IO -ii-.cm bei Raumtemperatur, aufweist.
3. Hochtemperaturthermistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dieser einen polykristallinen Sinterkörper mit ca. 0,28 bis ca. 22,3 Gew.-% BeO, wobei der Rest auf SiC entfällt, und die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% ₂ höchstens O,1 Gew.-% Al, höchstens 0,2 Gew.-% Pe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.-% freier Kohlenstoff betragen, mit einer relativen Dichte von mindestens 95 %, einer Thermistorkonstante von 10.000 bis 16.000 innerhalb eines Temperaturbereiches von 500 bis 1.000°C, einem elektrischen Widerstand bei 1.000°C von 1 bis 1,4 Κ/!, Schwankungen im elektrischen Widerstand von höchstens 3 % nach Erwärmung während 1.000 Stunden auf 1.000°C und einem spezifischen Widerstand von mindestens 10 -fl.cm bei Raumtemperatur, aufweist.
4. Hochtemperaturthermistor nach Anspruch 1, dadurch

gekennzeichnet, daß dieser einen polykristallinen Sinterkörper mit ca. 0,23 bis ca. 18,38 Gew.-% BN, wobei der Rest auf SiC entfällt, und die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% S1O2, höchstens 0,1 Gew.-% Al, höchstens 0,2 Gew.-% Fe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.-% freier Kohlenstoff betragen, mit einer relativen Dichte von mindestens 95 %, einer Thermistorkonstante von 1O.OOO bis 16.OOO innerhalb eines Temperaturbereichs von 500 bis 1.000⁰C, einem elektrischen Widerstand bei einer Temperatur von 1.000 C von 1 bis 1,4 kil, Schwankungen im elektrischen Widerstand während der Erwärmung auf l.OOO°C während l.OOO Stunden von höchstens 3 %, und einem spezifischen Widerstand von mindestens 10 /I .cm bei Raumtemperatur, aufweist.

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5. Hochtenipej aturthermistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden aus Ni gefertigt sind.
6. Hochtemperaturthermistor nach einem der Ansprüche 1

bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Leitungsdrahte aus Platin oder Nickel sind.
7. Hochtemperaturthermistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß der polykristalline Sinterkörper einen Wärmeleitfähigkeitskoeffizienten von 0,15 bis O,75 cal/cm.sec.°C aufweist.
8. Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperaturthermistors, dadurch gekennzeichnet , daß man Pulver mischt, enthaltend 0,1 bis 8 Gew.-% mindestens eines Elements bzw. mindestens einer Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe Be, BeO, Be₂C, B, BN, B-O,. und B.C, berechnet als Menge an Be oder B als einzige Substanzen, ausgehend von der Nettomenge, wobei der Rest auf SiC entfällt und die unvermeidlichen Verunreinigungen höchstens 2 Gew.-% SiO₂, höchstens O,1 Gew.-% Al, höchstens O,2 Gew.-% Fe, höchstens 1 Gew.-% Si und höchstens 0,4 Gew.% freier Kohlenstoff betragen, dem erhaltenen Pulvergemisch eine mit einem organischen Lösungsmittel verdünnte SiIikonharzlösung zusetzt, das erhaltene Gemisch einer Preßformung unterzieht, die Preßformung durch Vakuumheißpressen zu einem Sinterkörper mit einer relativen Dichte von mindestens 95 % sintert, den Sinterkörper zwecks Verleihung vorbestimmter Form und Abmessungen bearbeitet, auf der Oberfläche des so behandelten Sinterkörpers ein Elektrodenpaar anbringt und Leitungsdrähte vorsieht, deren ein Ende mit der jeweiligen Elektrode verbunden ist.
9. Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperaturthermistors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich-

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net, daß das organische Lösungsmittel Xylol ist und die verdünnte Silikonharzlösung 10 bis 30 Gew.-% ausmacht, bezogen auf das Pulvergemisch.
10. Verfahren zur Herstellung eines Hochtomperaturthermistors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Teilchengröße des Silikoncarbidpulvers und des Pulvers, enthaltend mindestens eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe Be, BeO, Be^C, B, BN, B^O-, und B₄C, höchstens 3 mkm beträgt.
11. Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperaturthermistors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß das Vakuum während des Sinterns

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von 10 bis 10 Torr, die Sintertemperatur von 1900 bis 23OO°C betragen, und letztere 0,1 bis 4 Stunden aufrechterhalten wird.
12. Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperaturthermistors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden durch Verbinden der Nickelschichten durch Metallisieren auf der Oberfläche des SIn-

20 terkörpers aufgebracht werden.
13. Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperaturthermistors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Nickel- oder Platindraht an einem Ende mit den entsprechenden Elektroden zum Erhalt der Leitungs-

25 drähte verbunden wird.

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