DE1046341B - Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial

Info

Publication number
DE1046341B
DE1046341B DEST11849A DEST011849A DE1046341B DE 1046341 B DE1046341 B DE 1046341B DE ST11849 A DEST11849 A DE ST11849A DE ST011849 A DEST011849 A DE ST011849A DE 1046341 B DE1046341 B DE 1046341B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor material
semiconductor
liquid
mold
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEST11849A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dr Wolfram Boesenberg
Helmut Ebner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL111507D priority Critical patent/NL111507C/xx
Priority to BE562066D priority patent/BE562066A/xx
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority to DEST11849A priority patent/DE1046341B/de
Priority to GB3338757A priority patent/GB832020A/en
Publication of DE1046341B publication Critical patent/DE1046341B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DEST11849A 1956-10-31 1956-10-31 Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial Pending DE1046341B (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL111507D NL111507C (enrdf_load_stackoverflow) 1956-10-31
BE562066D BE562066A (enrdf_load_stackoverflow) 1956-10-31
DEST11849A DE1046341B (de) 1956-10-31 1956-10-31 Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial
GB3338757A GB832020A (en) 1956-10-31 1957-10-25 Method of manufacturing monocrystalline bodies of semiconductor material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEST11849A DE1046341B (de) 1956-10-31 1956-10-31 Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1046341B true DE1046341B (de) 1958-12-11

Family

ID=7455546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEST11849A Pending DE1046341B (de) 1956-10-31 1956-10-31 Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE562066A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE1046341B (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB832020A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL111507C (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2508803A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Wacker Chemitronic Neuartige siliciumkristalle und verfahren zu ihrer herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE S34671 (Bekanntgemacht am 05.04.1956) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2508803A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Wacker Chemitronic Neuartige siliciumkristalle und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
GB832020A (en) 1960-04-06
BE562066A (enrdf_load_stackoverflow)
NL111507C (enrdf_load_stackoverflow)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0165449B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterfolien
DE2508803C3 (de) Verfahren zur Herstellung plattenförmiger Siliciumkristalle mit Kolumnarstruktur
EP0072565B1 (de) Verfahren zur Herstellung grob- bis einkristalliner Folien aus Halbleitermaterial
DE2850805C2 (de) Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen
DE2059713A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiter-Einkristallen nach der Czochralski-Methode
DE2252548C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Legierungen mit einer durch orientiertes Erstarren erzeugten Struktur
DE2324376C2 (de) Gerichtet erstarrtes Superlegierungsgußstück
DE2914506A1 (de) Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur
DE3325058C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen eines ZnSe-Einkristalls
DE1046341B (de) Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Formkoerpern aus Halbleitermaterial
DE1941968B2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen
EP0095707A1 (de) Verfahren zum Herstellen polykristalliner, für nachfolgendes Zonenschmelzen geeigneter Siliciumstäbe
DE2604351A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen, bei dem eine halbleitermaterialschicht auf einem substrat angebracht wird, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen
DE3785638T2 (de) Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus Halbleiterverbindungen.
DE2632614A1 (de) Vorrichtung zum ziehen eines einkristallinen koerpers aus einem schmelzfilm
DE2339979C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Metallgegenstandes
DE3220338A1 (de) Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe
DE2520764A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von bandfoermigen einkristallen aus halbleitermaterial
EP0095756A1 (de) Verfahren zum Herstellen polykristalliner Siliciumstäbe
DE1533475C (de) Verfahren zur Herstellung parallel zueinander ausgerichteter Stengelkristalle
DE974100C (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen grosser Homogenitaet aus einer Schmelze
AT316027B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Metallblöcken rechteckigen Querschnittes, insbesondere von Brammen, durch Elektroschlackeumschmelzen
AT241538B (de) Verfahren zur Herstellung von aus Halbleitermaterial bestehenden Kristallen, insbesondere Einkristallen
DE1544320C (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen Her Stellung eines einknstalhnen Bandes aus Halb leitermaterial
LU84518A1 (de) Verfahren zum herstellen polykristalliner,fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe