DE10345469A1 - Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers Download PDF

Info

Publication number
DE10345469A1
DE10345469A1 DE10345469A DE10345469A DE10345469A1 DE 10345469 A1 DE10345469 A1 DE 10345469A1 DE 10345469 A DE10345469 A DE 10345469A DE 10345469 A DE10345469 A DE 10345469A DE 10345469 A1 DE10345469 A1 DE 10345469A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
test operation
setting
vnwll
integrated memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE10345469A
Other languages
English (en)
Inventor
Reidar Lindstedt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10345469A priority Critical patent/DE10345469A1/de
Priority to US10/947,449 priority patent/US6950358B2/en
Priority to CNB200410085197XA priority patent/CN100346477C/zh
Publication of DE10345469A1 publication Critical patent/DE10345469A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12005Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising voltage or current generators
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/1204Bit line control

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Eine Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers enthält eine Spannungsgeneratorschaltung (3) zur Erzeugung einer Versorgungsspannung (VNWLL) zum Anlegen an Bitleitungen (BL1, BL2) des Speichers. Eine Steuerschaltung (4) wird von einem Testmodussignal (TM) zur Kennzeichnung eines Testbetriebs angesteuert. Sie ist mit der Spannungsgeneratorschaltung (3) verbunden, wobei mittels der Steuerschaltung die Versorgungsspannung (VNWLL) an wenigstens eine der Bitleitungen (BL1, BL2) in dem Testbetrieb anlegbar ist. Die Spannungsgeneratorschaltung (3) erzeugt in dem Testbetrieb einen negativen Versorgungsspannungswert (VNWLL). Damit ist es ermöglicht, einen Burn-In-Testbetrieb mit einem ausreichend hohen Spannungsunterschied zwischen Wortleitung und Bitleitung auch bei niedrigen Strukturdimensionen durchzuführen und gleichzeitig Spannungslimits in Bezug auf einen Snap-Back-Durchbruch einzuhalten.
DE10345469A 2003-09-30 2003-09-30 Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers Ceased DE10345469A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10345469A DE10345469A1 (de) 2003-09-30 2003-09-30 Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers
US10/947,449 US6950358B2 (en) 2003-09-30 2004-09-23 Circuit arrangement for setting a voltage supply for a test mode of an integrated memory
CNB200410085197XA CN100346477C (zh) 2003-09-30 2004-09-30 设定集成内存测试模式电压供应的电路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10345469A DE10345469A1 (de) 2003-09-30 2003-09-30 Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10345469A1 true DE10345469A1 (de) 2005-05-12

Family

ID=34353220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10345469A Ceased DE10345469A1 (de) 2003-09-30 2003-09-30 Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6950358B2 (de)
CN (1) CN100346477C (de)
DE (1) DE10345469A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10335618B4 (de) * 2003-08-04 2005-12-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeicher und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers
CN100419635C (zh) * 2005-12-16 2008-09-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 内存电压产生电路
DE102006019507B4 (de) * 2006-04-26 2008-02-28 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher mit Testfunktion und Verfahren zum Testen eines integrierten Halbleiterspeichers
KR100798804B1 (ko) * 2006-06-29 2008-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
US7903477B2 (en) * 2008-02-29 2011-03-08 Mosaid Technologies Incorporated Pre-charge voltage generation and power saving modes
US8615690B2 (en) * 2011-05-05 2013-12-24 Mediatek Inc. Controller of memory device and method for operating the same
TWI534819B (zh) * 2014-07-31 2016-05-21 常憶科技股份有限公司 於靜態電流測試下檢測全域字元線缺陷
US12073877B2 (en) * 2021-08-05 2024-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Robust circuit for negative bit line generation in SRAM cells

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049495A (en) * 1999-02-03 2000-04-11 International Business Machines Corporation Auto-programmable current limiter to control current leakage due to bitline to wordline short

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1187677A (zh) * 1997-01-09 1998-07-15 三菱电机株式会社 动态型半导体存储器及其测试方法
KR100302617B1 (ko) * 1999-09-01 2001-11-01 김영환 번인 테스트 회로
JP2002074996A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US6714065B2 (en) * 2001-10-26 2004-03-30 Renesas Technology Corp. Semiconductor device including power supply circuit conducting charge pumping operation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049495A (en) * 1999-02-03 2000-04-11 International Business Machines Corporation Auto-programmable current limiter to control current leakage due to bitline to wordline short

Also Published As

Publication number Publication date
US6950358B2 (en) 2005-09-27
CN1607666A (zh) 2005-04-20
US20050068817A1 (en) 2005-03-31
CN100346477C (zh) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006026661B4 (de) Photovoltaikanlage
DE602005026052D1 (de) Vorrichtung und verfahren für speicheroperationen unter verwendung adressabhängiger bedingungen
DE102006029910B4 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Schutzschaltung und Verfahren zum geschützten Betreiben einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
DE10345469A1 (de) Schaltungsanordnung zur Einstellung einer Spannungsversorgung für einen Testbetrieb eines integrierten Speichers
DE102006052235A1 (de) Speicher-Schreib-Schaltkreis
DE19540621A1 (de) Funktionsprüfgerät für integrierte Schaltungen
DE102006046418A1 (de) Flash-Speicherelement und Verfahren zum Wiederaufladen eines Flash-Speicherelements
DE102005055836B4 (de) Leistungstestplatte
TW200636655A (en) Display device and method of driving the same
DE102014014309A1 (de) Verfahren zum Testen eines Signalpfades
SG138454A1 (en) Memory testing apparatus and method
EP1163680B1 (de) Vorrichtung und verfahren für den eingebauten selbsttest einer elektronischen schaltung
ATE420373T1 (de) Schaltungsanordnung und verfahren zum prüfen einer in der schaltungsanordnung bereitgestellten anwendungsschaltung
CN101749010B (zh) 一种泥浆脉冲发生器测试装置
DE10319119B4 (de) Integrierte Schaltung und System mit integrierter Schaltung
DE10335164A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Testen von integrierten Schaltungskreisen
DE202011103538U1 (de) Metallkernbohrmaschine
DE19706534A1 (de) Halbleitereinrichtung, die in der Lage ist eine eingestellte Anschlußzusatzfunktion extern und schnell zu identifizieren, und ein Verfahren zur Identifizierung einer internen Funktion einer Halbleitereinrichtung
ITTO20080994A1 (it) "procedimento e sistema per verificare l'affidabilita' di dispositivi elettronici"
EP1703224A1 (de) Vorrichtung zur elektrischen Energieversorgung von Komponenten eines Durchlaufwassererhitzers in einem Bereitschaftsbetrieb
CN104181394A (zh) 一种岩矿石标本电阻率测量方法
DE10241029B4 (de) Prüfvorrichtung
DE112007000397T5 (de) Messvorrichtung und Messverfahren
DE2721353C3 (de) Verfahren zur Erfassung von inneren Teilentladungsimpulsen elektrischer Isolierungen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
KR100894107B1 (ko) 로컬 입출력 라인의 테스트 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final