DE10320376B4 - Optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Optische Stegwellenleiter-Halbleitervorrichtung mit: – einem Halbleitersubstrat (1), das eine vordere Oberfläche und eine hintere Oberfläche aufweist; – einer unteren Deckschicht (2), die auf der vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist und die einen streifenförmigen, konvexen Abschnitt umfasst; – einer aktiven Schicht (3), die auf dem streifenförmigen, konvexen Abschnitt der unteren Deckschicht (2) angeordnet ist; – einer Sperrschicht (4), die auf den beiden Seiten des konvexen Abschnitts der unteren Deckschicht (2) bis auf die gleiche Höhe wie die Oberfläche der aktiven Schicht (3) vergraben ist; – einer oberen Deckschicht (5), die auf der aktiven Schicht (3) und der Sperrschicht (4) angeordnet ist; – einem Wellenleiterbereich (30), der zwischen paarweisen Mesa-Gräben (6) angeordnet ist, die von einer Oberfläche der oberen Deckschicht (5) bis auf das Halbleitersubstrat (1) so...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine optische Halbleitervorrichtung, und insbesondere eine optische Halbleitervorrichtung, die eine Struktur aufweist, die verhindert, dass ein Wellenleiterbereich, der eine Stegstruktur aufweist, beschädigt wird. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung.
  • Stand der Technik
  • 5A und 5B zeigen einen herkömmlichen Halbleiterlaser, der allgemein mit 500 bezeichnet ist. 5A zeigt eine Draufsicht des Lasers 500, und 5B zeigt eine Querschnittsansicht des Lasers 500 entlang einer Linie V-V von 5B.
  • Der Halbleiterlaser 500 umfasst ein Halbleitersubstrat 1 mit einer vorderen Oberfläche und einer hinteren Oberfläche. Eine Pufferschicht 2 ist auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet. Die Pufferschicht 2 weist eine streifenförmige Struktur auf, die in Form von Streifen nach oben hervorragt. Eine aktive Schicht 3 ist auf der Pufferschicht 2 angeordnet. Eine Sperrschicht 4 ist beidseits der aktiven Schicht 3 vergraben, und eine Kontaktschicht 5 ist auf der Sperrschicht 4 angeordnet.
  • Mesa-Gräben 6, die bis zu dem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet sind, sind beidseits der Pufferschicht 2, die die streifenförmige Struktur aufweist, angeordnet und bilden auf diese Weise einen Wellenleiterbereich 20, der zwischen den Mesa-Gräben 6 und Befestigungsbereichen 21 und 22 angeordnet ist, die beidseits des Wellenleiterbereichs 20 angeordnet sind.
  • Ein Schutzfilm 8 ist auf der Kontaktschicht 5 und auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 angeordnet, die die Innenseiten der Mesa-Gräben 6 umfasst, und eine Metallschicht 10 ist auf dem Schutzfilm 8 angeordnet. Die Metallschicht 10 ist mit der Kontaktschicht 5 durch eine Öffnung 9 verbunden, die in dem Schutzfilm 8 innerhalb des Wellenleiterbereichs 20 ausgebildet ist. Darüber hinaus ist eine Metallschicht 12 auf der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 angeordnet.
  • Bei dem Halbleiterlaser 500 ist die Oberkante des Wellenleiterbereichs 20, d. h. die obere Oberfläche der Metallschicht 10 höher als die Oberkante des Befestigungsbereichs 22, d. h. einer Oberfläche des Schutzfilms 8. Daher treten in dem Wellenleiterbereich 20 bei der Herstellung und/oder beim der Befestigung bzw. der Montage Spannungen sowie Brüche und Beschädigungen auf, was das Problem nach sich zieht, dass die Fertigungsausbeute geringer wird. Genauer gesagt wird der Wellenleiterbereich 20 beim Schritt des Vakuum-Ansaugens des Halbleiterlasers 500 an der vorderen Oberfläche des Halbleiterlasers 500 zum Halten des Halbleiterlasers 500 und Befestigen des Halbleiterlasers 500 auf einem Package, bei einem Schritt des Beschichtens von Randoberflächen mit einer Mehrzahl von Halbleiterlasern 500, die aufeinander gestapelt sind, oder bei anderen Schritten beschädigt.
  • Die DE 37 14 512 A1 , die als nächstliegender Stand der Technik angesehen wird, offenbart einen Halbleiterlaser mit einem Wellenleiterbereich, der von paarweisen, parallelen Mesa-Gräben begrenzt wird, und Befestigungsbereichen, die außerhalb der Mesa-Gräben angeordnet sind. Der Halbleiterlaser ist aus einer Mehrzahl von Halbleiter- und Metallschichten aufgebaut, wobei die Dicke des Halbleiterlasers in Richtung der Schichtfolge in den Befestigungsbereichen jeweils größer als in dem Wellenleiterbereich ist.
  • Weitere Laserstrukturen, die zum Verständnis der vorliegenden Erfindung hilfreich sein können, sind in der US 5 222 091 A , der US 6 134 368 A , der US 6 075 800 A , der EP 0 547 281 A1 und der US 5 399 885 A offenbart.
  • Kurzdarstellung der Erfindung
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es somit, eine optische Halbleiterstruktur bereitzustellen, die eine Struktur aufweist, die eine Beschädigung eines Wellenleiterbereichs bei der Herstellung und/oder der Befestigung verhindert. Es ist ferner ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterstruktur bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch die Ansprüche 1 und 4 gelöst.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterlasers gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2A–2I sind Querschnittsansichten, die Schritte zur Herstellung des Halbleiterlasers gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers, der nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren Halbleiterlasers, der nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist; und
  • 5A und 5B sind eine Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht des herkömmlichen Halbleiterlasers.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterlasers gemäß einer bevorzugten Ausführungsform, der allgemein mit 100 bezeichnet ist. In 1 bezeichnen die gleichen Bezugszahlen wie in 6 die gleichen oder einander entsprechende Abschnitte.
  • Der Halbleiterlaser 100 umfasst ein p-leitendes InP-Halbleitersubstrat 1 mit einer vorderen Oberfläche und einer hinteren Oberfläche. Eine p-leitende InP-Pufferschicht 2 ist auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 angeordnet. Die Pufferschicht 2 umfasst einen streifenförmigen, konvexen Abschnitt, der nach oben hervorragt. Eine aktive Schicht 3 ist auf der Pufferschicht 2 angeordnet. Die aktive Schicht 3 weist eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQS-Struktur) auf, die eine InGaAsP-Quantentopfschicht und eine InGaAsP-Barrierenschicht umfasst. Eine Sperrschicht 4, die eine (nicht gezeigte) Stapelstruktur aus einer p-leitenden InP-Schicht und einer n-leitenden InP-Schicht aufweist, ist beidseits (auf der rechten Seite und auf der linken Seite) der aktiven Schicht 3 vergraben. Darüber hinaus ist eine n-leitende InP-Kontaktschicht 5 auf der Sperrschicht 4 angeordnet. Die Pufferschicht 2 und die Kontaktschicht 5 wirken als eine untere Deckschicht bzw. eine obere Deckschicht bezüglich der aktiven Schicht 3.
  • Paarweise Mesa-Gräben 6, die bis zu dem Halbleitersubstrat 1 und ungefähr parallel zueinander ausgebildet sind, sind beidseits des streifenförmigen, konvexen Abschnitts und entlang des streifenförmigen, konvexen Abschnitts angeordnet. Der zwischen den paarweisen Mesa-Gräben 6 (innerer Bereich) liegende Bereich ist ein Wellenleiterbereich 30, dessen Breite (die Ausdehnung in Richtung der y-Achse) zum Beispiel etwa 6 μm beträgt. Ferner bilden Bereiche außerhalb der Mesa-Gräben 6 (äußere Bereiche) einen ersten Befestigungsbereich 31 und einen zweiten Befestigungsbereich 32.
  • Eine Abstandsschicht 7 ist auf der Kontaktschicht 5, sowohl in dem ersten Befestigungsbereich 31 als auch in dem zweiten Befestigungsbereich 32, angeordnet. Die Abstandsschicht 7 besteht zum Beispiel aus Siliziumoxid, Polyimid oder dergleichen, und die Filmdicke der Abstandsschicht 7 beträgt ungefähr 0,4 μm.
  • Ein Schutzfilm 8, zum Beispiel aus Siliziumoxid, ist auf der Kontaktschicht 5, der Abstandsschicht 7 und einer Oberfläche des Halbleitersubstrats 1, die die Innenseiten der Mesa-Gräben 6 umfasst, angeordnet.
  • Eine Metallschicht 10 ist auf dem Schutzfilm 8 angeordnet. Die Metallschicht 10 ist durch eine Öffnung 9, die innerhalb des Wellenleiterbereichs 30 in dem Schutzfilm 8 ausgebildet ist, mit der Kontaktschicht 5 verbunden. Darüber hinaus erstreckt sich die Metallschicht 10 über den ersten Befestigungsbereich 31 jenseits des Mesa-Grabens 6, wodurch eine Oberflächenelektrode auf dem ersten Befestigungsbereich 31 gebildet wird. Ferner ist eine Metallschicht 11, die keine Elektrode bildet, auf dem zweiten Befestigungsbereich 32 angeordnet. Die Metallschichten 10 und 11 sind zum Beispiel aus Gold hergestellt, und die Dicke der Metallschichten 10 und 11 beträgt ungefähr 4 μm.
  • Darüber hinaus ist eine Metallschicht 12 zum Beispiel aus Gold auch auf der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 angeordnet. Die Metallschicht 12 bildet eine Oberflächenelektrode.
  • Die Metallschicht 11 kann, ebenso wie die Metallschicht 10, so ausgebildet sein, dass sie durch die Öffnung 9 elektrisch mit der Kontaktschicht 5 verbunden ist.
  • Da bei dem Halbleiterlaser 100 die Abstandsschicht 7 auf dem ersten Befestigungsbereich 31 und dem zweiten Befestigungsbereich 32 angeordnet ist, sind die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 zur Oberkante der Metallschicht 10 in dem ersten Befestigungsbereich 31 und die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 zur Oberkante der Metallschicht 11 in dem zweiten Befestigungsbereich 32 jeweils höher als die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 zu der Oberkante des Metallschicht 10 in dem Wellenleiterbereich 30.
  • Folglich schützen die Metallschichten 10 und 11 in den Befestigungsbereichen 31 und 32 eine Metallschicht 30, die in dem Wellenleiterbereich 30 angeordnet ist, und ein Bruch oder eine Beschädigung des Wellenleiterbereichs 30 bei der Herstellung und/oder bei der Befestigung bzw. der Montage wird verhindert.
  • Eine Chip-Breite Wc (die Abmessung in Richtung der y-Achse) des Halbleiterlasers 100 beträgt ungefähr 300 μm, eine Hohlraumlänge Lc (die Abmessung in Richtung der x-Achse) des Halbleiterlasers 100 beträgt ungefähr 200 μm, und eine Chipdicke Tc (die Höhe in Richtung der z-Achse) des Halbleiterlasers 100 beträgt ungefähr 100 μm. Obwohl in 1 eine Halbleiterschicht auf einer Emissionsstirnfläche gezeigt ist, kann die Emissionsstirnfläche mit einem Antireflexionsfilm beschichtet sein.
  • Im Folgenden ist ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers 100 mit Bezug auf die 2 und 3 beschrieben. Das Herstellungsverfahren umfasst Schritte 1 bis 9, die nachstehend beschrieben sind.
  • Schritt 1: Wie in 2A gezeigt ist, wird das p-leitende Halbleitersubstrat 1 aus InP, das eine vordere Oberfläche und eine hintere Oberfläche aufweist, vorbereitet. Anschließend werden auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren die p-leitende Pufferschicht 2 aus InP und die aktive Schicht 3 mit der Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQT-Struktur), die die InGaAsP-Quantentopfschicht und die In-GaAsP-Barrierenschicht umfasst, ausgebildet. Obwohl bei diesem Verfahren die aktive Schicht 3 die Mehrfach-Quantentopfstruktur aufweist, kann die aktive Schicht 3 auch eine Ein-Quantentopfstruktur (EQT-Struktur) aufweisen.
  • Schritt 2: Wie in 2B gezeigt ist, werden die aktive Schicht 3 und die Pufferschicht 2 unter Verwendung einer (nicht gezeigten) Resistmaske teilweise geätzt, wodurch der konvexe Abschnitt gebildet wird, der in Form eines Streifens hervorragt.
  • Schritt 3: Wie in 2C gezeigt ist, wird unter Verwendung zum Beispiel eines selektiven Wachstumsprozesses die Sperrschicht 4 gebildet, so dass der Bereich beidseits des konvexen Abschnitts aufgefüllt wird. Die Sperrschicht 4 ist zum Beispiel aus einer (nicht gezeigten) gestapelten Struktur aus einer p-leitenden InP-Schicht und einer n-leitenden InP-Schicht gebildet. Eine obere Oberfläche der Sperrschicht 4 befindet sich in etwa auf der gleichen Höhe wie eine obere Oberfläche der aktiven Schicht 3. Die n-leitende InP-Kontaktschicht 5 wird anschließend zum Beispiel mit Hilfe eines CVD-Verfahren auf die Sperrschicht 4 aufgebracht.
  • Schritt 4: Wie in 2D gezeigt ist, werden die beiden Seiten des streifenförmigen, konvexen Abschnitts bis zu dem Halbleitersubstrat 1 geätzt, wodurch die paarweisen Mesa-Gräben 6 gebildet werden. Die Mesa-Gräben 6 werden so gebildet, dass der streifenförmige konvexe Abschnitt dazwischen liegt und so, dass sie ungefähr parallel zueinander und entlang des konvexen Abschnitts verlaufen. Die Tiefe der Mesa-Gräben 6 beträgt zum Beispiel ungefähr 7 μm.
  • Der zwischen den paarweisen Mesa-Gräben 6 liegende Bereich (innerer Bereich) wird der Wellenlängenbereich 30, und die Breite des Wellenlängenbereichs 30 beträgt zum Beispiel ungefähr 6 μm. Ferner werden die außerhalb der Mesa-Gräben 6 liegenden Bereiche (äußere Bereiche) der erste Befestigungsbereich 31 und der zweite Befestigungsbereich 32.
  • Die aktive Schicht 3 in dem Wellenleiterbereich 30 ist in vertikaler Richtung zwischen der Pufferschicht 2 und der aktiven Schicht 5 angeordnet, und beidseits der aktiven Schicht 3 ist die Sperrschicht 4 angeordnet.
  • Schritt 5: Wie in 2E gezeigt ist, wird die Abstandsschicht 7 aus Siliziumoxid zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren so ausgebildet, dass sie die obere Oberfläche bedeckt. Anschließend wird eine Resistmaske 18 auf dem ersten Befestigungsbereich 31 und dem zweiten Befestigungsbereich 32 ausgebildet.
  • Schritt 6: Wie in 2F gezeigt ist, wird die Abstandsschicht 7 mit Hilfe der Resistmaske 18 so geätzt, dass die Abstandsschicht 7 auf dem ersten Befestigungsbereich 31 und dem zweiten Befestigungsbereich 32 zurückbleibt. Die Dicke der auf dem ersten Befestigungsbereich 31 und dem zweiten Befestigungsbereich 32 verbleibenden Abstandsschicht 7 beträgt ungefähr 0,4 μm.
  • Obwohl bei diesem Verfahren Siliziumoxid als Material für die Abstandsschicht 7 verwendet wird, kann statt dessen auch Polyimid verwendet werden.
  • Schritt 7: Wie in 2G gezeigt ist, wird der Schutzfilm 8 zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren so ausgebildet, dass er die gesamte Oberfläche abdeckt. Der Schutzfilm 8 ist zum Beispiel aus Siliziumoxid.
  • Schritt 8: Wie in 2H gezeigt ist, wird die Öffnung 9 zum Beispiel durch Ätzung, unter Verwendung von einer (nicht gezeigten) Resistmaske in dem Schutzfilm auf dem Wellenleiterbereich 30 ausgebildet.
  • Schritt 9: Wie in 2I gezeigt ist, werden die Metallschichten 10 und 11 zum Beispiel aus Gold durch ein Plattierungsverfahren ausgebildet. Eine Ti/Au-Schicht kann als Bett für die Metallschichten 10 und 11 ausgebildet werden. Darüber hinaus kann eine AuZn/Ti/Au-Schicht als Bett für die Metallschicht 12 ausgebildet werden.
  • Der in 1 gezeigte Halbleiterlaser 100 wird durch die oben beschriebenen Schritte erzeugt.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht eines Halbleiterlasers, der nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist und der allgemein mit 200 bezeichnet ist. In 3 bezeichnen dennoch die gleichen Bezugszeichen wie in 1 gleiche oder einander entsprechende Abschnitte.
  • Der Halbleiterlaser 200 weist eine solche Struktur auf, bei der keine Sperrschicht 4 abgeschieden ist, und eine Begrenzung in Querrichtung wird durch die Mesa-Gräben 6 bewerkstelligt. Die Struktur gemäß der bevorzugten Ausführungsform ist auf den Halbleiterlaser 200 mit einer solchen Struktur anwendbar.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht eines weiteren Halbleiterlasers, der nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist und der allgemein mit 300 bezeichnet ist. In 5 bezeichnen dennoch die gleichen Bezugszahlen wie in 1 gleiche oder einander entsprechende Abschnitte.
  • Der Halbleiterlaser 300 weist eine Struktur auf, bei der die Sperrschicht 4 des Halbleiterlasers 100 nicht abgeschieden ist, und der streifenförmige, konvexe Abschnitt ist durch die Kontaktschicht 5 gebildet. Die Struktur gemäß der bevorzugten Ausführungsform ist auf den Halbleiterlaser 300 mit einer solchen Struktur anwendbar.
  • Obwohl Mesa-Gräben 3 so tief ausgebildet sind, bis die aktive Schicht in 4 offenliegt, kann eine alternative Form darin bestehen, dass sich die Vertiefung halb durch die Kontaktschicht 5 hindurch erstreckt.
  • Obwohl im Vorangegangenen die bevorzugte Ausführungsform in Bezug auf einen Halbleiterlaser beschrieben ist, bei dem InP als Halbleitersubstrat 1 verwendet wird, ist die Struktur gemäß der bevorzugten Ausführungsform auf einen Halbleiterlaser anwendbar, bei dem ein Material wie GaAs und GaN als Halbleitersubstrat 1 verwendet wird.
  • Darüber hinaus ist diese Struktur auf eine optische Halbleitervorrichtung wie etwa eine Leuchtdiode, ein Lichtempfangselement oder ein Lichtmodulationselement anwendbar, das die gleiche oder eine ähnliche Struktur aufweist.
  • Wie oben bezüglich der optischen Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ausführlich beschrieben ist, ist es möglich, eine Beschädigung eines Wellenleiterbereichs bei der Herstellung oder beim Zusammenbau zu verhindern, und die Produktionsausbeute von optischen Halbleitervorrichtungen zu verbessern.

Claims (4)

  1. Optische Stegwellenleiter-Halbleitervorrichtung mit: – einem Halbleitersubstrat (1), das eine vordere Oberfläche und eine hintere Oberfläche aufweist; – einer unteren Deckschicht (2), die auf der vorderen Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist und die einen streifenförmigen, konvexen Abschnitt umfasst; – einer aktiven Schicht (3), die auf dem streifenförmigen, konvexen Abschnitt der unteren Deckschicht (2) angeordnet ist; – einer Sperrschicht (4), die auf den beiden Seiten des konvexen Abschnitts der unteren Deckschicht (2) bis auf die gleiche Höhe wie die Oberfläche der aktiven Schicht (3) vergraben ist; – einer oberen Deckschicht (5), die auf der aktiven Schicht (3) und der Sperrschicht (4) angeordnet ist; – einem Wellenleiterbereich (30), der zwischen paarweisen Mesa-Gräben (6) angeordnet ist, die von einer Oberfläche der oberen Deckschicht (5) bis auf das Halbleitersubstrat (1) so ausgebildet sind, dass sie parallel zueinander sind und der konvexe Abschnitt zwischen ihnen angeordnet ist; – einem ersten Befestigungsbereich (31) und einem zweiten Befestigungsbereich (32), die jeweils außerhalb der paarweisen Mesa-Gräben (6) angeordnet sind; – einer ersten Abstandsschicht (7), die auf der oberen Deckschicht (5) in dem ersten Befestigungsbereich (31) angeordnet ist, und einer zweiten Abstandsschicht (7), die auf der oberen Deckschicht (5) in dem zweiten Befestigungsbereich (32) angeordnet ist; – einem Schutzfilm (8), der auf dem Wellenleiterbereich (30) und dem ersten Befestigungsbereich (31) und dem zweiten Befestigungsbereich (32) angeordnet ist; – einer ersten Metallschicht (10), die elektrisch mit der oberen Deckschicht (5) in dem Wellenleiterbereich (30) verbunden ist und die sich von über dem Wellenleiterbereich (30) über den ersten Befestigungsbereich (31) erstreckt; und – einer zweiten Metallschicht (11), die über dem zweiten Befestigungsbereich (32) angeordnet ist; – wobei die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) zur Oberkante der ersten Metallschicht (10) in dem ersten Befestigungsbereich (31) und die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) zur Oberkante der zweiten Metallschicht (11) in dem zweiten Befestigungsbereich (32) jeweils höher als die Höhe von der hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) zur Oberkante der ersten Metallschicht (10) in dem Wellenleiterbereich (30) ist; – wobei die erste Abstandsschicht (7) und die zweite Abstandsschicht (7) aus Siliziumoxiden oder aus Polyimid hergestellt sind; und – wobei die aktive Schicht (3) nur in dem Wellenleiterbereich (30) ausgebildet ist.
  2. Optische Stegwellenleiter-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die obere Oberfläche der ersten Metallschicht (10) in dem ersten Befestigungsbereich (31) und die obere Oberfläche der zweiten Metallschicht (11) in dem zweiten Befestigungsbereich (32) in derselben Ebene liegen.
  3. Optische Stegwellenleiter-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Dicke der ersten Metallschicht (10) in dem ersten Befestigungsbereich (31) und die Dicke der zweiten Metallschicht (11) in dem zweiten Befestigungsbereich (32) gleich sind.
  4. Verfahren zur Erzeugung einer Stegwellenleiter-Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das die Schritte umfasst: (a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); (b) Ausbilden einer unteren Deckschicht (2) und einer aktiven Schicht (3), die in dieser Reihenfolge übereinander auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet sind; (c) Ätzen der aktiven Schicht (3) und teilweises Ätzen der unteren Deckschicht (2), um einen streifenförmigen, konvexen Abschnitt zu bilden; (d) Ausbilden einer Sperrschicht (4) beidseits des konvexen Abschnitts auf der unteren Deckschicht (2) bis auf die gleiche Höhe wie die obere Oberfläche der aktiven Schicht (3); (e) Aufbringen einer oberen Deckschicht (5), die auf der aktiven Schicht (3) und der Sperrschicht (4) angeordnet ist; (f) Abtragen von einer Oberfläche der oberen Deckschicht (5) bis hinunter auf das Halbleitersubstrat (1) beidseits des streifenförmigen, konvexen Abschnitts zur Erzeugung von paarweisen, parallelen Messgräben, um einen Wellenleiterbereich, der zwischen den paarweisen, parallelen Mesa-Gräben (6) angeordnet ist, und einen ersten Befestigungsbereich (31) und einen zweiten Befestigungsbereich (32), die jeweils außerhalb der paarweisen, parallelen Mesa-Gräben (6) angeordnet sind, zu bilden, so dass die aktive Schicht (3) nur in dem Wellenleiterbereich ausgebildet ist; (g) Ausbilden einer Abstandsschicht (7) aus Siliziumoxiden oder aus Polyimid auf der oberen Deckschicht (5) in dem ersten Befestigungsbereich (31) und in dem zweiten Befestigungsbereich (32); (h) Ausbilden eines Schutzfilms (8) auf dem Wellenleiterbereich (30) und dem ersten Befestigungsbereich (31) und dem zweiten Befestigungsbereich (32); (i) Ausbilden einer ersten Metallschicht (10), die mit der oberen Deckschicht (5) in dem Wellenleiterbereich (30) elektrisch verbunden ist und sich von oberhalb des Wellenleiterbereichs (30) über den ersten Befestigungsbereich (31) erstreckt; und (j) Ausbilden einer zweiten Metallschicht (11), die über dem zweiten Befestigungsbereich (32) angeordnet ist.
DE10320376A 2002-05-08 2003-05-07 Optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung Expired - Lifetime DE10320376B4 (de)

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