JP4910870B2 - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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- 半導体基板の一面側に、半導体メサ部を含む多層半導体構造を形成する工程と、
前記多層半導体構造の表面に、前記半導体メサ部を露出させるストライプ状の第1開口部を有する誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の表面、及び前記第1開口部の内部に下地電極層を形成する工程と、
前記第1開口部に対応する第2開口部を有し、当該第2開口部の開口面積が前記下地電極層側に向かって徐々に小さくなるように前記第2開口部の内壁が傾斜しているレジスト層を前記下地電極層の表面に形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして用い、その周縁部が庇となるように前記下地電極層の表面にめっき電極層を形成する工程と、
前記めっき電極層をマスクとして用い、前記下地電極層をエッチングする工程と、
前記多層半導体構造の積層方向から見て、前記庇と重なる位置に分割線を設定し、当該分割線に沿って前記半導体基板の他面側からへき開して前記多層半導体構造を分割する工程と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記庇の幅は、10μm以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記庇の幅は、20μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記下地電極層及び前記めっき電極層は、前記分割線の方向に突出するパッド電極部を有しており、前記多層半導体構造は、前記分割線を挟んで隣接する多層半導体構造との間で前記パッド電極部の突出方向が互いに反対向きになるように前記半導体基板上に配列されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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