JP7241572B2 - 半導体光素子、光モジュール、及び半導体光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (22)
- 第1の方向に延伸するメサストライプを含む素子構造層と、
少なくとも前記メサストライプの上面を覆う電極膜と、
前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第1の方向に交差する第2の方向に位置する第1の領域の一部を覆い、前記電極膜と電気的に接続された電極パッド部と、
前記第1の領域の他の一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第1のダミー電極と、
前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第2の方向と逆方向である第3の方向に位置する第2の領域の少なくとも一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第2のダミー電極と、を含み、
前記第1のダミー電極は、前記電極パッド部よりも前記第1の方向に配置された第1部と、前記電極パッド部よりも前記第1の方向と逆方向である第4の方向に配置された第2部と、を含み、
前記第2のダミー電極は、スリットによって分離された第3部および第4部を含み、
前記第1のダミー電極、前記第2のダミー電極および前記電極パッド部の膜厚が互いに等しい、
半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子であって、
前記第1のダミー電極は、前記電極パッド部の外周の少なくとも一部に沿う縁を有する、
半導体光素子。 - 請求項2に記載の半導体光素子であって、
前記電極パッド部の前記外周は円周状であり、
前記第1のダミー電極の前記縁は、前記外周の曲率よりも大きな曲率半径を有する円弧状である、
半導体光素子。 - 請求項3に記載の半導体光素子であって、
前記外周の少なくとも一部と前記縁とは、互いに向き合うよう配置され、且つ一定幅の隙間を開けて配置された、
半導体光素子。 - 請求項4に記載の半導体光素子であって、
前記隙間は、5μm以上、10μm以下である、
半導体光素子。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層は、前記第1の領域において第1のバンプ部を有し、及び前記第2の領域において第2のバンプ部を有する、
半導体光素子。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記メサストライプと重畳する領域における前記電極膜の上面の高さよりも、前記第1のダミー電極の上面、及び前記第2のダミー電極の上面の方が高い位置に配置された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記第1部と前記第2部とは互いに分離して配置された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記第1のダミー電極が、前記第1の方向、前記第2の方向、及び前記第4の方向から前記電極パッド部を囲う、
半導体光素子。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記第1の領域の面積よりも、前記第2の領域の面積が小さい、
半導体光素子。 - 請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記第2の領域における、前記第2のダミー電極、及び前記電極膜に覆われていない領域の面積は、前記第2の領域の面積の20%以下である、
半導体光素子。 - 請求項11に記載の半導体光素子であって、
前記第2のダミー電極の上方から視認される位置には記号が付された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記第1の領域における、前記第1のダミー電極、前記電極パッド部、及び前記電極膜に覆われていない領域の面積は、前記第1の領域の面積の20%以下である、
半導体光素子。 - 請求項13に記載の半導体光素子であって、
前記第1のダミー電極の上方から視認される位置には記号が付された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至14のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の外形を構成する辺の80%以上に沿うように、前記第1のダミー電極及び前記第2のダミー電極が配置された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至15のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記第1の領域が、前記第1のダミー電極が配置されていない前記第1の方向に交差する第1の端辺領域を有し、前記第2の領域が、前記第2のダミー電極が配置されていない前記第1の方向に交差する第2の端辺領域を有する、
半導体光素子。 - 請求項1乃至16のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記素子構造層は矩形状の外形を有し、
前記第1のダミー電極、及び前記第2のダミー電極の少なくとも一部が、前記矩形状の外形における4隅に沿うよう配置され、
前記電極膜の上面よりも、前記第1のダミー電極、及び前記第2のダミー電極の上面の方が高い位置に配置された、
半導体光素子。 - 請求項1乃至17のいずれかに記載の半導体光素子であって、
前記素子構造層の上方から見て、前記第1のダミー電極と重畳する領域の前記素子構造層の層構造と、前記第2のダミー電極と重畳する領域の前記素子構造層の層構造とが等しい、
半導体光素子。 - 請求項1乃至18のいずれかに記載の半導体光素子と、
前記半導体光素子の下面側が搭載されるサブマウントと、を含み、
前記サブマウントに設けられた配線と、前記電極パッド部と、がワイヤボンディングにより電気的に接続された、
光モジュール。 - 第1の方向に延伸するメサストライプを含む素子構造層を準備し、
前記素子構造層の上面に導電層を形成し、
前記導電層を分離することにより、少なくとも前記メサストライプの上面を覆う電極膜と、前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第1の方向に交差する第2の方向に位置する第1の領域の一部を覆い、前記電極膜と電気的に接続された電極パッド部と、前記第1の領域の他の一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第1のダミー電極と、前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第2の方向と逆方向である第3の方向に位置する第2の領域の少なくとも一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第2のダミー電極と、を形成し、
前記導電層を分離する工程において、前記第1のダミー電極が、前記電極パッド部よりも前記第1の方向に配置された第1部と、前記電極パッド部よりも前記第1の方向と逆方向である第4の方向に配置された第2部と、を含むよう分離し、
前記第2のダミー電極は、前記導電層を分離する工程においてスリットによって分離された第3部および第4部を含み、
前記第1のダミー電極、前記第2のダミー電極および前記電極パッド部の膜厚が互いに等しい、
半導体光素子の製造方法。 - 請求項20に記載の半導体光素子の製造方法であって、
前記導電層の分離は、ミリングを用いて行う、
半導体光素子の製造方法。 - 第1の方向に延伸するメサストライプを含む素子構造層を準備し、
前記素子構造層の上面に導電層を形成し、
前記導電層を分離することにより、少なくとも前記メサストライプの上面を覆う電極膜と、前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第1の方向に交差する第2の方向に位置する第1の領域の一部を覆い、前記電極膜と電気的に接続された電極パッド部と、前記第1の領域の他の一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第1のダミー電極と、前記素子構造層の上面における、前記メサストライプよりも前記第2の方向と逆方向である第3の方向に位置する第2の領域の少なくとも一部を覆い、前記電極膜と電気的に絶縁された第2のダミー電極と、を形成し、
前記導電層を分離する工程において、前記第1のダミー電極が、前記電極パッド部よりも前記第1の方向に配置された第1部と、前記電極パッド部よりも前記第1の方向と逆方向である第4の方向に配置された第2部と、を含むよう分離し、
前記導電層の分離は、ミリングを用いて行う、
半導体光素子の製造方法。
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