JP7046294B1 - 光半導体装置 - Google Patents

Abstract

光半導体装置（１）は、共振器（２ｒ）が形成された半導体層（２）、半導体層（２）の両端面（２ｆｅ）を覆う反射膜（２ｃｅ）、金属層の積層によって形成された電極パッド（３１）、実装面（２ｆｔ）の両端面（２ｆｅ）に近い位置それぞれに配置され、実装面（２ｆｔ）からの高さが最大となる支持面（４ｆｓ）を有して反射膜（２ｃｅ）をコートする際に治具を支持する支持体（４）、および左右方向において接合面（３ｆｐ）が形成された領域を網羅するように、両端面（２ｆｅ）に隣接する辺と接合面（３ｆｐ）との間それぞれで接合面（３ｆｐ）よりも高い部分が延伸する遮蔽機構を備えるように構成した。

Description

本願は、光半導体装置に関するものである。

半導体レーザ素子とも称される光半導体装置においては、端面を反射膜で確実に被覆する必要があるが、端面以外の面へのコート回り込みは、特性の劣化、アセンブリ不具合の原因になる。コート回り込みを抑制する為、ダミーバーの長さあるいは成膜条件（コート源に対する光半導体装置の設置角度など）を調整しているが、種々の公差の影響もあり、完全に抑制することは出来ず、一定数量の回り込み不良が、日常的に発生している。

そこで、端面コート時に使用するダミーバーの片面、または両面に凹みを設けることで、端面以外の面へのコート回り込みを抑制する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）

特開２００４－１９３２５７号公報（段落００３８～００３９，図６～図８） 特開２０１８－１７０３０８号公報（段落００２４～００２５、図２Ａ～図２Ｃ）

しかしながら、ダミーバーに凹みを設ける為には、ダミーバーの母材を単にバー状に切り出すだけではなく、バー表面を掘り込むような加工が必要になり、大幅な加工費の増大が生じる。また、ダミーバーの凹みに合わせて光半導体装置のバーを配列する必要が生じ、人手によるマニュアル作業にしても、自動化するにしても、普通の形状のダミーバーに比べて難易度は非常に高いものとなる。

また、電極パッドの下地に凹形状の樹脂層を形成し、電極パッド自体を凹形状にして、電極パッドの接合面へのコート回り込みを回避する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかし、その場合、下地となる樹脂層の形成において凹形状の制御が困難であり、製造ロット毎の再現性を得ることは難しく、出来栄えの管理なども煩雑なものとなり易い。つまり、コート回り込みを再現性良く抑制することは困難であった。

本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、再現性良くコート回り込みを防止できる光半導体装置を得ることを目的としている。

本願に開示される光半導体装置は、半導体基板に複数の結晶層が積層され、積層方向に垂直な方向に延びる共振器が形成された半導体層、前記共振器の延伸方向における前記半導体層の両端面を覆う反射膜、前記半導体層の前記積層方向に垂直な面のうち、裏面電極が敷設された面の反対側の実装面に金属層の積層によってボンディングワイヤとの接合面を有するように局所的に形成され、前記裏面電極との間で前記半導体層に電流を注入するための電極パッド、前記実装面の前記両端面に近い位置それぞれに配置され、前記実装面からの前記積層方向における高さが最大となる平坦面を有して前記反射膜をコートする際に治具を支持する支持体、および前記実装面における前記延伸方向に垂直な方向において前記接合面が形成された領域を網羅するように、前記実装面の前記両端面に隣接する辺と前記接合面との間それぞれで前記積層方向における前記接合面よりも高い部分が延伸する遮蔽機構、を備え、前記支持体は樹脂で構成されて前記接合面が露出する開口部を有し、前記平坦面は前記実装面の前記両端面に隣接する辺それぞれに沿って延伸し、かつ前記延伸方向における一端側から他端側にかけて連なっていることを特徴とする。

本願に開示される光半導体装置によれば、ダミーバーを安定して支持できる支持面と遮蔽機構を形成するようにしたので、再現性良くコート回り込みを防止できる光半導体装置を得ることができる。

実施の形態１にかかる光半導体装置の構成を説明するための斜視図である。 図２Ａ～図２Ｃそれぞれは、実施の形態１にかかる光半導体装置の構成を説明するための、平面図と正面図と端面図である。 図３Ａと図３Ｂそれぞれは、実施の形態１にかかる光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーをダミーバーで挟んだ状態を示す正面図と端面図である。 実施の形態２にかかる光半導体装置の構成を説明するための斜視図である。 図５Ａ～図５Ｃそれぞれは、実施の形態２にかかる光半導体装置の構成を説明するための、平面図と正面図と端面図である。 図６Ａと図６Ｂそれぞれは、実施の形態２にかかる光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーをダミーバーで挟んだ状態を示す正面図と端面図である。 実施の形態３にかかる光半導体装置の構成を説明するための斜視図である。 図８Ａ～図８Ｃそれぞれは、実施の形態３にかかる光半導体装置の構成を説明するための、平面図と正面図と端面図である。 図９Ａと図９Ｂそれぞれは、実施の形態３にかかる光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーをダミーバーで挟んだ状態を示す正面図と端面図である。 実施の形態４にかかる光半導体装置の構成を説明するための斜視図である。 図１１Ａ～図１１Ｃそれぞれは、実施の形態４にかかる光半導体装置の構成を説明するための、平面図と正面図と端面図である。 図１２Ａと図１２Ｂそれぞれは、実施の形態４にかかる光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーをダミーバーで挟んだ状態を示す正面図と端面図である。

以下、図面を参照して、本願の実施の形態について説明する。なお、本明細書で使用する各図においては、共通する要素に同一の符号を付し、重複する説明を省略するものとする。

実施の形態１．
図１～図３Ａ、図３Ｂは、実施の形態１にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのものである。図１は光半導体装置の構成を説明するための斜視図であり、図２Ａは光半導体装置の実装面側から見た平面図、図２Ｂは光半導体装置を端面側から見た正面図、図２Ｃは図２ＡのＡ－Ａ線による端面図である。また、図３Ａは光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーの上下をダミーバーで挟み込んだ状態を示す端面側から見た正面図、図３Ｂはその状態における図２Ｃに対応する端面図である。

実施の形態１にかかる光半導体装置１は、図１および図２Ａ～図２Ｃに示すように、半導体層２に対してエッチング等による成形を施し、電極パッド３１等の部材を搭載したものである。半導体層２は、リン化インジウム（ＩｎＰ）基板、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板等の半導体基板、およびそれらの上（ｚ方向）に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition）などでエピタキシャル成長された種々の結晶の層からなる。そして、後述する劈開によりｙ方向の両端が断たれ、ダイシングによりｘ方向の両端が切断されることで、実質的に直方体状をなす。

半導体層２の内部には、レーザ光を出射するための共振器２ｒが、図におけるｙ方向に延在して形成され、延在方向、つまり光の進行方向の両端が、結晶劈開などで断たれて端面２ｆｅとして形成され、表面に反射膜２ｃｅが成膜される。また、共振器２ｒの両脇は、共振器２ｒに沿った形で半導体層２の掘り込み２ｄが設けられている。半導体層２の最表面（実装面２ｆｔ）には窒化膜２ｃｎが成膜され、半導体層表面を保護している。

半導体層２の裏面（図中下側の面）には、符号を付さない裏面電極が全面に敷設されている。そして、裏面の反対側である実装面２ｆｔには、共振器２ｒと電気的に接続され、裏面電極との間で半導体層２に電流を注入するための電極パッド３１と、電極パターン３２等を含むメタル層３が設けられている。メタル層３は、スパッタ、メッキ、蒸着などの手法により成膜されたメタルからなる。メタルとしては、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）およびこれらの積層構造が用いられる。なお、ここまでの構成は、一般的な光半導体装置と同様の構成である。

実施の形態１にかかる光半導体装置１の特徴的な構成として、半導体層２の実装面２ｆｔにおける、端面２ｆｅ側の辺に近い領域には、ｚ方向で最大かつ一定高さの平坦な支持面４ｆｓを有する樹脂による支持体４が端面２ｆｅに沿って延びるように形成されている。支持体４にはポリイミド、アルキド樹脂などを用いる。通常、電極パッド３１に用いるメタルは３～６μｍ程度の厚みがあるので、支持体４の厚みはそれよりも厚い、６～１０μｍ程度にしている。

支持体４は、上述した厚みが得られるように塗布した後に所望のパターンを形成することで、半導体層２の掘り込み２ｄ、電極パッド３１を形成するメタルによって生ずる実装面２ｆｔ部分の凹凸を埋めている。支持面４ｆｓとなる支持体４の最表面は、平坦な形状に仕上げてレベル出しを行っている。この厚みと平坦形状（平坦な支持面４ｆｓ）を得るため、支持体４はスピンコート法を用いて塗布する。

上述した構成を前提として、反射膜２ｃｅの成膜（端面コート）について説明する。図３Ａ、図３Ｂに示すように、ダイシングラインＬｄに沿ったダイシングによるチップ分離がされておらず、バー形状になっている半導体バー１Ｂは、ダミーバー９１、９２（まとめて、ダミーバー９０）と交互に配列された状態で端面コートが施される。

支持体４の最表面は平坦な形状の支持面４ｆｓであるため、平坦なダミーバー９０に対して、実装面２ｆｔ側で接触するのは、支持面４ｆｓのみである。しかも、支持体４（支持面４ｆｓ）は、半導体バー１Ｂの前後（ｙ方向）それぞれに配置されているため、半導体バー１Ｂに対して、ダミーバー９０が傾くことがない。

これにより、支持面４ｆｓをダミーバー９２に対して隙間なく密着させることができる。当然ながら、半導体バー１Ｂの符号を付さない底面も平坦であるため、ダミーバー９１に対して隙間なく密着させることができる。そのため、端面コートの際、支持体４が障壁となり、実装面２ｆｔにおける支持体４の内側（ｙ方向）へのコート回り込みを防ぐという効果が得られる。

そして支持体４は、電極パッド３１に対して距離をあけて、前後（ｙ方向）に分かれて設けられ、さらに、それぞれ前後方向において、中央よりも端に近い位置に設けられている。そのように配置した支持体４により、半導体バー１Ｂの最高位（ｚ方向）は、前後方向に振り分け配置した平坦な支持面４ｆｓであるため、平坦なダミーバー９０を傾くことなく密着させ、確実にコート回り込みを防止できる。

なお、電極パッド３１に対して距離をあけて、左右方向（ｘ方向）に分かれ、それぞれ左右方向における中央よりも端に近い位置に支持体を設けることも考えられる。しかし、端面コートはダイシング前の半導体バー１Ｂを対象に行われることを前提とするため、ダミーバー９０の傾き防止機能に関しては、支持体は必ずしも左右方向で振り分ける必要はない。

それに対し、端面コートは端面２ｆｅを形成した後で行われるので、前後方向において振り分けた、中央よりも両端に近い位置にダミーバー９０の支持部（支持面４ｆｓ）を存在させることが重要である。一方、障壁機能については、左右方向における少なくとも電極パッド３１の接合面３ｆｐの領域を網羅するように延びていることが望ましい。とくに、実装面２ｆｔの端面２ｆｅに隣接する辺それぞれに沿って（少なくとも左右方向における中央よりも両端に近い範囲で）延伸することで、コート回り込みをより確実に防止できる。左右方向の両端にわたって形成することも可能であるが、製造工程におけるハンドリング等を考慮して内縁部分にマージンを設けている。

実施の形態２．
上記実施の形態１においては、支持体を実装面の端面側の２つの辺それぞれに近い領域で、平坦な支持面が左右方向に延びる例について説明した。本実施の形態２においては、電極パッド部分を開口して、前後方向に支持面が連なっている例について説明する。

図４～図６Ａ、図６Ｂは、実施の形態２にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのものである。図４は光半導体装置の構成を説明するための斜視図であり、図５Ａは光半導体装置の実装面側から見た平面図、図５Ｂは光半導体装置を端面側から見た正面図、図５Ｃは図５ＡのＢ－Ｂ線による端面図である。また、図６Ａは光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーの上下をダミーバーで挟み込んだ状態を示す端面側から見た正面図、図６Ｂはその状態における図５Ｃに対応する端面図である。なお、実施の形態１と同様の部分については同じ符号を付するとともに、同様部分の説明は省略する。

実施の形態２にかかる光半導体装置１も、図４および図５Ａ～図５Ｃに示すように、半導体層２に対してエッチング等による成形を施し、実施の形態１と同様に電極パッド３１等の部材を搭載したものである。半導体層２は、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板等の半導体基板、およびそれらの上に有機金属気相成長法などでエピタキシャル成長された種々の結晶の層からなり、実質的に直方体状をなす。

半導体層２の内部に形成された共振器２ｒの延在方向の両端が、結晶劈開などで断たれて端面２ｆｅとして形成され、表面に反射膜２ｃｅが成膜され、共振器２ｒの両脇は、共振器２ｒに沿った形で半導体層２の掘り込み２ｄが設けられている。半導体層２の実装面２ｆｔには窒化膜２ｃｎが成膜されて半導体層表面が保護され、共振器２ｒと電気的に接続された電極パッド３１が設けられている。ここまでは、実施の形態１と同様に一般的な光半導体装置と同様である。

実施の形態２にかかる光半導体装置１の特徴的な構成として、ｚ方向で最大かつ一定高さの平坦な支持面４ｆｓが、電極パッド３１部分を除いて、共振器２ｒの延在方向である前後方向（ｙ方向）の一端側から他端側にかけて連なっている。支持体４には、実施の形態１と同様に、ポリイミド、アルキド樹脂などを用いている。

支持体４は、上述した厚みが得られるように塗布した後に所望のパターンを形成することで、半導体層２の掘り込み２ｄ、電極パッド３１を形成するメタルによって生ずる実装面２ｆｔ部分の凹凸を埋めている。支持面４ｆｓとなる支持体４の最表面は、平坦な形状に仕上げてレベル出しを行っている。この厚みと平坦形状（平坦な支持面４ｆｓ）を得るため、支持体４はスピンコート法を用いて塗布する。

また、接合面３ｆｐを露出させる開口部４ａを設けることで、ワイヤボンドによる電気的接続を可能とする。開口部４ａは周縁部を除く実装面２ｆｔ全面に支持体４を構成する樹脂を成膜した後、フォトレジストによるパターニングとドライエッチングによって形成しても良いし、支持体４自体が感光性を有しているものであれば、直接露光して開口してもよい。通常、電極パッド３１を構成するメタルは３～６μｍ程度の厚みがあるので、支持体４の厚みはそれよりも厚い６～１０μｍ程度にし、開口部４ａは電極パッド３１の形成領域よりも５～１０μｍ大きな径で開口させる。

上述した構成を前提として、実施の形態２にかかる光半導体装置１の半導体バー１Ｂを対象とする端面コートについて説明する。図６Ａ、図６Ｂに示すように、ダイシングによるチップ分離前の半導体バー１Ｂは、ダミーバー９０と交互に配列された状態で端面コートが施される。

支持体４の最表面は平坦な形状の支持面４ｆｓであるため、平坦なダミーバー９０に対して、実装面２ｆｔ側で接触するのは、支持面４ｆｓのみである。しかも、支持体４（支持面４ｆｓ）は、半導体バー１Ｂの前後（ｙ方向）それぞれで左右（ｘ方向）に延びているため、半導体バー１Ｂに対して、ダミーバー９０が傾くことがない。

さらに、実施の形態２の光半導体装置１では、実施の形態１の光半導体装置１よりも支持体４で被覆される領域が広く、基本的に前後方向については、必ずどこかの領域で支持面４ｆｓが存在する。そのため、万が一、ダミーバー９０が前後に位置ずれしても、必ずダミーバー９０の支持部が形成され、ダミーバー９０が傾くことなく、支持面４ｆｓに密着する。そのため、コート回り込みをより確実に防止できる。

実施の形態３．
上記実施の形態１、２では、実装面に樹脂による支持体を形成した例について説明した。本実施の形態３では、電極パッドと同時に形成した電極パターンで支持体を形成する例について説明する。

図７～図９Ａ、図９Ｂは、実施の形態３にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのものである。図７は光半導体装置の構成を説明するための斜視図であり、図８Ａは光半導体装置の実装面側から見た平面図、図８Ｂは光半導体装置を端面側から見た正面図、図８Ｃは図８ＡのＣ－Ｃ線による端面図である。また、図９Ａは光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーの上下をダミーバーで挟み込んだ状態を示す端面側から見た正面図、図９Ｂはその状態における図８Ｃに対応する端面図である。なお、実施の形態１または２と同様の部分については同じ符号を付するとともに、同様部分の説明は省略する。

実施の形態３にかかる光半導体装置１も、図７および図８Ａ～図８Ｃに示すように、半導体層２に対してエッチング等による成形を施し、実施の形態１と同様に電極パッド３１等の部材を搭載したものである。半導体層２は、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板等の半導体基板、およびそれらの上に有機金属気相成長法などでエピタキシャル成長された種々の結晶の層からなり、実質的に直方体状をなす。

半導体層２の成形としては、共振器２ｒの両脇に、共振器２ｒに沿った形で形成した掘り込み２ｄに加え、本実施の形態３においては、電極パッド３１を形成する領域を窪ませた座ぐり２ｇが形成されている。そして、半導体層２の実装面２ｆｔには窒化膜２ｃｎが成膜されるとともに、座ぐり２ｇ部分には、共振器２ｒと電気的に接続された電極パッド３１が設けられ、同時に他の部分には、実施の形態１あるいは２と同様に電極パターン３２が設けられている。

電極パッド３１の最上面に位置する接合面３ｆｐの高さは、周囲の窒化膜再上面（実装面２ｆｔ）の高さよりも低くなっている。通常、この半導体層２の掘り込みは、電気的アイソレーションを得る為に６μｍ程度、あるいはそれ以上の深さを設ける。電極パッド３１を設ける座ぐり２ｇ部分の半導体層２の掘り込みは、共振器２ｒ脇の半導体層２の掘り込み２ｄと同一工程で形成しても良いし、深さが不十分であるなどの理由で、別工程で形成しても良い。同一工程、別工程に関わらず、この半導体層２の掘り込みは、フォトレジストのパターニングとエッチングで形成する。エッチングはドライでもウェットでも良い。

これにより、実施の形態１、２の支持体４に代え、電極パターン３２が、光半導体装置１における最も高い（ｚ方向）面（支持面３ｆｓ）を有することになる。そして、メタル層３は、スパッタ、メッキ、蒸着などの手法により成膜されることで、後加工をしなくても、平坦でレベル出しができた状態に仕上がっている。また、電極パターン３２による支持面３ｆｓは、実施の形態１と同様に、電極パッド３１に対して距離をあけて、前後（ｙ方向）に分かれて設けられ、さらに、それぞれ前後方向において、中央よりも端に近い位置に設けられている。

上述した構成を前提として、実施の形態３にかかる光半導体装置１の半導体バー１Ｂを対象とする端面コートについて説明する。図９Ａ、図９Ｂに示すように、ダイシングによるチップ分離前の半導体バー１Ｂは、ダミーバー９０と交互に配列された状態で端面コートが施される。

電極パターン３２の最表面は平坦な形状の支持面３ｆｓであるため、平坦なダミーバー９０に対して、実装面２ｆｔ側で接触するのは、支持面３ｆｓのみである。しかも、電極パターン３２（支持面３ｆｓ）は、半導体バー１Ｂの前後（ｙ方向）それぞれに配置されているため、半導体バー１Ｂに対して、ダミーバー９０が傾くことがない。

そして電極パターン３２は、電極パッド３１に対して距離をあけて、前後（ｙ方向）に分かれて設けられ、さらに、それぞれ前後方向において、中央よりも端に近い位置に設けられている。そのように配置した電極パターン３２により、半導体バー１Ｂの最高位（ｚ方向）は、前後方向に振り分け配置した平坦な支持面３ｆｓであるため、平坦なダミーバー９０を傾くことなく密着させ、確実にコート回り込みを防止できる。

そして、電極パッド３１以外のメタル（電極パターン３２）は、半導体層２が掘り込まれていない面に形成され、電極パッド３１だけが半導体層２が掘り込まれた部分に形成されている。そのため、座ぐり２ｇを囲み、接合面３ｆｐよりも高い周辺の半導体層２、および窒化膜２ｃｎ部分が、電極パッド３１の接合面３ｆｐに侵入してくるコート剤に対して障壁の役割を果たす。

さらに、電極パッド３１の前後に形成される電極パターン３２については、左右方向における電極パッド３１の接合面の領域を網羅するように延びていれば、より確実にコート回り込みを抑制できる。

本実施の形態３にかかる光半導体装置１にあっては、支持体４用の樹脂などの余分な材料を用いる必要がない。また、座ぐり２ｇについても、掘り込み２ｄと同一工程で形成するようにすれば、工程数の増加もないため、製造コストの面で優位である。

実施の形態４．
本実施の形態４では、電極パッド自体に堤を設ける例について説明する。図１０～図１２Ａ、図１２Ｂは、実施の形態４にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのものである。図１０は光半導体装置の構成を説明するための斜視図であり、図１１Ａは光半導体装置の実装面側から見た平面図、図１１Ｂは光半導体装置を端面側から見た正面図、図１１Ｃは図１１ＡのＤ－Ｄ線による端面図である。また、図１２Ａは光半導体装置の端面コートを施す製造工程において、チップ分離前の半導体バーの上下をダミーバーで挟み込んだ状態を示す端面側から見た正面図、図１２Ｂはその状態における図１１Ｃに対応する端面図である。なお、実施の形態１～３と同様の部分については同じ符号を付するとともに、同様部分の説明は省略する。

実施の形態４にかかる光半導体装置１も、図１０および図１１Ａ～図１１Ｃに示すように、半導体層２に対してエッチング等による成形を施し、上記各実施の形態と同様に電極パッド３１等の部材を搭載したものである。半導体層２は、ＩｎＰ基板、ＧａＡｓ基板等の半導体基板、およびそれらの上に有機金属気相成長法などでエピタキシャル成長された種々の結晶の層からなり、実質的に直方体状をなす。

半導体層２の内部に形成された共振器２ｒの延在方向の両端が、結晶劈開などで断たれて端面２ｆｅとして形成され、表面に反射膜２ｃｅが成膜され、共振器２ｒの両脇は、共振器２ｒに沿った形で半導体層２の掘り込み２ｄが設けられている。半導体層２の実装面２ｆｔには窒化膜２ｃｎが成膜されて半導体層表面が保護されている。

実施の形態４にかかる光半導体装置１の特徴的な構成として、共振器２ｒと電気的に接続された電極パッド３１について、接合面３ｆｐの周りが高くなっている堤３ｄを有するように形成したことを特徴とする。堤３ｄは、例えば、複数層のメタル層３を形成する途中段階で、接合面３ｆｐ部分がマスキングされるよう、複数種のパターンを用いることで形成でき、堤３ｄおよび電極パターン３２部分が、接合面３ｆｐよりも高い、同じ高さに仕上がる。

これにより、実施の形態３と同様に、電極パターン３２、および堤３ｄが、光半導体装置１における最も高い（ｚ方向）面（支持面３ｆｓ、接触面３ｆｄ）を有することになる。そして、メタル層３は、スパッタ、メッキ、蒸着などの手法により成膜されることで、後加工をしなくても、平坦でレベル出しができた状態に仕上がっている。また、電極パターン３２による支持面３ｆｓは、実施の形態１と同様に、電極パッド３１に対して距離をあけて、前後（ｙ方向）に分かれて設けられ、さらに、それぞれ前後方向において、中央よりも端に近い位置に設けられている。

上述した構成を前提として、実施の形態４にかかる光半導体装置１の半導体バー１Ｂを対象とする端面コートについて説明する。図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、ダイシングによるチップ分離前の半導体バー１Ｂは、ダミーバー９０と交互に配列された状態で端面コートが施される。

電極パターン３２の最表面は平坦な形状の支持面３ｆｓと接触面３ｆｄであるため、平坦なダミーバー９０に対して、実装面２ｆｔ側で接触するのは、支持面３ｆｓと接触面３ｆｄのみである。しかも、電極パターン３２による支持面３ｆｓは、半導体バー１Ｂの前後（ｙ方向）それぞれに配置されているため、半導体バー１Ｂに対して、ダミーバー９０が傾くことがない。

そして電極パターン３２は、電極パッド３１に対して距離をあけて、前後（ｙ方向）に分かれて設けられ、さらに、それぞれ前後方向において、中央よりも端に近い位置に設けられている。そのように配置した電極パターン３２による平坦な支持面３ｆｓで、ダミーバー９０を支持するので、平坦なダミーバー９０が傾くことがなく、円環状の接触面３ｆｄとダミーバー９０とを確実に密着させる。

一方、電極パッド３１の接合面３ｆｐは、堤３ｄの内側に位置するので、端面コート時、接合面３ｆｐは堤３ｄの内周面とダミーバー９０に覆われることになる。これにより、電極パッド３１の接合面３ｆｐへのコート回り込みを確実に防止できる。

本実施の形態４にかかる光半導体装置１にあっては、支持体４用の樹脂などの余分な材料を用いる必要がない。また、堤３ｄについても、メタル層３の形成工程で用いる複数のパターンのうちのいずれかに接合面３ｆｐをマスキングするようにしておくだけで済み、工程数の増加もないため、製造コストの面で優位である。

とくに、メタル層３のみで、堤３ｄを有する電極パッドを形成したので、特許文献２のような下地に凹形状の樹脂層を形成した場合と異なり、高さ調整のための余分な工程を経ずとも電極パターン３２との高さを正確に揃えることができる。そのため、例えば堤部分のみでダミーバー９０を支えることになって傾きを生じさせる、あるいは堤部分とダミーバー９０との間に隙間が生じてしまい遮蔽機能が低下する、というような不具合を生じさせることもない。

さらに、本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。

以上のように、本願の光半導体装置１によれば、半導体基板に複数の結晶層が積層され、積層方向（ｚ方向）に垂直な方向に延びる共振器２ｒが形成された半導体層２、共振器２ｒの延伸方向（ｙ方向）における半導体層２の両端面２ｆｅを覆う反射膜２ｃｅ、半導体層２の積層方向に垂直な面のうち、裏面電極が敷設された面の反対側の実装面２ｆｔに金属層の積層によってボンディングワイヤとの接合面３ｆｐを有するように局所的に形成され、裏面電極との間で半導体層２に電流を注入するための電極パッド３１、半導体層２の積層方向に垂直な面のうち共振器２ｒに近い実装面２ｆｔの側に金属層の積層によって形成され、共振器２ｒと電気接続されるとともにボンディングワイヤとの接合面３ｆｐを有する電極パッド３１、実装面２ｆｔの両端面２ｆｅに近い位置それぞれに配置され、実装面２ｆｔからの積層方向における高さが最大となる平坦面（支持面３ｆｓ、支持面４ｆｓ）を有して反射膜２ｃｅをコートする際に治具（ダミーバー９０）を支持する支持体４（支持体として機能する電極パターン３２）、および実装面２ｆｔにおける延伸方向に垂直な方向（ｘ方向）において接合面３ｆｐが形成された領域を網羅するように、実装面２ｆｔの両端面２ｆｅに隣接する辺と接合面３ｆｐとの間それぞれで積層方向における接合面３ｆｐよりも高い部分が延伸し、反射膜２ｃｅをコートする際に接合面３ｆｐへのコート剤の侵入を遮蔽する遮蔽機構（支持体４、電極パターン３２、座ぐり２ｇまわりの実装面２ｆｔ、堤３ｄ）を備えるように構成した。そのため、コーティングの際にダミーバー９０を安定して支持でき、再現性良くコート回り込みを防止することができる。

とくに、支持体４（あるいは支持体として機能する電極パターン３２）は、遮蔽機構として機能するようにすれば、設置面積を増やすことなく、確実にコート回り込みを防止できる。

支持体４は、樹脂で構成されているようにすれば、実装面２ｆｔ上での形成パターンが自由にでき、高さ調整も容易にできる。

その際、平坦面（支持面４ｆｓ）は、実装面２ｆｔの両端面２ｆｅに隣接する辺それぞれに沿って延伸しているので、ダミーバー９０を安定して支持できるとともに、遮蔽機構としての機能も確実に発揮できる。

さらに、支持体４は、接合面３ｆｐが露出する開口部４ａを有し、延伸方向（ｙ方向）における一端側から他端側にかけて平坦面（支持面４ｆｓ）が連なっているように構成すれば、ダミーバー９０との間で延伸方向（ｙ方向）の位置ずれが生じても、ダミーバー９０を確実に支持できる。

あるいは支持体は、電極パッド３１と同じ積層構造（メタル層３）で形成された電極パターン３２で構成されているようにすれば、実装面２ｆｔからの高さが揃った平坦面（支持面３ｆｓ）を確実に形成することができる。

電極パッド３１は、半導体層２を積層方向（ｚ方向）に掘り込んだ座ぐり２ｇ内に配置され、半導体層２のうち座ぐり２ｇを囲む部分が遮蔽機構として機能するように構成すれば、支持体４用の樹脂などの余分な材料を用いる必要がなく、共振器２ｒに沿った掘り込み２ｄと同一工程で形成するようにすれば、工程数の増加もないため、製造コストの面で優位である。

あるいは、電極パッド３１には、接合面３ｆｐを囲み、遮蔽機構として機能する堤３ｄが形成されているようにすれば、マスクパターンを揃えることで、余分な工程を経ずに遮蔽機構を形成することができる。

１：光半導体装置、 ２：半導体層、 ２ｃｅ：反射膜、 ２ｃｎ：窒化膜、 ２ｄ：掘り込み、 ２ｆｅ：端面、 ２ｆｔ：実装面、 ２ｇ：座ぐり、 ２ｒ：共振器、 ３：メタル層、 ３１：電極パッド、 ３２：電極パターン（支持体）、 ３ｄ：堤、 ３ｆｐ：接合面、 ３ｆｓ：支持面、 ４：支持体、 ４ａ：開口部、 ４ｆｓ：支持面。

Claims (6)

1. 半導体基板に複数の結晶層が積層され、積層方向に垂直な方向に延びる共振器が形成された半導体層、
   前記共振器の延伸方向における前記半導体層の両端面を覆う反射膜、
   前記半導体層の前記積層方向に垂直な面のうち、裏面電極が敷設された面の反対側の実装面に金属層の積層によってボンディングワイヤとの接合面を有するように局所的に形成され、前記裏面電極との間で前記半導体層に電流を注入するための電極パッド、
   前記実装面の前記両端面に近い位置それぞれに配置され、前記実装面からの前記積層方向における高さが最大となる平坦面を有して前記反射膜をコートする際に治具を支持する支持体、および
   前記実装面における前記延伸方向に垂直な方向において前記接合面が形成された領域を網羅するように、前記実装面の前記両端面に隣接する辺と前記接合面との間それぞれで前記積層方向における前記接合面よりも高い部分が延伸する遮蔽機構、を備え、
   前記支持体は樹脂で構成されて前記接合面が露出する開口部を有し、前記平坦面は前記実装面の前記両端面に隣接する辺それぞれに沿って延伸し、かつ前記延伸方向における一端側から他端側にかけて連なっていることを特徴とする光半導体装置。
2. 前記支持体は、前記遮蔽機構として機能することを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
3. 半導体基板に複数の結晶層が積層され、積層方向に垂直な方向に延びる共振器が形成された半導体層、
   前記共振器の延伸方向における前記半導体層の両端面を覆う反射膜、
   前記半導体層の前記積層方向に垂直な面のうち、裏面電極が敷設された面の反対側の実装面に金属層の積層によってボンディングワイヤとの接合面を有するように局所的に形成され、前記裏面電極との間で前記半導体層に電流を注入するための電極パッド、
   前記実装面の前記両端面に近い位置それぞれに配置され、前記実装面からの前記積層方向における高さが最大となる平坦面を有して前記反射膜をコートする際に治具を支持する支持体、および
   前記実装面における前記延伸方向に垂直な方向において前記接合面が形成された領域を網羅するように、前記実装面の前記両端面に隣接する辺と前記接合面との間それぞれで前記積層方向における前記接合面よりも高い部分が延伸する遮蔽機構、を備え、
   前記支持体は、前記電極パッドと同じ積層構造で形成された電極パターンで構成されていることを特徴とする光半導体装置。
4. 前記支持体は、前記遮蔽機構として機能することを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。
5. 前記電極パッドは、前記半導体層を前記積層方向に掘り込んだ座ぐり内に配置され、前記半導体層のうち前記座ぐりを囲む部分が前記遮蔽機構として機能することを特徴とする請求項３または４に記載の光半導体装置。
6. 前記電極パッドには、前記接合面を囲み、前記遮蔽機構として機能する堤が形成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体装置。

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