KR20220113588A - 마스크 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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문민호
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Abstract

마스크는 복수의 셀 개구부들이 정의된 마스크 프레임, 및 각각이 상기 셀 개구부들에 대응하여 상기 마스크 프레임 상에 배치되고 각각에 복수의 개구부들이 정의된 복수의 단위 마스크들을 포함하고, 상기 마스크 프레임은, 상기 셀 개구부들이 정의된 베이스 부, 및 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하는 코팅부를 포함하고, 상기 코팅부는 상기 베이스 부 및 상기 단위 마스크들과 상이한 물질을 포함한다.

Description

마스크 및 이의 제조 방법{MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것으로 상세하게는 금속 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 패널은 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 트랜지스터와 같은 구동 소자 및 유기발광 다이오드와 같은 표시 소자를 포함한다. 표시 소자는 기판 상에 전극과 발광 패턴을 적층하여 형성될 수 있다.
발광 패턴은 소정의 영역에 형성되도록 관통부가 정의된 마스크를 이용하여 패터닝된다. 발광 패턴은 관통부에 의해 노출된 영역에 형성될 수 있다. 발광 패턴의 형상은 관통부의 형상에 따라 제어될 수 있다. 최근에는 발광 패턴을 포함하는 표시 패널의 생산 수율을 높이기 위하여, 대면적 마스크를 제조하는 설비 및 제조 방법에 관한 기술이 개발되고 있다.
본 발명은 대면적 표시 패널 제조에 이용되는 마스크를 제공하고, 신뢰성이 개선되고 비용이 절감될 수 있는 마스크 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 복수의 셀 개구부들이 정의된 마스크 프레임, 및 각각이 상기 셀 개구부들에 대응하여 상기 마스크 프레임 상에 배치되고 각각에 복수의 개구부들이 정의된 복수의 단위 마스크들을 포함하고, 상기 마스크 프레임은, 상기 셀 개구부들이 정의된 베이스 부, 및 상기 셀 개구부들의 가장자리를 에워싸고 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하는 코팅부를 포함하고, 상기 코팅부는 상기 베이스 부 및 상기 단위 마스크들과 상이한 물질을 포함한다.
상기 코팅부의 소정의 레이저에 대한 흡수율은 상기 베이스 부의 상기 레이저에 대한 흡수율보다 낮을 수 있다.
상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 코팅부의 두께는 상기 베이스 부의 두께의 약 1/20 이하일 수 있다.
상기 코팅부는 상기 베이스 부의 상면 전체를 커버할 수 있다.
상기 코팅부는 복수로 제공되고, 상기 복수의 코팅부들은 서로 이격되어 상기 셀 개구부들을 각각 에워쌀 수 있다.
상기 단위 마스크들 각각의 에지들은 상기 코팅부와 평면상에서 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 상기 단위 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합하는 결합부를 더 포함할 수 있다.
상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 코팅부를 결합시킬 수 있다.
상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 베이스 부를 결합시키고, 상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부로부터 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 셀 개구부가 정의된 베이스 부 및 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하고 상기 베이스 부와 상이한 물질을 포함하는 코팅부를 포함하는 마스크 프레임, 상기 셀 개구부에 대응하여 배치되고 상기 셀 개구부에 중첩하는 복수의 개구부들이 정의된 단위 마스크, 및 상기 셀 개구부의 테두리를 따라 상기 단위 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합시키는 결합부를 포함하고, 상기 코팅부는 상기 상기 단위 마스크의 에지들과 평면상에서 중첩할 수 있다.
상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부와 중첩하고, 상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 코팅부를 결합시킬 수 있다.
상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부로부터 이격되고, 상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 베이스 부를 결합시킬 수 있다.
상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법은 복수의 셀 개구부들이 정의된 마스크 프레임을 제공하는 단계, 상기 셀 개구부들 중 어느 하나에 대응하여 셀 마스크를 제공하는 단계, 제1 빔을 조사하여 상기 셀 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합시키는 단계, 제2 빔을 조사하여 상기 셀 마스크의 일부를 제거하여 단위 마스크를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 마스크 프레임은 베이스 부 및 상기 베이스 부와 상이한 물질을 포함하고 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하는 코팅부를 포함하고, 상기 제2 빔은 상기 코팅부와 중첩하는 영역에 제공되고, 상기 코팅부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율은 상기 베이스 부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율보다 낮을 수 있다.
상기 제2 빔은 펄스 레이저를 포함할 수 있다.
상기 코팅부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율은 상기 셀 마스크의 상기 제2 빔에 대한 흡수율보다 낮을 수 있다.
상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄으로 형성될 수 있다.
상기 제1 빔은 상기 코팅부와 중첩하는 영역에 제공되고, 상기 제1 빔은 상기 코팅부와 상기 셀 마스크를 결합시킬 수 있다.
상기 제1 빔은 상기 코팅부와 비 중첩하는 영역에 제공되고, 상기 제1 빔은 상기 베이스 부와 상기 셀 마스크를 결합시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 마스크 제조 공정에서의 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 사시도들이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 부분 사시도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 셀 마스크의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 프레임의 평면도들이다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 도면들이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 본 실시예에서 표시 패널(DP)은 발광 표시 패널일 수 있다. 도 1은 복수의 화소들 중 하나에 대응하는 단면을 도시하였다. 본 명세서에서 화소는 적어도 하나의 트랜지스터 및 발광 소자를 포함한다. 도 1에는 화소 중 2 개의 트랜지스터(T1, T2)와 발광 소자(OLED)가 배치된 영역을 예시적으로 도시하였다.
도 1에 도시된 것과 같이, 표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 및 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치된 절연층(TFL, 이하 상부 절연층으로 정의됨)을 포함한다.
베이스층(BL)은 합성수지층을 포함할 수 있다. 표시패널(DP)의 제조시에 이용되는 지지기판 상에 합성수지층을 형성한다. 이후 합성수지층 상에 도전층 및 절연층 등을 형성한다. 지지기판이 제거되면 합성수지층은 베이스층(BL)에 대응한다.
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼층(BFL), 배리어층(BRL), 및 제1 내지 제7 절연층(10 내지 70)을 포함한다. 버퍼층(BFL), 배리어층(BRL), 및 제1 내지 제7 절연층(10 내지 70)은 무기막 및 유기막 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL) 및 배리어층(BRL)은 무기막을 포함할 수 있다. 제5 내지 제7 절연층(50 및 70) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다.
도 1에는 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 구성하는 제1 액티브(A1), 제2 액티브(A2), 제1 게이트(G1), 제2 게이트(G2), 제1 소스(S1), 제2 소스(S2), 제1 드레인(D1), 제2 드레인(D2)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 본 실시예에서 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 액티브(A1)는 폴리 실리콘 반도체를 포함하고, 제2 액티브(A2)는 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 제1 소스(S1) 및 제1 드레인(D1)은 제1 액티브(A1)에 비해 도핑 농도가 큰 영역으로써, 전극의 기능을 갖는다. 제2 소스(S2) 및 제2 드레인(D2)은 금속 산화물 반도체를 환원시킨 영역으로써, 전극의 기능을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 액티브(A1) 및 제2 액티브(A2)가 서로 동일한 반도체 물질을 포함할 수 있고, 이때 회로 소자층(DP-CL)의 적층 구조는 더 단순해질 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL) 및 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 유기발광 다이오드 또는 퀀텀닷 발광 다이오드일 수 있다. 애노드(AE)가 제7 절연층(70) 상에 배치된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(POP)는 애노드(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(POP)는 발광영역(PXA)을 정의할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을 수 있다.
정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(POP)에 대응하도록 패턴 형태로 제공될 수 있다. 막 형태의 정공 제어층(HCL) 및 전자 제어층(ECL) 대비 발광층은 다른 방식으로 증착될 수 있다. 소정의 형상을 갖는 발광층(EML)을 형성하기 위해 마스크 어셈블리가 사용될 수 있다.
정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 FMM(fine metal mask)이라 지칭되는 마스크를 이용하여 화소들에 따라 다르게 형성될 수 있다.
상부 절연층(TFL)이 배치된다. 상부 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 박막들은 무기막 및 유기막을 포함할 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 표시 소자층(DP-OLED)을 봉지하기 위한 절연층 및 출광효율을 향상시키기 위한 절연층 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비의 단면도이다. 본 실시예에 따른 증착설비(DA)는 도 1의 표시패널(DP), 특히 발광층(EML)의 증착 공정에 이용될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착설비(DA)는 증착 챔버(CB), 고정부재(CM), 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 증착 소스(DS), 및 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 마스크(MK)를 포함한다. 별도로 도시하지 않았으나, 증착설비(DA)는 인라인 시스템을 구현하기 위한 추가 기계장치를 더 포함할 수 있다.
증착 챔버(CB)는 증착조건을 진공으로 설정할 수 있다. 증착 챔버(CB)는 바닥면, 천장면, 및 측벽들을 포함할 수 있다. 증착 챔버(CB)의 바닥면은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 증착 챔버(CB)의 바닥면의 법선 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다. 이하에서 표현되는 "평면 상에서"는 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한 면을 기준으로 설정된다.
고정부재(CM)는 증착 챔버(CB)의 내측에 배치되고, 증착 소스(DS) 상에 배치되며, 마스크(MK)를 고정한다. 고정부재(CM)는 증착 챔버(CB)의 천장면에 설치될 수 있다. 고정부재(CM)는 마스크(MK)를 홀딩하는 지그 또는 로봇암을 포함할 수 있다.
고정부재(CM)는 바디부(BD) 및 바디부(BD)에 결합된 자성체들(MM)을 포함한다. 바디부(BD)는 마스크(MK)를 고정하기 위한 기본구조로써 플레이트를 포함할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 자성체들(MM)은 바디부(BD)의 내측에 배치되거나, 외측에 배치될 수 있다. 자성체들(MM)은 자기력으로 마스크(MK)를 고정할 수 있다.
증착 소스(DS)는 증착 물질, 예컨대 발광물질을 증발시켜, 증착 증기로써 분출할 수 있다. 해당 증착 증기는 마스크(MK)를 통과하여 소정의 패턴으로 작업기판(WS)에 증착된다.
마스크(MK)는 증착 챔버(CB)의 내측에 배치되고, 증착 소스(DS) 상에 배치되며, 작업기판(WS)을 지지한다. 작업기판(WS)은 유리기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 작업기판(WS)은 베이스 기판 상에 배치된 고분자층을 포함할 수 있다. 표시패널의 제조공정의 후반부에서 베이스 기판은 제거될 수 있으며, 고분자층이 도 1의 베이스층(BL)에 해당할 수 있다.
마스크(MK)는 단위 마스크(CMK-a) 및 마스크 프레임(MF)을 포함한다. 단위 마스크(CMK-a)는 복수로 제공되며, 각각 셀 단위 증착을 위한 마스크와 대응될 수 있다. 단위 마스크(CMK-a)는 마스크 프레임(MF)에 결합되어 제공된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 사시도들이다. 도 3a에는 마스크(MK)의 사시도를 도시하였고, 도 3b에는 복수의 단위 마스크들 중 하나의 단위 마스크(CMK-a)를 분리한 상태의 사시도를 도시하였다. 이하, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 것과 같이, 마스크(MK)는 마스크 프레임(MF) 및 복수의 단위 마스크들(CMK-a)을 포함할 수 있다. 마스크 프레임(MF)에는 각각이 제3 방향(DR3)을 따라 마스크 프레임(MF)을 관통하는 복수의 셀 개구부들(COP)이 정의될 수 있다. 단위 마스크들(CMK-a)은 셀 개구부들(COP)에 각각 대응되어 배치될 수 있다. 셀 개구부들(COP) 각각은 하나의 표시패널(DP)과 대응될 수 있다. 즉, 하나의 단위 마스크(CMK-a)는 하나의 표시패널(DP)의 증착 공정에 이용될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 마스크(MK)는 하나의 셀 개구부(COP)에 대응되는 복수의 단위 마스크들(CMK-a)을 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
단위 마스크들(CMK-a) 각각은 마스크 본체(MP)와 접합부(BB')를 포함할 수 있다. 마스크 본체(MP)에는 복수의 홀(OP)이 정의될 수 있다. 홀들(OP)은 제3 방향(DR3)을 따라 단위 마스크들(CMK-a)을 관통하여 정의될 수 있다. 접합부(BB')는 마스크 본체(MP)로부터 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장할 수 있다. 평면상에서, 접합부(BB')는 사각 고리 형상을 가지고, 마스크 본체(MP)의 테두리를 따라 배치될 수 있다. 접합부(BB')는 마스크 본체(MP)의 테두리를 따라 배치된 제1 접합부(BB1'), 제2 접합부(BB2'), 제3 접합부(BB3'), 및 제4 접합부(BB4')를 포함할 수 있다.
단위 마스크들(CMK-a)은 마스크 프레임(MF) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 단위 마스크들(CMK-a)은 복수의 셀 개구부(COP) 중 대응하는 셀 개구부(COP)에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, N 번째 단위 마스크(CMK-a)는 N 번째 셀 개구부(COP) 상에 배치될 수 있다.
평면상에서, 단위 마스크(CMK-a)의 마스크 본체(MP) 면적은 셀 개구부(COP)의 면적과 같을 수 있다. 단위 마스크(CMK-a)의 접합부(BB')는 마스크 프레임(MF)의 테두리부(LP) 상에 배치될 수 있다. 테두리부(LP)는 셀 개구부들(COP) 각각의 주변의 마스크 프레임(MF)의 부분으로 정의될 수 있다. 평면상에서, 테두리부(LP)는 사각 고리 형상을 가질 수 있다.
단위 마스크(CMK-a)는 마스크 프레임(MF)에 고정될 수 있다. 예컨대, 단위 마스크(CMK-a)의 접합부(BB')는, 대응하는 테두리부(LP)에 고정될 수 있다. 예를 들어, 테두리부(LP)의 제1 부분, 제2 부분, 제3 부분, 및 제4 부분들(P1, P2, P3, P4)과 대응하는 접합부(BB') 부분들 사이에는 용접 공정이 수행된 것일 수 있다. 일 실시예에서, 테두리부(LP)는 대응하는 접합부(BB')와 용접 공정을 통해 본딩되는 본딩영역일 수 있다. 구체적으로 도시하지는 않았으나, 접합부(BB')에는 마스크 프레임(MF)과의 접합을 위한 접합 패턴이 형성될 수 있다.
제1 접합부(BB1'), 제2 접합부(BB2'), 제3 접합부(BB3'), 및 제4 접합부(BB4') 각각에는 마스크 프레임(MF)과의 접합을 위한 접합 패턴이 형성될 수 있다. 접합 패턴은 예를 들어, 단위 마스크(CMK-a)의 마스크 본체(MP) 테두리를 따라 실선으로 연장된 사각고리 형상일 수 있다. 또는, 접합 패턴은 단위 마스크(CMK-a)의 제1 접합부(BB1'), 제2 접합부(BB2'), 제3 접합부(BB3'), 및 제4 접합부(BB4') 각각에서 복수로 제공되고 일정한 간격을 두고 이격되어, 마스크 본체(MP) 테두리를 따라 점선으로 연장된 사각고리 형상일 수 있다. 이하, 마스크 프레임(MF)과 단위 마스크(CMK-a)의 접합에 관한 자세한 사항은 후술하도록 한다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 부분 사시도이다. 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 셀 마스크의 평면도이다. 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
마스크 어셈블리(MKA)는 복수의 셀 마스크들(CMK)과 마스크 프레임(MF)을 포함한다. 셀 마스크들(CMK) 각각은 마스크 본체(MP), 본딩부(BB), 및 인장부(TTP1, TTP2)를 포함한다.
셀 마스크들(CMK) 각각은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 셀 마스크들(CMK) 각각은 스테인리스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 또는 코발트(Co) 등을 포함할 수 있다. 다만, 셀 마스크들(CMK)의 재질이 이에 한정되는 것은 아니다.
마스크 본체(MP)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면과 평행한 플레이트 형상을 가진다. 마스크 본체(MP)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 정의하는 평면과 평행한 직사각형 형상을 가질 수 있다. 마스크 본체(MP)는 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 2개의 장변들과, 제2 방향(DR2)을 따라 이격되고 제1 방향(DR1)으로 연장된 2개의 단변들을 가질 수 있다. 마스크 본체(MP)는 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 제1 변(MP-s1) 및 제2 변(MP-s2)을 포함하고, 제2 방향(DR2)을 따라 이격되고 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 제3 변(MP-s3) 및 제4 변(MP-s4)을 포함할 수 있다. 마스크 본체(MP)의 형상은 마스크 프레임(MF)에 정의된 복수의 셀 개구부(COP)에 대응하는 형상일 수 있다. 마스크 본체(MP)에는 복수의 홀(OP)이 정의될 수 있다. 홀들(OP)은 제3 방향(DR3)을 따라 단위 마스크들(CMK-a)을 관통하여 정의될 수 있다.
본딩부(BB)는 마스크 본체(MP)의 테두리를 둘러싸도록 배치된다. 본딩부(BB)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 사각고리 형상을 가질 수 있다. 본딩부(BB)는 후술하는 용접 공정을 통해 마스크 프레임(MF)과 결합되는 영역일 수 있다.
본딩부(BB)는 마스크 본체(MP)의 제1 변(MP-s1)에 인접하게 배치되는 제1 본딩부(BB1), 제2 변(MP-s2)에 인접하게 배치되는 제2 본딩부(BB2), 제3 변(MP-s3)에 인접하게 배치되는 제3 본딩부(BB3), 및 제4 변(MP-s4)에 인접하게 배치되는 제4 본딩부(BB4)를 포함할 수 있다.
인장부(TTP1, TTP2)는 본딩부(BB)로부터 연장되고, 본딩부(BB)를 사이에 두고 마스크 본체(MP)와 이격된다. 인장부(TTP1, TTP2)는 직사각형 형상을 가지는 마스크 본체(MP)의 4개의 변 각각에 대응하여 배치되는 4개의 인장 부분을 포함할 수 있다. 인장부(TTP1, TTP2)는 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 마스크 본체(MP)의 장변에 대응하여 배치되는 제1 인장부(TTP1)와, 제2 방향(DR2)을 따라 이격되고 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 마스크 본체(MP)의 단변에 대응하여 배치되는 제2 인장부(TTP2)를 포함할 수 있다. 제1 인장부(TTP1)는 제1 방향(DR1)을 따라 마주하는 마스크 본체(MP)의 장변에 대응하여 배치되는 제1 변 인장부(TP1) 및 제2 변 인장부(TP2)를 포함하고, 제2 인장부(TTP2)는 제2 방향(DR2)을 따라 마주하는 마스크 본체(MP)의 단변에 대응하여 배치되는 제3 변 인장부(TP3) 및 제4 변 인장부(TP4)를 포함할 수 있다. 제1 변 인장부(TP1), 제2 변 인장부(TP2), 제3 변 인장부(TP3), 및 제4 변 인장부(TP4) 각각은 마스크 본체(MP)의 4개의 변 각각에 대응하여 배치되고, 마스크 본체(MP)로부터 멀어지는 방향으로 인장된 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는 복수의 셀 개구부 각각에 대응하는 복수의 셀 단위의 마스크를 포함하며, 복수의 셀 단위 마스크 각각에는 마스크 본체의 4개 변 각각에 대응하여 배치되는 인장부들을 포함한다. 본 발명과 달리 2개 변에 인장부가 배치된 셀 단위 마스크를 포함하는 마스크 어셈블리를 통해 대면적 마스크를 제조할 경우, 셀 단위 마스크 인장 공정에서 인장부가 배치되지 않은 나머지 변에서 수축이 발생하여, 마스크의 신뢰성 및 품질 저하가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는 셀 단위의 마스크를 포함하여 대면적 표시패널 제조에 활용가능한 대면적 마스크를 제조할 수 있는 한편, 셀 마스크의 마스크 본체 4개 변 각각에 대응하여 배치되는 인장부들을 통해 셀 단위 마스크 인장 공정에서 마스크 본체 4개 변들의 서로 다른 수축이 발생되는 것을 방지하여, 마스크의 신뢰성 및 품질 저하를 방지하고, 이에 따라 표시품질이 확보된 대면적 표시패널의 제조가 가능해질 수 있다.
마스크 프레임(MF)은 베이스 부(BF) 및 코팅부(CT)를 포함할 수 있다. 베이스 부(BF)는 스테인리스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 또는 코발트(Co) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 다만, 베이스 부(BF)의 재질이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 부재의 경량화를 위하여, 베이스 부(BF)는 폴리이미드계 물질을 포함할 수도 있다.
베이스 부(BF)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 사각형 형상을 가질 수 있다. 마스크 프레임(MF)에는 복수의 셀 개구부들(COP)이 정의될 수 있다. 셀 개구부들(COP)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 중 적어도 하나의 방향을 따라 이격되어 배열될 수 있다. 셀 개구부들(COP)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스(matrix) 배열을 가질 수 있다.
평면상에서, 셀 개구부들(COP) 각각은 사각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 셀 개구부(COP)는 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고 제2 방향(DR2)을 따라 연장하는 2개의 장변들을 가질 수 있다. 셀 개구부(COP)는 제2 방향(DR2)을 따라 이격되고 제1 방향(DR1)으로 연장하는 2개의 단변들을 가질 수 있다. 제3 방향(DR3)을 기준으로, 셀 개구부들(COP)은 베이스 부(BF)를 관통하여 정의될 수 있다.
상술한 바와 같이, 셀 개구부(COP)는 표시패널(DP)에 대응되는 형상을 가진다. 구체적으로, 셀 개구부(COP)는 표시패널(DP)의 액티브 영역과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 셀 개구부(COP)의 형상은 표시패널(DP)의 형상에 대응하여 다양한 형상으로 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
코팅부(CT)는 베이스 부(BF) 상에 배치되어 베이스 부(BF)의 상면의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 코팅부(CT)는 셀 개구부(COP)의 가장자리를 에워싸며 셀 개구부(COP)와 평면상에서 비 중첩한다. 코팅부(CT)는 베이스 부(BF)의 상면에 증착 또는 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 코팅부(CT)는 베이스 부(BF)와 상이한 재질로 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 코팅부(CT)는 베이스 부(BF)에 대해 레이저 가공 선택비가 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하기 표를 참조하면, 약 500㎚의 레이저로 셀 마스크(CMK)를 가공(용접, 또는 트리밍 등)할 때, 베이스 부(BF)가 인바 합금 재질인 경우, 코팅부(CT)는 인바 합금에 대해 가공 선택비를 갖는 알루미늄(Al) 재질일 수 있다.
물질 반사율/흡수율(@515㎚ 레이저)
철(Fe) 51.0%/49.0% (n=2.8312, k=2.9028)
니켈(Ni) 62.2%/37.8% (n=1.8428, k=3.3792)
코발트(Co) 64.6%/35.4% (n=1.9484, k=3.6488)
알루미늄(Al) 91.8%/8.2% (n=0.86754, k=6.2231)
마그네슘(Mg) 95.2%/4.8% (n=0.28147, k=4.6839)
상기 표 1은 약 515㎚ 파장의 레이저에 대한 물질 별 반사율과 흡수율을 표시한 것이다. 이때, n은 굴절률(refractive index)이고 k는 소멸계수(extinction coefficient)일 수 있다. 상기 표 1을 참조하면, 515㎚ 파장의 레이저에 대해 인바 합금을 구성하는 철이나 니켈의 흡수율보다 알루미늄이나 마그네슘의 흡수율이 큰 차이로 낮은 값을 갖는 것을 알 수 있다. 마찬가지로, 515㎚ 파장의 레이저에 대해 인바 합금을 구성하는 철이나 니켈의 반사율보다 알루미늄이나 마그네슘의 반사율이 큰 차이로 높은 값을 갖는 것을 알 수 있다.
즉, 코팅부(CT)는 동일 파장의 레이저에 대해 베이스 부(BF)에 비해 상대적으로 낮은 레이저 흡수율 가진 물질 또는 높은 레이저 반사율을을 가진 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 코팅부(CT)에 의해 베이스 부(BF)의 상면이 커버됨으로써, 셀 마스크(CMK) 가공을 위한 레이저가 조사되는 경우, 베이스 부(BF)의 손상이 방지될 수 있다.
또한, 코팅부(CT)는 동일 파장의 레이저에 대해 셀 마스크(CMK)에 비해 상대적으로 낮은 레이저 흡수율 가진 물질 또는 높은 레이저 반사율을 가진 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 셀 마스크(CMK)에 대해서는 용이하게 가공하면서도 베이스 부(BF)를 안정적으로 보호할 수 있다. 따라서, 마스크 제조 공정 시 마스크 프레임(MF, MF-1, MF-2)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 코팅부(CT)는 베이스 부(BF) 두께 대비 1/20 이하의 두께를 가질 수 있다. 코팅부(CT)의 두께가 너무 두꺼운 경우, 열 팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)에 의해 마스크를 이용한 증착 공정에서 화소 위치 정확도(pixel position accuracy, PPA)가 손상되어 증착 정밀도가 저하될 수 있다. 한편, 코팅부(CT)는 약 10 ㎚ 이상의 두께를 가질 수 있다. 코팅부(CT)의 두께가 너무 작은 경우, 베이스 부(BF)를 보호하기 위한 기능이 상실될 수 있다.
본 발명에 따르면, 코팅부(CT)는 레이저 가공 공정 시 베이스 부(BF)를 보호하면서도 마스크 증착 정밀도를 저하시키지 않는 적정 두께로 제공됨으로써, 마스크의 공정 신뢰성 및 정밀도를 향상시킬 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고, 코팅부(CT)는 열 팽창 계수나 레이저 흡수율을 고려하여 베이스 부(BF)를 보호하고 증착 정밀도를 저해하지 않는 범위 내에서 다양한 두께로 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 프레임의 평면도들이다. 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 5a 내지 도 5c에 도시된 것과 같이, 마스크 프레임(MF)은 베이스 부(BF) 및 코팅부(CT, CT-1, CT-2)를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 마스크 프레임(MF)에는 서로 이격된 복수의 셀 개구부들(COP)이 정의된다. 코팅부(CT, CT-1, CT-2)는 베이스 부(BF)를 보호할 수 있다면 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
예를 들어, 도 5a에 도시된 것과 같이, 코팅부(CT)는 베이스 부(BF)의 상면 전체를 커버할 수 있다. 이에 따라, 코팅부(CT)는 셀 개구부들(COP)과 대응되는 개구부들이 정의된 형상을 가질 수 있다. 코팅부(CT)는 일체의 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 셀 마스크(CMK) 가공을 위한 레이저가 베이스 부(BF) 상의 어느 영역에 제공되더라도 베이스 부(BF)는 안정적으로 보호될 수 있다.
또는, 도 5b에 도시된 것과 같이, 마스크 프레임(MF-1)은 서로 이격된 복수의 코팅부들(CT-1)을 포함할 수도 있다. 코팅부들(CT-1)은 셀 개구부들(COP) 각각에 대응하여 배치될 수 있다. 코팅부들(CT-1)은 베이스 부(BF)의 상면의 일부를 커버하고 나머지를 노출시킨다. 코팅부들(CT-1) 각각은 테두리부(LP)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 코팅부들(CT-1) 각각은 셀 개구부들(COP) 각각을 에워싸는 사각링 형상을 가질 수 있다. 본 발명에 따르면, 베이스 부(BF) 중 레이저가 조사될 수 있는 영역에 선택적으로 코팅부들(CT-1)을 형성함으로써, 공정 비용이 절감될 수 있다.
도는, 도 5c에 도시된 것과 같이, 마스크 프레임(MF-2)은 복수의 코팅부들(CT-2)을 포함할 수 있다. 코팅부들(CT-2)은 셀 개구부들(COP) 각각에 대응하여 배치되되, 테두리부(LP) 중 일부를 노출시키는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 코팅부들(CT-2) 각각은 코팅부들(CT-1) 각각에 비해 상대적으로 얇은 폭을 가질 수 있다. 코팅부들(CT-2)은 후술하는 용접 공정이 발생되는 영역과 비 중첩하도록 제공된다. 이에 따라, 셀 마스크(CMK)와 마스크 프레임(MF)이 직접적으로 결합될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 도면들이다. 도 6a 내지 도 6f를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 것과 같이, 셀 마스크(CMK)의 4면을 인장시켜 마스크 프레임(MF) 상에 제공한다. 즉, 복수의 셀 마스크(CMK)를 마스크 프레임(MF)에 배치하기 이전에, 셀 마스크(CMK) 각각을 인장하는 단계를 포함할 수 있다. 인장 장치(미 도시)에 포함된 클램퍼 등이 셀 마스크(CMK)에 포함된 인장부(TTP1, TTP2)를 파지한 후, 인장부(TTP1, TTP2)를 마스크 본체(MP)로부터 멀어지는 방향으로 잡아당김으로써 셀 마스크(CMK)가 인장될 수 있다. 보다 구체적으로, 셀 마스크(CMK)는 마스크 본체(MP)의 제1 변(MP-s1) 및 제2 변(MP-s2)이 마주하는 방향, 즉 제1 방향(DR1)으로 제1 인장력(TS1)을 받고, 마스크 본체(MP)의 제3 변(MP-s3) 및 제4 변(MP-s4)이 마주하는 방향, 즉 제2 방향(DR2)으로 제2 인장력(TS2)을 받을 수 있다. 인장 공정을 통해, 복수의 셀 마스크(CMK) 각각의 마스크 본체(MP) 및 본딩부(BB) 각각이 대응하는 셀 개구부(COP) 및 테두리부(LP) 각각에 대응되도록 셀 마스크(CMK)가 인장될 수 있다. 셀 마스크(CMK) 각각은 마스크 본체(MP)의 4개 변 각각에 배치된 인장부(TTP1, TTP2) 각각에 의해 4개 방향으로 인장됨으로써, 4개 변의 수축 없이 셀 개구부(COP) 각각의 형상에 대응하도록 인장될 수 있다.
이후, 도 6c 및 도 6d에 도시된 것과 같이, 본딩기(DV1)를 이용하여 셀 마스크(CMK)를 마스크 프레임(MF)에 결합시킨다. 본딩기(DV1)는 용접기 또는 레이저 발진기일 수 있다. 본딩기(DV1)는 셀 마스크(CMK)에 정의되는 결합 라인(BL)을 따라 제1 빔(IJ1)을 셀 마스크(CMK)에 제공한다. 결합 라인(BL)은 본딩부(BB)에 정의된다. 결합 라인(BL)은 셀 개구부(COP)로부터 이격되어 마스크 프레임(MF)과 중첩하는 위치에 정의될 수 있다.
셀 마스크(CMK)와 마스크 프레임(MF)을 결합하는 결합부(BP)가 형성될 수 있다. 결합부(BP)는 셀 마스크(CMK)의 일부가 용융되거나 셀 마스크(CMK)의 일부가 산화되어 형성될 수 있고, 코팅부(CT)의 일부가 더 포함될 수도 있다. 예를 들어, 결합부(BP)는 금속 산화물을 포함할 수 있고, 금속은 셀 마스크(CMK)를 구성하는 재질일 수 있다.
본 실시예에서, 결합부(BP)는 코팅부(CT)에 접촉하고 베이스 부(BF)로부터 이격될 수 있다. 베이스 부(BF)는 코팅부(CT)에 의해 커버됨으로써, 본딩기(DV1)로부터 출사된 제1 빔(IJ1)에 노출되지 않는다. 이에 따라, 제1 빔(IJ1)에 의한 베이스 부(BF)의 손상이 방지될 수 있다.
이후, 도 6e 및 도 6f에 도시된 것과 같이, 셀 마스크(CMK)를 트리밍(trimming)하여 마스크(MK)를 형성한다. 마스크 어셈블리(MKA)에 트리머(DV2)가 제공되고 트리머(DV2)는 셀 마스크(CMK)에 정의된 트리밍 라인(TL)을 따라 셀 마스크(CMK)에 제2 빔(IJ2)을 조사하여 셀 마스크(CMK)를 절단한다. 이에 따라, 셀 마스크(CMK)는 에지(EG)를 가진 단위 마스크(CMK-a)로 형성될 수 있다.
트리머(DV2)는 셀 마스크(CMK)의 일부를 제거할 수 있다면 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 트리머(DV2)는 열 조사기, 광 조사기, 레이저 발진기 등 다양한 실시예를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 트리머(DV2)는 펄스 레이저 발진기일 수 있으며, 나노초, 피코초, 또는 펨토초 단위 등 다양한 단위의 펄스 레이저 발진기를 포함한다. 이에 따라, 제2 빔(IJ2)은 펄스 레이저 빔일 수 있다.
코팅부(CT)는 베이스 부(BF)나 셀 마스크(CMK)에 비해 상대적으로 제2 빔(IJ2)에 대한 높은 반사율과 낮은 흡수율을 가진다. 예를 들어, 제2 빔(IJ2)이 약 500nm의 레이저 빔이고 베이스 부(BF)와 셀 마스크(CMK)가 인바 재질인 경우, 코팅부(CT)의 재질은 제2 빔(IJ2)에 대해 낮은 흡수율을 가진 알루미늄이나 마그네슘일 수 있다. 이에 따라, 제2 빔(IJ2)이 셀 마스크(CMK)를 가공하는 동안 코팅부(CT)는 손상되지 않을 수 있다. 또한, 제2 빔(IJ2)이 과도하게 조사되더라도, 베이스 부(BF)는 코팅부(CT)에 의해 보호됨으로써 제2 빔(IJ2)에 의해 손상되지 않을 수 있다.
본 발명에 따르면, 마스크 프레임(MF)은 코팅부(CT)를 포함함으로써, 베이스 부(BF)의 손상을 방지할 수 있다. 이에 따라, 마스크(MK) 제조 공정 시 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 7a 내지 도 7d에는 도 6b 내지 도 6f와 대응되는 영역을 도시하였다. 이하, 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 6f에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7a에 도시된 것과 같이, 마스크 어셈블리(MKA-1)는 마스크 프레임(MF-1) 및 셀 마스크(CMK)를 포함할 수 있다. 마스크 프레임(MF-1)은 도 5b에 도시된 마스크 프레임(MF-1)과 대응될 수 있다. 또한, 도 7a는 도 6b와 대응되는 단계일 수 있고 인장 단계는 생략하여 도시하였다.
이후, 도 7b에 도시된 것과 같이, 셀 마스크(CMK)와 마스크 프레임(MF-1)을 결합하는 결합부(BP-1)를 형성한다. 결합부(BP-1)는 도 6c 및 도 6d에 도시된 것과 같이, 본딩기(DV1: 도 6c 참조)를 통해 형성될 수 있고, 셀 마스크(CMK)와 코팅부(CT-1) 사이를 결합시킨다.
이후, 도 7c 및 도 7d에 도시된 것과 같이, 마스크 어셈블리(MKA-1)에 트리머(DV2)를 제공하여 마스크(MK-1)를 형성한다. 트리머(DV2)는 셀 마스크(CMK)에 정의된 트리밍 라인(TL)을 따라 셀 마스크(CMK)의 일부를 절단하여 단위 마스크(CMK-a)를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 마스크 프레임(MF-1)은 도 5b에 도시된 마스크 프레임(MF-1)과 대응될 수 있다. 코팅부(CT-1)는 베이스 부(BF)의 일부를 노출시키고 일부만 커버하는 형상을 가질 수 있다. 결합 라인(BL)이나 트리밍 라인(TL)은 코팅부(CT-1)와 중첩되는 영역에 정의될 수 있다. 결합부(BP-1)와 에지(EG)는 코팅부(CT-1) 상에 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 빔(IJ1: 도 6c 참조)이나 제2 빔(IJ2)이 조사되는 영역에만 선택적으로 코팅부(CT-1)를 형성함으로써, 불필요한 영역에 코팅부(CT-1)를 형성하게 되는 문제가 방지될 수 있다. 이에 따라, 공정 비용이 절감될 수 있다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 8a 내지 도 8d에는 도 7a 내지 도 6d와 대응되는 단계들을 각각 도시하였다. 이하, 도 8a 내지 도 8d를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 7d에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8a에 도시된 것과 같이, 마스크 어셈블리(MKA-2)는 마스크 프레임(MF-2) 및 셀 마스크(CMK)를 포함할 수 있다. 마스크 프레임(MF-2)은 도 5c에 도시된 마스크 프레임(MF-2)과 대응될 수 있다. 이후, 도 8b에 도시된 것과 같이, 셀 마스크(CMK)와 마스크 프레임(MF-2)을 결합하는 결합부(BP-1)를 형성한다. 결합부(BP-1)는 도 6c 및 도 6d에 도시된 것과 같이, 본딩기(DV1: 도 6c 참조)를 통해 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 코팅부(CT-2)는 결합부(BP-1)와 평면상에서 이격될 수 있다. 결합 라인(BL: 도 6c 참조)은 코팅부(CT-2)와 평면상에서 비 중첩하는 영역에 정의된다. 이에 따라, 결합부(BP-1)는 셀 마스크(CMK)와 베이스 부(BF)를 결합시킬 수 있다.
이후, 도 8c 및 도 8d에 도시된 것과 같이, 마스크 어셈블리(MKA-2)에 트리머(DV2)를 제공하여 마스크(MK-2)를 형성한다. 트리머(DV2)는 셀 마스크(CMK)에 정의된 트리밍 라인(TL)을 따라 셀 마스크(CMK)의 일부를 절단하여 단위 마스크(CMK-a)를 형성할 수 있다.
코팅부(CT-2)는 결합부(BP-1)와 비 중첩하고 에지(EG)와 중첩하는 위치에 형성될 수 있다. 결합부(BP-1)는 셀 마스크(CMK)나 베이스 부(BF)의 일부를 용융시켜 형성되므로, 베이스 부(BF)의 일부가 손상되더라도 허용 가능한 공차 범위 내일 수 있다. 이와 달리, 트리머(DV2)에 의한 트리밍은 셀 마스크(CMK)만 선택적으로 제거되어야 하는 공정이므로, 제2 빔(IJ2)에 의해 베이스 부(BF)는 손상되지 않는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 제2 빔(IJ2)이 조사되는 영역에만 선택적으로 코팅부(CT-2)를 형성함으로써, 필요한 영역에만 선택적으로 코팅부(CT-2)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 공정 비용이 절감될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
MK: 마스크 MKA: 마스크 어셈블리
MF: 마스크 프레임 BF: 베이스 부
CT: 코팅부 CMK: 셀 마스크
COP: 셀 개구부

Claims (20)

  1. 복수의 셀 개구부들이 정의된 마스크 프레임; 및
    각각이 상기 셀 개구부들에 대응하여 상기 마스크 프레임 상에 배치되고 각각에 복수의 개구부들이 정의된 복수의 단위 마스크들을 포함하고,
    상기 마스크 프레임은, 상기 셀 개구부들이 정의된 베이스 부, 및 상기 셀 개구부들의 가장자리를 에워싸고 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하는 코팅부를 포함하고,
    상기 코팅부는 상기 베이스 부 및 상기 단위 마스크들과 상이한 물질을 포함하 는 마스크.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 코팅부의 소정의 레이저에 대한 흡수율은 상기 베이스 부의 상기 레이저에 대한 흡수율보다 낮은 마스크.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄을 포함하는 마스크.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 코팅부의 두께는 상기 베이스 부의 두께의 약 1/20 이하인 마스크.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 코팅부는 상기 베이스 부의 상면 전체를 커버하는 마스크.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 코팅부는 복수로 제공되고,
    상기 복수의 코팅부들은 서로 이격되어 상기 셀 개구부들을 각각 에워싸는 마스크.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 단위 마스크들 각각의 에지들은 상기 코팅부와 평면상에서 중첩하는 마스크.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 단위 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합하는 결합부를 더 포함하는 마스크.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 코팅부를 결합시키는 마스크.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 베이스 부를 결합시키고,
    상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부로부터 이격된 마스크.
  11. 셀 개구부가 정의된 베이스 부 및 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하고 상기 베이스 부와 상이한 물질을 포함하는 코팅부를 포함하는 마스크 프레임;
    상기 셀 개구부에 대응하여 배치되고 상기 셀 개구부에 중첩하는 복수의 개구부들이 정의된 단위 마스크; 및
    상기 셀 개구부의 테두리를 따라 상기 단위 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합시키는 결합부를 포함하고,
    상기 코팅부는 상기 상기 단위 마스크의 에지들과 평면상에서 중첩하는 마스크.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부와 중첩하고,
    상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 코팅부를 결합시키는 마스크.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 코팅부는 평면상에서 상기 결합부로부터 이격되고,
    상기 결합부는 상기 단위 마스크와 상기 베이스 부를 결합시키는 마스크.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄을 포함하는 마스크.
  15. 복수의 셀 개구부들이 정의된 마스크 프레임을 제공하는 단계;
    상기 셀 개구부들 중 어느 하나에 대응하여 셀 마스크를 제공하는 단계;
    제1 빔을 조사하여 상기 셀 마스크와 상기 마스크 프레임을 결합시키는 단계;
    제2 빔을 조사하여 상기 셀 마스크의 일부를 제거하여 단위 마스크를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크 프레임은 베이스 부 및 상기 베이스 부와 상이한 물질을 포함하고 상기 베이스 부의 상면의 적어도 일부를 커버하는 코팅부를 포함하고,
    상기 제2 빔은 상기 코팅부와 중첩하는 영역에 제공되고,
    상기 코팅부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율은 상기 베이스 부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율보다 낮은 마스크 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 빔은 펄스 레이저를 포함하는 마스크 제조 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 코팅부의 상기 제2 빔에 대한 흡수율은 상기 셀 마스크의 상기 제2 빔에 대한 흡수율보다 낮은 마스크 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 코팅부는 마그네슘 또는 알루미늄으로 형성된 마스크 제조 방법.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 빔은 상기 코팅부와 중첩하는 영역에 제공되고,
    상기 제1 빔은 상기 코팅부와 상기 셀 마스크를 결합시키는 마스크 제조 방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 빔은 상기 코팅부와 비 중첩하는 영역에 제공되고,
    상기 제1 빔은 상기 베이스 부와 상기 셀 마스크를 결합시키는 마스크 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220038214A (ko) * 2020-09-18 2022-03-28 삼성디스플레이 주식회사 마스크 수리 장치 및 그것을 이용한 마스크 수리 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
EP1802177A4 (en) * 2004-09-08 2010-04-14 Toray Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
KR100853544B1 (ko) 2007-04-05 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를이용한 증착장비
JP6142196B2 (ja) * 2013-03-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP5846287B1 (ja) * 2013-12-27 2016-01-20 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスクの製造方法、引張装置、有機半導体素子の製造装置及び有機半導体素子の製造方法
KR20160000069A (ko) * 2014-06-23 2016-01-04 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 어셈블리 및 그 제조방법
KR102322764B1 (ko) * 2015-03-03 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR102427670B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 제조 방법
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
CN205688000U (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩膜板
JP2018127705A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
KR102418174B1 (ko) * 2017-07-05 2022-07-08 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크 장치, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
KR102010002B1 (ko) 2017-09-01 2019-08-12 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
WO2019064473A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法及び表示装置の製造方法
KR20200081609A (ko) * 2018-12-27 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20200092534A (ko) * 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 제조를 위한 마스크유닛
KR20190095238A (ko) 2019-08-07 2019-08-14 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크

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