JP5956918B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、有機ＥＬ表示装置に関する。

近年、平面表示装置が盛んに開発されている。例えば、カラー表示機能を有する液晶表示装置において、カラーフィルタとして干渉フィルタを備えたカラーフィルタ・アレイを適用した構成が提案されている。カラーフィルタ・アレイは、例えば、透明ガラス基板上に配置された第１ミラー積層体、第１ミラー積層体の上に配置された同調スペーサ層、及び、同調スペーサ層の上に配置された第２ミラー積層体を備えている。

一方で、平面表示装置として、白色に発光する有機ＥＬ素子にカラーフィルタを組み合わせた有機ＥＬ表示装置が開発されている。このような形態は、ＥＬ材料をマスク蒸着で塗り分ける必要がないため製造装置が安価で低コスト、かつ高精細化が可能であるという利点がある。一般的に有機ＥＬ素子は水分が進入することにより急激に劣化する。したがって、中空封止構造を設けて乾燥剤を封入したり、有機ＥＬ素子の表面に無機膜から成る保護層を形成したりする。前者に比べ後者の方が薄型化、狭額縁化に適している。

このような構成においては、特に高い水分進入防止性能を有する保護層の形成技術が必要となる。水分進入防止性能を実現するための保護層の膜厚としては５０ｎｍ程度で十分であるが、有機ＥＬ素子の表面に異物等が存在した場合には、この異物に起因して保護層に欠陥が発生する。保護層の欠陥から進入した水分は、有機系材料から各種構成部材を介して拡散し広範囲に亘って有機ＥＬ素子を劣化させる。このため、欠陥の発生を防止するため、保護層の膜厚は、想定される異物よりも厚く形成する必要があり、一般的には２〜１０μｍの膜厚が必要とされる。このため、このような形態の有機ＥＬ素子の生産性は著しく悪い。また、有機ＥＬ素子を覆う保護層を厚く形成すると、有機ＥＬ素子の発光部からカラーフィルタまでの距離は、保護層の膜厚以上に離れるため、高精細化が阻害されるおそれがある。

特表平８−５０８１１４号公報

本実施形態の目的は、表示品位の劣化を抑制するとともに高精細化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に位置するスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、前記画素電極のエッジをカバーする枠状のリブと、前記画素電極上に位置する発光層と、前記発光層上に位置する共通電極と、無機系材料によって形成され前記共通電極をカバーし前記リブ上に延在した第１保護層と、前記リブによって囲まれた内側において前記第１保護層上に位置するカラーフィルタと、無機系材料によって形成され前記カラーフィルタをカバーし前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、を備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。

本実施形態によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に位置する第１有機ＥＬ素子及び第２有機ＥＬ素子と、前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子を区画する格子状のリブと、無機系材料によって形成され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子をカバーし前記リブ上に延在した第１保護層と、前記リブによって囲まれた内側において前記第１有機ＥＬ素子上に位置する第１カラーフィルタ及び前記第２有機ＥＬ素子上に位置する第２カラーフィルタと、無機系材料によって形成され前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタをカバーし前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、を備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。

図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を含む断面構造を概略的に示す図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の構成を概略的に示す平面図である。

有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を区画するリブ４０と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３をカバーする第１保護層５１と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれに対応して配置されたカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３と、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３をカバーする第２保護層５２と、を備えている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、同一構造であり、それぞれ発光色は白色である。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれ島状の画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３を備えている。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上に位置し白色に発光する共通の発光層ＯＲＧと、発光層ＯＲＧの上に位置する共通電極ＣＥと、を備えている。

リブ４０は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿って延出し、格子状に形成されている。１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に着目すると、リブ４０は、画素電極ＰＥ１のエッジを全周に亘ってカバーするように配置され、枠状に形成されている。同様に、リブ４０は、画素電極ＰＥ２及び画素電極ＰＥ３のそれぞれのエッジもカバーしている。

発光層ＯＲＧは、リブ４０の上に延在している。つまり、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上に位置する発光層ＯＲＧは、リブ４０を跨いで延在し、互いに繋がっている。同様に、共通電極ＣＥは、発光層ＯＲＧに重なり、リブ４０の上を跨いで延在している。

第１保護層５１は、共通電極ＣＥをカバーし、リブ４０の上に延在している。

カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ第１保護層５１の上に位置し、リブ４０の上では互いに離間している。カラーフィルタＣＦ１は、リブ４０によって囲まれた内側において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の上に位置している。カラーフィルタＣＦ２は、リブ４０によって囲まれた内側において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の上に位置している。カラーフィルタＣＦ３は、リブ４０によって囲まれた内側において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の上に位置している。つまり、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、各有機ＥＬ素子に対応して個別に配置され、各有機ＥＬ素子を囲むリブ４０の上で途切れた島状に形成され、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのいずれの方向にも繋がっていない（あるいは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣接する有機ＥＬ素子間に位置するリブ４０の上で途切れている）。

カラーフィルタＣＦ１は、主に第１波長範囲（例えば、緑色に対応する５００ｎｍ〜５８０ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第１波長範囲に透過率ピークを有するものである。カラーフィルタＣＦ２は、主に、第１波長範囲とは異なる第２波長範囲（例えば、青色に対応する４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第２波長範囲に透過率ピークを有するものである。カラーフィルタＣＦ３は、主に、第１波長範囲及び第２波長範囲とは異なる第３波長範囲（例えば、赤色に対応する５８０ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲）の光を透過し、この第３波長範囲に透過率ピークを有するものである。

第２保護層５２は、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３をそれぞれカバーし、リブ４０の上に延在している。つまり、格子状のリブ４０の上では、第１保護層５１の上に第２保護層５２が積層されている。

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を含む断面構造を概略的に示す図である。

有機ＥＬ表示装置１は、絶縁基板１０を用いて形成されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、絶縁基板１０の上に位置する、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１保護層５１、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３、第２保護層５２などを備えている。

絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板などである。絶縁基板１０の内面は、第１絶縁膜１１によって覆われている。このような第１絶縁膜１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。

絶縁基板１０として、ガラス基板を適用した場合には、樹脂基板を適用した場合と比較して、絶縁基板１０を介した水分の透過を抑制することが可能である。また、絶縁基板１０として、樹脂基板を適用した場合には、ガラス基板を適用した場合と比較して、薄型化及び軽量化が可能であるとともに、柔軟性が高く、形状の自由度が高い。なお、樹脂基板は、ガラス基板よりも吸湿性が高い特性を有しているが、樹脂基板の内面を無機系材料の薄膜（単層あるいは積層体）によって覆うことで、絶縁基板を介した水分の透過を抑制することが可能である。

スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、それぞれ第１絶縁膜１１の上に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３は、それぞれポリシリコン半導体層を備えたトップゲート型の薄膜トランジスタであり、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。

スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に位置するポリシリコン半導体層ＳＣを備えている。このポリシリコン半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。この第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。第２絶縁膜１２の上には、スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧが配置されている。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。この第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。これらの第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。

第３絶縁膜１３の上には、スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤが配置されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれポリシリコン半導体層ＳＣにコンタクトしている。これらのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。また、この第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。この第４絶縁膜１４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されていることが望ましいが、樹脂などの有機系材料によって形成されても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれ第４絶縁膜１４の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。

これらの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも絶縁基板１０とは反対側（あるいは、有機ＥＬ素子に積層されたカラーフィルタ側）に向かって発光するトップエミッションタイプとして構成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続された画素電極ＰＥ１を備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、スイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２を備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、スイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３を備えている。

これらの画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、第４絶縁膜１４の上に形成され、陽極として機能し、対応するスイッチング素子のドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。また、これらの画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料や、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）などの金属材料などによって形成されている。トップエミッションタイプでは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上に位置している。また、発光層ＯＲＧは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。このような発光層ＯＲＧは、有機系材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、例えば、陰極として機能し、発光層ＯＲＧの上に位置している。また、共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。このような共通電極ＣＥは、透明電極であり、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。

なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３において、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と発光層ＯＲＧとの間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、発光層ＯＲＧと共通電極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。

リブ４０は、第４絶縁膜１４の上に形成され、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３のそれぞれのエッジをカバーしている。このようなリブ４０は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されている。また、リブ４０は、発光層ＯＲＧによって覆われている。つまり、発光層ＯＲＧは、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上のみならず、リブ４０の上にも延在している。

第１保護層５１は、共通電極ＣＥの上に位置している。また、第１保護層５１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され、共通電極ＣＥをカバーしている。このような第１保護層５１は、絶縁性の透明な無機系材料によって形成されている。

カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、それぞれ第１保護層５１の上に形成されている。カラーフィルタＣＦ１は、緑色カラーフィルタであり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の上に位置している。カラーフィルタＣＦ２は、青色カラーフィルタであり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の上に位置している。カラーフィルタＣＦ３は、赤色カラーフィルタであり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の上に位置している。

図示した例では、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のそれぞれの膜厚はリブ４０の膜厚よりも厚く、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のそれぞれの上面ＣＦＴの位置はリブ４０の上面４０Ｔの位置よりも高い。一例では、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３のそれぞれの膜厚は、想定される異物よりも厚く、２〜１０μｍである。このようなカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、例えば、着色された樹脂材料によって形成されている。

第２保護層５２は、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３の上に位置している。また、第２保護層５２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成され、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３をそれぞれカバーしている。このような第２保護層５２は、絶縁性の透明な無機系材料によって形成されている。

一例では、第１保護層５１及び第２保護層５２は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層の単層であっても良いし、あるいは、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層及びシリコン酸化物（ＳｉＯ）層の積層体であっても良い。これらの第１保護層５１及び第２保護層５２は、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３より薄い膜厚であるが、水分透過防止膜として機能する。

図示した例では、リブ４０の上においては、発光層ＯＲＧ、共通電極ＣＥ、第１保護層５１、及び、第２保護層５２がこの順に積層されている。

上記の構成の有機ＥＬ表示装置１によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの白色の放射光は、カラーフィルタを介して出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１からの放射光は緑色のカラーフィルタＣＦ１を透過し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２からの放射光は青色のカラーフィルタＣＦ２を透過し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３からの放射光は、赤色のカラーフィルタＣＦ３を透過する。

次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。

まず、絶縁基板１０の上に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、スイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ３、第４絶縁膜１４を形成する。その後、第４絶縁膜１４の上に画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３を形成する。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３は、例えば、ＩＴＯ／銀（Ａｇ）／ＩＴＯの積層体である。

その後、リブ４０を形成する。リブ４０は、例えば、プラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を成膜し、パターニングすることによって形成される。その後、発光層ＯＲＧや共通電極ＣＥなどを形成し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を形成する。

その後、第１保護層５１を形成する。第１保護層５１は、例えば、プラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を約５０ｎｍ程度の膜厚に成膜する、あるいは、シリコン窒化物（ＳｉＮ）／シリコン酸化物（ＳｉＯ）／シリコン窒化物（ＳｉＮ）の積層体によって形成される。

その後、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３を形成する。これらのカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３は、例えば、フォトリソグラフィプロセスにより、着色された樹脂材料を用いて形成される。

その後、第２保護層５２を形成する。第２保護層５２は、第１保護層５１と同様に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を約５０ｎｍ程度の膜厚に成膜する、あるいは、シリコン窒化物（ＳｉＮ）／シリコン酸化物（ＳｉＯ）／シリコン窒化物（ＳｉＮ）の積層体によって形成される。

このような工程により、有機ＥＬ表示装置１が製造される。

本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３、無機系材料からなる第１保護層５１、有機系材料からなるカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３、及び、無機系材料からなる第２保護層５２がこの順に積層されている。第１保護層５１及び第２保護層５２は、リブ４０の上において積層されている。

このため、第１保護層５１に欠陥が生じていたとしても、数μｍ程度の膜厚を有するカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が第１保護層５１を覆い、これらのカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３をさらに第２保護層５２が覆うため、第１保護層５１の欠陥を介した水分進入のパスを塞ぐことが可能となる。

また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３の上に異物が存在し、第１保護層５１に欠陥が生じたとしても、同様に、異物よりも大きな膜厚を有するカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が第１保護層５１を覆うため、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３を覆う第２保護層５２での欠陥の形成を抑制することが可能となる。

また、第２保護層５２に欠陥が生じていたとしても、第１保護層５１に欠陥が生じていなければ、個別に形成されたカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３にて進入した水分を留めることが可能となる。

また、第１保護層５１及び第２保護層５２の双方に欠陥が生じていたとしても、カラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３が個別に形成されているため、第２保護層５２の欠陥を介して進入した水分は当該画素の直下のカラーフィルタに留まり、他の画素へのカラーフィルタを介した水分の拡散を抑制することが可能となる。

また、リブ４０は、無機材料によって形成されているため、たとえリブ４０に重なる第１保護層５１及び第２保護層５２に欠陥が生じていたとしても、リブ４０を介した水分の拡散を抑制することが可能となる。

したがって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３への水分の到達を抑制することが可能となるとともに、仮に第１保護層５１及び第２保護層５２に欠陥が発生しても、進入した水分を当該画素に留め、周辺の画素への水分の拡散を抑制することが可能となる。これにより、広範囲にわたるダークスポットの発生を抑制することが可能となる。このため、表示品位の劣化を抑制することが可能となる。

また、本実施形態によれば、中空封止構造と比較して、薄型化及び狭額縁化が可能となる。

また、本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３とカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３とを薄膜の第１保護層５１を介して近接配置することができるため、高精細化が可能となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の劣化を抑制するとともに高精細化が可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…有機ＥＬ表示装置
ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３…有機ＥＬ素子
ＳＷ１乃至ＳＷ３…スイッチング素子
ＰＥ１乃至ＰＥ３…画素電極 ＯＲＧ…発光層 ＣＥ…共通電極
ＣＦ１乃至３…カラーフィルタ
４０…リブ
５１…第１保護層 ５２…第２保護層

Claims (14)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に位置するスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、
   前記画素電極のエッジをカバーすると共に、前記画素電極の一部を露出する枠状のリブと、
   前記画素電極上に位置する発光層と、
   前記発光層上に位置する共通電極と、
   無機系材料によって形成され前記共通電極をカバーし、且つ前記画素電極の前記一部と対向する領域から前記リブ上まで延在した第１保護層と、
   前記画素電極の前記一部と対向する領域において前記第１保護層上に位置するカラーフィルタと、
   無機系材料によって形成され前記カラーフィルタをカバーし、且つ前記画素電極の前記一部と対向する領域から前記リブ上にまで延在し、前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、
   を備え、
   前記リブの厚さよりも、前記カラーフィルタの厚さの方が大きい、有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１保護層及び前記第２保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記リブは無機系材料によって形成された、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記リブはシリコン窒化物によって形成された、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記リブ上において、前記発光層、前記共通電極、前記第１保護層、及び、前記第２保護層の順に積層された、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に位置する第１有機ＥＬ素子と、
   前記絶縁基板上に位置し、前記第１有機ＥＬ素子に隣接する第２有機ＥＬ素子と、
   前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子を区画する格子状のリブと、
   無機系材料によって形成され前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子をカバーし、前記第１有機ＥＬ素子と前記リブと前記第２有機ＥＬ素子とに跨って配置された第１保護層と、
   前記第１有機ＥＬ素子の第１発光部と対向する領域において前記第１保護層上に位置する第１カラーフィルタと、
   前記第２有機ＥＬ素子の第２発光部と対向する領域において前記第１保護層上に位置する第２カラーフィルタと、
   無機系材料によって形成され前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタをカバーし、且つ前記第１有機ＥＬ素子と前記リブと前記第２有機ＥＬ素子とに跨って配置され、前記リブ上で前記第１保護層に積層された第２保護層と、
   を備え、
   前記リブの厚さよりも、前記第１カラーフィルタの厚さ及び前記第２カラーフィルタの厚さの方が大きい、有機ＥＬ表示装置。
7. 前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子は、前記第１発光部と対向する領域と前記リブと記第２発光部と対向する領域とを跨いで延在し白色に発光する共通の発光層を備えた、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に位置し、第１の画素電極を有する第１の画素と、
   前記絶縁基板上に位置し、第２の画素電極を有する第２の画素と、
   前記第１の画素と前記第２の画素との境界に位置し、前記第１の画素電極の一部と前記第２の画素電極の一部とを露出するリブと、
   前記第１の画素電極の前記絶縁基板とは反対側に位置し、前記第１の画素電極の前記一部と対向する第１のカラーフィルタと、
   前記第２の画素電極の前記絶縁基板とは反対側に位置し、前記第２の画素電極の前記一部と対向する第２のカラーフィルタと、
   前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置されると共に、前記第１のカラーフィルタと前記第２のカラーフィルタとに接して形成され、且つ前記第１のカラーフィルタと前記第２のカラーフィルタとを覆う第２の保護層と、を備え、
   前記第１のカラーフィルタの厚さは、前記リブの厚さよりも大きく、
   前記第２のカラーフィルタの厚さは、前記リブの厚さよりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
9. 前記リブは、前記リブにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第１の面を有し、
   前記第１のカラーフィルタは、前記第１のカラーフィルタにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第２の面を有し、
   前記第２のカラーフィルタは、前記第２のカラーフィルタにおいて前記絶縁基板から最も遠くに位置する第３の面を有し、
   前記第２の面から前記絶縁基板までの距離は、前記第１の面から前記絶縁基板までの距離よりも大きく、
   前記第３の面から前記絶縁基板までの距離は、前記第１の面から前記絶縁基板までの距離よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記第２保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタの、前記第２の保護層とは反対側には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って形成された第１の保護層が形成され、
    前記第１の保護層と前記第２の保護層とは、前記リブの前記絶縁基板から最も遠くに位置する面上で接していることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
12. 前記第１保護層は、シリコン窒化物層の単層、もしくは、シリコン窒化物層及びシリコン酸化物層の積層体であることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
13. 前記第１の画素電極の前記絶縁基板とは反対側には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置された共通電極が形成され、
    前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタは、前記共通電極の前記絶縁基板とは反対側に位置していることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 前記共通電極と前記第１の画素電極との間には、前記第１の画素と前記リブと前記第２の画素とに跨って配置された発光層が形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。

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