CN114934253A - 掩模 - Google Patents

掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN114934253A
CN114934253A CN202210112682.XA CN202210112682A CN114934253A CN 114934253 A CN114934253 A CN 114934253A CN 202210112682 A CN202210112682 A CN 202210112682A CN 114934253 A CN114934253 A CN 114934253A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
coating
cmk
unit
coating portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210112682.XA
Other languages
English (en)
Inventor
文英慜
文敏浩
孙智熙
宋昇勇
任星淳
赵俊豪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN114934253A publication Critical patent/CN114934253A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/21—Bonding by welding
    • B23K26/24—Seam welding
    • B23K26/244—Overlap seam welding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/21—Bonding by welding
    • B23K26/24—Seam welding
    • B23K26/26—Seam welding of rectilinear seams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/32—Bonding taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/323—Bonding taking account of the properties of the material involved involving parts made of dissimilar metallic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/20—Tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/02—Iron or ferrous alloys
    • B23K2103/04—Steel or steel alloys
    • B23K2103/05—Stainless steel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/10—Aluminium or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/15—Magnesium or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • B23K2103/26—Alloys of Nickel and Cobalt and Chromium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供了一种掩模，所述掩模包括：掩模框，包括基体部和涂覆部，基体部中限定有单元开口，涂覆部围绕单元开口的边缘，覆盖基体部的上表面的至少一部分，并且包括与基体部的材料不同的材料；以及单位掩模，位于掩模框上，分别对应于单元开口，包括与涂覆部的材料不同的材料，并且单位掩模中限定有开口。

Description

掩模
本申请要求于2021年2月5日提交的第10-2021-0016867号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开在此涉及一种金属掩模和一种制造该金属掩模的方法。
背景技术
显示面板包括多个像素，每个像素包括诸如晶体管的驱动元件和诸如有机发光二极管的显示元件。可以通过在基底上堆叠电极和发光图案来形成显示元件。
通过使用其中限定有穿透部的掩模进行图案化，在给定区域中形成发光图案。发光图案可以形成在由穿透部暴露的区域中。可以根据穿透部的形状来控制发光图案的形状。近来，正在开发与用于制造大面积掩模的设备和方法有关的技术，以提高包括发光图案的显示面板的产量。
发明内容
本公开提供了一种用于制造大面积显示面板的掩模以及一种掩模制造方法，利用其提高可靠性并且可以降低成本。
本公开的一些实施例提供了一种掩模，所述掩模包括：掩模框，包括基体部和涂覆部，基体部中限定有单元开口，涂覆部围绕单元开口的边缘，覆盖基体部的上表面的至少一部分，并且包括与基体部的材料不同的材料；以及单位掩模，位于掩模框上，分别对应于单元开口，包括与涂覆部的材料不同的材料，并且单位掩模中限定有开口。
涂覆部对激光的吸收率可以低于基体部对激光的吸收率。
涂覆部可以包括镁或铝。
涂覆部的厚度可以至多为基体部的厚度的约1/20。
涂覆部可以覆盖基体部的整个上表面。
涂覆部可以包括彼此间隔开并且分别围绕单元开口的多个涂覆部。
单位掩模中的每个的边缘可以在平面上与涂覆部叠置。
掩模还可以包括将单位掩模中的一个单位掩模和掩模框接合的接合部。
接合部可以将单位掩模中的一个单位掩模和涂覆部接合。
接合部可以将单位掩模中的一个单位掩模和基体部接合，并且其中，涂覆部与接合部间隔开。
在本公开的一些实施例中，一种掩模包括：掩模框，包括基体部和涂覆部，基体部中限定有单元开口，涂覆部覆盖基体部的上表面的至少一部分，并且包括与基体部的材料不同的材料；单位掩模，定位成分别对应于单元开口，并且单位掩模中限定有与单元开口中的相应一个单元开口叠置的开口；以及接合部，沿着单元开口的边缘将单位掩模和掩模框接合，其中，涂覆部在平面上与单位掩模的边缘叠置。
涂覆部可以在平面上与接合部叠置，其中，接合部将单位掩模和涂覆部接合。
涂覆部可以在平面上与接合部间隔开，其中，接合部将单位掩模和基体部接合。
涂覆部可以包括镁或铝。
在本公开的一些实施例中，一种掩模制造方法包括：设置掩模框，掩模框中限定有单元开口，并且掩模框包括基体部和涂覆部，涂覆部包括与基体部的材料不同的材料，并且覆盖基体部的上表面的至少一部分；设置与单元开口中的一个单元开口对应的单元掩模；通过用第一光束照射来将单元掩模和掩模框接合；以及通过用第二光束照射到与涂覆部叠置的区域来去除单元掩模的一部分，以形成单位掩模，其中，涂覆部对第二光束的吸收率低于基体部对第二光束的吸收率。
第二光束可以包括脉冲激光。
涂覆部对第二光束的吸收率可以低于单元掩模对第二光束的吸收率。
涂覆部可以包括镁或铝。
可以将第一光束提供到与涂覆部叠置的区域，以将涂覆部和单元掩模接合。
可以将第一光束提供到不与涂覆部叠置的区域，以将基体部和单元掩模接合。
附图说明
附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开的方面。在附图中：
图1是根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图；
图2是根据本公开的一些实施例的沉积设备的剖视图；
图3A至图3B是根据本公开的一些实施例的掩模的透视图；
图4A是根据本公开的一些实施例的掩模组件的局部透视图；
图4B是根据本公开的一些实施例的单元掩模的平面图；
图5A至图5C是根据本公开的一些实施例的掩模框的平面图；
图6A至图6F是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的图；
图7A至图7D是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的剖视图；以及
图8A至图8D是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的剖视图。
具体实施方式
通过参照实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面和实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于在此所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员为了完整理解本公开的方面而不是必需的工艺、元件和技术。
除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件，因此，将不重复其描述。此外，可以不示出与实施例的描述不相关或无关的部分以使描述清楚。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外，通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
在此参照作为实施例和/或中间结构的示意性图示的剖面图示描述了各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，在此公开的具体结构或功能描述仅仅是说明性的。因此，在此公开的实施例不应被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。
例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区域可以导致掩埋区域与通过其进行注入的表面之间的区域中的一些注入。
因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，也不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，而都不脱离本公开的精神或范围。
在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的彻底的理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种实施例。在其他示例中，为了避免使各种实施例不必要地模糊，以框图形式示出了公知的结构和装置。
为了易于解释，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括装置在使用中或在操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，应相应地解释在此使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示基于重力方向，第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于其上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”指从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者可以间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、层、区域或组件。此外，这可以统称为直接或间接结合或连接以及一体或非一体结合或连接。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接或结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或结合另一组件而没有居间组件。另外，可以类似地解释描述组件之间的关系的其他表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“与……相邻”和“与……直接相邻”。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
出于本公开的目的，诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后，修饰整列元件，而不是修饰该列中的个别元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)或其任何变型。类似地，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表述可以包括A、B或A和B。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或A和B。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。将元件描述为“第一”元件不会要求或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等也可以在此用于区分不同类别或不同组的元件。为了简明，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
在此使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，术语“包含”、“具有”、“包括”以及它们的变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如在此使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“约”或“近似”包括所陈述的值，并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
当可以不同地实施一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
此外，在此公开和/或陈述的任何数值范围旨在包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在此陈述的任何最大数值界限旨在包括其中包含的所有更低的数值界限，本说明书中陈述的任何最小数值界限旨在包括其中包含的所有更高的数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在被在此明确陈述的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在被在本说明书中固有地描述，使得修改以明确陈述任何这样的子范围将符合要求。
除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此清楚地如此定义。
图1是根据本公开的一些实施例的显示面板的剖视图。在一些实施例中，显示面板DP可以是发光显示面板。图1示出了对应于多个像素中的任一个的剖面。本说明书中的像素至少包括晶体管和发光元件。图1示出了其中两个晶体管T1和T2以及发光元件OLED位于像素中的区域。
如图1中所示，显示面板DP包括基体层BS、位于基体层BS上的电路元件层DP-CL、位于电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-OLED以及位于显示元件层DP-OLED上的绝缘层TFL(在下文中，限定为上绝缘层)。
基体层BS可以包括合成树脂层。在用于显示面板DP的制造的支撑基底上形成合成树脂层。然后，在合成树脂层上形成导电层、绝缘层等。在支撑基底被去除时，合成树脂层对应于基体层BS。
电路元件层DP-CL至少包括绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线、像素驱动电路等。电路元件层DP-CL可以通过经由涂覆、沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及经由光刻对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的工艺来形成。
在一些实施例中，电路元件层DP-CL包括缓冲层BFL、阻挡层BRL以及第一绝缘层至第七绝缘层10、20、30、40、50、60和70。缓冲层BFL、阻挡层BRL以及第一绝缘层至第七绝缘层10、20、30、40、50、60和70可以包括无机膜和有机膜中的任一种。缓冲层BFL和阻挡层BRL可以包括无机膜。第五绝缘层至第七绝缘层50、60和70中的至少一个可以包括有机膜。
图1示出了共同分别构成第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一有源区域A1和第二有源区域A2、第一栅极G1和第二栅极G2、第一源极S1和第二源极S2、第一漏极D1和第二漏极D2的布置关系。在一些实施例中，第一有源区域A1和第二有源区域A2可以包括不同的材料。第一有源区域A1可以包括多晶硅半导体，并且第二有源区域A2可以包括金属氧化物半导体。第一源极S1和第一漏极D1是其掺杂浓度高于第一有源区域A1的掺杂浓度的区域，并且用作电极。第二源极S2和第二漏极D2是用于还原金属氧化物半导体的区域，并且用作电极。上电极UE和第一栅极G1形成电容器。
在本公开的一些实施例中，第一有源区域A1和第二有源区域A2可以包括相同的半导体材料，并且在这种情况下，可以更简化电路元件层DP-CL的堆叠结构。
显示元件层DP-OLED包括像素限定膜PDL和发光元件OLED。发光元件OLED可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。阳极AE位于第七绝缘层70上。像素限定膜PDL的开口部POP暴露阳极AE的至少一部分。像素限定膜PDL的开口部POP可以限定发光区域PXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。
阴极CE、空穴控制层HCL和电子控制层ECL都位于发光区域PXA和非发光区域NPXA两者中。发光层EML可以设置有对应于开口部POP的图案形状。发光层EML可以以与膜状的空穴控制层HCL和电子控制层ECL的方式不同的方式沉积。掩模组件可以用于形成具有对应形状(例如，预定形状)的发光层EML。
可以通过使用开口掩模在多个像素中的全部中形成空穴控制层HCL和电子控制层ECL。通过使用被称为精细金属掩模(FMM)的掩模，可以根据各个像素不同地形成发光层EML。
上绝缘层TFL可以位于显示元件层DP-OLED上。上绝缘层TFL可以包括多个薄膜。多个薄膜可以包括无机膜和有机膜。上绝缘层TFL可以包括用于密封显示元件层DP-OLED的绝缘层、用于提高发光效率的绝缘层等。
图2是根据本公开的一些实施例的沉积设备的剖视图。沉积设备DA可以用于图1中的显示面板DP，例如，可以用于沉积发光层EML的工艺。
如图2中所示，根据本公开的一些实施例的沉积设备DA包括沉积室CB、固定构件CM、位于沉积室CB内部的沉积源DS以及位于沉积室CB内部的掩模MK。在一些实施例中，沉积设备DA还可以包括额外的机器以实现直列式(in-line)系统。
沉积室CB可以将沉积条件设定为真空(例如，设定为在其中具有低压)。沉积室CB可以包括底表面、顶表面和侧壁。沉积室CB的底表面基本上平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。沉积室CB的底表面的法线方向表示第三方向轴DR3。在下文中，第一方向至第三方向被限定为分别由第一方向轴至第三方向轴DR1、DR2和DR3表示的方向，并且参照同样的附图标记。如在下面表述的“在平面上”是基于平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的平面来设定的。
固定构件CM位于沉积室CB内部且位于沉积源DS上方，并且固定掩模MK。固定构件CM可以安装在沉积室CB的顶表面上。固定构件CM可以包括保持掩模MK的夹具或机械臂。
固定构件CM包括主体部BD和接合到主体部BD的磁体MM。主体部BD可以包括板作为用于固定掩模MK的基体结构，但是本公开不限于此。磁体MM可以位于主体部BD内部或外部。磁体MM可以用磁力固定掩模MK。
沉积源DS可以蒸发沉积材料(例如，发光材料)，并且可以发射沉积材料作为沉积蒸气。沉积蒸气穿过掩模MK，并且以图案(例如，预定图案)沉积在工作基底WS上。
掩模MK位于沉积室CB内部且位于沉积源DS上，并且支撑工作基底WS。例如，工作基底WS可以包括玻璃基底或塑料基底。工作基底WS可以包括位于基体基底上的聚合物层。可以在用于制造显示面板的工艺的稍后状态中去除基体基底，并且聚合物层可以是图1中的基体层BS。
掩模MK包括单位掩模CMK-a和掩模框MF。单位掩模CMK-a可以设置成多个，并且可以均对应于用于单元级沉积的掩模。单位掩模CMK-a通过接合到掩模框MF来设置。稍后将描述其详细描述。
图3A和图3B是根据本公开的一些实施例的掩模的透视图。图3A示出了掩模MK的透视图，图3B是示出其中一个单位掩模CMK-a与多个单位掩模CMK-a分离的状态的透视图。在下文中，将参照图3A和图3B描述本公开。
如图3A和图3B中所示，掩模MK可以包括掩模框MF和多个单位掩模CMK-a。多个单元开口部COP可以限定在掩模框MF中，每个单元开口部COP在第三方向DR3上穿透掩模框MF。单位掩模CMK-a可以定位成分别对应于单元开口部COP。单元开口部COP中的每个可以对应于一个显示面板DP。也就是说，一个单位掩模CMK-a可以用于沉积一个显示面板DP的工艺，尽管这仅是示例。掩模MK可以包括对应于一个单元开口部COP的多个单位掩模CMK-a，但是本公开不限于此。
单位掩模CMK-a中的每个可以包括掩模主体MP和结合部BB'。多个孔OP可以限定在掩模主体MP中。孔OP可以被限定为在第三方向DR3上穿透单位掩模CMK-a。结合部BB'可以在第一方向DR1和第二方向DR2上从掩模主体MP延伸。在平面上，结合部BB'可以具有矩形环形状(例如，矩形闭合圈)，并且可以沿着掩模主体MP的边缘定位。结合部BB'可以包括沿着掩模主体MP的边缘定位的第一结合部BB1'、第二结合部BB2'、第三结合部BB3'和第四结合部BB4'。
单位掩模CMK-a可以位于掩模框MF上。在一些实施例中，单位掩模CMK-a可以位于多个单元开口部COP之中的对应的单元开口部COP上。在一些实施例中，第n单位掩模CMK-a可以位于第n单元开口部COP上。
在平面上，单位掩模CMK-a的掩模主体MP的面积可以与单元开口部COP的面积相同。单位掩模CMK-a的结合部BB'可以位于掩模框MF的边缘部LP上。边缘部LP可以被限定为掩模框MF的围绕单元开口部COP中的每个的部分。在平面上，边缘部LP可以具有矩形环/圈形状。
单位掩模CMK-a可以固定到掩模框MF。例如，单位掩模CMK-a的结合部BB'可以固定到对应的边缘部LP。例如，可以对边缘部LP的第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3和第四部分P4与对应的结合部BB'的各个部分之间的位置执行焊接工艺。在一些实施例中，边缘部LP可以是通过焊接工艺结合到对应的结合部BB'的结合区域。在一些实施例中，待结合到掩模框MF的结合图案可以形成在结合部BB'上。
待结合到掩模框MF的结合图案可以形成在第一结合部BB1'、第二结合部BB2'、第三结合部BB3'和第四结合部BB4'中的每个上。例如，结合图案可以具有沿着单位掩模CMK-a的掩模主体MP的边缘以实线延伸的矩形环形状。可选地，结合图案可以在单位掩模CMK-a的第一结合部BB1'、第二结合部BB2'、第三结合部BB3'和第四结合部BB4'中的每个中设置成多个，并且多个结合图案可以以间隔(例如，以预定间隔)彼此间隔开，从而形成沿着掩模主体MP的边缘以虚线延伸的矩形环形状。在下文中，稍后将进行关于掩模框MF和单位掩模CMK-a的结合的详细描述。
图4A是根据本公开的一些实施例的掩模组件的局部透视图，图4B是根据本公开的一些实施例的单元掩模的平面图。将参照图4A和图4B描述本公开。
掩模组件MKA包括多个单元掩模CMK和掩模框MF。单元掩模CMK中的每个包括掩模主体MP、结合部BB以及张紧部TTP1和TTP2。
单元掩模CMK中的每个可以包括金属。例如，单元掩模CMK中的每个可以包括不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar)、Ni、Co等。然而，单元掩模CMK的材料不限于此。
掩模主体MP可以具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的板形状。掩模主体MP可以具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的矩形形状。掩模主体MP可以具有在第一方向DR1上间隔开并在第二方向DR2上延伸的两条长边以及在第二方向DR2上间隔开并在第一方向DR1上延伸的两条短边。掩模主体MP可以包括在第一方向DR1上间隔开并在第二方向DR2上延伸的第一边MP-s1和第二边MP-s2以及在第二方向DR2上间隔开并在第一方向DR1上延伸的第三边MP-s3和第四边MP-s4。掩模主体MP的形状可以是与限定在掩模框MF中的多个单元开口部COP对应的形状。多个孔OP可以限定在掩模主体MP中。孔OP可以通过在第三方向DR3上穿透单元掩模CMK来限定。
结合部BB定位成围绕掩模主体MP的边缘。结合部BB可以具有在第一方向DR1上延伸并在第二方向DR2上延伸的矩形环形状或圈形状。结合部BB可以是通过焊接工艺接合到掩模框MF的区域，稍后将描述焊接工艺。
结合部BB可以包括与掩模主体MP的第一边MP-s1相邻定位的第一结合部BB1、与掩模主体MP的第二边MP-s2相邻定位的第二结合部BB2、与掩模主体MP的第三边MP-s3相邻定位的第三结合部BB3以及与掩模主体MP的第四边MP-s4相邻定位的第四结合部BB4。
张紧部TTP1和TTP2从结合部BB延伸，并且与掩模主体MP间隔开，且结合部BB位于张紧部TTP1和TTP2与掩模主体MP之间。张紧部TTP1和TTP2可以共同包括四个张紧区段，所述四个张紧区段定位成分别对应于具有矩形形状的掩模主体MP的四条边。张紧部TTP1和TTP2可以包括对应于掩模主体MP的长边定位的第一张紧部TTP1和对应于掩模主体MP的短边定位的第二张紧部TTP2，掩模主体MP的长边在第一方向DR1上间隔开并在第二方向DR2上延伸，掩模主体MP的短边在第二方向DR2上间隔开并在第一方向DR1上延伸。第一张紧部TTP1可以包括第一边张紧部TP1和第二边张紧部TP2，第一边张紧部TP1和第二边张紧部TP2对应于掩模主体MP的长边定位，并且相对于第一方向DR1彼此相对，第二张紧部TTP2可以包括第三边张紧部TP3和第四边张紧部TP4，第三边张紧部TP3和第四边张紧部TP4对应于掩模主体MP的短边定位，并且相对于第二方向DR2彼此相对。第一边张紧部TP1、第二边张紧部TP2、第三边张紧部TP3和第四边张紧部TP4可以定位成分别对应于掩模主体MP的四条边，并且可以在远离掩模主体MP的方向上张紧。
根据一些实施例的掩模组件包括分别对应于多个单元开口的多个单元掩模，并且单元掩模中的每个包括定位成分别对应于掩模主体的四条边的张紧部。
与本公开不同，当通过包括其中张紧部定位在两条边上的单元掩模的掩模组件制造大面积掩模时，其上未定位有张紧部的其余边在单元掩模张紧工艺中收缩，从而导致掩模的可靠性和质量的劣化。
然而，根据本公开的一些实施例，因为掩模组件包括单元掩模以能够制造适用于大面积显示面板的制造的大面积掩模，并且可以通过使用定位成分别对应于单元掩模的掩模主体MP的四条边的张紧部来防止掩模主体MP的四条边在单元掩模张紧工艺中彼此不同地收缩，从而减少或防止掩模的可靠性和质量的劣化，因此使得能够制造有着保证的显示质量的大面积显示面板。
掩模框MF可以包括基体部BF和涂覆部CT。基体部BF可以包括金属材料，诸如不锈钢(SUS)、因瓦合金、Ni或Co。然而，基体部BF的材料不限于此。例如，为了减轻构件的重量，基体部BF也可以包括聚酰亚胺类材料。
基体部BF可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边。多个单元开口部COP可以限定在掩模框MF中。单元开口部COP可以布置为在第一方向DR1和第二方向DR2中的至少一个上彼此间隔开。单元开口部COP可以在第一方向DR1和第二方向DR2上具有矩阵阵列。
在平面上，单元开口部COP中的每个可以具有矩形形状。例如，单元开口部COP可以具有在第一方向DR1上间隔开且在第二方向DR2上延伸的两条长边。单元开口部COP可以具有在第二方向DR2上间隔开且在第一方向DR1上延伸的两条短边。单元开口部COP可以通过在第三方向DR3上穿透基体部BF来限定。
如上所述，单元开口部COP具有对应于显示面板DP的形状。例如，单元开口部COP可以具有对应于显示面板DP的有效区域的形状。因此，单元开口部COP的形状可以设计成对应于显示面板DP的形状的各种形状，并且不限于任一个实施例中的形状。
涂覆部CT可以位于基体部BF上，并且可以覆盖基体部BF的上表面的至少一部分。涂覆部CT围绕单元开口部COP的边缘，并且在平面上不与单元开口部COP叠置。涂覆部CT可以通过沉积工艺或通过涂覆工艺形成在基体部BF的上表面上。涂覆部CT可以由与基体部BF的材料不同的材料形成。
在一些实施例中，涂覆部CT可以包括对基体部BF具有高激光加工选择性的材料。例如，参照下表，当用约500nm的激光加工(焊接、修整等)单元掩模CMK时，如果基体部BF是因瓦合金材料，则涂覆部CT可以是对因瓦合金具有加工选择性的铝(Al)材料。
[表1]
材料 反射率/吸收率(@约515nm激光)
铁(Fe) 51.0％/49.0％(n＝2.8312，k＝2.9028)
镍(Ni) 62.2％/37.8％(n＝1.8428，k＝3.3792)
钴(Co) 64.6％/35.4％(n＝1.9484，k＝3.6488)
铝(Al) 91.8％/8.2％(n＝0.86754，k＝6.2231)
镁(Mg) 95.2％/4.8％(n＝0.28147，k＝4.6839)
表1示出了每种材料对于具有约515nm的波长的激光的反射率和吸收率。那么，n可以是折射率，k可以是消光系数。参照表1，可以看出，对于具有约515nm的波长的激光，铝或镁的吸收率显著低于形成因瓦合金的铁或镍的吸收率。类似地，可以看出，对于具有约515nm的波长的激光，铝或镁的反射率显著高于形成因瓦合金的铁或镍的反射率。
换句话说，对于具有相同波长的激光，涂覆部CT可以包括与基体部BF相比具有相对低的激光吸收率或相对高的激光反射率的材料。因此，因为基体部BF的上表面被涂覆部CT覆盖，所以可以减少或防止对基体部BF的损坏，否则当用激光照射基体部BF以加工单元掩模CMK时可能发生对基体部BF的损坏。
另外，对于具有相同波长的激光，涂覆部CT可以包括与单元掩模CMK相比具有相对低的激光吸收率或相对高的激光反射率的材料。因此，可以容易地加工单元掩模CMK，并且可以稳定地保护基体部BF。因此，可以在掩模制造工艺期间提高掩模框MF、MF-1和MF-2(见图5A至图5C)的可靠性。
另外，在一些实施例中，涂覆部CT可以具有基体部BF的厚度的至多约1/20的厚度。当涂覆部CT的厚度太大时，在使用掩模的沉积工艺中，像素位置精度(PPA)可能由于其热膨胀系数(CTE)而被损坏，使得沉积精度可能劣化。另外，例如，涂覆部CT可以具有至少约10nm的厚度。当涂覆部CT的厚度太小时，可能失去保护基体部BF的功能。
根据本公开，因为涂覆部CT设置为具有不仅适合于在用激光进行加工的工艺期间保护基体部BF而且适合于不使掩模沉积精度劣化的厚度，从而能够提高掩模的工艺可靠性和精度。然而，这是作为示例示出的，考虑到热膨胀系数或激光吸收率，涂覆部CT可以设计成具有其中保护基体部BF并且不使沉积精度劣化的范围内的各种厚度。然而，本公开不限于此。
图5A至图5C是根据本公开的一些实施例的掩模框的平面图。将参照图5A至图5C描述本公开。
如图5A至图5C中所示，掩模框MF、MF-1或MF-2可以包括基体部BF和涂覆部CT、CT-1或CT-2。如上所述，彼此间隔开的多个单元开口部COP限定在掩模框MF、MF-1或MF-2中。涂覆部CT、CT-1或CT-2可以设置为具有各种形状，只要涂覆部CT、CT-1或CT-2能够保护基体部BF即可。
例如，如图5A中所示，涂覆部CT可以覆盖基体部BF的整个上表面。因此，涂覆部CT可以具有其中限定对应于单元开口部COP的开口部的形状。涂覆部CT可以具有一体形状。因此，尽管用于处理单元掩模CMK的激光可以提供到基体部BF上的任何区域，但是基体部BF可以被稳定地保护。
可选地，如图5B中所示，掩模框MF-1可以包括彼此间隔开的多个涂覆部CT-1。涂覆部CT-1可以定位成分别对应于单元开口部COP。涂覆部CT-1覆盖基体部BF的上表面的一部分，并暴露基体部BF的其余部分。涂覆部CT-1中的每个可以具有对应于边缘部LP的形状。涂覆部CT-1中的每个可以具有分别围绕单元开口部COP的矩形环形状。根据本公开，涂覆部CT-1可以选择性地形成在基体部BF的可以用激光照射的区域中，从而降低工艺成本。
可选地，如图5C中所示，掩模框MF-2可以包括多个涂覆部CT-2。涂覆部CT-2可以定位成分别对应于单元开口部COP，并且可以具有暴露边缘部LP的一部分(例如，暴露基体部BF的在涂覆部CT-2的内侧处的部分)的形状。例如，与涂覆部CT-1中的每个相比，涂覆部CT-2中的每个可以具有相对小的宽度。涂覆部CT-2设置为不与其中执行焊接工艺的区域叠置，稍后将描述焊接工艺。因此，单元掩模CMK和掩模框MF直接接合。稍后将描述其详细描述。
图6A至图6F是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的图。将参照图6A至图6F描述本公开。
如图6A至图6F中所示，在掩模框MF上设置具有四个张紧表面的单元掩模CMK。也就是说，在将多个单元掩模CMK布置在掩模框MF上之前，该方法可以包括使单元掩模CMK中的每个张紧。例如，可以通过使包括在张紧设备中的夹持器等夹紧包括在单元掩模CMK中的张紧部TTP1和TTP2，并通过在远离掩模主体MP的方向上拉动张紧部TTP1和TTP2来使单元掩模CMK张紧。
例如，单元掩模CMK可以在掩模主体MP的第一边MP-s1和第二边MP-s2彼此相对所沿的方向上(即，在第一方向DR1上)接收第一张力TS1，并且可以在掩模主体MP的第三边MP-s3和第四边MP-s4彼此相对所沿的方向上(即，在第二方向DR2上)接收第二张力TS2。可以通过张紧工艺张紧单元掩模CMK，使得多个单元掩模CMK中的每个的掩模主体MP和结合部BB中的每者分别对应于对应的单元开口部COP和对应的边缘部LP。单元掩模CMK中的每个可以借助于分别布置在掩模主体MP的四条边上的张紧部TTP1和TTP2在四个方向上张紧，因此可以被张紧为对应于相应的单元开口部COP的形状而不使其四条边收缩。
然后，如图6C中所示，通过使用结合机DV1将单元掩模CMK接合到掩模框MF。结合机DV1可以是焊接机或激光振荡器。结合机DV1沿着限定在单元掩模CMK上的接合线BL向单元掩模CMK提供第一光束IJ1。接合线BL限定在结合部BB上。接合线BL可以限定在与单元开口部COP间隔开并且与掩模框MF叠置的位置上。
然后，如图6D中所示，可以形成将单元掩模CMK和掩模框MF接合的接合部BP。可以通过使单元掩模CMK的一部分熔化或者通过使单元掩模CMK的一部分氧化来形成接合部BP，并且接合部BP还可以包括涂覆部CT的一部分。例如，接合部BP可以包括金属氧化物，并且该金属可以是也存在于单元掩模CMK中的材料。
在一些实施例中，接合部BP可以接触涂覆部CT，并且可以与基体部BF间隔开。基体部BF被涂覆部CT覆盖，因此不暴露于从结合机DV1发射的第一光束IJ1。因此，可以减少或防止由第一光束IJ1对基体部BF造成的损坏。
然后，如图6E和图6F中所示，通过修整单元掩模CMK来形成掩模MK。修整器DV2设置在掩模组件MKA之上，并且可以通过沿着限定在单元掩模CMK上的修整线TL照射单元掩模CMK来用第二光束IJ2切割单元掩模CMK。因此，单元掩模CMK可以形成为具有边缘EG的单位掩模CMK-a。
当修整器DV2可以去除单元掩模CMK的一部分时，可以包括各种实施例。例如，修整器DV2可以包括各种实施例，诸如热辐射器、光照射器和激光振荡器。在一些实施例中，修整器DV2可以是脉冲激光振荡器，并且可以包括各种单位的(例如，以纳秒、皮秒或飞秒为单位的)脉冲激光振荡器。因此，第二光束IJ2可以是脉冲激光束。
与基体部BF和单元掩模CMK相比，涂覆部CT对第二光束IJ2具有更高的反射率和更低的吸收率。例如，当第二光束IJ2是约500nm的激光束并且基体部BF和单元掩模CMK由因瓦合金制成时，涂覆部CT的材料可以是对第二光束IJ2具有相对低的吸收率的铝或镁。因此，在第二光束IJ2加工单元掩模CMK期间，涂覆部CT不会被损坏。另外，尽管第二光束IJ2可能被过度照射，但是基体部BF可以被涂覆部CT保护，从而减少或防止由第二光束IJ2导致的损坏。
根据本公开，掩模框MF包括涂覆部CT，使得能够防止基体部BF被损坏。因此，可以在用于制造掩模MK的工艺期间提高加工可靠性。
图7A至图7D是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的剖面。图7A至图7D示出了对应于图6B至图6F中的区域的区域。在下文中，将参照图7A至图7D描述本公开。另外，同样的附图标记被赋予与图1至图6F中描述的元件同样的元件，并且在此可以省略其重复描述。
如图7A中所示，掩模组件MKA-1可以包括掩模框MF-1和单元掩模CMK。掩模框MF-1可以对应于图5B中所示的掩模框MF-1。另外，图7A可以是对应于图6B的工艺，并且可以省略张紧工艺。
此后，如图7B中所示，形成将单元掩模CMK和掩模框MF-1接合的接合部BP-1。如图6C和图6D中所示，可以通过结合机DV1(见图6C)形成接合部BP-1，并且可以将单元掩模CMK和涂覆部CT-1接合在一起。
然后，如图7C和图7D中所示，通过在掩模组件MKA-1之上设置修整器DV2来形成掩模MK-1。修整器DV2可以沿着限定在单元掩模CMK上的修整线TL切割单元掩模CMK的一部分，并且可以形成单位掩模CMK-a。
在一些实施例中，掩模框MF-1可以对应于图5B中所示的掩模框MF-1。涂覆部CT-1可以具有覆盖基体部BF的一部分并且暴露基体部BF的另一部分的形状。接合线BL或修整线TL可以限定在与涂覆部CT-1叠置的区域中。接合部BP-1和边缘EG可以形成在涂覆部CT-1上。
根据本公开，因为选择性地在用第一光束IJ1(见图6C)或第二光束IJ2照射的区域中形成涂覆部CT-1，所以能够防止涂覆部CT-1形成在不必要的区域中。因此，可以降低工艺成本。
图8A至图8D是示出根据本公开的一些实施例的掩模制造方法的剖面。图8A至图8D分别示出了对应于图7A至图7D的工艺。在下文中，将参照图8A至图8D描述本公开。另外，同样的附图标记被赋予与图1至图6F中描述的元件同样的元件，并且在此将省略其重复描述。
如图8A中所示，掩模组件MKA-2可以包括掩模框MF-2和单元掩模CMK。掩模框MF-2可以对应于图5C中所示的掩模框MF-2。此后，如图8B中所示，形成将单元掩模CMK和掩模框MF-2接合的接合部BP-1。如图6C和图6D中所示，可以通过结合机DV1(见图6C)形成接合部BP-1。
在一些实施例中，涂覆部CT-2可以在平面上与接合部BP-1间隔开。接合线BL(见图6C)在平面上限定在不与涂覆部CT-2叠置的区域中。因此，接合部BP-1可以将单元掩模CMK和基体部BF接合。
然后，如图8C和图8D中所示，通过在掩模组件MKA-2之上设置修整器DV2来形成掩模MK-2。修整器DV2可以沿着限定在单元掩模CMK上的修整线TL切割单元掩模CMK的一部分，从而形成单位掩模CMK-a。
涂覆部CT-2可以形成在不与接合部BP-1叠置但与边缘EG叠置的位置处。接合部BP-1通过使单元掩模CMK或基体部BF的一部分熔化而形成，因此，即使基体部BF的一部分被损坏，损坏程度也可以落入可接受的公差范围内。然而，由于通过修整器DV2的修整是用于仅选择性地去除单元掩模CMK的工艺，因此期望基体部BF不被第二光束IJ2损坏。根据本公开，因为涂覆部CT-2选择性地形成在用第二光束IJ2照射的区域中，所以涂覆部CT-2可以仅选择性地形成在合适的区域中(例如，不形成在不必要的区域中)。因此，可以降低工艺成本。
根据本公开，可以在用于制造掩模的工艺中提高加工可靠性。
在上文中，已经参照本公开的实施例进行了描述，但是本领域技术人员或相关技术领域的普通技术人员可以理解的是，在权利要求中描述的本公开的范围内且不脱离本公开的精神和技术范围的情况下，可以对本公开进行各种修改和改变。
因此，本公开的技术范围不限于说明书的详细描述中描述的内容，而是应当由权利要求(其中将包括其功能等同物)确定。

Claims (10)

1.一种掩模，所述掩模包括：
掩模框，包括基体部和涂覆部，所述基体部中限定有单元开口，所述涂覆部围绕所述单元开口的边缘，覆盖所述基体部的上表面的至少一部分，并且包括与所述基体部的材料不同的材料；以及
单位掩模，位于所述掩模框上，分别对应于所述单元开口，包括与所述涂覆部的材料不同的材料，并且所述单位掩模中限定有开口。
2.如权利要求1所述的掩模，其中，所述涂覆部对激光的吸收率低于所述基体部对所述激光的吸收率。
3.如权利要求2所述的掩模，其中，所述涂覆部包括镁或铝。
4.如权利要求1所述的掩模，其中，所述涂覆部的厚度至多为所述基体部的厚度的1/20。
5.如权利要求1所述的掩模，其中，所述涂覆部覆盖所述基体部的整个所述上表面。
6.如权利要求1所述的掩模，其中，所述涂覆部包括彼此间隔开并且分别围绕所述单元开口的多个涂覆部。
7.如权利要求1所述的掩模，其中，所述单位掩模中的每个的边缘在平面上与所述涂覆部叠置。
8.如权利要求1所述的掩模，所述掩模还包括将所述单位掩模中的一个单位掩模和所述掩模框接合的接合部。
9.如权利要求8所述的掩模，其中，所述接合部将所述单位掩模中的所述一个单位掩模和所述涂覆部接合。
10.如权利要求8所述的掩模，其中，所述接合部将所述单位掩模中的所述一个单位掩模和所述基体部接合，并且其中，所述涂覆部与所述接合部间隔开。
CN202210112682.XA 2021-02-05 2022-01-29 掩模 Pending CN114934253A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210016867A KR20220113588A (ko) 2021-02-05 2021-02-05 마스크 및 이의 제조 방법
KR10-2021-0016867 2021-02-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114934253A true CN114934253A (zh) 2022-08-23

Family

ID=82704041

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220245708.3U Active CN217214755U (zh) 2021-02-05 2022-01-29 掩模
CN202210112682.XA Pending CN114934253A (zh) 2021-02-05 2022-01-29 掩模

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202220245708.3U Active CN217214755U (zh) 2021-02-05 2022-01-29 掩模

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11864453B2 (zh)
KR (1) KR20220113588A (zh)
CN (2) CN217214755U (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220038214A (ko) * 2020-09-18 2022-03-28 삼성디스플레이 주식회사 마스크 수리 장치 및 그것을 이용한 마스크 수리 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
CN101015234B (zh) * 2004-09-08 2010-10-13 东丽株式会社 有机电场发光装置及其制造方法
KR100853544B1 (ko) 2007-04-05 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를이용한 증착장비
JP6142196B2 (ja) * 2013-03-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP5846287B1 (ja) * 2013-12-27 2016-01-20 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスクの製造方法、引張装置、有機半導体素子の製造装置及び有機半導体素子の製造方法
KR20160000069A (ko) * 2014-06-23 2016-01-04 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 어셈블리 및 그 제조방법
KR102322764B1 (ko) * 2015-03-03 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR102427670B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 제조 방법
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
CN205688000U (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩膜板
JP2018127705A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
KR102418174B1 (ko) * 2017-07-05 2022-07-08 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크 장치, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
KR102010002B1 (ko) 2017-09-01 2019-08-12 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
WO2019064473A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法及び表示装置の製造方法
KR20200081609A (ko) * 2018-12-27 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20200092534A (ko) 2019-01-24 2020-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 제조를 위한 마스크유닛
KR20190095238A (ko) 2019-08-07 2019-08-14 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크

Also Published As

Publication number Publication date
CN217214755U (zh) 2022-08-16
KR20220113588A (ko) 2022-08-16
US11864453B2 (en) 2024-01-02
US20220255049A1 (en) 2022-08-11
US20240138245A1 (en) 2024-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7968891B2 (en) Organic light emitting display and fabrication method of the same
US8512503B2 (en) Method of manufacturing sealing device and display device using the same
US8767782B2 (en) Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
US20240138245A1 (en) Mask and method of manufacturing the same
US20240110273A1 (en) Mask, method of providing the same, and method of providing display panel using mask
KR102642345B1 (ko) 분할 마스크
US20220010421A1 (en) Mask assembly, mask manufactured using the same, and method of manufacturing display panel
KR102242854B1 (ko) 위치 정확도 및 용접 접합강도를 향상시킨 oled 증착용 메탈 마스크 조립체 및 그 제조 방법
US20230193449A1 (en) Mask assembly, method of repairing the same, and method of manufacturing the same
JP3967259B2 (ja) 半導体装置の作製方法
KR20180030299A (ko) 분할 마스크
KR102666228B1 (ko) 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기발광 표시장치의 제조방법
US20160097972A1 (en) Phase shift mask and method of manufacturing display apparatus using the same
US20240110272A1 (en) Mask assembly and method of manufacturing the same
US20230146922A1 (en) Mask assembly and method of repairing the same
US7397063B2 (en) Semiconductor device
JP2004193201A6 (ja) レーザー照射方法
KR20240043223A (ko) 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US20230374655A1 (en) Mask assembly and mask replacement method
US20230062020A1 (en) Method of manufacturing deposition mask frame assembly for display panel
KR20210032606A (ko) 금속 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination