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Die
Erfindung betrifft eine Struktur, insbesondere eine Halbleiterstruktur,
mit einem Substrat, das eine diamant- oder zinkselenidartige Gitterstruktur hat,
und mit mindestens einer isolierenden Schicht auf dem Substrat.
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Derartige
Strukturen werden beispielsweise für nicht flüchtige Datenspeicher mit hoher
Dichte und Logikschaltungen eingesetzt, beispielsweise wenn ferroelektrische
oder hohe Dielektrizitätskonstanten
benötigt
werden. Dabei werden Einkristall-Dünnfilme epitaktisch auf eine
möglichst
geordnete und stabile Substratstruktur, beispielsweise Silizium
aufgewachsen.
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Die
Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer
solchen Struktur mit den Schritten:
- – Aufbringen
einer Ionenzwischenschicht auf eine Substratoberfläche; und
- – Aufbringen
mindestens einer Ionendeckschicht auf die Ionenzwischenschicht.
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In
dem US-Patent 5,225,031 ist ein Verfahren und eine Struktur mit
einem Siliziumsubstrat beschrieben, auf dessen Oberfläche epitaktisch
eine Oxidschicht aufgebracht ist, beispielsweise Bariumoxid BaO
und Bariumtitanat BaTiO3. Hierbei wird eine Viertel
Monolage von Barium auf die (001)-Ebene des Siliziumsubstrats auf
der Basis einer kubischen BaSi2-Struktur
durch Reaktionsepitaxie bei Temperaturen größer als 850°C aufgebracht.
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In
dem US-Patent 6,241,821 und dem US-Patent 6,248,459 sind Verfahren
zur Herstellung einer Halbleiterstruktur und die Halbleiterstruktur selbst
beschrieben, bei der eine Ionenzwischenschicht aus einem Material
der Zusammensetzung XSiO2 erzeugt wird,
wobei X ein Metall ist.
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Diese
bekannten Strukturen sind metallisch und damit leitend. Sie sind
zudem nicht ausreichend stabil. Die herkömmlichen Strukturen bilden
entweder ein Silicid oder eine Struktur mit Siliziumatomen, die
nicht direkt an das Substrat gebunden sind.
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Beispielsweise
bei Halbleiterbauelementen ist es jedoch erforderlich, möglichst
dünne isolierende
Schichten zu schaffen, die z. B. als sogenanntes Gate-Oxid bei MOS-FET-Transistoren
eingesetzt werden. Dieses Gate-Oxid hat seine Funktion als Dielektrikum
eines Kondensators, mit dem Leitungsträger in den Kanal eines MOS-FET-Transistors
gebracht werden. Durch Anlegen und Abschalten einer Spannung an
dem Gate wird der Transistor geschaltet. Herkömmlicherweise hat das Gate-Oxid
eine Dicke von etwa 2 bis 3 nm. Dies entspricht nur wenigen Atomlagen.
Bei einer Reduzierung der Dicke unter etwa 1,5 nm ist das Oxid so
dünn, dass
es seine isolierenden Eigenschaften verliert und damit die Funktion
der Bauelemente stark beeinträchtigt
wird. Daher werden, wie in dem oben genannten Stand der Technik,
Oxide mit einer höheren
Dielektrizitätskonstanten
eingesetzt, die High-K-Oxide genannt werden. Diese High-K-Oxide
müssen
eine thermodynamische Stabilität,
eine kleine Anzahl von Grenzflächenzuständen, einen
hinreichend großen
Band-Offset sowie eine geringe Dichte von Störstellen aufweisen. Als geeignet
erscheinen Oxide mit Strontium Sr, Barium Ba, Yttrium Y, Zirkonium
Zr, Hafnium Hf, Aluminium Al sowie Lanthanide. Bei einer erheblichen
Verringerung der Dicke der isolierenden Oxidschicht dürfte der
Einsatz kristalliner Oxide notwendig werden.
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In
Moon, B.K., Ishiwara, H.: Roles of Buffer Layers in Epitaxial Growth
of SrTiO3 Films on Silicon Substrates, in:
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1994, Vol. 33, No. 3A, Seiten 1472
bis 1477 ist offenbart, dass mit dünnen metallischen Schichten
die Qualität
von SrTiO3 Schichten auf Siliziumsubstraten
verbessert werden kann. Dabei wurde erkannt, dass die metallischen
Schichten die Oberfläche
von SiO2 Schichten auf Siliziumsubstraten
deoxidieren.
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In
Soukiassian, P. u.a.: Electronic Properties of O2 on
Cs or Na overlayers adsorbed on Si (100) 2×1 from room temperature to
650°C, in:
Phys. Rev. B, 1987, Vol. 35, No. 8, Seiten 4176 bis 4179 ist die katalytische
Wirkung von Alkali-Ionen auf die Oxidation einer Silizium-Oberfläche beschrieben.
Anschließend
wird zur Desorption von Metallionen eine Wärmebehandlung durchgeführt und
es wird eine Grenzfläche
ohne Ionenzwischenschicht zwischen Silizium und Siliziumoxid gebildet.
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In
dem US-Patent 5,352,330 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem eine
Dimerisierung einer wasserstoffbedeckten Halbleiteroberfläche mit
Vakuum erfolgt. Dabei wird Wasserstoff selektiv mit einem Elektronenstrahl
entfernt, was die Halbleiteroberfläche reaktiv macht und damit
die selektive Oxidation zulässt.
Da die Bindung von Siliziumoxid die Dimerisierung aufhebt, erfolgt
keine Dimerisierung einer Grenzfläche. Vielmehr wird die Oxidierung
der Oberfläche
durch lokale Passivierung mit Wasserstoff selektiv unterdrückt.
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Aus
dem US-Patent 5,086,321 ist ein Verfahren offenbart, bei dem Silizium
auf Gäliumarsenit (GaAs)
abgeschieden wird. Anschließend
wird die Siliziumschicht oxidiert. Dabei bildet sich eine epitaktische
Grenzfläche
zwischen GaAs und Si, die keine Oberflächenzustände aufweist, und eine Si/SiO2-Grenzfläche
mit den geforderten elektrischen Eigenschaften. Die Grenzfläche zwischen
GaAs und Si ist mehrere Atomlagen dick, hat im Wesentlichen einen
nicht polaren Charakter und es erfolgt eine kovalente Bindung.
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In
der WO 02/09152 A2 und McKee, R.A., u.a.: Physical Structure and
Inversion Charge at a Semiconductor Interface with a Crystalline
Oxide, in: Science, 2001, Vol. 293, Seiten 468 bis 471 sind Verfahren
zur Desorption von Siliziumoxid durch Einfügen von Erdalkalimetalloxidschichten
oder Adsorption von Strontium und Erhitzen der Struktur bei geeignet
eingestelltem Sauerstoffpartialdruck beschrieben.
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In
Wang, J. u.a.: Bonding and Diffusion of Ba on a Si (001) reconstructed
Surface, in: Phys. Ref. b, 1999, Vol. 60, No. 7, Seiten 4968 bis
4971, Herrera Go mez, A., u.a.: Geometrical Structure of the ½-ML (2×1) and
1/3-ML (2×3)
Ba/Si (001) Interfaces, in: Phys. Rev. B, 2000, Vol. 61, No. 19,
Seiten 12988 bis 12991 sowie Fan, W.C., u.a.: Oberservation of ordered
Structures of Sr on the Si (100) Surface, in: Phys. Rev. B, 1990,
Vol. 42, No. 2, Seiten 1254 bis 1257 sind Verfahren mit einer Absorption
von Erdalkaliatomen beschrieben, die kovalent mit einer Siliziumoberfläche gebunden
sind.
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Aus
dem US-Patent 5,225,031, McKee, R.A., u.a.: Crystalline Oxides on
Silicon: The First Five Monolayers, in: Phys. Rev. Lett, 1998, Vol.
81, No. 14, Seiten 3014 bis 3017 sowie US 2002/0102418 A1 sind Silizidstrukturen
bekannt, bei denen auf der Substratlage eine weitere halbe Monolage
von Siliziumatomen vorliegen, die nicht eindeutig den Gitterpositionen
des Substrats zuge ordnet werden können. Die nicht dimerisierten
Siliziumatome treten in einer für
Bulk-Silizid typischen Koordinationen auf.
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Aufgabe
der Erfindung ist es daher, eine verbesserte Struktur mit einer
isolierenden Schicht zu schaffen, die eine geringe Dicke und hohe
Stabilität aufweist.
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Die
Aufgabe wird mit der gattungsgemäßen Struktur
erfindungsgemäß dadurch
gelöst,
dass im Bereich der isolierenden Schicht
- – im Wesentlichen
alle Atome des Substrates auf den Gitterpositionen des Substratgitters
sind, die Atome der obersten Substratlage dimerisiert sind, und
die Substratoberfläche
silicidfrei ist;
- – mindestens
eine Ionenzwischenschicht unmittelbar an die Substratoberfläche angrenzt,
deren Ionen das gegenüber
Silizium elektropositive Element bilden; und
- – mindestens
eine Ionendeckschicht auf der Ionenzwischenschicht ausgebildet ist.
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Erfindungsgemäß wird somit
eine Ionenzwischenschicht eingesetzt, die unmittelbar an die Substratoberfläche angrenzt.
Dabei ist wesentlich, dass die Substratoberfläche silicidfrei bleibt. Hierdurch wird
sichergestellt, dass die Substratoberfläche sowie die Ionenzwischenschicht
nicht metallisieren, sondern ein Dielektrikum ausbilden und isolierend sind.
Auf die Ionenzwischenschicht kann dann die eigentliche Ionendeckschicht
aufgebracht werden, die beispielsweise ein Oxid oder Nitrid ist. thermodynamische
Stabilität,
eine kleine Anzahl von Grenzflächenzuständen, einen
hinreichend großen
Band-Offset sowie eine geringe Dichte von Störstellen aufweisen. Als geeignet
erscheinen Oxide mit Strontium Sr, Barium Ba, Yttrium Y, Zirkonium
Zr, Hafnium Hf, Aluminium Al sowie Lanthanide. Bei einer erheblichen Verringerung
der Dicke der isolierenden Oxidschicht dürfte der Einsatz kristalliner
Oxide notwendig werden.
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In
Moon, B.K., Ishiwara, H.: Roles of Buffer Layers in Epitaxial Growth
of SrTiO3 Films on Silicon Substrates, in:
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1994, Vol. 33, No. 3A, Seiten 1472
bis 1477 ist offenbart, dass mit dünnen metallischen Schichten
die Qualität
von SrTiO3 Schichten auf Siliziumsubstraten
verbessert werden kann. Dabei wurde erkannt, dass die metallischen
Schichten die Oberfläche
von SiO2 Schichten auf Siliziumsubstraten
deoxidieren.
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In
Soukiassian, P, u.a.: Electronic Properties of O2 on
Cs or Na overlayers adsorbed on Si (100) 2×1 from room temperature to
650°C, in:
Phys. Rev. B, 1987, Vol. 35, No. 8, Seiten 4176 bis 4179 ist die katalytische
Wirkung von Alkali-Ionen auf die Oxidation einer Silizium-Oberfläche beschrieben.
Anschließend
wird zur Desorption von Metallionen eine Wärmebehandlung durchgeführt und
es wird eine Grenzfläche
ohne Ionenzwischenschicht zwischen Silizium und Siliziumoxid gebildet.
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In
dem US-Patent 5,352,330 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem eine
Dimerisierung einer wasserstoffbedeckten Halbleiteroberfläche mit
Vakuum erfolgt. Dabei wird Wasserstoff selektiv mit einem Elektronenstrahl
entfernt, was die Halbleiteroberfläche reaktiv macht und damit
die selektive Oxidation zulässt.
Da die Bindung von Siliziumoxid die Dimerisierung aufhebt, erfolgt
keine Dimerisierung einer Grenzfläche. Vielmehr wird die Oxidierung
der Oberfläche
durch lokale Passivierung mit Wasserstoff selektiv unterdrückt.
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Das
für die
erfindungsgemäße Struktur
eingesetzte Substrat hat eine diamant- oder zinkselenidartige Gitterstruktur.
Die oberste Substratlage ist entweder durch direkte Bindungen oder
Sauerstoffbrücken
dimerisiert. Das Substrat kann zudem Sauerstoffatome enthalten,
die an die oberste Substratlage gebunden sind. Sauerstoffbrücken treten
nur innerhalb der obersten Substratlage auf.
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Im
Falle von Silizium als Substrat entspricht die Anzahl der Siliziumatome
der obersten Substratlage einer Monolage, die auch monoatomare Schicht genannt
wird. Entsprechendes gilt für
andere Substratmaterialien.
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Bevorzugt
enthält
die Ionenzwischenschicht Metallkationen. Sie hat die Funktion, die
offenen Bindungen des Substrates elektronisch abzusättigen.
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Im
Falle von Silizium als Substratatom wird eine elektronisch abgesättigte Struktur
erzielt, indem jeweils ein Elektron für jedes Siliziumatom der obersten
Substratlage hinzugefügt
wird.
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Die
Ionenzwischenschicht sollte vorzugsweise eine Anzahl von Kationen
aufweisen, die einem Anteil der auf der obersten Lage der Substratoberfläche befindlichen
Anzahl von Kationen entspricht, wobei die Anzahl der Kationen so
gewählt
ist, dass alle offenen Bindungen des Substrats mit Elektronen gefüllt sind.
Eine offene Bindung kann maximal zwei Elektronen beinhalten. Die
Anzahl der Elektronen, die von den Kationen zur Verfügung gestellt
wird, entspricht der Wertigkeit abzüglich der Elektronen, die durch
Bindungen in der Ionenzwischenschicht und zu der Ionendeckschicht
verbraucht werden. Wenn die Ionenzwischenschicht aus einem einwertigen
Metall gebildet ist, sollte somit die Ionenzwischenschicht eine
Monolage ausbilden. Entsprechend sollte bei einem zweiwertigen Metall
eine halbe Monolage und bei einem dreiwertigen Metall eine Drittel
Monolage vorgesehen sein.
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Die
Ionenzwischenschicht sollte bevorzugt Metallionen, insbesondere
Erdalkalimetellionen oder Lanthanoide aufweisen. Die Erdalkalimetallionen können beispielsweise
aus der Gruppe der Elemente Barium Ba und Strontium Sr gewählt sein.
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Besonders
vorteilhaft ist es, wenn die oberste Substratlage oxidiert ist.
Damit ist es nunmehr möglich,
den Band-Offset einzustellen, da das selektive Oxidieren der Siliziumatome
der obersten Substratlage zu Dipolen führt, die das Potential und
damit den Band-Offset verlagern.
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Die
Atome der Ionenzwischenschicht können
entweder über
der durch die obersten Atome des Substrates gebildeten Fläche, oder
aber in diese Fläche
hinein gesenkt sein. Dabei befinden sich in der Regel die Atome
der Ionenzwischenschicht in den Lücken der Gitterstruktur der
Substratoberfläche.
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Die
Dimere auf der (001)-Substratoberfläche können zeilenweise angeordnet
sein. Dann sollten die Kationen der Ionenzwischenschicht zwischen den
Zeilen der Dimere angeordnet sein.
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Besonders
vorteilhaft ist es, wenn die Atome der Ionenzwischenschicht und
die Atome des Substrates ein zweidimensionales periodisches Gitter
mit zu Dimeren gebundenen Substratatomen und mit Atomen der Ionenzwischenschicht
jeweils zwischen zwei Dimeren oder in der Mitte von vier Dimeren
bilden. Auf diese Weise wird eine langzeitstabile symmetrisch ausgerichtete
Struktur geschaffen.
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Vorzugsweise
sollte die Ionendeckschicht eine an das Gitter der Ionenzwischenschicht
angepasste Gitterstruktur haben und keinen Elektronenüberschuss
oder Elektronenunterschuss aufweisen. Das heißt, dass die Bindungselektronen
gesättigt sein
sollten, so dass ein Elektronenfluss vermieden wird und die Ionendeckschicht
sowie die Ionenzwischenschicht einen Isolator bilden.
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Es
ist weiterhin vorteilhaft, wenn eine sauerstoffhaltige, ionenleitende
Materialstruktur in einem Grenzbereich zu der Ionenzwischenschicht
oder der Ionendeckschicht vorgesehen ist. Dabei kann die Ionendeckschicht
Teil der Materialstruktur sein. Die sauerstoffhaltige, ionenleitende
Materialstruktur dient als Sauerstoffreservoir und sollte derart
gewählt
und eingebaut sein, dass ausdiffundierende Sauerstoffionen aus der
sauerstoffhaltigen, ionenleitenden Materialstruktur weitgehend ersetzt
werden. Auf diese Weise kann die Langzeitstabilität der Struktur
verbessert werden. Die Materialstruktur kann auch eingesetzt werden,
um den Sauerstoffmangel der Ionendeckschicht, beispielsweise des
Gate-Oxids, auszugleichen.
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Die
sauerstoffhaltige, ionenleitende Materialstruktur sollte ein Hilfsoxid
mit einer geringen Bildungsenergie für Sauerstoffleerstellen enthalten. Das
Hilfsoxid sollte in einem Bereich eingelagert werden, in dem die
Schaltungseigenschaften nicht beeinflusst werden, z. B. in Abstandsschichten.
Das Hilfsoxid und die Materialien zwischen dem Hilfsoxid und dem
Gate-Oxid sollte eine ausreichend hohe Sauerstoffdiffusionskonstante
haben, so dass die Sauerstoffatome effizient zu dem Gate-Oxid gelangen
können.
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Durch
die erfindungsgemäße Ionenzwischenschicht
in Verbindung mit der silicidfreien Substratoberfläche wird
erreicht, dass die Bindungselektronen der Substratoberfläche gesättigt sind
und direkt einer nichtpolaren Oxidschicht ausgesetzt werden können, ohne
dass die Substratoberfläche
selbst ein Silicid bildet. Durch die Ionenzwischenschicht wird die
Substratoberfläche
somit elektronisch abgesättigt.
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Aufgabe
der Erfindung ist es weiterhin, ein verbessertes Verfahren zum Einstellen
des Band-Offsets einer oben beschriebenen erfindungsgemäßen Struktur
zu schaffen. Das Einstellen des Band-Offsets wird herkömmlicherweise
durch Änderung
der chemischen Zusammensetzung der eingesetzten Oxide vorgenommen.
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Erfindungsgemäß wird Sauerstoff
an die Substratoberfläche
eingebracht und ein gewünschter energetischer
Abstand der Bandkanten der isolierenden Schicht relativ zu den Bandkanten
des Substrates durch Einstellen des Sauerstoffgehalts an der Substratoberfläche eingestellt.
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Durch
die selektive Oxidierung der Grenzfläche des Substrates zur Ionenzwischenschicht
werden Dipole eingeführt,
die das Potential und damit den Band-Offset verlagern.
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Bei
dem Verfahren wird der Sauerstoff-Partialdruck während oder nach der Herstellung
des Substrats vorzugsweise erhöht,
um den gewünschten Abstand
der Bandkanten einzustellen.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigen:
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1a – Skizze
einer Seitenansicht der Atomstruktur einer reinen Silizium-(001)-Substratoberfläche in einer
Dimer-Rekonstruktion in [110]-Richtung;
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1b – Skizze
einer Seitenansicht der Atomstruktur einer reinen Silizium-(001)-Substratoberfläche in einer
Dimer-Rekonstruktion in [110]-Richtung;
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2a – Skizze
einer Seitenansicht der Atomstruktur einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Ionenzwischenschicht
aus Strontiumatomen in den Lücken
der Gitterstruktur einer Siliziumsubstratoberfläche in [110]-Richtung;
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2b – Skizze
einer Seitenansicht der Atomstruktur einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Ionenzwischenschicht
aus Strontiumatomen in den Lücken
der Gitterstruktur einer Siliziumsubstratoberfläche in [110]-Richtung;
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3 – Draufsicht
auf die Atomstruktur aus der 2, wobei
die Ionenzwischenschicht und die dimerisierten Siliziumatome der
obersten Substratlage dargestellt ist;
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4 – Draufsicht
auf die Atomstruktur aus der 2, wobei
Ionenzwischenschicht und die beiden oberen Atomschichten des Substrates
dargestellt sind;
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5 – Draufsicht
auf das Ladungsmuster der Ionenzwischenschicht und der obersten
Substratlage gemäß 2 bis 4;
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6a – Skizze
einer Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Struktur mit einer Ionendeckschicht
auf der Ionenzwischenschicht gemäß 2 in [110]-Richtung;
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6b – Skizze
einer Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Struktur mit einer Ionendeckschicht
auf der Ionenzwischenschicht gemäß 2 in [110]-Richtung;
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7a – Seitenansicht
einer Ionendeckschicht auf einer Ionenzwischenschicht gemäß 2 mit einer zusätzlichen Sauerstoff-Monolage,
die einfach an die oberste Substratlage gebunden ist, in [110]-Richtung;
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7b – Seitenansicht
einer Ionendeckschicht auf einer Ionenzwischenschicht gemäß 2 mit einer zusätzlichen Sauerstoff-Monolage,
die einfach an die oberste Substratlage gebunden ist, in [110]-Richtung.
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Die 1a lässt
eine Seitenansicht der Atomstruktur einer reinen Silizium-Substratoberfläche in der
durch die [001 ] und [110]-Richtung aufgespannten Ebene erkennen,
wobei die oberste Substratlage in einer Dimer-Rekonstruktion dimerisiert
ist. Das Siliziumsubstrat hat eine diamantartige Gitterstruktur.
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Eine
solche hoch reine (001)-Substratoberfläche mit einer Dimer-Rekonstruktion
kann mit herkömmlichen
Reinigungsverfahren, z. B. durch thermische Desorption von Siliziumoxid
SiO2 bei einer Temperatur größer oder
gleich 850°C,
oder durch Entfernen von Wasserstoff aus einer durch Wasserstoff
abgeschlossenen (1 × 1)
rekonstruierten Siliziumsubstratoberfläche bei einer Temperatur größer oder gleich
300°C in
einem Ultrahochvakuum gewonnen werden. Der Wasserstoffabschluss
ist ein bekanntes Verfahren, bei dem Wasserstoff lose zu den sogenannten „Dangling-Bonds" des Siliziums an
der Substratoberfläche
gebunden wird, um die Kristallstruktur abzusättigen.
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Anstelle
des in der 1 dargestellten Silizium-Substrates
kann eine Struktur gleichermaßen
basierend auf anderen geeigneten Substraten aufgebaut werden.
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Zum
Ausbilden einer möglichst
dünnen
isolierenden Schicht auf dem Substrat werden vorzugsweise Metallionen
als Ionenzwischenschicht auf der Substratoberfläche abgeschieden. Das Wachstum der
Ionenzwischenschicht kann beispielsweise durch ein Hochenergie-Elektronenreflektionsbeugungs-Messverfahen (Reflexion
High Energie Electron Defraction – RHEED) überwacht werden. Dieses Verfahren
kann während
des Entwicklungsschrittes in der Abscheidungskammer für die Ionenzwischenschicht
eingesetzt werden und dient zur Detektierung oder Messung der Oberflächenkristallstrukturen.
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Der
Bedeckungsgrad der Ionenzwischenschicht kann auch durch die Änderung
der Bandspektren durch Nachvollziehen der Positionen der Rumpfenergieniveaus überprüft werden,
wie aus dem Stand der Technik hinreichend bekannt ist. Unterhalb
eines Bedeckungsgrades einer halben Monolage eines Erdalkalimetalls
als Ionenzwischenschicht liegt das Fermi-Niveau im unteren Bereich
der Silizium-Bandlücke, während sie
bei einer größeren Bedeckung
im oberen Bereich des Leitungsbandes ist.
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Die 2a und 2b lassen
die Atomstruktur in der durch die [001] und [110]-Richtung aufgespannten
Ebene eines Silizium-Substrates mit unmittelbar an die Substratoberfläche angrenzender
Ionenzwischenschicht aus Strontiumatomen erkennen. Es wird deutlich,
dass die Strontiumatome der Ionenzwischenschicht in die Lücken der
Gitterstruktur der Substratoberfläche eingelagert sind. Die mittleren
lateralen Abstände
der Strontiumatome der Ionenzwischenschicht zu den jeweils benachbarten
Siliziumatomen des Substrates an der (001)-Substratoberfläche sind dabei gleich.
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Durch
die Ionenzwischenschicht wird erreicht, dass die Elektronenstruktur
der Substratoberfläche
gesättigt
ist, so dass eine Ionendeckschicht auf eine inerte Ionenzwischenschicht
bzw. Substratoberfläche
aufgebracht werden kann. Auf diese Weise kann eine sehr dünne isolierende
Schicht, insbesondere mit High-K-Oxiden,
erzielt werden, die zudem stabil ist.
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Das
Aufbringen der erfindungsgemäßen Ionenzwischenschicht
kann durch Auftragen eines Erdalkalimetalls auf die hochreine Substratoberfläche mit
bekannten Verfahren, z.B. Epitaxie, erfolgen. Vorzugsweise beginnt
das Abscheiden bei einer hohen Temperatur, um möglicherweise verbleibenden
Sauerstoff und Wasserstoff zu desorbieren. Dann wird die Substrattemperatur
vorzugsweise auf etwa 650 bis 750°C
verringert. Dies kann beispielsweise in einer Molekularstrahl-Epitaxiekammer erfolgen
oder das Siliziumsubstrat kann mindestens teilweise in einer Vorbereitungskammer
erhitzt und anschließend in
eine Aufwachskammer überführt werden,
in der der Heizvorgang abgeschlossen wird.
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Sobald
das Siliziumsubstrat geeignet erwärmt und der Druck in der Aufwachskammer
auf ein passendes Maß reduziert
wurde, wird die Oberfläche des
Siliziumsubstrates einem Metallstrahl ausgesetzt, vorzugsweise einem
Erdalkalimetall-Strahl.
In einer bevorzugten Ausführungsform
wird Barium oder Strontium eingesetzt, das zu einer Ionenzwischenschicht
mit einer mit geringen Anzahl von Gitterfehlern führt.
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Die
in der 2 skizzierten Strontiumatome der
Ionenzwischenschicht sind teilweise in die Substratoberfläche des
Siliziumsubstrates eingelassen und bilden eine Fläche mit
den Dimeren der Substratoberfläche.
Eine solche Ionenzwischenschicht kann bei Temperaturen zwischen
etwa 650 bis 750°C
mit einem Dampfabscheidungsverfahren erzielt werden.
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Die
zwei Valenzelektronen der Strontiumatome werden jeweils in die nur
teilweise gefüllten „Dangling-Bonds" der Siliziumatome
an der Substratoberfläche übertragen.
Dadurch ist die Substratoberfläche
elektronisch gesättigt
und die Bandlücke auf
einen Wert im Bereich der Bandlücke
des Substrats eingestellt.
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Die 3 und 4 zeigen
Draufsichten auf die Atomstruktur mit den dimerisierten Siliziumatomen
der obersten Substratlage und den Strontiumatomen der Ionenzwischenschicht.
In der 4 ist zusätzlich
noch die unter der obersten Substratlage liegende Atomschicht des
Substrates dargestellt.
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Es
wird deutlich, dass die Strontiumatome der Ionenzwischenschicht
in die Lüc
ken der Gitterstruktur des Substrates regelmäßig in einer halben Monolage
bezogen auf die Anzahl der Siliziumatome auf der obersten Substratlage
eingebaut sind.
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Die 5 lässt eine
Draufsicht auf das Ladungsmuster der Ionenzwischenschicht und der obersten
Substratlage gemäß 3 erkennen.
Es wird deutlich, dass die Ladung der zweifach positiv geladenen
Strontiumatome jene der einfach negativ geladenen Siliziumatome
kompensiert, wenn die Ionenzwischenschicht eine halbe Monolage der
Strontiumatome enthält.
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Nachdem
die Ionenzwischenschicht gebildet ist, werden eine oder mehrere
Ionendeckschichten vorzugsweise aus einem Einzelkristalloxid auf
die Ionenzwischenschicht aufgebracht.
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Die 6a und 6b lassen
eine solche vervollständigte
Struktur mit Substratoberfläche,
Ionenzwischenschicht und Ionendeckschicht erkennen, wobei die Ionendeckschicht
aus Strontiumatomen, Titanatomen und Sauerstoffatomen gebildet ist.
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Optional
kann die Ionendeckschicht eine Zwischenlage angrenzend an die Ionenzwischenschicht
aus einem Erdalkalimetalloxid, wie beispielsweise Bariumoxid BaO
oder SrO, haben.
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Die
Bildung der Ionendeckschicht kann beispielsweise durch Verringerung
der Temperatur erfolgen, während
die Ionenzwischenschicht beibehalten wird, beispielsweise bei mindestens
einer halben Monolage von Erdalkalimetallatomen. Die verringerte Temperatur
kann erforderlich sein, um eine Desorption der Erdalkalimetalle
zu vermeiden. Sauerstoff und Strontium werden dann entweder gleichzeitig
oder alternierend eingebracht, um eine Deckschicht mit einer Monolage
Strontium und einer Monolage Sauerstoff zu erzielen. Alternativ
kann der Sauerstoff-Partialdruck auf einen Wert angehoben werden,
der jedoch geringer sein muss, als zum Oxidieren des Siliziumsubstrates
erforderlich ist. Hierdurch wird ein (1 × 1) rekonstruiertes Erdalkalimetalloxid
auf der mit einer halben Monolage der Ionenzwischenschicht abgedeckten
Substratoberfläche
ausgebildet. In Abhängigkeit
von der Temperatur und der Zusammensetzung kann die Erdalkalimetalloxid-Monolage
verzerren. Das RHEED-Muster wird dadurch unbestimmt. Nach Abscheiden
weiterer Ionendeckschichten, die nicht notwendigerweise die gleiche
Materialzusammensetzung haben muss, wird die Verzerrung instabil
und die Struktur rekonstruiert in dem gewünschten Muster. Beispielsweise
kann als weitere Oxidschicht Titanoxid im Fall des Aufwachsens von SrTiO3 eingesetzt werden.
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Vorteilhaft
ist, wenn die Ionenzusammensetzung der Ionendeckschicht eine an
die Ionenzwischenschicht und der obersten Substratlage angepasste
Gitterstruktur und eine unpolare (ungeladene) Grenzfläche zur
Ionenzwischenschicht gewährleisten.
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Die
fertiggestellte Struktur mit Substrat, Ionenzwischenschicht und
mindestens einer Ionendeckschicht wird dann einem Sauerstoff-Partialdruck ausgesetzt,
der so niedrig ist, dass kein Siliziumoxid SiO2 gebildet
wird, und der so groß ist,
dass das Oxid der Ionendeckschicht eine gute Qualität hat, insbesondere
eine geringe Sauerstoffleerstellen-Konzentration. Während des
Auftragens der Schichten sollte eine Oxidation des Substrates vermieden
werden. Daher sollte das Abscheiden bei einem Sauerstoff-Partialdruck
erfolgen, der nicht zur Ausbildung von SiO2 ausreicht,
aber groß genug
ist, um eine Silicidbildung der Substratoberfläche zu vermeiden. Dies führt dazu,
dass das Oxid der Ionendeckschicht sauerstoffreich und ein guter
Isolator ist.
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Die 7a und 7b lassen
die Seitenansicht einer Ionendeckschicht auf einer Ionenzwischenschicht
mit einer zusätzlichen
Monolage von an die Substratoberfläche gebundenen Sauerstoff in [110]-Richtung
und [110]-Richtung erkennen. Die Ionenzwischenschicht weist eine
halbe Monolage Strontium auf. Die Ionendeckschicht beinhaltet Strontiumatome,
Titanatome und Sauerstoffatome.
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Das
Einbringen von Sauerstoff kann während
oder nach der Herstellung der Ionenzwischenschicht erfolgen. Es
bietet sich aber auch an, in einem abschließenden Schritt nach Aufbringen
der Ionendeckschicht Sauerstoff beispielsweise mit einem Gas-Anneal-Verfahren
einzubringen. Damit wird der Sauerstoffgehalt im Oxid eingestellt
und freie Gitterpositionen und Bindungen werden mit Sauerstoff aufgefüllt und
eventuell die oberste Substratlage selektiv oxidiert.
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Die
Auswahl eines geeigneten Sauerstoff-Partialdrucks zum Einstellen
des Sauerstoffgehalts ist dem Fachmann hinreichend bekannt. Bei
zu niedrigem Partialdruck wird die Qualität der Ionendeckschicht beeinträchtigt,
so dass sie kein guter Isolator ist. Bei zu hohem Partialdruck wird
das Substrat auch unterhalb der obersten Substratlage oxidiert, was
die dielektrischen Eigenschaften (Kapazität) der Struktur beeinträchtigt.
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Während der
Lebensdauer der Struktur können
Sauerstoffatome aus der isolierenden Schicht herausdiffundieren,
was zu einer Qualitätsverminderung
führt.
So können
freiwerdende Sauerstoffpositionen elektrische Defekte aufgrund von
Leckströmen sowie
chemische Prozesse verursachen, die die Lebensdauer der Struktur
verringern. Durch Einbringen eines Sauerstoffreservoirs mit einer
niedrigen Bildungsenergie von Sauerstoffleerstellen kann der Sauerstoffverlust
ausgeglichen werden. Die Materialstruktur für das Sauerstoffreservoir sollte
in einem Bereich eingelagert werden, in dem ein verarmtes Sauerstoffreservoir
die Funktionalität
nicht negativ beeinträchtigt.
Das Sauerstoffreservoir und das Material mit dem Sauerstoffmaterial
und der isolierenden Schicht sollten eine ausreichend hohe Sauerstoffdiffussionskonstante
haben, so dass Sauerstoffatome effizient zur isolierenden Schicht
gelangen können.