DE10243603A1 - Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät, Halbleiter-Bauelement-Test-System und Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren zum Messen und Trimmen der Ausgangsimpedanz von Treiber-Einrichtungen - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät (4), ein Halbleiter-Bauelement-Test-System (1) und ein Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, insbesondere ein Verfahren zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement (3b) vorgesehenen Treiber-Einrichtungen, wobei eine jeweils eine Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) und eine Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) aufweisende Einrichtung (112), insbesondere Treiber-Einrichtung, verwendet wird, und wobei das Verfahren die Schritte aufweist: DOLLAR A - Gemeinsames Aktivieren sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) sowie DOLLAR A - Ermitteln des durch die Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) bzw. die Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) fließenden Stroms (I¶gesamt, korr¶) bei - gemeinsam - aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät, ein Halbleiter-Bauelement-Test-System, und ein Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, insbesondere ein Verfahren zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement vorgesehenen Treiber-Einrichtungen.
  • Halbleiter-Bauelemente, z.B. entprechende, integrierte (analoge bzw. digitale) Rechenschaltkreise, Halbleiter-Speicherbauelemente wie z.B. Funktionsspeicher-Bauelemente (PLAs, PALs, etc.) und Tabellenspeicher-Bauelemente (z.B. ROMS oder RAMs, insbesondere SRAMs und DRAMs), etc. werden – z.B. im fertigen, und/oder im halbfertigen Zustand – umfangreichen Tests unterzogen.
  • Beispielsweise kann – im Rahmen eines derartigen Tests – bei bestimmten DRAMs (Dynamic Random Access Memories bzw. dynamische Schreib-Lese-Speicher), insbesondere bei DDR-DRAMs (Double Data Rate – DRAMs bzw. DRAMs mit doppelter Datenrate) die Ausgangsimpedanz der im Chip bzw. im Halbleiter-Bauelement vorgesehenen Treiber-Einrichtungen an die Impedanz der Signalleitungen angepasst werden.
  • Jede Treiber-Einrichtung kann z.B. eine Pull-Up-, und eine Pull-Down-Schalteinrichtung aufweisen, die in Reihe geschaltet sind.
  • Die Pull-Up-Schalteinrichtung ist z.B. an Versorgungsspannung, und die Pull-Down-Schalteinrichtung an die Erde angeschlossen.
  • Zur Ausgabe einer „logischen Eins" (während des regulären Betriebs des Halbleiter-Bauelements) kann die Pull-Up-Schalteinrichtung eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht, und die Pull-Down-Schalteinrichtung ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht werden – an einem zwischen die Pull-Up- und die Pull-Down-Schalteinrichtung geschalteten Ausgangs-Pad wird dann ein „logisch hohes" Ausgangssignal ausgegeben.
  • Entsprechend wird – während des regulären Betriebs des Halbleiter-Bauelements – zur Ausgabe einer „logischen Null" die Pull-Up-Schalteinrichtung ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht, und die Pull-Down-Schalteinrichtung eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht, so dass an dem Ausgangs-Pad dann entsprechend ein „logisch niedriges" Ausgangssignal ausgegeben wird.
  • Die Pull-Up- und die Pull-Down-Einrichtungen können z.B. jeweils eine Vielzahl von – parallelgeschalteten – Transistoren aufweisen (z.B. die Pull-Up-Einrichtung eine Vielzahl von p-Kanal-, und die Pull-Down-Einrichtung eine Vielzahl von n-Kanal-MOSFETs).
  • Die Ausgangsimpedanz der im Chip bzw. im Halbleiter-Bauelement vorgesehenen Treiber-Einrichtungen kann während des Test-Betriebs des Halbleiter-Bauelements (d.h. im Rahmen eines entsprechenden Test-Verfahrens) z.B. dadurch an die Impedanz der Signalleitungen angepasst werden, dass mittels einer sog. Laser-Fuse-Methode von Chip zu Chip (bzw. von Treiber-Einrichtung zu Treiber-Einrichtung) unterschiedlich viele Transistoren in den jeweiligen Treiber-Einrichtungen in einen „zugeschalteten" Zustand gebracht werden (d.h. später dann beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements zum Treiben von Signalen verwendet werden), bzw. in einem „nicht zugeschalteten" Zustand belassen werden (d.h. später beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements nicht zum Treiben von Signalen verwendet werden).
  • Um zu bestimmen, wieviele (bzw. welche) Transistoren – mittels Laser-Fuse – in einen „zugeschalteten" Zustand gebracht, und wieviele (bzw. welche) Transistoren in einem „nicht zugeschalteten" Zustand belassen werden sollen (sog. „Treiber-Setting" bzw. Treiber-Einstellung) kann zunächst die Pull-Up-Schalteinrichtung eingeschaltet, und die Pull-Down-Schalteinrichtung ausgeschaltet werden (von der Treiber-Einrichtung wird dann ein „logisch hoher" Ausgangs-Signal-Pegel getrieben).
  • Daraufhin wird am o.g. Ausgangs-Pad – z.B. mittels einer entsprechenden Signal-Nadel – eine Referenz-Spannung angelegt, und dann für alle möglichen Treiber-Settings bzw. Treiber-Einstellungen die Stärke des von der Versorgungsspannung über die Pull-Up-Schalteinrichtung zum Ausgangs-Pad fließenden Stroms gemessen.
  • Aus der gemessenen Stromstärke kann – auf an sich bekannte Weise – für das jeweilige Treiber-Setting die jeweils geltende Ausgangsimpedanz der Pull-Up-Schalteinrichtung bestimmt werden (und somit dasjenige Treiber-Setting ausgewählt werden, bei dem die Ausgangsimpedanz der Pull-Up-Schalteinrichtung – möglichst genau – der gewünschten Pull-Up-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz entspricht).
  • Daraufhin kann (entsprechend umgekehrt) die Pull-Up-Schalteinrichtung aus –, und die Pull-Down-Schalteinrichtung eingeschaltet werden (so dass von der Treiber-Einrichtung dann ein „logisch niedriger" Ausgangs-Signal-Pegel getrieben wird), und – wiederum für alle möglichen Treiber-Settings bzw. Treiber-Einstellungen – die Stärke des dann vom Ausgangs-Pad über die Pull-Down-Schalteinrichtung zur Erde fließenden Stroms gemessen werden.
  • Aus der gemessenen Stromstärke kann dann – auf an sich bekannte Weise – für das jeweilige Treiber-Setting die jeweils geltende Ausgangsimpedanz der Pull-Down-Schalteinrichtung bestimmt werden (und somit dasjenige Treiber-Setting ausgewählt werden, bei dem die Ausgangsimpedanz der Pull-Down-Schalteinrichtung – möglichst genau – der gewünschten Pull-Down-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz entspricht (wobei diese möglichst identisch. sein sollte, wie die o.g. Pull-Up-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz)).
  • Bei diesem „Trimming"-Verfahren tritt allerdings das Problem auf, dass – je nach Verschmutzungsgrad der zur Messung verwendeten Signal-Nadel, über die wie oben erläutert eine (Referenz-)Spannung am Ausgangs-Pad angelegt wird – der Signal-Nadel-Kontaktwiderstand stark variieren kann.
  • Der jeweilige Signal-Nadel-Kontaktwiderstand beeinflusst – auf nur schwer vorhersagbare Weise – die Stärke des durch das Ausgangs-Pad fließenden Stroms (und damit – auf nur schwer vorhersagbare Weise – den jeweils ermittelten Wert für die Ausgangsimpedanz).
  • Deshalb kann mit dem oben beschriebenen Verfahren die Ausgangsimpedanz nur mit relativ geringer Genauigkeit eingestellt werden.
    •
  • Die Erfindung hat zur Aufgabe, ein neuartiges Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät, ein neuartiges Halbleiter-Bauelement-Test-System, ein neuartiges Halbleiter-Bauelement, und ein neuartiges Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, insbesondere ein neuartiges Verfahren zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement vorgesehenen Treiber-Einrichtungen bereitzustellen.
  • Sie erreicht dieses und weitere Ziele durch die Gegenstände der Ansprüche 1, 12, 13 und 15.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Grundgedanken der Erfindung wird ein Verfahren zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement vorgesehenen Treiber-Einrichtungen bereitgestellt, wobei eine jeweils eine Pull-Up-Schalteinrichtung und eine Pull-Down-Schalteinrichtung aufweisende Einrichtung, insbesondere Treiber-Einrichtung verwendet wird, und wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
    – Gemeinsames Aktivieren sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung; sowie
    – Ermitteln des durch die Pull-Up-Schalteinrichtung bzw. die Pull-Down-Schalteinrichtung fließenden Stroms (Igesamt,korr) bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung.
  • Vorteilhaft weist das Verfahren zusätzlich den Schritt auf:
    – Ermitteln der über der Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung (bzw. an einem Ausgangs-Anschluß bzw. Ausgangs-Pad) anliegenden Spannung (UAusgang) bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung.
  • Besonders bevorzugt werden die o.g. Verfahrensschritte mehrfach hintereinander – jeweils bei verschiedenen Settings von in der Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung enthaltenen Transistoren – durchgeführt.
  • Aus der – für die entsprechenden Settings – jeweils ermittelten Spannung (UAusgang), und dem – für die entsprechenden Settings – jeweils ermittelten Strom (Igesamt,korr) kann – wie weiter unten noch genauer erläutert wird – dasjenige Treibersetting ermittelt werden, bei dem die Ausgangsimpedanz der Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung – möglichst genau – der gewünschten Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz entspricht.
  • Da die o.g. Spannung (VAusgang) stromlos (bzw. nahezu stromlos) gemessen werden kann, wird das Messergebnis durch eine – unkontrollierbar starke – Verschmutzung einer zur Messung der o.g. Spannung (VAusgang) verwendeten, den Ausgangs-Anschluß bzw. das Ausgangs-Pad kontaktierenden Signal-Nadel nicht (bzw. nur geringfügig) beeinflusst.
  • Deshalb kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die Ausgangsimpedanz der jeweiligen Treiber-Einrichtungen mit größerer Genauigkeit eingestellt werden, als beim Stand der Technik.
    •
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:
  • 1 eine schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus eines bei der vorliegenden Erfindung verwendeten Halbleiter-Bauelement-Test-Systems;
  • 2 eine schematische Detail-Darstellung eines Abschnitts eines in 1 gezeigten, zu testenden Halbleiter-Bauelements, sowie von Kontakt-Nadeln, die so angeordnet bzw. ausgestaltet sind, dass ein Verfahren zum Messen und Trimmen der Ausgangsimpedanz von Halbleiter-Bauelement-Treiber-Einrichtungen gemäß dem Stand der Technik durchgeführt werden kann; und
  • 3 eine schematische Darstellung Detail-Darstellung eines Abschnitt eines in 1 gezeigten, zu testenden Halbleiter-Bauelements, sowie von Kontakt-Nadeln, die so angeordnet bzw. ausgestaltet sind, dass ein Verfahren zum Messen und Trimmen der Ausgangsimpedanz von Halbleiter-Bauelement-Treiber-Einrichtungen gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann.
  • In 1 ist eine schematische Darstellung des prinzipiellen Aufbaus eines bei der vorliegenden Erfindung verwendeten Halbleiter-Bauelement-Test-Systems 1 gezeigt.
  • Dieses dient dazu, auf einer Silizium-Scheibe bzw. einem Wafer 2 befindliche Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f zu testen, insbesondere, um die Ausgangsimpedanz von auf dem jeweiligen Halbleiter-Bauelement 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f vorgesehenen Treiber-Einrichtungen zu messen, und an die Impedanz der Signalleitungen anzupassen.
  • Bei den Halbleiter-Bauelementen 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f kann es sich z.B. um entsprechende, integrierte (analoge bzw. digitale) Rechenschaltkreise handeln, oder um Halbleiter-Speicherbauelemente wie z.B. Funktionsspeicher-Bauelemente (PLAs, PALs, etc.) oder Tabellenspeicher-Bauelemente (z.B. ROMS oder RAMS), insbesondere um SRAMs oder DRAMs (hier z.B. um DRAMs (Dynamic Random Access Memories bzw. dynamische Schreib-Lese-Speicher) mit doppelter Datenrate (DDR-DRAMs = Double Data Rate – DRAMs), vorteilhaft um High-Speed DDR-DRAMs).
  • Die zum Testen der Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f benötigten Spannungen bzw. Test-Signale werden von einem Testgerät 4 erzeugt, und an entsprechenden Anschlüssen 6 des Testgeräts 4 ausgegeben.
  • Wie in 1 weiter gezeigt ist, können die Anschlüsse 6 des Testgeräts 4 (über entsprechende Leitungen, hier: eine Anzahl N an Leitungen 7) an entsprechende Anschlüsse einer Halbleiter-Bauelement-Test-Karte 8 bzw. probecard 8 angeschlossen sein, die – über entsprechende, mit den probecard-Anschlüssen in Verbindung stehende Kontakt-Nadeln 9a, 9b – an entsprechende auf den Halbleiter-Bauelementen 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f vorgesehene (Test-)Anschlüsse 10a, 10b angeschlossen werden können.
  • Die vom Testgerät 4 ausgegebenen Spannungen bzw. Test-Signale können somit – über die Leitungen 7, die Kontakt-Nadeln 9a, 9b der Halbleiter-Bauelement-Test-Karte 8, und die entsprechenden Halbleiter-Bauelement-Anschlüsse 10a, 10b an dem jeweils gewünschten Halbleiter-Bauelement 3a, 3b, 3c, 3d angelegt werden.
  • Die in Reaktion auf die eingegebenen Test-Signale an entsprechenden Halbleiter-Bauelement-Anschlüssen 10a, 10b ausgegebenen Signale (bzw. die aus den angelegten Spannungen resultierenden Ströme) werden von den entsprechenden Kontakt-Nadeln 9a, 9b der Halbleiter-Bauelement-Test-Karte 8 abgegriffen, und über die o.g. Leitungen 7 entsprechenden Anschlüssen des Testgeräts 4 zugeführt, wo dann eine Auswertung der entsprechenden Signale bzw. Ströme stattfinden kann.
  • 2 zeigt eine schematische Detail-Darstellung eines Abschnitts eines in 1 gezeigten, zu testenden Halbleiter-Bauelements (hier: einen Abschnitt des Halbleiter-Bauelements 3a), sowie von Kontakt-Nadeln (hier: der Kontakt-Nadel 9a, sowie von weiteren Kontakt-Nadeln 11a, 11b, 11c), die so angeordnet bzw. ausgestaltet sind, dass ein Verfahren zum Messen und Trimmen der Ausgangsimpedanz von Halbleiter-Bauelement-Treiber-Einrichtungen (insbesondere zum Anpassen der Ausgangsimpedanz an die Impedanz der Signalleitungen) gemäß dem Stand der Technik durchgeführt werden kann.
  • Das Halbleiter-Bauelement 3a weist eine Vielzahl von Treiber-Einrichtungen 12 mit jeweils einer Pull-Up-Schalteinrichtung 13a, und einer Pull-Down-Schalteinrichtung 13b auf.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist die Pull-Up-Schalteinrichtung 13a – z.B. über eine Leitung 14a – an einen Versorgungsspannungs-Anschluß 15a angeschlossen, und – z.B. über eine Leitung 14b – an die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b, die – z.B. über eine Leitung 14c – an einen Erde-Anschluß 15b angeschlossen ist.
  • Die Leitung 14b – und damit auch die Pull-Up-, und die Pull-Down-Schalteinrichtungen 13a, 13b – sind über eine Leitung 14d mit einem Ausgangs-Pad bzw. Ausgangs-Anschluß 15c verbunden.
  • Um – später, während des regulären Betriebs des Halbleiter-Bauelements 3a – eine „logische Eins" auszugeben, wird die Pull-Up-Schalteinrichtung 13a – gesteuert von einer Steuerungs-Einrichtung 16a – aktiviert bzw. eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht. Gleichzeitig wird – gesteuert von einer Steuerungs-Einrichtung 16b – die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht. An dem zwischen der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 13a, 13b geschalteten Ausgangs-Anschluß 15c wird dann ein „logisch hohes" Ausgangssignal ausgegeben.
  • Entsprechend wird zur Ausgabe einer „logischen Null" die Pull-Up-Schalteinrichtung 13a – gesteuert von der Steuerungs-Einrichtung 16a – deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht, und die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b – gesteuert von der Steuerungs-Einrichtung 16b – aktiviert bzw. eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht. An dem zwischen der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 13a, 13b geschalteten Ausgangs-Anschluß 15c wird dann ein „logisch niedriges" Ausgangssignal ausgegeben.
  • Die Pull-Up- und die Pull-Down-Einrichtung 13a, 13b weisen jeweils eine Vielzahl von – parallelgeschalteten – Transistoren auf (z.B. die Pull-Up-Einrichtung eine Vielzahl von p-Kanal-, und die Pull-Down-Einrichtung eine Vielzahl von n-Kanal-MOSFETs).
  • Um zu bestimmen, wieviele bzw. welche Transistoren genau – beim späteren regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements 3a – verwendet, und welche nicht verwendet werden sollen (d.h. zum Einstellen des Treiber-Settings, und damit der Ausgangsimpedanz) wird – wie in 2 durch die durchgezogenen Linien veranschaulicht ist – die Pull-Up-Schalteinrichtung 13a eingeschaltet, und – wie in 2 durch die gestrichelten Linien veranschaulicht ist – die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b ausgeschaltet.
  • Des weiteren wird – mittels der den Versorgungsspannungs-Anschluß 15a kontaktierenden Nadeln 11a, 11b, 11c – eine Versorgungsspannung Vddq an den Versorgungsspannungs-Anschluß 15a angelegte von der Treiber-Einrichtung 12 wird dann am Ausgangs-Anschluß 15c ein „logisch hoher" Ausgangs-Signal-Pegel getrieben.
  • Des weiteren wird am Ausgangs-Anschluß 15c – mittels der den Ausgangs-Anschluß 15c kontaktierenden Nadel 9a – eine Spannung UPad angelegt, deren Höhe z.B. der Hälfte desjenigen Spannungs-Pegels Upull-Up entspricht, der von der Treiber-, Einrichtung 12 – eigentlich – am Ausgangs-Anschluß 15c getrieben werden soll.
  • Daraufhin wird – für alle möglichen Treiber-Settings bzw. Treiber-Einstellungen – die Stärke des vom Versorgungsspannungs-Anschluß 15a über die Pull-Up- Schalteinrichtung 13a zum Ausgangs-Anschluß 15c fließenden Stroms I gemessen.
  • Aus der gemessenen Stromstärke I (und dem Unterschied zwischen dem Spannungspegel UPull-Up, und der Höhe der am Ausgangs-Anschluß angelegten Spannung UPad) kann z.B. gemäß der Formel RPull-Up = (UPull-Up – UPad)/I
    – für das jeweilige Treiber-Setting – die jeweils geltende Ausgangsimpedanz RPull-Up der Pull-Up-Schalteinrichtung bestimmt werden (und somit dasjenige Treiber-Setting ausgewählt werden, bei dem die Ausgangsimpedanz RPull-Up der Pull-Up-Schalteinrichtung – möglichst genau – der gewünschten Pull-Up-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Up,soll entspricht).
  • Daraufhin kann (entsprechend umgekehrt wie oben beschrieben) die Pull-Up-Schalteinrichtung 13a aus –, und die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b eingeschaltet werden (so dass von der Treiber-Einrichtung 12 dann ein „logisch niedriger" Ausgangs-Signal-Pegel getrieben wird), und – wiederum für alle möglichen Treiber-Settings bzw. Treiber-Einstellungen – die Stärke des dann vom Ausgangs-Pad 15c über die Pull-Down-Schalteinrichtung 13b zur Erde fließenden Stroms I' gemessen werden (und aus der gemessenen Stromstärke I' (entsprechend ähnlich wie oben beschrieben) für das jeweilige Treiber-Setting die jeweils geltende Ausgangsimpedanz RPull-Down der Pull-Down-Schalteinrichtung 13b bestimmt werden).
  • Auf diese Weise kann – entsprechend wie bei der Pull-Up-Schalteinrichtung 13a – dasjenige Treiber-Setting bestimmt werden, bei dem die Ausgangsimpedanz RPull-Down der Pull-Down-Schalteinrichtung 13b – möglichst genau – der gewünschten Pull-Down-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Down,soll entspricht (wobei diese möglichst identisch sein sollte, wie die o.g. (gewünschte) Pull-Up-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Up bzw. RPull-Up,soll)).
  • In 3 ist eine schematische Detail-Darstellung eines Abschnitts eines in 1 gezeigten, zu testenden Halbleiter-Bauelements (hier: ein Abschnitt des Halbleiter-Bauelements 3b), sowie von Kontakt-Nadeln (hier: der Kontakt-Nadel 9b, sowie von weiteren Kontakt-Nadeln 111a, 111b, 111c, 111d, 111e, 111f) gezeigt, die so angeordnet bzw. ausgestaltet sind, dass ein Verfahren zum Messen und Trimmen der Ausgangsimpedanz von Halbleiter-Bauelement-Treiber-Einrichtungen (insbesondere zum Anpassen der Ausgangsimpedanz an die Impedanz der Signalleitungen) gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann.
  • Das Halbleiter-Bauelement 3b weist – entsprechend wie die übrigen Halbleiter-Bauelemente 3a, 3c, 3d, 3e, 3f auf dem in 1 gezeigten Wafer 2 – eine Vielzahl von Treiber-Einrichtungen 112 mit jeweils einer Pull-Up-Schalteinrichtung 113a, und einer Pull-Down-Schalteinrichtung 113b auf.
  • Die Pull-Up-Schalteinrichtung 113a ist – z.B. über eine Leitung 114a – an einen Versorgungsspannungs-Anschluß 115a angeschlossen, und – z.B. über eine Leitung 114b – an die Pull-Down-Schalteinrichtung 113b, die – z.B. über eine Leitung 114c – an einen Erde-Anschluß 115b angeschlossen ist.
  • Die Leitung 114b – und damit auch die Pull-Up-, und die Pull-Down-Schalteinrichtungen 113a, 113b – sind über eine Leitung 114d mit einem Ausgangs-Pad bzw. Ausgangs-Anschluß 115c verbunden.
  • Um – später, während des regulären Betriebs des Halbleiter-Bauelements 3b – eine „logische Eins" auszugeben, wird die Pull-Up-Schalteinrichtung 113a – gesteuert von einer Steuerungs-Einrichtung 116a – aktiviert bzw. eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht. Gleichzeitig wird – gesteuert von einer Steuerungs-Einrichtung 116b – die Pull-Down-Schalteinrichtung 113b deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht. An dem zwischen der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b geschalteten Ausgangs-Anschluß 115c wird dann ein „logisch hohes" Ausgangssignal ausgegeben (z.B. ein Spannungspegel von 1,8 V).
  • Entsprechend wird zur Ausgabe einer „logischen Null" die Pull-Up-Schalteinrichtung 113a – gesteuert von der Steuerungs-Einrichtung 116a – deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht, und die Pull-Down-Schalteinrichtung 113b – gesteuert von der Steuerungs-Einrichtung 116b – aktiviert bzw. eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht. An dem zwischen der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b geschalteten Ausgangs-Anschluß 115c wird dann ein „logisch niedriges" Ausgangssignal ausgegeben (z.B. ein Spannungspegel von 0 V).
  • Die Pull-Up- und die Pull-Down-Einrichtung 113a, 113b weisen jeweils eine Vielzahl, z.B. 4 – parallelgeschaltete – Transistoren auf (z.B. die Pull-Up-Einrichtung eine Vielzahl, z.B. 4 p-Kanal-, und die Pull-Down-Einrichtung eine Vielzahl, z.B. 4 n-Kanal-MOSFETs).
  • Dabei können die Sourcen der (Pull-Up-) p-Kanal-MOSFETs über entsprechende Leitungen miteinander verbunden, und über die o.g. Leitung 114a an den Versorgungsspannungs-Anschluß 115a angeschlossen sein. Des weiteren können – mittels entsprechender, weiterer Leitungen – auch die Drains der (Pull-Up-) p-Kanal-MOSFETs miteinander verbunden sein, und über die o.g. Leitung 114b, und die o.g. Leitung 114d an den Ausgangs-Anschluß 115c angeschlossen sein.
  • Entsprechend ähnlich können die Sourcen der (Pull-Down-) n-Kanal-MOSFETs über entsprechende Leitungen miteinander verbunden, und über die o.g. Leitung 114c an den Erde-Anschluß 115b angeschlossen sein, und können die Drains der (Pull-Down-) n-Kanal-MOSFETs miteinander verbunden, und an die o.g. Leitungen 114b, 114d angeschlossen sein.
  • Die Ausgangsimpedanz der Treiber-Einrichtung 112 bzw. derweiteren im Bauelement 3b vorgesehenen Treiber-Einrichtungen kann während des Test-Betriebs des Halbleiter-Bauelements (d.h. im Rahmen des o.g. Ausgangsimpedanz-Mess- und -Trimm-Verfahrens) z.B. dadurch an die Impedanz der Signalleitungen angepasst werden, dass mittels einer – an sich bekannten – Laser-Fuse-Methode eine entsprechend gewählte Anzahl an- bzw. entsprechend ausgewählte – Transistoren in der (jeweiligen) Treiber-Einrichtung 112 (insbesondere eine entsprechend gewählte Anzahl an – bzw. entsprechend ausgewählte – Transistoren in der Pull-Up-Schalteinrichtung 113a, und eine entsprechend gewählte Anzahl an – bzw. entsprechend ausgewählte – Transistoren in der Pull-Down-Schalteinrichtung 113b) in einen „zugeschalteten" Zustand gebracht werden (d.h. später dann beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements zum Treiben von Signalen verwendet werden), bzw. in einem „nicht zugeschalteten" Zustand belassen werden (d.h. später beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements nicht zum Treiben von Signalen verwendet werden).
  • Um zu bestimmen, welche bzw. wieviele Transistoren genau in der entsprechenden Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b – mittels Laser-Fuse – in einen „zugeschalteten" Zustand gebracht, und welche bzw. wieviele Transistoren in einem „nicht zugeschalteten" Zustand belassen werden sollen (d.h, zum Einstellen des Treiber-Settings, und damit der Ausgangsimpedanz) werden beim vorliegenden Ausführungsbeispiel – anders als beim Stand der Technik, und wie in 3 durch die durchgezogenen Linien veranschaulicht – zunächst (gesteuert von den Steuerungs-Einrichtungen 116a, 116b) sowohl die Pull-Up-Schalteinrichtung 113a, als auch die Pull-Down-Schalteinrichtung 113b aktiviert bzw. eingeschaltet, d.h. in einen leitenden Zustand gebracht eingeschaltet. (– In den übrigen noch im Halbleiter-Bauelement 3b enthaltenen Treiber-Einrichtungen werden (jeweils unter Steuerung von den o.g. Steuerungs-Einrichtungen 116a, 116b entsprechenden Steuerungs-Einrichtungen) jeweils sämtliche Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtungen deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht –).
  • Wie in 3 weiter gezeigt ist, kontaktiert bei der Treiber-Einrichtung 112 eine Vielzahl, insbesondere mehr als zwei oder drei Kontakt-Nadeln (hier: die drei Kontakt-Nadeln 111a, 111b, 111c) den o.g. Versorgungsspannungs-Anschluß 115a, und eine Vielzahl, insbesondere mehr als zwei oder drei Kontakt-Nadeln (hier: die drei Kontakt-Nadeln 111d, 111e, 111f) den o.g. Erde-Anschluß 115b.
  • Die Kontakt-Nadeln 111a, 111b, 111c sind über eine oder mehrere der o.g., zwischen der Halbleiter-Bauelement-Test-Karte 8 und dem Testgerät 4 geführten Leitungen 7 an einen oder mehrere der o.g. Testgerät-Anschlüsse 6 angeschlossen, und die Kontakt-Nadeln 111d, 111e, 111f über eine oder mehrere weitere der o.g. Leitungen 7 zwischen der Halbleiter-Bauelement-Test-Karte 8 und dem Testgerät 4 an einen oder mehrere weitere Testgerät-Anschlüsse 6 (siehe 1).
  • Vom Testgerät 4 wird – unter Steuerung eines auf einer Testgerät-Speichereinrichtung 117 gespeicherten Test-Software-Programms – veranlasst, dass über die entsprechende(n) Leitung(en) 7, und die entsprechenden Kontakt-Nadeln 111a, 111b, 111c eine Versorgungsspannung Vddq an den Versorgungsspannungs-Anschluß 115a angelegt wird.
  • Des weiteren wird vom Testgerät 4 – ebenfalls unter Steuerung des auf der Testgerät-Speichereinrichtung 117 gespeicherten Test-Software-Programms – veranlasst, dass der Erde-Anschluß 115b (über die entsprechenden Kontakt-Nadeln 111d, 111e, 111f, und die entsprechende(n) Leitung(en) 7) an die Erde angeschlossen wird (und der Ausgangs-Anschluß 115c – wie in 3 durch die gestrichelten Linien veranschaulicht – deaktiviert wird (insbesondere weder mit der Erde, noch der Versorgungsspannung, noch einer sonstigen Spannungs- oder Signal-Quelle verbunden ist)).
  • Daraufhin wird – für alle möglichen Treiber-Settings bzw. Treiber-Einstellungen – die Stärke des vom entsprechenden Testgerät-Anschluß zum Versorgungsspannungs-Anschluß 115a, und dann (im wesentlichen über die Pull-Up-Schalteinrichtung 113a und die Pull-Down-Schalteinrichtung 113b (siehe Ausführungen unten)) zum Erde-Anschluß 115c, und schließlich zurück zum Testgerät 4 (bzw. zum entsprechenden Testgerät-Anschluß) fließenden Gesamt-Stroms Igesamt gemessen (d.h. für alle denkbaren Kombinationen von – in der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b – jeweils „zugeschalteten", d.h. zum Treiben von Signalen verwendeten, und „nicht zugeschalteten", d.h. nicht zum Treiben von Signalen verwendeten Transistoren (d.h. bei z.B. 16 möglichen Settings für die Pull-Up-Transistoren, und 16 möglichen Settings für die Pull-Down-Transistoren insgesamt für 16 × 16 = 256 verschiedene Treiber-Settings)).
  • Bevor (oder alternativ: nachdem) auf die oben beschriebene Weise mehrfach, z.B. 256 Mal – jeweils für verschiedene Treibersettings – der „Gesamt-Strom" Igesamt gemessen wird, wird – wie im folgenden noch genauer erläutert wird – der „Standby-Strom" Istandby gemessen (siehe Ausführungen unten).
  • Hierzu werden – bei sämtlichen im Halbleiter-Bauelement 3b enthaltenen Treiber-Einrichtungen 112 – jeweils unter Steuerung entsprechender Steuerungs-Einrichtungen 116a, 116b jeweils sämtliche Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtungen 113a, 113b deaktiviert bzw. ausgeschaltet, d.h. in einen gesperrten Zustand gebracht (und somit das Halbleiter-Bauelement 3b in einen Idle-/Clock-Stop-Zustand gebracht), und daraufhin wiederum die Stärke des vom entsprechenden Testgerät-Anschluß zum Versorgungsspannungs-Anschluß 115a, und dann vom Erde-Anschluß 115c aus zurück zum Testgerät 4 (bzw. zum entsprechenden Testgerät-Anschluß) fließenden Stroms (Standby-Strom Istandby) gemessen.
  • Diese Messung ist notwendig, wenn – wie beim vorliegenden Ausführungsbeispiel – die zwischen dem Versorgungsspannungs-Anschluß 115a und dem Erde-Anschluß 115b nicht nur – wie in 3 gezeigt – die o.g. Treiber-Einrichtungen 112 bzw. Ausgangs-Anschlüsse 115c angeschlossen sind, sondern zusätzlich noch weitere – in 3 nicht gezeigte – auf dem Halbleiter-Bauelement 3b vorgesehene Bauteile (die Versorgungsspannung Vddq also nicht nur zur Versorgung der Treiber-Einrichtungen 112 bzw. der Ausgangs-Anschlüsse 115c, d.h. als „Pad-Supply" dient, sondern zudem noch zur Versorgung der o.g. weiteren, auf dem Halbleiter-Bauelement 3b vorgesehenen Bauteile, d.h. als „Chip-Power-Supply").
  • Ist dies der Fall, fließt – auch im o.g. Idle-/Clock-Stop-Zustand – ein (allerdings geringer) Standby-Strom Istandby vom Versorgungsspannungs-Anschluß 115a aus durch die o.g. weiteren Halbleiter-Bauelement-Bauteile hindurch zum Erde-Anschluß 115b.
  • Dieser Standby-Strom Istandby muß zur – exakten – Ermittlung des (beim o.g. gleichzeitigen Aktivieren bzw. Einschalten von sowohl der Pull-Up- als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b) tatsächlich durch die Pull-Up- und die Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b selbst (und nicht etwa durch die o.g. weiteren Halbleiter-Bauelement-Bauteile) fließenden Stroms vom auf die oben erläuterte Weise ermittelten Gesamt-Strom Igesamt abgezogen werden.
  • Der – bei den o.g., unterschiedlichen Treiber-Settings – jeweils durch die Pull-Up- und die Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b selbst fließende (tatsächliche (korrigierte)) Gesamt-Strom Igesamt,korr ergibt sich somit zu: Igesamt,korr = Igesamt – Istandby (Formel (1))
  • Aus den – für die jeweils unterschiedlichen Treiber-Settings unterschiedlichen – ermittelten (korrigierten) Werten für den durch die Pull-Up- und die Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b fließenden Gesamt-Strom Igesamt,korr, und der Höhe der insgesamt an der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b anliegenden Spannung Ugesamt (hier: Vddq) kann – für das jeweilige Treiber-Setting – jeweils die Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt der Pull-Up- und der Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b (bzw. der Treiber-Einrichtung 112) ermittelt werden, z.B. gemäß der Formel Rgesamt = Ugesamt/Igesamt,korr (Formel (2)) bzw.
  • Rgesamt = Vddq/Igesamt,korr (Formel (2'))
  • Aus den o.g. (z.B. 256 verschiedenen) Treiber-Settings werden jetzt diejenigen ausgewählt, bei denen die ermittelte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt einem gewünschten Wert für die Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll entspricht (bzw. genauer z.B. diejenigen Treiber-Settings, bei denen die ermittelte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt höchsten um einen vorbestimmten, geringen Prozentsatz oder Absolutbetrag von der gewünschten Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll abweicht, oder eine vorbestimmte Anzahl an Treiber-Settings, bei denen die ermittelte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt am nächsten an der gewünschten Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll liegt).
  • Die gewünschte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll kann aus den jeweiligen Werten für die (gewünschte) Pull-Up- Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Up,soll, und die (gewünschte) Pull-Down-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Down,soll ermittelt werden, und entspricht insbesondere der Summe dieser beiden Ausgangsimpedanz-Soll-Werte (d.h.
  • Rgesamt,soll = RPull-Up,soll + RPull-Down,soll) Die (jeweils gewünschte bzw. einzustellende) Pull-Down-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Down,soll sollte möglichst gleich groß sein, wie die (jeweils gewünschte bzw. einzustellende) Pull-Up-Schalteinrichtungs-Ausgangsimpedanz RPull-Up,soll, so dass gilt Rgesamt,soll = 2 × RPull-Up,soll bzw. Rgesamt,soll = 2 × RPull-Down,soll.
  • Beispielsweise kann – entsprechend identisch zu der Impedanz der jeweiligen Signalleitung – der gewünschte Wert für RPull- Up,soll und RPull-Down,soll z.B. 45 OHM betragen, und demzufolge der gewünschte Wert für Rgesamt,soll z.B. 90 OHM.
  • In einem nächsten Schritt wird – für die o.g., ausgewählten Treiber-Settings, insbesondere für diejenigen Treiber-Settings, bei denen die ermittelte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt dem gewünschten Wert für die Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll entspricht – bei entsprechend wie oben beschrieben gleichzeitig aktivierter bzw. eingeschalteter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung 113a, 113b die am Ausgangs-Anschluß bzw. Ausgangs-Pad 115c anliegende Spannung UAusgang gemessen (und zwar, indem vom Testgerät 4 die zwischen der – den Ausgangs-Anschluß 115c kontaktierenden – Kontakt-Nadel 9b, und den – den Erde-Anschluß 115b kontaktierenden – Kontakt-Nadeln 111d, 111e, 111f (oder alternativ den – den Versorgungsspannungs-Anschluß 115b kontaktierenden – Kontakt-Nadeln 111a, 111b, 111c) – anliegende Spannung gemessen wird, d.h. direkt die Spannung UAusgang (oder alternativ die Spannung Vddq – UAusgang)).
  • Daraufhin wird – für die o.g., ausgewählten Treiber-Settings, insbesondere für diejenigen Treiber-Settings, bei denen die ermittelte Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt dem gewünschten Wert für die Gesamt-Ausgangs-Impedanz Rgesamt,soll entspricht – dasjenige Treiber-Setting ausgewählt, bei dem die auf die oben beschriebene Weise gemessene Spannung UAusgang am Ausgangs-Anschluß bzw. Ausgangs-Pad 115c möglichst nahe an einem jeweils gewünschten Ausgangsspannungs-Sollwert Usoll liegt.
  • Dieser Ausgangsspannungs-Sollwert Usoll sollte möglichst genau zwischen dem gewünschten Spannungspegel bei einem – später, beim regulären Betrieb ausgegebenen – „logisch hohem" Ausgangssignal (hier: ein Pegel von z.B. 1,8 V), und dem gewünschten Spannungspegel bei einem – später, beim regulären Betrieb ausgegebenen – „logisch niedrigen" Ausgangssignal (hier: ein Pegel von 0 V) liegen (z.B. bei 0,9 V).
  • Dadurch ist sichergestellt, dass RPull-Up gleich groß ist, wie RPull-Down (und damit RPull-Up gleich groß, wie RPull-Up,soll, und RPull-Down gleich groß, wie RPull-Down,soll) Es ist nicht unbedingt notwendig, entsprechend wie oben beschrieben für alle 256 verschiedenen Settings den Strom zu messen. Denkbare Alternativen sind z.B.:
    • – Die Messungen (Strom und anschließend Spannung) werden zunächst nur für "typische" Settings durchgeführt (z.B. die Pullup-Settings 7 bis 10 sowie die Pulldown-Setting 9 bis 13). Nur falls hier die Zielwerte nicht gefunden werden, werden auch andere Settings verwendet;
    • – Es werden zunächst die "symmetrischen" Settings bestimmt, d.h. diejenigen Settings, bei denen Pullup und Pulldown gleich stark sind. Beispiel: Es wird das Pulldown-Setting 1 aktiviert, und dann (über eine Spannungsmessung am Pad) das zugehörige Pullup-Setting bestimmt. Daraufhin wird das Pulldown-Setting 2 aktiviert, und (über eine Spannungsmessung am Pad) das zugehörige Pullup-Setting gesucht, etc. Anschließend wird aus diesen 16 Settings dasjenige ausgewählt, bei dem der Gesamtstrom über Pullup und Pulldown gerade der gewünschten (doppelten) Ausgangsimpedanz entspricht.
  • Die oben beschriebenen Treiber-Setting-Auswahl-Verfahren können – auf entsprechende Weise – z.B. für sämtliche beim Halbleiter-Bauelement 3b vorgesehene Treiber-Einrichtungen durchgeführt werden (d.h. jede einzelne Treiber-Einrichtung des Halbleiter-Bauelements 3b kann individuell kalibriert werden).
  • Alternativ kann das auf die o.g. Weise für eine bestimmte Treiber-Einrichtung 112 ausgewählte Treiber-Setting (ohne dass weitere, separate Messungen durchgeführt werden) für mehrere, insbesondere sämtliche weitere, auf dem Halbleiter-Bauelement 3b vorgesehene Treiber-Einrichtungen übernommen werden.
  • Bei einer weiteren Alternative wird zur Einstellung der Treiber-Settings keine (später, beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements 3b) tatsächlich zum Treiben von Signalen verwendete Treiber-Einrichtung 112 verwendet, sondern eine – lediglich zur Auswahl des Treiber-Settings gemäß dem oben erläuterten Verfahren – verwendete (entsprechend identisch wie die in 3 aufgebaute) Test-Treiber-Einrichtung (das anhand dieser Test-Treiber-Einrichtung ermittelte Treiber-Setting kann dann entsprechend für sämtliche, beim regulären Betrieb tatsächlich verwendete, auf dem Halbleiter-Bauelement 3b vorgesehene Treiber-Einrichtungen verwendet werden).
  • Eine derartige Test-Treiber-Einrichtung braucht nicht zwingend einen dem bei der in 3 gezeigten Treiber-Einrichtung 112 vorgesehenen Ausgangs-Anschluß 115c entsprechenden Ausgangs-Anschluß aufweisen, sondern kann auch ohne derartigen Ausgangs-Anschluß bzw. ohne Ausgangs-Pad ausgeführt sein (bzw. nicht mit einem derartigen Pad verbunden sein).
  • Statt – wie oben beschrieben – die Spannung UAusgang an einem entsprechenden Ausgangs-Anschluß bzw. Ausgangs-Pad 115c zu messen, kann dann die – dieser Spannung entsprechende – Spannung Uintern über der Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung gemessen werden, z.B. von einer – auf dem Halbleiter-Bauelement selbst – vorgesehenen Einrichtung (z.B. einem entsprechenden On-Chip-Spannungs-Komparator).
  • Da bei sämtlichen der o.g. Verfahren die entsprechende Spannung (UAusgang bzw. Uintern) stromlos (bzw. nahezu stromlos) gemessen wird, wird das Messergebnis durch eine – ggf. unkontrollierbare starke Verschmutzung z.B. der Kontakt-Nadel 9b – nicht (bzw. nur geringfügig) beeinflusst. Deshalb kann mit den oben beschriebenen Verfahren die Ausgangsimpedanz der jeweiligen Treiber-Einrichtungen 112 mit größerer Genauigkeit eingestellt werden, als beim Stand der Technik.
    • 1
    Halbleiter-Bauelement-Test-System
    2
    Wafer
    3a
    Halbleiter-Bauelement
    3b
    Halbleiter-Bauelement
    3c
    Halbleiter-Bauelement
    3d
    Halbleiter-Bauelement
    3e
    Halbleiter-Bauelement
    3f
    Halbleiter-Bauelement
    4
    Testgerät
    6
    Anschlüsse
    7
    Leitungen
    8
    Halbleiter-Bauelement-Test-Karte
    9a
    Kontakt-Nadel
    9b
    Kontakt-Nadel
    10a
    Halbleiter-Bauelement-Anschluss
    10b
    Halbleiter-Bauelement-Anschluss
    1la
    Kontakt-Nadel
    11b
    Kontakt-Nadel
    11c
    Kontakt-Nadel
    12
    Treiber-Einrichtung
    13a
    Pull-Up-Schalteinrichtung
    13b
    Pull-Down-Schalteinrichtung
    14a
    Leitung
    14b
    Leitung
    14c
    Leitung
    14d
    Leitung
    15a
    Versorgungsspannungs-Anschluß
    15b
    Erde-Anschluß
    15c
    Ausgangs-Anschluß
    16a
    Steuerungs-Einrichtung
    16b
    Steuerungs-Einrichtung
    111a
    Kontakt-Nadel
    111b
    Kontakt-Nadel
    111c
    Kontakt-Nadel
    111d
    Kontakt-Nadel
    111e
    Kontakt-Nadel
    111f
    Kontakt-Nadel
    112
    Treiber-Einrichtung
    113a
    Pull-Up-Schalteinrichtung
    113b
    Pull-Down-Schalteinrichtung
    114a
    Leitung
    114b
    Leitung
    114c
    Leitung
    114d
    Leitung
    115a
    Versorgungsspannungs-Anschluß
    115b
    Erde-Anschluß
    115c
    Ausgangs-Anschluß
    116a
    Steuerungs-Einrichtung
    116b
    Steuerungs-Einrichtung
    117
    Testgerät-Speichereinrichtung

Claims (15)

  1. Verfahren zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement (3b) vorgesehenen Treiber-Einrichtungen, wobei eine jeweils eine Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) und eine Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) aufweisende Einrichtung (112), insbesondere Treiber-Einrichtung verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte aufweist: – Gemeinsames Aktivieren sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b); sowie – Ermitteln des durch die Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) bzw. die Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) fließenden Stroms (Igesamt,korr) bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) an einen Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) bzw. einen Erde-Anschluß (115) des Halbleiter-Bauelements (3a) angeschlossen sind, und das Verfahren zusätzlich die Schritte aufweist: – Gemeinsames Deaktivieren von sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b); sowie – Ermitteln des zwischen dem Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) und dem Erde-Anschluß (115) fließenden Stroms (Istandby) bei – gemeinsam – deaktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) an einen Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) bzw. einen Erde-Anschluß (115) des Halbleiter-Bauelements (3a) angeschlossen sind, und das Verfahren zusätzlich die Schritte aufweist: – Gemeinsames Aktivieren von sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b); sowie – Ermitteln des zwischen dem Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) und dem Erde-Anschluß (115) fließenden Stroms (Igesamt) bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) durch die Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) bzw. die Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) fließende Strom (Igesamt,korr) dadurch ermittelt wird, dass von dem bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) zwischen dem Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) und dem Erde-Anschluß (115) fließenden Strom (Igesamt) der bei – gemeinsam – deaktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) zwischen dem Versorgungsspannungs-Anschluß (115a) und dem Erde-Anschluß (115) fließende Strom (Istandby) subtrahiert wird.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welches zusätzlich die Schritte aufweist: – Ermitteln der über der Pull-Up- und/oder Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) abfallenden Spannung (UAusgang; Uintern), insbesondere bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem einer oder mehrere der Verfahrensschritte mehrfach hintereinander – jeweils bei verschiedenen Settings von in der Pull-Up- bzw. Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) enthaltenen Transistoren – durchgeführt werden.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welches zusätzlich den Schritt aufweist: – Ermitteln der Gesamt-Impedanz (Rgesamt) der Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem auf Basis der ermittelten Gesamt-Impedanz (Rgesamt) bzw. des ermittelten Stroms (Igesamt,korr), und der ermittelten über der Pull-Up- und/oder Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) abfallenden Spannung (UAusgang; Uintern) dasjenige Setting ausgewählt wird, das beim regulären Betrieb des Bauelements (3b) verwendet werden soll.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Einrichtung (112) eine Treiber-Einrichtung ist, die beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements (3b) zum Treiben von Ausgangs-Signalen verwendet wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Einrichtung eine Test-Einrichtung ist, die beim regulären Betrieb des Halbleiter-Bauelements (3b) nicht zum Treiben von Ausgangs-Signalen verwendet wird.
  11. Verfahren Anspruch 10, wobei die Test-Einrichtung mit einer – auf dem Halbleiter-Bauelement (3b) selbst – vorgesehenen Einrichtung verbunden ist, mit welcher die über der Pull-Up- und/oder Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b) abfallende Spannung (UAusgang; Uintern) ermittelt werden kann.
  12. Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät (4) zum Durchführen eines Verfahrens zum Messen bzw. Trimmen der Impedanz von in einem Halbleiter-Bauelement (3b) vorgesehenen Treiber-Einrichtungen nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei eine jeweils eine Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) und eine Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) aufweisende Einrichtung (112), insbesondere Treiber-Einrichtung verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Gerät (4) aufweist: – Mittel zum gemeinsames Aktivieren sowohl der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) im Halbleiter-Bauelement (3b); sowie – Mittel zum Ermitteln des durch die Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) bzw. die Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) fließenden Stroms (Igesamt,korr) bei – gemeinsam – aktivierter Pull-Up- und Pull-Down-Schalteinrichtung (113a, 113b).
  13. Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät (4) nach Anspruch 12, wobei die Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) und die Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) dadurch vom Test-Gerät (4) aktiviert werden, dass eine auf dem Halbleiter-Bauelement (3b) vorgesehene Testmode-Schaltung so angesteuert wird, dass diese eine Aktivierung der Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) und der Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) veranlasst.
  14. Halbleiter-Bauelement-Test-System (1), mit einem Test-Gerät (4) nach Anspruch 12 oder 13, und mindestens einem zu testenden Halbleiter-Bauelement (3b).
  15. Halbleiter-Bauelement (3b), welches eine Testmode-Schaltung aufweist, welche – nach Empfang eines entsprechenden Ansteuer-Signals von einem Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät (4), insbesondere einem Halbleiter-Bauelement-Test-Gerät (4) gemäß Anspruch 12 oder 13, eine gemeinsame Aktivierung von sowohl einer Pull-Up-Schalteinrichtung (113a) als auch einer Pull-Down-Schalteinrichtung (113b) einer Einrichtung (112), insbesondere Treiber-Einrichtung, veranlasst.
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