DE10206480A1 - Akustisches Oberflächenwellenbauelement - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein akustisches Oberflächenwellenbauelement, bei dem metallische Streifenstrukturen mit einem piezoelektrischen Material mechanisch gekoppelt sind. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, derartige Oberflächenwellenbauelemente, bei denen die metallischen Streifenstrukturen aus Cu bestehen, so auszubilden, dass auch bei einer hohen Belastung der Bauelemente die Akustomigration an den Streifenstrukturen mit möglichst einfach realisierbaren technischen Maßnahmen merklich verringert oder völlig vermieden werden kann. DOLLAR A Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, dass die metallischen Streifenstrukturen ein polykristallines und/oder nanokristallines Gefüge aufweisen oder/und im amorphen Zustand vorliegen und aus einem Cu-Basiswerkstoff mit einer Beimengung von 0 Atom-% bis maximal 10 Atom-% eines oder mehrerer anderer metallischer Elemente einer Legierung und/oder einer Verbindung bestehen. Außerdem sind die Streifenstrukturen erfindungsgemäß mit einer oder mehreren Diffusionsbarriereschichten beschichtet oder umgeben. DOLLAR A Die erfindungsgemäßen Bauelemente sind beispielsweise als Filter, akustooptische Modulatoren, Aktoren, Convolver oder Sensoren anwendbar.
Description
Die Erfindung betrifft ein akustisches
Oberflächenwellenbauelement, bei dem metallische
Streifenstrukturen mit einem piezoelektrischen Material
mechanisch gekoppelt sind. Derartige Bauelemente sind
beispielsweise als Filter, akustooptische Modulatoren,
Aktoren, Convolver oder Sensoren anwendbar.
Die Streifenstrukturen bekannter akustische
Oberflächenwellenbauelemente basieren auf Al und unterliegen
unter Belastung der Akustomigration, insbesondere bei der
Realisierung großer Leistungen und Amplituden. Hierbei wird
der Werkstoff der Streifenstrukturen partiell transportiert,
was zur Bildung von Hohlräumen und Streifenunterbrechungen
einerseits und zu Hügelwachstum und seitlichen Auswüchsen
andererseits führt. Eine weiteres Schädigungsmerkmal kann die
partielle Delamination der Streifenstrukturen darstellen.
Diese Veränderungen bewirken eine Beeinträchtigung der
Funktion der Bauelemente, so zum Beispiel bei Filtern eine
Verschiebung der Filterfrequenzen bzw. der gesamten
Filtercharakteristik hinsichtlich Admittanz und
Einfügedämpfung, bis hin zum Totalausfall des Bauelements.
Zur Verringerung der Akustomigration sind bereits
verschiedene technische Lösungen bekannt. Eine der Lösungen
besteht in der Verwendung hochtexturierter oder
einkristalliner Al-Schichten für die Herstellung der
Streifenstrukturen. Dieser Weg hat jedoch den Nachteil, dass
die Herstellung der Streifenstrukturen sehr aufwendig ist.
Ein anderer Weg besteht in der Verwendung von zweilagigen Al-
Schichten, wobei das Al mit geringen Mengen eines anderen
Elements legiert ist, insbesondere mit Cu oder Ti, wobei
Schichten mit unterschiedlicher Legierungszusammensetzung
miteinander kombiniert sind (US 4 775 814).
Bekannt sind auch Mehrlagensysteme mit bis zu elf Al-
Schichten, wobei zwischen den einzelnen Al-Schichten, welche
die Hauptkomponente des Schichtsystems darstellen, jeweils
eine Al-freie Zwischenschicht aus beispielsweise Ti oder Cu
als Migrationshemmer mit größerer elastischer Komponente
angeordnet ist (US 5 844 374). Die Herstellung von
Streifenstrukturen auf dieser Basis ist technisch sehr
aufwändig.
Bei Leckwellenbauelementen ist es bekannt, dass die Al-
Streifenstrukturen mit einer harten Deckschicht versehen
werden, beispielsweise mit Al-Oxid, -Silizid oder -Borid
(DE 197 58 195). Die Schicht wird dabei entweder aufgetragen
oder durch Reaktion mit dem Al erzeugt. Das Substrat, sowie
die Dicke der Überschichtung und der Metallisierung müssen
jedoch an den Wellentyp angepaßt werden, damit nur eine
geringere Dämpfung der Oberflächenwellen bewirkt wird.
Bekannt ist auch eine akustische Oberflächenwellenanordnung,
bei der zur Verringerung von Migrationseffekten einkristallin
gewachsene Cu-Schichten auf Diamantsubstrat verwendet werden
(DE 693 07 974 T2). Der technische Aufwand und die Kosten für
eine technologische Umsetzung dieser einkristallinen
Schichtsysteme ist jedoch sehr hoch. Eine industrielle
Realisierbarkeit dieser Technik mit der erforderlichen
Reproduzierbarkeit und Kosteneffektivität dürfte dabei kaum
möglich sein. Hinzu kommt, dass die Herstellung von Cu-
Einkristallen generell schwierig ist, da hierfür nach dem
bisherigen Kenntnisstand eine sehr geringe
Gitterfehlanpassung zwischen Schicht und Substrat
erforderlich ist und damit diese Technik nicht für die am
häufigsten verwendeten piezoelektrischen Substratmaterialien
wie LiNbO3, LiTaO3 oder Quarz ohne eine Bufferschicht
praktizierbar wäre.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, akustische
Oberflächenwellenbauelemente, bei denen metallische
Streifenstrukturen aus Cu mit einem piezoelektrischen
Material mechanisch gekoppelt sind, so auszubilden, dass auch
bei einer hohen Belastung der Bauelemente die Akustomigration
an den Streifenstrukturen mit möglichst einfach
realisierbaren technischen Maßnahmen merklich verringert oder
völlig vermieden werden kann.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, dass
die metallischen Streifenstrukturen ein polykristallines
und/oder nanokristallines Gefüge aufweisen oder/und im
amorphen Zustand vorliegen und aus einem Cu-Basiswerkstoff
mit einer Beimengung von 0 Atom-% bis maximal 10 Atom-% eines
oder mehrerer anderer metallischer Elemente, einer Legierung
und/oder einer Verbindung bestehen. Außerdem sind die
Streifenstrukturen erfindungsgemäß mit einer oder mehreren
Diffusionsbarriereschichten beschichtet oder umgeben.
Nach vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung ist auf den
Diffusionsbarriereschichten eine Haftvermittlerschicht
und/oder eine Schutzschicht vorhanden oder sind die
Diffusionsbarriereschichten als Schutzschicht und/oder als
Haftvermittlerschicht ausgeführt.
Die beigemengten Elemente sind dabei vorzugsweise aus der
Gruppe Ag, Ta, W, Si, Zr, Cr und Ti ausgewählt.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung
bestehen die Streifenstrukturen aus einer Cu-Basislegierung
mit 50 Atom-ppm bis 5,0 Atom-% Ag, vorzugsweise mit 100 Atom-
ppm bis 2,0 Atom-% Ag.
Die beigemengte Legierung kann vorteilhaft aus zwei oder
mehreren Elemente der Gruppe Ag, Ta, W, Si, Zr; Cr und Ti
bestehen.
Die Streifenstrukturen können vorteilhaft mit SiO2, Si3N4,
CrO2 und/oder Al2O3 beschichtet oder umgeben sein.
Die erfindungsgemäßen Streifenstrukturen können auf dem
piezoelektrischen Material aufliegen oder in Gräben des
piezoelektrischen Materials hinsichtlich der Streifenhöhe
vollständig oder teilweise eingelassen angeordnet sein.
Die Streifenstrukturen können erfindungsgemäß auch auf einem
nichtpiezoelektrischen Substrat aufliegen oder in Gräben
eines nichtpiezoelektrischen Substrats hinsichtlich der
Streifenhöhe vollständig oder teilweise eingelassen
angeordnet sein, wobei die teilweise oder vollständig
eingelassenen Streifenstrukturen entweder an ihrer Oberseite
mit einer piezoelektrischen Platte verbunden sind oder an
ihrer Oberseite und teilweise an ihren Seitenflächen mit
einer piezoelektrischen Schicht bedeckt sind.
Das nichtpiezoelektrische Substrat kann hierbei aus einem
Isolatormaterial oder einem Halbleitermaterial bestehen,
insbesondere aus Diamant, Si, GaAs oder Ge oder Verbindungen
von Si oder Ge.
Die Streifenstrukturen können als Monoschicht oder als
Multilagenschicht ausgeführt sein, wobei in der
Multilagenschicht benachbarte Schichten zueinander aus
unterschiedlichen Werkstoffen bestehen können.
Vorteilhafterweise können zwischen den Streifenstrukturen und
dem nichtpiezoelektrischen Substrat und/oder zwischen den
Lagen der Multilagenschicht und/oder zwischen den
Streifenstrukturen und dem piezoelektrischen Material eine
Diffusionsbarriere- und/oder Haftvermittlerschicht angeordnet
sein.
Die Diffusionsbarriereschicht besteht vorzugsweise aus Ta,
T1, W, Ag, Au, Al oder deren Oxiden oder Nitriden oder
Flouriden oder aus Multischichten von diesen Materialien.
Als Haftvermittlerschicht sind Cr, Ti, W, Ta, Si oder deren
Verbindungen vorgesehen.
Im Falle der Ausführung der Streifenstrukturen mit
polykristallinem Gefüge sollten die Korngrößen überwiegend
< 50 nm sein.
Zur Lösung der Erfindungsaufgabe ist auch vorgesehen, dass
die Streifenstrukturen aus einer Cu-Basislegierung der
Zusammensetzung Cu(100-x)Agx bestehen, wobei x auf einen Wert
im Bereich von 59 bis 62, insbesondere auf den Wert von 60,1
eingestellt ist, bei dem der eutektische Punkt der Legierung
liegt.
Die erfindungsgemäßen akustischen Oberflächenwellen
bauelemente weisen gegenüber den bekannten derartigen
Bauelementen eine deutlich höhere Resistenz gegen
Akustomigration und damit eine längere Lebensdauer auf, da
die Akustomigration an den Streifenstrukturen wesentlich
verringert und in bestimmten Fällen praktisch völlig
vermieden wird. Dieser Vorteil wird insbesondere durch den
für die Streifenstrukturen verwendeten Werkstoff erzielt,
aber auch durch die Art und Weise der mechanischen Kopplung
der Streifenstrukturen mit dem piezoelektrischen Material und
deren Umhüllung, die von den erfindungsgemäß vorgesehenen
Barriere- und/oder Schutzschichten gebildet werden. Die
Erfindung ist bei akustischen Oberflächenwellenbauelementen
für alle dort verwendeten metallischen Streifenstrukturen
vorteilhaft anwendbar, insbesondere bei Wandlerstrukturen und
Reflektorstreifen.
Nachstehend ist die Erfindung anhand von
Ausführungsbeispielen und den in den zugehörigen Zeichnungen
enthaltenen Fig. 1 bis 7 näher erläutert. In den Figuren
ist dabei jeweils nur das für die Erläuterung der Erfindung
wesentliche Teilstück der erfindungsgemäßen Bauelemente
dargestellt.
In den Fig. 1 bis 3 ist einer der Streifen 1 von einer
Streifenstruktur ersichtlich, die auf einem piezoelektrischen
Material 2 abgeschieden worden ist. Die Streifenstruktur
besteht aus Kupfer mit einem Zusatz von 1,0 Atom-% Ag. Das
piezoelektrische Material kann beispielsweise aus
einkristallinem LiNbO3, LiTO3, SiO2, La3Ga5SiO14, Li2B4O7,
GaPO4, ZnO oder AlN bestehen. Die Oberseite des Streifens 1
und in den Fig. 2 und 3 auch die Seitenkanten des
Streifens 1 sind mit einer Diffusionsbarriereschicht 8 aus
TaN bedeckt, die insbesondere eine O2- und Cu-Diffusion
verhindert. Bei der Anordnung gemäß Fig. 3 ist zwischen dem
Streifen 1 und dem piezoelektrischen Material 2 noch eine
Haftvermittlerschicht 9 aus Ta vorhanden, die gleichzeitig
auch als Diffusionsbarriereschicht 8 fungiert. Bei der
Darstellung gemäß Fig. 4 ist der Streifen 1 in den in das
piezoelektrische Material 2 eingearbeiteten Graben 3
eingelassen und allseitig mit einer
Diffusionsbarriereschicht 8 umgeben.
Bei der Anordnung gemäß Fig. 5 befindet sich der Streifen 1
in einem in ein nichtpiezoelektrisches Substrat 4
eingearbeiteten Graben 5. An seiner Oberseite ist der
Streifen 1 mit dem piezoelektrischen Material 2 verbunden.
Bei den Anordnungen gemäß der Fig. 6 und 7 sind jeweils
zwei Streifen 1 einer Streifenstruktur dargestellt. Die
Streifen 1 sind hier hinsichtlich ihrer Höhe nur teilweise in
Gräben 5 eingelassen, die in ein nichtpiezoelektrisches
Substrat 4 eingearbeitet sind. Bei der Anordnung gemäß Fig. 6
sind die Streifen 1 an ihrer Oberseite mit einer Platte 6 aus
piezoelektrischem Material 2 verbunden. Bei der Anordnung
gemäß Fig. 7 sind die aus dem nichtpiezoelektrischen Substrat
herausragenden Flächen der Streifen 1 mit einer Schicht 7 aus
piezoelektrischem Material 2 überschichtet.
Das nichtpiezoelektrisches Substrat 4 besteht bei den
Anordnungen gemäß der Fig. 5 bis 7 aus einem
Halbleitermaterial und zwar aus Si. Im übrigen wurden die
gleichen Materialien wie zu den Fig. 1 bis 4 genannt
verwendet.
Das Aufbringen der Cu-, Diffusionsbarriere- und
Haftvermittler- und Schutzschichten erfolgt zweckmäßigerweise
mit den bekannten Verfahren der Dünnschichttechnik,
beispielsweise durch Magnetronsputtern oder auch durch MO-
CVD, durch Elektronenstrahlverdampfen oder durch
Elektroplating.
Die erfindungsgemäßen Streifenstrukturen können auf jedem der
kommerziellen piezoelektrischen oder nichtpiezoelektrischen
Substrate aufgebracht werden, und zwar als aufliegende oder
teilweise oder vollständig in Gräben befindliche
Streifenstrukturen. Dabei können die aus der Mikroelektronik
bekannten Strukturierungsverfahren, beispielsweise die Lift
off-Technik oder Ätzverfahren, eingesetzt werden.
Claims (17)
1. Akustisches Oberflächenwellenbauelement, bei dem auf
einem piezoelektrischen Material metallische
Streifenstrukturen aus Cu aufgebracht sind, dadurch
gekennzeichnet, dass die metallischen Streifenstrukturen
ein polykristallines und/oder nanokristallines Gefüge
aufweisen oder/und im amorphen Zustand vorliegen und aus
einem Cu-Basiswerkstoff mit einer Beimengung von 0 Atom-%
bis maximal 10 Atom-% eines oder mehrerer anderer
metallischer Elemente, einer Legierung und/oder einer
Verbindung bestehen, und dass die Streifenstrukturen mit
einer oder mehreren Diffusionsbarriereschichten
beschichtet oder umgeben sind.
2. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass auf den
Diffusionsbarriereschichten eine Haftvermittlerschicht
und/oder eine Schutzschicht vorhanden ist.
3. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsbarriere
schichten als Schutzschicht und/oder als
Haftvermittlerschicht ausgeführt sind.
4. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die beigemengten Elemente
aus der Gruppe Ag, Ta, W, Si, Zr, Cr und Ti ausgewählt
sind.
5. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Streifenstrukturen aus
einer Cu-Basislegierung mit 50 Atom-ppm bis
5,0 Atom-% Ag, vorzugsweise mit 100 Atom-ppm bis 2,0
Atom-% Ag bestehen.
6. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die beigemengte Legierung
aus zwei oder mehreren Elementen der Gruppe Ag, Ta, W,
Si, Zr, Cr und Ti besteht.
7. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Streifenstrukturen mit
SiO2, Si3N4, CrO2 und/oder Al2O3 beschichtet oder umgeben
sind.
8. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Streifenstrukturen auf
dem piezoelektrischen Material aufliegen oder in Gräben
des piezoelektrischen Materials hinsichtlich der
Streifenhöhe vollständig oder teilweise eingelassen
angeordnet sind.
9. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Streifenstrukturen auf
einem nichtpiezoelektrischen Substrat aufliegen oder in
Gräben eines nichtpiezoelektrischen Substrats
hinsichtlich der Streifenhöhe vollständig oder teilweise
eingelassen angeordnet sind, wobei die teilweise oder
vollständig eingelassenen Streifenstrukturen entweder an
ihrer Oberseite mit einer piezoelektrischen Platte
verbunden sind oder an ihrer Oberseite und teilweise an
ihren Seitenflächen mit einer piezoelektrischen Schicht
bedeckt sind.
10. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, dass das nichtpiezoelektrische
Substrat aus einem Isolatormaterial oder einem
Halbleitermaterial besteht, insbesondere aus Diamant,
Si, GaAs oder Ge oder Verbindungen von Si oder Ge.
11. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die Streifenstrukturen als
Monoschicht oder als Multilagenschicht ausgeführt Sind.
12. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch
11, dadurch gekennzeichnet, dass in der
Multilagenschicht benachbarte Schichten zueinander aus
unterschiedlichen Werkstoffen bestehen.
13. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach einem der
Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass
zwischen den Streifenstrukturen und dem
nichtpiezoelektrischen Substrat und/oder zwischen den
Lagen der Multilagenschicht und/oder zwischen den
Streifenstrukturen und dem piezoelektrischen Material
eine Diffusionsbarriere- und/oder Haftvermittlerschicht
angeordnet ist.
14. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch
13, dadurch gekennzeichnet, dass die
Diffusionsbarriereschicht aus Ta, Ti, W, Ag, Au, Al oder
deren Oxiden oder Nitriden oder Flouriden oder aus
Multischichten von diesen Materialien besteht.
15. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch
13, dadurch gekennzeichnet, dass die
Haftvermittlerschicht aus Cr, Ti, W, Ta, Si oder deren
Verbindungen besteht.
16. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass im Falle der Ausführung der
Streifenstrukturen mit nanokristallinem Gefüge die
Korngrößen überwiegend < 50 nm sind.
17. Akustisches Oberflächenwellenbauelement nach einem der
Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die
Streifenstrukturen aus einer Cu-Basislegierung der
Zusammensetzung Cu(100-x)Agx bestehen, wobei x auf einen
Wert im Bereich von 59 bis 62, insbesondere auf den Wert
von 60,1 eingestellt ist, bei dem der eutektische Punkt
der Legierung liegt.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE10216559B4 (de) * | 2002-04-09 | 2007-08-09 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Akustisches Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10302633B4 (de) * | 2003-01-23 | 2013-08-22 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit verbessertem Temperaturgang |
| DE10236003B4 (de) * | 2002-08-06 | 2013-12-24 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit leistungsverträglicher Elektrodenstruktur |
| DE112012000503B4 (de) * | 2011-01-19 | 2017-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellen-Bauelement |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4064208B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-03-19 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| WO2005083881A1 (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
| EP1867980A4 (de) * | 2005-04-06 | 2014-03-05 | Murata Manufacturing Co | Oberflächenwellensensorvorrichtung |
| JP4279271B2 (ja) | 2005-06-01 | 2009-06-17 | アルプス電気株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| US7373838B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-05-20 | Honeywell International Inc. | Acoustic wave flow sensor for high-condensation applications |
| CN100435482C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-11-19 | 哈尔滨工业大学 | 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底的制备方法 |
| ATE445156T1 (de) * | 2006-04-20 | 2009-10-15 | Capital Formation Inc | Beschichtung für raue umgebungen und sensoren unter verwendung derselben |
| KR100889044B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2009-03-19 | 주식회사 엠디티 | 표면탄성파 센서 |
| DE102009021508B4 (de) * | 2009-05-15 | 2014-05-22 | Epcos Ag | Elektrode mit verbesserter Leistungsfestigkeit |
| JP5378927B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2013-12-25 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスの製造方法 |
| CN101986563B (zh) * | 2010-10-18 | 2013-08-28 | 华为技术有限公司 | 声表面滤波器及其制造方法 |
| US8723392B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Saw filter having planar barrier layer and method of making |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1188478A (en) * | 1982-07-15 | 1985-06-11 | Peter E.F. Krause | Integral corrosion resistant manifold |
| JPS62272610A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-26 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP3252865B2 (ja) * | 1992-09-11 | 2002-02-04 | 住友電気工業株式会社 | 表面弾性波素子および表面弾性波素子の製造方法 |
| US5856198A (en) * | 1994-12-28 | 1999-01-05 | Extraction Systems, Inc. | Performance monitoring of gas-phase air filters |
| JP3524188B2 (ja) * | 1995-01-23 | 2004-05-10 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスおよびその製造方法 |
| JPH09199976A (ja) | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子電極 |
| JPH11509971A (ja) | 1996-05-23 | 1999-08-31 | コーニンクレッカ、フイリップス、エレクトロニクス、エヌ．ヴィ． | 回路装置 |
| DE19758195C2 (de) * | 1997-12-30 | 2000-05-18 | Siemens Ag | Oberflächenwellen- (SAW-)Bauelement auf insbesondere Lithiumtantalat- oder -niobat-Substrat |
| US6297580B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof and mobile communication equipment using it |
| JP3712035B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
| JP3411908B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2003-06-03 | ティーディーケイ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
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2002
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10216559B4 (de) * | 2002-04-09 | 2007-08-09 | Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. | Akustisches Oberflächenwellenbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10236003B4 (de) * | 2002-08-06 | 2013-12-24 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit leistungsverträglicher Elektrodenstruktur |
| DE10302633B4 (de) * | 2003-01-23 | 2013-08-22 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit verbessertem Temperaturgang |
| DE112012000503B4 (de) * | 2011-01-19 | 2017-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellen-Bauelement |
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