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Die Erfindung betrifft eine vertikale Hallsensorstruktur.
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Aus der
DE 10 2011 107 767 A1 ist eine Hallsensorstruktur aus mehreren, in Serie verschalteten Hallsensorelementen bekannt. Jedes Hallsensorelement umfasst drei n-Halbleiterkontaktgebiete in einem n-Wannengebiet, wobei zwischen den n-Halbleiterkontaktgebieten jeweils ein Isolationsgebiet, z.B. aus einer hochdotierten p
+-Diffusion, angeordnet ist. Eine gattungsgemäße Hallsensorstruktur ist aus der
US 4 929 993 A bekannt.
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Aus der
US 4 700 211 A ist ein bipolarer Magnetotransistor-Magnetfeldsensor bekannt, wobei ein Emitter der Transistorstruktur mit der als Wanne ausgebildeten Basis kurzgeschlossen ist.
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Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.
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Die Aufgabe wird durch eine Hallsensorstruktur mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, ihren Betrieb gemäß Anspruch 18 sowie den vertikalen Hallsensor nach Anspruch 19 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
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Gemäß dem Gegenstand der Erfindung wird eine vertikale Hallsensorstruktur bereitgestellt, aufweisend eine Substratschicht mit einer auf oder in der Substratschicht ausgebildeten Halbelitergebiet.
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Das Halbleitergebiet weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf und ist von der Substratschicht mittels einer dielektrischen Schicht oder mittels eines p/n Übergangs elektrisch isoliert.
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Des Weiteren sind mindestens ein erstes, ein zweites und ein drittes sich jeweils von einer Oberseite des Halbleitergebiets in das Halbleitergebiet hinein erstreckende Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps und mindestens ein erstes Halbleiterkontaktgebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen.
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Die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps sind jeweils zueinander beabstandet.
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Auf jedem Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ist eine metallische Anschlusskontaktschicht angeordnet.
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Ferner ist mindestens ein erstes in das Halbleitergebiet hinein erstreckendes Halbleiterkontaktgebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps (HK2) vorgesehen, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps an das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps angrenzt oder zu dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps (HK1) einen Abstand von höchstens 0,2 µm aufweist.
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Das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ist mit dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps elektrisch leitfähig verbunden.
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Es versteht sich, dass der erste Leitfähigkeitstyp n und der zweite leitfähigkeitstyp p ist oder dass der erste Leitfähigkeitstyp p und der zweite Leitfähigkeitstyp n ist.
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Es sei angemerkt, dass mit dem Ausdruck „elektrisch leitfähig verbunden“ vorliegend einen elektrischen Kurzschluss zwischen dem Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps mit dem Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps bezeichnet wird.
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Untersuchungen haben gezeigt, dass insbesondere während des Einschaltens des Sensors, insbesondere mit einem geringen Betriebsstrom des Hallsensors, d.h. bei Strömen im Bereich von 10 µA bis 100 mA, eine temporäre Verarmung von Minoritäten vermieden wird.
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Insbesondere wenn die Minoritäten eine hohe effektive Masse wie beispielsweise Löcher in einer n-Wanne und hierdurch eine geringe Beweglichkeit im Vergleich zu den Majoritäten aufweisen, lässt sich durch die vorliegende aneinanderlegende Anordnung von Halbleiterkontaktgebieten mit unterschiedlichen Leitfähigkeitstypen die Einschaltzeit wesentlich reduzieren.
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Ein Vorteil ist also, dass durch das mindestens eine Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps bei geringen Strömen, z.B. während des Einschaltens des Sensors, Minoritätsladungsträger bereitgestellt werden, wodurch sich die transienten Eigenschaften des Hallsensors verbessern. Gerade unmittelbar nach dem Einschalten ist aufgrund eines Mangels an Minoritätsladungsträgern bei einem üblichen Hallsensor ein Drift der Messwerte zu beobachten, bevor diese nach einigen Sekunden einen stabilen belastbaren Wert erreichen. Dieser Drift wird durch das erfindungsgemäße Design unterdrückt bzw. vermieden.
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Anders ausgedrückt, es lässt sich mittels der erfindungsgemäßen Ausbildung des Halbleiterkontaktgebiets des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Stabilität der Messwerte unmittelbar nach dem Einschalten sicherstellen.
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Ein weiterer Vorteil ist, dass sich eine Schwellspannungsimplantation in dem Bereich der Halbleitergebiets vermeiden lässt und sich das Einschaltverhalten auch bei niedrigen Dotierungen des Halbleitergebiets im Bereich kleiner als 8·1015 1/cm3 verbessern lässt, wodurch eine hohe Sensitivität der Hallsensorstruktur erreicht wird. Es wird also ein höchst sensitiver Hallsensor mit verbessertem Einschaltverhalten bereitgestellt.
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Gemäß einer ersten Ausführungsform weist das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich auf, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich angeordnet ist, an den ersten Bereich und an den zweiten Bereich angrenzt oder einen Abstand von höchstens 0,2 µm aufweist. Das Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähig-keitstyps teilt quasi das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps und ist mit diesem kurzgeschlossen.
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In einer weiteren Ausführungsform umfasst die Hallsensorstruktur ein zweites Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps an eine erste Seitenfläche des ersten Halbleiterkontaktgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps angrenzt oder zu der ersten Seitenfläche einen Abstand von höchstens 0,2 µm aufweist und das zweite Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps an eine der ersten Seitenfläche gegenüberliegende zweite Seitenfläche des ersten Halbleiterkontaktgebiets des erste Leitfähigkeitstyps angrenzen oder zu der zweiten Seitenfläche einen Abstand von höchstens 0,2 µm aufweist. Die beiden Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps rahmen also quasi das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps ein.
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Gemäß einer anderen Ausführungsform weisen die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps und die Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps jeweils eine rechteckige Oberseite auf.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps entlang einer Geraden angeordnet, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der Geraden mittig zwischen den weiteren Halbleiterkontaktgebieten des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist. Eine mittige Anordnung des ersten Halbleiterkontaktgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps mit dem daran möglichst angrenzenden Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps sorgt für ein schnelles und gleichzeitig symmetrisches nachliefern von Minoritätsladungsträgern.
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In einer Weiterbildung weist die Hallsensorstruktur mindestens ein zusätzliches Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei sich das zusätzlich Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps entlang eines Rands der Oberseite des Halbleitergebiets von der Oberseite in das Halbleitergebiet hinein erstreckt und zu den Halbleiterkontaktgebieten des ersten Leitfähigkeitstyps jeweils einen Abstand aufweist.
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Das zusätzliche Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps erstreckt sich gemäß einer Weiterbildung entlang mindestens 50% oder entlang mindestens 75% oder entlang mindestens 90% eines Umfangs des Halbleitergebiets oder eines aktiven Bereich des Halbleitergebiets. Beispielsweise umschließt das zusätzliche Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps einen die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps umfassenden Bereich vollständig.
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In einer Weiterbildung ist das zusätzliche Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps auf ein Bezugspotential geklemmt ist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Hallsensorstruktur eine dielektrische Isolationsschicht auf, wobei die Isolationsschicht ein Oxid umfasst, die Oberseite der Substratschicht sowie die Oberseite des Halbleitergebiets bedeckt und die Isolationsschicht eine Dicke von mindestens 1 nm oder eine Dicke in einem Bereich zwischen 3nm und 30 nm aufweist.
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Gemäß einer ersten alternativen Weiterbildung erstreckt sich das Halbleitergebiet wannenförmig von einer Oberseite der Substratschicht in die Substratschicht hinein, wobei in einer Weiterbildung die Hallsensorstruktur eine Polysiliziumschicht aufweist und die Polysiliziumschicht einen Teil einer Oberseite der Isolationsschicht bedeckt und die Polysiliziumschicht eine Dicke von 0,1 - 0,8 µm oder von 0,4 - 0,6 µm aufweist. In einer anderen Weiterbildung weist die Polysiliziumschicht einen Abstand von mindestens 0,2 µm oder von mindestens 0,4 µm zu jedem ersten Halbleiterkontaktgebiet auf.
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Es versteht sich, dass in dieser Ausführungsform die Oberseite des wannenförmigen Halbleitergebiets sowie die Oberseite der Halbleiterkontaktgebiete mit der Oberseite der Substratschicht zusammenfallen und vorzugsweise eine plane Ebene bilden.
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Die Polysiliziumschicht bildet das Gate-Poly aus und ist in einer Weiterbildung silizidiert, um eine zuverlässige elektrische Wirkverbindung herstellen zu können. Vorzugsweise ist die Polysiliziumschicht auf ein Bezugspotential geklemmt. Vorzugsweise ist das Bezugspotential als Massepotential ausgebildet.
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In einer Weiterbildung erstreckt sich ein zusätzliches Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps in einem Grenzbereich zwischen der Substratschicht und dem wannenförmigen Halbleitergebiet von der Oberseite der Substratschicht und der Oberseite des Halbleitergebiets in die Substratschicht und das Halbleitergebiet hinein. Das zusätzliche Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps weist somit einen mit der Substratschicht überlappenden ersten Bereich und einen mit dem Halbleitergebiet überlappenden zweiten Bereich auf.
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Der zweite Bereich weist vorteilhafterweise eine Breite von mindestens 0,05 µm oder eine Breite von 1-2 µm auf, da schon ein relativ geringer Überlapp mit dem Halbleitergebiet ausreicht, um ein stabiles, zeitunabhängiges Arbeiten der Hallsensorstruktur unmittelbar nach dem Einschalten sicherzustellen.
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In einer anderen alternativen Weiterbildung weist das Substrat vorzugsweise aus Silizium eine ganzflächige Oxidschicht auf, wobei das Halbleitergebiet stoffschlüssig mit einer Oberseite der Oxidschicht verbunden ist.
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Die Hallsensorstruktur weist mindestens einen sich von der Oberseite des Halbleitergebiets bis zu der ganzflächigen Oxidschicht erstreckenden Graben auf.
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Der Graben umschließt das Halbleitergebiets. Hierdurch bildet sich eine Halbleiterbox aus. Die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps sowie das mindestens eine Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps sind jeweils in dem Boxbereich des Halbleitergebiets angeordnet.
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In einer weiteren Weiterbildung ist der Graben mit einem Polysilizium gefüllt und/oder von dem Halbleitergebiet ausgebildete Seitenwände des Grabens sind mit einer zweiten dielektrischen Isolationsschicht beschichtet sind und die zweite dielektrische Isolationsschicht eine Dicke zwischen 3 nm und 30 nm aufweist.
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Es versteht sich, dass das Substrat mit dem Halbleitergebiet eine sogenannte SOI-Struktur ausbildet. Hierbei sind die Substratschicht und das Halbleitergebiet jeweils aus Silizium und die Oxidschicht als Siliziumdioxidschicht ausgebildet.
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Es versteht sich weiterhin, dass das Halbleitergebiet mittels umlaufender Gräben in einzelne Teilgebiete unterteilt ist. Indem die Gräben von der Oberfläche des Halbleitergebiets bis auf die Oxidschicht reichen sind die einzelnen Teilgebiete voneinander elektrisch isoliert. Die einzelnen Teilgebiete lassen sich als Boxbereiche bezeichnen.
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Es sei angemerkt, dass die Oxidschicht ganzflächig auf der Siliziumscheibe ausgebildet ist. Hierdurch ist die Oxidschicht vergraben und auch als buriedoxide bezeichnet.
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Des Weiteren versteht es sich, dass der von dem auch als Trench oder deep Trench bezeichneten Graben umgebene Boxbereich des Halbleitergebiets das aktive Gebiet des Bauelements ausbildet. Anders ausgedrückt, der Graben isoliert das aktive Gebiet, also den Boxbereich, von dem restlichen Halbleitergebiet, z.B. einem benachbarten aktiven Gebiet.
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Es versteht sich, dass die Gräben mit Ausnahme der Seitenwände mit dotiertem Polysilizium gefüllt sind. Vorzugsweise ist das dotierte Polysilizium der Gräben mit einem Bezugspotential vorzugsweise mit einem Massepotential verbunden. Hierdurch wird, insbesondere bei einem schnellen Wechsel des elektrischen Potentials zwischen den Boxen ein Übersprechen zwischen den Boxbereichen unterdrückt.
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Ein Vorteil ist, dass mittels des mindestens einen Halbleiterkontaktgebiets des zweiten Leitfähigkeitstyps Minoritätsladungsträger in dem Boxbereich bereitgestellt werden.
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In einer Weiterbildung erstreckt sich ein zusätzliches Hableiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps entlang des Grabens oder zumindest entlang eines Teils des Grabens von einer Oberseite des Boxbereichs in den Boxbereich hinein.
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Gemäß einer anderen Ausführungsform weisen die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps und/oder die Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps jeweils eine Dotierstoffkonzentration von 5·1018 1/cm3 auf und/oder das Halbleitergebiet eine Dotierstoffkonzentration von 5·1014 - 5·1016 1/cm3 auf.
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In einer weiteren Ausführungsform sind wenigstens die sich zwischen den Halbleiterkontaktgebieten des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckende Bereiche des Halbleitergebiets oder das gesamte Halbleitergebiet schwellspannungsimplantationsfrei sind.
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In einer Weitebildung ist die Hallsensorstruktur monolithisch ausgebildet. Vorzugsweise sind die Halbleitergebiete aus Silizium ausgebildet oder umfassen Silizium. In einer anderen Ausführungsform umfasst die Hallsensorstruktur zumindest einen Teil eines vertikalen Hallsensors.
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Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellten Ausführungsformen sind stark schematisiert, d.h. die Abstände und die laterale und die vertikale Erstreckung sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben, auch keine ableitbaren geometrischen Relationen zueinander auf. Darin zeigen, die
- 1 eine Aufsicht auf eine erste erfindungsgemäßen Ausführungsform einer Hallsensorstruktur,
- 2 einen Querschnitt einer erfindungsgemäßen Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 3 einen Querschnitt einer erfindungsgemäßen Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 4 eine Aufsicht auf eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 5 eine Aufsicht auf eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 6 einen Querschnitt einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 7 eine Aufsicht auf eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 8 einen Querschnitt einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform der Hallsensorstruktur,
- 9 eine Aufsicht auf eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform der Hallsensorstruktur.
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Die Abbildung der 1 zeigt eine Aufsicht auf eine erste erfindungsgemäße Ausführungsform einer Hallsensorstruktur HAL aufweisend eine Substratschicht SUB und Halbleitergebiet HG eines ersten Leitfähigkeitstyps und drei in dem Halbleitergebiet HG ausgebildete Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps HK1. Das Halbleitergebiet HG ist rechteckig ausgebildet. Vorliegend ist das Halbleitergebiet als n-Wanne in einen p-Substrat ausgebildet. Das Substrat besteht oder umfasst Silizium.
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Die drei Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps sind jeweils zueinander beabstandet nebeneinander angeordnet, wobei das mittig angeordnete erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 einen ersten Bereich B1 und einen zweiten Bereich B2 aufweist und zwischen dem ersten Bereich B1 und dem zweiten Bereich B2 ein erstes Halbleiterkontaktgebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 angeordnet ist.
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Das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 grenzt sowohl an den ersten Bereich B1 als auch an den zweiten Bereich B2 des ersten Halbleiterkontaktgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 an.
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Auf jedem Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 ist jeweils eine metallische Anschlusskontaktschicht K1 angeordnet, wobei sich die auf dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 angeordnete Anschlusskontaktschicht K1 über den ersten Bereich B1, das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 und den zweiten Bereich B2 erstreckt, so dass das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 mit dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 elektrisch leitfähig verbunden ist.
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In der Abbildung der 2 ist ein Querschnitt entlang der Linie A-A der 1 dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Abbildung der 1 erläutert.
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Das Halbleitergebiet HG erstreckt sich von einer Oberseite der Substratschicht SUB wannenförmig in die Substratschicht SUB hinein. Des Weiteren sind die Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 sowie das erste Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 von einer Oberseite jeweils in das Halbleitergebiets HG hinein ausgebildet.
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In der Abbildung der 3 ist ein Querschnitt entsprechend einem Schnitt entlang der Linie B-B der 1 dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu den Abbildungen der 1 und 2 erläutert.
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Die metallischen Anschlusskontaktschichten K1 sind jeweils flächig auf den Halbleiterkontaktschichten des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 und dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 ausgebildet.
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Die Oberseite der Substratschicht SUB sowie die Oberseite des Halbleitergebiets HG sind jeweils mit einer ersten dielektrischen Isolationsschicht ISO1 beschichtet.
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Auf einer Oberseite der ersten Isolationsschicht ISO1 ist eine Polysiliziumschicht POL angeordnet, wobei die Polysiliziumschicht zu den Halbleiterkontaktgebieten des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 und dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 jeweils einen Abstand aufweist und der Abstand mit einer zweiten Isolationsschicht ISO2 gefüllt ist.
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In der Abbildung der 4 ist eine Aufsicht auf eine weitere Ausführungsform der Hallsensorstruktur HAL dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Abbildung der 1 erläutert.
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Die Hallsensorstruktur HAL weist fünf Halbleiterkontaktgebiete des erste Leitfähigkeitstyps HK1 auf, wobei das erste Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 mit dem angrenzenden ersten Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 wieder mittig angeordnet ist.
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In der Abbildung der 5 ist eine Aufsicht auf eine weitere Ausführungsform der Hallsensorstruktur HAL dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Abbildung der 1 erläutert.
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Die Hallsensorstruktur HAL weist zwei Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2 auf, wobei die beiden Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps an zwei einander gegenüberliegenden Seiten des mittig angeordneten ersten Halbleiterkontaktgebiets des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 angrenzend angeordnet sind.
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Die auf dem ersten Halbleiterkontaktgebiet des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 angeordnete metallische Anschlusskontaktschicht erstreckt sich auch über die beiden angrenzenden Halbleiterkontaktgebiete des zweiten Leitfähigkeitstyps HK2.
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In den Abbildungen der 6 und 7 sind ein Querschnitt sowie eine Aufsicht einer weiteren Ausführungsform der Hallsensorstruktur HAL dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu den Abbildungen der vorangegangenen Figuren erläutert.
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Die Substratschicht SUB umfasst eine auf einer Oberseite der Substratschicht SUB ausgebildete Oxidschicht ISO3. Das Halbleitergebiet HG ist stoffschlüssig mit einer Oberseite der Oxidschicht ISO 3 verbunden, wobei ein sich von einer Oberseite des Halbleitergebiet HG bis zu der Oxidschicht ISO3 erstreckender Graben T einen Boxbereich AB des Halbleitergebiets HG umschließt.
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Eine Seitenwand des Grabens T ist mit einer dielektrischen Isolationsschicht ISO2 beschichtet, außerdem ist der Graben T mit einem Polysilizium POL1 gefüllt.
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Die drei Halbleiterkontaktgebiete des ersten Leitfähigkeitstyps HK1 sowie das mindestens eine Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps erstrecken sich von einer Oberseite des Boxbereichs AB in den Boxbereich AB des Halbleitergebiets HG hinein. Die Oberseite des Boxbereichs AB ist mit einer dielektrischen Isolationsschicht ISO1 beschichtet.
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In den Abbildungen der 8 und 9 sind ein Querschnitt und eine Aufsicht einer weiteren Ausführungsform der Hallsensorstruktur HAL dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu den Abbildungen der 1 und 2 erläutert.
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Die Hallsensorstruktur HAL weist ein weiteres Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK3 auf, wobei das weitere Halbleiterkontaktgebiet HK3 das wannenförmige Halbleitergebiet HG umschließt bzw. sich entlang einer Grenze zwischen einer Seitenwand des wannenförmigen Halbleitergebiets HG und der Substratschicht SUB von der Oberseite der Substratschicht und der Oberseite des Halbleitergebiets HG in die Substratschicht SUB und das Halbleitergebiet HG hinein erstreckt, so dass sich insbesondere ein Überlappender Bereich Ü mit dem Halbleitergebiet HG ergibt. Außerdem ist das weitere Halbleiterkontaktgebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps HK3 zu allen Halbleiterkontaktgebieten des ersten Leitfähigkeitstyps beabstandet.
