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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Detektieren der Position eines Bündelpunkts eines Laserstrahls.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Ein Wafer, an dem mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs), Largescale-Integrations (LSIs) oder dergleichen durch geplante Teilungslinien aufgeteilt sind, wird in einzelne Bauelementchips durch eine Laserbearbeitungsvorrichtung aufgeteilt. Die Bauelementchips werden in elektronischen Vorrichtungen wie Mobiltelefonen, einem Personalcomputer, einer Kommunikationsvorrichtung und dergleichen verwendet. Als die Laserbearbeitungsvorrichtung existiert eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die ein Haltemittel zum Halten eines Wafers beinhaltet und den Wafer mit einem Laserstrahl bestrahlt, während der Bündelpunkt des Laserstrahls, der eine Wellenlänge aufweist, die durch den Wafer laufen kann, der durch das Haltemittel gehalten ist, in einer geplanten Teilungslinie positioniert ist, und eine modifizierte Schicht als ein Startpunkt einer Teilung wird entlang der geplanten Teilungslinie ausgebildet, sodass der Wafer in einzelne Bauelementchips geteilt werden kann (siehe zum Beispiel das
japanische Patent Nr. 3408805 ).
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Es existiert auch eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahl positioniert, der eine Wellenlänge aufweist, die durch einen Wafer an einer geplanten Teilungslinie absorbiert werden kann, und die geplante Teilungslinie mit dem Laserstrahl bestrahlt und folglich eine Teilungsnut entlang der geplanten Teilungslinie durch Ablation ausbildet (siehe zum Beispiel die
japanische Offenlegungsschrift Nr. 1998-305420 ).
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Ferner existiert eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahl, der eine Wellenlänge aufweist, die dazu in der Lage ist, durch einen Wafer zu laufen, an einer geplanten Teilungslinie positioniert, und folglich entlang der geplanten Teilungslinie mehrere Abschirmtunnel ausbildet, die durch mehrere feine Löcher, die sich von einer oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche ausstrecken, und einer amorphen Substanz, die jedes feine Loch umgibt, ausgebildet sind (siehe zum Beispiel die
japanische Offenlegungsschrift Nr. 2014-221483 ).
US 2013 / 0 203 239 A1 betrifft ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen.
JP 2000 - 249 901 A betrifft eine Fokusdetektionseinheit.
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DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Die Laserbearbeitungsvorrichtung, die eine modifizierte Schicht als ein Startpunkt einer Teilungslinie entlang einer geplanten Teilungslinie ausgebildet hat insbesondere die folgenden Probleme.
- (1) Der Bündelpunkt, der durch einen Kondensor gebündelt wird, muss geeignet in dem Wafer positioniert sein. Die Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor gebündelt wird, wird angepasst, sodass dieser mit einer Position zusammenfällt, an welchem eine Fotomaske an der oberen Oberfläche des Wafers projiziert ist, nachdem diese koaxial mit der optischen Achse des Kondensors geführt wurde. Es wird angenommen, dass die Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor gebündelt wird, an der oberen Oberfläche des Wafers positioniert ist, wenn die Fotomaske klar an der oberen Oberfläche des Wafers projiziert ist. Jedoch existiert ein Fehler von ungefähr ein paar Mikrometern zwischen der Projektionsposition der Maske und der Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor gebündelt ist.
- (2) Um den oben beschriebenen Fehler anzupassen, wird eine modifizierte Schicht in einem Blindwafer ausgebildet, in dem der Bündelpunkt des Kondensors in dem Wafer mit der Maske als eine Referenz positioniert wird und ein Laserstrahl aufgebracht wird. Die modifizierte Schicht wird danach durch Teilen eines Bereichs freigelegt, in welchem die modifizierte Schicht ausgebildet ist. Eine Länge von der oberen Oberfläche des Wafers zu der modifizierten Schicht wird gemessen. Der Fehler der Position des Bündelpunkts, wenn die Maske als die Referenz gesetzt ist, wird dadurch detektiert und als ein Korrekturwert gesetzt. Jedoch braucht die tatsächliche Messung viel Zeit, was in einer geringen Produktivität resultiert. Das oben beschriebene Problem kann auch in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die eine Teilungsnut ausbildet, und der Laserbearbeitungsvorrichtung auftreten, die einen Abschirmtunnel ausbildet.
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Entsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Detektionsverfahren für eine Position eines Bündelpunkts bereitzustellen, das die Position in einer optischen Achsrichtung des Bündelpunkts eines Kondensors akkurat und einfach messen kann.
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In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Detektionsverfahren für eine Position eines Bündelpunkts zum Detektieren einer Position eines Bündelpunkts in einer optischen Achsrichtung eines Laserstrahls, der durch einen Kondensor einer Laserbearbeitungsvorrichtung gebündelt wird, bereitgestellt, wobei das Detektionsverfahren für eine Position eines Bündelpunkts beinhaltet: einen Vorbereitungsschritt für eine Maske zum Vorbereiten einer Maske, die einen Schlitzabschnitt, der sich in einer radialen Richtung des Laserstrahls, der durch einen Oszillator oszilliert wird, erstreckt und einen Teil des Laserstrahls beugt, und einen Ausbildungsabschnitt für einen Bündelpunkt beinhaltet, der einen Teil des Laserstrahls, der den Bündelpunkt ausbildet, führt; einen Vorbereitungsschritt für ein Substrat zum Vorbereiten eines Substrats in welchem eine Bestrahlungsmarkierung in einem Bereich ausgebildet werden soll, der mit dem Laserstrahl bestrahlt wird; einen Halteschritt für ein Substrat, in dem ein Einspanntisch dazu gebracht wird, das Substrat zu halten; einen Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung zum Ausbilden mehrerer Bestrahlungsmarkierungen in dem Substrat durch Bestrahlen des Substrats, das an dem Einspanntisch gehalten ist, mit dem Laserstrahl, während der Kondensor in der Richtung der optischen Achse bezüglich des Substrats bewegt wird; und einen Detektionsschritt für eine Position eines Bündelpunkts zum Detektieren einer Bestrahlungsmarkierung, die eine geeignete Form aufweist, aus den mehreren Bestrahlungsmarkierungen, die in dem Substrat ausgebildet sind, und Detektieren der Position des Bündelpunkts, der die geeignete Bestrahlungsmarkierung ausbildet, als eine Position eines genauen Bündelpunkts, wobei in dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung, wenn der Laserstrahl aufgebracht wird, während ein Bündelpunkt, der in dem Kondensor gesetzt ist, an einer oberen Oberfläche des Substrats positioniert ist, ein Teil des Laserstrahls, der den Schlitzabschnitt erreicht, der in der Maske ausgebildet ist, halbzylindrisch mit dem Schlitzabschnitt als eine Achse gebeugt wird, durch den Kondensator in einer Längsrichtung des Schlitzabschnitts gebündelt wird und nicht durch den Kondensors in einer lateralen Richtung des Schlitzabschnitts gebündelt wird und eine gerade Bestrahlungsmarkierung orthogonal dem Schlitzabschnitt ausbildet, und ein Teil des Laserstrahls, der den Ausbildungsabschnitt für einen Bündelpunkt, der in der Maske ausgebildet ist, erreicht, durch den Kondensors gebündelt wird und eine kreisförmige Bestrahlungsmarkierung ausbildet, und, wenn mehrere Bestrahlungsmarkierungen durch Bewegen des Kondensors in einer positiven optischen Achsrichtung und einer negativen optischen Achsrichtung von dem Bündelpunkt, der in dem Kondensor gesetzt ist, ausgebildet sind, die mehreren Bestrahlungsmarkierungen so ausgebildet sind, dass die gerade Bestrahlungsmarkierung sich in einer Weise eines Bild-für-Bild-Vorschubs von einer Kante zu einer anderen Kante der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung bewegt, und in dem Detektionsschritt für eine Position eines Bündelpunkts eine Bestrahlungsmarkierung, in welcher die gerade Bestrahlungsmarkierung die kreisförmige Bestrahlungsmarkierung in zwei gleiche Teile teilt, als die Bestrahlungsmarkierung detektiert wird, die eine geeignete Form aufweist.
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Vorzugsweise beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung ein Positionierungsmittel für einen Kondensor zum Projizieren einer Fotomaske, die eine Position des Bündelpunkts angibt, der in dem Kondensator gesetzt ist, an einer oberen Oberfläche eines Werkstücks, das durch das Haltemittel gehalten ist, und Positionieren des Bündelpunkts, der in dem Kondensor an der oberen Oberfläche des Werkstücks gesetzt ist, und in dem Detektionsschritt für eine Position eines Bündelpunkts ein Unterschied zwischen der detektierten Position des genauen Bündelpunkts des Kondensors und der angegebenen Position des Bündelpunkts, der durch die Fotomaske angegeben ist, erhalten wird und als ein Korrekturwert gesetzt ist. Vorzugsweise ist das Substrat, das in dem Vorbereitungsschritt für ein Substrat ausgebildet wird, eine Zinnfilmplatte, die durch Beschichten einer oberen Oberfläche einer Platte mit einem Zinnfilm ausgebildet ist, oder eine Zwei-Schichtplatte, die durch Beschichten einer oberen Oberfläche einer Platte mit einem Titanfilm und ferner Beschichten einer oberen Oberfläche des Titanfilms mit einem Zinnfilm ausgebildet ist. Vorzugsweise ist eine Schrittweite, mit welcher der Kondensator in der optischen Achse Richtung in dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung bewegt wird, 0,5-1,0 µm.
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Entsprechend der vorliegenden Erfindung kann die Position des Bündelpunkts des Laserstrahls in der optischen Achsrichtung, der durch den Kondensor der Laserbearbeitungsvorrichtung gebündelt wird, genau und einfach detektiert werden.
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Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
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- 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung;
- 2 ist ein Blockdiagramm eines Bestrahlungsmittels für einen Laserstrahl der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist;
- 3A ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers;
- 3B ist eine Schnittansicht des Wafers;
- 4A ist ein schematisches Diagramm, das einen Zustand zeigt, in welchem ein Laserstrahl, der durch einen Schlitzabschnitt einer Maske, die in 2 gezeigt ist, gelaufen ist, halbzylindrisch gebeugt wird;
- 4B ist eine Schnittansicht, die entlang einer Linie b-b von 4A gemacht wurde; und
- 5 ist ein schematisches Diagramm mehrerer kreisförmiger Bestrahlungsmarkierungen und mehrerer gerader Bestrahlungsmarkierungen, die in einem Substrat ausgebildet sind.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Eine Ausführungsform des Verfahrens für eine Position eines Bündelpunkts entsprechend der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Eine Laserbearbeitungsvorrichtung 2, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet: eine Basis 4; ein Haltemittel 6 zum Halten eines Werkstücks; ein Bestrahlungsmittel 8 für einen Laser zum Bestrahlen des Werkstücks, das in dem Haltemittel 6 gehalten ist, mit einem Laserstrahl; ein Zufuhrmittel 10 zum Bewegen des Haltemittels 6 und des Bestrahlungsmittels 8 für einen Laser relativ zueinander; ein Aufnahmemittel 12 zum bildlichen Aufnehmen des Werkstücks, das an dem Haltemittel 6 gehalten ist; und ein Anzeigemittel 14 zum Anzeigen eines Bilds, das durch das Aufnahmemittel 12 und dergleichen aufgenommen wurde.
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Wie in 1 gezeigt beinhaltet das Haltemittel 6: eine rechteckige X-Richtungs-Bewegungsplatte 16, die an der Basis 4 montiert ist, sodass sie in einer X Richtung bewegt werden kann; eine rechteckige Y-Richtungs- Bewegungsplatte 18, die an der X-Richtungs-Bewegungsplatte 16 montiert ist, sodass sie in einer Y Richtung bewegt werden kann; eine zylindrische Säule 20, die an einer oberen Oberfläche einer der Y-Richtungs- Bewegungsplatte 18 fixiert ist; und eine rechteckige Abdeckplatte 22, die an einem oberen Ende der Säule 20 fixiert ist. Ein längliches Loch 22a, dass sich in der Y Richtung erstreckt, ist in der Abdeckplatte 22 ausgebildet. Ein kreisförmiger Einspanntisch 24, der sich durch das längliche Loch 22a nach oben erstreckt, ist drehbar an dem oberen Ende der Säule 20 montiert. Eine kreisförmige Saugeinspannung 26, die aus einem porösen Material ausgebildet ist und sich im Wesentlichen horizontal erstreckt, ist an einer oberen Oberfläche des Einspanntischs 24 angeordnet. Die Saugeinspannung 26 ist mit einem Saugmittel (nicht gezeigt) durch einen Flussdurchgang verbunden. Der Einspanntisch 24 kann das Werkstück, das an einer oberen Oberfläche der Saugeinspannung 26 angesaugt und gehalten ist, durch Generieren einer Saugkraft an der oberen Oberfläche der Saugeinspannung 26 durch das Saugmittel angesaugt und gehalten werden. Zusätzlich sind mehrere Klemmen in Abständen in einer umfänglichen Richtung um die Umgebung des Einspanntischs 24 angeordnet. Im Übrigen ist die X Richtung eine Richtung, die durch einen Pfeil X in 1 angegeben ist, und die Y Richtung ist eine Richtung, die durch einen Pfeil Y in 1 angegeben und orthogonal zu der X Richtung ist. Eine Ebene, die durch die X Richtung und die Y Richtung definiert ist, ist im Wesentlichen horizontal.
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Im Folgenden wird mit Bezug zu 1 und 2 eine Beschreibung dargestellt. Das Bestrahlungsmittel 8 für einen Laser beinhaltet einen Rahmenkörper 30 (siehe 1), der sich nach oben von einer oberen Oberfläche der Basis 4 erstreckt und sich dann im Wesentlichen horizontal erstreckt; einen Laseroszillator 32 (siehe 2), der in dem Rahmenkörper 30 enthalten ist; einen Kondensor 34 (siehe 1 und 2), der an einer unteren Oberfläche eines Endes des Rahmenkörpers 30 angebracht ist; und eine Maske 36 (siehe 2), die in einem optischen Pfad zwischen dem Laseroszillator 32 in dem Kondensor 34 angeordnet ist. Der Laseroszillator 32 ist so ausgestaltet, dass er einen gepulsten Laserstrahl LB einer vorbestimmten Wellenlänge (zum Beispiel 1342 nm) oszilliert. Der Kondensor 34 weist eine Kondensorlinse (nicht gezeigt) zum Bündeln des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, und bestrahlen des Werkstücks, das durch den Einspanntisch 24 des Haltemittels 6 gehalten ist, mit dem gepulsten Laserstrahl LB auf. Die Maske 36, die aus einem rechteckigen Glassubstrat ausgebildet sein kann, ist abnehmbar an dem Rahmenkörper 30 angebracht. In der vorliegenden Ausführungsform, wie in einer Aufsicht der Maske 36 in einer Richtung einer optischen Achse der Maske 36 in 2 gezeigt, beinhaltet die Maske 36: einen Schlitzabschnitt 38, der sich in einer radialen Richtung des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, erstreckt und einen Teil des gepulsten Laserstrahls LB beugt; und einen Ausbildungsabschnitt 40 für einen ringförmigen Bündelpunkt der einen Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der einen Bündelpunkt ausbildet, durchlässt.
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Der Schlitzabschnitt 38 ist mit einer inneren umfänglichen Kante des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt gekoppelt.
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Ein Teil, der nicht der Schlitzabschnitt 38 und der Ausbildungsabschnitt 40 für einen Bündelpunkt in der Maske 36 ist, ist mit einem Licht abschirmenden Film 36a bedeckt, der den gepulsten Laserstrahl LB blockiert. Die Breite des Schlitzabschnitts 38 (Länge in einer Richtung orthogonal zu der radialen Richtung des gepulsten Laserstrahls LB) kann zum Beispiel ungefähr 40 µm sein. Der Schlitzabschnitt 38 in der vorliegenden Ausführungsform weist eine kürzere Länge in der radialen Richtung des gepulsten Laserstrahls LB als der innere Durchmesser des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt auf und ist zum Beispiel so ausgebildet, dass dieser ungefähr die Hälfte des inneren Durchmessers des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt aufweist. Der innere Durchmesser des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt kann ungefähr 3-4 mm sein. Der äußere Durchmesser des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt kann ungefähr 6 mm sein. D. h., dass der äußere Durchmesser des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt leicht kleiner als der Durchmesser des gepulsten Laserstrahls LB (zum Beispiel ungefähr φ7 mm), der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, (der durch einen Dämpfer 42 der vorliegenden Ausführungsform läuft) gesetzt ist. Zusätzlich in der vorliegenden Ausführungsform ist der Dämpfer 42, der die Leistung des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, anpasst zwischen dem Laseroszillator 32 und der Maske 36 angeordnet, und ein Spiegel 44, der den gepulsten Laserstrahl LB, der durch die Maske 36 gelaufen ist, reflektiert und den gepulsten Laserstrahl LB zu dem Kondensor 34 führt, ist zwischen der Maske 36 in dem Kondensor 34 angeordnet.
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In der vorliegenden Ausführungsform, wie in 2 gezeigt, beinhaltet das Bestrahlungsmittel 8 für einen Laser ein Positionierungsmittel 46 für einen Kondensor zum Projizieren einer Fotomaske, welche die Position des Bündelpunkts, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, auf eine obere Oberfläche des Werkstücks, das an dem Einspanntisch 24 des Haltemittels 6 gehalten ist, und Positionieren des Bündelpunkts, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche des Werkstücks. Das Positionierungsmittel 46 für einen Kondensor beinhaltet: eine weiße Lichtquelle 48; einen dichromatischen Spiegel 50, der das Licht der weißen Lichtquelle 48 reflektiert und das Licht der weißen Lichtquelle 48 zu dem Kondensor 34 führt; eine Kamera 52, die das zurückgestrahlt Licht, das durch Reflexion von dem Licht der weißen Lichtquelle 48, deren nicht auf den Kondensor 34 aufgebracht wird, ausgebildet ist, von dem Werkstück aufnimmt; ein Anhebe- und Absenkmittel 54 zum Anheben und Absenken des Kondensors 34 und ein Detektionsmittel 56 zum Detektieren der vertikalen Position des Kondensors 34. Der dichromatische Spiegel 50 ist dazu ausgestaltet, das Licht der weißen Lichtquelle 48 (das eine Wellenlänge von 400-800 nm zum Beispiel aufweist) zu reflektieren und das Licht der weißen Lichtquelle 48 zu dem Kondensor 34 zu führen und Licht, das andere Wellenlängen als die Wellenlänge des Lichts der weißen Lichtquelle 48 aufweist, zu transmittieren. Folglich, weil der gepulste Laserstrahl LB, der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, auf eine Wellenlänge (zum Beispiel 1342 nm), die sich von der Wellenlänge des Lichts der weißen Lichtquelle 48 unterscheidet, gesetzt ist, läuft der gepulste Laserstrahl LB durch den dichromatischen Spiegel 50 und tritt in den Kondensor 34 ein. Die Kamera 52 ist elektrisch mit dem Anzeigemittel 14 verbunden. Ein Signal eines Bilds, das durch die Kamera 52 aufgenommen wird, wird zu dem Anzeigemittel 14 ausgegeben.
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Das Anhebe- und Absenkmittel 54 beinhaltet eine Kugelrollspindel 58, die sich in einer vertikalen Richtung erstreckt, und einen Motor 60, der mit einem Endabschnitt der Kugelrollspindel 78 verbunden ist. Ein Mutterabschnitt 62 der Kugelrollspindel 58 ist an einer äußeren Oberfläche des Kondensors 34 fixiert. Das Anheben und Absenkmittel 54 wandelt eine Drehbewegung des Motors 60 in eine geradlinige Bewegung durch die Kugelrollspindel 58 und überträgt die geradlinige Bewegung zu dem Kondensor 34, wodurch der Kondensor 34 entlang der Führungsschienen (nicht dargestellt), die sich in der vertikalen Richtung erstrecken, angehoben und abgesenkt wird. Das Detektionsmittel 56 beinhaltet eine Skala 64, die entlang der vertikalen Richtung angeordnet ist, und einen Lesekopf 66, der mit dem Mutterabschnitt 62 der Kugelrollspindel 58 des Anhebe- und Absenkmittels 54 verbunden ist. Der Lesekopf 66, der mit dem Kondensor 34 verbunden sein kann, gibt Pulssignale eines Pulses in Abständen von 0,1 µm zum Beispiel aus. Die ausgegebenen Pulssignale werden durch einen Computer (nicht dargestellt) gezählt. Die vertikale Position des Kondensors 34 wird dadurch detektiert. Im Übrigen in einem Fall, in dem der Motor 60 des Anhebe- und Absenkmittels 54 ein Pulsmotor ist, kann die vertikale Position des Kondensors 34 auch durch Zählen der Antriebspulssignale, die von dem Motor 60 des Anhebe- und Absenkmittels 54 ausgegeben werden, detektiert werden. Zusätzlich in einem Fall, in dem der Motor 60 des Anhebe- und Absenkmittels 54 ein Servomotor ist, kann die vertikale Position des Kondensors 34 auch durch Zählen der Pulssignale detektiert werden, die durch einen Drehencoder (nicht gezeigt) ausgegeben werden, der die Drehgeschwindigkeit des Motors 60 des Anhebe- und Absenkmittels 54 detektiert.
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Jetzt wird mit der Beschreibung des Positionierungsmittels 46 für einen Kondensor mit Bezug zu 2 fortgefahren, eine Kondensorlinse 68, eine Fotomaske 70, eine Kollimatorlinse 72 und ein halb versilberter Spiegel 74 sind in dieser Reihenfolge von der Seite der weißen Lichtquelle 48 zwischen der weißen Lichtquelle 48 und dem dichromatischen Spiegel 50 angeordnet. Das Licht der weißen Lichtquelle 48 wird durch die Kondensorlinse 68 gebündelt und tritt in die Fotomaske 70 ein. Wie in einer Schnittansicht der Fotomaske 70 in 2 gezeigt ist, ist ein kreuzförmiger Abschnitt 70a, der das Licht der weißen Lichtquelle 48, das durch die Kondensorlinse 68 gebündelt wird, durchlässt, in der Fotomaske 70 in der vorliegenden Ausführungsform ausgebildet und ein Teil der Fotomaske 70, der nicht der kreuzförmige Abschnitt 70a ist, ist mit einem Licht abschirmenden Film 70b, der das Licht der weißen Lichtquelle 48 blockiert, bedeckt. Das Licht der weißen Lichtquelle 48, nachdem es durch den kreuzförmigen Abschnitt 70a der Fotomaske 70 gelaufen ist, wird in kollimiertes Licht durch die Kollimatorlinse 72 umgewandelt und tritt dann in den halb versilberten Spiegel 74 ein. Der halb versilberte Spiegel 74 ist so ausgestaltet, dass er die Hälfte des einfallenden Lichts transmittiert und die Hälfte des einfallenden Lichts reflektiert und den optischen Pfad konvertiert. Die Hälfte des Lichts der weißen Lichtquelle 48, deren Licht in den halb versilberten Spiegel 74 eintritt, wird durch den halb versilberten Spiegel 74 transmittiert und zu den dichromatischen Spiegel 50 geführt, als nächstes durch den dichromatischen Spiegel 50 reflektiert, zu dem optischen Pfad koaxial mit der optischen Achse des Kondensors 34 geführt und trifft dann auf dem Kondensor 34 auf.
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Wenn das Licht der weißen Lichtquelle 48 nach dem Eintreten in den Kondensor 34 durch den Kondensor 34 gebündelt und auf dem Werkstück aufgebracht wird, wird ein Muster 76, dass die gleiche Form wie die Form des kreuzförmigen Abschnitt 70a der Fotomaske 70 aufweist, auf dem Werkstück projiziert, weil das Licht der weißen Lichtquelle 48 durch den kreisförmigen Abschnitt 70a der Fotomaske 70 gelaufen ist. Das Licht der weißen Lichtquelle 48, nachdem es auf dem Werkstück aufgebracht wurde, wird durch das Werkstück reflektiert, läuft durch den Kondensor 34, wird als nächstes durch den dichromatischen Spiegel 50 reflektiert und zu dem halb versilberten Spiegel 74 geführt und wird ferner durch den halb versilberten Spiegel 74 reflektiert und zu der Kamera 52 geführt. Das Muster 76, das an dem Werkstück projiziert ist, wird dadurch durch die Kamera 52 aufgenommen. Das Muster 76, das durch die Kamera 52 aufgenommen wurde, wird durch das Anzeigemittel 14 angezeigt. Danach wird der Kondensor 34 geeignet durch das Anhebe- und Absenkmittel 54 angehoben oder abgesenkt. Wenn das Muster 76, das durch das Anzeigemittel 14 angezeigt wird, klar wird (d. h. wenn das Muster 76 klar an der oberen Oberfläche des Werkstücks projiziert ist) bedeutet das, dass der Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche des Werkstücks positioniert ist. Das Positionierungsmittel 46 für einen Kondensor kann folglich das Muster 76 des kreuzförmigen Abschnitts 70a der Fotomaske 70, das die Position des Bündelpunkts, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, angibt, auf die Oberfläche des Werkstücks, das an dem Einspanntisch 24 des Haltemittels 6 gehalten ist, projizieren und den Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche des Werkstücks positionieren.
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Als nächstes wird eine Beschreibung mit Bezug zu 1 durchgeführt. Das Zufuhrmittel 10 beinhaltet ein Bearbeitungszufuhrmittel 78 für eine Bearbeitungszufuhrrichtung des Haltemittels 6 in der X Richtung bezüglich des Bestrahlungsmittels 8 für einen Laserstrahl; ein Index-Zufuhrmittel 80 für eine Indexzufuhr des Haltemittels 6 in der Y Richtung bezüglich des Bestrahlungsmittels 8 für einen Laser; und ein Drehmittel (nicht gezeigt) zum Drehen des Einspanntischs 24 bezüglich der Säule 20. Das Bearbeitungszufuhrmittel 78 weist eine Kugelrollspindel 82, die sich in der X Richtung an der Basis 4 erstreckt, und einen Motor 84 auf, der mit einem Abschnitt der Kugelrollspindel 82 verbunden ist. Ein Mutterabschnitt (nicht gezeigt) der Kugelrollspindel 82 ist an der unteren Oberfläche der X-Richtungs-Bewegungsplatte 16 fixiert. Das Bearbeitungszufuhrmittel 78 wandelt eine Drehbewegung des Motors 84 in eine geradlinige Bewegung durch die Kugelrollspindel 82 und überträgt die geradlinige Bewegung auf die X-Richtungs-Bewegungsplatte 16, um die X-Richtungs-Bewegungsplatte 16 in der X Richtung entlang Führungsschienen 4a an der Basis 4 vorzuschieben oder zurückzuziehen. Der Einspanntisch 24 wird dadurch in der X Richtung, in Bearbeitungsrichtung, bezüglich des Kondensors 34 zugeführt. Das Index-Zufuhrmittel 80 weist eine Kugelrollspindel 86 auf, die sich in der Y Richtung an der X-Richtungs-Bewegungsplatte 16 erstreckt, und einen Motor 88, der mit einem Abschnitt der Kugelrollspindel 86 verbunden ist. Ein Mutterabschnitt (nicht gezeigt) der Kugelrollspindel 86 ist an der unteren Oberfläche der Y-Richtungs-Bewegungsplatte 18 fixiert. Das Index-Zufuhrmittel 80 wandelt eine Drehbewegung des Motors 88 in eine geradlinige Bewegung durch die Kugelrollspindel 86 um und überträgt die geradlinige Bewegung zu der Y-Richtungs-Bewegungsplatte 18, um die Y-Richtungs-Bewegungsplatte 18 in der Y Richtung entlang Führungsschienen 16a an der X Richtung-Bewegungsplatte 16 vorzuschieben oder zurückzuziehen. Der Einspanntisch 24 wird dadurch in der Y Richtung bezüglich des Kondensors 34 in Index-Richtung zugeführt. Das Drehmittel weist einen Motor (nicht gezeigt), der in der Säule 20 enthalten ist, auf. Das Drehmittel dreht den Einspanntisch 24 bezüglich der Säule 20 um eine Achse, die sich in der vertikalen Richtung erstreckt.
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Das Aufnahmemittel 12 zum Detektieren eines Bereichs, der in dem Werkstück bearbeitet werden soll, und Aufnehmen eines Bilds zum Durchführen einer Ausrichtung zwischen dem Kondensor 34 des Bestrahlungsmittels 8 für einen Laser und dem Werkstück ist an der unteren Oberfläche des Endes des Rahmenkörpers 30 so angebracht, dass es von dem Kondensor 34 in der X Richtung, wie in 1 gezeigt, beabstandet ist. Zusätzlich ist das Anzeigemittel 14 zum wählbaren Anzeigen des Bilds, das durch das Aufnahmemittel 12 aufgenommen ist, und des Bilds, das durch die Kamera 52 des Positionierungsmittels 46 für einen Kondensor aufgenommen ist, an einer oberen Oberfläche des Endes des Rahmenkörpers 30 montiert.
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Wenn die Position in der optischen Achsrichtung des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 gebündelt ist, wie oben beschrieben detektiert wird, wird zuerst ein Vorbereitungsschritt für eine Maske durchgeführt, der eine Maske, die einen Schlitzabschnitt, der sich in der radialen Richtung des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Laseroszillator 32 oszilliert wird, erstreckt und einen Teil des Laserstrahls LB beugt, und einen Ausbildungsabschnitt für einen Bündelpunkt, der einen Teil des gepulsten Laserstrahls LB bündelt und einen Bündelpunkt ausbildet, beinhaltet, vorbereitet. Die Maske, die in dem Vorbereitungsschritt für eine Maske vorbereitet wird, kann die Maske 36, die oben beschrieben ist sein oder kann ein räumlicher Lichtphasenmodulator sein, der aus einem Flüssigkristall (LCOS-SLM, der durch Hamamatsu Photonics K. K. zum Beispiel hergestellt ist) sein. Danach wird die vorbereitete Maske in dem optischen Pfad des gepulsten Laserstrahls LB zwischen dem Oszillator 32 und dem Kondensor 34 (zwischen dem Dämpfer 42 und dem Spiegel 44 in der vorliegenden Ausführungsform) platziert.
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Zusätzlich wird ein Vorbereitungsschritt für ein Substrat durchgeführt, der ein Substrat vorbereitet, in welchem eine Bestrahlungsmarkierung in einem Bereich, der mit dem Laserstrahl bestrahlt werden soll, ausgebildet wird. Der Vorbereitungsschritt für ein Substrat kann vor dem Vorbereitungsschritt für eine Maske oder nach dem Vorbereitungsschritt für eine Maske oder parallel mit dem Vorbereitungsschritt für eine Maske ausgeführt werden. Wie in 3A und 3B gezeigt, ist das Substrat, das in dem Vorbereitungsschritt für ein Substrat vorbereitet wird, zum Beispiel eine geeignete Zwei-Schichtplatte 96, die durch Beschichten einer oberen Oberfläche einer Platte 90, die durch eine kreisförmige Glasplatte, die eine Dicke von ungefähr 2 mm aufweist, ausgebildet ist, mit einem Titanfilm (Ti) 92 und ferner Beschichten einer oberen Oberfläche des Titanfilms 92 mit einem Zinnfilm (Sn) 94 ausgebildet werden kann. Der Titanfilm 92 und der Zinnfilm 94 können jeweils eine Dicke von ungefähr 50 nm aufweisen. Wenn die Zinnfilmseite 94 der Zwei-Schichtplatte 96 mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, wird der Zinnfilm 94 in einem Bereich, der mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, aufgeschmolzen, wodurch eine Bestrahlungsmarkierung ausgebildet wird. Zusätzlich, wenn die obere Oberfläche des Titanfilms 92 mit dem Zinnfilm 94 beschichtet ist, wird der Titanfilm 92 zu dem Zeitpunkt des Schmelzens des Zinnfilms 94 und des Ausbildens der Bestrahlungsmarkierung durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl freigelegt und die Bestrahlungsmarkierung kann relativ einfach aufgrund des moderaten Kontrasts zwischen dem Zinnfilm 94 um die Bestrahlungsmarkierung und dem freigelegten Titanfilm 92 erkannt werden. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine untere Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 an einem haftvermittelndes Band 100 angebracht, dessen umfängliche Kante an einem ringförmigen Rahmen 98 fixiert ist. Im Übrigen, kann das Substrat, das in dem Vorbereitungsschritt für ein Substrat vorbereitet werden soll, eine Zinnfilmplatte sein, die durch Beschichten einer Oberfläche einer Platte, die aus einer kreisförmigen Glasplatte ausgebildet sein kann, die eine Dicke von ungefähr 2 mm aufweist, mit einem Zinnfilm, der eine Dicke von ungefähr 50 nm aufweist, ausgebildet sein.
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Nachdem der Vorbereitungsschritt für ein Substrat durchgeführt wurde, wird ein Halteschritt für ein Substrat durchgeführt, der das Haltemittel 6 dazu bringt, das Substrat zu halten. In dem Halteschritt für ein Substrat in der vorliegenden Ausführungsform wird zunächst die Zwei-Schichtplatte 96 an der oberen Oberfläche des Einspanntischs 24 mit einer oberen Oberfläche (der Zinnfilmseite 94) der Zwei-Schichtplatte 96 nach oben gerichtet platziert. Als nächstes wird eine Saugkraft an der oberen Oberfläche der Saugeinspannung 26 durch Betätigen des Saugmittels, das mit der Saugeinspannung 26 verbunden ist, angelegt, sodass die untere Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 an dem Einspanntisch 24 anhaftet. Zusätzlich ist ein äußerer umfänglicher Kantenabschnitt des ringförmigen Rahmens 98 durch die mehreren Klemmen 28 fixiert. Das Haltemittel 6 ist so dazu gebracht, die Zwei-Schichtplatte 96 zu halten.
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Nachdem der Halteschritt für ein Substrat durchgeführt wurde, wird ein Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt, welcher mehrere Bestrahlungsmarkierungen in dem Substrat durch Aufbringen des Laserstrahls ausbildet, während der Kondensor 34 in der optischen Achsrichtung bezüglich des Substrats, das durch das Haltemittel 6 gehalten ist, bewegt wird. In dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung wird zuerst die Zwei-Schichtplatte 96 unterhalb des Kondensors 34 durch Bewegen des Einspanntischs 24 durch das Zufuhrmittel 10 positioniert. Als nächstes wird der Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 durch das Positionierungsmittel 46 für einen Kondensor positioniert. Als nächstes wird der Kondensor 34 durch das Anhebe- und Absenkmittel 54 zu einer Seite der optischen Achsrichtung um eine geeignete Distanz von dem Zustand, in welchem der Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, bewegt. Als nächstes wird eine Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt, die mehrere Bestrahlungsmarkierungen in der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 in Abständen in der X Richtung durch Bestrahlen der Zwei-Schichtplatte 96 mit dem gepulsten Laserstrahl LB von dem Kondensor 34 ausbildet, während der Einspanntisch 24 in der X Richtung bezüglich des Kondensors 34 durch das Bearbeitungszufuhrmittel 78 mit einer geeigneten Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit in Bearbeitungsrichtung zugeführt wird.
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Der gepulste Laserstrahl LB, der durch den Laseroszillator 32 in der Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung oszilliert wird, wird durch den Dämpfer 42 auf eine geeignete Leistung bei solch einem Level angepasst, bei dem dieser geeignet ist, Bestrahlungsmarkierungen in der Zwei-Schichtplatte 96 auszubilden. Der gepulste Laserstrahl LB läuft dann durch die Maske 36 und wird durch den Spiegel 44 reflektiert, sodass der optische Pfad des gepulsten Laserstrahls LB konvertiert wird. Der gepulste Laserstrahl LB läuft dann durch den dichromatischen Spiegel 50 und wird danach durch den Kondensor 34 gebündelt und wird auf der Zwei Schichtplatte 96 aufgebracht. Hier wird der gepulste Laserstrahl LB detailliert beschrieben, der durch die Maske 36 gelaufen ist, wobei zunächst ein Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der den ringförmigen Ausbildungsabschnitt 40 für einen Bündelpunkt erreicht, der in der Maske 36 ausgebildet ist, durch den Kondensor 34 gebündelt wird und darum eine kreisförmige Bestrahlungsmarkierung 102 (siehe 5) ausbildet, wenn an der Zwei-Schichtplatte 96 aufgebracht. Andererseits, wie in 4A und 4B gezeigt, wird ein Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der den Schlitzabschnitt 38 erreicht, der in der Maske 36 ausgebildet ist, eine Kreiswelle und wird halbzylindrisch mit einer Längsrichtung des Schlitzabschnitts 38 als eine Achse gebeugt.
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Darum wird der Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Schlitzabschnitt 38 gelaufen ist, eine Kreiswelle und diffundiert in einer lateralen Richtung S des Schlitzabschnitts 38 und wird folglich nicht durch den Kondensor 34 in der lateralen Richtung des Schlitzabschnitts 38 gebündelt, während der Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der nicht durch den Schlitzabschnitt 38 gelaufen ist, nicht in der Längsrichtung L des Schlitzabschnitts 38 betroffen ist (keine Kreiswelle wird und nicht diffundiert) und folglich durch den Kondensor 34 in der Längsrichtung L des Schlitzabschnitts 38 kondensiert wird. Folglich bildet der Teil des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Schlitzabschnitt 38 gelaufen ist, eine gerade Bestrahlungsmarkierung 104 aus (siehe 5), die sich in einer Richtung orthogonal zu der Längsrichtung L des Schlitzabschnitts 38 (d. h. der lateralen Richtung S des Schlitzabschnitts 38) erstreckt, wenn auf der Zwei-Schichtplatte 96 aufgebracht.
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Nachdem die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung in dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, führt das Index-Zufuhrmittel 80 den Einspanntisch 24 zu einer Seite in der Y Richtung bezüglich des Kondensors 34 und der Kondensor 34 wird zu einer anderen Seite in der optischen Achsrichtung bewegt. Danach werden kreisförmige Bestrahlungsmarkierungen 102 und gerade Bestrahlungsmarkierungen 104 unter mehreren Zuständen durch Bewegen des Kondensors 34 zu der anderen Seite in der optischen Achsrichtung mit einem geeigneten Abstand in der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 in Abständen in der Y Richtung durch abwechselndes Wiederholen der Index-Zufuhr zu der einen Seite in der Y Richtung und der Bewegung des Kondensors zu der anderen Seite in der optischen Achsrichtung und der Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung ausgebildet. Der Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung kann unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen zum Beispiel durchgeführt werden.
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Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls: 1342 nm Wiederholungsfrequenz: 60 kHz durchschnittliche Leistung 0,1-0,3 W Bearbeitungs-Zufuhrgeschwindigkeit: 600 mm/s
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Wenn die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung in dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wird, weil ein Fehler von ungefähr einigen Mikrometern zwischen dem Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, und einem genauen Bündelpunkt, der durch den Kondensor 34 gebündelt wird, auftritt, reicht es aus, den Kondensor 34 zu der einen Seite in der optischen Achsrichtung um einen vorbestimmten Abstand (zum Beispiel 10 µm) leicht größer als den Fehler von dem Zustand zu bewegen, in welchem der Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist. Zusätzlich, wenn der Kondensor 34 zu der anderen Seite in der optischen Achsrichtung, nachdem die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, bewegt wurde, reicht es aus, den Kondensor 34 um einen Abstand (zum Beispiel 20 µm) ungefähr zweimal in den vorbestimmten Schritten von 0,5-1,0 µm zu bewegen.
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In dem Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung, wenn mehrere Bestrahlungsmarkierungen ausgebildet werden, während der Kondensor 34 in einer positiven optischen Achsrichtung und eine negative optischen Achsrichtung von dem Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, bewegt wird, werden die mehreren Bestrahlungsmarkierungen so ausgebildet, dass eine gerade Bestrahlungsmarkierung 104 in einer Weise eines Bilds von einer Kante zu der anderen Kante der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 wandert. Insbesondere mit Bezug zu 5 wird eine Beschreibung der Beziehung des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 gebündelt wird, der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung 102 und der geraden Bestrahlungsmarkierung 104 durchgeführt. 5 zeigt beides einen Fall, in dem die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, nachdem der Kondensor 34 in der negativen optischen Achsrichtung (Richtung, die durch ein „-“ in Fig. zwei angegeben ist) um 10 µm von dem Zustand, in welchem der Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, bewegt wurde, und einem Fall, in dem die Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung nach dem der Einspanntisch 24 in der Index-Zufuhrrichtung in der Y Richtung um 1,0 mm zugeführt wurde und der Kondensor 34 in der positiven optischen Achsrichtung (Richtung, die durch „+“ in 2 angegeben ist) um einen Mikrometer von dem Zustand, in welchem die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, bewegt wurde. Zusätzlich zeigt 5, dass kreisförmige Bestrahlungsmarkierungen 102 und gerade Bestrahlungsmarkierungen 104 in der Zwei-Schichtplatte 96 in Abständen von 10 µm in der X Richtung angeordnet sind, wenn der Einspanntisch 24 in der X Richtung bei einer Wiederholungsfrequenz von 60 kHz und einer Bearbeitungs-Zufuhrgeschwindigkeit von 600 mm/s bewegt wird.
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Ferner zeigt 5 kreisförmige Bestrahlungsmarkierungen 102 und gerade Bestrahlungsmarkierungen 104, wenn entlang der Y Richtung betrachtet, in einer willkürlichen Position der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 und geraden Bestrahlungsmarkierungen 104 in der X Richtung, die in der Zwei-Schichtplatte 96 durch Durchführen der Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt werden, während der Einspanntisch 94 in der Y Richtung um 1 mm zugeführt wird und der Kondensor 34 in der positiven optischen Achsrichtung um 1 µm von dem Zustand, in welchem die erste Ausbildungsbearbeitung für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, bewegt wird. Eine kreisförmige Bestrahlungsmarkierung 102 ist in einem zentralen Teil mit einer relativ hohen Energie in dem Bündelpunkt ausgebildet und sie ist nicht in einem umgebenden Teil mit relativ geringer Energie des Bündelpunkts ausgebildet. Folglich fällt das Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 mit dem Zentrum des Bündelpunkts zusammen und der Durchmesser der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 ist kleiner als der Durchmesser des Bündelpunkts. Jedoch weicht der Durchmesser der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 kaum zwischen einem Fall, in dem der Bündelpunkt an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 platziert ist, und einem Fall, in dem der Bündelpunkt leicht oberhalb der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 oder leicht unterhalb der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, ab. Darum, wenn nur die kreisförmige Bestrahlungsmarkierungen 102 ausgebildet sind, ist es schwierig zu bestimmen, ob der Bündelpunkt an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist oder nicht.
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Andererseits läuft eine gerade Bestrahlungsmarkierung 104 durch den Schlitzabschnitt 38 dessen Länge in der radialen Richtung des gepulsten Laserstrahls LB kürzer als der innere Durchmesser des Ausbildungsabschnitts 40 für einen Bündelpunkt ist. Folglich, wenn der Bündelpunkt an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, ist die gerade Bestrahlungsmarkierungen 104 an einer Position ausgebildet, die durch das Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 läuft (d. h. das Zentrum des Bündelpunkts), wohingegen, wenn der Bündelpunkt nicht an der Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, ist die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 an einer Position getrennt von dem Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 ausgebildet. Während der Bündelpunkt sich von der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 entfernt, erhöht sich der Abstand zwischen Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung 102 und der geraden Bestrahlungsmarkierungen 104. Zum Beispiel, wie in 5 gezeigt, ist die vertikale Position des Kondensors 34, wenn der Bündelpunkt in dem Kondensor 34 gesetzt ist, an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 durch das Positionierungsmittel 46 für einen Kondensor als eine Referenz gesetzt und die lineare Bestrahlungsmarkierung 104, die in der Zwei Schichtplatte 96 ausgebildet ist, läuft durch das Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung 102, wenn der Kondensor 34 in der negativen optischen Achsrichtung 4 µm bewegt ist. Folglich ist die Position um 4 µm in der negativen optischen Achsrichtung von dem Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, verschoben ist, eine genaue Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 gebündelt ist.
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Wie mit Bezug zu 5 verstanden ist, wenn die genaue Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 gebündelt ist, oberhalb der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, ist die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 an einer Position ausgebildet, die zu einer Seite (rechte Seite in 5) von dem Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen abweicht. Wenn die genaue Position des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 gebündelt ist, unterhalb der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist, ist die Bestrahlungsmarkierung 104 an einer Position ausgebildet, die zu einer anderen Seite (linken Seite in 5) von dem Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 abweicht. Zusätzlich, während der Bündelpunkt sich von der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 entfernt, wird der Abstand zwischen Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung 102 und der geraden Bestrahlungsmarkierung 104 vergrößert. Wenn der Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung so ausgeführt wird, werden mehrere Bestrahlungsmarkierungen ausgebildet, sodass die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 sich in einer Weise eines bildweisen Vorschubs von einer Kante zu der anderen Kante der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierungen 102 bewegt, wie in 5 gezeigt.
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Nachdem der Ausbildungsschritt für eine Bestrahlungsmarkierung durchgeführt wurde, wird ein Detektionsschritt für eine Position eines Bündelpunkts durchgeführt, der eine Bestrahlungsmarkierungen detektiert, die eine geeignete Form aufweist, aus den mehreren Bestrahlungsmarkierungen, die in dem Substrat ausgebildet sind, und der die Position des Bündelpunkts, der die geeignete Bestrahlungsmarkierung ausbildet, als die Position eines genauen Bündelpunkts detektiert. Wie oben beschrieben, läuft die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 durch das Zentrum der kreisförmigen Bestrahlungsmarkierung 102, wenn der Bündelpunkt an der oberen Oberfläche der Zwei-Schichtplatte 96 positioniert ist. Folglich in dem Detektionsschritt für eine Position eines Bündelpunkts wird eine Bestrahlungsmarkierung, in welcher die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 die kreisförmige Bestrahlungsmarkierung 102 in zwei gleiche Teile teilt, als die Bestrahlungsmarkierungen detektiert, die eine geeignete Form aufweist. In der vorliegenden Ausführungsform, wie in 5 gezeigt, teilt die gerade Bestrahlungsmarkierung 104 die kreisförmige Bestrahlungsmarkierung 102 in zwei gleiche Teilen an der Position, die um 4 µm in der negativen optischen Achsrichtung von dem Bündelpunkt, der in dem Kondensor 34 gesetzt ist, verschoben ist. Diese Position wird darum als die Position in der optischen Achsrichtung des genauen Bündelpunkts detektiert. Wie oben beschrieben kann die vorliegende Ausführungsform die Position in der optischen Achsrichtung des Bündelpunkts, der durch den Kondensor 34 gebündelt wird, akkurat und einfach detektieren. Im Übrigen, wenn die Laserbearbeitung unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 durchgeführt wird, wird ein Unterschied (4 µm in der vorliegenden Ausführungsform) zwischen der detektierten Achsposition des genauen Bündelpunkt des Kondensors 34 und der Position des Bündelpunkts, dessen Position durch projizieren des Musters 76 des kreuzförmigen Abschnitts 70a der Fotomaske 70 an die obere Oberfläche des Substrats erhalten ist, als Korrekturwert verwendet. Darum kann der Bündelpunkt, der durch den Kondensor 34 gebündelt wird, an einer geeigneten Position entsprechend der Laserbearbeitung positioniert werden.
