DE102018130170A1 - Wärmebeständiges leistungsmodulsubstrat, wärmebeständiger beschichtungsfilm und beschichtungslösung - Google Patents

Wärmebeständiges leistungsmodulsubstrat, wärmebeständiger beschichtungsfilm und beschichtungslösung Download PDF

Info

Publication number
DE102018130170A1
DE102018130170A1 DE102018130170.7A DE102018130170A DE102018130170A1 DE 102018130170 A1 DE102018130170 A1 DE 102018130170A1 DE 102018130170 A DE102018130170 A DE 102018130170A DE 102018130170 A1 DE102018130170 A1 DE 102018130170A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
coating film
heat
coating
resistant
power module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102018130170.7A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102018130170B4 (de
Inventor
Seigo Kurosaka
Yukinori Oda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Uemera Kogyo Co Ltd
C Uyemura and Co Ltd
Original Assignee
Uemera Kogyo Co Ltd
C Uyemura and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Uemera Kogyo Co Ltd, C Uyemura and Co Ltd filed Critical Uemera Kogyo Co Ltd
Publication of DE102018130170A1 publication Critical patent/DE102018130170A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102018130170B4 publication Critical patent/DE102018130170B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48Coating with alloys
    • C23C18/50Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/072Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Der Zweck der vorliegenden Erfindung besteht darin, in wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat, einen wärmebeständigen Beschichtungsfilm und eine Beschichtungslösung vorzusehen, die imstande sind, ein Auftreten eines Risses in einem Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird. Ein wärmbeständiges Leistungsmodulsubstrat zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, umfasst zumindest: ein Basismaterial, das aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid besteht; eine Schaltung, die aus Kupfer oder Aluminium besteht und auf dem Basismaterial direkt oder über ein Hartlötmaterial ausgebildet ist; und einen auf einer Oberfläche der Schaltung ausgebildeten Beschichtungsfilm, wobei der Beschichtungsfilm ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung ist und ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat zum Montieren eines große Wärme erzeugenden Leistungs-Halbleiters, einen wärmbeständigen Beschichtungsfilm und eine Beschichtungslösung. Die vorliegende Anmeldung beansprucht Priorität basierend auf der am 22. Dezember 2017 in Japan eingereichten japanischen Patentanmeldung Nr. 2017-246931 , die durch Verweis hierin einbezogen ist.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • In der Vergangenheit wurde in einem Leistungsmodulsubstrat häufig ein Si-Halbleiterchip verwendet, und entsprechend einer Sicherstellung der Leistungsfähigkeit des Halbleiterchips wurde er unter einer Bedingung, dass eine höchste Betriebstemperatur etwa 150°C beträgt, verwendet.
  • Um eine Korrosionsbeständigkeit einer Leiterschaltung zu verbessern, wurde in dem Leistungsmodulsubstrat eine Nickel-Phosphor-Beschichtung oder dergleichen, die imstande ist, die Betriebstemperatur auszuhalten, verwendet.
  • Beispielsweise ist in Patentliteratur 1 ein Film einer chemischen bzw. stromlosen Nickel-Phosphor-Beschichtung offenbart, der auf ein herkömmlicherweise verwendetes Harzsubstrat, ein Keramiksubstrat oder dergleichen abzielt und zumindest eine aus Eisen, Wolfram, Molybdän und Chrom ausgewählte Komponente aufweist, die an einem Lötstellenbereich in einer Leiterschaltung aufgebracht wird, um eine hohe Lötstellenfestigkeit zu erzielen.
  • Außerdem wird in Patentliteratur 2 ein Verfahren offenbart, um ein zu beschichtendes Objekt wie etwa eine Keramik oder Aluminium mittels stromlos aufgebrachten Nickel-Bors zu beschichten, das ohne eine Hochtemperaturbehandlung eine hohe Härte erreichen kann.
    • Patentliteratur 1: JP 2002-256444 A
    • Patentliteratur 2: JP 3146065 B
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Im Allgemeinen besteht ein Leistungsmodul aus einem Leistungs-Halbleiter, einem Leistungsmodulsubstrat (isolierenden Substrat) und einem Kühler. Der Leistungs-Halbleiter weist zur Zeit einer Operation eine große Wärmemenge auf, während er eine hohe Spannung oder einen hohen Strom steuert. Herkömmlicherweise wird eine momentane Spannung gesteuert, um einen Temperaturanstieg des Leistungs-Halbleiters selbst zu steuern, und wird durch den Kühler und das den Leistungs-Halbleiter montierende Leistungsmodulsubstrat auch eine Wärmedissipation gefördert, und sie wurde so gesteuert, dass eine Betriebstemperatur des Leistungs-Halbleiters nicht erhöht wird. Auf der anderen Seite weist ein Halbleiterchip einer nächsten Generation wie etwa SiC oder GaN einen hohe Wärmebeständigkeit auf, und eine Operation des Chips selbst ist möglich, selbst wenn in einem Moment eine Wärmeerzeugung bis zum Ausmaß von maximal 300°C auftritt. Daher ist für ein ganzes Modul eine herkömmliche Kühlfähigkeit nicht notwendig, und es ist möglich, den Kühler und anderes zu verkleinern, so dass man eine Verkleinerung eines ganzen Moduls erwarten kann. Auf der anderen Seite ist ein Bondingmaterial wie etwa ein Lötmetall zwischen dem Leistungsmodulsubstrat und dem Leistungs-Halbleiter vorhanden; aber eine höhere Wärmebeständigkeit als eine herkömmliche Wärmbeständigkeit wird auch für das Leistungsmodulsubstrat gefordert. In vielen Fällen wird zum Zweck einer Verbesserung einer Korrosionsbeständigkeit und Bonding-Zuverlässigkeit aufgebracht. In einer herkömmlichen Nickel-Phosphor-Beschichtung eine Nickel-Phosphor-Beschichtung auf eine Oberfläche einer Verdrahtung des Leistungsmodulsubstrats bestand ein Problem, dass in einem Beschichtungsfilm ein Riss auftritt, wenn in einem Temperaturzyklustest (worauf im Folgenden als TCT verwiesen wird), der ein Auswertungstest einer Wärmebeständigkeit ist, eine Niedertemperatur-Seite auf -50°C eingestellt wird und wenn eine Hochtemperatur-Seite auf 200°C oder höher eingestellt wird.
  • Der Zweck der vorliegenden Erfindung besteht hier darin, ein wärmbeständiges Leistungsmodulsubstrat, einen wärmebeständigen Beschichtungsfilm und eine Beschichtungslösung vorzusehen, um ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn bei den obigen Temperaturen ein TCT durchgeführt wird.
  • Ein wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, welches zumindest umfasst: ein Basismaterial, das aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid besteht; eine Schaltung, die aus Kupfer oder Aluminium besteht und auf dem Basismaterial direkt oder über ein Hartlötmaterial ausgebildet ist; und einen auf einer Oberfläche der Schaltung ausgebildeten Beschichtungsfilm, wobei der Beschichtungsfilm ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung ist und ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt.
  • Auf diese Weise ist es möglich, ein wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat vorzusehen, das imstande ist, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird.
  • Zu dieser Zeit kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 0,01 bis 2,0 Gew.-% betragen.
  • Auf diese Weise ist es möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm noch mehr zu verhindern.
  • Außerdem kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 11 bis 13 Gew.-% betragen.
  • Auf diese Weise ist es möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm noch mehr zu verhindern.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ferner ein wärmebeständiger Beschichtungsfilm, der auf einer Oberfläche einer Schaltung eines Leistungsmodulsubstrats zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters gebildet werden soll, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, wobei ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 0,01 bis 2,0 Gew.-% beträgt, ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt und der Beschichtungsfilm stromlos aufgebrachtes Nickel-Phosphor-Molybdän ist.
  • Auf diese Weise ist es möglich, den wärmebeständigen Beschichtungsfilm vorzusehen, der imstande ist, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird.
  • Außerdem kann in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 11 bis 13 Gew.-% betragen.
  • Auf diese Weise ist es möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm noch mehr zu verhindern.
  • Darüber hinaus ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Lösung für eine stromlose Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung, um einen wärmebeständigen Beschichtungsfilm auf einer Oberfläche einer Schaltung eines Leistungsmodulsubstrats zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters auszubilden, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, wobei sie zumindest enthält: Nickelsalz; dessen Komplexbildner; Hypophosphit als Reduktionsmittel; und Molybdat, wobei eine Konzentration von Hypophosphit 12 bis 37 g/l als H2PO2-Ion beträgt und eine Konzentration von Molybdat 0,004 bis 0,8 g/l als Mo-Ion beträgt.
  • Auf diese Weise ist es möglich, die Beschichtungslösung vorzusehen, die imstande ist, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird.
  • Wie oben erläutert wurde, ist es gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat, den wärmebeständigen Beschichtungsfilm und die Beschichtungslösung vorzusehen, die imstande sind, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Schnittansicht, die eine schematische Struktur eines wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrats in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail erläutert. Darüber hinaus werden die im Folgenden erläuterten Ausführungsformen den Inhalt der in den Ansprüchen beschriebenen vorliegenden Erfindung nicht ungerechtfertigt einschränken, und es besteht keine Beschränkung dahingehend, dass alle in den Ausführungsformen erläuterten Strukturen als Mittel zum Lösen des Problems der vorliegenden Erfindung notwendig sind. Ein wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat, ein wärmebeständiger Beschichtungsfilms und eine Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden Reihenfolge erläutert.
    1. 1. Wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat
      • 1-1. Basismaterial
      • 1-2. Schaltung
    2. 2. Wärmebeständiger Beschichtungsfilm
    3. 3. Beschichtungslösung
  • [Wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat]
  • Ein wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat 100 in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Substrat zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der große Wärme bis maximal 300°C erzeugt. Und wie in 1 veranschaulicht ist, weist das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat 100 in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf: ein Basismaterial 10, das aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid besteht; eine Schaltung 20, die aus Kupfer oder Aluminium besteht und auf dem Basismaterial direkt oder über ein Hartlötmaterial ausgebildet ist; und einen auf einer Oberfläche der Schaltung ausgebildeten Beschichtungsfilm 30. Im Folgenden wird dies im Detail erläutert.
  • [Basismaterial]
  • Das Basismaterial 10, das für das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat 100 in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, besteht aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid.
  • Darüber hinaus besteht das Basismaterial 10, das für das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat 100 in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid, so dass es verglichen mit anderen keramischen Materialien ausgezeichnete Eigenschaften in Bezug auf Kosten, Wärmedissipation, Festigkeit und anderes aufweist.
  • [Schaltung]
  • Als Nächstes wird, wie in 1 veranschaulicht ist, die Schaltung 20 auf dem Basismaterial 10 gebildet. Zu dieser Zeit kann die Schaltung 20 auf dem Basismaterial 10 durch einen direkten Prozess gebildet werden, oder die Schaltung 20 kann über ein (nicht veranschaulichtes) Hartlötmaterial auf dem Basismaterial 10 gebildet werden. Die Schaltung 20 besteht aus Kupfer oder Aluminium.
  • Als Prozess zur Ausbildung der Schaltung 20 kann ein allgemein bekannter Prozess genutzt werden, und es besteht keine besondere Beschränkung; aber in einem direkten Prozess wird eine Oxidationsbehandlung an einer Oberfläche einer Kupferplatte durchgeführt, die ein Schaltungsbauteil ist, und sie wird mit dem Basismaterial 10 gebondet, und eine Ätzung kann an einem anderen entbehrlichen Bereich als der Schaltung durchgeführt werden. Aluminium weist eine ausgezeichnete Duktilität auf, und Kupfer weist eine ausgezeichnete Wärmedissipation auf. Darüber hinaus sind diese Materialien verglichen mit anderen Metallen auch hinsichtlich der Kosten herausragend, so dass sie für das Leistungsmodulsubstrat verwendet werden.
  • Im Folgenden wird auch der auf einer Oberfläche der Schaltung 20 ausgebildete Beschichtungsfilm 30 im Detail erläutert.
  • [Wärmebeständiger Beschichtungsfilm]
  • Der auf einer Oberfläche der Schaltung 20 des wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrats in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildete Beschichtungsfilm 30 ist ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung, wobei ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt. Außerdem wird später eine Beschichtungslösung erläutert, die für den Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung verwendet wird.
  • Wie oben erwähnt wurde, weist ein Halbleiterchip einer nächsten Generation wie etwa SiC, GaN eine hohe Wärmebeständigkeit auf, und er kann bei 200°C oder höher arbeiten. Gleichzeitig wird eine ähnliche Wärmebeständigkeit auch für ein Leistungsmodulsubstrat gefordert; aber in einer herkömmlichen Nickel-Phosphor-Beschichtung bestand ein Makel, dass in einem Beschichtungsfilm ein Riss auftritt, wenn in einem TCT, der ein Auswertungstest einer Wärmebeständigkeit ist, eine Niedertemperartur-Seite auf -50°C eingestellt wird und wenn eine Hochtemperatur-Seite auf 200°C oder höher eingestellt wird.
  • Überdies gibt es herkömmlicherweise in einer stromlosen Nickel-Phosphor-Beschichtung einen Film, der Eisen, Wolfram, Chrom oder dergleichen im Film enthält, indem anstelle von Molybdän die obigen Metalle verwendet werden. Selbst wenn herkömmliches Metall wie etwa Eisen, Wolfram oder Chrom enthalten ist, gibt es jedoch keinen Effekt, um ein Auftreten eines Risses im Leistungsmodulsubstrat gegen TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite zu hemmen bzw. zu unterdrücken.
  • Hier ist der Beschichtungsfilm 30, der auf dem Leistungsmodulsubstrat in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet wird, imstande, ein Auftreten eines Risses selbst für einen TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite zu unterdrücken. Und der Beschichtungsfilm 30 ist ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung, und ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm beträgt 10,5 bis 13 Gew.-%.
  • Falls ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 geringer als 10,5 Gew.-% ist, tritt, wenn ein TCT bei den obigen Temperaturen durchgeführt wird, im Beschichtungsfilm ein Riss auf. Falls auf der anderen Seite ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 mehr als 13 Gew.-% beträgt, wird die Produktivität verringert.
  • Ferner ist es vorzuziehen, dass ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 11 bis 13 Gew.-% beträgt. Auf diese Weise ist es möglich, ein Auftreten eines Risses noch mehr zu verhindern.
  • Darüber hinaus ist es vorzuziehen, dass ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 0,01 bis 2,0 Gew.-% beträgt. Vorzugsweise beträgt ein Molybdän-Gehalt eher 0,2 bis 2,0 Gew.-%.
  • Falls ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 geringer als 0,01 Gew.-% ist, besteht, wenn ein TCT bei den obigen Temperaturen durchgeführt wird, eine Möglichkeit, dass im Beschichtungsfilm ein Riss auftritt. Falls auf der anderen Seite ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 30 mehr als 2,0 Gew.-% beträgt, wird eine Molybdänkonzentration in einer Beschichtungslösung extrem hoch, so dass eine Möglichkeit besteht, dass die Produktivität verringert wird, da eine Abscheidungsrate der Beschichtung abnimmt. Ferner besteht eine Möglichkeit, dass es eine blanke bzw. freigelegte Stelle gibt.
  • Darüber hinaus ist der wärmebeständige Beschichtungsfilm in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Film, der auf einer Oberfläche der Schaltung des Leistungsmodulsubstrats zum Montieren des Leistungs-Halbleiters, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, gebildet werden soll, und ein Molybdän-Gehalt und Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm liegen im obigen Bereich, und der Beschichtungsfilm ist stromlos aufgebrachtes Nickel-Phosphor-Molybdän.
  • Wie oben erwähnt wurde, ist es gemäß dem wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrat und dem wärmebeständigen Beschichtungsfilm in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird. Im Folgenden wird eine Beschichtungslösung zum Bilden des wärmebeständigen Beschichtungsfilms aus stromlos aufgebrachtem Nickel-Phosphor-Molybdän erläutert.
  • [Beschichtungslösung]
  • Die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Beschichtungslösung, um den wärmebeständigen Beschichtungsfilm auf einer Oberfläche der Schaltung des Leistungsmodulsubstrats zum Montieren des Leistungs-Halbleiters zu bilden, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, und sie ist eine Lösung für eine stromlose Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung.
  • Die Beschichtungslösung ist hier eine Lösung, die zum Beschichten verwendet werden soll, und sie ist eine Lösung, in der verschiedene Metalle und Additive in einem Behälter kondensiert sind, eine Lösung, in der verschiedene Metalle und Additive auf eine Vielzahl von Behältern aufgeteilt sind und in der verschiedene Metalle und Additive in jedem Behälter kondensiert sind, eine Lösung, in der die obige kondensierte Lösung oder dergleichen mittels Wasser eingestellt wird, um einen anfänglichen Ansatz eines elektrolytischen Bades vorzubereiten, und eine Lösung, in der verschiedene Metalle und Additive zugesetzt werden, um die Lösung einzustellen, um einen anfänglichen Ansatz eines elektrolytischen Bades vorzubereiten.
  • Die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält zumindest Nickelsalz, dessen Komplexbildner, Hypophosphit als Reduktionsmittel und Molybdat, wobei eine Konzentration von Hypophosphit 12 bis 37 g/l als H2PO2-Ion beträgt und eine Konzentration von Molybdat 0,004 bis 0,8 g/l als Mo-Ion beträgt.
  • Falls eine Konzentration von Hypophosphit, das das Reduktionsmittel ist, geringer als 12 g/l als H2PO2-Ion ist, wird ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm nicht hoch sein, und, wenn ein TCT durchgeführt wird, tritt im Beschichtungsfilm ein Riss auf. Falls auf der anderen Seite eine Konzentration von Hypophosphit mehr als 37 g/l als H2PO2-Ion beträgt, wird die Beschichtungslösung instabil, und die Beschichtungslösung wird zersetzt werden, oder die Zersetzungsrate der Beschichtung wird langsam sein und die Produktivität wird verringert. Ferner beträgt eine bevorzugte Konzentration von Hypophosphit 18 bis 37 g/l als H2PO2-Ion. Als ein Prozess zum Einstellen eines Phosphor-Gehalts im Beschichtungsfilm kann, zum Beispiel wenn ein Phosphor-Gehalt erhöht wird, er erhöht werden, indem eine Konzentration von Hypophosphit in der Beschichtungslösung erhöht wird oder indem der pH der Beschichtungslösung verringert wird. Wenn ein Phosphor-Gehalt verringert wird, wird eine umgekehrte Operation durchgeführt.
  • Falls außerdem eine Konzentration von Molybdat geringer als 0,004 g/l als Mo-Ion ist, wird ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm nicht hoch sein, und, wenn ein TCT durchgeführt wird, tritt im Beschichtungsfilm ein Riss auf. Falls auf der anderen Seite eine Konzentration von Molybdat mehr als 0,8 g/l als Mo-Ion beträgt, wird eine Zersetzungsrate der Beschichtung langsam sein und wird die Produktivität verringert. Ferner beträgt eine bevorzugte Konzentration von Molybdat 0,04 bis 0,8 g/l als Mo-Ion. Als ein Prozess zum Einstellen eines Molybdän-Gehalts im Beschichtungsfilm kann, zum Beispiel wenn ein Molybdän-Gehalt erhöht wird, er erhöht werden, indem eine Konzentration von Molybdat in der Beschichtungslösung erhöht wird. Wenn ein Molybdän-Gehalt verringert wird, wird eine umgekehrte Operation durchgeführt.
  • Somit liegt eine Konzentration eines H2PO2-Ions von Hypophosphit und eines Mo-Ions von Molybdat, die für die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden, im obigen Bereich, und auf diese Weise ist es möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern.
  • Es besteht keine Beschränkung auf Hypophosphit als Reduktionsmittel, das für die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird; sondern Natriumhypophoshit, Kaliumhypophosphit, Nickelhypophosphit oder dergleichen kann verwendet werden.
  • Es besteht keine Beschränkung auf für die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendetes Molybdat; sondern Natriummolybdat, Kaliummolybdat, Ammoniummolybdat oder dergleichen kann verwendet werden.
  • Es besteht keine Beschränkung auf für die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendetes Nickelsalz; sondern beispielsweise können ein anorganisches wasserlösliches Nickelsalz wie Nickelsulfat, Nickelchlorid und Nickelhypophosphit und organisches wasserlösliches Nickelsalz wie etwa Nickelacetat und Nickelmalat verwendet werden. Außerdem können diese wasserlöslichen Nickelsalze allein oder, indem mehr als zwei Arten von Nickelsalzen gemischt werden, verwendet werden.
  • Darüber hinaus beträgt eine Konzentration eines Nickelions in der Beschichtungslösung beispielsweise vorzugsweise 2 bis 8 g/l als metallisches Nickel und bevorzugter 4 bis 6 g/l. Falls eine Nickelkonzentration zu niedrig ist, kann eine Beschichtungsrate langsam sein, so dass sie nicht vorzuziehen ist. Falls außerdem eine Nickelkonzentration zu hoch ist, kann die Beschichtungslösung trübe werden oder kann eine Viskosität der Beschichtungslösung hoch werden, so dass eine Gleichmäßigkeit einer Abscheidung verringert werden kann und eine Grube (engl.: pit) im ausgebildeten Beschichtungsfilm auftreten kann, so dass sie nicht vorzuziehen ist.
  • Es besteht keine Beschränkung auf einen Komplexbildner, der für die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird; sondern verschiedene Komplexbildner, die in einer allgemein bekannten Lösung für eine stromlose Nickel-Beschichtung verwendet werden, können verwendet werden. Als konkrete Beispiele des Komplexbildners können zitiert werden: Aminosäure wie etwa Glycin, Alanin, Arginin, Asparaginsäure, Glutaminsäure, Lysin oder Phenylalanin; Monocarbonsäure wie etwa Milchsäure, Propionsäure, Glykolsäure oder Glukonsäure; Dicarbonsäure wie etwa Weinsäure, Oxalsäure, Bernsteinsäure oder Apfelsäure; und Tricarbonsäure wie etwa Zitronensäure. Darüber hinaus können deren Salze, zum Beispiel Natriumsalz oder Kaliumsalz, als Komplexbildner verwendet werden. Weiter können diese Komplexbildner allein oder, indem mehr als zwei Arten von Komplexbildnern gemischt werden, verwendet werden.
  • Eine Konzentration eines Komplexbildners in der Beschichtungslösung unterscheidet sich außerdem gemäß Typen eines zu verwendenden Komplexbildners; aber sie beträgt vorzugsweise 10 bis 200 g/l, bevorzugter 30 bis 100 g/l. Falls eine Konzentration eines Komplexbildners zu niedrig ist, tritt tendenziell eine Ausfällung von Nickelhydroxid auf, so dass sie nicht vorzuziehen ist. Falls außerdem eine Konzentration eines Komplexbildners zu hoch ist, wird die Viskosität der Beschichtungslösung hoch, so dass eine Gleichmäßigkeit einer Abscheidung verringert werden kann und sie nicht vorzuziehen ist.
  • Ein Masseverhältnis einer Konzentration des Nickelsalzes, dessen Komplexbildners, eines H2PO2-Ions von Hypophosphit und Mo-Ions von Molybdat beträgt ferner vorzugsweise 1 : 1,25 bis 100 : 1,5 bis 18,5 : 0,0005 bis 0,4. Auf diese Weise wird es ein geeignetes Konzentrationsverhältnis sein, und es ist möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern.
  • In der Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird außerdem das Molybdän als von Nickel verschiedenes Additivmetall zugesetzt; aber Eisen, Wolfram, Chrom und Zinn werden nicht anstelle des Molybdäns enthalten sein, und Eisen, Wolfram, Chrom und Zinn werden nicht zusätzlich zum Molybdän enthalten sein.
  • Außerdem können ein allgemein bekanntes Stabilisierungsmittel und Reduktionsmittel verwendet werden. Ferner beträgt der pH 3 bis 7, vorzugsweise 4 bis 6. Die Beschichtungszeit kann gemäß einer Zieldicke des Films eingestellt werden.
  • Wie oben erwähnt wurde, ist es gemäß der Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wird.
  • Beispiele
  • Als Nächstes werden unter Verwendung von Beispielen das wärmebeständige Leistungsmodulsubstrat, der wärmebeständige Beschichtungsfilm und die Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail erläutert. Darüber hinaus ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt.
  • [Beispiel 1]
  • In Beispiel 1 wurde als Basismaterial, das in einem wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrat verwendet werden soll, ein DAB-Substrat (Keramik: Aluminiumnitrid 50 mm * 50 mm - 0,8 mm (Dicke), Aluminium: 40 mm * 40 mm - 0,6 mm (Dicke) * 2 (beide Seiten), Gesamtdicke: 2,0 mm (Dicke)) verwendet. Außerdem wurde direkt auf dem Basismaterial eine Kupferschaltung gebildet. Und auf der Schaltung wurde ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung, der gemäß folgenden Bedingungen gebildet wurde, aufgebracht.
  • Als Zusammensetzung der Lösung für eine stromlose Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung betrug eine Konzentration von Nickelsulfat-(II)-Hexahydrat 27,0 g/l, mit anderen Worten betrug eine Konzentration von Nickelionen 6 g/l, betrug eine Konzentration von Natriumhypophosphit 30 g/l (18,4 g/l als H2PO2-Ion), betrug eine Konzentration von Bleiacetat-(II)-Trihydrat 1 mg/l, betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,1 g/l (0,040 g/l als Mo-Ion), betrug eine Konzentration von Apfelsäure 20 g/l, betrug eine Konzentration von Bernsteinsäure 15 g/l und betrug eine Konzentration von Natriumhydroxid 5 g/l. Außerdem betrug die Beschichtungszeit 35 Minuten, betrug die Flüssigkeitstemperatur 90°C, und der pH betrug 4,5.
  • Darüber hinaus wurde eine Zusammensetzung nach Ausbilden des Beschichtungsfilms analysiert. Konkreter wurde der Film einer stromlosen Beschichtung nach einer Beschichtungsabscheidung in Salpetersäure zersetzt, und an dieser Lösung wurde eine quantitative Analyse von Phosphor und Molybdän oder Wolfram oder Zinn mittels ICP (hergestellt von HORIBA, Produktname: Ultima Expert) durchgeführt, und aus einem Gewicht des zersetzten Beschichtungsfilms wurde ein Masse-% jeder Komponente im Beschichtungsfilm berechnet.
  • Und der Effekt einer Risshemmung des durch den obigen Beschichtungsprozess gebildeten Beschichtungsfilms wurde untersucht, indem ein Temperaturzyklustest (TCT) unter Verwendung einer kleinen Kälteprüfungs-Testvorrichtung (hergestellt von ESPEC CORP., Produktname: TSE-11) zur Bestätigung eines Effekts einer Risshemmung durchgeführt wurde. Konkreter wurde, nachdem der Beschichtungsfilm in einem Zustand hoher Temperatur, 200°C für 40 Minuten, belassen wurde, er in einem Zustand niedriger Temperatur, -50°C für 20 Minuten, belassen, und dies war ein Zyklus. Diese Kälteprüfung wurde bis zum Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm wiederholt. Er wurde bis maximal 1000 Zyklen untersucht. Ein Auftreten eines Risses wurde unter Verwendung eines optischen Mikroskops bestätigt.
  • [Beispiel 2]
  • In Beispiel 2 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,5 g/l (0,198 g/l als Mo-Ion). Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Beispiel 3]
  • In Beispiel 3 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 1,0 g/l (0,397 g/l als Mo-Ion). Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Beispiel 4]
  • In Beispiel 4 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,5 g/l (0,198 g/l als Mo-Ion). Außerdem betrug die Beschichtungszeit 25 Minuten, und der pH betrug 4,8. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Beispiel 5]
  • In Beispiel 5 betrug eine Konzentration von Natriummolybdate 0,5 g/l (0,198 g/l als Mo-Ion), von Apfelsäure 40 g/l und von Bernsteinsäure 30 g/l. Außerdem betrug die Beschichtungszeit 60 Minuten, und der pH betrug 4,4. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Beispiel 6]
  • In Beispiel betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,01 g/l (0,004 g/l als Mo-Ion). Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 1]
  • In Vergleichsbeispiel 1 wurde Natriummolybdat nicht zugesetzt. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 2]
  • In Vergleichsbeispiel 2 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 5 g/l (1,983 g/l als Mo-Ion). Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 3]
  • In Vergleichsbeispiel 3 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,5 g/l (0,198 g/l als Mo-Ion) und von Natriumhypophosphit 15 g/l (9,2 g/l als H2PO2-Ion). Darüber hinaus betrug die Beschichtungszeit 60 Minuten, und der pH betrug 4,6. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 4]
  • In Vergleichsbeispiel 4 betrug eine Konzentration von Natriummolybdat 0,05 g/l (0,020 g/l als Mo-Ion) und von Natriumhypophosphit 15 g/l (9,2 g/l als H2PO2-Ion). Außerdem wurde Glycin anstelle von Apfelsäure und Bernsteinsäure zugesetzt, welche Komplexbildner sind, und eine Konzentration von Glycin betrug 12 g/l. Ferner betrug der pH 6,2. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 5]
  • In Vergleichsbeispiel 5 wurde anstelle einer Zugabe von Natriummolybdat Natriumwolframat zugesetzt, und eine Konzentration von Natriumwolframat betrug 20 g/l. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • [Vergleichsbeispiel 6]
  • In Vergleichsbeispiel 6 wurde anstelle einer Zugabe von Natriummolybdat Zinnmethansulfonat zugesetzt, und eine Konzentration von Zinnmethansulfonat betrug 0,3 g/l. Die anderen Bedingungen waren die gleichen wie im Beispiel 1.
  • Die obigen Bedingungen wurden in Tabelle 1 angegeben. Außerdem wurden Konzentrationen von Natriummolybdat und Natriumhypophosphite durch MO-Ion bzw. H2PO2-Ion in Tabelle 1 angegeben. In Tabelle 2 wurden darüber hinaus ein Gehalt des unter den Bedingungen vom Tabelle 1 erhaltenen Films und ein Zykluszahl-Ergebnis einer Rissbildung angegeben. Eine in Tabelle 2 angegebene Zykluszahl gibt weiter eine Zykluszahl an, bei der im Beschichtungsfilm ein Riss auftrat. Ferner gibt > 1000 an, dass selbst nach Durchführung von 1000 TCT-Zyklen kein Riss aufgetreten ist. [Tabelle 1]
    Zusammensetzung der Beschichtungslösung
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 5 Beispiel 6 Vergleichsbeispiel 1 Vergleichsbeispiel 2 Vergleichsbeispiel 3 Vergleichsbeispiel 4 Vergleichsbeispiel 5 Vergleichsbeispiel 6
    Nickelsulfat-(II)-hexahydrat g/l 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0 27,0
    Ni-Ion g/l 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
    H2PO2Ion von Natriumhypophosphit g/l 18,4 18,4 18,4 18,4 18,4 18,4 18,4 18,4 9,2 9,2 18,4 18,4
    Bleiacetat-(II)-trihydrat mg/l 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
    Mo-Ion von Natriummolybdat g/l 0,040 0,198 0,397 0,198 0,198 0,004 0 1,983 0,198 0,020 - -
    Natriumwolframat g/l - - - - - - - - - - 20 -
    Zinnmethansulfonat g/l - - - - - - - - - - - 0,3
    Apfelsäure g/l 20 29 20 20 40 20 20 20 20 - 20 20
    Bernsteinsäure g/l 15 15 15 15 30 15 15 15 15 - 15 15
    Glycin g/l - - - - - - - - - 12 - -
    Natriumhydroxid g/l 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 5 5
    Beschichtungszeit Min. 35 35 35 25 60 35 35 35 60 35 35 35
    Flüssigkeitstemperatur °C 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90 90
    pH - 4,5 4,5 4,5 4,8 4,4 4,5 4,5 4,5 4,6 6,2 4,5 4,5
    [Tabelle 2]
    Bedingungen des Beschichtungsfilms
    Beispiel 1 Beispiel 2 Beispiel 3 Beispiel 4 Beispiel 5 Beispiel 6 Vergleichsbeispiel 1 Vergleichsbeispiel 2 Vergleichsbeispiel 3 Vergleichsbeispiel 4 Vergleichsbeispiels Vergleichsbeispiel 6
    Gehalt des Films P Gew.-% 11,5 11,5 11,4 10,5 13,0 11,5 11,6 kann nicht beschichtet werden 9,0 2,3 11,2 11,1
    Mo Gew.-% 0,2 1,0 2,0 1,0 1,0 0,02 - 0,7 0,2 - -
    W Gew.-% - - - - - - - - - 1,5 -
    Sn Gew.-% - - - - - - - - - - 5,0
    Zykluszahl eines Auftretens von Rissen >1000 >1000 >1000 900 >1000 900 500 - 400 300 400 400
  • In allen Beispielen trat im Beschichtungsfilm kein Riss auf, wenn weniger als 900 TCT-Zyklen durchgeführt wurden. Somit kann man verstehen, dass der Beschichtungsfilm mit einem ausgezeichneten Effekt einer Risshemmung durch Verbessern einer Wärmebeständigkeit gebildet worden ist. Außerdem trat in den Beispielen 1, 2, 3 und 5, in denen eine Phosphorkonzentration im Beschichtungsfilm 11 bis 13 Gew.-% betrug und auch ein Molybdän-Gehalt 0,2 bis 2,0 Gew.-% betrug, im Beschichtungsfilm kein Riss auf, selbst nachdem mehr als 1000 TCT-Zyklen durchgeführt wurden. Somit war der Beschichtungsfilm in dem obigen Konzentrationsbereich gegenüber einem Riss wirksamer.
  • Auf der anderen Seite trat in den Vergleichsbeispielen im Beschichtungsfilm ein Riss auf, wenn 300 bis 500 TCT-Zyklen durchgeführt wurden. Außerdem wurde im Vergleichsbeispiel 2 keine Beschichtung gebildet, da zu viel Natriummolybdat in der Beschichtungslösung zugesetzt wurde. Ferner trat im Vergleichsbeispiel 1, in welchem Natriummolybdat nicht zugesetzt wurde, und in den Vergleichsbeispielen 5 und 6, in denen anstelle von Natriummolybdat Natriumwolframat oder Zinnmethansulfonat zugesetzt wurden, ein Riss im Beschichtungsfilm auf, wenn 400 bis 500 TCT-Zyklen durchgeführt wurden.
  • Nach dem Obigen war es gemäß dem wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrat, dem wärmebeständigen Beschichtungsfilm und der Beschichtungslösung in Bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung möglich, ein Auftreten eines Risses im Beschichtungsfilm zu verhindern, selbst wenn ein TCT mit einer auf 200°C oder höher eingestellten Hochtemperatur-Seite durchgeführt wurde.
  • Außerdem wurde jede Ausführungsform und jedes Beispiel der vorliegenden Erfindung wie die Obigen im Detail erläutert; der Fachmann kann aber leicht verstehen, dass verschiedene Modifikationen möglich sind, ohne von neuen Sachverhalten und einem Effekt der vorliegenden Erfindung praktisch abzuweichen. Daher sollen alle derartigen Varianten im Umfang der vorliegenden Erfindung einbezogen sein.
  • Beispielsweise können Begriffe, die mit unterschiedlichen Begriffen mit einer breiteren oder äquivalenten Bedeutung zumindest einmal in der Beschreibung und den Zeichnungen beschrieben wurden, in jedem beliebigen Teil einer Beschreibung und Zeichnungen durch diese unterschiedlichen Begriffe ersetzt werden. Außerdem sind Operation und Konfigurationen des wärmebeständigen Leistungsmodulsubstrats, des wärmebeständigen Beschichtungsfilms und der Beschichtungslösung nicht auf jene beschränkt, die in jeder Ausführungsform und jedem Beispiel der vorliegenden Erfindung erläutert wurden, und verschiedene Modifikationen können vorgenommen werden.
  • Bezugszeichenliste
  • 10
    Basismaterial
    20
    Schaltung
    30
    Beschichtungsfilm
    100
    wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017246931 [0001]
    • JP 2002256444 A [0005]
    • JP 3146065 B [0005]

Claims (6)

  1. Wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, zumindest umfassend: ein Basismaterial, das aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid besteht; eine Schaltung, die aus Kupfer oder Aluminium besteht und auf dem Basismaterial direkt oder über ein Hartlötmaterial ausgebildet ist; und einen auf einer Oberfläche der Schaltung ausgebildeten Beschichtungsfilm, wobei der Beschichtungsfilm ein Film einer stromlosen Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung ist und ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt.
  2. Wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat nach Anspruch 1, wobei ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 0,01 bis 2,0 Gew.-% beträgt.
  3. Wärmebeständiges Leistungsmodulsubstrat nach Anspruch 2, wobei ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 11 bis 13 Gew.-% beträgt.
  4. Wärmebeständiger Beschichtungsfilm, der auf einer Oberfläche einer Schaltung eines Leistungsmodulsubstrats zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, gebildet werden soll, wobei ein Molybdän-Gehalt im Beschichtungsfilm 0,01 bis 2,0 Gew.-% beträgt, ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 10,5 bis 13 Gew.-% beträgt und der Beschichtungsfilm stromlos aufgebrachtes Nickel-Phosphor-Molybdän ist.
  5. Wärmebeständiger Beschichtungsfilm nach Anspruch 4, wobei ein Phosphor-Gehalt im Beschichtungsfilm 11 bis 13 Gew.-% beträgt.
  6. Lösung für eine stromlose Nickel-Phosphor-Molybdän-Beschichtung zum Ausbilden eines wärmebeständigen Beschichtungsfilms auf einer Oberfläche einer Schaltung eines Leistungsmodulsubstrats zum Montieren eines Leistungs-Halbleiters, der eine große Wärme bis maximal 300°C erzeugt, zumindest enthaltend: Nickelsalz; dessen Komplexbildner; Hypophosphit als Reduktionsmittel; und Molybdat, wobei eine Konzentration von Hypophosphit 12 bis 37 g/l als H2PO2-Ion beträgt und eine Konzentration von Molybdat 0,004 bis 0,8 g/l als Mo-Ion beträgt.
DE102018130170.7A 2017-12-22 2018-11-28 Wärmebeständiges leistungsmodulsubstrat, wärmebeständiger beschichtungsfilm und beschichtungslösung Active DE102018130170B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017246931A JP7048304B2 (ja) 2017-12-22 2017-12-22 耐熱用パワーモジュール基板及び耐熱用めっき皮膜
JP2017-246931 2017-12-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102018130170A1 true DE102018130170A1 (de) 2019-06-27
DE102018130170B4 DE102018130170B4 (de) 2022-09-01

Family

ID=66768606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018130170.7A Active DE102018130170B4 (de) 2017-12-22 2018-11-28 Wärmebeständiges leistungsmodulsubstrat, wärmebeständiger beschichtungsfilm und beschichtungslösung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20190200461A1 (de)
JP (1) JP7048304B2 (de)
CN (1) CN109962053A (de)
DE (1) DE102018130170B4 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3146065B2 (ja) 1992-05-28 2001-03-12 ディップソール株式会社 高硬度無電解ニッケル−ホウ素メッキ液及びそれを使用するメッキ方法
JP2002256444A (ja) 2001-03-05 2002-09-11 Okuno Chem Ind Co Ltd 配線基板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5749033A (en) * 1995-12-29 1998-05-05 Swartz; Edwin Durable coated magnetic development roller
JP2005200707A (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Noge Denki Kogyo:Kk 低応力無電解ニッケルめっき
JP4160518B2 (ja) 2004-02-06 2008-10-01 Dowaホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合部材およびその製造方法
CN103540799B (zh) * 2013-10-30 2015-09-30 中国科学院深圳先进技术研究院 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法
JP6193137B2 (ja) 2014-01-22 2017-09-06 株式会社クオルテック 無電解Ni−Pめっき液及び無電解Ni−Pめっき方法
CN104328397B (zh) 2014-11-13 2018-04-10 沈阳工业大学 一种低温快速化学镀三元合金镍‑钼‑磷的化学镀液
ES2639300T3 (es) 2014-12-16 2017-10-26 Atotech Deutschland Gmbh Composiciones de baño de chapado para el chapado no electrolítico de metales y aleaciones metálicas
JP6696214B2 (ja) * 2015-04-16 2020-05-20 三菱マテリアル株式会社 接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク、及び、接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法
JP6477386B2 (ja) 2015-09-18 2019-03-06 三菱マテリアル株式会社 めっき付パワーモジュール用基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3146065B2 (ja) 1992-05-28 2001-03-12 ディップソール株式会社 高硬度無電解ニッケル−ホウ素メッキ液及びそれを使用するメッキ方法
JP2002256444A (ja) 2001-03-05 2002-09-11 Okuno Chem Ind Co Ltd 配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20190200461A1 (en) 2019-06-27
DE102018130170B4 (de) 2022-09-01
JP2019112674A (ja) 2019-07-11
US20200205298A1 (en) 2020-06-25
JP7048304B2 (ja) 2022-04-05
CN109962053A (zh) 2019-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68927531T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
DE3855613T2 (de) Metallisiertes substrat für Schaltungen aus Nitrid-Typ- Keramiken
DE68928448T2 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
DE10125586B4 (de) Kupferlegierung zur Verwendung in elektrischen und elektronischen Teilen
DE112014002345B4 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für die Halbleitervorrichtung
DE102006010760A1 (de) Kupferlegierung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2032872B2 (de) Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse
DE3705336C2 (de) Aluminiumnitridsubstrat
DE112016001606T5 (de) Halbleiterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2228678A1 (de) Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile
DE102009034483A1 (de) Bleifreie Hochtemperaturverbindung für die AVT in der Elektronik
DE102015223015A1 (de) Montagestruktur und BGA-Kugel
DE112012006812T5 (de) Elektronische Komponente und Fertigungsverfahren für elektronische Komponente
DE1071847B (de) Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung
DE102019008239B4 (de) Bad zum stromlosen Plattieren
DE112018000876T5 (de) Halbleiterelement und verfahren zur herstellung desselben
DE112015003487T5 (de) Keramische Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung der selben
DE102006005271B4 (de) Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Lötlegierung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
EP3070188A2 (de) Verfahren zur beschichtung eines einpresspins und einpresspin
DE102018130170B4 (de) Wärmebeständiges leistungsmodulsubstrat, wärmebeständiger beschichtungsfilm und beschichtungslösung
DE69023745T2 (de) Oberflächenstruktur eines Keramiksubstrates und Verfahren zu deren Herstellung.
DE1946673A1 (de) Verbesserte Aluminiummetallisierung auf einem Monolithen
DE3613594C3 (de) Verwendung eines Kupferlegierungs-Leitermaterials für gegen Abblättern beständige Lötanschlüsse einer Halbleitervorrichtung
DE2519238A1 (de) Stromloses abscheiden von nickel- phosphor-legierungen
DE102017213170A1 (de) Löten eines leiters an eine aluminiummetallisierung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final