DE102017131335A1 - Testen einer Integrierter-Schaltkreis-Vorrichtung in einem Inertgas - Google Patents
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Abstract
Ein System (100) beinhaltet eine Inertgasversorgung (118), eine Erwärmungskammer (102), eine Testkammer (106), eine Transferzone (104) und ein Heizgerät (112). Die Erwärmungskammer (102) erwärmt eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung in dem Inertgas vor dem Testen. Die Testkammer (106) beinhaltet Kontaktstifte zum Testen der IC-Vorrichtung (120) in dem Inertgas durch Kontaktieren der Kontaktstifte mit Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung (120). Die Transferzone (104) ist zum Transferieren der IC-Vorrichtung (120) von der Erwärmungskammer (102) zu der Testkammer (106). Das Heizgerät (112) erwärmt das Inertgas, das an die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) geliefert wird.
Description
- Bei dem Testen von IC-Vorrichtungen (IC: Integrated Circuit - Integrierter Schaltkreis) ist der elektrische Kontakt zwischen Prüfgeräten und den IC-Vorrichtungen für die Testausbeute kritisch. Gute Einheiten können während des Testens ausschließlich aufgrund eines hohen Kontaktwiderstands zwischen den Teststiften des Testgeräts und den Anschlussleitungen der IC-Vorrichtungen aussortiert werden. Wenn Einheiten anfänglich aussortiert werden, werden die Einheiten typischerweise erneut getestet, um falsches Versagen zu vermeiden. Erneutes Testen erfordert jedoch eine höhere Ausrüstungskapazität, erhöht Stiftmaterialkosten und erhöht Arbeitskraftkosten. Eine Verbesserung der Testausbeute im ersten Durchlauf ist äquivalent zu einer Produktivitätsverbesserung oder einer Testkostenreduktion.
- Aus diesen und anderen Gründen besteht ein Bedarf an der vorliegenden Erfindung.
- Ein Beispiel für ein System beinhaltet eine Inertgasversorgung, eine Erwärmungskammer (Engl.: soak chamber - kann auch als Durchtränkungskammer bezeichnet werden), eine Testkammer, eine Transferzone und ein Heizgerät. Die Erwärmungskammer erwärmt eine Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung in dem Inertgas vor dem Testen. Die Testkammer beinhaltet Kontaktstifte zum Testen der IC-Vorrichtung in dem Inertgas durch Kontaktieren der Kontaktstifte mit Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung. Die Transferzone ist zum Transferieren der IC-Vorrichtung von der Erwärmungskammer zu der Testkammer. Das Heizgerät erwärmt das Inertgas, das an die Erwärmungskammer und die Testkammer geliefert wird.
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1 veranschaulicht ein Beispiel für ein Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung-Testsystem. -
2 veranschaulicht ein anderes Beispiel für ein IC-Vorrichtung-Testsystem. -
3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel für den atomaren Prozentsatz von SnO und den atomaren Prozentsatz von Sn auf Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung basierend auf der Reinheit von N2 in einem IC-Vorrichtung-Testsystem veranschaulicht. -
4 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für ein Verfahren zum Testen einer IC-Vorrichtung veranschaulicht. - In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen auf dem Wege der Veranschaulichung spezielle Beispiele gezeigt sind, in denen die Offenbarung praktiziert werden kann. Es versteht sich, dass andere Beispiele genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinn zu verstehen und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die beiliegenden Ansprüche definiert.
- Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen Beispiele miteinander kombiniert werden können, es sei denn, es wird ausdrücklich das Gegenteil angegeben.
- Die Anwesenheit einer oxidierten Schicht auf den Anschlussleitungen einer Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung kann zu einem hohen Kontaktwiderstand während des Testens führen. Eine Zinn(Sn)-Plattierung auf den Anschlussleitungen kann vor dem Testen oxidiert werden, so dass sich Zinnoxid (SnO) ausbildet. IC-Vorrichtungen können in heißer Luft getestet werden, was die Oxidation erhöht. Entsprechend wird, wie hier beschrieben, ein Inertgas mit hoher Reinheit und hoher Temperatur vor und während des Testens eingeführt, um die Oxidation zu reduzieren und eine weitere Oxidation auf den Anschlussleitungen der IC-Vorrichtungen zu verhindern. Durch das Reduzieren der Oxidationsschicht wird der Kontaktwiderstand während des Testens reduziert, wodurch die Testausbeute im ersten Durchlauf verbessert wird und Testkosten reduziert werden.
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1 veranschaulicht ein Beispiel für ein IC-Vorrichtung-Testsystem100 . Das IC-Vorrichtung-Testsystem100 beinhaltet eine Erwärmungskammer102 , eine Transferzone104 , eine Testkammer106 , ein Heizgerät112 , ein Ventil114 , eine Versorgung116 für trockene Druckluft (CDA: Compressed Dry Air) und eine Inertgasversorgung118 . Die Testkammer106 beinhaltet ein Testgerät einschließlich eines Sockels108 mit Kontaktstiften110 . Das Ventil114 leitet CDA oder Inertgas in die Testkammer106 . Bei einem Beispiel wird die CDA oder das Inertgas zu dem Sockel108 des Testgeräts gelenkt. Die CDA oder das Inertgas durchläuft dann die Transferzone104 in die Erwärmungskammer102 hinein, wie durch Pfeile124 angegeben ist. Bei einem Beispiel wird die CDA-Versorgung116 bei 3 bar und bei Umgebungstemperatur (z. B. näherungsweise 25 °C) bereitgestellt. Die Inertgasversorgung118 kann auch bei 3 bar und bei Umgebungstemperatur bereitgestellt werden. Die Durchflussrate der CDA oder des Inertgases durch das Ventil114 kann in dem Bereich von 175 l/min bis 225 l/min liegen. Die Inertgasversorgung118 kann von einem Verdampfer, einem fortgeschrittenen Druckwechseladsorptionsgerät (APSA: Advance Pressure Swing Absorber) oder einer anderen geeigneten Quelle geliefert werden. - Zum Vorbereiten des Testens einer IC-Vorrichtung
120 , leitet das Ventil114 Inertgas in die Testkammer106 . Das Inertgas wird durch das Heizgerät112 erwärmt, um erwärmtes Inertgas an die Testkammer106 , die Transferzone104 und die Erwärmungskammer102 zu liefern. Bei einem Beispiel erwärmt das Heizgerät112 das Inertgas auf eine Temperatur von wenigstens 125 °C (z. B. 150 °C). Das Inertgas kann Stickstoff (N2) mit einer Reinheit von wenigstens 99,9 % oder ein anderes geeignetes Inertgas sein. Die Erwärmungskammer102 , die Transferzone104 und die Testkammer 106 können durch Steuern des Ventils114 bei einem positiven Druck, wie etwa einem Druck von mehr als 2 bar, gehalten werden. Bei einem Beispiel kann das Ventil114 als Reaktion darauf, dass der Druck innerhalb der Erwärmungskammer102 , der Transferzone104 und der Testkammer106 unterhalb von 2 bar fällt, von dem Liefern von Inertgas zu dem Liefern von CDA an die Erwärmungskammer102 , die Transferzone 104 und die Testkammer106 wechseln. - Vor dem Testen einer IC-Vorrichtung
120 wird die IC-Vorrichtung120 in der Erwärmungskammer102 in dem Inertgas erwärmt. Bei einem Beispiel wird die IC-Vorrichtung120 vor dem Testen der IC-Vorrichtung120 für wenigstens 90 Sekunden in dem Inertgas erwärmt. Nach dem Erwärmen der IC-Vorrichtung120 in der Erwärmungskammer102 wird die IC-Vorrichtung120 , wie durch den Pfeil122 angegeben, durch die Transferzone104 in die Testkammer106 transferiert. Die IC-Vorrichtung120 wird dann durch Kontaktieren der Kontaktstifte110 mit den Anschlussleitungen121 der IC-Vorrichtung120 in dem Inertgas in der Testkammer106 getestet. Durch das Erwärmen der IC-Vorrichtung120 in dem Inertgas in der Erwärmungskammer102 und dann Testen der IC-Vorrichtung120 in dem Inertgas in der Testkammer106 wird eine Oxidationsschicht auf den Anschlussleitungen121 der IC-Vorrichtung120 reduziert und wird weitere Oxidation verhindert, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen den Kontaktstiften110 und den Anschlussleitungen121 während des Testens reduziert wird. -
2 veranschaulicht ein anderes Beispiel für ein IC-Vorrichtung-Testsystem 200. Das IC-Vorrichtung-Testsystem200 beinhaltet eine Erwärmungskammer202 , ein erstes Heizgerät212a , ein erstes Gasversorgungsventil214a , eine erste N2-GasVersorgung 218a, ein erstes Gasauslasstor226a , eine Transferzone204 , eine Testkammer 206, ein zweites Heizgerät212b , ein zweites Gasversorgungsventil214b , eine zweite N2-Gas-Versorgung 218b und ein zweites Gasauslasstor226b . Die Testkammer206 beinhaltet einen Sockel einschließlich Kontaktstiften210 . Das erste Gasversorgungsventil214a steuert einen N2-Gas-Fluss von der N2-Gas-Versorgung 218a in die Erwärmungskammer202 . Das zweite Gasversorgungsventil214b steuert einen N2-Gas-Fluss von der N2-Gas-Versorgung 218b in die Testkammer206 . Bei einem Beispiel wird das N2-Gas zu den Kontaktstiften210 des Testgeräts gelenkt. Die N2-GasVersorgung 218a und die N2-Gas-Versorgung 218b können bei 3 bar und bei Umgebungstemperatur bereitgestellt werden. Die Durchflussrate des N2-Gases durch sowohl das Ventil214a als auch 214b kann in dem Bereich von 175 l/min bis 225 l/min liegen. Die N2-Gas-Versorgung 218b und 218b kann von einem Verdampfer, einem APSA oder einer anderen geeigneten Quelle bereitgestellt werden. - Zum Vorbereiten des Testens der IC-Vorrichtung
220 , leitet das erste Gasversorgungsventil214a N2-Gas in die Erwärmungskammer202 . Das N2-Gas wird durch das Heizgerät212a erwärmt, um erwärmtes N2-Gas an die Erwärmungskammer 202 zu liefern. Das zweite Gasversorgungsventil214b leitet N2-Gas in die Testkammer 206. Das N2-Gas wird durch das Heizgerät212b erwärmt, um erwärmtes N2-Gas an die Testkammer206 zu liefern. Bei einem Beispiel erwärmen die Heizgeräte212a und212b das N2-Gas auf eine Temperatur von wenigstens 125 °C (z. B. 150 °C). Das N2-Gas kann eine Reinheit von wenigstens 99,9 % aufweisen. Die Erwärmungskammer202 , die Transferzone204 und die Testkammer206 können durch Steuern des ersten Gasversorgungsventils214a und des zweiten Gasversorgungsventils214b bei einem positiven Druck, wie etwa einem Druck von mehr als 2 bar, gehalten werden. Die Atmosphäre201 , die das Äußere der Erwärmungskammer202 , der Transferzone204 und der Testkammer206 umgibt, kann etwa 1 bar betragen und aus etwa 78 % N2 bestehen. - Das erste Gasauslasstor
226a wird verwendet, um den N2-Gas-Verbrauch (d. h. den N2-Gas-Fluss aus der Erwärmungskammer202 heraus) zu steuern und um die Reinheit des N2-Gases innerhalb der Erwärmungskammer202 aufrechtzuerhalten. Das erste Gasauslasstor226a ist normalerweise geschlossen, außer, wenn eine zu testende IC-Vorrichtung220 durch das Tor in die Erwärmungskammer202 hindurchgeführt wird. Das zweite Gasauslasstor226b wird verwendet, um den N2-Gas-Verbrauch (d. h. den N2-Gas-Fluss aus der Testkammer206 heraus) zu steuern und um die Reinheit des N2-Gases innerhalb der Testkammer206 aufrechtzuerhalten. Das zweite Gasauslasstor226b ist normalerweise geschlossen, außer, wenn eine IC-Vorrichtung220 , die getestet wurde, durch das Tor aus der Testkammer206 herausgeführt wird. Bei einem Beispiel können das erste Gasversorgungsventil214a und/oder das zweite Gasversorgungsventil214b als Reaktion darauf, dass das erste Gasauslasstor226a und/oder das zweite Gasauslasstor 226b für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist, geschlossen werden, um einen N2-GasVerbrauch zu reduzieren. Das Testen kann auch als Reaktion darauf, dass das erste Gasauslasstor226a und/oder das zweite Gasauslasstor226b für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist, und/oder als Reaktion darauf, dass das erste Gasversorgungsventil 214a und/oder das zweite Gasversorgungsventil214b geschlossen ist, gestoppt werden. - Vor dem Testen einer IC-Vorrichtung
220 wird die IC-Vorrichtung220 in dem N2-Gas in der Erwärmungskammer202 erwärmt. Bei einem Beispiel wird die IC-Vorrichtung220 vor dem Testen der IC-Vorrichtung220 für wenigstens 90 Sekunden in dem N2-Gas erwärmt. Nach dem Erwärmen der IC-Vorrichtung220 in der Erwärmungskammer202 wird die IC-Vorrichtung220 , wie durch den Pfeil222 angegeben, durch die Transferzone204 in die Testkammer206 transferiert. Die IC-Vorrichtung220 wird dann durch Kontaktieren der Kontaktstifte210 mit den Anschlussleitungen221 der IC-Vorrichtung220 in dem N2-Gas in der Testkammer206 getestet. Durch das Erwärmen der IC-Vorrichtung220 in dem N2-Gas in der Erwärmungskammer202 und dann Testen der IC-Vorrichtung220 in dem N2-Gas in der Testkammer206 wird eine Oxidationsschicht auf den Anschlussleitungen221 der IC-Vorrichtung220 reduziert und wird weitere Oxidation verhindert, wodurch der Kontaktwiderstand zwischen den Kontaktstiften210 und den Anschlussleitungen221 während des Testens reduziert wird. -
3 ist ein Diagramm300 , das ein Beispiel für den atomaren Prozentsatz von SnO und den atomaren Prozentsatz von Sn auf Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung basierend auf der Reinheit von N2 in einem IC-Vorrichtung-Testsystem, wie etwa dem zuvor unter Bezugnahme auf1 beschriebenen und veranschaulichten IC-Vorrichtung-Testsystem100 oder dem zuvor unter Bezugnahme auf2 beschriebenen und veranschaulichten IC-Vorrichtung-Testsystem200 , veranschaulicht. Das Diagramm300 beinhaltet die N2-Reinheit in Prozent, wie bei 302 angegeben, den atomaren Prozentsatz von SnO, wie bei 304 angegeben, und den atomaren Prozentsatz von Sn, wie bei 306 angegeben. - Eine Linie
308 repräsentiert den atomaren Prozentsatz von SnO auf Sn-plattierten Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung während des Testens basierend auf der Reinheit von N2 in der Erwärmungskammer und der Testkammer. Eine Linie310 repräsentiert den atomaren Prozentsatz von Sn auf Sn-plattierten Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung während des Testens basierend auf der Reinheit von N2 in der Erwärmungskammer und der Testkammer. Zum Vergleich gibt eine Linie312 den atomaren Prozentsatz von SnO auf Sn-plattierten Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung während des Testens an, wenn CDA anstelle von N2 in der Erwärmungskammer und der Testkammer verwendet wird. Eine Linie314 gibt den atomaren Prozentsatz von Sn auf Sn-plattierten Anschlussleitungen einer IC-Vorrichtung während des Testens an, wenn CDA anstelle von N2 in der Erwärmungskammer und der Testkammer verwendet wird. Wie durch einen Pfeil316 in dem Diagramm300 angegeben, liefert das Verwenden von N2-Gas in der Erwärmungskammer und der Testkammer bei einer Reinheit von wenigstens 99,9 % und bei einer Temperatur von mehr als 125 °C etwa eine 20%-Verbesserung der Reduktion von SnO im Vergleich zu der Verwendung von CDA. -
4 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für ein Verfahren400 zum Testen einer IC-Vorrichtung veranschaulicht. Bei402 beinhaltet das Verfahren400 Liefern von Stickstoffgas an eine Erwärmungskammer und eine Testkammer. Bei einem Beispiel beinhaltet das Liefern des Stickstoffgases Liefern von Stickstoffgas mit einer Reinheit von mehr als 99,9 %. Das Stickstoffgas kann so geliefert werden, dass ein positiver Druck innerhalb der Erwärmungskammer und der Testkammer aufrechterhalten wird. Bei 404 beinhaltet das Verfahren400 Erwärmen des Stickstoffgases, das an die Erwärmungskammer und die Testkammer geliefert wird. Bei einem Beispiel beinhaltet Erwärmen des Stickstoffgases Erwärmen des Stickstoffgases auf eine Temperatur von mehr als 125 °C. Bei406 beinhaltet das Verfahren400 das Einführen einer IC-Vorrichtung in die Erwärmungskammer. - Bei
408 beinhaltet das Verfahren400 das Erwärmen der IC-Vorrichtung in dem Stickstoffgas innerhalb der Erwärmungskammer für eine vorbestimmte Periode. Bei einem Beispiel beinhaltet das Erwärmen der IC-Vorrichtung Erwärmen der IC-Vorrichtung in dem Stickstoffgas für mehr als 90 Sekunden. Bei410 beinhaltet das Verfahren400 das Transferieren der IC-Vorrichtung in die Testkammer. Bei412 beinhaltet das Verfahren400 das Testen der IC-Vorrichtung in dem Stickstoffgas innerhalb der Testkammer durch Applizieren von Kontaktstiften auf die Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung. Bei414 beinhaltet das Verfahren400 das Herausführen der IC-Vorrichtung aus der Testkammer. - Das Verfahren
400 kann ferner Stoppen der Versorgung des Stickstoffgases an die Erwärmungskammer und die Testkammer als Reaktion darauf beinhalten, dass ein Gasauslasstor für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist. Das Testen der IC-Vorrichtung kann als Reaktion auf das Stoppen des Lieferns des Stickstoffgases an die Erwärmungskammer und die Testkammer gestoppt werden. Das Testen der IC-Vorrichtung kann auch als Reaktion darauf gestoppt werden, dass ein Gasauslasstor für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist. Außerdem kann das Verfahren400 ferner Stoppen des Testens der IC-Vorrichtung als Reaktion darauf beinhalten, dass der Druck innerhalb der Erwärmungskammer und der Testkammer auf unterhalb von 2 bar fällt. - Obgleich hier spezielle Beispiele veranschaulicht und beschrieben wurden, kann eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Implementierungen die speziellen gezeigten und beschriebenen Beispiele ersetzen, ohne den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung zu verlassen. Diese Anmeldung soll jegliche Adaptionen oder Varianten der hier besprochenen speziellen Beispiele abdecken. Daher wird beabsichtigt, dass diese Offenbarung lediglich durch die Ansprüche und die Äquivalente von diesen beschränkt wird.
Claims (18)
- System (100), das Folgendes umfasst: eine Inertgasversorgung (118); eine Erwärmungskammer (102) zum Erwärmen einer Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung in dem Inertgas vor dem Testen; eine Testkammer (106), die Kontaktstifte zum Testen der IC-Vorrichtung (120) in dem Inertgas durch Kontaktieren der Kontaktstifte mit Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung (120) beinhaltet; eine Transferzone (104) zum Transferieren der IC-Vorrichtung (120) von der Erwärmungskammer (102) zu der Testkammer (106); und ein Heizgerät (112) zum Erwärmen des Inertgases, das an die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) geliefert wird.
- System (100) nach
Anspruch 1 , wobei das Inertgas Stickstoff mit einer Reinheit von wenigstens 99,9 % umfasst. - System (100) nach
Anspruch 1 oder2 , wobei das Heizgerät (112) das Inertgas auf wenigstens 125 °C erwärmt. - System (100) nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) bei einem Druck von mehr als 2 bar gehalten werden: wobei optional das System (100) ferner ein Ventil (114) zum Steuern des Flusses eines Inertgases in die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) aufweist. - System (100) nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei die Erwärmungskammer (102) die IC-Vorrichtung (120) vor dem Testen für wenigstens 90 Sekunden in dem Inertgas erwärmt. - System (100) nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , das ferner Folgendes umfasst: ein Gasauslasstor zum Steuern des Flusses des Inertgases aus der Erwärmungskammer (102) und der Testkammer (106) heraus. - System (100), das Folgendes umfasst: ein erstes Gasversorgungsventil zum Steuern eines Stickstoffgasflusses in eine Erwärmungskammer (102) hinein, wobei die Erwärmungskammer (102) zum Erwärmen einer Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung in dem Stickstoffgas vor dem Testen ausgelegt ist; ein zweites Gasversorgungsventil zum Steuern eines Stickstoffgasflusses in eine Testkammer (106) hinein, wobei die Testkammer (106) Kontaktstifte zum Testen der IC-Vorrichtung (120) in dem Stickstoffgas durch Kontaktieren der Kontaktstifte mit Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung (120) beinhaltet; eine Transferzone (104) zum Transferieren der IC-Vorrichtung (120) von der Erwärmungskammer (102) zu der Testkammer (106); ein erstes Heizgerät (112) zum Erwärmen des Stickstoffgases, das an die Erwärmungskammer (102) geliefert wird; und ein zweites Heizgerät (112) zum Erwärmen des Stickstoffgases, das an die Testkammer (106) geliefert wird.
- System (100) nach
Anspruch 7 , das ferner Folgendes umfasst: ein erstes Gasauslasstor zum Steuern des Stickstoffgasflusses aus der Erwärmungskammer (102) heraus; und ein zweites Gasauslasstor zum Steuern des Stickstoffgasflusses aus der Testkammer (106) heraus. - System (100) nach
Anspruch 7 oder8 , wobei das erste Gasversorgungsventil und das zweite Gasversorgungsventil so gesteuert werden, dass der Druck innerhalb der Erwärmungskammer (102), der Testkammer (106) und der Transferzone (104) bei wenigstens 2 bar aufrechterhalten wird. - System (100) nach einem der
Ansprüche 7 bis9 , wobei das Stickstoffgas eine Reinheit von wenigstens 99,9 % aufweist, wobei das erste Heizgerät (112) das Stickstoffgas, das an die Erwärmungskammer (102) geliefert wird, auf wenigstens 125 °C erwärmt, und wobei das zweite Heizgerät (112) das Stickstoffgas, das an die Testkammer (106) geliefert wird, auf wenigstens 125 °C erwärmt. - Verfahren zum Testen einer Integrierter-Schaltkreis(IC)-Vorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Liefern von Stickstoffgas an eine Erwärmungskammer (102) und eine Testkammer (106); Erwärmen des Stickstoffgases, das an die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) geliefert wird; Einführen einer IC-Vorrichtung (120) in die Erwärmungskammer (102); Erwärmen der IC-Vorrichtung (120) in dem Stickstoffgas innerhalb der Erwärmungskammer (102) für eine vorbestimmte Periode; Transferieren der IC-Vorrichtung (120) in die Testkammer (106); Testen der IC-Vorrichtung (120) in dem Stickstoffgas innerhalb der Testkammer (106) durch Applizieren von Kontaktstiften auf die Anschlussleitungen der IC-Vorrichtung (120); und Herausführen der IC-Vorrichtung (120) aus der Testkammer (106).
- Verfahren nach
Anspruch 11 , wobei das Liefern von Stickstoffgas Liefern von Stickstoffgas mit einer Reinheit von mehr als 99,9 % umfasst. - Verfahren nach
Anspruch 11 oder12 , wobei das Liefern von Stickstoffgas Liefern von Stickstoffgas derart, dass ein positiver Druck innerhalb der Erwärmungskammer (102) und der Testkammer (106) aufrechterhalten wird, umfasst. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis13 , wobei das Erwärmen des Stickstoffgases Erwärmen des Stickstoffgases auf eine Temperatur von mehr als 125 °C umfasst. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis14 , wobei das Erwärmen der IC-Vorrichtung (120) Erwärmen der IC-Vorrichtung (120) in dem Stickstoffgas für mehr als 90 Sekunden umfasst. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis15 , das ferner Folgendes umfasst: Stoppen der Versorgung des Stickstoffgases an die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106) als Reaktion darauf, dass ein Gasauslasstor für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist; wobei optional das Verfahren ferner Folgendes umfasst: Stoppen des Testens der IC-Vorrichtung (120) als Reaktion auf das Stoppen des Lieferns des Stickstoffgases an die Erwärmungskammer (102) und die Testkammer (106). - Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis16 , das ferner Folgendes umfasst: Stoppen des Testens der IC-Vorrichtung (120) als Reaktion darauf, dass ein Gasauslasstor für eine vorbestimmte Periode geöffnet ist. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 11 bis17 , das ferner Folgendes umfasst: Stoppen des Testens der IC-Vorrichtung (120) als Reaktion darauf, dass der Druck innerhalb der Erwärmungskammer (102) und der Testkammer (106) auf unterhalb von 2 bar fällt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/390,877 | 2016-12-27 | ||
US15/390,877 US10473712B2 (en) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Integrated circuit device testing in an inert gas |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017131335A1 true DE102017131335A1 (de) | 2018-06-28 |
Family
ID=62510001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017131335.4A Pending DE102017131335A1 (de) | 2016-12-27 | 2017-12-27 | Testen einer Integrierter-Schaltkreis-Vorrichtung in einem Inertgas |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10473712B2 (de) |
JP (1) | JP6901389B2 (de) |
CN (1) | CN108242409B (de) |
DE (1) | DE102017131335A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112415366B (zh) * | 2020-11-18 | 2023-03-10 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 用于构建测试微环境的结构 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60227432A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Nec Corp | ボンデイング用ワイヤのボ−ル形成装置 |
US5032788A (en) * | 1989-06-26 | 1991-07-16 | Digital Equipment Corp. | Test cell for non-contact opens/shorts testing of electrical circuits |
JP2976566B2 (ja) * | 1991-04-19 | 1999-11-10 | 神鋼電機株式会社 | クリーンルーム用の無人搬送装置 |
JPH05288800A (ja) | 1992-04-13 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 温度特性試験装置 |
JPH06300778A (ja) | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | プローブピンの酸化膜防止方法 |
JPH10293162A (ja) | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 計算機装置の環境試験装置 |
US6168065B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-01-02 | Soltec B.V. | Movable selective debridging apparatus for debridging soldered joints on printed circuit boards |
JP2001158985A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Ueda Japan Radio Co Ltd | 金属酸化膜の除去方法および金属酸化膜の除去装置 |
US6936826B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-08-30 | Soluris, Inc. | Vibration-isolating coupling including an elastomer diaphragm for scanning electron microscope and the like |
JP4173306B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 信頼性評価試験装置、信頼性評価試験システム及び信頼性評価試験方法 |
US7589545B2 (en) * | 2006-03-01 | 2009-09-15 | Atmel Germany Gmbh | Device for final inspection |
EP2428524A4 (de) * | 2010-04-30 | 2018-01-03 | Daelim Industrial Co., Ltd. | Gasphasen-polymerisierung von alpha-olefinen |
KR101183690B1 (ko) * | 2011-11-28 | 2012-09-17 | (주)이엔씨테크 | 제습기능을 갖춘 낸드 플래시 메모리용 핫/콜드 테스트 장비 |
US9035669B2 (en) * | 2013-02-20 | 2015-05-19 | Multitest Elektronische Systeme Gmbh | Apparatus and method for testing electronic devices |
EP3062117B1 (de) * | 2013-06-14 | 2018-03-28 | Rasco GmbH | Verfahren zur kontaktierung von integrierten schaltkomponenten in einem prüfsystem |
CN105158568B (zh) * | 2015-08-28 | 2018-03-02 | 广州市昆德科技有限公司 | 基于电容充放电原理的半导体电阻率测绘仪及测绘方法 |
-
2016
- 2016-12-27 US US15/390,877 patent/US10473712B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-13 JP JP2017238726A patent/JP6901389B2/ja active Active
- 2017-12-27 DE DE102017131335.4A patent/DE102017131335A1/de active Pending
- 2017-12-27 CN CN201711444248.7A patent/CN108242409B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180180666A1 (en) | 2018-06-28 |
JP2018109616A (ja) | 2018-07-12 |
US10473712B2 (en) | 2019-11-12 |
CN108242409B (zh) | 2022-05-27 |
CN108242409A (zh) | 2018-07-03 |
JP6901389B2 (ja) | 2021-07-14 |
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