DE102017115774A1

DE102017115774A1 - Chipwiderstand und Verfahren zum Fertigen des Chipwiderstands

Info

Publication number: DE102017115774A1
Application number: DE102017115774.3A
Authority: DE
Inventors: Hisakazu Nagata; Takashi Ito; Yasuhiro Kamijo
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 2016-07-14
Filing date: 2017-07-13
Publication date: 2018-01-18
Also published as: JP2018010987A

Abstract

Ein Chipwiderstand 1 weist eine Widerstandssubstanz 5 auf, die ein Paar einer ersten vorderen Elektrode 3 und einer zweiten vorderen Elektrode 4 überbrückt. Die Widerstandssubstanz 5 weist einen schlängelnden Abschnitt 6, der mit der ersten vorderen Elektrode 3 verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und einen Einstellabschnitt 7, der durch einen Kopplungsabschnitt 6a an den schlängelnden Abschnitt 6 gekoppelt ist. Ein der Breite nach mittiger Abschnitt des Einstellabschnitts 7 und die zweite vordere Elektrode 4 sind miteinander durch einen Vorsprungsabschnitt 7a verbunden. Eine erste Abgleichnut 8 ist in dem Einstellabschnitt 7a gebildet, um sich von einer unteren Seite 7b zu einer oberen Seite 7c zu erstrecken und eine Position zu erreichen, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz 5 verlängert. Zudem wird dann, wenn ein virtueller Bereich, der einen Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut 8 und einen Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbindet, durch P bezeichnet ist, eine zweite Abgleichnut 9 innerhalb eines Gebiets S gebildet sein, das sich von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 erstreckt, aber nicht den virtuellen Bereich P erreicht.

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Chipwiderstand, in dem Abgleichnuten in einer Widerstandssubstanz gebildet sind, die auf einem Isoliersubstrat bereitgestellt ist, so dass ein Widerstandswert der Widerstandssubstanz eingestellt werden kann, und auf ein Verfahren zum Fertigen eines derartigen Chipwiderstands.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Ein Chipwiderstand ist hauptsächlich durch ein quaderförmiges Isoliersubstrat, ein Paar von vorderen Elektroden, ein Paar von hinteren Elektroden, Stirnseitenoberflächenelektroden, eine Widerstandssubstanz, einen Schutzfilm, etc. gebildet. Das Paar von vorderen Elektroden ist auf einer vorderen Oberfläche des Isoliersubstrats vorgesehen und ist einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt. Das Paar von hinteren Elektroden ist auf einer hinteren Oberfläche des Isoliersubstrats vorgesehen und ist einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt. Die Stirnseitenoberflächenelektroden überbrücken jeweils die vorderen Elektroden und die hinteren Elektroden. Die Widerstandssubstanz überbrückt die vorderen Elektroden, die miteinander gepaart sind. Der Schutzfilm bedeckt die Widerstandssubstanz.
Im Allgemeinen wird ein derartiger Chipwiderstand auf die folgende Weise gefertigt. Das heißt, Elektroden, Widerstandssubstanzen, Schutzfilme, etc., in der gleichen Anzahl wie eine große Anzahl von Chipwiderständen, sind gemeinsam auf einem großformatigen Aggregatsubstrat gebildet. Dann wird das Aggregatsubstrat entlang von Unterteilungslinien (z. B. Unterteilungsnuten), die in einem gitterartigen Muster angeordnet sind, unterteilt, so dass die große Anzahl von Chipwiderständen erhalten werden kann. In einem derartigen Chipwiderstandsfertigungsprozess wird eine Widerstandssubstanzmasse auf eine Oberfläche des Aggregatsubstrats gedruckt und gesintert, um damit die große Anzahl von Widerstandssubstanzen zu bilden. Wegen des Einflusses von Positionsverlagerung oder Unschärfe während des Druckens oder Temperaturungleichmäßigkeit in einem Sinterofen etc. ist es jedoch schwierig, die Erzeugung von etwas Variation der Größe oder Filmdicke unter den Widerstandssubstanzen zu vermeiden. Aus diesem Grund ist es notwendig, Widerstandswerteinstellungsarbeit durchzuführen, um eine Abgleichnut in jeder Widerstandssubstanz in dem Zustand des Aggregatsubstrats zu bilden, um einen Widerstandswert der Widerstandssubstanz auf einen gewünschten festzulegen.
Wenn eine Stoßspannung, die wegen statischer Elektrizität oder Leistungsversorgungsrauschen etc. auftritt, an einen derartigen Chipwiderstand, der so konfiguriert ist, angelegt wird, sind Charakteristiken des Widerstands durch übermäßige elektrische Belastung beeinträchtigt. Als eine Folge kann der Widerstand im schlimmsten Fall beschädigt sein. Um eine Stoßcharakteristik zu verbessern, ist bekannt, dass dann, wenn die Widerstandssubstanz in einer gewundenen Gestalt (schlängelnden Gestalt) gebildet ist, um ihre gesamte Länge zu vergrößern, ein Abfall des elektrischen Potentials sanft sein kann, um die Stoßcharakteristik zu verbessern.
Deshalb ist gemäß dem Stand der Technik vorgeschlagen worden, einen Chipwiderstand 10 wie folgt zu konfigurieren (siehe JP-A-9-205004 ). Wie in 3 gezeigt, ist ein Paar von vorderen Elektroden mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen auf gegenüberliegenden Stirnseitenabschnitten eines Isoliersubstrats 11 gebildet. Als nächstes wird eine Widerstandssubstanz 13, die sich mit zwei Windungen schlängelt, zwischen den beiden vorderen Elektroden 12 durch eine Drucktechnik gebildet. Dann wird eine Abgleichnut 14 in einem nicht schlängelnden Gebiet der Widerstandssubstanz 13 durch ein Laserabgleichverfahren gebildet. Dadurch ist die Widerstandssubstanz 13 konfiguriert, mit drei Windungen zu schlängeln.
Die Drucktechnik wie Siebdruck und das Laserabgleichbearbeiten werden zusammen in dem Chipwiderstand 10 verwendet, so dass die Widerstandssubstanz 13 in Hinblick auf die gesamte Länge (schlängeln mit drei Windungen) vergrößert werden kann. Dadurch kann eine Stoßcharakteristik verbessert werden. Die Bildung der Abgleichnut 14 trägt auch zur Einstellung eines Widerstandswerts der Widerstandssubstanz 13 bei. Dementsprechend kann die Genauigkeit des Widerstandswerts verbessert werden.
In der Technik des Standes der Technik, die in JP-A-9-205004 beschrieben ist, ist die Abgleichnut 14, die sich geradlinig erstreckt, so gebildet, dass sich die Widerstandssubstanz 13 schlängeln kann, während auch der Widerstandswert eingestellt werden kann. Dementsprechend kann die Genauigkeit des Widerstandswerts im Vergleich mit einem Fall, in dem die Widerstandssubstanz 13, die die schlängelnde Gestalt aufweist, nur unter Verwendung der Drucktechnik gebildet ist, etwas verbessert werden. Ein Einheitsbetrag des Schneidens der Abgleichnut 14 bedingt jedoch eine große Änderung des Widerstandswerts. Deshalb ist es schwierig, den Widerstandswert mit hoher Genauigkeit einzustellen.
Zusammenfassung der Erfindung
Die Erfindung ist in Anbetracht derartiger gegenwärtiger Umstände der Technik des Standes der Technik geschaffen worden. Eine erste Aufgabe der Erfindung ist es, einen Chipwiderstand bereitzustellen, in dem ein Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden kann, während eine Stoßcharakteristik verbessert wird. Eine zweite Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Fertigen eines derartigen Chipwiderstands bereitzustellen.
Um die vorangegangene erste Aufgabe zu lösen, ist der Chipwiderstand gemäß der Erfindung ein Chipwiderstand, der Folgendes enthält: ein Isoliersubstrat; eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Isoliersubstrat vorgesehen sind und einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt sind, und eine Widerstandssubstanz, die die erste und die zweite Elektrode überbrückt, wobei Abgleichnuten in der Widerstandssubstanz gebildet sind, um damit einen Widerstandswert des Widerstandssubstrats einzustellen; wobei: die Widerstandssubstanz einen Schlängelungsabschnitt, der mit der ersten Elektrode verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und einen Einstellabschnitt, der durch einen Kopplungsabschnitt mit dem schlängelnden Abschnitt verbunden ist, aufweist; ein der Breite nach mittiger Abschnitt des Einstellabschnitts und die zweite Elektrode miteinander durch einen Vorsprungsabschnitt verbunden sind und eine erste Abgleichnut und eine zweite Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet sind, um sich von einer der beiden Seiten, die näher bei dem Kopplungsabschnitt ist, zu der anderen Seite zu erstrecken, und sich die erste Abgleichnut zu einer Position erstreckt, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert, und sich die zweite Abgleichnut zu einer Position erstreckt, die nicht einen virtuellen Bereich erreicht, der einen Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und einen Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts der zweiten Elektrode verbindet.
In dem dadurch konfigurierten Chipwiderstand erstreckt sich die erste Abgleichnut, die von der einen Seite des Einstellabschnitts, der mit dem schlängelnden Abschnitt der Widerstandssubstanz gekoppelt, zu der anderen Seite des Einstellabschnitts geschnitten worden ist, zu der Position, die den Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert. Dementsprechend ist der Einstellabschnitt wegen der ersten Abgleichnut in der schlängelnden Gestalt gebildet, so dass die gesamte Länge der Widerstandssubstanz vergrößert ist. Zur gleichen Zeit kann der Widerstandswert der Widerstandssubstanz durch die erste Abgleichnut grob eingestellt werden. In Anbetracht einer Stromdichte innerhalb der Widerstandssubstanz zu einem Zeitpunkt, an dem die erste Abgleichnut gebildet worden ist, ist der Strom hauptsächlich in dem virtuellen Bereich verteilt, der den Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und den Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitt mit der zweiten Elektrode verbindet, und ein Gebiet, das zwischen dem virtuellen Bereich und der einen Seite des Einstellabschnitt liegt, ist ein Abschnitt, der einen kleinen Betrag des Stroms aufweist, der darin fließt. Die zweite Abgleichnut ist in dem Gebiet gebildet, das sich von der einen Seite des Einstellabschnitts erstreckt, aber nicht den virtuellen Bereich erreicht. Das Gebiet ist ein Abschnitt, in dem ein Verhältnis der Zunahme des Widerstandswerts zu einer Zunahme eines Schneidbetrags der zweiten Abgleichnut klein ist. Deshalb kann der Widerstandswert, der durch die erste Abgleichnut grob eingestellt worden ist, durch die zweite Abgleichnut fein eingestellt werden und die gesamte Länge der Widerstandssubstanz kann erhöht werden. Als Folge kann der Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden, während eine Stoßcharakteristik verbessert wird. Zudem sind der der Breite nach mittige Abschnitt des Einstellabschnitts und die zweite Elektrode durch den Vorsprungsabschnitt miteinander verbunden. Dementsprechend kann der Stromweg der Widerstandssubstanz durch die erste Abgleichnut leicht verlängert werden und das Gebiet, das sich von der einen Seite des Einstellabschnitts erstreckt, aber sich nicht jenseits des virtuellen Bereichs erstreckt, kann weitgehend als ein Gebiet gesichert werden, in dem die zweite Abgleichnut gebildet werden kann. Als Folge kann der Widerstandswert leicht fein eingestellt werden.
Außerdem ist, um die vorangegangene zweite Aufgabe zu lösen, das Verfahren zum Fertigen des Chipwiderstands gemäß der Erfindung ein Verfahren zum Fertigen eines Chipwiderstands, der ein Isoliersubstrat, eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Isoliersubstrat vorgesehen sind und einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt sind, und eine Widerstandssubstanz, die die erste und die zweite Elektrode überbrückt, enthält, wobei Laserlicht auf die Widerstandssubstanz angewendet wird, um Abgleichnuten in der Widerstandssubstanz zu bilden, um damit einen Widerstandswert der Widerstandssubstanz einzustellen; wobei: die Widerstandssubstanz einen Schlängelungsabschnitt, der mit der ersten Elektrode verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und einen Einstellabschnitt, der durch einen Kopplungsabschnitt mit dem schlängelnden Abschnitt verbunden ist und einen der Breite nach mittigen Abschnitt aufweist, der mit der zweiten Elektrode durch einen Vorsprungsabschnitt verbunden ist, aufweist; und nachdem eine erste Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet worden ist, um sich von einer der beiden Seiten, die näher bei dem Kopplungsabschnitt ist, zu der anderen Seite zu erstrecken und eine Position zu erreichen, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert, eine zweite Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet wird, um sich von der einen Seite zu einer Position zu erstrecken, die nicht einen virtuellen Bereich erreicht, der einen Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und einen Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts der zweiten Elektrode verbindet.
In einem derartigen Verfahren zum Herstellen des Chipwiderstands, wird die erste Abgleichnut von der einen Seite des Einstellabschnitts, der mit dem schlängelnden Abschnitt der Widerstandssubstanz gekoppelt, zu der anderen Seite des Einstellabschnitts geschnitten. Wenn die erste Abgleichnut bis zu der Position gebildet ist, die den Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert, ist der Einstellabschnitt in der schlängelnden Gestalt gebildet. Dementsprechend kann die gesamte Länge der Widerstandssubstanz erhöht werden und der Widerstandswert der Widerstandssubstanz kann grob auf einen ungefähren Wert eingestellt werden, der niedriger als ein Zielwiderstandswert ist. In Anbetracht einer Stromdichte innerhalb der Widerstandssubstanz zu einem Zeitpunkt, an dem die erste Abgleichnut gebildet worden ist, ist der Strom hauptsächlich in dem virtuellen Bereich verteilt, der den Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und den Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitt mit der zweiten Elektrode verbindet, und ein Gebiet, das zwischen dem virtuellen Bereich und der einen Seite des Einstellabschnitt liegt, ist ein Abschnitt, der einen kleinen Betrag des Stroms aufweist, der darin fließt. Nachdem die erste Abgleichnut gebildet worden ist, wird die zweite Abgleichnut in dem Gebiet geschnitten, das sich von der einen Seite des Einstellabschnitts erstreckt, aber nicht den virtuellen Bereich erreicht. Das Gebiet ist ein Abschnitt, in dem ein Verhältnis der Zunahme des Widerstandswerts zu einer Zunahme eines Schneidbetrags der zweiten Abgleichnut klein ist. Deshalb kann der Widerstandswert, der durch die erste Abgleichnut grob eingestellt worden ist, durch die zweite Abgleichnut fein eingestellt werden und die gesamte Länge der Widerstandssubstanz kann vergrößert werden. Aus Folge kann der Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden, während eine Stoßcharakteristik verbessert wird. Zudem sind der der Breite nach mittige Abschnitt des Einstellabschnitts und die zweite Elektrode durch den Vorsprungsabschnitt miteinander verbunden. Dementsprechend kann der Stromweg der Widerstandssubstanz leicht durch die erste Abgleichnut verlängert werden und das Gebiet, das sich von der einen Seite des Einstellabschnitts erstreckt, aber sich nicht jenseits des virtuellen Bereichs erstreckt, kann weitgehend als ein Gebiet gesichert werden, in dem die zweite Abgleichnut gebildet werden kann. Als Folge kann der Widerstandswert leicht fein eingestellt werden.
Gemäß dem Chipwiderstand in der Erfindung kann der Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden, während eine Stoßcharakteristik verbessert wird. Zudem kann in dem Verfahren zum Fertigen des Chipwiderstands gemäß der Erfindung der Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden, während die Stoßcharakteristik verbessert wird.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Draufsicht eines Chipwiderstands gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
2A bis 2C sind erläuternde Ansichten, die ein Abgleichverfahren in einem Chipwiderstand gemäß der Ausführungsform zeigen, und
3 ist eine Draufsicht eines Chipwiderstands gemäß einem Beispiel des Standes der Technik.
Genaue Beschreibung der Erfindung
Eine Art zum Ausführen der Erfindung wird im Folgenden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben werden. Wie in 1 gezeigt, ist ein Chipwiderstand 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung hauptsächlich durch ein Isoliersubstrat 2, eine erste vordere Elektrode 3, eine zweite vordere Elektrode 4, eine Widerstandssubstanz 5, einen nicht gezeigten Schutzfilm, etc. errichtet. Das Isoliersubstrat 2, die wie ein Quader geformt ist, ist aus Keramik etc. hergestellt. Die erste vordere Elektrode 3 und die zweite vordere Elektrode 4 sind auf längs gegenüberliegenden Stirnseitenabschnitten einer vorderen Oberfläche des Isoliersubstrats 2 bereitgestellt. Die Widerstandssubstanz 5 ist mit der ersten und der zweiten vorderen Elektrode 3 und 4 verbunden. Der Schutzfilm bedeckt die Widerstandssubstanz 5.
Die Widerstandssubstanz 5 weist einen schlängelnden Abschnitt 6 und einen Einstellabschnitt 7 auf. Der schlängelnde Abschnitt 6 ist mit einem der Breite nach unteren Stirnseitenabschnitt der ersten vorderen Elektrode 3 auf der linken Seite von 1 verbunden und erstreckt sich in einer schlängelnden Gestalt. Der Einstellabschnitt 7 ist durch einen Kopplungsabschnitt 6a mit dem schlängelnden Abschnitt 6 gekoppelt. Ein der Breite nach mittiger Abschnitt des Einstellabschnitts 7 und die zweite vordere Elektrode 4 auf der rechten Seite von 1 sind durch einen Vorsprungsabschnitt 7a miteinander verbunden. Obwohl die Beschreibung später genau gegeben wird, sind eine erste Abgleichnut 8 und eine zweite Abgleichnut 9 in dem Einstellabschnitt 7 gebildet. Ein Widerstandswert der Widerstandssubstanz 5 wird durch die erste und die zweite Abgleichnut 8 und 9 eingestellt. Übrigens ist, obwohl es nicht gezeigt ist, ein Paar von hinteren Elektroden auf einer hinteren Oberfläche des Isoliersubstrats 2 bereitgestellt, die der ersten und der zweiten vorderen Elektrode 3 und 4 entsprechen, und Stirnseitenoberflächenelektroden, die die vorderen Elektroden und die hinteren Elektroden entsprechend überbrücken, sind auf längs gegenüberliegenden Stirnseitenoberfläche des Isoliersubstrats bereitgestellt.
Die erste und die zweite vordere Elektrode 3 und 4 werden durch Siebdruck, Trocknen und Sintern einer Ag-Masse erhalten. Die Widerstandssubstanz 5 wird durch Siebdruck, Trocknen und Sintern einer Widerstandssubstanzmasse aus Ruthenium-Oxid etc. erhalten.
Der schlängelnde Abschnitt 6 der Widerstandssubstanz 5 weist eine gewundene Gestalt (schlängelnde Gestalt), die sich mit zwei Windungen schlängelt, auf. Die schlängelnde Gestalt des schlängelnden Abschnitts 6 ist durch eine Druckgestalt der Widerstandssubstanzmasse definiert. Der Kopplungsabschnitt 6a des schlängelnden Abschnitts 6 ist mit einem unteren Stirnseitenabschnitt auf der linken Seite des Einstellabschnitt 7, der in 1 gezeigt ist, verbunden. Wegen der ersten Abgleichnut 8, die in dem Einstellabschnitt 7 gebildet ist, weist der Einstellabschnitt 7 eine Gestalt auf, die sich mit einer Windung schlängelt. Dadurch werden der schlängelnde Abschnitt 6 mit zwei Windungen und der Einstellabschnitt 7, der sich mit einer Windung schlängelt, miteinander gekoppelt. Als Folge ist die Widerstandssubstanz 5, die sich mit drei Windungen schlängelt, zwischen der ersten und der zweiten vorderen Elektrode 3 und 4 gebildet.
Die erste Abgleichnut 8 ist ein Schlitz, der sich geradlinig von einer unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 zu einer oberen Seite 7c des Einstellabschnitts 7 erstreckt. Ein Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut 8 erreicht eine Position, die einen Stromweg des Widerstandssubstanz 5 verlängert, konkret eine Position jenseits einer geraden Linie Q, die eine obere Stirnseite eines Verbindungsabschnitts des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 und eine obere Stirnseite des Kopplungsabschnitts 6a verbindet. Es wird hier angenommen, dass ein virtueller Bereich, der den Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut 8 und den Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbindet, durch P bezeichnet wird. In diesem Fall ist ein Gebiet S, das zwischen dem virtuellen Bereich P und der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 liegt, ein Abschnitt, in dem eine Änderung des Widerstandswerts klein ist.
Die zweite Abgleichnut 9 ist ein L-förmiger Schlitz, der in einem Abschnitt des Einstellabschnitts 7 auf einer rechten Seite der ersten Abgleichnut 8 gebildet ist, um sich von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 zu erstrecken. Die zweite Abgleichnut 9 ist innerhalb des Gebiets S gebildet, das sich nicht jenseits des virtuellen Bereichs P erstreckt. Übrigens werden die erste Abgleichnut 8 und die zweite Abgleichnut 9 auf die folgende Weise gebildet. Das heißt, der Einstellabschnitt 7 der Widerstandssubstanz 5 wird mit Laserlicht bestrahlt, während nicht gezeigte Sonden in Anschlag gegen die erste und die zweite vordere Elektrode 3 und 4 gebracht sind. Der Einstellabschnitt 7 wird in einer vorgegebenen Richtung mit dem Laserlicht abgetastet. Dadurch werden die erste Abgleichnut 8 und die zweite Abgleichnut 9 gebildet.
Als nächstes wird ein Abgleichverfahren in einem Chipwiderstand, der wie oben beschrieben konfiguriert ist, mit Bezug auf 2A bis 2C beschrieben werden.
Als erstes wird, wie in 2A gezeigt, eine Ag-Masse, die auf eine vordere Oberfläche eines Isoliersubstrats 2 siebgedruckt ist, getrocknet und gesintert. Dadurch werden eine erste vordere Elektrode 3 und eine zweite vordere Elektrode 4 auf dem Isoliersubstrat 2 und getrennt voneinander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen gebildet. Dann wird eine Widerstandssubstanzmasse aus Ruthenium-Oxid etc. siebgedruckt, getrocknet und gesintert. Dadurch wird eine Widerstandssubstanz 5 gebildet, so dass gegenüberliegende Stirnseitenabschnitt der Widerstandssubstanz 5 auf der ersten und der zweiten vorderen Elektrode 3 und 4 aufgebracht werden können. Die Widerstandssubstanz 5 wird dadurch durch einen schlängelnden Abschnitt 6 und einen rechteckigen Einstellabschnitt 7 errichtet. Der schlängelnde Abschnitt 6 ist mit einem der Breite nach unteren Stirnseitenabschnitt der ersten vorderen Elektrode 3 verbunden und erstreckt sich in einer schlängelnden Gestalt. Der rechteckige Einstellabschnitt 7 ist durch einen Kopplungsabschnitt 6a an den schlängelnden Abschnitt 6 gekoppelt. Ein Vorsprungsabschnitt 7a, der von einem der Breite nach mittigen Abschnitt des Einstellabschnitts 7 vorsteht, ist mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbunden. Übrigens kann die Position, an der der Vorsprungsabschnitt 7a, der von dem Einstellabschnitt 7 vorsteht, gebildet ist, geringfügig in einer Richtung nach oben/unten abweichen, so lange wie die Position in der Nähe der der Breite nach Mitte des Einstellabschnitts 7 ist.
Als nächstes werden nicht gezeigte Sonden in Kontakt mit einem Paar der vorderen Elektroden 3 und 4 gebracht, um einen Widerstandswert der Widerstandssubstanz 5 zu messen. Zur gleichen Zeit wird die Bestrahlung des Einstellabschnitts 7 mit dem Laserlicht von einer unteren Seite 7b zu einer oberen Seite 7c durchgeführt. Auf diese Weise wird eine erste Abgleichnut 8 gebildet, um sich geradlinig von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 zu einer Position, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz 5 verlängert, zu erstrecken, wie in 2b gezeigt ist. Hierbei kann dann, wenn sich eine Spitze der ersten Abgleichnut 8 jenseits einer geraden Linie Q befindet, die eine obere Stirnseite des Kopplungsabschnitts 6a und eine untere Stirnseite eines Verbindungsabschnitts des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbindet, der Stromweg der Widerstandssubstanz 5 in Übereinstimmung mit einem Schneidbetrag der ersten Abgleichnut 8 verlängert werden. Ein Verhältnis einer Zunahme des Widerstandswerts zu einer Zunahme des Schneidbetrags der ersten Abgleichnut 8 steigt plötzlich mit der geraden Linie Q als einer Grenze an. Dementsprechend kann der Widerstandswert durch die erste Abgleichnut 8 nicht mit hoher Genauigkeit eingestellt werden. Deshalb wird, so bald wie der Widerstandswert der Widerstandssubstanz 5 auf einen ungefähren Wert steigt, der niedriger als ein Zielwiderstandswert ist, die Bestrahlung mit dem Laserlicht gestoppt, um damit die Bildung der ersten Abgleichnut 8 zu beenden.
In Anbetracht einer Stromdichte innerhalb der Widerstandssubstanz 5 zu dem Zeitpunkt, an dem die erste Abgleichnut 8 gebildet worden ist, ist der Strom hauptsächlich in einem virtuellen Bereich P verteilt, der den Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut 8 und den Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbindet, und ein Gebiet S, das zwischen dem virtuellen Bereich P und der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 liegt, ist ein Abschnitt, der einen kleinen Betrag des Stroms aufweist, der darin fließt.
Nachdem die erste Abgleichnut 8 gebildet worden ist, wird die Bestrahlung des Einstellabschnitts 7 mit Laserlicht wieder von der unteren Seite 7b zu der oberen Seite durchgeführt. Dadurch wird, wie in 2C gezeigt, eine L-förmige zweite Abgleichnut 9 innerhalb des Gebiets S gebildet, die sich von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 erstreckt, aber nicht den virtuellen Bereich P erreicht. Das Gebiet S ist ein Abschnitt, in dem ein Verhältnis einer Zunahme des Widerstandswerts zu einer Zunahme eines Schneidbetrags der zweiten Abgleichnut 9 klein ist.
Deshalb kann der Widerstandswert, der durch die erste Abgleichnut 8 grob eingestellt worden ist, durch die zweite Abgleichnut 9 fein eingestellt werden, um mit dem Zielwiderstandswert übereinzustimmen. Übrigens ist, obwohl es nicht gezeigt ist, die Widerstandssubstanz 5 mit einer Grundierungsschicht (Schutzfilm) bedeckt. Das Laserlicht wird von oberhalb der Grundierungsschicht auf die Widerstandssubstanz 5 angewendet, so dass die erste Abgleichnut 8 und die zweite Abgleichnut 9 in der Widerstandssubstanz 5 gebildet werden können.
Wie oben beschrieben, weist die Widerstandssubstanz 5 in dem Chipwiderstand 1 gemäß der Ausführungsform den schlängelnden Abschnitt 6, der mit der ersten vorderen Elektrode 3 verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und den Einstellabschnitt 7, der durch den Kopplungsabschnitt 6a an den schlängelnden Abschnitt 6 gekoppelt ist, auf. Der der Breite nach mittige Abschnitt des Einstellabschnitts 7 und die zweite vordere Elektrode 4 sind durch den Vorsprungsabschnitt 7a miteinander verbunden und die erste Abgleichnut 8, die in dem Einstellabschnitt 7 gebildet ist, um sich von der unteren Seite 7b zu der oberen Seite 7c zu erstrecken, erreicht die Position, an der der Stromweg der Widerstandssubstanz 5 verlängert wird (die Position jenseits der geraden Linie Q in 1). Dementsprechend wird der Einstellabschnitt wegen der ersten Abgleichnut 8 in einer schlängelnden Gestalt gebildet, so dass eine gesamte Länge der Widerstandssubstanz 5 vergrößert ist. Zur gleichen Zeit kann der Widerstandswert der Widerstandssubstanz 5 durch die erste Abgleichnut 8 grob eingestellt werden.
In Anbetracht der Stromdichte innerhalb der Widerstandssubstanz 5 zu dem Zeitpunkt, an dem die erste Abgleichnut 8 gebildet worden ist, ist der Strom hauptsächlich in dem virtuellen Bereich P verteilt, der den Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut 8 und den Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts 7a mit der zweiten vorderen Elektrode 4 verbindet, und das Gebiet S, das zwischen dem virtuellen Bereich P und der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 liegt, ist ein Abschnitt, der einen kleinen Betrag des Stroms aufweist, der darin fließt. Die zweite Abgleichnut 9 ist in dem Gebiet S gebildet, das sich von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 erstreckt, aber nicht den virtuellen Bereich P erreicht. Das Gebiet S ist ein Abschnitt, in dem ein Verhältnis einer Zunahme des Widerstandswerts zu einer Zunahme des Schneidbetrags der zweiten Abgleichnut 9 klein ist. Dementsprechend kann der Widerstandswert, der durch die erste Abgleichnut 8 grob eingestellt worden ist, durch die zweite Abgleichnut 9 fein eingestellt werden. Auf diese Weise kann die gesamte Länge der Widerstandssubstanz 9 vergrößert werden. Folglich kann der Widerstandswert mit hoher Genauigkeit eingestellt werden, während eine Stoßcharakteristik verbessert wird.
Zudem sind der der Breite nach mittige Abschnitt des Einstellabschnitts 7 und die zweite vordere Elektrode 4 durch den Vorsprungsabschnitt 7a miteinander verbunden. Dementsprechend kann der Stromweg der Widerstandssubstanz 5 leicht durch die erste Abgleichnut 8 verlängert werden. Zudem kann das Gebiet S, das sich von der unteren Seite 7b des Einstellabschnitts 7 erstreckt, aber nicht jenseits des virtuellen Gebiets P reicht, weitgehend als ein Gebiet gesichert werden, in dem die zweite Abgleichnut gebildet werden kann. Dementsprechend kann der Widerstandswert leicht fein eingestellt werden.
Übrigens kann, obwohl die schlängelnde Gestalt des schlängelnden Abschnitts 6 durch die Drucktechnik in der zuvor genannten Ausführungsform definiert ist, der schlängelnde Abschnitt 6 auch durch Laserabgleich in einer schlängelnden Gestalt gebildet sein und die Anzahl der Windungen in dem schlängelnden Abschnitt 6 kann eine andere Anzahl als 2 sein.
Zudem ist der Fall, in dem der L-geschnittene Schlitz als die zweite Abgleichnut 9 gebildet, in der zuvor genannten Ausführungsform beschrieben. Die Schlitzgestalt der zweiten Abgleichnut 9 ist jedoch nicht auf den L-Schnitt beschränkt. Eine andere Gestalt wie ein gerader Schnitt oder ein Doppelschnitt können als Schlitzgestalt der zweiten Abgleichnut 9 verwendet werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 9-205004 A [0005, 0007]

Claims

Chipwiderstand, der Folgendes umfasst: ein Isoliersubstrat; eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Isoliersubstrat vorgesehen sind und einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt sind, und eine Widerstandssubstanz, die die erste und die zweite Elektrode überbrückt, wobei Abgleichnuten in der Widerstandssubstanz gebildet sind, um damit einen Widerstandswert des Widerstandssubstrats einzustellen; dadurch gekennzeichnet, dass: die Widerstandssubstanz einen Schlängelungsabschnitt, der mit der ersten Elektrode verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und einen Einstellabschnitt, der durch einen Kopplungsabschnitt mit dem schlängelnden Abschnitt verbunden ist, aufweist; ein der Breite nach mittiger Abschnitt des Einstellabschnitts und die zweite Elektrode miteinander durch einen Vorsprungsabschnitt verbunden sind und eine erste Abgleichnut und eine zweite Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet sind, um sich von einer der beiden Seiten, die näher bei dem Kopplungsabschnitt ist, zu der anderen Seite zu erstrecken, und sich die erste Abgleichnut zu einer Position erstreckt, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert, und sich die zweite Abgleichnut zu einer Position erstreckt, die nicht einen virtuellen Bereich erreicht, der einen Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und einen Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts der zweiten Elektrode verbindet.
Verfahren zum Fertigen eines Chipwiderstands, der ein Isoliersubstrat; eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die auf dem Isoliersubstrat vorgesehen sind und einander mit einem vorgegebenen Abstand dazwischen zugewandt sind, und eine Widerstandssubstanz, die die erste und die zweite Elektrode überbrückt, enthält, wobei Laserlicht auf die Widerstandssubstanz angewendet wird, um Abgleichnuten in der Widerstandssubstanz zu bilden, um dadurch einen Widerstandswert der Widerstandssubstanz einzustellen; dadurch gekennzeichnet, dass: die Widerstandssubstanz einen Schlängelungsabschnitt, der mit der ersten Elektrode verbunden ist und sich in einer schlängelnden Gestalt erstreckt, und einen Einstellabschnitt, der durch einen Kopplungsabschnitt mit dem schlängelnden Abschnitt verbunden ist und einen der Breite nach mittigen Abschnitt aufweist, der mit der zweiten Elektrode durch einen Vorsprungsabschnitt verbunden ist, aufweist; und nachdem eine erste Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet worden ist, um sich von einer der beiden Seiten, die näher bei dem Kopplungsabschnitt ist, zu der anderen Seite zu erstrecken und eine Position zu erreichen, die einen Stromweg der Widerstandssubstanz verlängert, eine zweite Abgleichnut in dem Einstellabschnitt gebildet wird, um sich von der einen Seite zu einer Position zu erstrecken, die nicht einen virtuellen Bereich erreicht, der einen Spitzenabschnitt der ersten Abgleichnut und einen Verbindungsabschnitt des Vorsprungsabschnitts der zweiten Elektrode verbindet.