DE102016216296A1

DE102016216296A1 - Arraysubstrat und anzeigepaneel

Info

Publication number: DE102016216296A1
Application number: DE102016216296.9A
Authority: DE
Inventors: Feng Lu; Liang Liu
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2016-01-29
Filing date: 2016-08-30
Publication date: 2017-08-03
Anticipated expiration: 2036-08-31
Also published as: US20170220180A1; CN105677111B; DE102016216296B4; CN105677111A; US10067597B2

Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Arraysubstrat und ein Anzeigepaneel bereit. Das Arraysubstrat umfasst: ein Substrat; mehrere Abtastleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, mehrere Datenleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken; mehrere Pixeleinheiten, die durch die Abtastleitungen und Datenleitungen gebildet sind, wobei jede der mehreren Pixeleinheiten mit einem entsprechenden Dünnschichttransistor versehen ist; mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten, die auf dem Substrat ausgebildet sind; wobei das Substrat ferner mit mehreren Verbindungsleitungen darauf versehen ist, um die Halbleiterdruckerfassungseinheiten miteinander zu verbinden, so dass mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur gebildet ist. Die Verwendung des Arraysubstrats, das in der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann den Nachteil im Stand der Technik verringern, wonach der Aufbau kompliziert ist, wenn der Berührungsdrucksensor integriert wird.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Techniken für berührungsempfindliche Anzeigen und insbesondere ein Arraysubstrat und ein Anzeigepaneel.
Technischer Hintergrund
Gegenwärtig werden als Informationseingabemittel Anzeigepaneele, die eine berührungsempfindliche Funktion besitzen, in großem Umfang in diversen Anzeigeprodukten, etwa einem Mobiltelefon, einem Tablett-Rechner und einer Informationsgewinnungsanlage in öffentlichen Plätzen usw. eingesetzt. Daher muss ein Anwender lediglich Zeichen auf dem berührungsempfindlichen Anzeigepaneel mit seinem Finger berühren, um Vorgänge in den elektronischen Einrichtungen in Gang zu setzen, wodurch vermieden wird, dass der Anwender von anderen Eingabegeräten (d. h., Tastatur und Maus) abhängig ist und wodurch die Wechselwirkung zwischen Mensch und Computer einfacher wird. Um die Anforderungen des Anwenders besser zu erfüllen, wird das berührungsempfindliche Anzeigepaneel für gewöhnlich mit einem Drucksensor zur Erfassung der Größe des Berührungsdruckes, der von dem Anwender ausgeübt wird, versehen. Der Drucksensor ist nicht nur ausgebildet, nur Information aus einer Berührposition zu gewinnen, sondern auch die Größe des Berührdrucks zu ermitteln, so dass der Anwendungsbereich der Technik für berührungsempfindliche Anzeigen erweitert wird.
Wenn im Stand der Technik der Berührungsdrucksensor integriert ist, kann dieser nur an der Rückseite des Rückseitenbeleuchtungsmoduls angebracht werden. Um eine Temperaturverschiebung zu kompensieren, ist es erforderlich, Elektroden auf beiden Seiten des berührungsempfindlichen Substrats anzuordnen und Öffnungen in dem berührungsempfindlichen Paneel vorzusehen, und daher ist der Aufbau kompliziert.
Überblick über die Erfindung
Die vorliegende Offenbarung stellt ein Arraysubstrat und ein Anzeigepaneel bereit, um die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden, wonach der Aufbau kompliziert ist, wenn der Berührungsdrucksensor integriert wird.
In einem ersten Aspekt stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Arraysubstrat bereit, mit:
einem Substrat;
mehreren Abtastleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung erstrecken, mehreren Datenleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken,
wobei mehrere Pixeleinheiten durch die Abtastleitungen und Datenleitungen gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten mit einem entsprechenden Dünnschichttransistor versehen ist und der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrodenschicht, eine aktive Schicht und eine Source/Drain-Elektrodenschicht aufweist; und
mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten, die auf dem Substrat ausgebildet sind, wobei die Halbleilerdruckerfassungseinheiten und die aktive Schicht in einer gleichen Schicht angeordnet sind, und die Halbleiterdruckerfassungseinheiten zumindest teilweise in einem Anzeigegebiet des Arraysubstrats angeordnet sind;
wobei das Substrat ferner mit mehreren Verbindungsleitungen darauf versehen ist, um die Halbleiterdruckerfassungseinheiten miteinander zu verbinden, um mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden.
In einem zweiten Aspekt stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepaneel bereit, wobei das Anzeigepaneel das vorhergehende Arraysubstrat und ein Gegensubstrat, das gegenüberliegend zu dem Arraysubstrat angeordnet ist, aufweist.
Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die mehreren Halbleiterdruckerfassungseinheiten auf dem Substrat angeordnet und sind mit der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors in der gleichen Schicht angeordnet, und ferner sind die Halbleiterdruckerfassungseinheiten zumindest teilweise in dem Anzeigegebiet des Substrats angeordnet und sind über die mehreren Verbindungsleitungen, die auf dem Substrat ausgebildet sind, miteinander verbunden, um mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden, so dass die Halbleiterdruckerfassungseinheiten und die Verbindungsleitungen als Einheit mit dem Substrat aufgebaut sind, wodurch der Nachteil im Stand der Technik, wonach der Aufbau kompliziert ist, wenn der Berührungsdrucksensor integriert ist, behoben ist, und die Eignung für die Massenproduktion gegeben ist.
Beschreibung von Zeichnungen
1A ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
1B ist eine teilweise vergrößerte Ansicht des in 1A gezeigten Arraysubstrats;
2 ist eine Prinzipansicht einer Wheatstone-Brücke im Stand der Technik;
3A ist eine schematische Ansicht, die eine Schaltungsverbindung zeigt, in der vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten durch die Verbindungsleitungen miteinander verbunden sind, so dass sie die Wheatstone-Brücke bilden;
3B ist ein Ersatzschaltbild einer Schaltung, die in 3A gezeigt ist;
3C ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau des Arraysubstrats zeigt, nachdem die in 3A gezeigte Schaltung auf dem Arraysubstrat angeordnet ist;
4 ist eine Schnittansicht des Arraysubstrats in 1B entlang einer Linie A1-A2.
5A ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines weiteren Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
5B ist eine teilweise vergrößerte Ansicht des Arraysubstrats aus 5A;
6 ist eine schematische Ansicht, die einen Teilaufbau eines noch weiteren Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt;
7 ist eine Schnittansicht des Arraysubstrats in 5B entlang einer Linie B1-B2;
8 ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Arraysubstrats zeigt, nachdem die Schaltungsstruktur, in der die vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten aus 5A durch die Verbindungsleitungen miteinander verbunden sind, um die Wheatstone-Brücke zu bilden, auf dem Arraysubstrat angeordnet ist; und
9 ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Anzeigepaneels gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Im Folgenden wird die vorliegende Offenbarung detailliert in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen und den Ausführungsformen in der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Es sollte beachtet werden, dass die speziellen hierin beschriebenen Ausführungsformen lediglich dazu dienen, die vorliegende Offenbarung zu erläutern, und nicht dazu verwendet sind, die vorliegende Offenbarung zu beschränken. Ferner ist auch zu beachten, dass zur Vereinfachung der Beschreibung lediglich ein Teil der Strukturen, der die vorliegende Offenbarung betrifft, und nicht die gesamten Strukturen in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind.
1A ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 1B ist eine vergrößerte Ansicht eines Gebiets, das durch fettgedruckte gepunktete Linien in einem Arraysubstrat in 1A umschlossen ist. Ein Arraysubstrat 1 umfasst: ein Substrat 10; mehrere Abtastleitungen 11, die auf dem Substrat 10 ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung 100 erstrecken, und mehrere Datenleitungen 12, die auf dem Substrat 10 ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung 200 erstrecken; wobei die Datenleitungen 12 und die Abtastleitungen 11 ausgebildet sind, mehrere Pixeleinheiten 13 zu bilden, wobei jede der mehreren Pixeleinheiten 13 mit einem Dünnschichttransistor 14 versehen ist, und der Dünnschichttransistor 14 eine Gate-Elektrodenschicht 141, eine aktive Schicht 142 und eine Source/Drain-Elektrodenschicht 143 aufweist; und mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15, die auf dem Substrat 10 (das in 1A gezeigte Arraysubstrat 1 weist in anschaulicher Weise vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 auf) ausgebildet sind, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 und die aktive Schicht 142 in der gleichen Schicht angeordnet sind, und die Halbleiterdruckerfassungseinheiten zumindest teilweise in einem Anzeigegebiet 2 des Arraysubstrats 1 angeordnet sind; mehrere Verbindungsleitungen 16 sind ebenfalls auf dem Substrat 10 ausgebildet, um die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 miteinander zu verbinden, sodass mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur gebildet ist. Im Vergleich zu dem Arraysubstrat im Stand der Technik hat das Arraysubstrat gemäß der vorhergehenden technischen Lösung einen einfachen Aufbau und ist in einfacher Weise für die Massenproduktion anpassbar.
Insbesondere hat die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 einen streifenförmigen Aufbau, der sich entlang der zweiten Richtung 200 erstreckt (wie in 1A und 1B gezeigt ist), und eine Länge der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 entlang der zweiten Richtung 200 ist größer als eine Länge einer einzelnen Pixeleinheit 13 entlang der zweiten Richtung 200. Das Arraysubstrat 1, das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt ist, kann verwendet werden, um ein Flüssigkristallanzeigepaneel oder ein Anzeigepaneel mit organischer lichtemittierender Diode herzustellen. Wenn das Arraysubstrat 1 in der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, um ein Flüssigkristallanzeigepaneel herzustellen, kann unter Berücksichtigung, dass eine schwarze Matrix generell auf einer Seite eines Farbfiltersubstrats gegenüberliegend zu dem Arraysubstrat 1 in dem Flüssigkristallanzeigepaneel angeordnet ist, eine Projektion der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf das Substrat 10 optional in einem Lichtabschirmgebiet der schwarzen Matrix zwischen den Pixeleinheiten 13 liegen, wie in 1A gezeigt ist; oder wenn ein Gebiet aus Disklinationsleitungen in der Pixeleinheit 13 des Arraysubstrats 1 vorhanden ist, kann eine Projektion der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf das Substrat 10 in einem Gebiet aus Disklinationsleitungen der Pixeleinheit 13 angeordnet sein. Diese Anordnung kann in wirksamer Weise den Einfluss der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf die Anzeigewirkung des Flüssigkristallanzeigepaneels verringern.
2 ist eine Prinzipansicht einer Wheatstone-Brücke im Stand der Technik. Vier Widerstände R1, R2, R3 und R4 sind miteinander verbunden, so dass sie ein Viereck ABCD bilden, d. h. vier Arme einer Brücke. Ein Strommesser G ist auf der Diagonalen BD des Vierecks ABCD angeordnet, das als eine ”Brücke” bezeichnet wird; die andere Diagonale AC des Vierecks ABCD ist mit einer Leistungsversorgung E verbunden. Wenn die Leistungsversorgung E eingeschaltet wird, fließen Ströme durch jeden der Zweige der Brückenstruktur. Wenn die Werte der vier Widerstände R1, R2, R3 und R4 die Beziehung
erfüllen, sind die elektrischen Potenziale an den Punkten B und D zueinander gleich, der Wert des Stroms, der durch den Strommesser G fließt ist gleich Null, der Zeiger des Strommessers G zeigt auf die Marke ”0”, und somit ist die Brücke im Gleichgewichtszustand und die Beziehung
wird als der Brückengleichgewichtszustand bezeichnet. Wenn die Werte der vier Widerstände R1, R2, R3 und R4 die Beziehung
nicht erfüllen (d. h., den Brückengleichgewichtszustand nicht erfüllen), dann sind die elektrischen Potenzialen an den Punkten B und D verschieden zueinander, und somit ist der Wert des Stroms, der durch den Strommesser G in der Brückenstruktur fließt, nicht gleich Null, und der Zeiger des Strommesser G wird ausgelenkt (d. h., der Zeiger des Strommessers G zeigt nicht auf die Marke ”0”). Die Beziehung von Widerstandswerten der vier Widerstände R1, R2, R3 und R4 kann beim Berechnen ermittelt werden, indem der von dem Strommesser G ausgegebene Wert verwendet wird.
Durch Anwendung des vorhergehenden Prinzips können die mehreren Verbindungsleitungen 16 so gestaltet werden, dass sie die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 miteinander verbinden, um wenigstens eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden, wobei jede der Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 als ein Arm der Wheatstone-Brückenstruktur betrachtet werden kann, so dass dann vier derartige Arme durch die Verbindungsleitungen 16 miteinander verbunden sind, um eine Wheatstone-Brückenstruktur zu erzeugen. Alternativ ist es auch möglich, zwei oder mehr Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 in Reihe als ein Arm der Wheatstone-Brückenstruktur zu verbinden, und es können vier derartige Arme durch die Verbindungsleitungen 16 miteinander verbunden werden, um eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden, die hierin nicht eingeschränkt ist. In einer speziellen Gestaltung erfüllt jede Wheatstone-Brücke optional in einem Anfangszustand die Brückengleichgewichtsbedingung (d. h. ein Zustand, in welchem kein Berührungsdruck ausgeübt wird). Ferner können alle Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 durch die Verbindungsleitungen 16 auf dem Arraysubstrat 1 so verbunden sein, dass sie eine oder mehrere Wheatstone-Brückenstrukturen bilden.
3A ist eine schematische Ansicht einer Schaltungsverbindung, in der vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten durch die Verbindungsleitungen so miteinander verbunden sind, dass die Wheatstone-Brücke gebildet wird; 3B ist ein Ersatzschaltbild einer Schaltung, die in 3A gezeigt ist; und 3C ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau des Arraysubstrats zeigt, nachdem die in 3A gezeigte Schaltung auf dem Arraysubstrat ausgebildet ist. Jede Wheatstone-Brückenstruktur umfasst eine erste Halbleiterdruckerfassungseinheit 151, eine zweite Halbleiterdruckerfassungseinheit 152, eine dritte Halbleiterdruckerfassungseinheit 153 und eine vierte Halbleiterdruckerfassungseinheit 154. Die mehreren Verbindungsleitungen 16 umfassen mehrere erste Verbindungsleitungen 161, mehrere zweite Verbindungsleitungen 162, mehrere dritte Verbindungsleitungen 163 und mehrere vierte Verbindungsleitungen 164.
Ein Signaleingangsanschluss der ersten Halbleiterdruckerfassungseinheit 151 und ein Signaleingangsanschluss der dritten Halbleiterdruckerfassungseinheit 153 sind elektrisch mit der ersten Verbindungsleitung 161 verbunden und sind ferner elektrisch mit einem ersten Erfassungseingangsanschluss 211 über die erste Verbindungsleitung 161 verbunden; ein Signaleingangsanschluss der zweiten Halbleiterdruckerfassungseinheit 152 und ein Signaleingangsanschluss der vierten Halbleiterdruckerfassungseinheit 154 sind elektrisch mit der zweiten Verbindungsleitung 162 verbunden und sind ferner elektrisch mit einem zweiten Erfassungseingangsanschluss 212 über die zweite Verbindungsleitung 162 verbunden; ein Signaleingangsanschluss der ersten Halbleiterdruckerfassungseinheit 151 und ein Signaleingangsanschluss der zweiten Halbleiterdruckerfassungseinheit 152 sind elektrisch mit der dritten Verbindungsleitung 163 verbunden und sind ferner über die dritte Verbindungsleitung 163 elektrisch mit einem ersten Erfassungseingangsanschluss 221 verbunden; ein Signaleingangsanschluss der dritten Halbleiterdruckerfassungseinheit 153 und ein Signaleingangsanschluss der vierten Halbleiterdruckerfassungseinheit 154 sind elektrisch mit der vierten Verbindungsleitung 164 verbunden und sind ferner über die vierte Verbindungsleitung 164 elektrisch mit einem zweiten Erfassungseingangsanschluss 222 verbunden.
Wie in 3C gezeigt ist, ist das Funktionsprinzip des vorhergehenden Arraysubstrats 1 wie folgt: nachdem elektrische Signale an die vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 über den ersten Erfassungseingangsanschluss 211 und den zweiten Erfassungseingangsanschluss 212 angelegt werden, bleibt, wenn das Anzeigepaneel mit dem vorhergehenden Arraysubstrat 1 nicht durch einen Finger eines Anwenders berührt wird, die Wheatstone-Brücke in einem Gleichgewichtszustand, da sie die Brückengleichgewichtsbedingung erfüllt, und somit ist der Spannungswert des Signals, das zwischen dem ersten Erfassungseingangsanschluss 221 und dem zweiten Erfassungseingangsanschluss 222 ausgegeben wird, gleich Null; wenn das Anzeigepaneel mit dem vorhergehenden Arraysubstrat 1 von dem Finger des Anwenders berührt wird, wird das gesamte Arraysubstrat 1 verformt, was zu einer Änderung des Impedanzwertes von Verformungswiderstandsstreifen führt, die die jeweiligen Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 bilden, so dass demgemäß die Wheatstone-Brücke die Brückengleichgewichtsbedingung nicht mehr erfüllt, d. h., die Wheatstone-Brücke ist verstimmt, und der Spannungswert des zwischen dem ersten Erfassungseingangsanschluss 221 und dem zweiten Erfassungseingangsanschluss 222 ausgegebenen Spannungswertes des Signals ist nicht Null. Nach Ablesen des Wertes des Ausgangssignals kann die Größe des Berührungsdrucks, der erzeugt wird, wenn der Anwender das Anzeigepaneel mit dem vorhergehenden Arraysubstrat 1 berührt, auf der Grundlage des Wertes des Ausgangssignals berechnet werden. Der Messwert für die Größe des Berührungsdrucks kann insbesondere für Betätigungen angewendet werden, etwa eine Berührungsbetätigung, eine Freigabebetätigung oder einen Ziehvorgang usw.
Es sollte beachtet werden, dass, wie in 3C gezeigt ist, optional das Arraysubstrat 1 ferner mit einem Ansteuerchip 4 versehen sein kann, der elektrisch mit der ersten Verbindungsleitung 161, der zweiten Verbindungsleitung 162, der dritten Verbindungsleitung 163 und der vierten Verbindungsleitung 164 verbunden ist. Der Ansteuerchip 4 ist ausgebildet, elektrische Signale einer einzelnen Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 über den ersten Erfassungseingangsanschluss 211 und den zweiten Erfassungseingangsanschluss 212 zuzuführen, und anschließend die Werte des Signals, das zwischen dem ersten Erfassungseingangsanschluss 221 und dem zweiten Erfassungseingangsanschluss 222 ausgegeben wird, auszulesen. In 3C ist der Ansteuerchip 4 auf einer rechten Seite eines Nicht-Anzeigegebiets des Arraysubstrats 1 angeordnet, wobei dies lediglich ein spezielles Beispiel der vorliegenden Offenbarung ist und keine Einschränkung der vorliegenden Offenbarung bedeutet. In einer speziellen Gestaltung kann der Ansteuerchip 4 auch an anderen Positionen des Nicht-Anzeigegebiets des Arraysubstrats 1 angeordnet sein.
In der vorhergehenden Verbindungsweise umfasst die Verbindungsleitung 16 im Wesentlichen einen Anschlussbereich und einen Brückenbereich, wobei der Anschlussbereich elektrisch mit der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 verbunden ist, und der Brückenbereich ausgebildet ist, die Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden. In anschaulicher Weise sind, wie in 3A und 3C gezeigt ist, die Anschlussbereiche durch Bereiche der vier Verbindungsleitungen 16 gebildet (der ersten Verbindungsleitung 161, der zweiten Verbindungsleitung 162, der dritten Verbindungsleitung 163 und der vierten Verbindungsleitung 164), die in einem Rechteckgebiet mit abgerundeten Ecken, das durch gepunktete Linien umschlossen ist, angeordnet sind, und der Anschlussbereich erstreckt sich entlang der ersten Richtung 100. Der Brückenbereich ist durch Bereiche der vier Verbindungsleitungen 16 gebildet, die in einem elliptischen Gebiet, das durch gepunktete Linien umschlossen ist, angeordnet sind. Der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 ist ausgebildet, die vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 miteinander zu verbinden, um eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden. Der Anschlussbereich und der Brückenbereich können aus dem gleichen Material oder aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein, und sie können in der gleichen Schicht oder in unterschiedlichen Schichten angeordnet sein. Ferner umfasst das Arraysubstrat 1 auch ein Nicht-Anzeigegebiet 3, das das Anzeigegebiet 2 umschließt, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 und der Anschlussbereich der Verbindungsleitung 16 in dem Anzeigegebiet 2 angeordnet sein können, und der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 kann in dem Anzeigegebiet 2 oder in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 angeordnet sein.
Um die Dicke des Arraysubstrats zu reduzieren, um tendenziell die Dicke des Anzeigepaneels zu verringern, kann der Anschlussbereich der Verbindungsleitung in einer gleichen Schicht angeordnet sein und kann sich entlang einer gleichen Richtung wie die Abtastleitung erstrecken, und der Brückenbereich der Verbindungsleitung und die Abtastleitung können in einer gleichen Schicht oder in unterschiedlichen Schichten angeordnet sein. Wenn der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 und die Abtastleitung in der gleichen Schicht angeordnet sind, ist der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 optional in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 des Arraysubstrats 1 angeordnet, wie in 3C gezeigt ist. Diese Anordnung kann effizient die Schwierigkeit bei der Herstellung des Arraysubstrats 1 verringern, und kann den Einfluss des Brückenbereichs der Verbindungsleitung 16 auf die Anzeigewirkung des Anzeigepaneels, das das Arraysubstrat 1 aufweist, verringern. Wenn der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 und die Abtastleitung in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, wenn etwa die Berührungselektrode und der Berührungsanschluss, der die Berührungselektrode anbindet, auf dem Arraysubstrat angeordnet sind, dann kann der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 in der gleichen Schicht zusammen mit dem Berührungsanschluss liegen. Sodann kann der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 in dem Anzeigegebiet 2 des Arraysubstrats 1 oder in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 des Arraysubstrats 1 liegen.
Insbesondere wird nachfolgend das Verfahren zur Anordnung des Brückenbereichs der Verbindungsleitung 16 und der Abtastleitung in der gleichen Schicht und die Verlegung des Brückenbereichs der Verbindungsleitung 16 und der Abtastleitung entlang der gleichen Richtung beschrieben. Wie in 4 gezeigt ist, wird eine erste Isolationsschicht 21 zwischen einer Schicht (die eine Gate-Elektrodenschicht 141 in 4 ist), in der die Abtastleitungen angeordnet sind, und einer Schicht, in der die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 angeordnet ist, vorgesehen, wobei die erste Isolationsschicht 21 mit mehreren ersten Durchführungen 151 versehen ist, über die die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 elektrisch mit den entsprechenden Anschlussbereichen verbunden sind.
5A ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines weiteren Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt, 5B ist eine teilweise vergrößerte Ansicht des Arraysubstrats, das in 5A gezeigt ist. Im Vergleich zu den in 1A und 1B gezeigten Arraysubstraten umfassen die Arraysubstrate in 5A und 5B ferner eine Berührungselektrode und einen Berührungsanschluss, und der Anschlussbereich der Verbindungsleitung und der Berührungsanschluss sind in der gleichen Schicht ausgebildet.
Insbesondere umfasst das Arraysubstrat 1: ein Substrat 10; mehrere Abtastleitungen 11, die auf dem Substrat 10 ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung 100 erstrecken, und mehrere Datenleitungen 12, die auf dem Substrat 10 ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung 200 erstrecken, wobei die Datenleitungen 12 und die Abtastleitungen 11 mehrere Pixeleinheiten 13 bilden, wobei jede der mehreren Pixeleinheiten 13 mit einem Dünnschichttransistor 14 versehen ist, der der Pixeleinheit 13 entspricht, wobei der Dünnschichttransistor 14 eine Gate-Elektrodenschicht 141, eine aktive Schicht 142 und eine Source/Drain-Elektrodenschicht 143 aufweist; mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 sind auf dem Substrat 10 ausgebildet (in 5A sind vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 in anschaulicher Weise gezeigt), wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 in der gleichen Schicht mit der aktiven Schicht 142 angeordnet sind, und mindestens teilweise in einem Anzeigegebiet 2 des Arraysubstrats 1 angeordnet sind; wobei das Arraysubstrat 1 ferner mehrere Verbindungsleitungen 16 darauf aufweist, und die mehreren Verbindungsleitungen 16 ausgebildet sind, die Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 miteinander so zu verbinden, dass mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur gebildet wird. Ferner umfasst das Arraysubstrat 1 mehrere Berührungselektrodenblöcke 17, die auf dem Substrat 10 gebildet sind (in 5A sind anschaulich sechs Berührungselektrodenblöcke 17 gezeigt), wobei die mehreren Berührungselektrodenblöcke 17 elektrisch mit entsprechenden Berührungsanschlüssen 18 verbunden sind.
Insbesondere hat die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 einen streifenförmigen Aufbau, der sich entlang einer ersten Richtung 100 (wie in 5A und 5B gezeigt ist) erstreckt, und eine Länge der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 entlang der ersten Richtung 100 ist größer als einer Länge einer einzelnen Pixeleinheit 13 entlang der ersten Richtung 100. Das Arraysubstrat 1, das in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, kann verwendet werden, um ein Flüssigkristallanzeigepaneel oder ein Anzeigepaneel mit organischer Lichtemittierender Diode herzustellen. Wenn das Arraysubstrat 1 in der vorliegenden Offenbarung verwendet wird, das Flüssigkristallanzeigepaneel herzustellen, kann unter Berücksichtigung, dass eine schwarze Matrix zur Verhinderung des Lichtaustritts an jeder der Pixeleinheiten generell auf einer Seite eines Farbfiltersubstrats in dem bestehenden Flüssigkristallanzeigepaneel vorgesehen ist, eine Projektion der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf das Substrat 10 optional in einem Lichtabschirmgebiet der schwarzen Matrix zwischen den Pixeleinheiten 13 angeordnet sein, wie in 5A und 5B gezeigt ist. Dieser Aufbau kann in effizienter Weise den Einfluss der Halbleiterdruckerfassungseinheit auf die Anzeigewirkung des Flüssigkristallanzeigepaneels verringern. Wie ferner in 6 gezeigt ist, kann die Projektion der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf das Substrat 10 in einem Gebiet von Bereichsleitungen der Pixeleinheit 13 angeordnet sein. Da die Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle in dem Gebiet der Bereichsleitungen des Flüssigkristallanzeigepaneels ungeordnet ist, ist die Leuchtstärke des Gebiets der Bereichsleitungen geringer als die Leuchtstärke anderer Gebiete. Ein derartiger Aufbau, wonach die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 in dem Gebiet der Bereichsleitungen angeordnet ist, kann in gleicher Weise den Einfluss der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 auf die Anzeigewirkung des Flüssigkristallanzeigepaneels reduzieren.
Um die Dicke des Arraysubstrats zu verringern, so dass tendenziell das Anzeigepaneel dünner gestaltet werden kann, kann der Berührungsanschluss so ausgebildet sein, dass er sich entlang einer zweiten Richtung erstreckt, wobei der Anschlussbereich der Verbindungsleitung und der Berührungsanschluss in der gleichen Schicht angeordnet sind und sich entlang der gleichen Richtung erstrecken, und der Brückenbereich der Verbindungsleitung und der Berührungsanschluss sind in der gleichen Schicht ausgebildet oder sind in unterschiedlichen Schichten angeordnet. Wenn der Berührungsanschluss so angeordnet ist, dass er sich entlang einer zweiten Richtung 200 erstreckt, sind der Anschlussbereich der Verbindung 16 und der Berührungsanschluss 18 in der gleichen Schicht angeordnet und erstrecken sich entlang der gleichen Richtung, und die spezielle Anordnung des Aufbaus ist in 7 gezeigt. Es ist eine zweite Isolationsschicht 22 zwischen einer Schicht, in der der Berührungsanschluss 18 angeordnet ist, und einer Schicht vorgesehen, in der die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 angeordnet ist, wobei die zweite Isolationsschicht 22 mehrere zweite Durchkontaktierungen 152 enthält, durch welche die Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 elektrisch mit dem Anschlussbereich der Verbindungsleitung 16, der der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 zugeordnet ist, verbunden ist.
In ähnlicher Weise umfasst das Arraysubstrat ferner ein Nicht-Anzeigegebiet, das das Anzeigegebiet umschließt, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheit und der Anschlussbereich der Verbindungsleitung in dem Anzeigegebiet angeordnet sind, und der Brückenbereich der Verbindungsleitung in dem Anzeigegebiet oder dem Nicht-Anzeigegebiet angeordnet. In anschaulicher Weise ist, wie in 8 gezeigt ist, der Anschlussbereich der vier Verbindungsleitungen 16 (der ersten Verbindungsleitung 161, der zweiten Verbindungsleitung 162, der dritten Verbindungsleitung 163 und der vierten Verbindungsleitung 164), der in einem rechteckigen Gebiet mit abgerundeten Ecken, des von gepunkteten Linien umschlossen ist, angeordnet ist, in dem Anzeigegebiet 2 des Arraysubstrats 1 angeordnet, der Brückenbereich der vier Verbindungsleitungen 16, der in einem von gepunkteten Linien umschlossen elliptischen Gebiet angeordnet ist, ist in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 des Arraysubstrats 1 angeordnet. Wenn der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 und die Berührungsanschlüsse 18 in der gleichen Schicht angeordnet sind, ist der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 optional in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 des Arraysubstrats 1 angeordnet. Diese Anordnung kann in wirksamer Weise die Schwierigkeiten bei der Herstellung des Arraysubstrats 1 verringern, und kann den Einfluss des Brückenbereichs der Verbindungsleitung 16 auf die Anzeigewirkung des Anzeigepaneels, das das Arraysubstrat 1 aufweist, verringern. Wenn der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 und der Berührungsanschluss in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, ist beispielsweise der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 in der gleichen Schicht zusammen mit den Abtastleitungen angeordnet, der Brückenbereich der Verbindungsleitung 16 kann jedoch in dem Anzeigegebiet 2 des Arraysubstrats 1 oder in dem Nicht-Anzeigegebiet 3 des Arraysubstrats 1 angeordnet sein.
In der vorliegenden Ausführungsform ist das Verfahren zur Verbindung der Halbleiterdruckerfassungseinheiten untereinander durch die Verbindungsleitungen zur Bildung mindestens einer Wheatstone-Brückenstruktur das Gleiche, das zuvor beschrieben ist, so dass es hier nicht erneut detailliert erläutert wird. Wie ferner in 8 gezeigt ist, umfasst das Arraysubstrat ferner einen Ansteuerchip 4, der elektrisch mit der ersten Verbindungsleitung 161, der zweiten Verbindungsleitung 162, der dritten Verbindungsleitung 163 und der vierten Verbindungsleitung 164 verbunden ist, um den jeweiligen Halbleiterdruckerfassungseinheiten 15 über zwei Erfassungseingangsanschlüsse der Wheatstone-Brücke elektrische Signale zuzuleiten und um die Werte der elektrischen Signale, die von den zwei Erfassungseingangsanschlüssen ausgegeben werden, auszulesen. Sodann kann die Größe des Berührungsdrucks entsprechend den Werten der elektrischen Signale und entsprechend den Berührungserfassungssignalen, die von den Berührungselektrodenblöcken 17 ausgegeben werden, berechnet werden. In 8 ist der Ansteuerchip 4 unter dem Nicht-Anzeigegebiet des Arraysubstrats 1 angeordnet, wobei dies lediglich ein Beispiel der vorliegenden Offenbarung und keine Einschränkung der vorliegenden Offenbarung ist. In einer speziellen Gestaltung kann der Ansteuerchip 4 in anderen Gebieten des Nicht-Anzeigegebiets des Arraysubstrats 1 angeordnet sein.
Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die Berührungselektrodenblöcke auf dem Arraysubstrat angeordnet, und der Ansteuerchip kann die Berührposition entsprechen den Berührungserfassungssignalen ermitteln, die von den Berührungselektrodenblöcken ausgegeben werden. Auf dieser Basis kann die Größe des Berührungsdrucks durch die Werte von elektrischen Signalen, die von den zwei Erfassungsausgangsanschlüssen der Wheatstone-Brücke ausgegeben werden, ermittelt werden, wodurch die Erkennungsfähigkeit für die Größe des Berührungsdrucks auf dem Arraysubstrat werter verbessert wird.
Ferner ist zu berücksichtigen, dass für das Flüssigkristallanzeigepaneel nach Aussendung von Licht durch die Rückseitenlichtquelle des Rückseitenlichtmoduls und Aussendung zu der Halbleiterdruckerfassungseinheit oder der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors ein Strom in der Halbleiterdruckerfassungseinheit oder in der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors erzeugt werden kann. Wenn der Strom in der Halbleiterdruckerfassungseinheit erzeugt wird, wird die Empfindlichkeit der Halbleiterdruckerfassungseinheit aufgrund des Stromes beeinflusst. Wenn der Strom in der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors erzeugt wird, wird das Verhalten beim Einschalten und Ausschalten des Dünnschichttransistors aufgrund des Stromes beeinflusst, wodurch die Anzeigewirkung beeinflusst wird. Folglich werden optional, wie in 4 und 7 gezeigt ist, eine erste Lichtabschirmschicht 191 zwischen der Halbleiterdruckerfassungseinheit 15 und dem Substrat 10 und eine zweite Lichtabschirmschicht 192 zwischen der aktiven Schicht 142 und dem Substrat 10 vorgesehen, und die erste Lichtabschirmschicht 191 und die Lichtabschirmschicht 192 sind in der gleichen Schicht angeordnet.
Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird auch ein Anzeigepaneel bereitgestellt. 9 ist eine schematische Ansicht, die den Aufbau eines Anzeigepaneels gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. Das Anzeigepaneel umfasst das vorhergehende Arraysubstrat 1 gemäß einer beliebigen technischen Lösung der vorliegenden Offenbarung und ein Gegensubstrat 5, das gegenüberliegend zu dem Arraysubstrat 1 angeordnet ist.
Gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind die mehreren Halbleiterdruckerfassungseinheiten auf dem Substrat angeordnet und liegen in der gleichen Schicht zusammen mit der aktiven Schicht des Dünnschichttransistors, und des Weiteren sind die Halbleiterdruckerfassungseinheiten zumindest teilweise in dem Anzeigegebiet des Substrats angeordnet und sind untereinander durch die mehreren Verbindungsleitungen verbunden, die auf dem Substrat ausgebildet sind, um mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden, so dass die Halbleiterdruckerfassungseinheiten und die Verbindungsleitungen in dem Substrat integriert sind, wodurch die Nachteile des Stands der Technik behoben werden, wonach der Aufbau kompliziert ist, wenn der Berührungsdrucksensor integriert wird, und wodurch eine Anpassung für die Massenproduktion gegeben ist.
Obwohl einige Ausführungsformen und die angewendeten Technologieprinzipien der vorliegenden Offenbarung zuvor beschrieben sind, sollte vom Fachmann beachtet werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht auf die speziellen hierin beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist. Es können diverse Modifizierungen, geänderte Einstellungen und Änderungen von dem Fachmann vorgenommen werden, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Obwohl die vorliegende Offenbarung detailliert mittels der vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die vorhergehenden Ausführungsformen beschränkt, sondern die vorliegende Offenbarung kann andere äquivalente Ausführungsformen miteinschließen, ohne von dem Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen, und der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung ist durch die angefügten Patentansprüche bestimmt.

Claims

Ein Arraysubstrat, mit: einem Substrat (10); mehreren Abtastleitungen (11), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung (100) erstrecken, mehreren Datenleitungen (12), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung (200) erstrecken, wobei mehrere Pixeleinheiten (13) durch die Abtastleitungen (11) und die Datenleitungen (12) gebildet sind, wobei jede der mehreren Pixeleinheiten (13) mit einem entsprechenden Dünnschichttransistor (14) versehen ist und der Dünnschichttransistor (14) eine Gate-Elektrodenschicht (141), eine aktive Schicht (142) und eine Source/Drain-Elektrodenschicht (143) aufweist; und mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) und die aktive Schicht (142) in einer gleichen Schicht angeordnet sind, und die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) zumindest teilweise in einem Anzeigegebiet (2) des Arraysubstrats angeordnet sind; wobei auf dem Substrat (10) ferner mehrere Verbindungsleitungen (16) vorgesehen sind, um die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) so miteinander zu verbinden, dass mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur gebildet ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 1, wobei jede der mindestens einen Wheatstone-Brückenstruktur eine erste Halbleiterdruckerfassungseinheit (151), eine zweite Halbleiterdruckerfassungseinheit (152), eine dritte Halbleiterdruckerfassungseinheit (153) und eine vierte Halbleiterdruckerfassungseinheit (154) aufweist, und wobei die mehreren Verbindungsleitungen (16) mehrere erste Verbindungsleitungen (161), mehrere zweite Verbindungsleitungen (162), mehrere dritte Verbindungsleitungen (163) und mehrere vierte Verbindungsleitungen (164) umfassen; ein Signaleingangsanschluss der ersten Halbleiterdruckerfassungseinheit (151) und ein Signaleingangsanschluss der dritten Halbleiterdruckerfassungseinheit (153) elektrisch mit der ersten Verbindungsleitung (161) und über die erste Verbindungsleitung (161) wiederum elektrisch mit einem ersten Erfassungseingangsanschluss (211) verbunden sind; ein Signaleingangsanschluss der zweiten Halbleiterdruckerfassungseinheit (152) und ein Signaleingangsanschluss der vierten Halbleiterdruckerfassungseinheit (154) elektrisch mit der zweiten Verbindungsleitung (162) verbunden sind und über die zweite Verbindungsleitung (162) wiederum elektrisch mit einem zweiten Erfassungseingangsanschluss (212) verbunden sind; ein Signalausgangsanschluss der ersten Halbleiterdruckrfassungseinheit (151) und ein Signalausgangsanschluss der zweiten Halbleiterdruckerfassungseinheit (152) elektrisch mit der dritten Verbindungsleitung (163) verbunden sind und über die dritte Verbindungsleitung (163) wiederum elektrisch mit einem ersten Erfassungsausgangsanschluss (221) verbunden sind; und ein Signalausgangsanschluss der dritten Halbleiterdruckrfassungseinheit (153) und ein Signalausgangsanschluss der vierten Halbleiterdruckerfassungseinheit (154) elektrisch mit der vierten Verbindungsleitung (164) verbunden sind und über die vierte Verbindungsleitung (164) wiederum elektrisch mit einem zweiten Erfassungsausgangsanschluss (222) über die vierte Verbindungsleitung (164) verbunden sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 2, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheit (15) einen streifenförmigen Aufbau hat, der sich entlang der ersten Richtung erstreckt, und eine Länge der Halbleiterdruckerfassungseinheit (15) entlang der ersten Richtung größer ist als eine Länge einer einzelnen Pixeleinheit (13) entlang der ersten Richtung (100); oder die Halbleiterdruckerfassungseinheit (15) einen streifenförmigen Aufbau hat, der sich entlang der zweiten Richtung (200) erstreckt, und eine Länge der Halbleiterdruckerfassungseinheit (15) entlang der zweiten Richtung (200) größer ist als eine Länge einer einzelnen Pixeleinheit (13) entlang der zweiten Richtung.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 3, wobei Projektionen der Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) auf das Substrat (10) in einem Lichtabschirmgebiet einer schwarzen Matrix zwischen den Pixeleinheiten (15) angeordnet sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 3, wobei Projektionen der Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) auf das Substrat (10) in einem Gebiet von Bereichsleitungen der Pixeleinheit (15) angeordnet sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 2, wobei jede der Verbindungsleitungen (16) einen Anschlussbereich und einen Brückenbereich aufweist, wobei der Anschlussbereich elektrisch mit der Halbleiterdruckerfassungseinheit (15) verbunden ist, und der Brückenbereich ausgebildet ist, die Wheatstone-Brückenstruktur zu bilden.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 6, wobei der Anschlussbereich und die Abtastleitungen (11) in einer gleichen Schicht angeordnet sind und sich entlang der gleichen Richtung erstrecken, und der Brückenbereich und die Abtastleitungen (11) in einer gleichen Schicht oder in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 7, wobei eine erste Isolationsschicht (21) zwischen einer Schicht, in der die Abtastleitungen (11) angeordnet sind, und einer Schicht vorgesehen ist, in der die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) angeordnet sind, und die erste Isolationsschicht (21) mit mehreren Durchkontaktierungen (151) versehen ist, durch welche die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) elektrisch mit den zugehörigen Anschlussbereichen verbunden sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 6, das ferner umfasst: mehrere Berührungselektrodenblöcke (17), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind, wobei die mehreren Berührungselektrodenblöcke (17) mit jeweiligen Berührungsanschlüssen (18) elektrisch verbunden sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 9, wobei die Berührungsanschlüsse (18) sich in der zweiten Richtung (200) erstrecken, der Anschlussbereich und die Berührungsanschlüsse (18) in der gleichen Schicht angeordnet sind und sich in einer gleichen Richtung erstrecken, und der Brückenbereich und die Berührungsanschlüsse (18) in einer gleichen Schicht oder in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 10, wobei eine zweite Isolationsschicht (22) zwischen einer Schicht, in der die Berührungsanschlüsse (18) angeordnet sind, und einer Schicht vorgesehen ist, in der die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) angeordnet sind, und die zweite Isolationsschicht (22) mit mehreren zweiten Durchkontaktierungen (152) versehen ist, durch die die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) elektrisch mit den zugeordneten Anschlussbereichen verbunden sind.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 6, das ferner ein Nicht-Anzeigegebiet (2) aufweist, das das Anzeigegebiet (2) umgibt, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) und der Anschlussbereich der Verbindungsleitung (16) in dem Anzeigegebiet (2) angeordnet sind, und der Brückenbereich der Verbindungsleitung in dem Anzeigegebiet (2) oder in dem Nicht-Anzeigegebiet (3) angeordnet ist.
Das Arraysubstrat nach Anspruch 2, wobei eine erste Lichtabschirmschicht (191) zwischen den Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) und dem Substrat (10) vorgesehen ist, eine zweite Lichtabschirmschicht (192) zwischen der aktiven Schicht (142) und dem Substrat (10) vorgesehen ist, und die erste Lichtabschirmschicht (191) und die zweite Lichtabschirmschicht (192) in der gleichen Schicht angeordnet sind.
Ein Anzeigepaneel, das das Arraysubstrat nach Anspruch 1 und ein Gegensubstrat, das dem Arraysubstrat gegenüberliegt, umfasst, wobei das Arraysubstrat umfasst: ein Substrat (10); mehrere Abtastleitungen (11), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind und sich entlang einer ersten Richtung (100) erstrecken, mehrere Datenleitungen (12), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind und sich entlang einer zweiten Richtung (200) erstrecken, wobei mehrere Pixeleinheiten (13) durch die Abtastleitungen (11) und die Datenleitungen (12) gebildet sind, wobei jede der mehreren Pixeleinheiten (13) mit einem entsprechenden Dünnschichttransistor (14) versehen ist, und der Dünnschichttransistor (14) eine Gate-Elektrodenschicht (141), eine aktive Schicht (142) und eine Source/Drain-Elektrodenschicht (143) aufweist; und mindestens vier Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15), die auf dem Substrat (10) ausgebildet sind, wobei die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) und die aktive Schicht (142) in einer gleichen Schicht angeordnet sind, und die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) zumindest teilweise in einem Anzeigegebiet (2) des Arraysubstrats angeordnet sind; wobei auf dem Substrat (10) ferner mehrere Verbindungsleitungen (16) vorgesehen sind, um die Halbleiterdruckerfassungseinheiten (15) so miteinander zu verbinden, dass mindestens eine Wheatstone-Brückenstruktur gebildet ist.