DE102016203836A1 - Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats - Google Patents

Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats Download PDF

Info

Publication number
DE102016203836A1
DE102016203836A1 DE102016203836.2A DE102016203836A DE102016203836A1 DE 102016203836 A1 DE102016203836 A1 DE 102016203836A1 DE 102016203836 A DE102016203836 A DE 102016203836A DE 102016203836 A1 DE102016203836 A1 DE 102016203836A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
single crystal
crystal substrate
laser beam
optical device
along
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102016203836.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Morikazu
Noboru Takeda
Takumi Shotokuji
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102016203836A1 publication Critical patent/DE102016203836A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Offenbart wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat entlang einer Vielzahl von vorgegebenen Aufteilungslinien zu unterteilen, umfassend einen Schildtunnelausbildungsschritt zum Applizieren eines gepulsten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, welche durch das Einzelkristallsubtrat hindurchgeht, auf das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien, um Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien auszubilden, wobei jeder ein feines Loch und einen amorphen Bereich, der das feine Loch abschirmt, aufweist, einen Schutzelementanhaftschritt zum Anhaften eines Schutzelements an das Einzelkristallsubstrat vor oder nach dem Schildtunnelausbildungsschritt, und einen Schleifschritt zum Halten des Schutzelements auf dem Einzelkristallsubstrat, an welchem der Schildtunnelausbildungsschritt und der Schutzelementanhaftschritt ausgeführt wurden, auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung, zum Schleifen einer Rückseite des Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, und zum Aufteilen des Einzelkristallsubstrats entlang der Aufteilungslinien, entlang welcher die Schildtunnel ausgebildet wurden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats, wie eines Saphirsubstrats (Al2O3), eines Siliziumkarbidsubstrats (SiC), eines Galliumnitridsubstrats (GaN), eines Lithiumthanthalatsubstrats (LiTaO3), eines Lithiumniobatsubstrats (LiNbO3), eines Diamantsubstrats, eines Quartsubstrats oder dergleichen.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einem Herstellungsprozess optischer Einrichtungen wird eine optische Einrichtungsschicht aus einer n-leitenden Nitridhalbleiterschicht und einer p-leitenden Nitridhalbleiterschicht auf die Oberfläche eines Saphirsubstrats (Al2O3), eines Siliziumkarbidsubstrats (SiC) oder eines Galliumnitridsubstrats (GaN) geschichtet, wobei optische Einrichtungen, wie lichtemittierende Dioden, Laserdioden oder dergleichen, in einer Vielzahl von Bereichen ausgebildet werden, welche durch eine Vielzahl von Aufteilungslinien voneinander getrennt sind, die in einer Rasterform auf der optischen Einrichtungsschicht ausgebildet sind, wodurch ein optischer Einrichtungswafer hergestellt wird. Anschließend wird ein Laserstrahl auf den optischen Einrichtungswafer entlang der Aufteilungslinien appliziert, um den optischen Einrichtungswafer zu zerschneiden, wodurch die Bereiche mit den optischen Einrichtungen, welche darin ausgebildet sind, voneinander getrennt werden, wodurch einzelne optische Einrichtungen hergestellt werden. Ein SAW-Wafer mit SAW-Einrichtungen, die auf der Oberfläche eines Lithiumthanthalatsubstrats (LiTaO3), eines Lithiumniobatsubstrats (LiNbO3), eines Siliziumkarbidsubstrats (SiC), eines Diamantsubstrats oder eines Quartsubstrats ausgebildet sind, wird ebenfalls in einzelne SAW-Einrichtungen durch einen Laserstrahl zerschnitten, der auf den SAW-Wafer entlang der Aufteilungslinien appliziert wird.
  • Als ein Verfahren zum Aufteilen von Wafern, wie optischen Einrichtungswafern und SAW-Wafern, die oben beschrieben wurden, wurde ein Laserbearbeitungsverfahren vorgeschlagen, welches einen gepulsten Laserstrahl verwendet, der eine Wellenlänge aufweist, welche durch ein Werkstück hindurchgeht, wobei der gepulste Laserstrahl auf das Werkstück appliziert wird, während ein Konvergenzpunkt davon innerhalb einer zu unterteilenden Fläche angeordnet wird. Ein Aufteilungsverfahren, welches solch ein Laserbearbeitungsverfahren verwendet, stellt eine Technologie dar, um einen Wafer durch Applizieren eines gepulsten Laserstrahls von einer Oberflächenseite davon, der solch eine Wellenlänge aufweist, die durch den Wafer hindurchgeht, während ein Konvergenzpunkt davon innerhalb des Wafers angeordnet wird, wodurch eine Abfolge von modifizierten Schichten entlang einer Aufteilungslinie innerhalb des Werkstücks ausgebildet wird, die als Bruchstartpunkte fungieren, und durch Anlegen einer externen Kraft an den Wafer entlang einer Straße, wo die Festigkeit durch die modifizierten Schichten verringert wurde, aufzuteilen (siehe beispielsweise japanisches Patent mit der Nummer 3408805 ).
  • Ferner wurde als Verfahren zum Aufteilen eines Wafers, wie eines Halbleiterwafers, eines optischen Einrichtungswafers oder dergleichen, entlang einer Aufteilungslinie eine Technologie zum Ausführen eines Ablationsprozesses auf einen Wafer praktisch verwendet, bei dem der Wafer mit einem gepulsten Laserstrahl entlang einer Aufteilungslinie bestrahlt wird, welcher eine Wellenlänge aufweist, die durch den Wafer absorbierbar ist, wodurch laserbearbeitete Rillen ausgebildet werden, und eine externe Kraft an den Wafer entlang der Aufteilungslinie, wo die laserbearbeiteten Rillen als Bruchstartpunkte ausgebildet wurden, angelegt wird, wodurch der Wafer unterteilt wird (siehe beispielsweise japanisches Patent mit der Veröffentlichungsnummer Hei10-305420 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Jedes der oben beschriebenen Bearbeitungsverfahren ist jedoch insofern problematisch, dass dieses eine schlechte Produktivität aufweist, da es zum Aufteilen eines optischen Einrichtungswafers aus einem Saphirsubstrat (Al2O3) und dergleichen entlang einer Aufteilungslinie erforderlich ist, einen Laserstrahl auf dieselbe Aufteilungslinie mehrmals zu applizieren, was in einer Verringerung der Produktivität resultiert.
  • Wenn ein Laserstrahl auf einen Wafer in Form eines Einzelkristallsubstrats entlang von Aufteilungslinien appliziert wird, nachdem die Rückseite des Wafers geschliffen wurde, um die Dicke des Wafers zu verringern, wird die Anzahl verringert, mit welcher der Laserstrahl appliziert wird, wodurch die oberen Probleme gelöst werden. Eine Verringerung in der Dicke des Wafers, der ein Einzelkristallsubstrats ist, neigt jedoch dazu, dass der Wafer verbeult, was zu einer Instabilität des Konvergenzpunkts des Laserstrahls führt und es demnach erschwert, den Wafer adäquat zu bearbeiten.
  • Es ist demnach eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum effizienten und adäquaten Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats mit einem Laserstrahl entlang von Aufteilungslinien bereitzustellen, die auf dem Einzelkristallsubstrat festgelegt sind.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats bereitgestellt, um das Einzelkristallsubstrat entlang einer Vielzahl von vorbestimmten Aufteilungslinien zu unterteilen, umfassend einen Schildtunnelausbildungsschritt zum Applizieren eines gepulsten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, welche durch das Einzelkristallsubstrat hindurchgeht, auf das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien, um Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien auszubilden, wobei jeder ein feines Loch und einen amorphen Bereich aufweist, der das feine Loch abschirmt, einen Schutzelementanhaftschritt zum Anhaften eines Schutzelements an das Einzelkristallsubstrat vor oder nach dem Schildtunnelausbildungsschritt, und einen Schleifschritt zum Halten des Schutzelements auf dem Einzelkristallsubstrat, an welchem der Schildtunnelausbildungsschritt und der Schutzelementanhaftschritt ausgeführt wurden, auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung, zum Schleifen einer Rückseite des Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, und zum Aufteilen des Einzelkristallsubstrats entlang der Aufteilungslinien, entlang welcher die Schildtunnel ausgebildet wurden.
  • Bevorzugt weist der gepulste Laserstrahl, der in dem Schildtunnelausbildungsschritt verwendet wird, eine Spitzenenergiedichte auf, die auf einen Wert in einem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 festgelegt ist.
  • In dem Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats gemäß der vorliegenden Erfindung wird der gepulste Laserstrahl, der solch eine Wellenlänge aufweist, die durch das Einzelkristallsubstrat hindurchgeht, auf das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien appliziert, um Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien auszubilden, wobei jeder ein feines Loch und einen amorphen Bereich aufweist, der das feine Loch abschirmt, und ein Schutzelement an das Einzelkristallsubstrat vor oder nach dem Ausbilden der Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat angehaftet. Anschließend, nachdem die Schildtunnel ausgebildet wurden und das Schutzelement angehaftet wurde, wird das Schutzelement auf dem Einzelkristallsubstrat auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung gehalten, wobei eine Rückseite des Einzelkristallsubstrats geschliffen wird, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, wobei danach das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien, entlang welcher die Schildtunnel ausgebildet wurden, aufgeteilt wird. Es ist nicht erforderlich, den gepulsten Laserstrahl auf jede der Aufteilungslinien mehrmals zu applizieren, was zu einer verbesserten Produktivität führt. Da die Schildtunnel ausgebildet werden, bevor die Rückseite des Einzelkristallsubstrats geschliffen wird, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, wird ein Ausbeulen des Einzelkristallsubstrats verhindert, sodass dieses adäquat durch den gepulsten Laserstrahl bearbeitet werden kann.
  • Die obere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise diese zu realisieren sowie die Erfindung selbst werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und anhängenden Ansprüche unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, am besten verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines optischen Einrichtungswafers;
  • 2A und 2B sind Ansichten zum Darstellen eines Schutzelementanhaftschritts;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht von wesentlichen Teilen einer Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausführen eines Schildtunnelausbildungsschritts;
  • 4 ist ein Blockdiagramm eines gepulsten Laserstrahloszillationsmittels, das in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 3 gezeigt ist, umfasst ist;
  • 5 ist eine Abbildung, welche die Beziehung zwischen der numerischen Apertur (NA) eines Kondensors, des Brechungsindex (N) eines optischen Einrichtungswafers und einen Werts (S = NA/N) zeigt, der durch Dividieren der numerischen Apertur (NA) durch den Brechungsindex (N) erhalten wird;
  • 6A bis 6E sind Ansichten, welche den Schildtunnelausbildungsschritt darstellen;
  • 7A und 7B sind Ansichten, welche einen Schleifschritt darstellen;
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, welche die Art und Weise zeigt, mit welcher ein optischer Einrichtungswafer, auf dem der Schildtunnelausbildungsschritt ausgeführt wurde, an einem Dicing-Band angehaftet wird, das an einem Ringrahmen angebracht ist;
  • 9 ist eine perspektivische Ansicht einer Aufnahmeeinrichtung zum Aufnehmen von einzelnen optischen Einrichtungen, in welche ein optischer Einrichtungswafer unterteilt wurde; und
  • 10A bis 10C sind Ansichten zum Darstellen eines Aufnahmeschritts, der durch die Aufnahmeeinrichtung ausgeführt wird, die in 9 gezeigt ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden im Detail unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. 1 zeigt perspektivisch einen optischen Einrichtungswafer als ein Einzelkristallsubstrat, das durch ein Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats gemäß der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist.
  • Ein optischer Einrichtungswafer 2, der in 1 gezeigt ist, umfasst ein Saphirsubstrat (Al2O3) in Form eines Einzelkristallsubstrats mit einer Dicke von 400 μm, wobei dieser eine optische Einrichtungsschicht aufweist, die aus einer n-leitenden Galliumnitridhalbleiterschicht und einer pleitenden Galliumnitridhalbleiterschicht ausgebildet ist, welche auf einer Oberfläche 2a davon aufgetragen ist. Die optische Einrichtungsschicht umfasst eine Matrix aus optischen Einrichtungen 22, die einzeln in einer Vielzahl von Flächen ausgebildet sind, welche durch Aufteilungslinien 21, die in einer Rasterform ausgeformt sind, voneinander unterteilt sind. Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, um den optischen Einrichtungswafer 2 entlang der Aufteilungslinien 21 in einzelne optische Einrichtungen 22 zu unterteilen, wird im Folgenden beschrieben.
  • Zunächst wird ein Schutzelementanhaftschritt ausgeführt, um ein Schutzelement an der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 anzuhaften, um die optischen Einrichtungen 22, die auf der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 ausgebildet sind, zu schützen. Genauer gesagt wird, wie in 2A und 2B gezeigt, ein Schutzband 3 als das Schutzelement an der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 angehaftet. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst das Schutzband 3 eine lagenähnliche Basis aus Polyvinylchlorid (PVC) mit einer Dicke von 100 μm und ein Acrylharzhaftmittel, das mit einer Dicke von etwa 5 μm auf der Oberfläche der lagenähnlichen Basis aufgetragen ist. Der Schutzelementanhaftschritt kann ausgeführt werden, nachdem ein Schildtunnelausbildungsschritt, der im Folgenden beschrieben wird, ausgeführt wurde.
  • Nachdem der Schutzelementanhaftschritt ausgeführt wurde, wird ein Schildtunnelausbildungsschritt ausgeführt, um einen gepulsten Laserstrahl mit einer Wellenlänge, welche durch den optischen Einrichtungswafer 2 hindurchgeht, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als das Einzelkristallsubstrat umfasst, entlang der Aufteilungslinien 21 zu applizieren, wodurch Schildtunnel entlang der Aufteilungslinien 21 ausgebildet werden, die jeweils ein feines Loch und einen amorphen Bereich, welcher das feine Loch abschirmt, aufweisen. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Schildtunnelausbildungsschritt unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 4, die in 3 gezeigt ist, ausgeführt. Wie in 3 gezeigt, umfasst die Laserbearbeitungsvorrichtung 4 einen Spanntisch 41, der ein Werkstück darauf hält, ein Laserstrahlapplikationsmittel 42, welches einen Laserstrahl auf das Werkstück, das auf dem Spanntisch 41 gehalten wird, appliziert, und ein Bilderfassungsmittel 43, welches ein Abbild des Werkstücks, das auf dem Spanntisch 42 gehalten wird, erfasst. Der Spanntisch 41, der ausgestaltet ist, das Werkstück unter Saugen zu halten, ist entlang einer Bearbeitungszuführrichtung, die durch einen Pfeil X in 3 gezeigt ist, durch ein Bearbeitungszuführmittel, welches nicht gezeigt ist, bewegbar, wobei dieser entlang einer Verstellzuführrichtung, die durch einen Pfeil Y in 3 gezeigt ist, durch ein Verstellzuführmittel, welches nicht gezeigt ist, bewegbar ist.
  • Das Laserstrahlapplikationsmittel 42 umfasst ein Gehäuse 421 mit einer hohlen Zylinderform, das sich im Wesentlichen horizontal erstreckt. Wie in 4 gezeigt, umfasst das Laserstrahlapplikationsmittel 42 ein gepulstes Laserstrahloszillationsmittel 422, welches in dem Gehäuse 421 angeordnet ist, ein Ausgabeenergieanpassungsmittel 423 zum Anpassen der Ausgabeenergie eines gepulsten Laserstrahls, der von dem gepulsten Laserstrahloszillationsmittel 422 ausgegeben wird, und eine Konvergenzeinheit 424 zum Konvergieren des gepulsten Laserstrahls, dessen Ausgabeenergie durch das Ausgabeenergieanpassungsmittel 423 angepasst wurde, und zum Applizieren des konvergierten gepulsten Laserstrahls auf den optischen Einrichtungswafer 2, welcher als das Werkstück auf einer Haltefläche gehalten wird, die als die obere Fläche des Spanntisches 41 vorgesehen ist. Das gepulste Laserstrahloszillationsmittel 422 umfasst einen gepulsten Laseroszillator 422a, ein Wiederholfrequenzeinstellmittel 422b zum Einstellen einer Wiederholfrequenz des gepulsten Laserstrahls, der durch den gepulsten Laseroszillator 422a in Schwingung versetzt wurde, und ein Pulsbreiteneinstellmittel 422c zum Einstellen einer Pulsbreite des gepulsten Laserstrahls, der durch den gepulsten Laseroszillator 422a in Schwingung versetzt wurde. Gemäß der vorliegenden Ausführungsform versetzt das gepulste Laserstrahloszillationsmittel 422, das derart ausgestaltet ist, einen gepulsten Laserstrahl LB mit einer Wellenlänge von 1030 nm in Schwingung. Das gepulste Laserstrahloszillationsmittel 422 und das Ausgabeenergieanpassungsmittel 423 werden durch ein nicht gezeigtes Steuermittel gesteuert.
  • Die Konvergenzeinheit oder der Kondensor 424 umfasst einen Richtungsänderungsspiegel 424a zum Ändern der Richtung des gepulsten Laserstrahls LB nach unten, der aus dem gepulsten Laserstrahloszillationsmittel 422 ausgegeben wird und dessen Ausgabeenergie durch das Ausgabeenergieanpassungsmittel 423 angepasst wurde, und einen Kondensor 424b zum Konvergieren des gepulsten Laserstrahls LB, dessen Richtung durch den Richtungsänderungsspiegel 424a verändert wurde, und zum Applizieren des konvergierten gepulsten Laserstrahls auf ein Werkstück W, das auf der Haltefläche als die obere Fläche des Spanntischs 41 gehalten wird. Der vorliegende Erfinder hat bestätigt, dass ein Schildtunnel insoweit ausgebildet wird, dass sich ein Wert, der durch Dividieren der numerischen Apertur (NA) des Kondensors 424b der Konvergenzeinheit 424 durch den Brechungsindex (N) des Einzelkristallsubstrats erhalten wird, in dem Bereich von 0,05 bis 0,4 befindet. Die Beziehung zwischen der numerischen Apertur (NA), des Brechungsindex (N) und des Werts (S = NA/N), der durch Dividieren der numerischen Apertur (NA) durch den Brechungsindex (N) erhalten wird, wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 5 beschrieben.
  • In 5 wird der gepulste Laserstrahl LB, der auf den Kondensor 424b appliziert wird, bei einem Winkel (α) in Bezug auf die optische Achse des Kondensors 424b konvergiert. Dabei repräsentiert sinα die numerische Apertur (NA) des Kondensors 424b (NA = sinα). Wenn der gepulste Laserstrahl LB, der durch den Kondensor 424b konvergiert wurde, auf den optischen Einrichtungswafer 2 appliziert wird, der das Einzelkristallsubstrat umfasst, wird der gepulste Laserstrahl LB von einem Winkel (α) auf einen Winkel (β) abgelenkt, da das Einzelkristallsubstrat des optischen Einrichtungswafers 2 eine höhere Dichte als Luft aufweist. Dabei hängt der Winkel (β) in Bezug auf die optische Achse vom Brechungsindex (N) des Einzelkristallsubstrats des optischen Einrichtungswafers 2 ab. Da der Brechungsindex (N) ausgedrückt wird als (N = sinα/sinβ), wird der Wert (S = NA/N), der durch Dividieren der numerischen Apertur (NA) durch den Brechungsindex (N) des Einzelkristallsubstrats erhalten wird, dargestellt als sinβ. Es wurde experimentell bestätigt, dass ein guter Schildtunnel ausgebildet wird, indem sinβ in dem Bereich von 0,05 bis 0,4 festgelegt wird (0,05 ≤ sinβ ≤ 0.4), und dass kein guter Schildtunnel ausgebildet wird, wenn sinβ außerhalb des festgelegten Bereichs fällt, selbst wenn die Spitzenenergiedichte in dem im Folgenden beschriebenen Bereich liegt. Das Laserstrahlapplikationsmittel 42 umfasst ein Konvergenzpunktpositionsanpassungsmittel (nicht gezeigt) zum Anpassen der Position des Konvergenzpunkts des gepulsten Laserstrahls, der durch den Kondensor 424b der Konvergenzeinheit 424 konvergiert wurde.
  • Das Bilderfassungsmittel 43, das an einem Distalendabschnitt des Gehäuses 421 des Laserstrahlapplikationsmittels 42 angeordnet ist, umfasst neben einer herkömmlichen Bilderfassungseinrichtung (CCD), die ein Bild mit einem sichtbaren Lichtstrahl erfasst, ein Infrarotstrahlapplikationsmittel zum Applizieren einer Infrarotstrahlung auf das Werkstück, ein optisches System zum Erfassen der Infrarotstrahlung, die durch das Infrarotstrahlapplikationsmittel appliziert wurde, und eine Bilderfassungseinrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals in Abhängigkeit der Infrarotstrahlung, die durch das optische System erfasst wurde. Das Bilderfassungsmittel 43 überträgt ein erfasstes Abbildungssignal an das nicht gezeigte Steuermittel.
  • Zum Laserbearbeiten des optischen Einrichtungswafers 2, auf welchem der Waferstützschritt ausgeführt wurde, entlang der Aufteilungslinien 21 unter Verwendung der Laserbearbeitungsvorrichtung 4 wird das Schutzband 3, an welches der optische Einrichtungswafer 2 angehaftet wurde, auf dem Spanntisch 41 der Laserbearbeitungsvorrichtung 4, die in 3 gezeigt ist, angeordnet. Ein nicht gezeigtes Saugmittel wird betätigt, um den optischen Einrichtungswafer 2 auf dem Spanntisch 41 unter Saugen durch das dazwischenlegende Schutzband 3 zu halten (Waferhalteschritt). Mit dem optischen Einrichtungswafer 2, der auf dem Spanntisch 41 gehalten wird, ist die Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2 nach oben ausgerichtet. Der Spanntisch 41, der derart den optischen Einrichtungswafer 2 unter Saugen hält, wird direkt unterhalb des Bilderfassungsmittels 43 durch das Bearbeitungszuführmittel, das nicht gezeigt ist, angeordnet.
  • Wenn der Spanntisch 42 direkt unterhalb des Bilderfassungsmittels 43 positioniert ist, führen das Bilderfassungsmittel 43 und das nicht gezeigte Steuermittel einen Ausrichtschritt zum Detektieren einer laserzubearbeitenden Fläche des optischen Einrichtungswafers 2 aus. Genauer gesagt führen das Bilderfassungsmittel 43 und das nicht gezeigte Steuermittel einen Bildverarbeitungsbetrieb, wie ein Musterangleichen oder dergleichen, aus, um eine Aufteilungslinie 21 entlang einer ersten Richtung auf dem optischen Einrichtungswafer 2 und die Konvergenzeinheit 424 des Laserstrahlapplikationsmittels 42, das den Laserstrahl entlang der Aufteilungslinie 21 appliziert, relativ zueinander zu positionieren, wodurch eine Laserstrahlapplikationsposition ausgerichtet wird (Ausrichtungsschritt). Eine Laserstrahlapplikationsposition wird in ähnlicher Art und Weise in Bezug auf eine Aufteilungslinie 21 ausgerichtet, welche sich auf dem optischen Einrichtungswafer 2 senkrecht zu der oberen ersten Richtung erstreckt. In dem Ausrichtungsschritt werden die Aufteilungslinien 21 auf dem optischen Einrichtungswafer 2 und die optischen Einrichtungen 22 nach unten angeordnet. Da das Bilderfassungsmittel 43 das Infrarotstrahlapplikationsmittel, das optische System zum Erfassen der Infrarotstrahlung und die Bilderfassungseinrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals in Abhängigkeit der Infrarotstrahlung umfasst, wie oben beschrieben, kann das Bilderfassungsmittel 43 ein Abbild der Aufteilungslinie 21 durch den optischen Einrichtungswafer 2, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat umfasst, von der Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2 erfassen.
  • Nachdem der oben beschrieben Ausrichtungsschritt ausgeführt wurde, wird, wie in 6A gezeigt, der Spanntisch 41 zu einer Laserstrahlapplikationsfläche bewegt, wo die Konvergenzeinheit 424 des Laserstrahlapplikationsmittels 42 positioniert ist, die den Laserstrahl appliziert, wodurch die vorbestimmte Aufteilungslinie 21 direkt unterhalb der Konvergenzeinheit 424 angeordnet wird. Zu dieser Zeit ist, wie in 6A gezeigt, ein Ende (linkes Ende in 6A) der Aufteilungslinie 21 auf dem optischen Einrichtungswafer 2 direkt unterhalb der Konvergenzeinheit 424 positioniert. Anschließend wird das nicht gezeigte Konvergenzpunktpositionsanpassungsmittel betätigt, um die Konvergenzeinheit 424 entlang der optischen Achse zu bewegen, um einen Konvergenzpunkt P des gepulsten Laserstrahls LB, der durch den Kondensor 424b der Konvergenzeinheit 424 konvergiert wurde, an einer angestrebten Position entlang der Dickenrichtung des optischen Einrichtungswafers 2 von der Rückseite 2b davon zu positionieren (Positionierungsschritt). Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Konvergenzpunkt P des gepulsten Laserstrahls LB zu der angestrebten Position festgelegt, welche von der Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2 beabstandet ist, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat umfasst, auf welches der gepulste Laserstrahl LB appliziert wird (beispielsweise an einer Position, die 5 bis 10 μm von der Rückseite 2b zur Fläche 2a beabstandet ist).
  • Nachdem der Positionierungsschritt ausgeführt wurde, wie oben beschrieben, wird ein Schildtunnelausbildungsschritt ausgeführt, um das Laserstrahlapplikationsmittel 42 derart zu betreiben, dass der Laserstrahl LB von der Konvergenzeinheit 424 emittiert wird und in dem optischen Einrichtungswafer 2, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat umfasst, ein feines Loch und einen amorphen Bereich, der das feine Loch abschirmt, ausbildet, welche sich von einem Bereich in der Umgebung des Konvergenzpunkts P (Rückseite 2b) in Richtung der Fläche 2a erstrecken, wodurch ein Schildtunnel in dem optischen Einrichtungswafer 2 ausgebildet wird. Genauer gesagt wird der Spanntisch 41 mit einer vorbestimmten Zuführgeschwindigkeit entlang der Richtung, die durch einen Pfeil X1 in 6A dargestellt ist, bewegt, während die Konvergenzeinheit 424 den gepulsten Laserstrahl LB emittiert, welcher solch eine Wellenlänge aufweist, die durch das Saphirsubstrat (Al2O3) des optischen Einrichtungswafers 2 hindurchgeht (Schildtunnelausbildungsschritt). Anschließend stoppt, wie in 6B gezeigt, das Laserstrahlapplikationsmittel 42 die Applikation des gepulsten Laserstrahls, wobei sich der Spanntisch 41 nicht mehr bewegt, wenn das andere Ende (rechtes Ende in 6B) der Aufteilungslinie 21 die Laserstrahlapplikationsposition der Konvergenzeinheit 424 des Laserstrahlapplikationsmittels 42 erreicht.
  • Wenn der oben beschriebene Schildtunnelausbildungsschritt ausgeführt wird, wie in 6C gezeigt, werden feine Löcher 231 und amorphe Bereiche 232, die um die feinen Löcher 231 ausgebildet sind, in dem optischen Einrichtungswafer 2, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat umfasst, so gezüchtet, dass diese sich von einem Bereich in der Umgebung des Konvergenzpunkts P (Rückseite 2b) des gepulsten Laserstrahls LB in Richtung der Fläche 2a erstrecken, wodurch amorphe Schildtunnel 23 an vorbestimmten Intervallen entlang der Aufteilungslinie 21 ausgebildet werden (in der vorliegenden Ausführungsform Intervalle von 10 μm (Bearbeitungszuführgeschwindigkeit: 1000 mm/s)/(Wiederholfrequenz: 100 kHz)). Wie in 6D und 6E gezeigt, umfasst jeder der Schildtunnel 23 ein zentral ausgebildetes feines Loch 231 mit einem Durchmesser von etwa 1 μm und einem amorphen Bereich 232 mit einem Durchmesser von etwa 10 μm, der um das feine Loch 231 herum angeordnet ist. In der vorliegenden Ausführungsform sind diese amorphen Bereiche 232, die benachbart zueinander angeordnet sind, miteinander verbunden. Da die amorphen Schildtunnel 23, die in dem Schildtunnelausbildungsschritt ausgebildet werden, so ausgebildet werden können, dass diese sich von der Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubtrat umfasst, in Richtung der Fläche 2a davon erstrecken, kann der gepulste Laserstrahl LB lediglich einmal appliziert werden, selbst wenn die Dicke des optischen Einrichtungswafers 2 groß ist. Demnach wird die Produktivität der Schildtunnel 23 signifikant vergrößert.
  • Nachdem der Schildtunnelausbildungsschritt entlang der vorbestimmten Aufteilungslinie 21 ausgeführt wurde, wird der Spanntisch 41 um das Intervall zwischen Aufteilungslinien 21 auf dem optischen Einrichtungswafer 2 entlang der Richtung, die durch einen Pfeil Y gezeigt ist, verstellt (Verstellschritt), wobei anschließend der obere Schildtunnelausbildungsschritt ausgeführt wird. Wenn der Schildtunnelausbildungsschritt entlang all der Aufteilungslinien 21 ausgeführt wurde, die sich entlang der ersten Richtung erstrecken, wird der Spanntisch 41 um 90° gedreht, wobei der Schildtunnelausbildungsschritt nun entlang der Aufteilungslinie 21 ausgeführt wird, die sich entlang einer Richtung erstrecken, welche senkrecht zu den Aufteilungslinien 21 entlang der ersten Richtung ist.
  • Um gute Schildtunnel 23 in dem oberen Schildtunnelausbildungsschritt auszubilden ist es wichtig, die Spitzenenergiedichte des gepulsten Laserstrahls LB auf einen Wert in dem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 festzulegen. Die Spitzenenergiedichte kann als eine Durchschnittsausgabeenergie bestimmt werden (W)/{Wiederholfrequenz (Hz) × Leuchtfleckfläche (cm2) × Pulsbreite (s)}.
  • Die Gründe dafür, dass die Spitzenenergiedichte des gepulsten Laserstrahls LB auf einen Wert in dem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 festgelegt wird, werden im Folgenden beschrieben.
  • [Experiment 1]
    • Bedingung 1 ... Einzelkristallsubstrat: Saphirsubstrat (Dicke von 400 μm)
    • Bedingung 2 ... Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 1030 nm
    • Bedingung 3 ... Wiederholfrequenz des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 100 kHz
    • Bedingung 4 ... Leuchtfleckdurchmesser des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 10 μm
    • Bedingung 5... durchschnittliche Ausgabeenergie des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 5 W
    • Bedingung 6 ... variabel: Pulsbreite des gepulsten Laserstrahls
  • Der gepulste Laserstrahl wurde auf das Saphirsubstrat appliziert, während die Pulsbreite zwischen 0,1 ps und 100 ps unter den oberen Bedingungen variiert wurde, wobei der Bearbeitungszustand observiert wurde.
  • Wenn sich die Pulsbreite in dem Bereich von 0,1 ps bis 0,6 ps befand, wurden Leerstellen/Freiräume innerhalb des Saphirsubstrats ausgebildet.
  • Wenn sich die Pulsbreite in dem Bereich von 0.7 ps bis 63 ps befand, wurden Schildtunnel mit feinen Löchern und amorphen Bereichen, welche die feinen Löcher abschirmen, innerhalb des Saphirsubstrats ausgebildet.
  • Wenn sich die Pulsbreite in dem Bereich von 64 ps bis 100 ps befand, wurde das Innere des Saphirsubstrats geschmolzen.
  • Von den oberen Experimentergebnissen kann gesehen werden, dass Schildtunnel mit feinen Löchern und amorphen Bereichen, welche die feinen Löcher abschirmen, innerhalb des Saphirsubstrats ausgebildet werden, wenn sich die Pulsbreite in dem Bereich von 0.7 ps bis 63 ps befindet.
  • Demnach wird die Spitzenenergiedichte bestimmt, wenn sich die Pulsbreite in dem Bereich von 0,7 ps bis 63 ps unter den oberen Bedingungen befindet, wobei Schildtunnel ausgebildet werden, indem die Spitzenenergiedichte auf einen Wert in dem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 eingestellt wird.
  • [Experiment 2]
    • Bedingung 1 ... Einzelkristallsubstrat: Saphirsubstrat (mit einer Dicke von 400 μm)
    • Bedingung 2 ... Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 1030 nm
    • Bedingung 3 ... Pulsbreite eingestellt auf 10 ps
    • Bedingung 4 ... Leuchtfleckdurchmesser des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 10 μm
    • Bedingung 5 ... Ausgabeenergie des gepulsten Laserstrahls eingestellt auf 5 W
    • Bedingung 6 ... variabel: Wiederholfrequenz des gepulsten Laserstrahls
  • Der gepulste Laserstrahl wurde auf das Saphirsubstrat appliziert, während die Wiederholungsfrequenz zwischen 1 kHz und 1000 kHz unter den oberen Bedingungen variiert wurde, wobei der Bearbeitungszustand beobachtet wurde.
  • Wenn sich die Wiederholfrequenz in dem Bereich von 1 kHz bis 6 kHz befand, wurde das Innere des Saphirsubstrats zerstört, wobei sich Risse darin radial entwickelten.
  • Wenn sich die Wiederholfrequenz zwischen von 7 kHz und 640 kHz befand, wurden Schildtunnel mit feinen Löchern und amorphen Bereichen, welche die feinen Löcher abschirmen, innerhalb des Saphirsubstrats ausgebildet.
  • Wenn sich die Wiederholfrequenz in dem Bereich von 650 kHz bis 1000 kHz befand, wurden Leerstellen innerhalb des Saphirsubstrats und keine Schildtunnel darin ausgebildet.
  • Den oberen Experimentergebnissen kann entnommen werden, dass Schildtunnel mit feinen Löchern und amorphen Bereichen, welche die feinen Löcher abschirmen, innerhalb des Saphirsubstrats ausgebildet werden, wenn sich die Wiederholfrequenz in dem Bereich von 7 kHz bis 640 kHz befindet.
  • Demnach wird die Spitzenenergiedichte bestimmt, wenn sich die Wiederholfrequenz in dem Bereich von 7 kHz bis 640 kHz unter den oberen Bedingungen befindet, wobei Schildtunnel ausgebildet werden, indem die Spitzenenergiedichte auf einen Wert in dem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 eingestellt wird.
  • Das oben beschriebene Experiment 1 und das oben beschriebene Experiment 2 wurden auf einem Saphirsubstrat (Al2O3) ausgeführt. Experimente, welche dem Experiment 1 und dem Experiment 2 ähnlich sind, wurden ebenfalls auf einem Siliziumkarbidsubstrat (SiC), einem Galliumnitridsubstrat (GaN), einem Lithiumthanthalatsubstrat (LiTaO3), einem Lithiumniobatsubstrat (LiNbO3), einem Diamantsubstrat und einem Quartsubstrat (SiO2) ausgeführt, wobei jedes ein Einzelkristallsubstrat darstellt, wobei sich die Ergebnisse dieser Experimente im Wesentlichen gleichten.
  • Nachdem der oben beschriebene Schildtunnelschritt ausgeführt wurde, wird ein Schleifschritt ausgeführt, um das Schutzelement, das an der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 anhaftet, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat umfasst, auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung zu halten, die Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2 zu schleifen, um den optischen Einrichtungswafer 2 auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, und den optischen Einrichtungswafer 2 entlang der Aufteilungslinien 21 aufzuteilen, entlang welcher die Schildtunnel 23 ausgebildet wurden. Der Schleifschritt wird unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 5, die in 7A gezeigt ist, ausgeführt. Wie in 7A gezeigt, umfasst die Schleifvorrichtung 5 einen Spanntisch 51 als ein Haltemittel zum Halten eines Werkstücks darauf und ein Schleifmittel 52 zum Schleifen des Werkstücks, das auf dem Spanntisch 51 gehalten wird. Der Spanntisch 51, der ausgestaltet ist, das Werkstück auf dessen oberer Fläche unter Saugen zu halten, wird um dessen eigene Achse in die Richtung, die durch einen Pfeil A in 7A gezeigt ist, durch einen nicht gezeigten Rotationsantriebsmechanismus gedreht. Das Schleifmittel 52 umfasst ein Spindelgehäuse 53, eine Rotationsspindel 54, die drehbar durch das Spindelgehäuse 53 gelagert und um dessen eigene Achse durch einen nicht gezeigten Rotationsantriebsmechanismus rotierbar ist, eine Anbringung 55, die an dem unteren Ende der Rotationsspindel 54 angebracht ist, und ein Schleifrad 56, das an der unteren Fläche der Anbringung 55 angebracht ist. Das Schleifrad 56 umfasst eine ringförmige Basis 57 und eine Vielzahl von Schleifsteinen 58, die in einer ringförmigen Art und Weise an der unteren Fläche der Basis 57 befestigt sind. Die Basis 57 ist an der unteren Fläche der Anbringung 55 durch Befestigungsbolzen 59 angebracht.
  • Zum Ausführen des Schleifschritts unter Verwendung der Schleifvorrichtung 5 wird das Schutzband 3, das an der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 anhaftet, auf der oberen Fläche (Haltefläche) des Spanntisches 51 angeordnet, wie in 7A gezeigt. Anschließend wird ein nicht gezeigtes Saugmittel betätigt, um den optischen Einrichtungswafer 2 auf dem Spanntisch 51 unter Saugen durch das dazwischenliegende Schutzband 3 zu halten (Waferhalteschritt). Demnach weist der optische Einrichtungswafer 2, der auf dem Spanntisch 51 gehalten wird, seine Rückseite 2b nach oben ausgerichtet auf. Nachdem der optische Einrichtungswafer 2 auf dem Spanntisch 51 unter Saugen durch das dazwischenliegende Schutzband 3 gehalten wurde, werden das Schleifrad 56 des Schleifmittels 52 um dessen eigene Achse bei beispielsweise 6000 Upm in die Richtung rotiert, die durch einen Pfeil B in 7A gezeigt ist, während der Spanntisch 51 um dessen eigene Achse bei beispielsweise 300 Upm in die Richtung, die durch einen Pfeil A in 7A gezeigt ist, gedreht wird, und die Schleifsteine 58 mit der Rückseite 2b, die eine zu bearbeitende Fläche darstellt, des optischen Einrichtungswafers 2 in Kontakt gebracht, wie in 7B gezeigt, woraufhin das Schleifrad 56 einen vorbestimmten Abstand nach unten (eine Richtung senkrecht zur Haltefläche des Spanntisches 51) bei einer Schleifzuführgeschwindigkeit von beispielsweise 1 μm/s zugeführt wird, wie durch den Pfeil C gezeigt ist. Im Ergebnis wird die Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2 geschliffen, um den optischen Einrichtungswafer 2 auf eine vorbestimmte Dicke (beispielsweise 100 μm) zu bringen, wobei der optische Einrichtungswafer 2 in einzelne optische Einrichtungen 22 entlang der Aufteilungslinien 21 unterteilt wird, wo die mechanische Festigkeit durch die Schildtunnel 23, die darin ausgebildet sind, verringert wurde. Da das Schutzband 3 an den Flächen der einzelnen optischen Einrichtungen 22, die voneinander getrennt wurden, angehaftet wird, fallen die optischen Einrichtungen 22 nicht auseinander, sondern verbleiben in der Form des optischen Einrichtungswafers 2 im Verbund. Wenn der Schleifschritt derart ausgeführt wird, wird der optische Einrichtungswafer 2 in einzelne optische Einrichtungen 22 entlang der Aufteilungslinien 21 unterteilt, wo die mechanische Festigkeit durch die darin ausgebildeten Schildtunnel 23 verringert wurde.
  • Anschließend wird ein Waferstützschritt ausgeführt, um ein Dicing-Band an der Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2, der das Saphirsubstrat (Al2O3) als ein Einzelkristallsubstrat (unterteilt in die einzelnen optischen Einrichtungen 22), auf dem der Schleifschritt ausgeführt wurde, umfasst, anzuhaften und einen äußeren Umfangsabschnitt des Dicing-Bands in einem Ringrahmen zu lagern. Genauer gesagt wird, wie in 8 gezeigt, die Rückseite 2b des optischen Einrichtungswafers 2, der in die einzelnen optischen Einrichtungen 22 unterteilt wurde, auf dem der Schleifschritt ausgeführt wurde, an die Fläche eines Dicingbands T angehaftet, dessen äußerer Umfangsabschnitt an einem Ringrahmen F derart angebracht ist, dass eine innere Öffnung davon abgedeckt wird. Anschließend wird das Schutzband 3, das an der Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 anhaftet, abgeschält. Da der optische Einrichtungswafer 2 an der Fläche des Dicing-Bands T anhaftet, ist die Fläche 2a des optischen Einrichtungswafers 2 nach oben ausgerichtet.
  • Nachdem der Waferstützschritt ausgeführt wurde, wird ein Aufnahmeschritt ausgeführt, um die einzelnen optischen Einrichtungen 22, die aus dem optischen Einrichtungswafer 2 unterteilt wurden, an dem Dicing-Band T anzuhaften. Der Aufnahmeschritt wird unter Verwendung einer Aufnahmevorrichtung 6, die in 9 gezeigt ist, ausgeführt. Wie in 9 gezeigt, umfasst die Aufnahmevorrichtung 6 ein Rahmenhaltemittel 61 zum Halten des Ringrahmens F, ein Bandexpandiermittel 62 zum Expandieren des optischen Einrichtungswafers 2, der an dem Ringrahmen F, welcher durch das Rahmenhaltemittel 61 gehalten wird, angebracht ist, und eine Aufnahmeeinrichtung 63. Das Rahmenhaltemittel 61 umfasst ein Ringrahmenhalteelement 611 und eine Vielzahl von Klemmen 612, die als Befestigungsmittel an einer äußeren Umfangsfläche des Rahmenhaltelements 611 angeordnet sind. Das Rahmenhalteelement 611 weist eine obere Fläche auf, die als eine Anordnungsfläche 611a zum Anordnen des Ringrahmens F darauf fungiert. Der Ringrahmen F wird auf der Anordnungsfläche 611a angeordnet. Der Ringrahmen F, der auf der Anordnungsfläche 611a angeordnet ist, wird an dem Rahmenhaltelement 611 durch Klemmen 612 befestigt. Das Rahmenhaltemittel 61, das derart ausgestaltet ist, wird durch das Bandexpandiermittel 62 zum vertikalen Rück- und Vorbewegen gestützt.
  • Das Bandexpandiermittel 62 umfasst eine Expandiertrommel 621, die in dem Ringrahmenhalteelement 611 angeordnet ist. Die Bandexpandiertrommel 621 weist einen Außendurchmesser auf, der kleiner als der Innendurchmesser des Ringrahmens F ist, und einen Innendurchmesser, der größer als der Außendurchmesser des optischen Einrichtungswafers 2 ist, welcher an dem Dicing-Band T anhaftet, das an dem Ringrahmen F angebracht ist. Die Expandiertrommel 621 umfasst einen Stützflansch 622 an deren unteren Ende. Das Bandexpandiermittel 62 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ein Stützmittel 623 zum vertikalen Rück- und Vorbewegen des Ringrahmenhalteelements 611 auf. Das Stützmittel 623 umfasst eine Vielzahl von Luftzylindern 623a, die an dem Stützflansch 622 angeordnet sind und entsprechende Kolbenstangen 623b aufweisen, welche mit der unteren Fläche des Ringrahmenhalteelements 611 verbunden sind. Das Stützmittel 623, das die Luftzylinder 623a umfasst, bewegt das Ringrahmenhaltelement 611 vertikal zwischen einer Referenzposition, die in 10A gezeigt ist, bei welcher die Anordnungsfläche 611a im Wesentlichen an der gleichen Höhe wie das obere Ende der Expandiertrommel 621a angeordnet ist, und einer Expandierposition, die in 10B gezeigt ist, bei welcher die Anordnungsfläche 611a mit einem vorbestimmten Abstand niedriger als das obere Ende der Expandiertrommel 621a angeordnet ist.
  • Der Aufnahmeschritt, der unter Verwendung der Aufnahmevorrichtung 6, die derart ausgestaltet ist, ausgeführt wird, wird nun unter Bezugnahme auf 10A bis 10C beschrieben. Wie in 10A gezeigt, wird der Ringrahmen F, auf welchem das Dicing-Band T mit dem optischen Einrichtungswafer 2, der daran anhaftet, angebracht ist, auf der Anordnungsfläche 611a des Rahmenhalteelementes 611 des Rahmenhaltemittels 61 angeordnet und anschließend an dem Rahmenhaltelement 611 durch die Klemmen 612 befestigt (Rahmenhalteschritt). Zu dieser Zeit ist das Rahmenhalteelement 611 an der Referenzposition angeordnet, die in 10A gezeigt ist. Anschließend werden die Luftzylinder 623a des Stützmittels 623 des Bandexpandiermittels 62 betätigt, um das Ringrahmenhaltelement 611 zur Expandierposition abzusenken, die in 10B gezeigt ist. Da der Ringrahmen F, der an der Anordnungsfläche 611a des Rahmenhalteelementes 611 befestigt ist, ebenfalls abgesenkt wird, wird das Dicing-Band T, das an dem Ringrahmen F angebracht ist, durch Kontakt mit dem oberen Ende der Expandiertrommel 621 expandiert (Bandexpandierschritt), wie in 10B gezeigt. Im Ergebnis wird der optische Einrichtungswafer 2, der an dem Dicing-Band T anhaftet, einer radialen Zugkraft ausgesetzt, welche die unterteilten einzelnen optischen Einrichtungen 22 voneinander trennt, wodurch geweitete Spalte S zwischen den optischen Einrichtungen 22 ausgebildet werden.
  • Anschließend wird, wie in 10C gezeigt, die Aufnahmeeinrichtung 63 betätigt, um eine der optischen Einrichtungen 22 zur Zeit anzuziehen und von dem Dicing-Band T aufzunehmen (Aufnahmeschritt), wobei diese die aufgenommene optische Einrichtung 22 einer Ablage, die nicht gezeigt ist, oder einem Chipkontaktierungsschritt übergibt. In dem Aufnahmeschritt kann die Aufnahmeeinrichtung 63 jede optische Einrichtung 22 ohne Kontakt mit benachbarten optischen Einrichtungen 22 aufnehmen, da die geweiteten Spalte S zwischen den einzelnen optischen Einrichtungen 22, die an dem Dicing-Band T anhaften, wie oben beschrieben, ausgebildet wurden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die begleitenden Ansprüche definiert, wobei alle Änderungen und Modifikationen, welche in die Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche fallen, durch die Erfindung umfasst sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 3408805 [0003]
    • JP 10-305420 [0004]

Claims (2)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat entlang einer Vielzahl von vorgegebenen Aufteilungslinien aufzuteilen, umfassend: einen Schildtunnelausbildungsschritt zum Applizieren eines gepulsten Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die durch das Einzelkristallsubtrat hindurchgeht, auf das Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien, um Schildtunnel in dem Einzelkristallsubstrat entlang der Aufteilungslinien auszubilden, wobei jeder Schildtunnel ein feines Loch und einen amorphen Bereich aufweist, der das feine Loch umgibt; einen Schutzelementanhaftschritt zum Anhaften eines Schutzelements an das Einzelkristallsubstrat vor oder nach dem Schildtunnelausbildungsschritt; und einen Schleifschritt zum Halten des Schutzelements auf dem Einzelkristallsubstrat, an welchem der Schildtunnelausbildungsschritt und der Schutzelementanhaftschritt ausgeführt wurden, auf einem Spanntisch einer Schleifvorrichtung, zum Schleifen einer Rückseite des Einzelkristallsubstrats, um das Einzelkristallsubstrat auf eine vorbestimmte Dicke zu bringen, und zum Aufteilen des Einzelkristallsubstrats entlang der Aufteilungslinien, entlang welcher die Schildtunnel ausgebildet wurden.
  2. Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats gemäß Anspruch 1, bei dem der gepulste Laserstrahl, der in dem Schildtunnelausbildungsschritt verwendet wird, eine Spitzenenergiedichte aufweist, die auf einen Wert in dem Bereich von 1 TW/cm2 bis 100 TW/cm2 eingestellt ist.
DE102016203836.2A 2015-03-12 2016-03-09 Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats Pending DE102016203836A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-049985 2015-03-12
JP2015049985A JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2015-03-12 単結晶基板の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102016203836A1 true DE102016203836A1 (de) 2016-09-15

Family

ID=56801073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016203836.2A Pending DE102016203836A1 (de) 2015-03-12 2016-03-09 Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9735040B2 (de)
JP (1) JP2016171214A (de)
DE (1) DE102016203836A1 (de)
SG (1) SG10201601405QA (de)
TW (1) TWI692017B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6495056B2 (ja) 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6778092B2 (ja) * 2016-11-28 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6814613B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6821261B2 (ja) * 2017-04-21 2021-01-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6951124B2 (ja) * 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP6906845B2 (ja) * 2017-06-22 2021-07-21 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6918419B2 (ja) * 2017-09-08 2021-08-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5486264A (en) 1992-03-25 1996-01-23 The Trustees Of Columbia University Laser etching of semiconductors
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP2003163323A (ja) 2001-11-27 2003-06-06 Sony Corp 回路モジュール及びその製造方法
CN101335235B (zh) 2002-03-12 2010-10-13 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
JP2004188475A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
KR100720452B1 (ko) * 2003-06-30 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
JP4571850B2 (ja) 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2007012878A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4717545B2 (ja) 2005-08-01 2011-07-06 シャープ株式会社 光電変換素子の製造方法
JP2007067082A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの穿孔方法
JP2007317979A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP4917361B2 (ja) 2006-06-13 2012-04-18 株式会社ディスコ ビアホールの加工方法
US7960261B2 (en) * 2007-03-23 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
WO2008146744A1 (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Hamamatsu Photonics K.K. 切断用加工方法
JP5117920B2 (ja) 2008-04-28 2013-01-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2009290148A (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US9296066B2 (en) 2010-07-12 2016-03-29 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of material processing by laser filamentation
JP6062287B2 (ja) 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6151557B2 (ja) 2013-05-13 2017-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP6097146B2 (ja) * 2013-05-16 2017-03-15 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6152013B2 (ja) * 2013-08-16 2017-06-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201709300A (zh) 2017-03-01
US20160268155A1 (en) 2016-09-15
SG10201601405QA (en) 2016-10-28
JP2016171214A (ja) 2016-09-23
TWI692017B (zh) 2020-04-21
US9735040B2 (en) 2017-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016203836A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats
DE102018201298B4 (de) SiC-Waferherstellungsverfahren
DE102004051180B4 (de) Waferteilungsverfahren
DE102004043475B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016203396A1 (de) Bearbeitungsverfahren eines Einzelkristallsubstrats
DE102004043474B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102015208893B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102017206401A1 (de) Verfahren zum bearbeiten eines sic-und wafers
DE102005033953B4 (de) Waferteilungsverfahren und -vorrichtung
DE102015220379A1 (de) Wasser-Bearbeitungsverfahren
DE102008022745A1 (de) Waferunterteilungsverfahren
DE102005004845B4 (de) Wafer-Unterteilungsverfahren
DE202014011497U1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102016201252A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallelements
DE102014215392A1 (de) Optikbauelementwafer-Bearbeitungsverfahren
DE102015208890A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102017103737A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016205915A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102005022530A1 (de) Waferteilungsverfahren
DE102018205905A1 (de) SiC-Waferherstellungsverfahren
DE102016224978A1 (de) Substratbearbeitungsverfahren
DE102011082244A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019212840A1 (de) SiC-SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN
DE102013205644A1 (de) Herstellverfahren für Chips mit Haftfolien
DE102015207193A1 (de) Einkristallsubstrat-Bearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed