DE102015215925B4 - Treiberschaltung, Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

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Abstract

Treiberschaltung, die folgende Merkmale aufweist:
einen Treibertransistor (410), der ein erstes Gate (411), eine erste Halbleiterschicht (413), die über dem ersten Gate (411) angeordnet ist, eine Ätzstoppschicht (414), die über der ersten Halbleiterschicht (413) angeordnet ist, und eine erste Source (415) und einen ersten Drain (416) aufweist, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht (413) angeordnet sind, wobei die erste Source (415) und der erste Drain (416) auf der Ätzstoppschicht (414) einen ersten Bereich freigelegt lassen; und
einen Schalttransistor (420), der ein zweites Gate (421), eine zweite Halbleiterschicht (423), die über dem zweiten Gate (421) angeordnet ist, und eine zweite Source (424) und einen zweiten Drain (425) aufweist, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht (423) angeordnet sind, wobei die zweite Source (424) und der zweite Drain (425) auf der zweiten Halbleiterschicht (423) einen zweiten Bereich freigelegt lassen; und
eine dielektrische Schicht (431), die auf dem Treibertransistor (410) und dem Schalttransistor (420) angeordnet ist, wobei die dielektrische Schicht (431) überall in dem ersten Bereich in Kontakt mit der Ätzstoppschicht (414) und überall in dem zweiten Bereich in Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht (423) angeordnet ist,
wobei die erste Halbleiterschicht (413) und die zweite Halbleiterschicht (423) aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt sind.

Description

  • Die Offenbarung bezieht sich auf photoelektrische Anzeigetechnologien und insbesondere auf eine Treiberschaltung, eine Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige und Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Mit Vorteilen wie z. B. geringem Gewicht, dünner Größe, intensiven Farben, weitem Blickwinkel und hohem Kontrast, wird eine Organische-Lichtemittierende-Diode- (OLED-) Anzeige allmählich zu einem der sich am schnellsten entwickelnden Bedienfeldanzeigen. Die OLED-Anzeige zeigt Bilder an durch Verwenden organischer lichtemittierender Materialen, und ändert die Helligkeit basierend auf der Intensität eines angelegten Stroms (oder einer angelegten Spannung), um das Anzeigen verschiedener Graustufen zu implementieren.
  • Die OLED-Anzeige umfasst Pixeleinheiten und Treiberschaltungen zum Treiben der Pixeleinheiten. Jede Treiberschaltung umfasst normalerweise eine Datenleitung, eine Leistungsleitung, eine Gateleitung, zumindest einen Schalttransistor und zumindest einen Treibertransistor, usw.
  • Eine herkömmliche Treiberschaltung weist jedoch eine schlechte Leistungsfähigkeit auf, wodurch dieselbe eine schlechte Leistungsfähigkeit einer herkömmlichen OLED-Anzeige verursacht.
  • Die US 2011/ 0 024 751 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, die einen Oxidhalbleiter verwendet, und ein Herstellungsverfahren derselben. In einem Boden-Gate-Dünnfilmtransistor, der den Stapel der ersten Oxidhalbleiterschicht und der zweiten Oxidhalbleiterschicht verwendet, ist eine Oxidisolierschicht, die als eine Kanalschutzschicht dient über und in Kontakt mit einem Teil der Oxidhalbleiterschicht gebildet, der mit einer Gatelektrodenschicht überlappt. Der Stapel der ersten Oxidhalbleiterschicht und der zweiten Oxidhalbleiterschicht ist mit den Regionen versehen, die mit der Oxidisolierschicht überlappen und in dem Umfangsabschnitt des Stapels der ersten Oxidhalbleiterschicht und der zweiten Oxidhalbleiterschicht positioniert sind. Es ist wirksam, die Regionen durch Überlappen der Oxidhalbleiterschicht mit der Oxidisolierschicht bereitzustellen, um Leckstrom und parasitäre Kapazität zu reduzieren.
  • Die US2011/0163310 A1 offenbart einen Dünnfilmtransistor, der eine Kanalschicht, eine Ätzstoppmehrfachschicht, eine Source, einen Drain, ein Gate und eine Gateisolationsschicht umfassen kann.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Treiberschaltung, eine Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige sowie ein Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Treiberschaltung gemäß Anspruch 1, eine Anzeige gemäß Anspruch 8 sowie ein Verfahren gemäß Anspruch 9.
  • Ein erfindungsgemäßer Aspekt ist eine Treiberschaltung. Die Treiberschaltung umfasst: einen Treibertransistor, der ein erstes Gate, eine erste Halbleiterschicht, die über dem ersten Gate angeordnet ist, eine Ätzstoppschicht, die auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist, und eine erste Source und einen ersten Drain umfasst, die über der Ätzstoppschicht angeordnet sind, wobei die erste Halbleiterschicht aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist; und einen Schalttransistor, der ein zweites Gate, eine zweite Halbleiterschicht, die über dem zweiten Gate angeordnet ist, und eine zweite Source und einen zweiten Drain umfasst, die auf der zweiten Halbleiterschicht angeordnet sind, wobei die zweite Halbleiterschicht aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Offenbarung ist ferner eine OLED-Anzeige vorgesehen. Die OLED-Anzeige umfasst: ein Substrat, eine OLED, die auf dem Substrat angeordnet ist, und die obige Treiberschaltung, wobei die Treiberschaltung auf dem Substrat angeordnet ist.
  • Bei einem weiteren Aspekt der Offenbarung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Treiberschaltung vorgesehen. Das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Substrats; Bilden eines ersten Gates und eines zweiten Gates auf dem Substrat; Bilden einer Gatedielektrikschicht, um das erste Gate und das zweite Gate zu bedecken; Bilden einer ersten Halbleiterschicht auf der Gatedielektrikschicht, wobei die erste Halbleiterschicht dem ersten Gate entspricht und aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist; Bilden einer zweiten Halbleiterschicht auf der Gatedielektrikschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht dem zweiten Gate entspricht und aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist; Bilden einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; nachdem die Ätzstoppschicht gebildet ist, Bilden einer ersten Source bzw. eines ersten Drains auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht, um einen Treibertransistor zu bilden, und Bilden einer zweiten Source bzw. eines zweiten Drains auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht, um einen Schalttransistor zu bilden; und Bilden einer dielektrischen Schicht, um den Treibertransistor und den Schalttransistor zu bedecken.
  • Bei noch einem weiteren Aspekt der Offenbarung ist ein Verfahren zum Herstellen einer OLED-Anzeige vorgesehen, wo eine Treiberschaltung in der OLED-Anzeige gebildet wird durch Verwenden des vorhergehenden Verfahrens zum Herstellen der Treiberschaltung.
  • Im Vergleich zu herkömmlichen Technologien weist bei technischen Lösungen der Offenbarung der Treibertransistor der Treiberschaltung die Ätzstoppschicht auf, der Schalttransistor der Treiberschaltung weist keine Ätzstoppschicht auf; somit ist die Leistungsfähigkeit der Treiberschaltung zumindest bei einem der folgenden zwei Aspekte verbessert. Bei einem Aspekt weist der Treibertransistor die Ätzstoppschicht auf, die einen Kanal schützen kann (d. h. die erste Halbleiterschicht schützen kann); somit kann der Kanal jedes Treibertransistors beim Bilden der Transistoren nicht beschädigt werden, Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren werden verbessert und aufgrund der verbesserten Einheitlichkeit der Treibertransistoren wird vermieden, dass ein Mura-Phänomen an einer entsprechenden Anzeige auftritt. Bei einem anderen Aspekt weist der Schalttransistor keine Ätzstoppschicht auf; daher verringert sich die parasitäre Kapazität des Schalttransistors, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um den Schalttransistor herum reduziert werden, wodurch Leistungsaufnahme eingespart wird und ein Kompensationseffekt der Treiberschaltung verbessert wird.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf beiliegende Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
    • 1 schematisch einen Treibertransistor und einen Schalttransistor in einer ersten herkömmlichen Treiberschaltung;
    • 2 schematisch einen Treibertransistor und einen Schalttransistor in einer zweiten herkömmlichen Treiberschaltung;
    • 3 schematisch einen Treibertransistor und einen Schalttransistor in einer Treiberschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
    • 4 schematisch einen Treibertransistor und einen Schalttransistor in einer Treiberschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
    • 5 ein Diagramm einer Treiberschaltung in einer OLED-Anzeige gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
    • 6 ein Diagramm einer Treiberschaltung in einer OLED-Anzeige gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
    • 7 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Treiberschaltung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
    • 8 bis 12 schematische Strukturdiagramme, die jeweiligen Schritten des Verfahrens zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Offenbarung entsprechen.
  • Wie es im Hintergrundabschnitt beschrieben ist, weist eine herkömmliche Treiberschaltung eine schlechte Leistungsfähigkeit auf. 1 und 2 zeigen zwei unterschiedliche herkömmliche Treiberschaltungen.
  • Wie es in 1 gezeigt ist, umfasst eine erste herkömmliche Treiberschaltung einen Treibertransistor 110. Der Treibertransistor 110 umfasst ein erstes Gate 111, eine erste Halbleiterschicht 113, die über dem ersten Gate 111 angeordnet ist, eine erste dielektrische Schicht 112, die zwischen dem ersten Gate 111 und der ersten Halbleiterschicht 113 angeordnet ist, eine erste Ätzstoppschicht 114, die über der ersten Halbleiterschicht 113 angeordnet ist, und eine erste Source 115 und einen ersten Drain 116, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht 113 angeordnet sind.
  • Wie es in 1 gezeigt ist, umfasst die erste herkömmliche Treiberschaltung ferner einen Schalttransistor 120. Der Schalttransistor 120 umfasst ein zweites Gate 121, eine zweite Halbleiterschicht 123, die über dem zweiten Gate 121 angeordnet ist, eine zweite dielektrische Schicht 122, die zwischen dem zweiten Gate 121 und der zweiten Halbleiterschicht 123 angeordnet ist, eine zweite Ätzstoppschicht 124, die über der zweiten Halbleiterschicht 123 angeordnet ist, und eine zweite Source 125 und einen zweiten Drain 126, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht 123 angeordnet sind.
  • Bei der ersten herkömmlichen Treiberschaltung, die in 1 gezeigt ist, weist der Schalttransistor 120 die zweite Ätzstoppschicht 124 auf; und aufgrund der Existenz der zweiten Ätzstoppschicht 124 sollte die zweite Source 125 die zweite Ätzstoppschicht 124 teilweise bedecken, wenn dieselbe auf der zweiten Halbleiterschicht 123 angeordnet ist. Somit erhöht sich ein Überlappungsbereich der zweiten Source 125 und des zweiten Gates 121, wodurch eine erhöhte parasitäre Kapazität zwischen der zweiten Source 125 und dem zweiten Gate 121 verursacht wird. Der Überlappungsbereich ist als ein Bereich gezeigt, der durch einen Kreis aus einer gestrichelten Linie 110 definiert ist. Mit einer großen parasitären Kapazität können sich Lasten von Peripherieschaltungen um den Schalttransistor 120 herum erhöhen und der Kompensationseffekt der Treiberschaltung kann geschwächt werden.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, umfasst eine zweite herkömmliche Treiberschaltung einen Treibertransistor 210. Der Treibertransistor 210 umfasst eine erste Source 211, eine erste Halbleiterschicht 213, die über dem ersten Gate 211 angeordnet ist, eine erste dielektrische Schicht 212, die zwischen dem ersten Gate 211 und der ersten Halbleiterschicht 213 angeordnet ist, und eine erste Source 214 und einen ersten Drain 215, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht 213 angeordnet sind.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, umfasst die zweite herkömmliche Treiberschaltung ferner einen Schalttransistor 220. Der Schalttransistor 220 umfasst ein zweites Gate 221, eine zweite Halbleiterschicht 223, die über dem zweiten Gate 221 angeordnet ist, eine zweite dielektrische Schicht 222, die zwischen dem zweiten Gate 221 und der zweiten Halbleiterschicht 223 angeordnet ist, und eine zweite Source 224 und einen zweiten Drain 225, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht 223 angeordnet sind.
  • Bei der zweiten herkömmlichen Treiberschaltung, die in 2 gezeigt ist, weist der Treibertransistor 210 keine Ätzstoppschicht auf. Obwohl der Treibertransistor 210 ohne die Ätzstoppschicht eine geringe parasitäre Kapazität aufweisen kann, ist die erste Halbleiterschicht 213 zum Bilden einer Kanalregion anfällig für Beschädigung während des Prozesses des Bildens des Treibertransistors 210 aufgrund der Abwesenheit der Ätzstoppschicht. Das heißt, ein Herstellungsprozess des Treibertransistors 210 neigt dazu, den Kanal zu beschädigen. Sobald der Kanal beschädigt ist, verringert sich die Zuverlässigkeit des einzelnen Treibertransistors; ferner ist die Einheitlichkeit der Treibertransistoren schlecht aufgrund von unterschiedlichen Beschädigungsgraden unterschiedlicher Treibertransistoren, und daher ist es wahrscheinlich, dass ein Mura-Phänomen an einer entsprechenden Anzeige auftritt.
  • Hinsichtlich der obigen Ausführungen ist in der Offenbarung eine neue Treiberschaltung bereitgestellt. Ein Treibertransistor der Treiberschaltung umfasst eine Ätzstoppschicht, die den Kanal schützen kann (d. h. die erste Halbleiterschicht schützen kann); somit kann der Kanal jedes Treibertransistors beim Bilden des Transistors nicht beschädigt werden, die Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren werden verbessert und dank der verbesserten Einheitlichkeit der Treibertransistoren wird verhindert, dass das Mura-Phänomen an der entsprechenden Anzeige auftritt. Da ein Schalttransistor der Treiberschaltung keine Ätzstoppschicht umfasst, verringert sich die parasitäre Kapazität des Schalttransistors, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um den Schalttransistor herum reduziert werden, Leistungsaufnahme eingespart wird und der Kompensationseffekt der Treiberschaltung verbessert wird.
  • Ein Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung, eine OLED-Anzeige, die die Treiberschaltung aufweist, und ein Verfahren zum Herstellen der OLED-Anzeige sind in der Offenbarung entsprechend vorgesehen.
  • Um Merkmale und Vorteile der Offenbarung offensichtlicher und verständlicher zu machen, sind Ausführungsbeispiele der Offenbarung nachfolgend in Verbindung mit den Zeichnungen näher beschrieben.
  • Eine Treiberschaltung ist gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung vorgesehen.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, umfasst die Treiberschaltung einen Treibertransistor 310. Der Treibertransistor 310 umfasst ein erstes Gate 311, eine erste Halbleiterschicht 313, die über dem ersten Gate 311 angeordnet ist, eine erste dielektrische Schicht 312, die zwischen dem ersten Gate 311 und der ersten Halbleiterschicht 313 angeordnet ist, eine Ätzstoppschicht 314, die über der ersten Halbleiterschicht 313 angeordnet ist, und eine erste Source 315 und einen ersten Drain 316, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht 313 angeordnet sind. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen sind Positionen der ersten Source und des ersten Drain untereinander austauschbar.
  • Wie es in 3 gezeigt ist, umfasst die Treiberschaltung ferner einen Schalttransistor 320. Der Schalttransistor 320 umfasst ein zweites Gate 321, eine zweite Halbleiterschicht 323, die über dem zweiten Gate 321 angeordnet ist, eine zweite dielektrische Schicht 322, die zwischen dem zweiten Gate 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 angeordnet ist, und eine zweite Source 324 und einen zweiten Drain 325, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht 323 angeordnet sind. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen sind Positionen der zweiten Source und des zweiten Drain untereinander austauschbar. Der zweite Drain 325 ist mit dem ersten Gate 311 elektrisch verbunden.
  • Es sollte dargestellt werden, dass bei der Treiberschaltung, die in der Offenbarung vorgesehen ist, Treibertransistoren Transistoren sind zum Steuern von Ausgangsstromintensitäten und andere Transistoren außer den Treibertransistoren Schalttransistoren sind.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind die erste Halbleiterschicht 313 und die zweite Halbleiterschicht 323 aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt. Das Oxidhalbleitermaterial ist ein Verbundhalbleitermaterial, das durch Metall und Sauerstoff gebildet ist, d. h. das Oxidhalbleitermaterial kann eines oder eine Kombination von InGaZnO, InAlZnO, InSnZnO, ZnO, CdO, TiO2, Al2O3, SnO, Cu2O, NiO, CoO, FeO und Cr2O3 sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können das erste Gate 311 und das zweite Gate 321 aus Metall oder Legierung hergestellt sein, wie z. B. Aluminium, Kupfer, Aluminium-Niobium-Legierung oder Molybdän-Wolfram-Legierung. Das erste Gate 311 und das zweite Gate 321 können aus einem gleichen Material hergestellt sein; somit können das erste Gate 311 und das zweite Gate 321 gleichzeitig gebildet werden durch einen gleichen Prozess, wodurch Prozesse vereinfacht werden und Kosten gespart werden. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung können das erste Gate und das zweite Gate aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können die erste dielektrische Schicht 312 und die zweite dielektrische Schicht 322 aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder anderen geeigneten isolierenden Materialien hergestellt sein. Die erste dielektrische Schicht 312 bzw. die zweite dielektrische Schicht 322 dienen als eine Gatedielektrikschicht des Treibertransistors 310 und eine Gatedielektrikschicht des Schalttransistors 320.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind sowohl der Treibertransistor 310 als auch der Schalttransistor 320 auf einem Substrat angeordnet. In 3, obwohl das Substrat nicht vollständig gezeigt ist, stellt eine gerade Linie 300 an der Unterseite eine Oberfläche des Substrats dar.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist der zweite Drain 325 des Schalttransistors 320 mit dem ersten Gate 311 elektrisch verbunden; somit ist der Schalttransistor 320 mit dem Treibertransistor 310 elektrisch verbunden.
  • Der Treibertransistor 310 und der Schalttransistor 320 beide durch eine dielektrische Schicht 331 bedeckt. Die dielektrische Schicht 331 umfasst eine Öffnung, durch die der erste Drain 316 freigelegt ist, und eine Elektrodenschicht 341 ist durch die Öffnung mit dem ersten Drain 316 elektrisch verbunden.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die Ätzstoppschicht 314 aus einem Metalloxid hergestellt sein, das zumindest entweder Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid umfasst. Alternativ kann die Ätzstoppschicht 314 aus einer nichtmetallischen Verbindung hergestellt sein, die zumindest entweder das Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid umfasst. Alternativ kann die Ätzstoppschicht 314 aus einer Kombination des Metalloxids und der nichtmetallischen Verbindung hergestellt sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist eine Dicke der Ätzstoppschicht 314 in einem Bereich von 30 nm - 300 nm. Falls die Dicke der Ätzstoppschicht 314 geringer als 30 nm ist, hat die Ätzstoppschicht 314 einen schlechten Schutzeffekt für die nachfolgende erste Halbleiterschicht 313, wodurch Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der gebildeten Transistoren beeinträchtigt werden. Falls die Dicke der Ätzstoppschicht größer als 300 nm ist, erhöht sich die Schwierigkeit eines Ätzprozesses; und unzureichendes oder übermäßiges Ätzen kann verursacht werden, wodurch die Bauelementleistungsfähigkeit beeinträchtigt wird.
  • Die Treiberschaltung gemäß dem Ausführungsbeispiel kann ferner eine Kompensationsschaltung umfassen (in 3 nicht gezeigt), zum Kompensieren einer Drift einer Schwellenspannung des Treibertransistors und zum Kompensieren einer Drift einer Sourcespannung. Gleichartig dazu weist ein Treibertransistor in der Kompensationsschaltung eine Ätzstoppschicht auf, und ein Schalttransistor in der Kompensationsschaltung weist keine Ätzstoppschicht auf.
  • In der Treiberschaltung gemäß dem Ausführungsbeispiel weist der Treibertransistor 310 die Ätzstoppschicht 314 auf, der Schalttransistor 320 weist keine Ätzstoppschicht auf; somit ist die Leistungsfähigkeit der Treiberschaltung in den folgenden zwei Aspekten verbessert. Bei einem Aspekt weist der Treibertransistor 310 die Ätzstoppschicht 314 auf, die die erste Halbleiterschicht 313 schützen kann, d. h. einen Kanal des Treibertransistors schützen kann; somit kann der Kanal jedes Treibertransistors 310 beim Bilden des Transistors nicht beschädigt werden, Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren 310 werden verbessert und aufgrund der verbesserten Einheitlichkeit der Treibertransistoren wird vermieden, dass das Mura-Phänomen an der entsprechenden Anzeige auftritt. Bei einem weiteren Aspekt weist der Schalttransistor 320 keine Ätzstoppschicht auf; daher verringert sich die parasitäre Kapazität des Schalttransistors 320, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um den Schalttransistor herum reduziert werden und Leistungsaufnahme eingespart wird; da ein normaler Kompensationsprozess der Schaltung gestört sein kann aufgrund der parasitären Kapazität, kann ferner ein Kompensationseffekt der Treiberschaltung mit der Verringerung der parasitären Kapazität des Schalttransistors 310 verbessert werden.
  • Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine weitere Treiberschaltung vorgesehen.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, umfasst die Treiberschaltung einen Treibertransistor 410. Der Treibertransistor 410 umfasst ein erstes Gate 411, eine erste Halbleiterschicht 413, die über dem ersten Gate 411 angeordnet ist, eine erste dielektrische Schicht 412, die zwischen der ersten Halbleiterschicht 413 und einem ersten Gate 411 angeordnet ist, eine Ätzstoppschicht 414, die über der ersten Halbleiterschicht 413 angeordnet ist, und eine erste Source 415 und einen ersten Drain 416, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht 413 angeordnet sind.
  • Wie es in 4 gezeigt ist, umfasst die Treiberschaltung ferner einen Schalttransistor 420. Der Schalttransistor 420 umfasst ein zweites Gate 421, eine zweite Halbleiterschicht 423, die über dem zweiten Gate 421 angeordnet ist, eine zweite dielektrische Schicht 422, die zwischen dem zweiten Gate 421 und der zweiten Halbleiterschicht 423 angeordnet ist, und eine zweite Source 424 und einen zweiten Drain 425, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht 423 angeordnet sind. Der zweite Drain 425 ist mit dem ersten Gate 411 elektrisch verbunden.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind die erste Halbleiterschicht 413 und die zweite Halbleiterschicht 423 aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt. Das Oxidhalbleitermaterial ist ein Verbundhalbleitermaterial, das durch Metall und Sauerstoff gebildet ist, d. h. das Oxidhalbleitermaterial kann eines oder jede Kombination von InGaZnO, InAlZnO, InSnZnO, ZnO, CdO, TiO2, Al2O3, SnO, Cu2O, NiO, CoO, FeO und Cr2O3 sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können das erste Gate 411 und das zweite Gate 421 aus Metall oder Legierung hergestellt sein, wie z. B. Aluminium, Kupfer, Aluminium-Niobium-Legierung oder Molybdän-Wolfram-Legierung. Das erste Gate 411 und das zweite Gate 421 können aus einem gleichen Material hergestellt sein; somit können das erste Gate 411 und das zweite Gate 421 zu einer gleichen Zeit durch einen gleichen Prozess gebildet werden, wodurch Prozesse vereinfacht werden und Kosten eingespart werden. Bei anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung können das erste Gate und das zweite Gate aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können die erste dielektrische Schicht 412 und die zweite dielektrische Schicht 422 aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder anderen geeigneten isolierenden Materialien hergestellt sein. Die erste dielektrische Schicht 412 bzw. die zweite dielektrische Schicht 422 dienen als eine Gatedielektrikschicht des Treibertransistors 410 und eine Gatedielektrikschicht des Schalttransistors 420.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind sowohl der Treibertransistor 410 als auch der Schalttransistor 420 auf einem Substrat angeordnet. Obwohl in 4 das Substrat nicht vollständig gezeigt ist, stellt eine gerade Linie 400 an der Unterseite eine Oberfläche des Substrats dar.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist der zweite Drain 425 des Schalttransistors 420 mit dem ersten Gate 411 elektrisch verbunden; somit ist der Schalttransistor 420 mit dem Treibertransistor 410 elektrisch verbunden.
  • Der Treibertransistor 410 und der Schalttransistor 420 beide durch eine dielektrische Schicht 431 bedeckt. Die dielektrische Schicht 431 umfasst eine Öffnung, durch die der erste Drain 416 freigelegt ist, und eine Elektrodenschicht 441 ist durch die Öffnung mit dem ersten Drain 416 elektrisch verbunden.
  • Die Treiberschaltung gemäß dem Ausführungsbeispiel kann ferner eine Kompensationsschaltung umfassen (in 4 nicht gezeigt), zum Kompensieren einer Drift einer Schwellenspannung des Treibertransistors und zum Kompensieren einer Drift einer Sourcespannung. Gleichartig dazu weist ein Treibertransistor in der Kompensationsschaltung eine Ätzstoppschicht auf und ein Schalttransistor in der Kompensationsschaltung weist keine Ätzstoppschicht auf.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist eine Dicke der Ätzstoppschicht 414 in einem Bereich von 30 nm - 300 nm. Falls die Dicke der Ätzstoppschicht 414 geringer als 30 nm ist, hat die Ätzstoppschicht 414 einen schlechten Schutzeffekt für die darunter liegende erste Halbleiterschicht 413, wodurch Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der gebildeten Transistoren beeinträchtigt wird. Falls die Dicke der Ätzstoppschichten größer als 300 nm ist, erhöht sich die Schwierigkeit eines Ätzprozesses; und unzureichendes oder übermäßiges Ätzen kann verursacht werden, wodurch die Bauelementleistungsfähigkeit beeinträchtigt wird.
  • Im Gegensatz zu dem vorherigen Ausführungsbeispiel umfasst gemäß dem Ausführungsbeispiel die Ätzstoppschicht 414 eine untere Schicht 414a und eine obere Schicht 414b, wo die untere Schicht 414a über der ersten Halbleiterschicht 413 angeordnet ist und die obere Schicht 414b über der unteren Schicht 414a angeordnet ist.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist die untere Schicht 414a aus einem Metalloxid hergestellt und die obere Schicht 414b ist aus einer nichtmetallischen Verbindung hergestellt. Die laminierte Struktur hat die folgenden Vorteile.
  • Da die erste Halbleiterschicht 413 aus dem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist, das normalerweise Metalloxid ist (wie z. B. InGaZn, InAIZnO oder InSnZnO), kann die untere Schicht 414a, die aus dem Metalloxid hergestellt ist, die erste Halbleiterschicht 413 vor negativen Effekten schützen, wenn ein Rückkanalätzen an der ersten Halbleiterschicht 413 durchgeführt wird. Die erste Source 415 und der erste Drain 416 sind normalerweise aus Metall hergestellt (wie z. B. Cu, Mo, Al, Ti oder einer Legierung derselben), und sind normalerweise durch Verwendung eines Nassätzens (eines Metallätzens) gebildet; während Ätzmittel, das bei dem Nassätzen verwendet wird, andere Metalloxide (einschließlich eines Metalloxidhalbleiters) ätzen kann. Somit kann ein Ätzeffekt des Nassätzens (Metallätzens) durch die obere Schicht 414b, die aus einem Nichtmetalloxid (wie z. B. SiOx) hergestellt ist, blockiert werden.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die untere Schicht 41a aus zumindest entweder Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid hergestellt sein. Die obere Schicht 414b kann zumindest entweder aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid hergestellt sein.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist eine Dicke der unteren Schicht 414a in einem Bereich von 10 nm - 100 nm. Bei einem Aspekt muss die Dicke der unteren Schicht 414a größer sein als 10 nm, um die erste Halbleiterschicht 413 während des Rückkanalätzens gut zu schützen; bei einem anderen Aspekt muss die Dicke der unteren Schicht 414a geringer als 100 nm sein, sodass die Dicke der gesamten Ätzstoppschicht 414 nicht zu groß wird, wodurch eine erhöhte Schwierigkeit des Ätzens und unzureichendes oder übermäßiges Ätzen vermieden wird.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann eine Dicke der oberen Schicht 414b in einem Bereich von 10 nm - 100 nm sein. Bei einem Aspekt muss die Dicke der oberen Schicht 414b größer als 10 nm sein, um die erste Halbleiterschicht 413 während des Nassätzens gut zu schützen; bei einem anderen Aspekt muss die Dicke der oberen Schicht 414b geringer als 100 nm sein, sodass die Dicke der gesamten Ätzstoppschicht 414 nicht zu groß wird, wodurch erhöhte Schwierigkeit des Ätzens und unzureichendes oder übermäßiges Ätzen vermieden wird.
  • Es sollte dargestellt werden, dass gemäß anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung neben der unteren Schicht 414a und der oberen Schicht 414b die Ätzstoppschicht 414 ferner eine andere Schichtstruktur umfassen kann, wie z. B. eine Struktur aus einer Schicht, zwei Schichten oder drei Schichten, die zwischen der unteren Schicht 414a und der oberen Schicht 414b angeordnet sind, was bei der Offenbarung nicht begrenzt ist.
  • Bei der Treiberschaltung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung weist der Treibertransistor 410 die Ätzstoppschicht 414 auf, und die Ätzstoppschicht 414 umfasst die untere Schicht 414a und die obere Schicht 414b. Die erste Halbleiterschicht 413 in dem Treibertransistor 410 ist besser geschützt und entsprechend werden Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren 410 weiter verbessert.
  • Gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine OLED-Anzeige vorgesehen.
  • Die OLED-Anzeige umfasst ein Substrat und eine OLED, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die OLED-Anzeige umfasst auch die Treiberschaltungen gemäß den vorhergehenden Ausführungsbeispielen; die Treiberschaltungen sind auf dem Substrat angeordnet, und spezifische Strukturen und Eigenschaften der Treiberschaltungen können sich auf entsprechende Inhalte der vorhergehenden Ausführungsbeispiele in Verbindung mit 3 oder 4 beziehen.
  • 5 zeigt eine Treiberschaltung für eine Pixeleinheit in der OLED-Anzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die Treiberschaltung umfasst eine Anodenleitung ANODE, eine Kathode KATHODE, eine Datenleitung Daten, eine Gateleitung G1, eine Gateleitung G2 und eine Gateleitung G3, und umfasst auch vier Schalttransistoren T1, T2, T3 und T4 und einen Treibertransistor Tdr. Gates des Schalttransistors T1 und des Schalttransistors T2 sind mit der Gateleitung G1 elektrisch verbunden, ein Gate des Schalttransistors T3 ist mit der Gateleitung G2 elektrisch verbunden, und ein Gate des Schalttransistors T4 ist mit der Gateleitung G3 elektrisch verbunden. Eine Source und ein Drain des Schalttransistors T1 sind jeweils elektrisch verbunden mit der Datenleitung Daten und einem Signaltor STR. Der Schalttransistor T2 und der Schalttransistor T3 sind in Reihe geschaltet zwischen eine Spannungsleitung Vo und das Signaltor STR. Ein Knoten zwischen dem Schalttransistor T2 und dem Schalttransistor T3 ist mit einem Gate des Treibertransistors Tdr durch einen Draht verbunden. Der Treibertransistor Tdr und der Schalttransistor T4 sind in Reihe geschaltet zwischen die Anodenleitung ANODE und eine organische lichtemittierende Schicht OLED. Die organische lichtemittierende Schicht OLED ist zwischen dem Schalttransistor T4 und der Kathode KATHODE angeordnet. Ein Kondensator C ist zwischen dem Signaltor STR und einem Knoten zwischen dem Treibertransistor Tdr und dem Schalttransistor T4 gebildet.
  • Ein Arbeitsprozess der Treiberschaltung, gezeigt in 5, kann vier Stufen umfassen: eine Initialisierungsstufe, eine Signaleingabestufe, eine Kompensationsstufe und eine Lichtemittierungsstufe.
  • In der Initialisierungsstufe sind der Schalttransistor T1, der Schalttransistor T2 und der Schalttransistor T3 ausgeschaltet und der Schalttransistor T4 ist eingeschaltet, um für eine Signaleingabe vorzubereiten.
  • In der Signaleingabestufe sind der Schalttransistor T1, der Schalttransistor T2 und der Schalttransistor T4 eingeschaltet und der Schalttransistor T3 ist ausgeschaltet; hier wird ein Signal (Spannung) Vdata von der Datenleitung Daten in das Signaltor STR eingegeben, und ein Signal (Spannung) V0 von der Spannungsleitung Vo wird an das Gate des Treibertransistors Tdr angelegt, um für eine Kompensation vorzubereiten.
  • In der Kompensationsstufe sind der Schalttransistor T1 und der Schalttransistor T2 eingeschaltet und der Schalttransistor T3 und der Schalttransistor T4 sind ausgeschaltet. Das Signaltor STR hält das Signal Vdata von der Datenleitung Daten, eine Spannung an einer Source des Treibertransistors Tdr ändert sich zu V0 - Vte, wodurch Kompensationen für Drifts einer Schwellenspannung und einer Sourcespannung des Treibertransistors Tdr erreicht werden.
  • In der Lichtemittierungsstufe sind der Schalttransistor T1 und der Schalttransistor T2 ausgeschaltet und der Schalttransistor T3 und der Schalttransistor T4 sind eingeschaltet. Hier ist eine Differenz Vgs zwischen den Spannungen an dem Gate und an der Source des Treibertransistors Tdr gleich Vdata - V0 + Vte. Ein Ausgangsstrom Ids des Treibertransistors Tdr ist gleich K × (Vdata - V0)2.
  • Die OLED-Anzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel umfasst die Treiberschaltungen gemäß den vorhergehenden zwei Ausführungsbeispielen der Offenbarung; der Treibertransistor Tdr weist eine Ätzstoppschicht auf (hier kann Bezug genommen werden auf den in 3 gezeigten Treibertransistor 310 oder den in 4 gezeigten Treibertransistor 410); und der Schalttransistor T1, der Schalttransistor T2, der Schalttransistor T3 und der Schalttransistor T4 weisen keine Ätzstoppschicht auf (hier kann Bezug genommen werden auf den in 3 gezeigten Schalttransistor 320 oder den in 4 gezeigten Schalttransistor 420). Daher verringern sich in der gesamten Schaltung parasitäre Kapazitäten der jeweiligen Schalttransistoren, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um die Schalttransistoren herum reduziert werden, Leistungsaufnahme eingespart wird und ein Kompensationseffekt der Treiberschaltung verbessert wird. Für unterschiedliche Pixeleinheiten weisen Treibertransistoren zum Treiben jeweiliger Pixeleinheiten alle Ätzstoppschichten auf; daher sind Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren verbessert und folglich wird verhindert, dass ein Mura-Phänomen an der OLED-Anzeige auftritt.
  • Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist eine weitere OLED-Anzeige bereitgestellt.
  • Die OLED-Anzeige umfasst ein Substrat und eine OLED, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die OLED-Anzeige umfasst auch die Treiberschaltungen gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel oder dem zweiten Ausführungsbeispiel. Die Treiberschaltungen sind auf dem Substrat angeordnet, und für spezifische Strukturen und Eigenschaften der Treiberschaltungen kann auf entsprechende Inhalte des ersten und des zweiten Ausführungsbeispiels in Verbindung mit 3 oder 4 Bezug genommen werden.
  • 6 zeigt eine Treiberschaltung für eine Pixeleinheit in der OLED-Anzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die Treiberschaltung umfasst eine Anode ANODE, eine Kathode KATHODE, eine Datenleitung Daten, eine Gateleitung Gate und umfasst auch einen Schalttransistor T1 und einen Treibertransistor Tdr. Eine Gate des Schalttransistors T1 ist mit der Gateleitung Gate verbunden. Eine Source und ein Drain des Schalttransistors T1 sind jeweils mit der Datenleitung Daten und einem Gate des Treibertransistors Tdr elektrisch verbunden. Ein Signaltor STR ist zwischen dem Gate des Treibertransistors Tdr und dem Schalttransistors T1 angeordnet. Eine Source und ein Drain des Treibertransistors Tdr sind jeweils mit der Anode ANODE und einer organischen lichtemittierenden Schicht OLED verbunden. Die organische lichtemittierende Schicht OLED ist zwischen dem Treibertransistor Tdr und der Kathode KATHODE angeordnet, und ein Speicherkondensator Cs ist zwischen dem Signaltor STR und einem Knoten zwischen dem Treibertransistor Tdr und der organischen lichtemittierenden Schicht OLED gebildet.
  • Ein Arbeitsprozess der in 6 gezeigten Treiberschaltung ist wie folgt beschrieben. Ein Pegelsignal wird von der Gateleitung Gate übertragen, um den Schalttransistor T1 einzuschalten; ein Datensignal von der Datenleitung Daten wird an das Signaltor STR angelegt und der Speicherkondensator Cs wird geladen. Hier wird der Treibertransistor Tdr eingeschaltet, ein Strom fließt von der Anode ANODE zu der Kathode KATHODE, wodurch die organische lichtemittierende Schicht OLED getrieben wird, die zwischen der Anode ANODE und der Kathode KATHODE angeordnet ist, um Licht zu emittieren.
  • Die OLED-Anzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel umfasst die Treiberschaltungen gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel oder dem zweiten Ausführungsbeispiel; der Treibertransistor Tdr weist eine Ätzstoppschicht auf (hier kann Bezug genommen werden auf den in 3 gezeigten Treibertransistor 310 oder den in 4 gezeigten Treibertransistor 410); und der Schalttransistor T1 weist keine Ätzstoppschicht auf (hier kann Bezug genommen werden auf den in 3 gezeigten Schalttransistor 320 oder den in 4 gezeigten Schalttransistor 420). Daher verringern sich in der gesamten Schaltung parasitäre Kapazitäten der jeweiligen Schalttransistoren, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um die Schalttransistoren herum reduziert werden, Leistungsaufnahme eingespart wird und ein Kompensationseffekt der Treiberschaltung verbessert wird. Für unterschiedliche Pixeleinheiten weisen Treibertransistoren zum Treiben jeweiliger Pixeleinheiten alle Ätzstoppschichten auf; daher sind Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren verbessert und entsprechend wird verhindert, dass ein Mura-Phänomen an der OLED-Anzeige auftritt.
  • Gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Treiberschaltung vorgesehen, mit Bezugnahme auf 7 bis 12.
  • 7 ist ein schematisches Flussdiagramm des Verfahrens zum Herstellen der Treiberschaltung.
  • Wie es in 7 und 8 gezeigt ist, wird ein Schritt S1 durchgeführt, um ein Substrat 500 bereitzustellen.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann das Substrat 500 aus Glas, Kunststoff (wie z. B. PET) oder anderen geeigneten isolierenden Materialien hergestellt sein.
  • Wie es in 7 und 8 gezeigt ist, wird ein Schritt 2 durchgeführt, um ein erstes Gate 511 und ein zweites Gate 521 auf dem Substrat 500 zu bilden.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können das erste Gate 511 und das zweite Gate 521 entweder aus Cu, Mo, Al und Ti oder einer Legierung derselben hergestellt sein. Das erste Gate 511 und das zweite Gate 521 können jeweils eine Einschicht- (Metall-) Struktur oder eine Mehrschicht- (Metall-) Struktur aufweisen. Eine Dicke des ersten Gates 511 und des zweiten Gates 521 kann in einem Bereich von 100 nm -400 nm liegen.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann eine Gatematerialschicht gebildet werden durch Verwenden eines Sputterverfahrens (physikalische Dampfaufbringung); eine Maskenschicht (wie z. B. eine Photoresistschicht) kann auf der Gatematerialschicht gebildet sein; die Maskenschicht wird freigelegt durch Verwenden einer ersten Photomaske und wird durch Verwenden eines Entwicklers entwickelt, wodurch eine strukturierte Maskenschicht gebildet wird; dann wird die strukturierte Maske als eine Maske verwendet und die Gatematerialschicht wird durch Ätzen strukturiert, um das erste Gate 511 und das zweite Gate 521 zu bilden.
  • Wie es in 7 und 9 gezeigt ist, wird ein Schritt S3 durchgeführt, um eine Gatedielektrikschicht 501 zu bilden, um das erste Gate 511 und das zweite Gate 521 zu bedecken.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die Gatedielektrikschicht 501 aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid hergestellt sein, und die Gatedielektrikschicht 501 kann durch Verwenden einer chemischen Dampfaufbringung gebildet werden. Unterschiedliche Abschnitte der Gatedielektrikschicht 501 können als Gatedielektrikschichten für unterschiedliche Transistoren dienen, die nachfolgend gebildet werden.
  • Wie es in 7 und 9 gezeigt ist, wird ein Schritt S4 durchgeführt, um eine erste Halbleiterschicht 513 und eine zweite Halbleiterschicht 523 über der Gatedielektrikschicht 501 zu bilden, wo die erste Halbleiterschicht 513 dem ersten Gate 511 entspricht und die zweite Halbleiterschicht 523 dem zweiten Gate 521 entspricht.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind die erste Halbleiterschicht 513 und die zweite Halbleiterschicht 523 aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt. Das Oxidhalbleitermaterial kann InGaZnO, InAIZnO oder InSnZnO, usw. sein. Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann eine Dicke der ersten Halbleiterschicht 513 und der zweiten Halbleiterschicht 523 in einem Bereich von 10 nm - 150 nm liegen.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann ein Prozess zum Bilden der ersten Halbleiterschicht 513 und der zweiten Halbleiterschicht 523 folgende Schritte umfassen: Bilden einer Halbleitermaterialschicht; Bilden einer strukturierten Maskenschicht (wie z. B. einer Photoresistschicht) auf der Halbleitermaterialschicht durch Verwenden einer zweiten Photomaske; und Ätzen, durch Verwenden der strukturierten Maskenschichten als eine Maske, der Halbleitermaterialschicht, um die erste Halbleiterschicht 513 und die zweite Halbleiterschicht 523 mit einer verbleibenden Halbleitermaterialschicht zu bilden.
  • Wie es in 7 und 10 gezeigt ist, wird ein Schritt S5 durchgeführt, um eine Ätzstoppschicht 514 über der ersten Halbleiterschicht 513 zu bilden.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die Ätzstoppschicht 514 aus einem Metall hergestellt sein, das zumindest eines von Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid umfassen kann, oder die Ätzstoppschicht 514 kann aus einer Nichtmetallverbindung hergestellt sein, die zumindest entweder Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid umfassen kann. Oder die Ätzstoppschicht 514 kann aus einer Kombination des Metalloxids und der nichtmetallischen Verbindung hergestellt sein. Eine Dicke der Ätzstoppschicht 514 kann in einem Bereich von 30 nm - 300 nm liegen.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann ein Prozess zum Bilden der Ätzstoppschicht 514 folgende Schritte umfassen: Bilden einer Ätzstoppmaterialschicht; Bilden einer strukturierten Maskenschicht (wie z. B. einer Photoresistschicht) auf der Ätzstoppmaterialschicht durch Verwenden einer dritten Photomaske; und Ätzen, durch Verwenden der strukturierten Maskenschicht als eine Maske, der Ätzstoppmaterialschicht, um die Ätzstoppschicht 514 mit einer verbleibenden Ätzstoppmaterialschicht zu bilden.
  • Es sollte dargestellt werden, dass gemäß anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung die Ätzstoppschicht eine Mehrschichtstruktur mit zwei Schichten, drei Schichten oder vier oder mehr Schichten aufweisen kann. Die Ätzstoppschicht kann beispielsweise eine Zweischichtstruktur (die eine untere Schicht und eine obere Schicht umfasst) aufweisen, die in 4 gezeigt ist. In einem Fall, in dem die Ätzstoppschicht die untere Schicht und die obere Schicht aufweist, ist die untere Schicht aus dem Metalloxid hergestellt, und das Metalloxid kann zumindest entweder Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid umfassen; die obere Schicht ist aus der nichtmetallischen Verbindung hergestellt, und die nichtmetallische Verbindung kann zumindest entweder Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid umfassen. Hier umfasst ein Prozess zum Bilden der Ätzstoppschicht zumindest folgende Schritte: Bilden der unteren Schicht über der ersten Halbleiterschicht mit dem Metalloxid, und Bilden der oberen Schicht über der unteren Schicht mit der nichtmetallischen Verbindung. Genauer gesagt, während einer Bildung der Ätzstoppschicht wird zuerst die untere Schicht gebildet und dann wird die obere Schicht gebildet; alternativ wird eine laminierte Struktur aus einer unteren Materialschicht und einer oberen Materialschicht zuerst gebildet und dann wird die laminierte Struktur geätzt, um die untere und obere Schicht mit verbleibender unterer Materialschicht und oberer Materialschicht zu bilden.
  • Wie es in 7 und 11 gezeigt ist, wird ein Schritt S6 durchgeführt, um eine Öffnung 502 auf der Gatedielektrikschicht 501 zu bilden, wo das erste Gate 511 durch die Öffnung freigelegt ist. Nach der Bildung der Öffnung 502 ist die Gatedielektrikschicht 501, wie sie in 10 gezeigt ist, in zwei Teile geteilt, d. h. eine erste Gatedielektrikschicht 512 und eine zweite Gatedielektrikschicht 522, wie es in 11 gezeigt ist.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die Öffnung 502 mit einer vierten Photomaske gebildet werden, durch Verwenden einer Trockenätzung. Der spezifische Prozess ist für Durchschnittsfachleute auf diesem Gebiet gut bekannt und wird hierin nicht beschrieben.
  • Wie es in 7 und 12 gezeigt ist, wird, nachdem die Ätzstoppschicht 514 gebildet ist, ein Schritt S7 durchgeführt, um jeweils eine erste Source 515 und einen ersten Drain 516 auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht 513 und der Ätzstoppschicht 514 zu bilden, um einen Treibertransistor zu bilden, und um jeweils eine zweite Source 524 und einen zweiten Drain 525 auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht 523 zu bilden, um einen Schalttransistor 520 zu bilden. Eine dielektrische Schicht, die in 12 nicht gezeigt ist, kann nachfolgend gebildet werden, um den Treibertransistor 510 und den Schalttransistor 520 zu bedecken.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können die erste Source 515, der erste Drain 516, die zweite Source 524 und der zweite Drain 525 entweder aus Cu, Mo, AI oder Ti oder einer Legierung derselben hergestellt werden, und die erste Source 515, der erste Drain 516, die zweite Source 524 und der zweite Drain 525 können gleichzeitig gebildet werden durch Verwenden einer fünften Photomaske.
  • Gemäß dem Ausführungsbeispiel können normalerweise Strukturen für jeweilige Sources und Drains durch das Nassätzen gebildet werden, und Rückkanäle können durch das Trockenätzen geätzt werden. Da die Ätzstoppschicht über der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist, erleidet die erste Halbleiterschicht während des Ätzens keine Beschädigung. Daher werden Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit nachfolgend gebildeter Treibertransistoren verbessert.
  • Es sollte dargestellt werden, dass gemäß anderen Ausführungsbeispielen der Offenbarung in einem Fall, in dem die Ätzstoppschicht eine Mehrschichtstruktur aufweist (wie z. B. die in 4 gezeigte untere Schicht und die obere Schicht), die erste Halbleiterschicht besser geschützt sein kann und Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit endgültig gebildeter Treibertransistoren weiter verbessert werden.
  • Bei dem Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß dem Ausführungsbeispiel ist die Ätzstoppschicht 514 lediglich in dem Treibertransistor 510 gebildet und der Schalttransistor 520 weist keine Ätzstoppschicht auf. Daher ist die parasitäre Kapazität des Schalttransistors 520 gering, wodurch Lasten von Peripherieschaltungen um den Schalttransistor 520 herum reduziert werden. Während der Bildung des Treibertransistors kann die Ätzstoppschicht 514 auch die erste Halbleiterschicht 513 schützen; somit wird verhindert, dass ein Kanal, der in der ersten Halbleiterschicht 513 gebildet wird, beschädigt wird, wodurch Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit der Treibertransistoren 510 verbessert werden.
  • Gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel ist ein Verfahren zum Herstellen einer OLED-Anzeige vorgesehen.
  • Bei dem Verfahren zum Herstellen der OLED-Anzeige wird das Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel verwendet, um eine Treiberschaltung in der OLED-Anzeige zu bilden; und für den spezifischen Prozess kann auf entsprechende Inhalte des vorhergehenden Ausführungsbeispiels in Verbindung mit 7 bis 12 Bezug genommen werden.
  • Da bei dem Verfahren zum Herstellen der OLED-Anzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel die Treiberschaltung durch Verwenden des Verfahrens gemäß dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel gebildet wird, ist in der gebildeten OLED-Anzeige eine parasitäre Kapazität eines Schalttransistors in der Treiberschaltung gering, und Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit von Treibertransistoren in der Treiberschaltung sind hoch; daher ist die Leistungsfähigkeit einer endgültig gebildeten OLED-Anzeige verbessert.

Claims (15)

  1. Treiberschaltung, die folgende Merkmale aufweist: einen Treibertransistor (410), der ein erstes Gate (411), eine erste Halbleiterschicht (413), die über dem ersten Gate (411) angeordnet ist, eine Ätzstoppschicht (414), die über der ersten Halbleiterschicht (413) angeordnet ist, und eine erste Source (415) und einen ersten Drain (416) aufweist, die auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht (413) angeordnet sind, wobei die erste Source (415) und der erste Drain (416) auf der Ätzstoppschicht (414) einen ersten Bereich freigelegt lassen; und einen Schalttransistor (420), der ein zweites Gate (421), eine zweite Halbleiterschicht (423), die über dem zweiten Gate (421) angeordnet ist, und eine zweite Source (424) und einen zweiten Drain (425) aufweist, die auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht (423) angeordnet sind, wobei die zweite Source (424) und der zweite Drain (425) auf der zweiten Halbleiterschicht (423) einen zweiten Bereich freigelegt lassen; und eine dielektrische Schicht (431), die auf dem Treibertransistor (410) und dem Schalttransistor (420) angeordnet ist, wobei die dielektrische Schicht (431) überall in dem ersten Bereich in Kontakt mit der Ätzstoppschicht (414) und überall in dem zweiten Bereich in Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht (423) angeordnet ist, wobei die erste Halbleiterschicht (413) und die zweite Halbleiterschicht (423) aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt sind.
  2. Treiberschaltung gemäß Anspruch 1, bei der die Ätzstoppschicht (414) zumindest eine untere Schicht (414a) und eine obere Schicht (414b) aufweist, wobei die untere Schicht (414a) aus einem Metalloxid hergestellt ist, und die obere Schicht (414b) aus einer nichtmetallischen Verbindung hergestellt ist; wobei die untere Schicht (414a) über der ersten Halbleiterschicht (413) angeordnet ist und die obere Schicht (414b) über der unteren Schicht (414a) angeordnet ist.
  3. Treiberschaltung gemäß Anspruch 2, bei der das Metalloxid zumindest entweder Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid aufweist.
  4. Treiberschaltung gemäß Anspruch 2, bei der die nichtmetallische Verbindung zumindest entweder Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid aufweist.
  5. Treiberschaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der eine Dicke der Ätzstoppschicht (414) in einem Bereich von 30 nm - 300 nm liegt.
  6. Treiberschaltung gemäß Anspruch 2,bei der eine Dicke der unteren Schicht (414a) in einem Bereich von 10 nm - 100 nm liegt, und eine Dicke der oberen Schicht (414b) in einem Bereich von 10 nm - 100 nm liegt.
  7. Treiberschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, die ferner eine Kompensationsschaltung aufweist.
  8. Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige, die folgende Merkmale aufweist: ein Substrat; eine organische lichtemittierende Diode, die auf dem Substrat angeordnet ist; und die Treiberschaltung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Treiberschaltung auf dem Substrat angeordnet ist.
  9. Verfahren zum Herstellen einer Treiberschaltung, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (500); Bilden eines ersten Gates (511) und eines zweiten Gates (521) auf dem Substrat (500); Bilden einer Gatedielektrikschicht (501), um das erste Gate (511) und das zweite Gate (521) zu bedecken; Bilden einer ersten Halbleiterschicht (513) und einer zweiten Halbleiterschicht (523) über der Gatedielektrikschicht (501), wobei die erste Halbleiterschicht (513) dem ersten Gate (511) entspricht und aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist, und die zweite Halbleiterschicht (523) dem zweiten Gate (521) entspricht und aus einem Oxidhalbleitermaterial hergestellt ist; Bilden einer Ätzstoppschicht (514) über der ersten Halbleiterschicht (513); nachdem die Ätzstoppschicht (514) gebildet ist, Bilden eines Treibertransistors (510) durch Bilden einer ersten Source (515) beziehungsweise eines ersten Drains (516) auf zwei Seiten der ersten Halbleiterschicht (513), wobei die erste Source (515) und der erste Drain (516) auf der Ätzstoppschicht (514) einen ersten Bereich freigelegt lassen; und Bilden eines Schalttransistors (520) durch Bilden einer zweiten Source (524) beziehungsweise eines zweiten Drains (525) auf zwei Seiten der zweiten Halbleiterschicht (523), wobei die zweite Source (524) und der zweite Drain (525) auf der zweiten Halbleiterschicht (523) einen zweiten Bereich freigelegt lassen; und Bilden einer dielektrischen Schicht (431) um den Treibertransistor (510) und den Schalttransistor (520) zu bedecken, wobei die dielektrische Schicht (431) überall in dem ersten Bereich in Kontakt mit der Ätzstoppschicht und überall in dem zweiten Bereich in Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist.
  10. Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß Anspruch 9, bei dem das Bilden einer Ätzstoppschicht (514) zumindest folgende Schritte aufweist: Bilden einer unteren Schicht über der ersten Halbleiterschicht (513) unter Verwendung eines Metalloxids; und Bilden einer oberen Schicht über der unteren Schicht unter Verwendung einer nichtmetallischen Verbindung.
  11. Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß Anspruch 10, bei dem das Metalloxid zumindest entweder Aluminiumoxid, Titanoxid oder Yttriumoxid aufweist.
  12. Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß Anspruch 10, bei dem die nichtmetallische Verbindung zumindest entweder Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid aufweist.
  13. Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß Anspruch 9 oder 10, bei dem eine Dicke der Ätzstoppschicht (514) in einem Bereich von 30 nm - 300 nm liegt.
  14. Verfahren zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß Anspruch 10, bei dem eine Dicke der oberen Schicht in einem Bereich von 10 nm - 100 nm liegt, und eine Dicke der unteren Schicht in einem Bereich von 10 nm - 100 nm liegt.
  15. Verfahren zum Herstellen einer Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige, das folgenden Schritt aufweist: Herstellen einer Treiberschaltung der Organische-Lichtemittierende-Diode-Anzeige durch Verwenden des Verfahrens zum Herstellen der Treiberschaltung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14.
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