DE102015122140A1

DE102015122140A1 - Gate-Ansteuerschaltung und Ansteuerverfahren für diese

Info

Publication number: DE102015122140A1
Application number: DE102015122140.3A
Authority: DE
Inventors: Zhaokeng CAO; Tinghai Wang; Dandan QIN
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2014-12-31
Filing date: 2015-12-17
Publication date: 2016-06-30
Anticipated expiration: 2035-12-18
Also published as: CN104575354B; US20160189799A1; DE102015122140B4; CN104575354A; US9589667B2

Abstract

In dieser Offenbarung sind eine Gate-Ansteuerschaltung und ein Ansteuerverfahren für diese beschrieben. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst: M kaskadenartig angeordnete Schieberegister; eine Taktsteuerung, die dazu ausgelegt ist, zwei gegenphasige Taktsignale zu erzeugen; eine Hochpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Hochpegelsignal zu erzeugen, und eine Tiefpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Tiefpegelsignal zu erzeugen, wobei die Hochpegelsteuerung oder die Tiefpegelsteuerung während eines Anfangsstadiums ein anfängliches Impulssignal erzeugt; und eine Starteinheit, die mit den M Schieberegistern kaskadenartig angeordnet und dazu ausgelegt ist, den Schieberegistern ein Startsignal bereitzustellen.

Description

GEBIET
Die Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigentechnologie und insbesondere auf eine Gate-Ansteuerschaltung und ein Ansteuerverfahren für diese.
HINTERGRUND
Ein TFT-Anordnungssubstrat (TFT/Thin Film Transistor = Dünnschichttransistor) einer Anzeigevorrichtung wie zum Beispiel einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (LCD, Flüssigkristallanzeige), eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED, Anzeige mit organischer Leuchtdiode) oder dergleichen umfasst gewöhnlich eine Gate-Ansteuerschaltung, die dem TFT-Anordnungssubstrat ein Gate-Ansteuersignal bereitstellt. Die Gate-Ansteuerschaltung umfasst mehrere Schieberegister, und es ist eine Signalleitung vorhanden, um den mehreren Schieberegistern außerhalb der Gate-Ansteuerschaltung das Ansteuersignal bereitzustellen. Die Gate-Ansteuerschaltung und die mehreren Signalleitungen befinden sich im Allgemeinen in einem Umrandungsbereich des TFT-Anordnungssubstrats. Im Zuge der Entwicklung dieser Technologie wird der Flächeninhalt der Gate-Ansteuerschaltung nach und nach kleiner, die Breite der Signalleitung im Umrandungsbereich nimmt allmählich zu, und die Frage, wie der Flächeninhalt der Signalleitung reduziert werden kann, ist zu einem wichtigen Punkt geworden.
ZUSAMMENFASSUNG
Angesichts dessen wird eine Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Offenbarung bereitgestellt, wobei die Gate-Ansteuerschaltung aufweist:
M kaskadenartig angeordnete Schieberegister;
eine Taktsteuerung, die dazu ausgelegt ist, zwei gegenphasige Taktsignale zu erzeugen;
eine Hochpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Hochpegelsignal zu erzeugen, und eine Tiefpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Tiefpegelsignal zu erzeugen, wobei die Hochpegelsteuerung oder die Tiefpegelsteuerung während eines Anfangsstadiums ein anfängliches Impulssignal erzeugt; und
eine Starteinheit, die mit den M Schieberegistern kaskadenartig angeordnet und dazu ausgelegt ist, den Schieberegistern ein Startsignal bereitzustellen,
wobei M eine natürliche Zahl ist.
Gemäß der Offenbarung wird auch ein Ansteuerverfahren zur Ansteuerung der oben genannten Gate-Ansteuerschaltung bereitgestellt, wobei das Ansteuerverfahren umfasst:
ein Startstadium der Starteinheit und ein Ausgabestadium der Starteinheit, wobei
das anfängliche Impulssignal und die beiden gegenphasigen Taktsignale in die Starteinheit während des Startstadiums der Starteinheit eingegeben werden; und
das Hochpegelsignal/Tiefpegelsignal und die beiden gegenphasigen Taktsignale in die Starteinheit während des Ausgabestadiums der Starteinheit eingegeben werden, wobei der erste Ausgangsanschluss das Startsignal ausgibt.
Im Vergleich zur herkömmlichen Technik hat die Offenbarung zumindest einen der folgenden Vorteile.
Gemäß der Gate-Ansteuerschaltung und dem Ansteuerverfahren, die durch die Ausführungsformen der Offenbarung bereitgestellt werden, wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung oder der Tiefpegelsteuerung erzeugt wird, wobei die Starteinheit das Startsignal erzeugt und es dann in das Schieberegister eingibt. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats verkleinert, eine Umrandungsgröße eines Produkts reduziert und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Kaskadenabbildung einer Gate-Ansteuerschaltung in der herkömmlichen Technik;
2 ist eine Kaskadenabbildung einer Gate-Ansteuerschaltung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung;
3a ist ein Schaltplan einer Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung in 2;
3b ist ein Schaltplan eines einer m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters der Gate-Ansteuerschaltung in 2;
4 ist ein Signalabfolgediagramm der Gate-Ansteuerschaltung in 2;
5a ist ein Schaltplan einer Starteinheit einer anderen Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
5b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer anderen Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
6a ist ein Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
6b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
7a ist ein Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
7b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
8a ist ein Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
8b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
9 ist eine Kaskadenabbildung einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung;
10a ist ein Schaltplan einer Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung in 9;
10b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters der Gate-Ansteuerschaltung in 9;
11a ist ein Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung; und
11b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Es wird Bezug genommen auf 1, bei der es sich um eine Kaskadenabbildung einer Gate-Ansteuerschaltung in der herkömmlichen Technik handelt. In 1 stellen SR1 bis SRN kaskadenartig angeordnete Schieberegister dar. SRn stellt ein einer n-ten Stufe zugehöriges Schieberegister dar, wobei n eine natürliche Zahl größer als 1 und kleiner als N ist und N eine natürliche Zahl größer als 1 ist. Das heißt also, dass die Gate-Ansteuerschaltung durch kaskadenartig angeordnete Schieberegister in der herkömmlichen Technik gebildet ist. Wie in 1 gezeigt, umfasst in der herkömmlichen Technik jedes der Schieberegister SR einen ersten Eingangsanschluss 1, einen zweiten Eingangsanschluss 2, einen dritten Eingangsanschluss 3, einen vierten Eingangsanschluss 4, einen fünften Eingangsanschluss 5, einen sechsten Eingangsanschluss 6 und einen siebten Eingangsanschluss 7. In der Gate-Ansteuerschaltung ist der erste Eingangsanschluss 1 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 an eine Starteinheit angeschlossen, und ein Startsignal STV wird in den ersten Eingangsanschluss 1 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 eingegeben. Der erste Eingangsanschluss 1 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn (mit Ausnahme des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1) ist mit dem siebten Eingangsanschluss 7 eines der (n – 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn – 1 verbunden, und ein Ausgangssignal eines der vorherigen Stufe zugehörigen Schieberegisters wird als Startsignal eines der nachfolgenden Stufe zugehörigen Schieberegisters verwendet. Der zweite Eingangsanschluss 2 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn (mit Ausnahme des der letzten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRN) ist mit dem siebten Eingangsanschluss 7 des der nachfolgenden Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn + 1 verbunden, wobei das Ausgangssignal des der nachfolgenden Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn + 1 als Rücksetzsignal für das der n-ten Stufe zugehörige Schieberegister SRn verwendet wird. Der zweite Eingangsanschluss 2 des der letzten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRN ist mit der Starteinheit verbunden, und das Startsignal STV wird als Rücksetzsignal des der letzten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRN in den zweiten Eingangsanschluss 2 des der letzten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRN eingegeben. Das Ausgangssignal des siebten Eingangsanschlusses 7 jedes der Schieberegister wird als Abtastsignal G(n) jeder Abtastleitung in einem Anordnungssubstrat verwendet.
Mit weiterem Bezug auf 1 ist in der Gate-Ansteuerschaltung in der herkömmlichen Technik der dritte Eingangsanschluss 3 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn mit einem von zwei gegenphasigen Taktsignalen CK und CKB verbunden, und der vierte Eingangsanschluss 4 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn ist mit dem jeweils anderen der beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB verbunden. Und für jedes der Schieberegister gilt: das in den dritten Eingangsanschluss 3 eingegebene Taktsignal unterscheidet sich von dem in den vierten Eingangsanschluss 4 eingegebene Taktsignal; das in den dritten Eingangsanschluss 3 eingegebene Taktsignal unterscheidet sich von dem Taktsignal, das in den dritten Eingangsanschluss 3 eines einer benachbarten Stufe zugehörigen Schieberegisters eingegeben wird; und das in den vierten Eingangsanschluss 4 eingegebene Taktsignal unterscheidet sich von dem Taktsignal, das in den vierten Eingangsanschluss 4 des einer benachbarten Stufe zugehörigen Schieberegisters eingegeben wird. Der fünfte Eingangsanschluss 5 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn ist mit einer Hochpegelsteuerung verbunden, und ein Hochpegelsignal VGH wird in den fünften Eingangsanschluss 5 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn eingegeben. Der sechste Eingangsanschluss 6 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn ist mit einer Tiefpegelsteuerung verbunden, und ein Tiefpegelsignal VGL wird in den sechsten Eingangsanschluss 6 des der n-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRn eingegeben.
Gemäß der in 1 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung kann jede Abtastleitung in dem Anordnungssubstrat eine Abtastung durch eine Abtasteingabe jedes der Schieberegister beginnen, wodurch eine Anzeigefunktion des Anordnungssubstrats verwirklicht wird. In der in 1 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung in der herkömmlichen Technik gibt es jedoch zahlreiche Signalleitungen wie zum Beispiel eine Startsignalleitung, eine Hochpegel-Signalleitung, eine Tiefpegel-Signalleitung und eine Taktsignalleitung oder dergleichen, wobei die Breite dieser Signalleitungen im Umrandungsbereich groß ist.
Angesichts dessen sind gemäß den Ausführungsformen der Offenbarung eine Gate-Ansteuerschaltung und ein Ansteuerverfahren zur Ansteuerung der Gate-Ansteuerschaltung bereitgestellt. In der Gate-Ansteuerschaltung und dem Ansteuerverfahren wird das anfängliche Impulssignal, das durch eine Auslösung der Hochpegelsteuerung oder Tiefpegelsteuerung erzeugt wird, in eine Starteinheit eingegeben, die dann ein Startsignal erzeugt und dieses Startsignal in ein Schieberegister eingibt. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen in einem Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird.
Um die vorstehende Aufgabe sowie die Merkmale und Vorteile der Offenbarung deutlicher hervortreten und leichter verständlich werden zu lassen, wird nachfolgend die Offenbarung im Einzelnen in Verbindung mit den Zeichnungen und Ausführungsformen der Offenbarung dargestellt.
Es wäre festzuhalten, dass für ein hinreichendes Verständnis der Offenbarung spezifischere Einzelheiten in den folgenden Ausführungen dargelegt werden, wobei die Offenbarung jedoch auch auf andere Arten verwirklicht werden kann, die sich von der hier beschriebenen Art und Weise unterscheiden, und von Fachleuten auf diesem Gebiet ähnliche Erweiterungen geschaffen werden können, ohne vom Kern der Offenbarung abzuweichen, wodurch die Erfindung nicht auf die nachstehend offenbarten, bestimmten Ausführungsformen beschränkt ist.
Es wird Bezug genommen auf 2, bei der es sich um eine Kaskadenabbildung einer Gate-Ansteuerschaltung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung handelt. Wie in 2 gezeigt, umfasst die Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung Folgendes: M kaskadenartig angeordnete Schieberegister; eine Taktsteuerung, die dazu ausgelegt ist, zwei gegenphasige Taktsignale CK und CKB zu erzeugen; eine Hochpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Hochpegelsignal VGH zu erzeugen, und eine Tiefpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Tiefpegelsignal VGL zu erzeugen, wobei die Hochpegelsteuerung oder die Tiefpegelsteuerung während eines Anfangsstadiums ein anfängliches Impulssignal erzeugt; und eine Starteinheit START, die mit den M Schieberegistern kaskadenartig angeordnet und dazu ausgelegt ist, den Schieberegistern ein Startsignal STV bereitzustellen, wobei M eine natürliche Zahl ist.
Mit weiterem Bezug auf 2 umfasst in dieser Ausführungsform die Starteinheit START einen ersten Eingangsanschluss 111 und einen zweiten Eingangsanschluss 112. Der erste Eingangsanschluss 111 ist mit der Hochpegelsteuerung verbunden, um das Hochpegelsignal VGH und das anfängliche Impulssignal einzugeben. Das anfängliche Impulssignal wird von der Hochpegelsteuerung während des Anfangsstadiums bereitgestellt, und das anfängliche Impulssignal ist zu einem außerhalb des Anfangsstadiums liegenden Signal in der Signalleitung gegenphasig. Außerhalb des Anfangsstadiums ist der erste Eingangsanschluss 111 mit der Hochpegelsteuerung verbunden, d. h. das in den ersten Eingangsanschluss 111 eingegebene Signal ist das Hochpegelsignal VGH, und das anfängliche Impulssignal ist ein Tiefpegel-Impulssignal. Der zweite Eingangsanschluss 112 ist mit der Tiefpegelsteuerung verbunden, um das Tiefpegelsignal VGL einzugeben. Die Starteinheit START umfasst darüber hinaus einen dritten Eingangsanschluss 113, einen ersten Taktanschluss 121 und einen zweiten Taktanschluss 122. Der erste Taktanschluss 121 ist mit der Taktsteuerung verbunden, um eines der beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB einzugeben, und der zweite Taktanschluss 122 ist mit der Taktsteuerung verbunden, um das jeweils andere der beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB einzugeben. Ein erstes Taktsignal CK wird als Ansteuerpegel der Starteinheit START in den ersten Taktanschluss 121 eingegeben. Ein zweites Taktsignal CKB wird in den zweiten Taktanschluss 122 eingegeben. Das zweite Taktsignal CKB ist gegenphasig zum ersten Taktsignal CK, was bedeutet, dass das zweite Taktsignal CKB ein Tiefpegelsignal ist, wenn das erste Taktsignal CK ein Hochpegelsignal ist, und das zweite Taktsignal CKB ein Hochpegelsignal ist, wenn das erste Taktsignal CK ein Tiefpegelsignal ist. Die Starteinheit START umfasst überdies einen ersten Ausgangsanschluss 131, wobei der erste Ausgangsanschluss 131 dazu ausgelegt ist, das von der Starteinheit START erzeugte Startsignal STV auszugeben.
Mit weiterem Bezug auf 2 wird als Beispiel ein der tuten Stufe zugehöriges Schieberegister SRm herangezogen. In der Ausführungsform umfasst das der m-ten Stufe zugehörige Schieberegister SRm einen a-ten Eingangsanschluss 211 und einen b-ten Eingangsanschluss 212. Das in den a-ten Eingangsanschluss 211 eingegebene Signal ist dasselbe wie das in den ersten Eingangsanschluss 111 der Starteinheit START eingegebene Signal. Das heißt, dass auch der a-te Eingangsanschluss 211 mit der Hochpegelsteuerung verbunden ist und das Hochpegelsignal VGH in den a-ten Eingangsanschluss 211 eingegeben wird. Das in den b-ten Eingangsanschluss 212 eingegebene Signal ist dasselbe wie das in den zweiten Eingangsanschluss 112 der Starteinheit START eingegebene Signal. Das heißt, dass auch der b-te Eingangsanschluss 212 mit der Tiefpegelsteuerung verbunden ist und das Tiefpegelsignal VGL in den b-ten Eingangsanschluss eingegeben wird. Das der m-ten Stufe zugehörige Schieberegister SRm umfasst des Weiteren einen c-ten Eingangsanschluss 213, einen d-ten Eingangsanschluss 214, einen a-ten Taktanschluss 221 und einen b-ten Taktanschluss 222. Der d-te Eingangsanschluss 214 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 der Starteinheit START verbunden, um das Startsignal STV in das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1 als Startsignal einzugeben, um das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1 in Betrieb zu setzen. Der a-te Taktanschluss 221 ist mit der Taktsteuerung verbunden, wobei eines der beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB in den a-ten Taktanschluss 221 eingegeben wird; und der b-te Taktanschluss 222 ist mit der Taktsteuerung verbunden, wobei das jeweils andere der beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB in den b-ten Taktanschluss 222 eingegeben wird. Das erste Taktsignal CK wird als Ansteuerpegel des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm in den a-ten Taktanschluss 221 eingegeben. Das zweite Taktsignal CKB wird in den b-ten Taktanschluss 222 eingegeben. Das zweite Taktsignal CKB ist gegenphasig zum ersten Taktsignal CK, was bedeutet, dass das zweite Taktsignal CKB ein Tiefpegelsignal ist, wenn das erste Taktsignal CK ein Hochpegelsignal ist, und das zweite Taktsignal CKB ein Hochpegelsignal ist, wenn das erste Taktsignal CK ein Tiefpegelsignal ist. Es wäre festzuhalten, dass das in den a-ten Taktanschluss 221 des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm eingegebene Taktsignal gegenphasig zu dem Signal ist, das in den a-ten Taktanschluss 221 des Schieberegisters eingegeben wird, welches zu dem der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegister SRm benachbart ist, d. h. des der (m – 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm – 1 oder des der (m + 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm + 1. Und das in den b-ten Taktanschluss 222 des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm eingegebene Taktsignal ist gegenphasig zu dem Signal, das in den b-ten Taktanschluss 222 des Schieberegisters eingegeben wird, welches zu dem der roten Stufe zugehörigen Schieberegister SRm benachbart ist, d. h. des der m – 1-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm – 1 oder des der (m + 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm + 1. Das bedeutet, dass das zweite Taktsignal CKB in den a-ten Taktanschluss 221 des der (m – 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm – 1 und des der (m + 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm + 1 als Ansteuerpegel des der (m – 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm – 1 und des der (m + 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm + 1 eingegeben wird, falls das erste Taktsignal CK als Ansteuerpegel des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm in den a-ten Taktanschluss 221 des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm eingegeben wird. Das der m-ten Stufe zugehörige Schieberegister SRm umfasst überdies einen a-ten Ausgangsanschluss 231, wobei der a-te Ausgangsanschluss 231 dazu ausgelegt ist, ein Gate-Ansteuersignal G(m) auszugeben, das von dem der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegister SRm erzeugt wird.
Genauer gesagt ist aus 2 ersichtlich, dass der a-te Ausgangsanschluss 231 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 mit dem dritten Eingangsanschluss 113 der Starteinheit START verbunden ist, um das Ausgangssignal G(1) des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 als Rücksetzsignal der Starteinheit START in die Starteinheit START einzugeben. Der a-te Ausgangsanschluss 231 jedes der Schieberegister (mit Ausnahme des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1) ist mit dem c-ten Eingangsanschluss 213 des der vorherigen Stufe zugehörigen Schieberegisters verbunden. Das heißt, dass der a-te Ausgangsanschluss 231 des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm mit dem c-ten Eingangsanschluss 213 des der (m – 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm – 1 verbunden ist, um das Ausgangssignal G(m) des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm als Rücksetzsignal in das der (m – 1)-ten Stufe zugehörige Schieberegister SRm – 1 einzugeben. Der a-te Ausgangsanschluss 231 jedes der Schieberegister ist mit dem d-ten Eingangsanschluss 214 des der nachfolgenden Stufe zugehörigen Schieberegisters verbunden. Das heißt, dass der a-te Ausgangsanschluss 231 des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm mit dem d-ten Eingangsanschluss 214 des der (m + 1)-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm + 1 verbunden ist, um das Ausgangssignal G(m) des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm als Startsignal in das der nachfolgenden Stufe zugehörige Schieberegister SRm + 1 einzugeben.
Konkret wird Bezug auf 3a und 3b genommen. 3a ist ein Schaltplan einer Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung in 2 und 3b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters der Gate-Ansteuerschaltung in 2.
Mit Bezug auf 2 und 3a umfasst die Starteinheit START der Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2 und einen ersten Kondensator C1. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit dem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist mit einer Source des ersten Transistors M1 verbunden, und die Source des zweiten Transistors M2 ist an den ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen.
Konkret umfasst mit weiterem Bezug auf 3a die Starteinheit START der Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform des Weiteren einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit dem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 (sogenannter „Pull-up”-Knoten) der Starteinheit START an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist mit dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 verbunden, die Source des vierten Transistors M4 ist mit dem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist an den ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist an den ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen, und das Drain des fünften Transistors M5 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Mit Bezug auf 3b umfasst das Schieberegister SR der Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Das Gate des b-ten Transistors Mb ist mit dem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und die Source des b-ten Transistors Mb ist an den a-ten Eingangsanschluss 211 angeschlossen. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit dem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters SR an das Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit dem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Taktanschluss 221 verbunden, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist an den b-ten Eingangsanschluss 212 angeschlossen. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Es ist anzumerken, dass der Transistor in der Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform ein NMOS-Transistor ist, der die Eigenschaft hat, eine niedrige Spannung zu sperren und eine hohe Spannung durchzuschalten. In anderen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann aber auch ein PMOS-Transistor als das elektronische Bauteil der Ansteuerschaltung verwendet werden. Der PMOS-Transistor hat die Eigenschaft, eine niedrige Spannung durchzuschalten und eine hohe Spannung zu sperren. Dementsprechend ändert sich die Schaltungsverbindung in geringem Maße, wenn für das elektronische Bauteil der Ansteuerschaltung ein PMOS-Transistor verwendet wird. Die Beschreibung erfolgt, indem die in 2, 3a und 3b gezeigten Gate-Ansteuerschaltungen als Beispiele herangezogen werden. Für den Fall, dass als elektronisches Bauteil der Ansteuerschaltung ein PMOS-Transistor verwendet wird, umfasst die Starteinheit START den ersten Eingangsanschluss 111 und den zweiten Eingangsanschluss 112. Der erste Eingangsanschluss 111 ist mit der Tiefpegelsteuerung verbunden, um das Tiefpegelsignal VGL und das anfängliche Impulssignal einzugeben. In diesem Fall handelt es sich bei dem anfänglichen Impulssignal um ein Hochpegel-Impulssignal, da die Charakteristik des Transistors verändert ist. Der zweite Eingangsanschluss 112 ist mit der Hochpegelsteuerung verbunden, und das Hochpegelsignal VGH wird in den zweiten Eingangsanschluss 112 eingegeben. Dementsprechend ist in dem Schieberegister der a-te Eingangsanschluss 211 an die Tiefpegelsteuerung angeschlossen, das Tiefpegelsignal VGL wird in den a-ten Eingangsanschluss 211 eingegeben; und der b-te Eingangsanschluss 212 ist mit der Hochpegelsteuerung verbunden, wobei das Hochpegelsignal VGH in den b-ten Eingangsanschluss 212 eingegeben wird. In der Starteinheit START und im Schieberegister SR ist die Aufschaltung des Taktsignals gegenphasig zur Aufschaltung des Taktsignals in der Ausführungsform. Das bedeutet, dass in der Starteinheit START das zweite Taktsignal CKB auf den ersten Taktanschluss 211 aufgeschaltet wird und das erste Taktsignal CK auf den zweiten Taktanschluss 212 aufgeschaltet wird. Die Aufschaltung des Taktsignals im Schieberegister SR ändert sich in entsprechender Weise und wird hier nicht beschrieben. Die vorliegende Ausführungsform ist lediglich eine beispielhafte Beschreibung der Offenbarung, und die spezielle Auslegung des in der Ausführungsform gezeigten elektronischen Bauteils sollte nicht als Beschränkung der Offenbarung angesehen werden.
Gemäß der Ausführungsform der Offenbarung wird auch ein Ansteuerverfahren zur Ansteuerung der wie in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung bereitgestellt. Es wird Bezug genommen auf 4, bei der es sich um ein Signalabfolgediagramm der Gate-Ansteuerschaltung in 2 handelt. G(m) stellt ein Ausgangssignal AUSGANG des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters SRm dar, und STV stellt ein Ausgangssignal AUSGANG der Starteinheit START dar. Das Ansteuerverfahren gemäß der Ausführungsform umfasst ein Startstadium der Starteinheit und ein Ausgabestadium der Starteinheit START. Während des Startstadiums werden das anfängliche Impulssignal und die beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB in die Starteinheit START eingegeben; und während des Ausgabestadiums werden das Hochpegelsignal/Tiefpegelsignal und die beiden gegenphasigen Taktsignale CK und CKB in die Starteinheit START eingegeben, und der erste Ausgangsanschluss 131 gibt das Startsignal STV aus. Das Startstadium und das Ausgabestadium der Starteinheit START stellen das Abtaststadium der Starteinheit START dar.
Es wird insbesondere Bezug auf 2, 3a, 3b und 4 genommen. Während einer ersten Zeitspanne 1, d. h. während des Startstadiums der Starteinheit START, ist das erste Taktsignal CK ein Hochpegelsignal, und das zweite Taktsignal CKB ist gegenphasig zum ersten Taktsignal CK und ist ein Tiefpegelsignal. Während des Startstadiums der Starteinheit START verändert sich das Hochpegelsignal VGH sprunghaft, um das anfängliche Impulssignal zu erzeugen, bei dem es sich um das Tiefpegel-Impulssignal handelt. In diesem Fall ist das Gate des ersten Transistors M1 mit dem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, das Tiefpegel-Impulssignal wird in den ersten Transistor M1 eingegeben, der erste Transistor M1 wird gesperrt, die Source und das Drain des ersten Transistors M1 werden nicht durchgeschaltet und das durch den mit dem ersten Transistor M1 verbundenen, zweiten Eingangsanschluss 112 eingegebene Tiefpegelsignal VGL kann nicht zur Source des ersten Transistors M1 übertragen werden. Während des Startstadiums der Starteinheit START gibt der erste Taktanschluss 121 das Hochpegelsignal des ersten Taktsignals CK ein, eine Source-Spannung des ersten Transistors M1 wird aufgrund der Funktion des ersten Kondensators C1 angehoben, d. h. das Gate des zweiten Transistors M2 befindet sich auf der hohen Spannung, der zweite Transistor M2 wird durchgeschaltet, das Hochpegelsignal des ersten Taktsignals CK wird auf P1 übertragen, P1 befindet sich auf dem Hochpegel, d. h. die Voraufladung von P1 ist abgeschlossen. Das bedeutet, dass während der ersten Zeitspanne 1 das anfängliche Impulssignal ein Tiefpegelsignal ist, das in den ersten Taktanschluss 121 eingegebene Signal ein Hochpegelsignal und gegenphasig zum anfänglichen Impulssignal ist, und das in den zweiten Taktanschluss 122 eingegebene Signal phasengleich mit dem anfänglichen Impulssignal ist.
Während einer zweiten Zeitspanne 2, d. h. während des Ausgabestadiums der Starteinheit START, ist das zweite Taktsignal CKB ein Hochpegelsignal, das erste Taktsignal CK ist ein Tiefpegelsignal, und das Hochpegelsignal VGH ändert sich sprunghaft, um dann auf dem Hochpegel zu liegen. In diesem Fall wird der erste Transistor M1 durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird auf die Source des ersten Transistors M1 übertragen, der zweite Transistor M2 wird gesperrt, das Tiefpegelsignal des ersten Taktsignals CK kann nicht auf P1 übertragen werden, P1 bleibt auf dem Hochpegel, der vierte Transistor M4 wird durchgeschaltet, und das Hochpegelsignal des zweiten Taktsignals CKB wird auf das Drain des vierten Transistors M4 übertragen. Die Spannung von P1, d. h. die Spannung am Gate des vierten Transistors M4, wird durch den zweiten Kondensator C2 weiter angehoben, d. h. die Gate-Spannung des vierten Transistors M4 wird weiter angehoben, und der erste Ausgangsanschluss 131 gibt das Startsignal STV aus.
Da das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1 nahe an der Starteinheit START liegt, gilt für das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1, dass der a-te Taktanschluss 221 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 mit dem zweiten Taktsignal CKB verbunden ist und der b-te Taktanschluss 222 mit dem ersten Taktsignal CK verbunden ist. Während der zweiten Zeitspanne 2 ist das Signal STV ein Hochpegelsignal, der d-te Eingangsanschluss 214 des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 der Starteinheit START verbunden, das Signal STV wird in den d-ten Eingangsanschluss des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 eingegeben, der b-te Transistor Mb des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 wird durchgeschaltet, und das Hochpegelsignal VGH wird durch den a-ten Eingangsanschluss 211 in Pa eingegeben. Das heißt, dass während der zweiten Zeitspanne 2 Pa auf dem Hochpegel verbleibt und die Voraufladung von Pa abgeschlossen ist. Das bedeutet, dass es sich bei der zweiten Zeitspanne 2 um ein Voraufladungsstadium des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 handelt. In diesem Fall ist der b-te Taktanschluss 222 mit dem ersten Taktsignal CK verbunden, das erste Taktsignal CK ist während der zweiten Zeitspanne 2 ein Tiefpegelsignal, wodurch am d-ten Transistor Md kein Signalausgang besteht. Während einer dritten Zeitspanne 3 befindet sich Pa auf dem Hochpegel, der d-te Transistor Md ist durchgeschaltet, das erste Taktsignal CK ist ein Hochpegelsignal, und das erste Taktsignal CK wird durch den d-ten Transistor Md auf das Drain des d-ten Transistors Md übertragen. Die Spannung von Pa wird aufgrund der Funktion des b-ten Kondensators Cb weiter angehoben. Das bedeutet, dass die Gate-Spannung des d-ten Transistors Md weiter ansteigt, das erste Taktsignal CK auf den a-ten Ausgangsanschluss 231 übertragen wird und der a-te Ausgangsanschluss 231 das Signal G(1) ausgibt. Das heißt, dass es sich bei der dritten Zeitspanne 3 um ein Ausgabestadium des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 handelt. Das Voraufladungsstadium des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 und das Ausgabestadium des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 stellen das Abtaststadium des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR1 dar.
In Bezug auf die Starteinheit START wird während der dritten Zeitspanne 3 das Signal G(1) durch den dritten Eingangsanschluss 3 eingegeben, der dritte Transistor M3 wird durchgeschaltet, und das Tiefpegelsignal VGL wird durch den dritten Transistor M3 auf P1 übertragen. In diesem Fall ist der vierte Transistor M4 gesperrt, und das zweite Taktsignal CKB kann nicht durch den vierten Transistor M4 übertragen werden. Das heißt, dass die Starteinheit START zurückgesetzt wird und die dritte Zeitspanne 3 ein Rücksetzstadium der Starteinheit START ist. Während dieser letztgenannten Zeitspanne ist der vierte Transistor M4 gesperrt, da P1 reduziert ist und der Eingang in den ersten Ausgangsanschluss 131 auf dem Tiefpegel verbleibt und sich nicht ändert, wenn sich das zweite Taktsignal CKB ändert.
Für das der zweiten Stufe zugehörige Schieberegister SR2 gilt, in ähnlicher Weise wie für das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1, dass während der dritten Zeitspanne 3 die Voraufladung von Pa des der zweiten Stufe zugehörigen Schieberegisters SR2 abgeschlossen ist. Und während einer vierten Zeitspanne 4 gibt das der zweiten Stufe zugehörige Schieberegister SR2 das Ausgangssignal G(2) aus und setzt das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1 durch dieses Ausgangssignal G(2) zurück. Für die kaskadenartig angeordneten Schieberegister gilt, dass das Abtasten und Rücksetzen für das der ersten Stufe zugehörige Schieberegister SR1 auch an den anderen Schieberegistern vorgenommen wird, es werden die Voraufladung, die Signalausgabe und das Rücksetzen ausgeführt, und die Gate-Ansteuerschaltung wird Stufe für Stufe abgetastet, was hier nicht beschrieben wird.
Gemäß der Gate-Ansteuerschaltung und dem Ansteuerverfahren für dieses, die durch die Ausführungsformen bereitgestellt sind, wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, die Starteinheit erzeugt das Startsignal und gibt dieses dann in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird.
Es wird Bezug genommen auf 5a, bei der es sich um einen Schaltplan einer Starteinheit einer anderen Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und was die spezifische Beschreibung anbelangt, kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit START an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten P1 angeschlossen, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des fünften Transistors M5 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen sechsten Transistor M6, wobei das Gate und die Source des sechsten Transistors M6 verbunden sind, das Gate des sechsten Transistors M6 an den ersten Taktanschluss 121 angeschlossen ist und das Drain des sechsten Transistors M6 mit dem Gate des fünften Transistors M5 verbunden ist.
Verglichen mit der in 3a gezeigten Starteinheit umfasst die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform darüber hinaus den sechsten Transistor M6. Während und nach einem Rücksetzstadium der Starteinheit, d. h. während eines abtastfreien Stadiums der Starteinheit ist in dem Fall, dass das in den ersten Taktanschluss 121 eingegebene Signal ein Hochpegelsignal ist, der sechste Transistor M6 durchgeschaltet, das Hochpegelsignal wird in das Gate des fünften Transistors M5 eingegeben, der fünfte Transistor M5 wird durchgeschaltet, und ein Tiefpegelsignal VGL wird an den ersten Ausgangsanschluss 131 ausgegeben. Falls es sich bei dem in den ersten Taktanschluss 121 eingegebenen Signal um ein Tiefpegelsignal handelt, wird der sechste Transistor M6 gesperrt, das Tiefpegelsignal kann nicht in das Gate des fünften Transistors M5 eingegeben werden, das Gate des fünften Transistors M5 bleibt auf Hochpegel, auf dem das Gate des fünften Transistors M5 während der vorherigen Zeitspanne lag, der fünfte Transistor M5 bleibt im Durchlasszustand, und das Tiefpegelsignal VGL wird an den ersten Ausgangsanschluss 131 ausgegeben. Gemäß der obigen Starteinheit kann der erste Ausgangsanschluss 131 nach einem Ausgabestadium der Starteinheit eine niedrige Spannung beibehalten, wodurch die Stabilität des ersten Ausgangsanschlusses 131 während eines ausgabefreien Stadiums der Starteinheit verbessert wird.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, welches durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt das Startsignal und gibt dieses dann in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird die Stabilität während des abtastfreien Stadiums der Starteinheit verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 5b, bei der es sich um einen Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und bezüglich der spezifischen Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht noch einmal wiederholt wird, wobei das Hauptaugenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist an einen a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen. Das Gate des e-ten Transistors Me ist an einen a-ten Taktanschluss 221 angeschlossen, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist an den b-ten Eingangsanschluss 212 angeschlossen. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst überdies einen f-ten Transistor Mf, wobei das Gate und die Source des f-ten Transistors Mf verbunden sind, das Gate des f-ten Transistors Mf mit dem a-ten Taktanschluss 221 verbunden ist und das Drain des f-ten Transistors Mf an das Gate des e-ten Transistors Me angeschlossen ist.
Verglichen mit dem in 3b gezeigten Schieberegister weist das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform darüber hinaus in ähnlicher Weise den f-ten Transistor Mf auf. Nach Ausgabe des Signals durch das Schieberegister und während eines abtastfreien Stadiums des Schieberegisters wird für den Fall, dass das in den a-ten Taktanschluss 221 eingegebene Signal ein Hochpegelsignal ist, der f-te Transistor Mf durchgeschaltet, das Hochpegelsignal wird in das Gate des e-ten Transistors Me eingegeben, der e-te Transistor Me wird durchgeschaltet, und ein Tiefpegelsignal VGL wird an den a-ten Ausgangsanschluss 231 ausgegeben. Falls es sich bei dem in den a-ten Taktanschluss 221 eingegebenen Signal um ein Tiefpegelsignal handelt, wird der f-te Transistor Mf gesperrt, das Tiefpegelsignal kann nicht in das Gate des e-ten Transistors Me eingegeben werden, das Gate des e-ten Transistors Me verbleibt auf Hochpegel, auf dem das Gate des e-ten Transistors Me während der vorherigen Zeitspanne lag, der e-te Transistor Me bleibt durchgeschaltet, und das Tiefpegelsignal VGL wird an den a-ten Ausgangsanschluss 231 ausgegeben. Gemäß dem obigen Schieberegister kann der a-te Ausgangsanschluss 231 nach einem Abtaststadium des Schieberegisters den Tiefpegel beibehalten, wodurch sich die Stabilität des a-ten Ausgangsanschlusses 231 während eines abtastfreien Stadiums des Schieberegisters verbessert.
Es wäre festzuhalten, dass es sich bei den Schaltungsstrukturen der Starteinheit und des Schieberegisters gemäß der Ausführungsform nur um schematische Darstellungen handelt. In der Praxis sind die Schaltungsstrukturen der Starteinheit und des Schieberegisters nicht eingeschränkt. So kann zum Beispiel das in 5b gezeigte Schieberegister für den Fall verwendet werden, dass die in 5a gezeigte Starteinheit verwendet wird. Alternativ ist es möglich, dass bei Verwendung der in 5a gezeigten Starteinheit das in 3b gezeigte Schieberegister und nicht das in 5b gezeigte Schieberegister verwendet wird. Durch die ausführliche Beschreibung der Ausführungsform soll die vorliegende Offenbarung nicht eingeschränkt werden.
Gemäß der durch die Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, wobei die Starteinheit dann das Startsignal erzeugt und dieses in das Schieberegister eingibt. Auf diese Art und Weise ist es nicht nötig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird. Gemäß der durch die Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird die Stabilität während des abtastfreien Stadiums des Schieberegisters verbessert, wodurch sich der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 6a, bei der es sich um einen Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und bezüglich der spezifischen Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht erneut wiedergegeben wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten P1 angeschlossen, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des fünften Transistors M5 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst überdies einen siebten Transistor M7, wobei das Gate des siebten Transistors M7 an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen ist, die Source des siebten Transistors M7 an das Gate des fünften Transistors M5 angeschlossen ist und das Drain des siebten Transistors M7 mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden ist.
Gemäß der Starteinheit wird in dieser Ausführungsform während eines Startstadiums der Starteinheit und eines Ausgabestadiums der Starteinheit für den Fall, dass P1 auf einer hohen Spannung liegt, der siebte Transistor M7 durchgeschaltet, ein Tiefpegelsignal VGL wird in P2 eingegeben, P2 liegt auf Tiefpegel, der fünfte Transistor M5 wird gesperrt, und der erste Ausgangsanschluss 131 wird nicht entladen, wodurch die Stabilität des Ausgangs von STV gewährleistet ist.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert wird. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung ist die Stabilität des Ausgangs während des Abtaststadiums der Starteinheit verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 6b, bei der es sich um einen Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und in Bezug auf die spezifische Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit einem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist an einen a-ten Taktanschluss 221 angeschlossen, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen g-ten Transistor Mg, wobei das Gate des g-ten Transistors Mg an das Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen ist, die Source des g-ten Transistors Mg mit dem Gate des e-ten Transistors Me verbunden ist und das Drain des g-ten Transistors Mg mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden ist.
Gemäß dem Schieberegister dieser Ausführungsform wird während eines Voraufladungsstadiums des Schieberegisters und eines Abtaststadiums des Schieberegisters für den Fall, dass Pa auf Hochpegel liegt, der g-te Transistor Mg durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird in Pb eingegeben, Pb liegt auf Tiefpegel, der e-te Transistor Me wird gesperrt, und der a-te Ausgangsanschluss 231 wird nicht entladen, wodurch die Stabilität des Ausgangs von G(m) gewährleistet ist.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner und ein Anzeigeeffekt des Produkts besser wird. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung ist die Stabilität während des Ausgangs während des Abtaststadiums des Schieberegisters verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 7a, bei der es sich um einen Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und bezüglich der spezifischen Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, wobei diese hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist mit dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 verbunden, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist an den ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen, und das Drain des fünften Transistors M5 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. zwischen dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen achten Transistor M8, wobei das Gate des achten Transistors M8 mit dem Gate des fünften Transistors M5 verbunden ist, die Source des achten Transistors M8 an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen ist und das Drain des achten Transistors M8 mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden ist.
Gemäß der Starteinheit in dieser Ausführungsform wird während eines abtastfreien Stadiums der Starteinheit in dem Fall, dass ein Hochpegelsignal in den ersten Taktanschluss 121 eingegeben wird, der achte Transistor M8 gesperrt, ein in den zweiten Eingangsanschluss 112 eingegebenes Tiefpegelsignal VGL wird in P1 eingegeben, und der Pegel von P1 reduziert sich während eines ausgabefreien Stadiums der Starteinheit mehrere Male mit Veränderung des ersten Taktanschlusses 121, wodurch sich die Stabilität der Schaltung der Starteinheit verbessert.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und sich ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung ist die Stabilität der Schaltung der Starteinheit verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 7b, bei der es sich um einen Schaltplan des der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und in Bezug auf die spezifische Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit einem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist mit einem a-ten Taktanschluss 221 verbunden, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst darüber hinaus einen h-ten Transistor Mh, wobei das Gate des h-ten Transistors Mh an das Gate des e-ten Transistors Me angeschlossen ist, die Source des h-ten Transistors Mh an das Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen ist und das Drain des h-ten Transistors Mh mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden ist.
Gemäß dem Schieberegister in dieser Ausführungsform wird während eines abtastfreien Stadiums des Schieberegisters in dem Fall, dass ein Hochpegelsignal in den a-ten Taktanschluss 221 eingegeben wird, der h-te Transistor Mh gesperrt, ein in den b-ten Eingangsanschluss 212 eingegebenes Tiefpegelsignal VGL wird in Pa eingegeben, und der Pegel von Pa reduziert sich während eines ausgabefreien Stadiums des Schieberegisters mehrere Male mit Veränderung des a-ten Taktanschlusses 221, wodurch sich die Stabilität der Schieberegisterschaltung verbessert.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und sich ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung ist die Stabilität der Schieberegisterschaltung verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wäre festzuhalten, dass die in 5a, 6a und 7a gezeigten Starteinheiten Modifikationen auf der Grundlage der in 3a gezeigten Starteinheit darstellen, wobei der Unterschied darin besteht, dass die in 5a, 6a und 7a gezeigten Starteinheiten darüber hinaus einen zusätzlichen Transistor enthalten. In entsprechender Weise handelt es sich bei den in 5b, 6b und 7b gezeigten Schieberegistern um Modifikationen auf der Grundlage des in 3b gezeigten Schieberegisters, wobei der Unterschied darin besteht, dass die in 5b, 6b und 7b gezeigten Schieberegister des Weiteren einen zusätzlichen Transistor enthalten. In der Praxis können die zusätzlichen Transistoren aber auch miteinander kombiniert werden. Das heißt, dass der in 3a gezeigten Starteinheit und dem in 3b gezeigten Schieberegister mehrere Transistoren hinzugefügt werden können. Die in der Ausführungsform beschriebene Struktur ist nicht dazu gedacht, die vorliegende Offenbarung einzuschränken.
Es wird Bezug genommen auf 8a, bei der es sich um einen Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und bezüglich der spezifischen Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten P1 angeschlossen, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden.
Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des fünften Transistors M5 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst darüber hinaus einen neunten Transistor M9, einen dritten Kondensator C3, einen zehnten Transistor M10 und einen elften Transistor M11. Das Gate des neunten Transistors M9 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an P1 angeschlossen, die Source des neunten Transistors M9 ist an einem Pull-down-Knoten P2 mit dem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des neunten Transistors M9 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der dritte Kondensator C3 ist zwischen der Source des neunten Transistors M9 und dem zweiten Taktanschluss 122 angeschlossen. Das Gate des zehnten Transistors M10 ist mit dem zweiten Taktanschluss 122, also mit P2 verbunden, die Source des zehnten Transistors M10 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an P1 angeschlossen, und das Drain des zehnten Transistors M10 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des elften Transistors M11 ist mit dem zweiten Taktanschluss 122, d. h. mit P2 verbunden, die Source des elften Transistors M11 ist an den ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen, und das Drain des elften Transistors M11 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen.
Gemäß der Starteinheit in dieser Ausführungsform wird während eines Startstadiums der Starteinheit und eines Ausgabestadiums der Starteinheit in dem Fall, dass P1 auf Hochpegel liegt, das Gate des neunten Transistors M9 mit P1 verbunden, der neunte Transistor M9 wird durchgeschaltet, ein in den zweiten Eingangsanschluss 112 eingegebenes Tiefpegelsignal VGL wird auf P2 übertragen, P2 liegt auf Tiefpegel, und der zehnte Transistor M10 und der elfte Transistor M11, deren jeweiliges Gate mit P2 verbunden ist, sind gesperrt. In diesem Fall wird wegen P1 der zehnte Transistor M10 gesperrt, das Tiefpegelsignal VGL kann durch den zehnten Transistor M10 nicht auf P1 übertragen werden, und somit kann der Pegel von P1 nicht durch das Tiefpegelsignal VGL beeinflusst werden, wodurch sich die Stabilität des Potenzials von P1 und die Stabilität des Ausgangs der Starteinheit verbessert. Wegen des ersten Ausgangsanschlusses 131 ist der elfte Transistor M11 gesperrt, das Tiefpegelsignal VGL kann nicht durch den elften Transistor M11 auf den ersten Ausgangsanschluss 131 übertragen werden, womit während des Voraufladungsstadiums der Starteinheit und des Ausgabestadiums der Starteinheit das Ausgabesignal des ersten Ausgangsanschlusses 131 nicht vom Tiefpegelsignal VGL beeinflusst werden kann, wodurch sich die Stabilität des Ausgangs der Starteinheit verbessert.
Während eines abtastfreien Stadiums der Starteinheit, d. h. während und nach einem Rücksetzstadium der Starteinheit, liegt P1 auf Tiefpegel, der neunte Transistor M9 ist gesperrt, da das Gate des neunten Transistors M9 mit P1 verbunden ist, und das in den zweiten Eingangsanschluss 112 eingegebene Tiefpegelsignal VGL kann nicht durch den neunten Transistor M9 auf P2 übertragen werden. In diesem Fall entspricht der Pegel von P2 dem zweiten Taktsignal CKB des zweiten Taktanschlusses 122. Für den Fall, dass das zweite Taktsignal CKB auf Hochpegel liegt, werden der zehnte Transistor M10 und der elfte Transistor M11 durchgeschaltet. Wegen P1 wird der zehnte Transistor M10 durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird durch den zehnten Transistor M10 auf P1 übertragen und folglich reduziert sich der Pegel von P1 mehrere Male mit Veränderung des zweiten Taktsignals CKB, P1 behält den Tiefpegel während des abtastfreien Stadiums der Starteinheit bei, und der vierte Transistor M4 wird gesperrt, wodurch die Stabilität der Schaltung gewährleistet ist. Wegen des ersten Ausgangsanschlusses 131 wird in dem Fall, dass das zweite Taktsignal CKB auf Hochpegel liegt, der elfte Transistor M11 durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird durch den elften Transistor M11 auf den ersten Ausgangsanschluss 131 übertragen, und somit liegt während des abtastfreien Stadiums der Starteinheit der erste Ausgangsanschluss 131 auf Tiefpegel und gibt kein Signal aus, wodurch die Stabilität der Schaltung während des abtastfreien Stadiums der Starteinheit gewährleistet ist.
Es wäre festzuhalten, dass im Vergleich mit der in 3 gezeigten Starteinheit die Starteinheit in dieser Ausführungsform darüber hinaus den neunten Transistor M9, den zehnten Transistor M10, den elften Transistor M11 und den dritten Kondensator C3 aufweist. Durch Bereitstellung dieser elektronischen Bauteile ist die Stabilität der Schaltung verbessert. Die vorliegende Ausführungsform stellt jedoch nur eine beispielhafte Beschreibung dar, und in der Praxis ist es möglich, nur einen Teil dieser elektronischen Bauteile aufzunehmen. So können zum Beispiel die Starteinheiten gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung dadurch erhalten werden, dass zu der in 3a gezeigten Starteinheit der neunte Transistor M9, der zehnte Transistor M10 und der dritte Kondensator C3 hinzugefügt werden, oder der neunte Transistor M9, der elfte Transistor M11 und der dritte Kondensator C3 zu der in 3a gezeigten Starteinheit hinzugefügt werden. Auf diese Art und Weise wird die Stabilität der Schaltung erhöht. Die in der Ausführungsform beschriebene Schaltungsstruktur soll die vorliegende Offenbarung aber nicht einschränken.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und sich ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Starteinheit ist die Stabilität der Schaltung der Starteinheit verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 8b, bei der es sich um einen Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und in Bezug auf die spezifische Beschreibung kann auf 2 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit einem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist mit einem a-ten Taktanschluss 221 verbunden, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen i-ten Transistor Mi, einen c-ten Kondensator Cc, einen j-ten Transistor Mj und einen k-ten Transistor Mk. Das Gate des i-ten Transistors Mi ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an Pa angeschlossen, die Source des i-ten Transistors Mi ist an einem Pull-down-Knoten Pb mit dem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des i-ten Transistors Mi ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der c-te Kondensator Cc ist zwischen der Source des i-ten Transistors Mi und dem b-ten Taktanschluss 222 angeschlossen. Das Gate des j-ten Transistors Mj ist mit dem b-ten Taktanschluss 222, d. h. mit Pb verbunden, die Source des j-ten Transistors Mj ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an Pa angeschlossen, und das Drain des j-ten Transistors Mj ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des k-ten Transistors Mk ist an den b-ten Taktanschluss 222, d. h. an Pb angeschlossen, die Source des k-ten Transistors Mk ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des k-ten Transistors Mk ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden.
Gemäß dem Schieberegister in dieser Ausführungsform wird während eines Voraufladungsstadiums des Schieberegisters und eines Ausgabestadiums des Schieberegisters für den Fall, dass Pa auf Hochpegel liegt, das Gate des i-ten Transistors Mi mit Pa verbunden, der i-te Transistor Mi wird durchgeschaltet, ein in den b-ten Eingangsanschluss 212 eingegebenes Tiefpegelsignal VGL wird auf Pb übertragen, Pb liegt auf Tiefpegel, und der j-te Transistor Mj und der k-te Transistor Mk, deren jeweiliges Gate mit Pb verbunden ist, sind gesperrt. In diesem Fall ist wegen Pa der j-te Transistor Mj gesperrt, das Tiefpegelsignal VGL kann nicht durch den j-ten Transistor Mj auf Pa übertragen werden, und somit kann der Pegel von Pa nicht durch das Tiefpegelsignal VGL beeinflusst werden, wodurch sich die Stabilität des Pegels von Pa und auch die Stabilität des Ausgangs des Schieberegisters verbessert. Wegen des a-ten Ausgangsanschlusses 231 ist der k-te Transistor Mk gesperrt, das Tiefpegelsignal VGL kann nicht durch den k-ten Transistor Mk auf den a-ten Ausgangsanschluss 231 übertragen werden, womit während des Voraufladungsstadiums des Schieberegisters und des Ausgabestadiums des Schieberegisters das Ausgangssignal des a-ten Ausgangsanschlusses 231 nicht durch das Tiefpegelsignal beeinflusst werden kann, wodurch die Stabilität des Ausgangs des Schieberegisters verbessert ist.
Während eines abtastfreien Stadiums des Schieberegisters, d. h. während und nach einem Rücksetzstadium des Schieberegisters, liegt Pa auf Tiefpegel, der i-te Transistor Mi ist gesperrt, da das Gate des i-ten Transistors Mi mit Pa verbunden ist, und das Tiefpegelsignal VGL, das in den b-ten Eingangsanschluss 212 eingegeben wurde, kann nicht durch den i-ten Transistor Mi auf Pb übertragen werden. In diesem Fall entspricht der Pegel von Pb dem zweiten Taktsignal CKB des b-ten Taktanschlusses 222. Falls sich das zweite Taktsignal CKB auf Hochpegel befindet, sind der j-te Transistor Mj und der k-te Transistor Mk durchgeschaltet. Wegen Pa ist der j-te Transistor Mj durchgeschaltet, und das Tiefpegelsignal VGL wird durch den j-ten Transistor Mj auf Pa übertragen, womit sich der Pegel von Pa mehrere Male bei Veränderung des zweiten Taktsignals CKB reduziert, Pa während des abtastfreien Stadiums des Schieberegisters auf dem Tiefpegel bleibt und der d-te Transistor Md gesperrt wird, wodurch die Stabilität der Schaltung gewährleistet ist. Wegen des a-ten Ausgangsanschlusses 231 wird für den Fall, dass das zweite Taktsignal CKB auf Hochpegel liegt, der k-te Transistor Mk durchgeschaltet, und das Tiefpegelsignal VGL wird durch den k-ten Transistor Mk auf den a-ten Ausgangsanschluss 231 übertragen, womit während des abtastfreien Stadiums des Schieberegisters der a-te Ausgangsanschluss 231 auf Tiefpegel liegt und kein Signal ausgibt, wodurch die Stabilität der Schaltung während des abtastfreien Stadiums des Schieberegisters sichergestellt ist.
Es wäre anzumerken, dass im Vergleich zu dem in 3b gezeigten Schieberegister das Schieberegister in dieser Ausführungsform darüber hinaus den i-ten Transistor Mi, den j-ten Transistor Mj, den k-ten Transistor Mk und den c-ten Kondensator Cc aufweist. Die Stabilität der Schaltung wird durch Bereitstellung dieser elektronischen Bauteile verbessert. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch nur eine beispielhafte Beschreibung, und in der Praxis ist es möglich, nur einen Teil dieser elektronischen Bauteile hinzuzufügen. So können zum Beispiel die Schieberegister gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung erhalten werden, indem man dem in 3b gezeigten Schieberegister den i-ten Transistor Mi, den j-ten Transistor Mj und den c-ten Kondensator Cc hinzufügt oder dem in 3b gezeigten Schieberegister den i-ten Transistor Mi, den k-ten Transistor Mk und den c-ten Kondensator Cc hinzufügt. Auf diese Art und Weise ist die Stabilität der Schaltung erhöht. Die in dieser Ausführungsform beschriebene Schaltungsstruktur soll aber die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung geht in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal ein, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, wobei die Starteinheit dann das Startsignal erzeugt und dieses in das Schieberegister eingibt. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und sich ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung ist die Stabilität der Schieberegisterschaltung verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 9, die eine Kaskadenabbildung einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung darstellt. Wenn man 9 mit 2 vergleicht, lässt sich erkennen, dass die Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung ähnlich ist. Der gemeinsame Teil der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung wird hier nicht beschrieben, sondern das Augenmerk liegt auf dem Unterschied zwischen diesen.
Mit Bezugnahme auf 9 umfasst die Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform darüber hinaus eine Rücksetzsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Rücksetzsignal RST zu erzeugen. Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform weist darüber hinaus einen ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 auf, der mit der Rücksetzsteuerung verbunden ist, um das Rücksetzsignal RST zum Zurücksetzen der Starteinheit nach dem Ausgabestadium der Starteinheit einzugeben. In ähnlicher Weise umfasst das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform des Weiteren einen a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241, der mit der Rücksetzsteuerung verbunden ist, um das Rücksetzsignal zum Zurücksetzen jedes der Schieberegister nach dem Ausgabestadium des Schieberegisters einzugeben.
Konkret wird Bezug auf 10a und 10b genommen. 10a ist ein Schaltplan einer Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung in 9 und 10b ist ein Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters der Gate-Ansteuerschaltung in 9.
Mit Bezugnahme auf 9 und 10a umfasst die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten P1 angeschlossen, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des fünften Transistors M5 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst darüber hinaus einen zwölften Transistor M12 und einen dreizehnten Transistor M13. Das Gate des zwölften Transistors M12 ist mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 verbunden, die Source des zwölften Transistors M12 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an P1 angeschlossen, und das Drain des zwölften Transistors M12 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 verbunden, die Source des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden.
Gemäß der Starteinheit in dieser Ausführungsform erzeugt die Rücksetzsteuerung ein Rücksetzsignal RST und gibt vor Abtastung jedes Einzelbilds, also während des Startstadiums der Starteinheit, dieses Rücksetzsignal RST durch den ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 in die Starteinheit ein. Das Rücksetzsignal RST ist ein Hochpegelsignal, und der zwölfte Transistor M12 und der dreizehnte Transistor M13 sind dann durchgeschaltet, wenn das Rücksetzsignal RST eingegeben ist. In diesem Fall ist wegen P1 der zwölfte Transistor M12 durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird durch den zwölften Transistor M12 auf P1 übertragen, und der Rücksetzvorgang von P1 ist vor dem Abtaststadium der Starteinheit abgeschlossen. Das heißt, dass vor dem Abtasten jedes Einzelbilds bei P1 eine Restladung vorhanden sein kann, dass nur der Pegel von P1, in den das Taktsignal eingegeben wird, während des Rücksetzstadiums der Starteinheit zurückgesetzt wird, und dass stets eine Restladung vorhanden ist, was in einem schlechten Anzeigeverhalten wie zum Beispiel einem gemusterten Bildschirm auf dem Anzeigefeld resultiert. Falls die Starteinheit vor dem Einzelbild zurückgesetzt wird, wird das Tiefpegelsignal VGL durch den zwölften Transistor M12 auf P1 übertragen, und die Restladung kann entfernt werden, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. In entsprechender Weise wird wegen des ersten Ausgangsanschlusses 131 nach Eingabe des Rücksetzsignals RST der dreizehnte Transistor M13 durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird auf den ersten Ausgangsanschluss 131 übertragen, und das Zurücksetzen des ersten Ausgangsanschlusses 131 ist vor dem Einzelbild abgeschlossen, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert.
Es wäre festzuhalten, dass im Vergleich zu der in 3a gezeigten Starteinheit die Starteinheit in dieser Ausführungsform darüber hinaus den zwölften Transistor M12 und den dreizehnten Transistor M13 aufweist. Die Stabilität der Schaltung wird verbessert, indem diese elektronischen Bauteile bereitgestellt werden, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. Die vorliegende Ausführungsform stellt jedoch lediglich eine beispielhafte Beschreibung dar, und in der Praxis ist es möglich, diesen elektronischen Bauteilen nur einen einzigen Transistor hinzuzufügen. Das heißt, dass die Starteinheiten gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung erhalten werden können, indem man der in 3a gezeigten Starteinheit nur den zwölften Transistor M12 hinzufügt oder der in 3a gezeigten Starteinheit nur den dreizehnten Transistor M13 hinzufügt. Auf diese Art und Weise ist die Stabilität der Schaltung erhöht, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. Die in dieser Ausführungsform beschriebene Schaltungsstruktur soll aber die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
Mit Bezugnahme auf 9 und 10b umfasst das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit einem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist mit einem a-ten Taktanschluss 221 verbunden, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform weist darüber hinaus einen l-ten Transistor Ml und einen m-ten Transistor Mm auf. Das Gate des l-ten Transistors Ml ist mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241 verbunden, die Source des l-ten Transistors Ml ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an Pa angeschlossen, und das Drain des l-ten Transistors Ml ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des m-ten Transistors Mm ist mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241 verbunden, die Source des m-ten Transistors Mm ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und ein Drain des m-ten Transistors Mm ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden.
Gemäß dem Schieberegister in dieser Ausführungsform erzeugt die Rücksetzsteuerung ein Rücksetzsignal RST und gibt dieses Rücksetzsignal RST durch den a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241 vor dem Abtasten jedes Einzelbilds, d. h. während des Startstadiums der Starteinheit, in jedes der Schieberegister ein. Das Rücksetzsignal RST ist ein Hochpegelsignal, und der l-te Transistor Ml und m-te Transistor Mm sind durchgeschaltet, wenn das Rücksetzsignal RST eingegeben ist. In diesem Fall ist wegen Pa der l-te Transistor Ml durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird durch den l-ten Transistor Ml auf Pa übertragen, und das Zurücksetzen von Pa ist vor dem Abtaststadium des Schieberegisters abgeschlossen. Das heißt, dass sich vor der Abtastung jedes Einzelbilds bei Pa eine Restladung befinden kann, dass während des Rücksetzstadiums des Schieberegisters nur der Pegel von Pa, in den das Taktsignal eingegeben wurde, zurückgesetzt wird und dass stets eine Restladung vorhanden ist, was zu einem schlechten Anzeigeverhalten wie zum Beispiel einem gemusterten Bildschirm auf dem Anzeigefeld führt. Falls das Schieberegister vor dem Einzelbild zurückgesetzt wird, wird durch den l-ten Transistor Ml das Tiefpegelsignal VGL auf Pa übertragen, und die Restladung kann entfernt werden, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. In ähnlicher Weise ist wegen des a-ten Ausgangsanschlusses 231 nach Eingabe des Rücksetzsignals RST der m-te Transistor Mm durchgeschaltet, das Tiefpegelsignal VGL wird auf den a-ten Ausgangsanschluss 231 übertragen, und das Zurücksetzen des a-ten Ausgangsanschlusses 231 ist vor dem Einzelbild abgeschlossen, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert.
Es wäre festzuhalten, dass im Vergleich zu dem in 3b gezeigten Schieberegister das Schieberegister in dieser Ausführungsform darüber hinaus den l-ten Transistor Ml und den m-ten Transistor Mm aufweist. Die Stabilität der Schaltung wird dadurch verbessert, dass diese elektronischen Bauteile vorgesehen werden, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. Die vorliegende Ausführungsform ist jedoch lediglich eine beispielhafte Beschreibung, und in der Praxis ist es möglich, diesen elektronischen Bauteilen nur einen einzelnen Transistor hinzuzufügen. Das heißt, dass die Schieberegister gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung erhalten werden können, indem dem in 3b gezeigten Schieberegister nur der l-te Transistor Ml hinzugefügt wird oder dem in 3b gezeigten Schieberegister nur der m-te Transistor Mm hinzugefügt wird. Auf diese Art und Weise ist die Stabilität der Schaltung erhöht, wodurch sich das schlechte Anzeigeverhalten verbessert. Die in dieser Ausführungsform beschriebene Schaltungsstruktur soll aber die vorliegende Offenbarung nicht einschränken.
Es wäre anzumerken, dass die Starteinheiten und Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltungen gemäß weiteren Ausführungsformen der Offenbarung nicht durch die in 10a und 10b gezeigte Entsprechung eingeschränkt werden dürfen. So können zum Beispiel die Starteinheiten der Gate-Ansteuerschaltungen gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung erhalten werden, indem man der in 3a gezeigten Starteinheit den zwölften Transistor M12 hinzufügt. Die Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltungen gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung können erhalten werden, indem man dem in 3b gezeigten Schieberegister den m-ten Transistor Mm hinzufügt. Das heißt, dass die Starteinheiten und Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltungen gemäß anderen Ausführungsformen der Offenbarung erhalten werden können, indem man der in 2 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung in nicht entsprechender Weise elektronische Bauteile hinzufügt.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und ein Anzeigeeffekt des Produkts sich verbessert. Gemäß der Starteinheit und dem Schieberegister, die durch diese Ausführungsform bereitgestellt werden, ist die Stabilität der Schaltung verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt verbessert.
Es wird Bezug genommen auf 11a, bei der es sich um einen Schaltplan einer Starteinheit einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 9 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und in Bezug auf die spezifische Beschreibung kann auf 9 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 9 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Bezugnehmend auf 8a, 10a und 11a ist die in 11a gezeigte Starteinheit eine Verbesserung der Starteinheit auf der Grundlage der in 8a und 10a gezeigten Starteinheiten. Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen ersten Transistor M1, einen zweiten Transistor M2, einen ersten Kondensator C1, einen dritten Transistor M3, einen vierten Transistor M4, einen fünften Transistor M5 und einen zweiten Kondensator C2. Ein Gate des ersten Transistors M1 ist mit einem ersten Eingangsanschluss 111 verbunden, und ein Drain des ersten Transistors M1 ist mit einem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des zweiten Transistors M2 ist an eine Source des ersten Transistors M1 angeschlossen, und die Source des zweiten Transistors M2 ist mit einem ersten Taktanschluss 121 verbunden. Der erste Kondensator C1 ist zwischen der Source des ersten Transistors M1 und dem ersten Taktanschluss 121 angeschlossen. Das Gate des dritten Transistors M3 ist mit einem dritten Eingangsanschluss 113 verbunden, die Source des dritten Transistors M3 ist an einem Hinaufzieh-Knoten P1 der Starteinheit an das Drain des zweiten Transistors M2 angeschlossen, und das Drain des dritten Transistors M3 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des vierten Transistors M4 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an den Hinaufzieh-Knoten P1 angeschlossen, die Source des vierten Transistors M4 ist mit einem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des vierten Transistors M4 ist mit einem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden. Das Gate des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Taktanschluss 121 verbunden, die Source des fünften Transistors M5 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des fünften Transistors M5 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der zweite Kondensator C2 ist zwischen dem Drain des zweiten Transistors M2, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten P1 und dem ersten Ausgangsanschluss 131 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst darüber hinaus einen neunten Transistor M9, einen dritten Kondensator C3, einen zehnten Transistor M10 und einen elften Transistor M11. Das Gate des neunten Transistors M9 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, also an P1 angeschlossen, die Source des neunten Transistors M9 ist an einem Pull-down-Knoten P2 mit dem zweiten Taktanschluss 122 verbunden, und das Drain des neunten Transistors M9 ist an den zweiten Eingangsanschluss 112 angeschlossen. Der dritte Kondensator C3 ist zwischen der Source des neunten Transistors M9 und dem zweiten Taktanschluss 122 angeschlossen. Das Gate des zehnten Transistors M10 ist mit dem zweiten Taktanschluss 122, d. h. mit P2 verbunden, die Source des zehnten Transistors M10 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an P1 angeschlossen, und das Drain des zehnten Transistors M10 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des elften Transistors M11 ist mit dem zweiten Taktanschluss 122, d. h. mit P2 verbunden, die Source des elften Transistors Nil ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des elften Transistors M11 ist an den zweiten Ausgangsanschluss 112 angeschlossen.
Die Starteinheit der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform enthält des Weiteren einen zwölften Transistor M12 und einen dreizehnten Transistor M13. Das Gate des zwölften Transistors M12 ist mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 verbunden, die Source des zwölften Transistors M12 ist an das Drain des zweiten Transistors M2, d. h. an P1 angeschlossen, und das Drain des zwölften Transistors M12 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden. Das Gate des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss 141 verbunden, die Source des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss 131 verbunden, und das Drain des dreizehnten Transistors M13 ist mit dem zweiten Eingangsanschluss 112 verbunden.
Die Funktion des hinzugekommenen elektronischen Bauteils in der Starteinheit gemäß dieser Ausführungsform in Bezug auf die in 3a gezeigte Starteinheit ist dieselbe wie die Funktion des entsprechenden, in 8a und 10a gezeigten elektronischen Bauteils, die hiermit nicht eingeschränkt ist. Es wäre anzumerken, dass die Starteinheit gemäß dieser Ausführungsform ähnlich den Starteinheiten gemäß den anderen Ausführungsformen ausgelegt ist, wobei die Starteinheit gemäß dieser Ausführungsform erhalten werden kann, indem der in 3a gezeigten Starteinheit ein Teil der oben genannten elektronischen Bauteile oder alle oben genannten elektronischen Bauteile hinzugefügt werden, was hier jedoch keine Beschränkung darstellen soll.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner wird und sich ein Anzeigeeffekt des Produkts verbessert. Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Starteinheit ist die Stabilität der Schaltung der Starteinheit verbessert, wodurch sich auch der Anzeigeeffekt und das schlechte Anzeigeverhalten verbessern.
Es wird auf 11b Bezug genommen, bei der es sich um einen Schaltplan eines der m-ten Stufe zugehörigen Schieberegisters einer weiteren Gate-Ansteuerschaltung gemäß der Ausführungsform der Offenbarung handelt. Die Kaskadenabbildung der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform ist dieselbe wie die Kaskadenabbildung der in 9 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung, und in Bezug auf die spezifische Beschreibung kann auf 9 und die zugehörige Beschreibung zurückgegriffen werden, die hier nicht wiederholt wird, wobei das Augenmerk auf dem Unterschied zwischen der Schaltungsstruktur der Gate-Ansteuerschaltung in dieser Ausführungsform und der Schaltungsstruktur der in 9 gezeigten Gate-Ansteuerschaltung liegt.
Mit Bezugnahme auf 8b, 10b und 11b ist das in 11b gezeigte Schieberegister eine Verbesserung des Schieberegisters beruhend auf den in 8b und 10b gezeigten Schieberegistern. Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst einen b-ten Transistor Mb, einen c-ten Transistor Mc, einen d-ten Transistor Md, einen e-ten Transistor Me und einen b-ten Kondensator Cb. Ein Gate des b-ten Transistors Mb ist mit einem d-ten Eingangsanschluss 214 verbunden, und eine Source des b-ten Transistors Mb ist mit einem a-ten Eingangsanschluss 211 verbunden. Das Gate des c-ten Transistors Mc ist mit einem c-ten Eingangsanschluss 213 verbunden, die Source des c-ten Transistors Mc ist an einem Hinaufzieh-Knoten Pa des Schieberegisters an ein Drain des b-ten Transistors Mb angeschlossen, und das Drain des c-ten Transistors Mc ist mit einem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des d-ten Transistors Md ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. den Hinaufzieh-Knoten Pa angeschlossen, die Source des d-ten Transistors Md ist mit einem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des d-ten Transistors Md ist mit einem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden. Das Gate des e-ten Transistors Me ist mit einem a-ten Taktanschluss 221 verbunden, die Source des e-ten Transistors Me ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des e-ten Transistors Me ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der b-te Kondensator Cb ist zwischen dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. dem Hinaufzieh-Knoten Pa und dem a-ten Ausgangsanschluss 231 angeschlossen.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen i-ten Transistor Mi, einen c-ten Kondensator Cc, einen j-ten Transistor Mj und einen k-ten Transistor Mk. Das Gate des i-ten Transistors Mi ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an Pa angeschlossen, die Source des i-ten Transistors Mi ist an einem Pull-down-Knoten Pb mit dem b-ten Taktanschluss 222 verbunden, und das Drain des i-ten Transistors Mi ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Der c-te Kondensator Cc ist zwischen der Source des i-ten Transistors Mi und dem b-ten Taktanschluss 222 angeschlossen. Das Gate des j-ten Transistors Mj ist mit dem b-ten Taktanschluss 222, d. h. mit Pb verbunden, die Source des j-ten Transistors Mj ist mit dem Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. mit Pa verbunden, und das Drain des j-ten Transistors Mj ist an den b-ten Eingangsanschluss 212 angeschlossen. Das Gate des k-ten Transistors Mk ist mit dem b-ten Taktanschluss 222, d. h. mit Pb verbunden, die Source des k-ten Transistors Mk ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des k-ten Transistors Mk ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden.
Das Schieberegister der Gate-Ansteuerschaltung gemäß dieser Ausführungsform umfasst des Weiteren einen l-ten Transistor Ml und einen m-ten Transistor Mm. Das Gate des l-ten Transistors Ml ist mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241 verbunden, die Source des l-ten Transistors Ml ist an das Drain des b-ten Transistors Mb, d. h. an Pa angeschlossen, und das Drain des l-ten Transistors Ml ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden. Das Gate des m-ten Transistors Mm ist mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss 241 verbunden, die Source des m-ten Transistors Mm ist mit dem a-ten Ausgangsanschluss 231 verbunden, und das Drain des m-ten Transistors Mm ist mit dem b-ten Eingangsanschluss 212 verbunden.
Die Funktion des hinzugekommenen elektronischen Bauteils in dem Schieberegister gemäß dieser Ausführungsform ist bezüglich des in 3b gezeigten Schieberegisters dieselbe wie die Funktion des entsprechenden, in 8b und 10b gezeigten elektronischen Bauteils, was hier aber keine Beschränkung darstellt. Es wäre anzumerken, dass das Schieberegister gemäß dieser Ausführungsform den Schieberegistern gemäß anderen Ausführungsformen ähnlich ist, wobei das Schieberegister gemäß dieser Ausführungsform erhalten werden kann, indem ein Teil der oben genannten elektronischen Bauteile oder alle oben genannten elektronischen Bauteile dem in 3b gezeigten Schieberegister hinzugefügt werden, was hier aber keine Einschränkung darstellt.
Gemäß der durch diese Ausführungsform bereitgestellten Gate-Ansteuerschaltung wird in die Starteinheit das anfängliche Impulssignal eingegeben, das durch eine sprunghafte Änderung der Hochpegelsteuerung erzeugt wird, und die Starteinheit erzeugt dann das Startsignal und gibt dieses in das Schieberegister ein. Auf diese Art und Weise ist es nicht notwendig, jeweils eine separate Startsignalleitung bereitzustellen, wodurch sich die Anzahl der Signalleitungen im Umrandungsbereich verringert, eine Breite der Signalleitungen im Umrandungsbereich eines Anordnungssubstrats reduziert, eine Umrandungsgröße eines Produkts kleiner und ein Anzeigeeffekt des Produkts besser wird. Gemäß dem durch diese Ausführungsform bereitgestellten Schieberegister ist die Stabilität der Schieberegisterschaltung verbessert, wodurch sich der Anzeigeeffekt und das schlechte Anzeigeverhalten verbessern.
Der vorstehende Inhalt stellt eine ausführliche Beschreibung der Offenbarung dar, die in Verbindung mit den spezifischen bevorzugten Ausführungsformen erfolgt, wobei die Ausführungsform der Offenbarung nicht auf die obige Beschreibung beschränkt werden darf. Von Fachleuten auf diesem Gebiet können mehrere einfache Ableitungen und Ersetzungen geschaffen werden, ohne vom Konzept der Offenbarung abzuweichen. Auch diese Ableitungen und Ersetzungen sollen im Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung enthalten sein.

Claims

Gate-Ansteuerschaltung, aufweisend: M kaskadenartig angeordnete Schieberegister (SRm); eine Taktsteuerung, die dazu ausgelegt ist, zwei gegenphasige Taktsignale (CK, CKB) zu erzeugen; eine Hochpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Hochpegelsignal (VGH) zu erzeugen, und eine Tiefpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Tiefpegelsignal (VGL) zu erzeugen, wobei die Hochpegelsteuerung oder die Tiefpegelsteuerung während eines Anfangsstadiums ein anfängliches Impulssignal erzeugt; und eine Starteinheit (START), die mit den M Schieberegistern (SRm) kaskadenartig angeordnet und dazu ausgelegt ist, den Schieberegistern (SRm) ein Startsignal (STV) bereitzustellen, wobei M eine natürliche Zahl ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 1, wobei die Starteinheit (START) einen ersten Eingangsanschluss (111) und einen zweiten Eingangsanschluss (112) aufweist, der erste Eingangsanschluss (111) mit der Hochpegelsteuerung verbunden ist, um das Hochpegelsignal (VGH) und das anfängliche Impulssignal zu empfangen, wobei das anfängliche Impulssignal ein Tiefpegel-Impulssignal ist; und der zweite Eingangsanschluss (112) mit der Tiefpegelsteuerung verbunden ist, um das Tiefpegelsignal (VGL) zu empfangen; oder der erste Eingangsanschluss (111) mit der Tiefpegelsteuerung verbunden ist, um das Tiefpegelsignal (VGL) und das anfängliche Impulssignal zu empfangen, wobei das anfängliche Impulssignal ein Hochpegel-Impulssignal ist; und der zweite Eingangsanschluss (112) mit der Hochpegelsteuerung verbunden ist, um das Hochpegelsignal (VGH) zu empfangen; wobei die Starteinheit (START) überdies aufweist: einen dritten Eingangsanschluss (113); einen ersten Taktanschluss (121) und einen zweiten Taktanschluss (122), wobei der erste Taktanschluss (121) mit der Taktsteuerung verbunden ist, um eines der beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) zu empfangen, und der zweite Taktanschluss mit der Taktsteuerung verbunden ist, um das jeweils andere der beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) zu empfangen; und einen ersten Ausgangsanschluss (131); wobei das Schieberegister (SRm) aufweist: einen a-ten Eingangsanschluss (211), der mit der Hochpegelsteuerung oder der Tiefpegelsteuerung verbunden ist, an die der erste Eingangsanschluss (111) angeschlossen ist; einen b-ten Eingangsanschluss (212), der mit der Hochpegelsteuerung oder der Tiefpegelsteuerung verbunden ist, an die der zweite Eingangsanschluss (112) angeschlossen ist; einen c-ten Eingangsanschluss (213); einen d-ten Eingangsanschluss (214), wobei der d-te Eingangsanschluss (214) eines einer ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters (SR1) mit dem ersten Ausgangsanschluss (131) verbunden ist, um das Startsignal (STV) einzugeben; einen a-ten Taktanschluss (221) und einen b-ten Taktanschluss (222), wobei der a-te Taktanschluss (221) mit der Taktsteuerung verbunden ist, um eines der beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) zu empfangen, und der b-te Taktanschluss (222) mit der Taktsteuerung verbunden ist, um das jeweils andere der beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) zu empfangen; und einen a-ten Ausgangsanschluss (231), wobei der a-te Ausgangsanschluss (231) des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters (SR1) mit dem dritten Eingangsanschluss (113) verbunden ist, der a-te Ausgangsanschluss (231) aller Schieberegister (SRm) mit Ausnahme des der ersten Stufe zugehörigen Schieberegisters (SR1) mit dem c-ten Eingangsanschluss (213) eines einer vorherigen Stufe zugehörigen Schieberegisters verbunden ist, und der a-te Ausgangsanschluss (231) aller Schieberegister (SRm) mit dem d-ten Eingangsanschluss (214) eines einer nachfolgenden Stufe zugehörigen Schieberegisters verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 2, wobei die Starteinheit (START) aufweist: einen ersten Transistor (M1), wobei ein Gate des ersten Transistors (M1) mit dem ersten Eingangsanschluss (111) verbunden ist und ein Drain des ersten Transistors (M1) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist; einen zweiten Transistor (M2), wobei ein Gate des zweiten Transistors (M2) mit einer Source des ersten Transistors (M1) verbunden ist und eine Source des zweiten Transistors (M2) mit dem ersten Taktanschluss (121) verbunden ist; und einen ersten Kondensator (C1), der zwischen der Source des ersten Transistors (M1) und dem ersten Taktanschluss (121) angeschlossen ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 3, wobei die Starteinheit (START) aufweist: einen dritten Transistor (M3), wobei ein Gate des dritten Transistors (M3) mit dem dritten Eingangsanschluss (113) verbunden ist, eine Source des dritten Transistors (M3) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist und ein Drain des dritten Transistors (M3) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist; einen vierten Transistor (M4), wobei ein Gate des vierten Transistors (M4) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist, eine Source des vierten Transistors (M4) mit dem zweiten Taktanschluss (122) verbunden ist und ein Drain des vierten Transistors (M4) mit dem ersten Ausgangsanschluss (131) verbunden ist; einen fünften Transistor (M5), wobei ein Gate des fünften Transistors (M5) mit dem ersten Taktanschluss (121) verbunden ist, eine Source des fünften Transistors (M5) mit dem ersten Ausgangsanschluss (131) verbunden ist und ein Drain des fünften Transistors (M5) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist; und einen zweiten Kondensator (C2), der zwischen dem Drain des zweiten Transistors (M2) und dem ersten Ausgangsanschluss (133) angeschlossen ist; wobei das Schieberegister (SRm) aufweist: einen b-ten Transistor (Mb), wobei ein Gate des b-ten Transistors (Mb) mit dem d-ten Eingangsanschluss (214) verbunden ist und eine Source des b-ten Transistors (Mb) mit dem a-ten Eingangsanschluss (211) verbunden ist; einen c-ten Transistor (Mc), wobei ein Gate des c-ten Transistors (Mc) mit dem c-ten Eingangsanschluss (213) verbunden ist, eine Source des c-ten Transistors (Mc) mit einem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist und ein Drain des c-ten Transistors (Mc) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist; einen d-ten Transistor (Md), wobei ein Gate des d-ten Transistors (Md) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist, eine Source des d-ten Transistors (Md) mit dem b-ten Taktanschluss (122) verbunden ist und ein Drain des d-ten Transistors (Md) mit dem a-ten Ausgangsanschluss (231) verbunden ist; einen e-ten Transistor (Me), wobei ein Gate des e-ten Transistors (Me) mit dem a-ten Taktanschluss (221) verbunden ist, eine Source des e-ten Transistors (Me) mit dem a-ten Ausgangsanschluss (231) verbunden ist und ein Drain des e-ten Transistors (Me) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist; und einen b-ten Kondensator (Cb), der zwischen dem Drain des b-ten Transistors (Mb) und dem a-ten Ausgangsanschluss (231) angeschlossen ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen sechsten Transistor (M6), wobei ein Gate und eine Source des sechsten Transistors (M6) verbunden sind, das Gate des sechsten Transistors (M6) mit dem ersten Taktanschluss (121) verbunden ist und ein Drain des sechsten Transistors (M6) mit dem Gate des fünften Transistors (M5) verbunden ist.
Gate-Ansteueranschaltung nach Anspruch 4, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen f-ten Transistor (Mf), wobei ein Gate und eine Source des f-ten Transistors (Mf) verbunden sind, das Gate des f-ten Transistors (Mf) mit dem a-ten Taktanschluss (221) verbunden ist und ein Drain des f-ten Transistors (Mf) mit dem Gate des e-ten Transistors (Me) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei die Starteinheit (START) des Weiteren aufweist: einen siebten Transistor (M7), wobei ein Gate des siebten Transistors (M7) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist, eine Source des siebten Transistors (M7) mit dem Gate des fünften Transistors (M5) verbunden ist und ein Drain des siebten Transistors (M7) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen g-ten Transistor (Mg), wobei ein Gate des g-ten Transistors (Mg) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist, eine Source des g-ten Transistors (Mg) mit dem Gate des e-ten Transistors (Me) verbunden ist und ein Drain des g-ten Transistors (Mg) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen achten Transistor (M8), wobei ein Gate des achten Transistors (M8) mit dem Gate des fünften Transistors (M5) verbunden ist, eine Source des achten Transistors (M8) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist und ein Drain des achten Transistors (M8) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen h-ten Transistor (Mh), wobei ein Gate des h-ten Transistors (Mh) mit dem Gate des e-ten Transistors (Me) verbunden ist, eine Source des h-ten Transistors (Mh) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist und ein Drain des h-ten Transistors (Mh) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen neunten Transistor (M9), wobei ein Gate des neunten Transistors (M9) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist, eine Source des neunten Transistors (M9) mit dem zweiten Taktanschluss (122) verbunden ist und ein Drain des neunten Transistors (M9) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist; und einen dritten Kondensator (C3), der zwischen der Source des neunten Transistors (M9) und dem zweiten Taktanschluss (122) angeschlossen ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen i-ten Transistor (Mi), wobei ein Gate des i-ten Transistors (Mi) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist, eine Source des i-ten Transistors (Mi) mit dem b-ten Taktanschluss (222) verbunden ist und ein Drain des i-ten Transistors (Mi) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist; einen c-ten Kondensator (Cc), der zwischen der Source des i-ten Transistors (Mi) und dem b-ten Taktanschluss (222) angeschlossen ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 11, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen zehnten Transistor (M10), wobei ein Gate des zehnten Transistors (M10) mit dem zweiten Taktanschluss (222) verbunden ist, eine Source des zehnten Transistors (M10) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist und ein Drain des zehnten Transistors (M10) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 12, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen j-ten Transistor (Mj), wobei ein Gate des j-ten Transistors (Mj) mit dem b-ten Taktanschluss (222) verbunden ist, eine Source des j-ten Transistors (Mj) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist und ein Drain des j-ten Transistors (Mj) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 11, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen elften Transistor (M11), wobei ein Gate des elften Transistors (M11) mit dem zweiten Taktanschluss (122) verbunden ist, eine Source des elften Transistors (M11) mit dem ersten Ausgangsanschluss (131) verbunden ist und ein Drain des elften Transistors (M11) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 12, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen k-ten Transistor (Mk), wobei ein Gate des k-ten Transistors (Mk) mit dem b-ten Taktanschluss (222) verbunden ist, eine Source des k-ten Transistors (Mk) mit dem Drain des a-ten Ausgangsanschlusses (231) verbunden ist und ein Drain des k-ten Transistors (Mk) mit dem b-ten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 4, darüber hinaus umfassend: eine Rücksetzsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Rücksetzsignal (RST) zu erzeugen; wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen ersten Rücksetzeingangsanschluss (141), der mit der Rücksetzsteuerung verbunden ist, um das Rücksetzsignal (RST) zu empfangen; und das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen a-ten Rücksetzeingangsanschluss (241), der mit der Rücksetzsteuerung verbunden ist, um das Rücksetzsignal (RST) zu empfangen.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 17, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen zwölften Transistor (M12), wobei ein Gate des zwölften Transistors (M12) mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss (141) verbunden ist, eine Source des zwölften Transistors (M12) mit dem Drain des zweiten Transistors (M2) verbunden ist und ein Drain des zwölften Transistors (M12) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 17, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen l-ten Transistor (Ml), wobei ein Gate des l-ten Transistors (Ml) mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss (241) verbunden ist, eine Source des l-ten Transistors (Ml) mit dem Drain des b-ten Transistors (Mb) verbunden ist und ein Drain des l-ten Transistors (Ml) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 17, wobei die Starteinheit (START) darüber hinaus umfasst: einen dreizehnten Transistor (M13), wobei ein Gate des dreizehnten Transistors (M13) mit dem ersten Rücksetzeingangsanschluss (241) verbunden ist, eine Source des dreizehnten Transistors (M13) mit dem ersten Ausgangsanschluss (131) verbunden ist und ein Drain des dreizehnten Transistors (M13) mit dem zweiten Eingangsanschluss (112) verbunden ist.
Gate-Ansteuerschaltung nach Anspruch 17, wobei das Schieberegister (SRm) darüber hinaus umfasst: einen m-ten Transistor (Mm), wobei ein Gate des m-ten Transistors (Mm) mit dem a-ten Rücksetzeingangsanschluss (241) verbunden ist, eine Source des m-ten Transistors (Mm) mit dem a-ten Ausgangsanschluss (231) verbunden ist und ein Drain des m-ten Transistors (Mm) mit dem b-ten Eingangsanschluss (212) verbunden ist.
Ansteuerverfahren zur Ansteuerung einer Gate-Ansteuerschaltung, wobei die Gate-Ansteuerschaltung aufweist: M kaskadenartig angeordnete Schieberegister (SRm); eine Taktsteuerung, die dazu ausgelegt ist, zwei gegenphasige Taktsignale (CK, CKB) zu erzeugen; eine Hochpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Hochpegelsignal (VGH) zu erzeugen, und eine Tiefpegelsteuerung, die dazu ausgelegt ist, ein Tiefpegelsignal (VGL) zu erzeugen, wobei die Hochpegelsteuerung oder die Tiefpegelsteuerung während eines Anfangsstadiums ein anfängliches Impulssignal erzeugt; und eine Starteinheit (START), die mit den M Schieberegistern (SRm) kaskadenartig angeordnet und dazu ausgelegt ist, den Schieberegistern (SRm) ein Startsignal (STV) bereitzustellen, wobei M eine natürliche Zahl ist; wobei das Ansteuerverfahren umfasst: ein Startstadium der Starteinheit und ein Ausgabestadium der Starteinheit, wobei das anfängliche Impulssignal und die beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) in die Starteinheit (START) während des Startstadiums der Starteinheit eingegeben werden; und das Hochpegelsignal (VGH)/Tiefpegelsignal (VGL) und die beiden gegenphasigen Taktsignale (CK, CKB) in die Starteinheit (START) während des Ausgabestadiums der Starteinheit eingegeben werden, wobei der erste Ausgangsanschluss das Startsignal (STV) ausgibt.
Ansteuerverfahren nach Anspruch 22, wobei die Starteinheit (START) einen ersten Taktanschluss (121) und einen zweiten Taktanschluss (122) aufweist, ein vom ersten Taktanschluss (121) empfangenes Signal gegenphasig zum anfänglichen Impulssignal ist und ein vom zweiten Taktanschluss (122) empfangenes Signal phasengleich mit dem anfänglichen Impulssignal ist.