DE102015009512A1 - Polyurethan-Polierkissen - Google Patents

Polyurethan-Polierkissen Download PDF

Info

Publication number
DE102015009512A1
DE102015009512A1 DE102015009512.9A DE102015009512A DE102015009512A1 DE 102015009512 A1 DE102015009512 A1 DE 102015009512A1 DE 102015009512 A DE102015009512 A DE 102015009512A DE 102015009512 A1 DE102015009512 A1 DE 102015009512A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
polishing pad
isocyanate
polishing
reaction product
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102015009512.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Bainian Qian
Raymond L. Lavoie Jr.
Marty DeGroot
Benson Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=55273973&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE102015009512(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc, Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Publication of DE102015009512A1 publication Critical patent/DE102015009512A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces

Abstract

Das Polierkissen dient zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten. Das Polierkissen umfasst ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird. Das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen weist 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO auf und es weist ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 102 bis 109 Prozent auf. Das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen wird mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet. Das gegossene Polyurethan-Polymermaterial weist, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C, auf. Das Polierkissen weist eine Porosität von 20 bis 50 Volumenprozent und eine Dichte von 0,60 bis 0,95 g/cm3 auf.

Description

  • HINTERGRUND
  • Diese Beschreibung betrifft Polierkissen, die zum Polieren und Planarisieren von Substraten geeignet sind, und insbesondere Planarisierungspolierkissen, die erhöhte Metallentfernungsgeschwindigkeiten mit niedrigen Defektniveaus aufweisen.
  • Polyurethan-Polierkissen sind der primäre Kissentyp für verschiedene anspruchsvolle Präzisionspolieranwendungen. Diese Polyurethan-Polierkissen sind zum Polieren von Siliziumwafern, strukturierten Wafern, Flachbildschirmen und magnetischen Speicherplatten effektiv. Insbesondere stellen Polyurethan-Polierkissen die mechanische Integrität und chemische Beständigkeit für die meisten Poliervorgänge bereit, die zur Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet werden. Beispielsweise weisen Polyurethan-Polierkissen eine hohe Festigkeit, so dass sie einem Zerreißen widerstehen, eine Abriebbeständigkeit zum Vermeiden von Verschleißproblemen während des Polierens und eine Stabilität auf, so dass sie einem Angriff durch stark saure und stark ätzende Polierlösungen widerstehen.
  • Die Herstellung von Halbleitern umfasst typischerweise mehrere chemisch-mechanische Planarisierungsvorgänge (CMP-Vorgänge). Bei jedem CMP-Vorgang entfernt ein Polierkissen kombiniert mit einer Polierlösung, wie z. B. einer Schleifmittel-enthaltenden Polieraufschlämmung oder einer Schleifmittel-freien reaktiven Flüssigkeit, überschüssiges Material in einer Weise, so dass zur Aufnahme einer nachfolgenden Schicht eine Planarisierung erreicht wird oder die Ebenheit aufrechterhalten wird. Das Stapeln dieser Schichten führt zu einer Kombination, die eine integrierte Schaltung bildet. Die Herstellung dieser Halbleitervorrichtungen wird aufgrund von Anforderungen für Vorrichtungen mit höheren Betriebsgeschwindigkeiten, geringeren Leck- bzw. Kriechströmen und vermindertem Energieverbrauch immer komplexer. Bezüglich der Vorrichtungsarchitektur führt dies zu feineren Merkmalsgeometrien und erhöhten Metallisierungsniveaus. Diese immer strengeren Anforderungen bezüglich der Vorrichtungsgestaltung treiben bei manchen Anwendungen die Verwendung einer größeren Anzahl von Wolframverbindungspfropfen oder -durchgangs-löchern zusammen mit neuen dielektrischen Materialien mit niedrigeren Dielektrizitätskonstanten voran. Die verschlechterten physikalischen Eigenschaften, die häufig mit Low-k- und Ultra-low-k-Materialien einhergehen, haben zusammen mit der erhöhten Komplexität der Vorrichtungen zu höheren Anforderungen bei den CMP-Verbrauchsmaterialien, wie z. B. Polierkissen und Polierlösungen, geführt.
  • Insbesondere Low-k- und Ultra-low-k-Dielektrika neigen dazu, verglichen mit herkömmlichen Dielektrika eine geringere mechanische Festigkeit und eine schlechtere Haftung aufzuweisen, was eine Planarisierung schwieriger macht. Darüber hinaus werden mit kleiner werdenden Merkmalsgrößen von integrierten Schaltungen CMP-induzierte Defekte, wie z. B. ein Verkratzen, zu einem größeren Problem. Ferner erfordert die abnehmende Filmdicke von integrierten Schaltungen Verbesserungen bezüglich der Defekte, während gleichzeitig für ein Wafersubstrat eine akzeptable Topographie bereitgestellt wird, wobei diese Topographieanforderungen immer strengere Vorgaben bezüglich der Planarität, des Dishings und der Erosion erfordern.
  • Das Gießen von Polyurethan zu Massen und das Schneiden der Massen in mehrere dünne Polierkissen hat sich als effektives Verfahren zur Herstellung von Polierkissen mit gleichbleibend reproduzierbaren Poliereigenschaften erwiesen. Kulp et al. offenbaren in dem US-Patent Nr. 7,169,030 die Verwendung von Polierkissen mit hoher Zugfestigkeit zur Verbesserung der Planarisierung, während eine geringe Defektbildung aufrechterhalten wird. Leider weisen Polyurethan-Polierkissen, die aus diesen Formulierungen hergestellt werden, nicht die Metallentfernungsgeschwindigkeit und Poliereigenschaften mit geringer Defekterzeugung auf, die für die meisten anspruchsvollen Polieranwendungen mit geringen Defekten erforderlich sind.
  • ANGABE DER ERFINDUNG
  • Ein Aspekt der Erfindung umfasst ein Polierkissen, das zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet ist, wobei das Polierkissen ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial umfasst, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist, ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 102 bis 109 Prozent aufweist, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet wird, wobei das gegossene Polyurethan-Polymermaterial, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C (ASTM D5279), aufweist, und wobei das Polierkissen eine Porosität von 20 bis 50 Volumenprozent und eine Dichte von 0,60 bis 0,95 g/cm3 aufweist.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung stellt ein Polierkissen bereit, das zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet ist, wobei das Polierkissen ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial umfasst, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist, ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 103 bis 107 Prozent aufweist, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet wird, wobei das gegossene Polyurethan-Polymermaterial, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C (ASTM D5279), aufweist, wobei das Verhältnis von Scherspeichermodul G' bei 40°C zu Scherverlustmodul G' bei 40°C 8 bis 15 beträgt und wobei das Polierkissen eine Porosität von 20 bis 50 Volumenprozent und eine Dichte von 0,60 bis 0,95 g/cm3 aufweist.
  • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Balkendiagramm, das die verbesserten TEOS-Dielektrikum-Entfernungsgeschwindigkeiten zeigt, die mit Polierkissen der Erfindung erreicht worden sind.
  • 2 ist eine Auftragung, die verbesserte TEOS- und thermisches Oxiddielektrikum-Entfernungsgeschwindigkeiten zeigt, die über einen Bereich von Aufschlämmungsflussraten erreicht worden sind.
  • 3 ist eine schematische Darstellung, die den Querschnitt eines strukturierten Wafers vor dem chemisch-mechanischen Planarisieren zeigt.
  • 4 zeigt die Wafermaterialentfernung, die zur Verminderung der Stufenhöhe mit Linie/Abstand (L/S) von 500 μm/500 μm erforderlich ist.
  • 5 zeigt die Wafermaterialentfernung, die zur Verminderung der Stufenhöhe mit Linie/Abstand (L/S) von 25 μm/25 μm erforderlich ist.
  • 6 ist eine Messung der Zeit, die zum Erreichen einer Planarisierung erforderlich ist, wenn ein strukturierter TEOS-Wafer poliert wird.
  • 7 ist eine Auftragung der Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeit gegen die Trägerandruckkraft in kPa.
  • 8 ist ein Balkendiagramm, das die verbesserte Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeit der Erfindung zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Das Polierkissen ist zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet. Insbesondere ist das Kissen zum Polieren von Halbleitersubstraten geeignet. Beispiele für Wafersubstrate, bei denen das Kissen eine besondere Effektivität aufweist, umfassen ein Wolframpolieren und ein TEOS- und ein Flachgrabenisolations- oder STI-Polieren mit Ceroxidteilchen-enthaltenden Aufschlämmungen. Das Polierkissen umfasst ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird. Das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen weist 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO und ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 102 bis 109 Prozent auf. Vorzugsweise beträgt dieses stöchiometrische Verhältnis 103 bis 107 Prozent. Das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen wird mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet.
  • Das gegossene Polyurethan-Polymermaterial weist, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C (ASTM D5279) bei einer Frequenz von 10 rad/s und einem Temperaturanstieg von 3°C/min auf. Vorzugsweise weist das Kissen ein Verhältnis von Scherspeichermodul G' zu Scherverlustmodul G'' von 8 bis 15 auf, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C. Insbesondere weist das Kissen ein Verhältnis von Scherspeichermodul G' zu Scherverlustmodul G'' von 8 bis 12 auf, gemessen bei 40°C. Diese Ausgewogenheit von Scherspeichermodul und Scherverlustmodul stellt eine hervorragende Kombination aus einer hohen Entfernungsgeschwindigkeit mit einer geringen Defekterzeugung bereit.
  • Das Polymer ist zur Bildung von porösen oder gefüllten Polierkissen effektiv. Für die Zwecke dieser Beschreibung umfasst ein Füllstoff für Polierkissen feste Teilchen, die sich während des Polierens ablösen oder lösen, und flüssigkeitsgefüllte Teilchen oder Kügelchen. Für die Zwecke dieser Beschreibung umfasst eine Porosität gasgefüllte Teilchen, gasgefüllte Kügelchen und Hohlräume, die mit anderen Mitteln erzeugt worden sind, wie z. B. durch mechanisches Einbringen von Gas in ein viskoses System, Injizieren von Gas in die Polyurethanschmelze, Einbringen von Gas in situ unter Verwendung einer chemischen Reaktion mit einem gasförmigen Produkt oder Vermindern des Drucks, so dass gelöstes Gas Blasen bildet. Die porösen Polierkissen enthalten eine Porositäts- oder Füllstoffkonzentration von mindestens 0,1 Volumenprozent. Diese Porosität oder dieser Füllstoff tragen zu dem Vermögen des Polierkissens bei, Polierfluide während des Polierens zu übertragen. Vorzugsweise weist das Polierkissen eine Porositäts- oder Füllstoffkonzentration von 20 bis 50 Volumenprozent auf. Bezüglich der Dichte sind Niveaus von 0,60 bis 0,95 g/cm3 effektiv. Vorzugsweise sind Dichteniveaus von 0,7 bis 0,9 g/cm3 effektiv.
  • Bei einer geringeren Porosität weist das Polierkissen nicht die erhöhten Polierentfernungsgeschwindigkeiten auf. Bei einer höheren Porosität weist das Polierkissen nicht die Steifigkeit auf, die für anspruchsvolle Planarisierungsanwendungen erforderlich ist. Gegebenenfalls weisen die Poren einen durchschnittlichen Durchmesser von weniger als 100 μm auf. Vorzugsweise weisen die Poren oder Füllstoffteilchen ein Gewichtsmittel des Durchmessers von 10 bis 60 μm auf. Insbesondere weisen die Poren oder Füllstoffteilchen ein Gewichtsmittel des Durchmessers von 15 bis 50 μm auf.
  • Das Einstellen der Konzentration von nicht umgesetztem NCO ist zur Einstellung der Poreneinheitlichkeit von Poren, die direkt oder indirekt mit einem Füllstoffgas gebildet worden sind, besonders effektiv. Dies ist darauf zurückzuführen, dass Gase dazu neigen, mit einer viel höheren Geschwindigkeit und einem größeren Ausmaß als Feststoffe und Flüssigkeiten einer Wärmeausdehnung zu unterliegen. Beispielsweise ist das Verfahren für eine Porosität, die gebildet wird durch Gießen von hohlen Mikrokügelchen, die entweder vorgeschäumt oder in situ geschäumt werden, unter Verwendung von chemischen Treibmitteln, durch mechanisches Einbringen von Gas und unter Verwendung von gelösten Gasen, wie z. B. Argon, Kohlendioxid, Helium, Stickstoff und Luft, oder überkritischen Fluiden, wie z. B. überkritischem Kohlendioxid oder Gasen, die in situ als Reaktionsprodukt gebildet werden, besonders effektiv.
  • Beispiele
  • Gegossene Polyurethanmassen wurden durch kontrolliertes Mischen von (a) einem Vorpolymer mit Isocyanat-Endgruppen bei 51°C (oder gewünschten Temperaturen auf der Basis verschiedener Formulierungen), das durch die Reaktion eines polyfunktionellen Isocyanats (d. h., Toluoldiisocyanat, TDI) und eines Polyols auf Polyetherbasis (z. B. Adiprene® LF750D und andere, die in den Tabellen angegeben sind und von Chemtura Corporation erhältlich sind) erhalten worden ist, (b) einem Härtungsmittel bei 116°C und gegebenenfalls (c) einem Füllstoff mit hohlem Kern (d. h., Expancel® 551DE40d42, 461DE20d60 oder 461DE20d70, von Akzo Nobel erhältlich) hergestellt. Das Verhältnis des Vorpolymers mit Isocyanat-Endgruppen und des Härtungsmittels wurde so eingestellt, dass die Stöchiometrie, die durch das Verhältnis von aktiven Wasserstoffgruppen (d. h., der Summe der -OH-Gruppen und -NH2-Gruppen) in dem Härtungsmittel zu den nicht umgesetzten Isocyanat(NCO)-Gruppen in dem Vorpolymer mit Isocyanat-Endgruppen festgelegt ist, gemäß jeder Formulierung eingestellt wurde, wie sie in den Tabellen angegeben sind. Der Füllstoff mit hohlem Kern wurde vor dem Zusetzen von 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel in das Vorpolymer mit Isocyanat-Endgruppen eingemischt. Das Vorpolymer mit Isocyanat-Endgruppen mit dem einbezogenen Füllstoff mit hohlem Kern wurde dann mit einem Mischkopf mit hoher Scherung gemischt. Nach dem Austreten aus dem Mischkopf wurde das Gemisch während eines Zeitraums von 3 Minuten in eine kreisförmige Form mit einem Durchmesser von 86,4 cm (34 Zoll) eingebracht, so dass eine Gesamtgießdicke von etwa 8 cm (3 Zoll) erhalten wurde. Das eingebrachte Gemisch wurde für 15 min gelieren gelassen, bevor die Form in einen Härtungsofen eingebracht wurde. Die Form wurde dann in dem Härtungsofen unter Verwendung des folgenden Zyklus ausgehärtet: 30 Minuten Anstieg der Ofensolltemperatur von Umgebungstemperatur auf 104°C, dann Halten für 15,5 Stunden mit einer Ofensolltemperatur von 104°C und dann 2 Stunden Absenkung der Ofensolltemperatur von 104°C hinab auf 21°C.
  • Die Tabelle 1 enthält die Polierkissenformulierungen, die gemäß dem vorstehenden Verfahren mit verschiedenen Vorpolymeren hergestellt worden sind, die Stöchiometrien, die Porengröße, das Porenvolumen und die Rillenstruktur. Die ausgehärteten Polyurethanmassen wurden dann aus der Form entnommen und bei einer Temperatur von 30 bis 80°C in eine Mehrzahl von Polierschichten mit einer durchschnittlichen Dicke von 1,27 mm (50 mil) oder 2,0 mm (80 mil) geschnitten (unter Verwendung einer sich bewegenden Klinge). Das Schneiden wurde von der Oberseite jeder Masse her durchgeführt.
  • Die Tabelle 1 gibt die Haupteigenschaften der in dieser Untersuchung verwendeten Polierschicht an. Die Polierschicht für die Kissenbeispiele 1 und 2 wurde mit Perforationen (P) bzw. Perforationen plus einer AC24-Deckschicht (P + AC24) für einen besseren Aufschlämmungstransport versehen. Die Perforationen wiesen einen Durchmesser von 1,6 mm und einen Abstand von 5,4 mm in MD und von 4,9 mm in XD auf und waren in einer versetzten Struktur angeordnet. Die Deckschicht AC24 ist eine Rillenstruktur des X-Y-Typs oder quadratischen Typs mit Abmessungen einer Tiefe von 0,6 mm, einer Breite von 2,0 mm und eines Abstands von 40 mm. Auf die Polierschicht wurde ein 1,02 mm (40 mil) dickes SubaTM 400-Unterkissen aufgebracht. Die Polierschicht für die Kissenbeispiele 3 und 4 wurde mit kreisförmigen 1010- und K-7-Rillen versehen. Die 1010-Rillen wiesen eine Breite von 0,51 mm (20 mil), eine Tiefe von 0,76 mm (30 mil) und einen Abstand von 3,05 mm (120 mil) auf. Die K-7-Rillen wiesen eine Breite von 0,51 mm (20 mil), eine Tiefe von 0,76 mm (30 mil) und einen Abstand von 1,78 mm (70 mil) auf. Tabelle 1
    Kissen Vorpolymer Vorpolymer-NCO (Gew.-%) Stöchiometrie NH2 zu NCO (%) Porengröße (μm) Porositätsvolumen (%) Rille
    1 Adiprene L325 8,95–9,25 105 20 36,4 P
    2 Adiprene L325 8,95–9,25 105 20 36,4 P + AC24
    3 Adiprene L325 8,95–9,25 105 20 33,1 1010
    4 Adiprene L325 8,95–9,25 105 20 34,8 K-7
    A Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 30,5 P
    B Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 30,5 P + AC24
    C Adiprene LF750D 8,75–9,05 105 20 19,2 P
    D Adiprene L325 8,95–9,25 87 20 33,6 1010
    E Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 31,4 1010
    F Adiprene L325 8,95–9,25 105 20 15,7 1010
    G Adiprene L325 8,95–9,25 87 20 17,9 1010
    H Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 30,4 1010
    I Adiprene L325 8,95–9,25 87 20 33,0 K-7
    J Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 29,7 K-7
    K Adiprene L325 8,95–9,25 87 40 39,1 K-7
    L Adiprene LF750D 8,75–9,05 105 20 16,1 K-7
    M Adiprene LF750D/Adiprene LFG740D (1:1 gewichtsbezogen) 8,75–9,05/8,65–9,05 95 20 13,0 K-7
    Adiprene® ist ein Urethan-Vorpolymerprodukt von Chemtura Corporation.
    Adiprene L325 ist ein Urethan-Vorpolymer aus H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol (PTMEG), das 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist.
    Adiprene LFG740D ist ein Urethan-Vorpolymer aus TDI mit Polypropylenglykol (PPG), das mit Ethylenoxid-Endgruppen versehen ist, und es weist 8,65 bis 9,05 Gew.-% nicht umgesetztes NCO auf.
    Adiprene LF750D ist ein Urethan-Vorpolymer aus einem Urethan-TDI-PTMEG-Vorpolymer, das 8,75 bis 9,05 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist.
  • Polieren eines unstrukturierten Oxidwafers
  • Die verwendete Aufschlämmung war eine Aufschlämmung auf Ceroxidbasis mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,1 μm, die mit entionisiertem Wasser in einem Verhältnis von 1:9 an dem Ort des Polierens verdünnt worden ist. Das Polieren wurde auf einem 300 mm-CMP-Poliersystem FREX300 von Ebara Technologies, Inc. durchgeführt. Die nachstehende Tabelle 2 fasst die Polierbedingungen zusammen. Tabelle 2
    Poliergerät FREX300 (Ebara)
    Kopf G2S
    Andruckkraft CAP/RAP/OAP/EAP/RRP/PCP: 500/500/500/500/650/250 [HPa] Nach der Profileinstellung: 500/500/450/400/650/250 [HPa]
    TT/TP 100/107 [U/min]
    Aufschlämmungsflussrate 188 ml/min
    Polierzeit Prüf/Blindprobe: 30 Sekunden
    Abrichteinrichtung Asahi
    Abrichten Andruckkraft = 100 N, Tisch 20 U/min, Abrichteinrichtung 16 U/min, Einlaufen: 600 s, Ex-situ 30 s
  • Es wurden zwei Arten von Oxidwafern bewertet. Es handelte sich um einen TEOS-Oxidwafer, der durch chemische Gasphasenabscheidung gebildet worden ist (TEOS stellt das Zersetzungsprodukt von Tetraethylorthosilikat dar), und einen Wafer mit thermisch gewachsenem Oxid (th-SiO2). Die Entfernungsgeschwindigkeiten der zwei Arten von Oxidwafern sind in der 1 gezeigt und nachstehend in der Tabelle 3 zusammengefasst. Tabelle 3
    Kissen Stöchiometrie NH2 zu NCO (%) Porengröße (μm) Porositätsvolumen (%) Rillen TEOS-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min) Entfernungsgeschwindigkeit von thermischem Oxid (Å/min)
    1 105 20 36,4 P 8342 7344
    2 105 20 36,4 P + AC24 9303 7976
    A 87 40 30,5 P 5875 5074
    B 87 40 30,5 P + AC24 6759 5760
    C 105 20 19,2 P 6728 5771
  • Für TEOS-Oxidwafer wurden die Entfernungsgeschwindigkeiten auch bei verschiedenen Aufschlämmungsflussraten bewertet, wobei die Ergebnisse in der 2 gezeigt sind. Polierkissen mit einer Stöchiometrie von 105 Prozent zeigten einheitlich höhere TEOS-Entfernungsgeschwindigkeiten bei verschiedenen Aufschlämmungsflussraten.
  • Polieren von strukturierten TEOS-Wafern
  • In der Tabelle 4 sind Polierkissen angegeben, die bei einer Untersuchung von strukturierten Wafern verwendet worden sind. Die verwendete Aufschlämmung war eine Aufschlämmung auf Ceroxidbasis mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 0,1 μm, die mit entionisiertem Wasser in einem Verhältnis von 1:9 an dem Ort des Polierens verdünnt worden ist. Alle Kissen wiesen eine perforierte 1,27 mm (50 mil)-Polierschicht und ein aufgebrachtes Suba 400-Unterkissen auf. Die Polierbedingungen für die Untersuchung von strukturierten Wafern sind in der Tabelle 5 zusammengefasst. Tabelle 4
    Kissen Stöchiometrie NH2 zu NCO % Porengröße (μm) Porositätsvolumen % Rillen
    1 105 20 36,4 P
    A 87 40 30,5 P
    C 105 20 19,2 P
    Tabelle 5
    Poliergerät FREX300 (Ebara)
    Kopf G2S
    Andruckkraft CAP/RAP/OAP/EAP/RRP/PCP: 500/500/500/500/650/250 [HPa] Nach der Profileinstellung: 500/500/450/400/650/250 [HPa]
    TT/TP 100/107 [rpm]
    Aufschlämmungsflussrate 188 ml/min
    Polierzeit Prüf/Blindprobe: 10 Sekunden
    Abrichteinrichtung Asahi
    Abrichten Andruckkraft = 100 N, Tisch 20 U/min, Abrichteinrichtung 16 U/min, Einlaufen: 600 s, Ex-situ 30 s
  • Der strukturierte Wafer wies eine Stufenhöhe von 5000 Å (MIT-STI-764-Struktur) auf, die durch chemische Gasphasenabscheidung von 7000 Å TEOS gebildet worden ist. Der Querschnitt eines strukturierten Wafers nach der TEOS-Abscheidung ist in der 3 gezeigt. Die Planarisierungseffizienz wurde bei Linie/Abstand (L/S) sowohl von 500 μm/500 μm als auch von 25 μm/25 μm bewertet.
  • Es wurde gefunden, dass die Planarisierungseffizienz des Kissens 1 besser war als diejenige des Kontrollkissens A und mit derjenigen eines weniger porösen und steiferen Kontrollkissens C vergleichbar war, wie es in den 4 und 5 gezeigt ist. Eine schnellere Stufenhöhenverminderung zeigt eine bessere Planarisierungseffizienz. Ferner wies das Kissen 1 sowohl eine hohe Entfernungsgeschwindigkeit als auch eine gute Planarisierungseffizienz auf. Als Ergebnis kann es die Polierzeit zum Erreichen einer Planarisierung signifikant vermindern, wie es in der 6 gezeigt ist. Das Verhältnis stellt die Polierzeit für das Kissen in Bezug auf das Kontrollkissen A dar. Je niedriger das Verhältnis ist, desto effektiver ist das Kissen beim Erreichen einer Planarisierung.
  • Polieren eines unstrukturierten Wolframwafers
  • Ein Wolframpolieren mit 200 mm-Wafern wurde in einem MirraTM-Poliergerät durchgeführt, das von Applied Materials hergestellt worden ist. Die Polierbedingungen sind nachstehend für eine anfängliche Bewertung mit einer Cabot SSW2000-Wolframaufschlämmung zusammengefasst. Das obere Kissen war 2,03 mm (80 mil) dick und war mit 1010-Rillen und einem 1,02 mm (40 mil) dicken SUBATM IV-Unterkissen versehen.
  • Polierbedingungen für 200 mm-Wolframwafer:
    • Aufschlämmung: Cabot SSW2000 (1:2-Verdünnung mit entionisiertem Wasser mit 2,0 Gew.-% H2O2)
    • Aufschlämmungsflussrate: 125 ml/min
    • Aufschlämmungstropfpunkt: etwa 66 mm von der Mitte
    • Konditioniereinrichtung: Saesol AM02BSL8031C1-PM
    • Einlaufen des Kissens: 113/93 U/min, 3,2 kgf (7 lbf) CDF, insgesamt 10 Zonen, 3600 Sekunden
    • Ex situ-Verfahren: 113/93 U/min, 3,2 kgf (7 lbf), insgesamt 10 Zonen, 10 Sekunden
    • Rille: 1010
  • Polierbedingungen
    • Andruckkraft: 29 kPa (4,2 psi)
    • Plattendrehzahl: 113 U/min
    • Trägerdrehzahl: 111 U/min
    • Polierzeit: 60 Sekunden
  • Die Tabelle 6 fasst die Kissenhaupteigenschaften zusammen und vergleicht die Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeit mit der Cabot SSW2000-Aufschlämmung bei einer 1:2-Verdünnung mit entionisiertem Wasser und 2,0 Gew.-% H2O2. Tabelle 6
    Kissen Stöchiometrie NH2 zu NCO (%) Porengröße (μm) Porositätsvolumen (%) Rille W-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min)
    3 105 20 33,1% 1010 4349
    D 87 20 33,6% 1010 3916
    E 87 40 31,4% 1010 3039
    F 105 20 15,7% 1010 3380
    G 87 20 17,9% 1010 3237
    H 87 40 30,4% 1010 2914
  • Die Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeiten waren für das Kissen 3, das eine Polierschicht für H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol-Polierkissen aufwies, die mit 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet worden sind und eine Stöchiometrie von 105% und 33 Volumenprozent Poren aufwiesen, signifikant höher. Die 7 zeigt, dass das Kissen 3 bei verschiedenen Polierandruckkräften höhere Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeiten aufwies.
  • In einer zweiten Testreihe wurden auch eine Cabot SSW2000-Aufschlämmung bei einem anderen Verdünnungsverhältnis (1:1,5 mit entionisiertem Wasser) und eine hochentwickelte Wolfram-Aufschlämmung bewertet. Die Polierbedingungen sind nachstehend zusammengefasst.
    • Gerät: Applied Mirra mit Titan SP + Kopf
    • Aufschlämmung 1: W2000 (1:1,5, 2,4 Gew.-% H2O2), 70 ml/min
    • Aufschlämmung 2: Hochentwickelte Wolfram-Aufschlämmung (1:1,8, 2,0 Gew.-% H2O2), 100 ml/min
  • Konditionierscheibe:
    • Kinik PDA32P-2N(IDG-2) für die W2000-Tests
    • 3M A3700 für die Tests mit der hochentwickelten Wolfram-Aufschlämmung
  • Vorschriften für W2000
    • Einlaufen des Kissens: 113/93 U/min, 5,0 kgf (11 lbf) CDF, insgesamt 10 Zonen, 30 min
    • Polieren: 113/111 U/min, 29 kPa (4,2 psi), 60 Sekunden, 70 ml/min
    • Konditionieren: Ex situ: 113/93 U/min, 5,0 kgf (11 lbf) CDF, insgesamt 10 Zonen, 6 Sekunden
  • Vorschriften für die hochentwickelte Wolfram-Aufschlämmung
    • Einlaufen des Kissens: 80/36 U/min, 3,2 kgf (7 lbf) CDF, insgesamt 10 Zonen, 30 min
    • Polieren: 80/81 U/min, 21,4 kPa (3,1 psi), 100 ml/min, 60 Sekunden
    • Konditionieren: Ex situ: 80/36 U/min, 3,2 kgf (7 lbf) CDF, insgesamt 10 Zonen, 24 Sekunden
  • Alle oberen Kissen waren 2,03 mm (80 mil) dick und mit kreisförmigen K7-Rillen und einem 1,02 mm (40 mil) dicken SUBA IV-Unterkissen versehen. Die Tabelle 7 fasst die Kissenhaupteigenschaften, die Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeit und die maximale Poliertemperatur der verschiedenen Polierkissen zusammen. Die Wolfram-Entfernungsgeschwindigkeiten sind auch in der 8 gezeigt. Auch hier zeigten die Polierkissen der vorliegenden Erfindung eine signifikant höhere Entfernungsgeschwindigkeit. Tabelle 7
    Kissen Stöchiometrie NH2 zu NCO (%) Porengröße (μm) Porositätsvolumen (%) W2000-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min) W2000 Maximale Temperatur (°C) W*-Entfernungsgeschwindigkeit (Å/min) W* Maximale Temperatur (°C)
    4 105 20 34,8% 5755 59 1876 39
    I 87 20 33,0% 4231 56 1614 36
    J 87 40 29,7% 3619 57 1531 33
    K 87 40 39,1% 4231 53 1615 33
    L 105 20 16,1% 4809 57 NA NA
    M 95 20 13,0% 4585 50 1621 34
    * = Hochentwickelte Wolfram-Aufschlämmung
    NA = nicht verfügbar
    Die maximale Temperatur steht für die maximale Temperatur, die während des Polierens erreicht worden ist.
  • Physikalische Eigenschaften
  • Physikalische Matrixeigenschaftsdaten zeigen den kritischen Bereich für H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol, ausgehärtet mit 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin) bei einer Stöchiometrie von 105%. Ungefüllte Proben wurden im Labor mit einer Stöchiometrie im Bereich von etwa 87% bis 115% hergestellt. Die Härtemessungen wurden gemäß ASTM-D2240 zur Messung der Shore D-Härte unter Verwendung eines Shore S1, Modell 902-Messgeräts mit einer D-Spitze bei 2 Sekunden und dann erneut bei 15 Sekunden durchgeführt. Als nächstes wurden der Scherspeichermodul und der Scherverlustmodul mit einer Torsionsspannvorrichtung bei einer Frequenz von 10 rad/Sekunde und einem Temperaturanstieg von 3°C/min von –100°C bis 150°C (ASTM D5279) gemessen. Die Schermodulproben wiesen eine Breite von 6,5 mm, eine Dicke von 1,26 bis 2,0 mm und eine Spaltlänge von 20 mm auf. Das Testverfahren für den Medianwert des Zugmoduls (ASTM-D412) wurde durch Messen von 5 Prüfkörpern mit der folgenden Geometrie durchgeführt: Hantelform mit einer Gesamtlänge von 11,4 cm (4,5 Zoll), einer Gesamtbreite von 0,19 cm (0,75 Zoll), einer Halslänge von 3,8 cm (1,5 Zoll) und einer Halsbreite von 0,6 cm (0,25 Zoll). Der Greifabstand betrug 6,35 cm (2,5 Zoll) mit einer Nennmesslänge, die in die Software eingegeben wurde, von 3,81 cm für den Hals (1,5 Zoll), wobei die Kreuzkopfgeschwindigkeit 50,8 cm/min (20 Zoll/min) betrug.
  • Die physikalischen Eigenschaften sind in den Tabellen 8 und 9 zusammengefasst. Tabelle 8
    Kissenprobe Stöchiometrie Dichte g/cm3 Shore D bei 2 s Shore D bei 15 s G' bei 30°C, MPa G' bei 40°C, MPa G'' 40°C, MPa G' 90°C, MPa
    AA 86,7% 1,16 68 67 239 200 20,4 72,5
    BB 91,8% 1,16 71 70 256 216 23,9 81,1
    CC 95,3% 1,18 68 67 284 240 22,3 84,2
    DD 100,5% 1,17 71 69 281 237 26,2 85,7
    EE 103,0% 1,17 71 69 312 263 25,4 90,9
    FF 105,2% 1,15 71 69 323 270 26,8 92,4
    GG 108,3% 1,15 72 69 321 265 26,2 84,5
    HH 110,8% 1,16 71 69 297 246 26,3 76,9
    II 117,4% 1,17 67 66 269 215 26 60,7
    Tabelle 9
    Kissenprobe Stöchiometrie Medianwert der Zugfestigkeit (psi) Medianwert der Zugfestigkeit (MPa) Medianwert des Elastizitätsmoduls (psi) Medianwert des Elastizitätsmoduls (MPa)
    AA 86,7% 5372 37 57147 394
    BB 91,8% 5545 38 60635 418
    CC 95,3% 6011 41 62412 430
    DD 100,5% 5363 37 64914 448
    EE 103,0% 4790 33 67554 466
    FF 105,2% 4761 33 67216 464
    GG 108,3% 4622 32 64893 448
    HH 110,8% 4469 31 66564 459
    II 117,4% 4430 31 61026 421
    Tabelle 9 (Fortsetzung)
    Kissenprobe 25% Dehnungsmodul (psi) 25% Dehnungsmodul (MPa) 100% Dehnungsmodul (psi) 100% Dehnungsmodul (MPa)
    AA 3905 27 4764 33
    BB 4115 28 4836 33
    CC 4282 30 4954 34
    DD 4379 30 4907 34
    EE 4450 31 4931 34
    FF 4460 31 4927 34
    GG 4319 30 4635 32
    HH 4343 30 4577 32
    II 4266 29 4302 30
  • Zusammenfassend stellt die spezifische Kombination aus der Formulierung, dem Scherspeichermodul, dem Scherverlustmodul und der Porosität Wolfram- und TEOS-Poliereigenschaften bereit. Ferner wies dieses Polierkissen eine signifikant höhere Entfernungsgeschwindigkeit beim TEOS-Schichtwaferpolieren auf als gegenwärtige IC1000- oder VP5000-Industriestandardpolierkissen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7169030 [0005]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • ASTM D5279 [0006]
    • ASTM D5279 [0007]
    • ASTM D5279 [0017]
    • ASTM-D2240 [0035]
    • ASTM D5279 [0035]
    • ASTM-D412 [0035]

Claims (10)

  1. Polierkissen, das zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet ist, wobei das Polierkissen ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial umfasst, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist, ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 102 bis 109 Prozent aufweist, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet wird, wobei das gegossene Polyurethan-Polymermaterial, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C (ASTM D5279), aufweist, und wobei das Polierkissen eine Porosität von 20 bis 50 Volumenprozent und eine Dichte von 0,60 bis 0,95 g/cm3 aufweist.
  2. Polierkissen nach Anspruch 1, bei dem das Verhältnis des Scherspeichermoduls G' bei 40°C zu dem Scherverlustmodul G' bei 40°C 8 bis 15 beträgt.
  3. Polierkissen nach Anspruch 1, bei dem das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen und das 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin) ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 103 bis 107 Prozent aufweisen.
  4. Polierkissen nach Anspruch 1, wobei das Polierkissen Poren mit einem durchschnittlichen Durchmesser von weniger als 100 μm aufweist.
  5. Polierkissen nach Anspruch 4, bei dem die Dichte 0,7 bis 0,9 g/cm3 beträgt.
  6. Polierkissen, das zum Planarisieren von mindestens einem von Halbleitersubstraten, optischen Substraten und magnetischen Substraten geeignet ist, wobei das Polierkissen ein gegossenes Polyurethan-Polymermaterial umfasst, das aus einer Vorpolymerreaktion von H12MDI/TDI mit Polytetramethylenetherglykol zur Bildung eines Reaktionsprodukts mit Isocyanat-Endgruppen gebildet wird, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen 8,95 bis 9,25 Gew.-% nicht umgesetztes NCO aufweist, ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 103 bis 107 Prozent aufweist, wobei das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen mit einem 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin)-Härtungsmittel ausgehärtet wird, wobei das gegossene Polyurethan-Polymermaterial, gemessen in einem nicht-porösen Zustand, einen Scherspeichermodul G' von 250 bis 350 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 30°C und 40°C, und einen Scherverlustmodul G'' von 25 bis 30 MPa, gemessen mit einer Torsionsspannvorrichtung bei 40°C (ASTM D5279), aufweist, wobei das Verhältnis des Scherspeichermoduls G' bei 40°C zu dem Scherverlustmodul G' bei 40°C 8 bis 15 beträgt und wobei das Polierkissen eine Porosität von 20 bis 50 Volumenprozent und eine Dichte von 0,60 bis 0,95 g/cm3 aufweist.
  7. Polierkissen nach Anspruch 6, bei dem das Verhältnis des Scherspeichermoduls G' bei 40°C zu dem Scherverlustmodul G'' bei 40°C 8 bis 12 beträgt.
  8. Polierkissen nach Anspruch 6, bei dem das Reaktionsprodukt mit Isocyanat-Endgruppen und das 4,4'-Methylenbis(2-chloranilin) ein stöchiometrisches Verhältnis von NH2 zu NCO von 104 bis 106 Prozent aufweisen.
  9. Polierkissen nach Anspruch 6, wobei das Polierkissen Poren mit einem durchschnittlichen Durchmesser von 10 bis 60 μm aufweist.
  10. Polierkissen nach Anspruch 9, bei dem die Dichte 0,70 bis 0,80 g/cm3 beträgt.
DE102015009512.9A 2014-08-22 2015-07-23 Polyurethan-Polierkissen Withdrawn DE102015009512A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/465,934 2014-08-22
US14/465,934 US9731398B2 (en) 2014-08-22 2014-08-22 Polyurethane polishing pad

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015009512A1 true DE102015009512A1 (de) 2016-02-25

Family

ID=55273973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015009512.9A Withdrawn DE102015009512A1 (de) 2014-08-22 2015-07-23 Polyurethan-Polierkissen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9731398B2 (de)
JP (1) JP6625368B2 (de)
KR (1) KR102456044B1 (de)
CN (1) CN105382680B (de)
DE (1) DE102015009512A1 (de)
FR (1) FR3024955B1 (de)
TW (1) TWI589613B (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
CN107078048B (zh) 2014-10-17 2021-08-13 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
CN117283450A (zh) 2016-01-19 2023-12-26 应用材料公司 多孔化学机械抛光垫
US10086494B2 (en) * 2016-09-13 2018-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High planarization efficiency chemical mechanical polishing pads and methods of making
US10181408B2 (en) * 2017-01-31 2019-01-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten using polyglycols and polyglycol derivatives
US10596763B2 (en) 2017-04-21 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing with array of energy sources
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US10600655B2 (en) * 2017-08-10 2020-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
US11179822B2 (en) * 2017-08-31 2021-11-23 Hubei Dinghui Microelectronics Materials Co., Ltd Polyurethane polishing layer, polishing pad comprising polishing layer, method for preparing polishing layer and method for planarizing material
JP7259311B2 (ja) * 2017-12-26 2023-04-18 Dic株式会社 研磨パッド及び研磨パッド用ウレタン樹脂組成物
CN112654655A (zh) 2018-09-04 2021-04-13 应用材料公司 先进抛光垫配方
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6705934B1 (en) * 1998-08-28 2004-03-16 Toray Industries, Inc. Polishing pad
JP4959901B2 (ja) 2000-05-27 2012-06-27 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド
JP3455208B2 (ja) * 2001-11-13 2003-10-14 東洋紡績株式会社 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック
KR100877389B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
CN1318469C (zh) * 2002-11-18 2007-05-30 东省A&T株式会社 具有微孔的聚氨酯泡沫的制备方法和由此获得的抛光垫
SG111222A1 (en) * 2003-10-09 2005-05-30 Rohm & Haas Elect Mat Polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
TWI372108B (en) * 2005-04-06 2012-09-11 Rohm & Haas Elect Mat Method for forming a porous reaction injection molded chemical mechanical polishing pad
US20090062414A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
KR101186531B1 (ko) * 2009-03-24 2012-10-08 차윤종 폴리우레탄 다공질체의 제조방법과 그 제조방법에 따른 폴리우레탄 다공질체 및 폴리우레탄 다공질체를 구비한 연마패드
JP5715770B2 (ja) * 2010-06-17 2015-05-13 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 低欠陥の一体型窓を有する化学機械研磨パッド及び当該化学機械研磨パッドを用いて基体を化学機械研磨する方法
US8257152B2 (en) * 2010-11-12 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Silicate composite polishing pad

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ASTM D5279
ASTM-D2240
ASTM-D412

Also Published As

Publication number Publication date
TWI589613B (zh) 2017-07-01
TW201615342A (zh) 2016-05-01
KR102456044B1 (ko) 2022-10-19
JP6625368B2 (ja) 2019-12-25
FR3024955A1 (fr) 2016-02-26
CN105382680A (zh) 2016-03-09
JP2016043479A (ja) 2016-04-04
KR20160023575A (ko) 2016-03-03
US20160052103A1 (en) 2016-02-25
US9731398B2 (en) 2017-08-15
CN105382680B (zh) 2020-02-28
FR3024955B1 (fr) 2019-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015009512A1 (de) Polyurethan-Polierkissen
DE60114183T2 (de) Polierkissen zum chemisch-mechanischen planarisieren
DE102015006980A1 (de) Chemisch-Mechanisches Polierverfahren
DE102017008616A1 (de) Chemisch-mechanische Polierkissen mit hoher Planarisierungseffizienz und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007024460A1 (de) Chemisch-mechanisches Polierkissen
DE102015007033A1 (de) Chemisch-mechanische Polierschichtformulierung mit Konditionierungstoleranz
DE102014013023A1 (de) Polyurethan-Polierkissen
TWI480123B (zh) 多功能研磨墊
DE102014015664A1 (de) Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Siliziumwafern
DE102015016427A1 (de) Gießverfahren für ein CMP-Kissen mit eingestellter Expansion
KR101526010B1 (ko) 화학 기계적 연마 패드
DE102013018258A1 (de) Weiches und konditionierbares chemisch-mechanisches Polierkissen
DE102015016424A1 (de) CMP-Gießverfahren mit eingestellter Viskosität
DE102016007767A1 (de) Formulierung für eine verbundpolierschicht für ein chemisch-mechanisches polierkissen
DE602004010871T2 (de) Polierscheibe
DE102016012533A1 (de) Chemisch-mechanisches Polierverfahren
DE102018004452A1 (de) Chemisch-mechanische Polierkissen für eine verbesserte Entfernungsgeschwindigkeit und Planarisierung
DE102014007027A1 (de) Weiches und konditionierbares chemisch-mechanisches Fensterpolierkissen
DE102016007772A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Verbundpolierschicht für ein chemisch-mechanisches Polierkissen
DE102015004786A1 (de) Chemisch-mechanisches Polierkissen
DE102014007002A1 (de) Chemisch-mechanischer Mehrschicht-Polierkissenstapel mit weicher und konditionierbarer Polierschicht
DE102019007230A1 (de) Chemisch-mechanisches polierkissen und polierverfahren
DE102015016425A1 (de) Polyurethan-Polierkissen mit hoher Stabilität
DE102016007771A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Polierschicht für ein chemisch-mechanisches Polierkissen
DE102014007024A1 (de) Weicher und konditionierbarer chemisch-mechanischer Polierkissenstapel

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee