DE102014220533A1

DE102014220533A1 - Wärmeableitende Leiterplatte und Herstellungsverfahren davon

Info

Publication number: DE102014220533A1
Application number: DE102014220533.6A
Authority: DE
Inventors: Mun Jong Kim; Kwan Bum LEE; Jin Su YEOM
Original assignee: Hyundai Motor Co; Kia Motors Corp; Yura Corp
Current assignee: Hyundai Motor Co; Yura Corp; Kia Corp
Priority date: 2013-12-20
Filing date: 2014-10-09
Publication date: 2015-06-25
Also published as: US9609737B2; CN104735904B; US20150181690A1; KR101509747B1; CN104735904A

Abstract

Eine wärmeableitende Leiterplatte beinhaltet einen Metallkern, untere und obere Isolierschichten, erste untere und erste obere Schaltkreismuster, und zweite untere und zweite obere Schaltkreismuster. Die untere und obere Isolierschicht sind an jeweils einer Unterseite und einer Oberseite des Metallkerns angeordnet. Das erste untere und das erste obere Schaltkreismuster sind jeweils an einer Unterseite der unteren Isolierschicht und an einer Oberseite der oberen Isolierschicht angeordnet. Das zweite untere und das zweite obere Schaltkreismuster sind jeweils an einer Unterseite des ersten unteren Schaltkreismusters und an einer Oberseite des ersten oberen Schaltkreismusters angeordnet. Ein Ätzabschnitt in dem ersten unteren Schaltkreismuster ist mit der unteren Isolierschicht gefüllt, und ein Ätzabschnitt in dem ersten oberen Schaltkreismuster ist mit der oberen Isolierschicht gefüllt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Das vorliegende erfinderische Konzept betrifft eine wärmeableitende Leiterplatte und ein Herstellungsverfahren. Insbesondere betrifft das vorliegende erfinderische Konzept eine wärmeableitende Leiterplatte und ein Herstellungsverfahren, welche die Wärmeableitcharakteristik verbessern können.
HINTERGRUND
Gewöhnlich wird ein leitendes Muster in einer Leiterplatte (PCB) gemäß eines entworfenen Schaltkreismusters derart gebildet, dass Hochtemperaturwärme abgeleitet wird gemäß dem leitenden Muster und den Teilen, welche in der PCB befestigt oder installiert sind. Dennoch tritt ein Fehler, wie zum Beispiel eine Fehlfunktion oder ein Bruch, in einem Schaltkreis auf, wenn Hochtemperaturwärme über ein vorher bestimmtes Niveau erzeugt wird von den Teilen, welche auf der Leiterplatte installiert sind oder auf dieser befestigt sind. Demzufolge wurde eine Leiterplatte mit einem Kupferkern, welcher darin ausgebildet ist, und einem Schaltkreismuster, welches aus Kupfer gebildet ist, vorgeschlagen, um die Hochtemperaturwärme abzuleiten, welche von den Teilen erzeugt wird, welche in der Leiterplatte montiert oder installiert sind. Dennoch hat die Leiterplatte, welche den Kupferkern beinhaltet, ein Problem, da das Gewicht der Leiterplatte und die Kosten gesteigert werden. Daher wurde eine Leiterplatte mit einem Aluminiumkern, welcher darin ausgebildet ist, und einem Schaltkreismuster, welches aus Aluminum gebildet ist, entwickelt. Jedoch weist die Leiterplatte, welche den Aluminiumkern beinhaltet, ein Problem damit auf, dass das Schaltkreismuster in einem Ätzprozess überätzt wird, wenn das Schaltkreismuster gebildet wird.
Die obigen Informationen, welche in diesem Hintergrundabschnitt offenbart sind, sind nur zur Steigerung des Verständnisses des Hintergrundes des erfinderischen Konzeptes, und daher kann dieser Information beinhalten, welcher nicht Stand der Technik bildet, welcher schon allgemein bekannt ist.
ZUSAMMENFASSUNG
Das vorliegende erfinderische Konzept wurde gemacht in einem Bestreben, eine wärmeableitende Leiterplatte zur Verfügung zu stellen, welche Produktqualität, reduziertes Gewicht einer Leiterplatte und reduzierte Herstellungskosten aufgrund der Minimalisierung von Überätzung sichern kann.
Ein Aspekt des vorliegenden erfinderischen Konzeptes betrifft eine wärmeableitende Leiterplatte, welche einen Metallkern, eine untere Isolierschicht, welcher an einer Unterseite des Metallkerns angeordnet ist, und eine obere Isolierschicht, welche an einer Oberseite des Metallkerns angeordnet ist, ein erstes unteres Schaltkreismuster, welches an einer Unterseite der unteren Isolierschicht angeordnet ist, und ein oberes Schaltkreismuster, welches an einer Oberseite der oberen Isolierschicht angeordnet ist, und ein zweites unteres Schaltkreismuster, welches an einer Unterseite des ersten unteren Schaltkreismusters angeordnet ist, und ein zweites oberes Schaltkreismuster, welches an einer Oberseite des ersten oberen Schaltkreismusters angeordnet ist, beinhaltet. Ein Ätzabschnitt in dem ersten unteren Schaltkreismuster ist mit der unteren Isolierschicht gefüllt, und ein Ätzabschnitt in dem ersten oberen Schaltkreismuster ist mit der oberen Isolierschicht gefüllt.
Das zweite untere Schaltkreismuster und das erste untere Schaltkreismuster können dasselbe Muster aufweisen, und das zweite obere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster können dasselbe Muster aufweisen.
Die untere Isolierschicht kann eine Seite des Ätzabschnittes des ersten unteren Schaltkreismusters abdecken, und die obere Isolierschicht kann eine Seite des Ätzabschnittes des ersten oberen Schaltkreismusters abdecken.
Die wärmeableitende Leiterplatte gemäß einem Aspekt des vorliegenden erfinderischen Konzeptes kann ferner ein Durchgangsloch und eine Innenmetallschicht aufweisen. Das Durchgangsloch dringt durch den Metallkern, die untere Isolierschicht, die obere Isolierschicht, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster. Die Innenmetallschicht deckt eine Seite des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, der oberen Isolierschicht, des ersten unteren Schaltkreismusters, und des ersten oberen Schaltkreismusters, welche freigelegt sind durch das Durchgangsloch, ab.
Der Metallkern, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster können Aluminium beinhalten.
Das zweite untere Schaltkreismuster, das zweite obere Schaltkreismuster, und die Innenmetallschicht können Kupfer beinhalten.
Ein weiterer Aspekt des vorliegenden erfinderischen Konzeptes umfasst ein Herstellungsverfahren einer wärmeableitenden Leiterplatte, welches Platinieren einer zweiten Unterschicht und einer zweiten Oberschicht mit einer ersten unteren Platte und einer ersten oberen Platte umfasst, wobei die erste untere Platte zu der ersten oberen Platte zeigt. Ein erstes unteres Schaltkreismuster und ein erstes oberes Schaltkreismuster werden gebildet durch Mustern der ersten unteren Platte und der ersten oberen Platte. Ein Metallkern, eine untere Isolierschicht, und eine obere Isolierschicht werden gebildet zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem ersten oberen Schaltkreismuster. Ein zweites unteres Schaltkreismuster und ein zweites oberes Schaltkreismuster werden gebildet durch Mustern der zweiten unteren Schicht und der zweiten oberen Schicht.
Bei dem Bilden des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht, kann der Metallkern eingesetzt werden zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem ersten oberen Schaltkreismuster, wobei die untere Isolierschicht kann zwischen dem ersten oberen Schaltkreismuster und dem Metallkern gefüllt werden, und wobei die obere Isolierschicht zwischen dem ersten oberen Schaltkreismuster und dem Metallkern gefüllt werden kann, und der Metallkern, die untere Isolierschicht, und die obere Isolierschicht können erwärmt und gepresst werden.
Bei dem Erwärmen und Pressen des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht kann ein Ätzabschnitt, welcher in der unteren Isolierschicht gebildet ist, gefüllt werden mit der unteren Isolierschicht, und ein Ätzabschnitt, welcher in der oberen Isolierschicht gebildet ist, kann mit der oberen Isolierschicht gefüllt werden.
Die untere Isolierschicht kann eine Seite des ersten unteren Schaltkreismusters abdecken, und die obere Isolierschicht kann eine Seite des ersten oberen Schaltkreismusters abdecken.
Das Herstellungsverfahren der wärmeableitenden Leiterplatte kann ferner den Schritt beinhalten, dass nach der Bildung des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht, ein Durchgangsloch gebildet wird, welches durch den Metallkern, die untere Isolierschicht, die obere Isolierschicht, dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem ersten oberen Schaltkreismuster hindurchtritt; und Bilden einer Innenmetallschicht, welche Seiten des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht, welche freigelegt sind durch das Durchgangsloch, abdeckt.
Der Metallkern, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster können Aluminium beinhalten.
Das erste untere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster können mit einem alkalischen Ätzmittel gebildet werden.
Das zweite untere Schaltkreismuster, das zweite obere Schaltkreismuster, und die Innenmetallschicht können Kupfer beinhalten.
Die Innenmetallschicht, und die untere Isolierschicht können das erste untere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das erste untere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.
Die Innenmetallschicht und die obere Isolierschicht können das erste obere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das erste obere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.
Gemäß einem Aspekt des vorliegenden erfinderischen Konzeptes, sind das erste untere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite freigelegt, da ein Ätzabschnitt, welcher in einem ersten unteren Schaltkreismuster ausgebildet ist, mit einer unteren Isolierschicht gefüllt ist, und ein Ätzabschnitt, welcher in dem ersten oberen Schaltkreismuster gebildet ist, mit einer oberen Isolierschicht gefüllt ist. Daher kann das erste untere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster von einer Säure geschützt werden, welche für einen Musterprozess des zweiten unteren Schaltkreismusters und des zweiten oberen Schaltkreismusters verwendet wird.
Ferner, da ein Metallkern, ein erstes unteres Schaltkreismuster, und ein erstes oberes Schaltkreismuster der wärmeableitenden Leiterplatte aus Aluminium gebildet sind, sind das Gewicht der Leiterplatte und die Herstellungskosten reduziert, und die Wärmeableitung ist maximiert.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
1 ist eine Schnittansicht einer wärmeableitenden Leiterplatte gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes.
2–6 sind Schnittansichten, welche sequentiell ein Herstellungsverfahren einer wärmeableitenden Leiterplatte gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes darstellen.
GENAUE BESCHREIBUNG
Das vorliegende erfinderische Konzept wird hiernach genauer mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben, in welchen beispielhafte Ausführungsformen des erfinderischen Konzeptes gezeigt sind. Fachmänner in der Technik werden feststellen, dass die beschriebenen Ausführungsformen auf verschiedene Weise modifiziert werden können, ohne dabei vom Geist und vom Bereich des vorliegenden erfinderischen Konzeptes wegzutreten.
In der Beschreibung des vorliegenden erfinderischen Konzeptes werden Teile, welche nicht die Beschreibung betreffen, ausgelassen. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich im Allgemeinen auf gleiche Elemente durch die Offenbarung.
Zusätzlich kann die Größe und die Dicke jeder Ausgestaltung, welche in den Zeichnungen dargestellt ist, schematisch gezeigt werden zum besseren Verständnis und zur Vereinfachung der Beschreibung, jedoch ist das vorliegende erfinderische Konzept nicht darauf beschränkt. In den Zeichnungen sind die Dicke der Schichten, der Filme, der Paneele, und der Regionen, etc., zur Deutlichkeit vergrößert.
1 ist eine Querschnittsansicht einer wärmeableitenden Leiterplatte gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes.
Wie dargestellt in 1 kann eine wärmeableitende Leiterplatte 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes einen Metallkern 31, eine untere Isolierschicht 41, ein erstes unteres Schaltkreismuster 111, und ein zweites unteres Schaltkreismuster 121 beinhalten, welche sequentiell an einer Unterseite des Metallkerns 31 angeordnet sind.
Die wärmeableitende Leiterplatte 100 kann ferner eine obere Isolierschicht 51, ein erstes oberes Schaltkreismuster 211, und ein zweites oberes Schaltkreismuster 211 beinhalten, welche sequentiell auf einer Oberseite des Metallkerns 31 angeordnet sind. Ein Durchgangsloch 100a, welches durch den Metallkern 31, die untere Isolierschicht 41, die obere Isolierschicht 51, das erste untere Schaltkreismuster 111, und das erste obere Schaltkreismuster 211 hindurchtritt, kann in der wärmeableitenden Leiterplatte 100 ausgebildet sein. Eine Innenmetallschicht 32 kann an einer Innenwand des Durchgangsloches 100a ausgebildet sein.
Der Metallkern 31, das erste untere Schaltkreismuster 111, und das erste obere Schaltkreismuster 211 können aus Aluminium ausgebildet sein, um das Gewicht der Leiterplatte 100 zu minimieren, und die Wärmeableitung zu maximieren.
Die untere Isolierschicht 41 kann den Metallkern 31 von dem ersten unteren Schaltkreismuster 111 isolieren, und die obere Isolierschicht 51 kann den Metallkern 31 von dem ersten oberen Schaltkreismuster 211 isolieren.
Die untere Isolierschicht 41 kann einen Ätzabschnitt d1 füllen, welcher in dem ersten unteren Schaltkreismuster 111 ausgebildet ist, und die obere Isolierschicht 51 kann einen Ätzabschnitt füllen, welcher in dem ersten oberen Schaltkreismuster 211 ausgebildet ist. Die untere Isolierschicht 41 kann eine Seite 111a des ersten unteren Schaltkreismusters 111 abdecken, und die obere Isolierschicht 51 kann eine Seite 211a des ersten oberen Schaltkreismusters 211 abdecken.
Daher werden das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 nicht zu der Außenseite freigelegt, so dass das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 vor einem Ätzmittel geschützt sind, welches zum Bilden des zweiten unteren Schaltkreismusters 121 und des zweiten oberen Schaltkreismusters 221 verwendet wird.
Das zweite untere Schaltkreismuster 121 und das erste untere Schaltkreismuster 111 können mit demselben Muster gebildet sein, und das zweite obere Schaltkreismuster 221 und das erste obere Schaltkreismuster 211 können mit demselben Muster geformt sein. Das zweite untere Schaltkreismuster 121 und das zweite obere Schaltkreismuster 221 können aus einem Material gebildet werden, welches eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist, zum Beispiel Kupfer, um die niedrige elektrische Leitfähigkeit des ersten unteren Schaltkreismusters 111 und des ersten oberen Schaltkreismusters 211 zu verbessern, welche ein Material beinhalten, welches eine relativ niedrige elektrische Leitfähigkeit aufweist, wie zum Beispiel Aluminium.
Die Innenmetallschicht 32 kann Seiten (zum Beispiel 211a) des Metallkerns 31, der unteren Isolierschicht 41, der oberen Isolierschicht 51, des ersten unteren Schaltkreismusters 111, und des ersten oberen Schaltkreismusters 211, welche durch eine Innenwand durch das Durchgangsloch 100a freigelegt sind, abdecken. Da die Innenmetallschicht 32 aus demselben Material gebildet ist wie das zweite untere Schaltkreismuster 121 und das zweite obere Schaltkreismuster 221, können das erste untere Schaltkreismuster 111, welches an der Unterseite der Leiterplatte 100 angeordnet ist, und das erste obere Schaltkreismuster 211, welches an der Oberseite der Leiterplatte 100 angeordnet ist, elektrisch miteinander verbunden werden.
Das zweite untere Schaltkreismuster 121, das zweite obere Schaltkreismuster 221, und die Innenmetallschicht 32 können aus Kupfer ausgebildet sein, um die Wärmeableitung zu maximieren.
Hiernach wird ein Herstellungsverfahren der wärmeableitenden Leiterplatte gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes in Genauigkeit mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben.
2 bis 6 sind Schnittansichten, welche sequentiell ein Herstellungsverfahren der wärmeableitenden Leiterplatte gemäß einer beispielhaften Ausführungsform des vorliegenden erfinderischen Konzeptes darstellen.
Wie in 2 dargestellt, kann die erste untere Platte 11 zu einer ersten oberen Platte 21 zeigen und von ihr getrennt sein. Die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21 können aus Aluminium gemacht sein. Eine zweite untere Schicht 12 kann mit der ersten unteren Platte 11 plattiert werden, und die zweite obere Schicht 22 kann mit der ersten oberen Platte 21 plattiert werden. Daher kann die zweite untere Schicht 12, welche aus Kupfer gemacht ist, zu einer Unterseite der ersten unteren Platte 11 plattiert werden, und die zweite obere Schicht 22, welche aus Kupfer gemacht ist, kann zu einer Oberseite der ersten oberen Platte 21 plattiert werden.
Um die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21, welche aus Aluminium gemacht sind, davor zu schützen, um durch eine Kupferplattierlösung geätzt zu werden, kann ein Zinkatverfahren zum Bearbeiten der Kupferplattierung nachdem Zink für Aluminium ersetzt wurde verwendet werden.
Wie dargestellt in 3 kann die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21 unter Verwendung eines alkalischen Ätzmittels gemustert werden, so dass das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 gebildet werden. Da eine Ätzgeschwindigkeit des Aluminiums schneller ist als eine Ätzgeschwindigkeit von Kupfer mit einem Betrag von ungefähr 600% können die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21 überätzt werden, wenn die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21, welche aus Aluminium gemacht sind, und die zweite untere Schicht 12 und die zweite obere Schicht 22, welche aus Kupfer gemacht sind, gleichzeitig geätzt werden. Daher können die erste untere Platte 11 und die erste obere Platte 21 geätzt werden unter Verwendung eines alkalischen Ätzmittels, welches nur Aluminium ätzen kann. Das alkalische Ätzmittel, welches verwendet werden kann, ist eine Mischlösung aus Natriumhydroxid (NaOH) und Natriumcarbonat (NaCO₃).
Wie dargestellt in 4 kann der Metallkern 31, welcher aus Aluminium gemacht ist, eingesetzt werden zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster 111 und dem ersten oberen Schaltkreismuster 211. Die untere Isolierschicht 41 kann zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster 111 und dem Metallkern 31 unter Verwendung eines Prepreg gefüllt werden, und die obere Isolierschicht 51 kann zwischen dem ersten oberen Schaltkreismuster 211 und dem Metallkern 31 unter Verwendung eines Prepreg gefüllt werden.
Der Metallkern 31, die untere Isolierschicht 41, und die obere Isolierschicht 51 können erwärmt und gepresst werden. Zu dieser Zeit kann der Ätzabschnitt d1 des ersten unteren Schaltkreismusters 111 mit der unteren Isolierschicht 41 gefüllt werden, und der Ätzabschnitt d2 des ersten oberen Schaltkreismusters 211 kann mit der oberen Isolierschicht 51 gefüllt werden. Die Seite 111a des ersten unteren Schaltkreismusters 111 und die Seite 211a des ersten oberen Schaltkreismusters 211 können jeweils durch die untere Isolierschicht 41 und die obere Isolierschicht 51 abgedeckt sein. Daher werden das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 nicht zu der Außenseite freigelegt.
Wie dargestellt in 5 kann das Durchgangsloch 100a, welches durch den Metallkern 31, die untere Isolierschicht 41, die obere Isolierschicht 51, das erste unteren Schaltkreismuster 111, und das ersten oberen Schaltkreismuster 211 hindurch tritt, gebildet werden.
Wie dargestellt in 6 kann die Innenmetallschicht 32, welche die Seiten des Metallkerns 31, der unteren Isolierschicht 41, und der oberen Isolierschicht 51, welche durch das Durchgangsloch 100a freigelegt sind, abdeckt, aus Kupfer durch ein Zinkatverfahren gebildet werden.
Wie dargestellt in 1 können die zweite untere Schicht 12 und die zweite obere Schicht 22 jeweils durch ein Kupferätzmittel gemustert werden, so dass das zweite untere Schaltkreismuster 121 und das zweite obere Schaltkreismuster 221 gebildet werden. Zu dieser Zeit können das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 geschützt werden von dem Kupferätzmittel zur Musterung des zweiten unteren Schaltkreismusters 121 und des zweiten oberen Schaltkreismusters 221, da das erste untere Schaltkreismuster 111 und das erste obere Schaltkreismuster 211 nicht zu der Außenseite freigelegt sind. Das Kupferätzmittel kann Eisenchlorid sein.
Während das erfinderische Konzept in Verbindung mit dem, was derzeit als die praktischen Ausführungsformen angesehen wird, beschrieben wurde, sollte es verstanden werden, dass das erfinderische Konzept nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt ist, sondern im Gegenteil dazu gedacht ist, um verschiedene Modifikationen und äquivalente Anordnungen abzudecken, welche beinhaltet sind in dem Geist und dem Bereich der anhängigen Patentansprüche.

Claims

Wärmeableitende Leiterplatte aufweisend: einen Metallkern; eine untere Isolierschicht, welche an einer Unterseite des Metallkerns angeordnet ist, und eine obere Isolierschicht, welche an einer Oberseite des Metallkerns angeordnet ist; ein ersteres unteres Schaltkreismuster, welches an einer Unterseite der unteren Isolierschicht angeordnet ist, und ein erstes oberes Schaltkreismuster, welches auf einer Oberseite der oberen Isolierschicht angeordnet ist; ein zweites unteres Schaltkreismuster, welches an einer Unterseite des ersten unteren Schaltkreismusters angeordnet ist, und ein zweites oberes Schaltkreismuster, welches an einer Oberseite des ersten oberen Schaltkreismusters angeordnet ist, wobei ein Ätzabschnitt in dem ersten unteren Schaltkreismuster mit der unteren Isolierschicht gefüllt ist, und ein Ätzabschnitt in dem oberen Schaltkreismuster mit der oberen Isolierschicht gefüllt ist.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei: das zweite untere Schaltkreismuster und das erste untere Schaltkreismuster jeweils das gleiche Muster aufweisen, und das zweite obere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster jeweils das gleiche Muster aufweisen.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die untere Isolierschicht eine Seite des Ätzabschnittes des ersten unteren Schaltkreismusters abdeckt, und die obere Isolierschicht eine Seite des Ätzabschnitts des ersten oberen Schaltkreismusters abdeckt.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 3 ferner aufweisend: ein Durchgangsloch, welches durch den Metallkern, die untere Isolierschicht, die obere Isolierschicht, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster durchtritt; und eine Innenmetallschicht, welche Seiten des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, der oberen Isolierschicht, des ersten unteren Schaltkreismusters, und des ersten oberen Schaltkreismusters, welche freigelegt sind durch das Durchgangsloch, abdecken.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei der Metallkern, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster Aluminium beinhalten.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei das zweite untere Schaltkreismuster, das zweite obere Schaltkreismuster, und die Innenmetallschicht Kupfer beinhalten.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die Innenmetallschicht und die untere Isolierschicht das untere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das erste untere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.
Wärmeableitende Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die Innenmetallschicht und die obere Isolierschicht das erste obere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das erste obere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.
Herstellungsverfahren einer wärmeableitenden Leiterplatte, mit folgenden Schritten: Platzieren einer zweiten unteren Schicht und einer zweiten oberen Schicht mit jeweils einer ersten unteren Platte und einer ersten oberen Platte, wobei die erste untere Platte zur ersten oberen Platte zeigt; Bilden eines ersten unteren Schaltkreismusters und eines ersten oberen Schaltkreismusters durch jeweiliges Mustern der ersten unteren Platte und der ersten oberen Platte; Bilden eines Metallkerns, einer unteren Isolierschicht, und einer oberen Isolierschicht zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem ersten oberen Schaltkreismuster; und Bilden eines zweiten unteren Schaltkreismusters und eines zweiten oberen Schaltkreismusters durch jeweiliges Mustern der zweiten unteren Schicht und der zweiten oberen Schicht.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, wobei das Bilden des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht die Schritte aufweist: Einsetzen des Metallkerns zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem ersten oberen Schaltkreismuster; Füllen der unteren Isolierschicht zwischen dem ersten unteren Schaltkreismuster und dem Metallkern, und Füllen der oberen Isolierschicht zwischen dem ersten oberen Schaltkreismuster und dem Metallkern; und Erwärmen und Pressen des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, wobei das Erwärmen und das Pressen des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht das Füllen eines Ätzabschnitts, welcher in der unteren Isolierschicht ausgebildet ist, mit der unteren Isolierschicht, und das Füllen eines Ätzabschnitts, welcher in der oberen Isolierschicht ausgebildet ist, mit der oberen Isolierschicht, beinhaltet.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 11, wobei die untere Isolierschicht eine Seite des ersten unteren Schaltkreismusters abdeckt, und die obere Isolierschicht eine Seite des ersten oberen Schaltkreismusters abdeckt.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 9, ferner die Schritte aufweisend: Nach Bilden des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht, Bilden eines Durchgangsloches, welches den Metallkern, die untere Isolierschicht, die obere Isolierschicht, das erste untere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster durchdringt; und Bilden einer Innenmetallschicht, welche Seiten des Metallkerns, der unteren Isolierschicht, und der oberen Isolierschicht, welche freigelegt sind durch das Durchgangsloch, abdecken.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei der Metallkern, das erste untere Schaltkreismuster, und das erste obere Schaltkreismuster Aluminium beinhalten.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 14, wobei das erste untere Schaltkreismuster und das erste obere Schaltkreismuster ausgebildet werden durch ein alkalisches Ätzmittel.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei das zweite untere Schaltkreismuster, und das zweite obere Schaltkreismuster, und die Innenmetallschicht Kupfer beinhalten.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei die Innenmetallschicht und die untere Isolierschicht das erste untere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das untere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, wobei die Innenmetallschicht und die obere Isolierschicht das erste obere Schaltkreismuster derart abdecken, dass das erste obere Schaltkreismuster nicht zu der Außenseite der wärmeableitenden Leiterplatte freigelegt ist.