DE102014114095A1 - Sintervorrichtung - Google Patents
Sintervorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102014114095A1 DE102014114095A1 DE102014114095.8A DE102014114095A DE102014114095A1 DE 102014114095 A1 DE102014114095 A1 DE 102014114095A1 DE 102014114095 A DE102014114095 A DE 102014114095A DE 102014114095 A1 DE102014114095 A1 DE 102014114095A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- punch
- lower punch
- pressure pad
- limiting element
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F5/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the special shape of the product
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/7531—Shape of other parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
- H01L2224/75316—Elastomer inlay with retaining mechanisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75317—Removable auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75318—Shape of the auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/7532—Material of the auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75703—Mechanical holding means
- H01L2224/75704—Mechanical holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/758—Means for moving parts
- H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
- H01L2224/75824—Translational mechanism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83209—Compression bonding applying isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or a pressurised liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Press-Shaping Or Shaping Using Conveyers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Sintervorrichtung (10) zum Sintern zumindest einer elektronischen Baugruppe (BG), mit einem Unterstempel (20) und einem gegen den Unterstempel (20) verfahrbaren Oberstempel (30) oder einem gegen den Oberstempel (30) verfahrbaren Unterstempel (20), wobei der Unterstempel (20) eine Auflage für die zu sinternde Baugruppe (BG) ausbildet und der Oberstempel (30) eine ein Druckkissen (32) zum Ausüben eines gegen den Unterstempel (20) gerichteten Drucks aufnehmende Aufnahme mit einer das Druckkissen (32) seitlich umgebenden Begrenzungswandung (34) aufweist, wobei die Begrenzungswandung (34) ein äußeres Begrenzungselement (34a) und ein vom äußeren Begrenzungselement (34a) benachbart umgebenes inneres Begrenzungselement (34b) aufweist, und wobei das innere Begrenzungselement (34b) gegen das äußere Begrenzungselement (34a) verschieblich und sich bei Einwirken eines in Richtung des Oberstempels (30) auf das Druckkissen (32) wirkenden Drucks in Richtung des Unterstempels (20) verschiebend gelagert ist, wobei nach einem Aufsetzen des inneren Begrenzungselements (34b) auf dem Unterstempel (20) das Druckkissen (32) in Richtung Unterstempel (20) verdrängbar ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Sintervorrichtung zum Sintern einer elektronischen Baugruppe, mit einem Unterstempel und einem gegen den Unterstempel verfahrbaren Oberstempel, wobei der Unterstempel eine Auflage für die zu sinternde Baugruppe ausbildet und der Oberstempel eine ein Druckkissen zum Ausüben eines gegen den Unterstempel gerichteten Drucks aufnehmende Aufnahme mit einer das Druckkissen seitlich umgebenden Begrenzungswandung aufweist.
- Sintervorrichtungen zur Durchführung des Niedertemperatur-Drucksinterns von elektronischen Baugruppen sind bereits bekannt. Diese weisen beispielsweise eine Sinterkammer, die mit einem für den Sintervorgang besonders förderlichen Gas oder einem entsprechenden Gasgemisch gefüllt werden kann, sowie einen in der Sinterkammer angeordneten Oberstempel und eine Unterstempel auf, wobei Ober- und Unterstempel gegeneinander verfahren werden können und bevorzugt jeweils eine eigene Heizeinrichtung aufweisen können.
- Das Sintern der elektronischen Baugruppen selbst erfolgt dabei durch Temperierung der zu sinternden Baugruppen und Einwirken eines durch die Stempel vermittelten Drucks. So beträgt beispielsweise die für die Verbindung und Diffusion bei Niedertemperatur-Drucksintern mit Silber (Ag) erforderliche Temperatur regelmäßig zwischen ca. 130 °C und 250 °C bis 300 °C und benötigt bei einem Druck bis max. 30 MPa eine Zeitdauer von etwa 5 bis 10 min.
- Beim Sintern wird der Diffusionsvorgang insbesondere durch Silberschichten mit großer Oberfläche zwischen den Fügepartnern begünstigt, durch Verwenden von anfangs feinen Partikeln (5 nm–20 µm) in Form von pastösen Schichten oder vorprozessierten Ag-Plättchen. Damit eine besonders scherfeste und fein-geschlossenporige Schicht entsteht, wird die Fügeschicht vor und während des Diffusionsvorganges durch Druck verdichtet. Nach dem Abklingen des Diffusionsvorganges werden der Druck und die Temperatur gesenkt.
- Als Ergebnis eines solchen Sintervorgangs erhält man eine scherfeste und stoffschlüssige Verbindung, die die Bauelemente, z.B. einen Transistor, elektrisch und thermisch mit dem Schaltungsträger verbindet, wobei die derart prozessierte Baugruppe der Sintervorrichtung nach dem Absenken von Druck und Temperatur und dem Öffnen der Pressenstempel entnommen werden kann.
- Problematisch an der Verwendung von Druckkissen ist, dass diese durch starke Verformungsarbeit an den Bauelementen gelegentlich Kantenabbrüche erzeugen. Daher ist es aus der
DE 10 2010 020 696 B4 bereits bekannt, ein Druckkissen mit einer Kontur auszuformen, die als Negativ der Kontur der zu sinternden Baugruppe entspricht. - Nachteilig an solch einem konturierten Druckkissen wiederum ist, dass zwar ein Umschließen der zu sinternden Baugruppe möglich ist, ein seitliches Ausweichen des Druckkissens bei der Anwendung hoher Drücke und damit eine Beschädigung der Baugruppe jedoch nicht vollständig vermieden werden kann.
- Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Sintervorrichtung zu schaffen, die das Durchführen eines robusten Verfahrens zur Sinterung, insbesondere zur Sinterung von elektronischen Baugruppen, ohne das Problem eines seitlichen Ausweichens des Druckkissens und der damit verbundenen Beeinträchtigungen erlaubt.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Sintervorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wieder.
- Erfindungsgemäß weist die Sintervorrichtung zum Sintern zumindest einer elektronischen Baugruppe, einen Unterstempel und einen gegen den Unterstempel verfahrbaren Oberstempel oder einen Oberstempel und einen gegen den Oberstempel verfahrbaren Unterstempel auf, wobei der Unterstempel eine Auflage für die zu sinternde Baugruppe ausbildet und der Oberstempel eine Aufnahme aufweist, in der ein Druckkissen zum Ausüben eines gegen den Unterstempel gerichteten Drucks angeordnet ist. Die das Druckkissen umgebende Begrenzungswandung weist dabei ein äußeres Begrenzungselement und ein vom äußeren Begrenzungselement umgebenes inneres Begrenzungselement auf, wobei das innere Begrenzungselement gegen das äußere Begrenzungselement verschieblich und sich bei Einwirken eines in Richtung des Oberstempels auf das Druckkissen wirkenden Drucks in Richtung des Unterstempels verschiebend gelagert ist. Nach einem eventuellen Aufsetzen des inneren Begrenzungselements auf dem Unterstempel wird das Druckkissen in Richtung Unterstempel verdrängt. Dies wird dadurch bewirkt, dass das innere, vertikal bewegliche Begrenzungselement durch den Unterstempel in Richtung Oberstempel gepresst wird, und somit das Druckkissen verdrängt. Eine Mehrzahl von zu sinternden Baugruppen kann auf einem Werkstückträger angeordnet sein, wobei ein Werkstückträger, der eine Mehrzahl von Baugruppen trägt, anstelle einer einzelnen Baugruppe zwischen Ober- und Unterstempel zum Drucksintern eingebracht werden kann.
- Die Vorrichtung ist also so ausgebildet, dass ein in Richtung des Oberstempels auf das Druckkissen einwirkender Druck durch dessen darauffolgende Verdrängung auf das innere Begrenzungselement derart umgelenkt wird, dass dieses sich in Richtung des Unterstempels verschiebt. Durch diese Anordnung wird also nach Art der Selbsthemmung erreicht, dass sich das innere Begrenzungselement dicht an den unteren Stempel anschmiegt, ohne dass nicht einmal die seitlichen Verdrängungskräfte des Druckkissens ausreichen könnten sich zwischen den Unterstempel und das innere Begrenzungselement zu schieben und das innere Begrenzungselement vom Unterstempel abzuheben.
- Die durch die Höhenkontur der Baugruppe und der Bauelemente erzeugten Verdrängungskräfte werden also in einen Dichtungsdruck konvertiert. Nach Zusammenführung von Oberstempelkammer und Unterstempelfläche ist die Höhenkontur der Baugruppe inkl. Bauelemente und gestapelter Funktionselemente vollständig von dem Druckkissenmaterial umschlossen und werden auf diese Weise quasi-hydraulisch druckgesintert. Ragt das innere Begrenzungselement in Richtung Unterstempel über das äußere Begrenzungselement hinaus, so kann das innere Begrenzungselement den Unterstempel kontaktieren und wird bei weiterer Druckerhöhung horizontal verschieblich Richtung Oberstempel gepresst und verhindert ein seitliches Ausweichen des Druckkissens. Das Druckkissen wird umfänglich durch die Begrenzungswand und dem Unterstempel mit zu sinternder Baugruppe innerhalb eines geschlossenen Kammervolumens umschlossen. Die entstehende Volumenänderung durch ein Verschieben des inneren Begrenzungselements in Richtung Oberstempel verdichtet das Druckkissen in das Kammervolumens, berandet von Begrenzungswand und Unterstempel, und drängt das Druckkissen in Richtung Baugruppe. Hierdurch wird ein hydrostatischer Sinterdruck auf die Baugruppe ausgeübt, der in beliebigen Grenzen variiert werden kann.
- Das innere Begrenzungselement kann beispielsweise aus einem oxydischen, polymeren oder metallischen Material gebildet sein. Eine nützliche Eigenschaft ist hierbei die Erzeugung geringer Losbrechkräfte, welches einen angepassten Ausdehnungskoeffizienten zwischen Oberstempelkammer und innerem Begrenzungselement bedingt. Bei Metallen lässt sich dies vorteilhafter erreichen: Martensitischer Chromstahl, Federstahl oder auch duktiles Eisen erfüllen diese Anforderung bei gleichzeitiger Formtreue bei hohen Temperaturen.
- Insbesondere sind das äußere und das innere Begrenzungselement bevorzugt ringförmig ausgebildet. Die Ringform kann rund ausgebildet sein, allerdings ist auch eine elliptische, polygonale oder rechteckförmige Ringform denkbar, insbesondere Ringformen, die der Außenkontur der Baugruppe, formkomplementär angepasst sind.
- Die Baugruppe kann als Einzelbauteil sinterbar sein, oder ein Verbund mehrerer Baugruppen kann auf einem Werkstückträger angeordnet sein, wobei der gesamte Werkstückträger zwischen Ober- und Unterstempel mittels eines oder mehrerer Druckkissen gesintert werden kann. Hierbei können auf dem Oberstempel ein, zwei oder mehrere Druckkissen angeordnet sein, wobei z.B. jeder Baugruppe ein Druckkissen mit Begrenzungswand zugeordnet sein kann, oder dem Werkstückträger mit mehreren Baugruppen ein einziges Druckkissen mit Begrenzungswand zugeordnet sein kann.
- Nach einer bevorzugten, besonders einfachen Ausgestaltung dient das Druckkissen selbst bei einer Bewegung des inneren Begrenzungselements in Richtung des Oberstempels als Widerlager für das innere Begrenzungselement. Hierfür liegt das dem Unterstempel gegenüberliegende Ende des inneren Begrenzungselements einem Teil des Druckkissens auf, das mit dem vom inneren Begrenzungselement umschlossenen Teil des Druckkissens kommunizierend eingerichtet, bevorzugt einstückig ausgebildet ist.
- Bevorzugt ist das innere Begrenzungselement so angeordnet, dass es zumindest in einer Position in Richtung des Unterstempels über das äußere Begrenzungselement hinausragt und so in Kontakt mit dem Unterstempel kommt bevor das äußere Begrenzungselement mit dem Unterstempel in Kontakt kommen kann.
- Das Druckkissen ist bevorzugt ein Silikon- oder Gummikissen, kann aber auch aus einem anderen porenfreien Elastomer gebildet sein. Diese Stoffe sind bei den beim Sintern vorkommenden Temperaturen bis 300 °C hoch elastisch und weisen bei den verwendeten Drücken und Temperaturen aufgrund ihrer extremen Vernetzung auch kein plastisches Fließen auf.
- Da das für das Druckkissen verwendete Material einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, wird sich dieses hydraulische Material bei ansteigender Temperatur dehnen und auf diese Weise den Sinterdruck ansteigen lassen. Es wird daher eine Druckregelung empfohlen, die den resultierenden Sinterdruck als Summendruck aufnimmt und durch Abstandsverstellung zwischen Oberstempelkammer und Unterstempel kompensieren kann.
- Weiterhin kann der Unterstempel der Vorrichtung eine Vertiefung zur Aufnahme der zu sinternden Baugruppe oder einem Werkstückträger für mehrere Baugruppen aufweisen.
- Vorteilhafterweise kann eine Schutzfolie zwischen Baugruppe und Oberstempel angeordnet sein. die Schutzfolie kann bevorzugt eine Teflonfolie (PTFE-Folie) sein. Die Schutzfolie trennt Baugruppe von Druckkissen und schützt die Baugruppe vor Verschmutzung und Verkleben der Baugruppe durch beispielsweise Materialabrieb, insbesondere Silikonabrieb des Druckkissens.
- Die Erfindung wird anhand eines in den beigefügten Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Schnittansicht durch ein besonders bevorzugt ausgestaltetes Ausführungsbeispiels nach der Erfindung in einer ersten Position vor dem Zusammenfahren des Ober- und Unterstempels; -
2 eine Schnittansicht durch das besonders bevorzugt ausgestaltete Ausführungsbeispiel nach der Erfindung in einer zweiten Position nach dem Zusammenfahren des Ober- und Unterstempels; -
3 eine Schnittansicht durch das besonders bevorzugt ausgestaltete Ausführungsbeispiel nach der Erfindung in einer dritten Position nach einem weiteren Zusammenfahren des Ober- und Unterstempels. -
1 zeigt eine Schnittansicht durch ein besonders bevorzugt ausgestaltetes Ausführungsbeispiels nach der Erfindung in einer ersten Position vor dem Zusammenfahren des Ober- und Unterstempels. - Die Sintervorrichtung
10 weist einen Unterstempel20 und einen Oberstempel30 auf. Der Unterstempel20 weist bevorzugt eine Heizeinrichtung22 auf. Ebenso kann auch der Oberstempel30 mit einer Heizeinrichtung versehen sein (nicht gezeigt). - Der Unterstempel
20 bildet eine Auflage für die zu sinternde elektronische Baugruppe BG aus, wobei die Auflage auch die Form einer im Unterstempel vorgesehenen Vertiefung haben kann. - Der Oberstempel
30 weist eine Aufnahme für ein Druckkissen32 auf, das vollständig von einer Begrenzungswandung34 umgeben ist. Die Begrenzungswandung34 weist ein äußeres Begrenzungselement34a und ein dem äußeren Begrenzungselement34a benachbart angeordnetes, von diesem umgebenes inneres Begrenzungselement34b auf, wobei das innere Begrenzungselement34b gegen das äußere Begrenzungselement34a verschieblich und sich bei Einwirken eines in Richtung des Oberstempels30 auf das Druckkissen32 wirkenden Drucks in Richtung des Unterstempels20 verschiebend gelagert ist. - Insbesondere ist hier vorgesehen, dass das Volumen des elastischen Druckkissens
32 mit der Unterseite des Oberstempels30 bündig abschließt. Beim Zusammenfahren des Ober- und des Unterstempels20 ,30 verdrängt die eindringende 3-D-Kontur der Baugruppe BG das Druckkissen32 , das nun das innere Begrenzungselement34b in Richtung des Unterstempels20 schiebt. - Die erhöhte, parallele Fläche der Baugruppe BG muss nun größer sein, als die obere, dem Unterstempel
20 entgegengesetzte Fläche des inneren Begrenzungselements34b , damit eine vergrößerte Kraft zum Verschieben erzeugt wird. Das verdrängte Volumen hingegen ist ein Maß für den maximalen Weg des inneren Begrenzungselements34b . - Da ein passend gefertigtes inneres Begrenzungselement
34b typischerweise ein Losbrechmoment aufweist, muss die Kraftvergrößerung, um dieses zu überwinden, mindestens 5fach sein. Dies bedeutet, dass die parallele Fläche der Baugruppe BG mindestens 5fach größer sein muss als die obere Fläche des inneren Begrenzungselements34b . -
2 zeigt eine Schnittansicht durch das besonders bevorzugt ausgestaltete Ausführungsbeispiel nach der Erfindung in einer zweiten Position nach dem Zusammenfahren des Ober- und Unterstempels. - Während des Zusammenfahrens verdrängt das Volumen der Baugruppe BG das Druckkissen und das verdrängte Volumen schiebt das innere Begrenzungselement
34b in Richtung des Unterstempels20 . Die pressende Fläche der Baugruppe BG ist nun größer als die obere Fläche des inneren Begrenzungselements34b . Durch ein vertikales Herausschieben des Begrenzungselements34b in Richtung des Unterstempels20 wird ein seitliches Ausweichen des Druckkissens32 aus der Begrenzungswand34 hinaus verhindert. - Wenn das innere Begrenzungselement
34b mechanischen Kontakt zum Unterstempel20 hat, erzeugt, wie in3 dargestellt, das weitere Zusammenfahren der Stempel20 ,30 eine Drucksteigerung im Inneren der Kammer des Oberstempels30 . Der erhöhte Druck wird durch die horizontale Verschiebung des inneren Begrenzungselements34b nunmehr gegenüber dem Oberstempel30 erzeugt, wobei eine hierdurch bewirkte Formänderung des Druckkissens32 innerhalb der Begrenzungswand34 einen in großen Bereichen variablen Sinterdruck auf die Baugruppe BG erzeugt. - Die Inkompressibilität des Druckkissens führt zur hydraulischen Kraftübersetzung. Das innere Begrenzungselement
34b wird mit vielfach höherer Kraft auf den Unterstempel20 gepresst und in Richtung Oberstempel30 gedrängt und dichtet daher, sodass kein weiteres Fließen des Druckkissens32 stattfinden kann. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102010020696 B4 [0006]
Claims (8)
- Sintervorrichtung (
10 ) zum Sintern zumindest einer elektronischen Baugruppe (BG), mit einem Unterstempel (20 ) und einem gegen den Unterstempel (20 ) verfahrbaren Oberstempel (30 ) oder einem gegen den Oberstempel (30 ) verfahrbaren Unterstempel (20 ), wobei der Unterstempel (20 ) eine Auflage für die zu sinternde Baugruppe (BG) ausbildet und der Oberstempel (30 ) eine ein Druckkissen (32 ) zum Ausüben eines gegen den Unterstempel (20 ) gerichteten Drucks aufnehmende Aufnahme mit einer das Druckkissen (32 ) seitlich umgebenden Begrenzungswandung (34 ) aufweist, wobei die Begrenzungswandung (34 ) ein äußeres Begrenzungselement (34a ) und ein vom äußeren Begrenzungselement (34a ) benachbart umgebenes inneres Begrenzungselement (34b ) aufweist, und wobei das innere Begrenzungselement (34b ) gegen das äußere Begrenzungselement (34a ) verschieblich und sich bei Einwirken eines in Richtung des Oberstempels (30 ) auf das Druckkissen (32 ) wirkenden Drucks in Richtung des Unterstempels (20 ) verschiebend gelagert ist, wobei nach einem Aufsetzen des inneren Begrenzungselements (34b ) auf dem Unterstempel (20 ) das Druckkissen (32 ) in Richtung Unterstempel (20 ) verdrängbar ist. - Sintervorrichtung (
10 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Druckkissen (32 ) bei einer Bewegung des inneren Begrenzungselements (34a ) in Richtung des Oberstempels (30 ) als Widerlager für das innere Begrenzungselement (34a ) eingerichtet ist. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das innere Begrenzungselement (34b ) in Richtung des Unterstempels (20 ) über das äußere Begrenzungselement (34a ) hinausragt. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das innere Begrenzungselement (34b ) aus einem oxydischen, polymeren oder metallischen Material gebildet ist. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das äußere und das innere Begrenzungselement (34a ,34b ) ringförmig ausgebildet sind. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Druckkissen (32 ) ein Silikon- oder Gummikissen ist. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Unterstempel (20 ) eine Vertiefung zur Aufnahme der zu sinternden Baugruppe (BG) oder einem Werkstückträger für mehrere Baugruppeaufweist. - Sintervorrichtung (
10 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Trennfolie zwischen Baugruppe (BG) und Oberstempel (30 ) angeordnet ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014114095.8A DE102014114095B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Sintervorrichtung |
US15/514,548 US10483229B2 (en) | 2014-09-29 | 2015-09-09 | Sintering device |
CN201580052829.9A CN107004614B (zh) | 2014-09-29 | 2015-09-09 | 烧结装置 |
PCT/EP2015/070617 WO2016050466A1 (en) | 2014-09-29 | 2015-09-09 | Sintering device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014114095.8A DE102014114095B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Sintervorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014114095A1 true DE102014114095A1 (de) | 2016-03-31 |
DE102014114095B4 DE102014114095B4 (de) | 2017-03-23 |
Family
ID=54252246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014114095.8A Active DE102014114095B4 (de) | 2014-09-29 | 2014-09-29 | Sintervorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10483229B2 (de) |
CN (1) | CN107004614B (de) |
DE (1) | DE102014114095B4 (de) |
WO (1) | WO2016050466A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018204887B3 (de) | 2018-03-29 | 2019-09-05 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Montieren einer Halbleiterleistungsmodulkomponente und eines Halbleiterleistungsmoduls mit einer derartigen Modulkomponente |
WO2023062116A3 (de) * | 2021-10-14 | 2023-11-09 | Pink Gmbh Thermosysteme | Diffusionslötvorrichtung und/oder sintervorrichtung, werkzeug und anlage zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014114096A1 (de) | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung |
DE102014114097B4 (de) * | 2014-09-29 | 2017-06-01 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe |
DE102014114093B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
DE102014114095B4 (de) * | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sintervorrichtung |
DE102015120156B4 (de) * | 2015-11-20 | 2019-07-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung |
WO2018215524A1 (en) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Arrangement for producing an electronic assembly by sintering |
IT201800006846A1 (it) * | 2018-07-02 | 2020-01-02 | Gruppo di pressatura per una pressa di sinterizzazione di componenti elettronici su un substrato | |
DE102018213719A1 (de) * | 2018-08-15 | 2020-02-20 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Fügeverfahren und System zum Verbinden von Bauteilen |
DE102018133090A1 (de) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Anordnung zum Sintern einer elektronischen Baugruppe |
US12027975B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-07-02 | Marel Power Solutions | Packaged module with sintered switch |
DE102022130928B3 (de) | 2022-11-22 | 2024-04-18 | Semikron Danfoss GmbH | Verfahren zum Drucksintern, Unterwerkzeug für eine Sinterpresse und Sinterpresse mit einem solchen Unterwerkzeug |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4903885A (en) * | 1988-03-03 | 1990-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for fastening electronic components to substrates |
DE102005058794A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und getaktetes Verfahren zur Drucksinterverbindung |
DE102010020696B4 (de) | 2010-05-17 | 2012-11-08 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH438497A (de) | 1966-03-11 | 1967-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Halbleiteranordnung |
US3529759A (en) | 1967-06-15 | 1970-09-22 | Bell Telephone Labor Inc | Apparatus for bonding a beam-lead device to a substrate |
JPS5471572A (en) | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
US4392153A (en) | 1978-05-01 | 1983-07-05 | General Electric Company | Cooled semiconductor power module including structured strain buffers without dry interfaces |
US4257156A (en) | 1979-03-09 | 1981-03-24 | General Electric Company | Method for thermo-compression diffusion bonding each side of a substrateless semiconductor device wafer to respective structured copper strain buffers |
DE3247985C2 (de) | 1982-12-24 | 1992-04-16 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Keramischer Träger |
JPH0744203B2 (ja) | 1987-06-26 | 1995-05-15 | 松下電器産業株式会社 | ボンデイングツ−ル |
EP0330896A3 (de) * | 1988-03-03 | 1991-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Befestigen von Halbleiterbauelementen auf Substraten und Anordnungen zur Durchführung desselben |
EP0532244B1 (de) | 1991-09-13 | 1996-12-18 | Fuji Electric Co. Ltd. | Halbleiteranordnung |
US5213248A (en) | 1992-01-10 | 1993-05-25 | Norton Company | Bonding tool and its fabrication |
US5352629A (en) | 1993-01-19 | 1994-10-04 | General Electric Company | Process for self-alignment and planarization of semiconductor chips attached by solder die adhesive to multi-chip modules |
GB2287897B (en) | 1994-03-31 | 1996-10-09 | Sumitomo Electric Industries | A high strength bonding tool and a process for the production of the same |
SE509570C2 (sv) | 1996-10-21 | 1999-02-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Temperaturkompenserande organ och förfarande vid montering av elektronik på ett mönsterkort |
US6821381B1 (en) | 1999-03-16 | 2004-11-23 | Toray Engineering Co., Ltd. | Tool for thermo-compression-bonding chips, and chip packaging device having the same |
US6199748B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-03-13 | Nova Crystals, Inc. | Semiconductor eutectic alloy metal (SEAM) technology for fabrication of compliant composite substrates and integration of materials |
US6853074B2 (en) | 1999-12-27 | 2005-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic part, an electronic part mounting element and a process for manufacturing such the articles |
TW536768B (en) | 2001-08-03 | 2003-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for fabricating semiconductor-mounting body and apparatus for fabricating semiconductor-mounting body |
JP2003347360A (ja) | 2002-05-31 | 2003-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ボンディングステージ |
US6873039B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-03-29 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic packages including electrically and/or thermally conductive element |
JP3704113B2 (ja) | 2002-09-26 | 2005-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | ボンディングステージ及び電子部品実装装置 |
JP3949072B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2007-07-25 | 日機装株式会社 | 加圧装置 |
US7633093B2 (en) | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
WO2004103043A1 (ja) | 2003-05-16 | 2004-11-25 | Harima Chemicals, Inc. | 銅微粒子焼結体型の微細形状導電体の形成方法、該方法を応用した銅微細配線ならびに銅薄膜の形成方法 |
JP3921459B2 (ja) | 2003-07-11 | 2007-05-30 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
KR101253794B1 (ko) | 2005-02-02 | 2013-04-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 전기 부품의 실장 장치 |
JP4770533B2 (ja) | 2005-05-16 | 2011-09-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4925669B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-05-09 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置及び実装方法 |
JP5305148B2 (ja) | 2006-04-24 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、それを用いた電子部品装置およびその製造方法 |
JP4979288B2 (ja) | 2006-07-19 | 2012-07-18 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 熱圧着ヘッドを用いた実装方法 |
US7535099B2 (en) | 2006-09-26 | 2009-05-19 | Intel Corporation | Sintered metallic thermal interface materials for microelectronic cooling assemblies |
US7525187B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-04-28 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for connecting components |
JP4895994B2 (ja) | 2006-12-28 | 2012-03-14 | 株式会社日立製作所 | 金属粒子を用いた接合方法及び接合材料 |
JP4361572B2 (ja) | 2007-02-28 | 2009-11-11 | 株式会社新川 | ボンディング装置及び方法 |
DK2042260T3 (en) | 2007-09-28 | 2014-03-17 | Heraeus Materials Tech Gmbh | METHOD AND FIT FOR ESTABLISHING CONTACT BETWEEN METAL SURFACES |
DE102008009510B3 (de) | 2008-02-15 | 2009-07-16 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
JP4454673B2 (ja) | 2008-08-01 | 2010-04-21 | 株式会社新川 | 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
DE102008039828A1 (de) | 2008-08-27 | 2010-03-04 | W.C. Heraeus Gmbh | Steuerung der Porosität von Metallpasten für den druckfreien Niedertemperatursinterprozess |
DE102008048869A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-22 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden zweier Verbindungspartner |
JP5611537B2 (ja) | 2009-04-28 | 2014-10-22 | 日立化成株式会社 | 導電性接合材料、それを用いた接合方法、並びにそれによって接合された半導体装置 |
DE102009040076A1 (de) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | W.C. Heraeus Gmbh | Metallpaste mit Oxidationsmittel |
JP5525335B2 (ja) | 2010-05-31 | 2014-06-18 | 株式会社日立製作所 | 焼結銀ペースト材料及び半導体チップ接合方法 |
DE102010024053A1 (de) | 2010-06-16 | 2011-12-22 | Bayer Materialscience Ag | Sauerstoffverzehrelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP5614217B2 (ja) | 2010-10-07 | 2014-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | マルチチップ実装用緩衝フィルム |
KR20120090202A (ko) | 2011-02-07 | 2012-08-17 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 스테이지 블럭 |
TWI564106B (zh) | 2011-03-28 | 2017-01-01 | 山田尖端科技股份有限公司 | 接合裝置以及接合方法 |
EP2819127B1 (de) | 2012-02-20 | 2018-11-14 | Applied Nanoparticle Laboratory Corporation | Sauerstoffquellenhaltige zusammengesetzte nanometallpaste und verbindungsverfahren dafür |
CN102569110B (zh) | 2012-02-27 | 2014-06-11 | 天津大学 | 一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法 |
TWI556270B (zh) | 2012-04-11 | 2016-11-01 | 信越化學工業股份有限公司 | 稀土燒結磁體及製造方法 |
KR102117726B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-06-01 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 압착 장치 및 압착 방법 |
JP5718536B2 (ja) | 2013-02-22 | 2015-05-13 | 古河電気工業株式会社 | 接続構造体、及び半導体装置 |
DE102013003527A1 (de) | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern, Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern und leistungselektronische Baugruppe |
JP6182082B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-08-16 | 日本碍子株式会社 | 緻密質複合材料、その製法及び半導体製造装置用部材 |
EP2792642B1 (de) | 2013-04-15 | 2018-02-21 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Sinterpaste mit gecoateten Silberoxid auf schwer sinterbare edlen und unedlen Oberflächen |
EP2959990A1 (de) | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metallzubereitung und deren verwendung zum verbinden von bauelementen |
DE102014114095B4 (de) * | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sintervorrichtung |
WO2016071005A1 (de) | 2014-11-03 | 2016-05-12 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Metallsinterzubereitung und deren verwendung zum verbinden von bauelementen |
US9640468B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-05-02 | Stmicroelectronics S.R.L. | Process for manufacturing a package for a surface-mount semiconductor device and semiconductor device |
-
2014
- 2014-09-29 DE DE102014114095.8A patent/DE102014114095B4/de active Active
-
2015
- 2015-09-09 CN CN201580052829.9A patent/CN107004614B/zh active Active
- 2015-09-09 US US15/514,548 patent/US10483229B2/en active Active
- 2015-09-09 WO PCT/EP2015/070617 patent/WO2016050466A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4903885A (en) * | 1988-03-03 | 1990-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for fastening electronic components to substrates |
DE102005058794A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und getaktetes Verfahren zur Drucksinterverbindung |
DE102010020696B4 (de) | 2010-05-17 | 2012-11-08 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum NTV-Sintern eines drei-dimensionale Konturen aufweisenden Halbleiterbauelementes |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018204887B3 (de) | 2018-03-29 | 2019-09-05 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Montieren einer Halbleiterleistungsmodulkomponente und eines Halbleiterleistungsmoduls mit einer derartigen Modulkomponente |
WO2023062116A3 (de) * | 2021-10-14 | 2023-11-09 | Pink Gmbh Thermosysteme | Diffusionslötvorrichtung und/oder sintervorrichtung, werkzeug und anlage zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107004614A (zh) | 2017-08-01 |
CN107004614B (zh) | 2019-08-30 |
US20170229418A1 (en) | 2017-08-10 |
DE102014114095B4 (de) | 2017-03-23 |
US10483229B2 (en) | 2019-11-19 |
WO2016050466A1 (en) | 2016-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102014114095B4 (de) | Sintervorrichtung | |
DE102015120156B4 (de) | Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung | |
DE102007047698A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Komponenten | |
EP2179443A1 (de) | Baugruppe sowie herstellung einer baugruppe | |
EP3274681A1 (de) | Drucksensor | |
DE102006028568A1 (de) | Fügevorrichtung | |
WO2016071042A1 (de) | Umformpresse und verfahren zum umformen eines flächenförmigen rohlings aus metall mit zwei aufeinander zu verfahrbaren gestellteilen | |
EP2401131B1 (de) | Mikrostrukturiertes verbundbauteil sowie verfahren und vorrichtung zu dessen herstellung | |
DE102018213719A1 (de) | Fügeverfahren und System zum Verbinden von Bauteilen | |
DE102020116084B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung | |
DE102012216564A1 (de) | Aggregat und Vielschichtaktor | |
DE102005036377B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Formgebung eines Werkstückes | |
DE102020134557A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Hochdruckumformung von Werkstücken | |
WO2013034493A1 (de) | Presswerkzeug und verfahren zum herstellen eines silikonelements | |
EP1349722A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum zusammenfügen von substraten | |
DE102021126716B3 (de) | Multifunktionale sinter- oder diffusionslötvorrichtung und presswerkzeug | |
EP1185412B1 (de) | Vorrichtung zum zusammenfügen von substraten | |
EP3187276A1 (de) | Umformwerkzeug | |
DE202021105596U1 (de) | Multifunktionale Sinter- oder Diffusionslötvorrichtung und Presswerkzeug | |
DE102013110072B4 (de) | Dichtmechanismus und Dichtverfahren | |
DE102020116083B3 (de) | Vorrichtung mit einem Werkstückträger zur Drucksinterverbindung eines ersten und zweiten Verbindungspartners und Verfahren zur Drucksinterverbindung dafür | |
DE102010049060A1 (de) | Umformwerkzeug und -verfahren | |
DE102021134002B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung | |
DE102020116082B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Drucksinterverbindung einer Mehrzahl von ersten und zweiten Verbindungspartnern | |
DE102021126718A1 (de) | Sintervorrichtung zum verbinden von komponenten zumindest einer elektronischen baugruppe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE |
|
R084 | Declaration of willingness to licence |