DE102014109529A1 - Bildschirm und dessen herstellungsverfahren - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung offenbart einen Bildschirm und dessen Herstellungsverfahren. Der Bildschirm umfasst: ein TFT-Substrat und ein Farbfilmsubstrat, die aneinander gegenüberliegend sind, wobei das TFT-Substrat ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element umfasst, wobei zwischen dem ersten TFT-Element und dem zweiten TFT-Element sich ein durchsichtiger Bereich als eine Pixelzone befindet; eine Pixeleinheit, die an einer dem Filmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnet ist und die an der Oberfläche der Pixelzone liegt, wobei die Pixeleinheit eine auf einer dem Farbfilmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnete transparente Bezugspotenzialschicht und eine auf der Bezugspotenzialschicht angeordnete undurchlässige Verformungsschicht umfasst, und wobei die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht gegeneinander isoliert sind. Der Aufbau eines solchen Bildschirms ist einfach und somit sind die Herstellungskosten niedrig.
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft das technische Gebiet der Anzeigevorrichtung, besonders einen Bildschirm und dessen Herstellungsverfahren.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD) überwiegen aufgrund ihres geringen Leistungsverbrauchs, der Fertigungsvereinfachung des großen Bildschirms und so weiter.
- In der Regel umfasst eine heutige Flüssigkristallanzeigevorrichtung ein TFT-Substrat und ein Farbfilmsubstrat, die gegenübergelegt sind, sowie eine zwischen dem TFT-Substrat und dem Farbfilmsubstrat angeordnete Flüssigkristallschicht. Um die Steuerung des Austrittslichts von den Flüssigkristallmolekülen der Flüssigkristallschicht zu realisieren, ist es erforderlich, dass auf einer inneren Oberfläche des Farbfilmsubstrats eine gemeinsame Elektrode und auf einer äußeren Oberfläche davon ein oberer Polarisator angeordnet ist, und dass auf einer inneren Oberfläche des TFT-Substrats eine Ausrichtschicht und auf einer äußeren Oberfläche davon ein unterer Polarisator angeordnet ist. Damit ist der Aufbau der Flüssigkristallanzeigevorrichtung kompliziert, was zu hohen Kosten führt.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Um das obige technische Problem zu lösen, wird in der Erfindung ein Bildschirm bereitgestellt, dessen Aufbau einfach ist und der kostengünstig herstellbar ist.
- Um die Aufgabe zu lösen, wird in der Erfindung eine folgende technische Lösung bereitgestellt:
Einen Bildschirm, der ein TFT-Substrat und ein Farbfilmsubstrat umfasst, die gegenüberliegend sind, wobei das TFT-Substrat ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element aufweist, zwischen den beiden befindet sich ein durchsichtiger Bereich als eine Pixelzone; eine Pixeleinheit, die an einer dem Filmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnet wird und an der Oberfläche der Pixelzone liegt, wobei die Pixeleinheit eine auf der dem Farbfilmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnete transparente Bezugspotenzialschicht und eine auf der Bezugspotenzialschicht angeordnete undurchlässige Verformungsschicht umfasst, wobei die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht gegeneinander isoliert sind, und wobei eine Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements mit der Bezugspotenzialschicht elektrisch verbunden ist und eine Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements mit der Verformungsschicht elektrisch verbunden ist, wobei die Verformungsschicht in Abhängigkeit von ihrer Spannungsdifferenz zu der Bezugspotenzialschicht um einen mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil der Verformungsschicht als eine feste Achse der der Spannungsdifferenz entsprechenden elastischen Verformung ausgesetzt sein kann, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zu ändern. - Außerdem wird in der Erfindung ein Herstellungsverfahren für einen Bildschirm bereitgestellt. Das Herstellungsverfahren umfasst:
Bereitstellen eines TFT-Substrats, das ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element umfasst;
Ausbilden einer mit einer Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements kommunizierenden ersten Nut sowie einer mit einer Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements kommunizierenden zweiten Nut auf einer Isolierschicht an einer oberen Oberfläche des TFT-Substrats;
Ausbilden einer Bezugspotenzialschicht auf der oberen Oberfläche des TFT-Substrats, die über die erste Nut mit der Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements elektrisch verbunden ist;
Ausbilden einer Verformungsschicht auf der Bezugspotenzialschicht, die über die zweite Nut mit der Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements elektrisch verbunden ist und gegen die Bezugspotenzialschicht isoliert ist;
Bereitstellen eines Farbfilmsubstrats und Anlegen des Farbfilmsubstrats an dem TFT-Substrat, wobei sich die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht zwischen dem Farbfilmsubstrat und dem TFT-Substrat befinden;
wobei die Verformungsschicht um ihren mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil als eine feste Achse der unterschiedlichen elastischen Verformung ausgesetzt sein kann, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zwischen dem ersten TFT-element und dem zweiten TFT-element zu ändern. - Wie aus der oben genannten technischen Lösung erkennbar ist, werden in der Erfindung ein Bildschirm und dessen Herstellungsverfahren bereitgestellt. Die Pixeleinheit des Flachbildschirms umfasst eine fest an der dem Farbfilmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnete transparente Bezugspotenzialschicht und eine zwischen der Bezugspotenzialschicht und dem Farbfilmsubstrat angeordnete undurchlässige Verformungsschicht, die gegen die Bezugspotenzialschicht isoliert ist. Die Verformungsschicht kann um ihren mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil als eine feste Achse der der Spannungsdifferenz entsprechenden elastischen Verformung ausgesetzt sein. Somit kann die Spannung der Bezugspotenzialschicht mittels des ersten TFT-Elements und die Spannung der Verformungsschicht mittels des zweiten TFT-Elements gesteuert werden, sodass die Spannungsdifferenz zwischen der Verformungsschicht und der Bezugspotenzialschicht und damit die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone eingestellt werden können, um die Lichtdurchlässigkeit der Pixelzone einzustellen.
- Es ist erkennbar, dass aufgrund des Entfallens der Flüssigkristallmaterialien im Flachbildschirm die Einstellung der Lichtdurchlässigkeit der Pixelzone mittels der Bezugspotenzialschicht und der Verformungsschicht erzielt werden kann. Dadurch wird im Vergleich mit dem herkömmlichen Flüssigkristall-Bildschirm der Aufbau vereinfacht. Aufgrund des Verzichts auf die Anordnung der gemeinsamen Elektrode und des oberen Polarisators auf dem Farbfilmsubstrat sowie auf die Anordnung der Ausrichtschicht und des unteren Polarisators auf dem TFT-Substrat ist der Herstellungsprozess einfacher und damit sind die Kosten niedrig.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Um Ausführungsbeispiele der Erfindung oder technische Lösungen im Stand der Technik näher zu erläutern, werden die Zeichnungen kurz dargestellt, die für die Beschreibung von Ausführungsbeispielen oder dem Stand der Technik erforderlich sind. Die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung stellen nur die Ausführungsbeispiele der Erfindung dar, aus denen der Fachmann andere Zeichnungen ohne erfinderische Arbeiten erhalten können.
-
1a ist eine schematische Strukturdarstellung eines Bildschirms gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; -
1b ist eine schematische Strukturdarstellung der Pixeleinheit des Bildschirms aus1 ; -
2 ist eine schematische Darstellung der Steuerungsgrundlagen für einen Bildschirm gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; -
3 –6 sind schematische Flussdiagramme des Herstellungsverfahrens eines Bildschirms gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Genau wie im Hintergrund der Erfindung dargestellt, wird in einer heutigen Flüssigkristallanzeigevorrichtung die Steuerung des Austrittslichts mittels der Umlenkung der Flüssigkristallmolekülen der Flüssigkristallschicht erzielt. Es ist erforderlich, dass auf der inneren Oberfläche des Farbfilmsubstrats eine gemeinsame Elektrode und auf der äußeren Oberfläche davon ein oberer Polarisator angeordnet ist, und dass auf der inneren Oberfläche des TFT-Substrats eine Ausrichtschicht und auf der äußeren Oberfläche ein unterer Polarisator angeordnet ist. Aufgrund des komplexen Aufbaus der Flüssigkristallanzeigevorrichtung führt es zu hohen Kosten.
- Der Erfinder hat herausgefunden, dass durch die Anordnung einer undurchlässigen Verformungsschicht und einer Bezugspotenzialschicht an der Pixelzone des TFT-Substrats mittels der TFT-Elemente des TFT-Substrats die Spannung der Verformungsschicht und der Bezugspotenzialschicht und damit die unterschiedlichen Verformungen der Verformungsschicht eingestellt werden können, also kann mittels der Verformungsschicht die Lichtdurchlässigkeit der Pixeleinheit eingestellt werden. Dabei wird die Steuerung der Bildanzeigen ohne Flüssigkristallmaterialien realisiert.
- Ausgehend von den oben genannten Untersuchungen wird in der Erfindung ein Bildschirm bereitgestellt. Der Bildschirm umfasst:
ein TFT-Substrat und ein Farbfilmsubstrat, die gegenüberliegend sind, wobei das TFT-Substrat ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element umfasst, wobei zwischen dem ersten TFT-Element und dem zweiten TFT-Element sich ein durchsichtiger Bereich als eine Pixelzone befindet;
eine Pixeleinheit, die an einer dem Filmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnet ist und die an einer Oberfläche der Pixelzone liegt, wobei die Pixeleinheit eine auf der dem Farbfilmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnete transparente Bezugspotenzialschicht und eine auf der Bezugspotenzialschicht angeordnete undurchlässige Verformungsschicht umfasst, wobei die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht gegeneinander isoliert sind;
wobei eine Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements mit der Bezugspotenzialschicht elektrisch verbunden ist, und eine Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements mit der Verformungsschicht elektrisch verbunden wird, sodass die Verformungsschicht in Abhängigkeit von Spannungsdifferenz von ihr zu der Bezugspotenzialschicht um einen mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil der Verformungsschicht als eine feste Achse der der Spannungsdifferenz entsprechenden elastischen Verformung ausgesetzt sein kann, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zu ändern. - Bei dem Bildschirm der Erfindung kann die Spannung der Bezugspotenzialschicht mittels des ersten TFT-Elements und die Spannung der Verformungsschicht mittels des zweiten TFT-Elements gesteuert werden, sodass die Spannungsdifferenz zwischen der Verformungsschicht und der Bezugspotenzialschicht und damit die Abdeckfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone eingestellt werden können, um die Lichtdurchlässigkeit der Pixelzone einzustellen.
- Es ist erkennbar, dass aufgrund des Entfallens der Flüssigkristallmaterialien im Flachbildschirm die Einstellung der Lichtdurchlässigkeit der Pixelzone mittels der Bezugspotenzialschicht und der Verformungsschicht erzielt werden kann. Dadurch wird im Vergleich mit dem herkömmlichen Flüssigkristall-Bildschirm der Aufbau vereinfacht. Aufgrund des Verzichts auf die Anordnung der gemeinsamen Elektrode und des oberen Polarisators auf dem Farbfilmsubstrat sowie auf der Anordnung der Ausrichtschicht und des unteren Polarisators auf dem TFT-Substrat ist der Herstellungsprozess einfacher und damit sind die Kosten niedrig.
- Oben ist die Grundlage der Erfindung beschrieben. Im Folgenden werden in Verbindung mit den Zeichnungen in Ausführungsbeispielen die technischen Lösungen der Ausführungsbeispiele der Erfindung deutlich und vollständig beschrieben. Allerdings sind die offenbarten Ausführungsbeispiele nur ein Teil der Ausführungsbeispiele der Erfindung und nicht alle Ausführungsbeispiele. Ausgehend von den Ausführungsbeispielen der Erfindung fallen die anderen Ausführungsbeispiele, die von dem Fachmann ohne erfinderische Arbeiten erhalten können, in den Schutzbereich der Erfindung.
- In der folgenden Beschreibung werden viele konkrete Details erklärt, um die Erfindung vollständig zu verstehen. Aber die Erfindung kann auf andere Weise wie hier dargestellt ausgeführt werden. Der Fachmann kann ähnliche Entwicklungen machen, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen. Somit beschränkt sich die Erfindung nicht auf die folgenden offenbarten Ausführungsbeispiele.
- Dann wird die Erfindung in Verbindung mit Zeichnungen näher erklärt. Um die Darstellung zu vereinfachen, sind die schematischen Darstellungen, die Strukturen der Elemente zeigen, bei der Erklärung der Ausführungsbeispiele der Erfindung nicht maßstäblich vergrößert und lediglich Beispiele, die den Schutzbereich der Erfindung nicht beschränken. Zudem soll bei der praktischen Herstellung ein dreidimensionaler Raum von Länge, Breite und Tiefe enthalten sein.
- Ausgehend von den oben beschriebenen Grundlagen wird ein Bildschirm erfindungsgemäß bereitgestellt. Wie in
1a gezeigt, umfasst der Bildschirm ein TFT-Substrat21 und ein Farbfilmsubstrat22 , die gegenübergelegt sind; und eine Pixeleinheit, die an der dem Filmsubstrat22 zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats21 angeordnet ist. - Das Farbfilmsubstrat
22 umfasst ein erstes Substrat221 sowie eine Schwarzmatrix222 und einen Farblichtfilterfilm223 , die an der dem TFT-Substrat21 zugewandten Oberfläche des ersten Substrats angeordnet sind. Der Bereich, dem die Schwarzmatrix222 entspricht, stellt eine undurchsichtige nicht-Anzeigezone dar. Vorzugsweise umfasst der Bildschirm noch eine an der vom TFT-Substrat abgewandten Oberfläche des Farbfilmsubstrats angeordnete, zur Sicherung gegen die statische Elektrizität dienende transparente elektrisch leitende Schicht (nicht dargestellt in2 ), die eine ITO-Schicht sein kann. - Das TFT-Substrat umfasst ein zweites Substrat
211 sowie ein erstes TFT-Element23 und ein zweites TFT-Element24 , die an einer dem Farbfilmsubstrat22 zugewandten Oberfläche des zweiten Substrats211 angeordnet sind. Das erste TFT-Element umfasst eine Steuerungselektrode231 , eine Eingangselektrode232 sowie eine Ausgangselektrode233 . Das zweite TFT-Element24 umfasst eine Steuerungselektrode241 , eine Eingangselektrode242 sowie eine Ausgangselektrode243 . - Zwischen dem ersten TFT-Element
23 und dem zweiten TFT-Element24 befindet sich ein durchsichtiger Bereich als eine Pixelzone. Die Steuerungselektrode ist ein Gate des TFT-Elements. Die Eingangselektrode ist eine Source des TFT-Elements. Die Ausgangselektrode ist ein Drain des TFT-Elements. - Unter Bezugnahme auf
1a und1b , umfasst die Pixeleinheit eine transparente Bezugspotenzialschicht25 sowie eine undurchlässige Verformungsschicht26 . Die Pixeleinheit ist an einer Oberfläche der Pixelzone angeordnet, wobei die Bezugspotenzialschicht25 auf einer dem Farbfilmsubstrat22 zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats21 angeordnet ist, und wobei die Verformungsschicht26 auf der Bezugspotenzialschicht23 angeordnet ist und gegen die Bezugspotenzialschicht isoliert ist. Die Bezugspotenzialschicht25 ist mit einer transparenten Isolierschicht27 bedeckt. - Die Ausgangselektrode
233 des ersten TFT-Elements23 ist mit der Bezugspotenzialschicht25 elektrisch verbunden, sodass die Spannung der Bezugspotenzialschicht25 durch die Ausgangselektrode233 gesteuert wird. Die Ausgangselektrode243 des zweiten TFT-Elements24 ist mit der Verformungsschicht26 elektrisch verbunden, sodass die Spannung der Verformungsschicht26 durch die Ausgangselektrode243 gesteuert wird. - Die Verformungsschicht
26 ist eine elastisch verformbare elektrisch leitende Schicht. Wenn die Spannungen der Verformungsschicht26 und der Bezugspotenzialschicht25 ungleich sind, sind beide elektrischen Feldstärken unterschiedlich, was zu unterschiedlichen elektrischen Feldkräften, die auf die Verformungsschicht26 wirken, führt. Die Verformungsschicht26 kann in Abhängigkeit von der Spannungsdifferenz von ihr zu der Bezugspotenzialschicht25 um einen mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil der Verformungsschicht als eine feste Achse der der Spannungsdifferenz entsprechenden elastischen Verformung ausgesetzt sein, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zu ändern. - Um eine Ablösung der Verformungsschicht
26 zu vermeiden, ist an der Oberfläche des Verbindungsbereichs noch eine Schutzschicht28 angeordnet, so dass die Verformungsschicht mit dem TFT-Substrat21 fester verbunden ist. Die Schutzschicht28 weist ein Material mit hoher Adhäsion auf, als Siliziumdioxid. - Das TFT-Substrat
21 ist durch ein Stützelement29 mit dem Farbfilmsubstrat22 fest verbunden. Die Dicke des Stützelements29 ist größer als der sich bei der maximalen Verformung der Verformungsschicht26 einstellende Abstand zwischen dem Höchstpunkt der Verformungsschicht26 und der Oberfläche des TFT-Substrats, sodass es einen ausreichenden Raum in einer vertikalen Richtung für die elastische Verformung der Verformungsschicht26 gibt. Die Form des Stützelements29 kann eine Zylinderstruktur, eine Kubusstruktur, eine Kugelstruktur, eine Kegelstruktur oder eine Treppenstruktur aufweisen. - Um den Luftwiderstand zu vermindern, ist die Pixeleinheit ein Dichtraum, dessen Druck kleiner als der standardmäßige Atmosphärendruck ist, sodass der Widerstand des die Bewegung der Verformungsschicht
26 verhindernden Gasdrucks verringert wird. Der Dichtraum ist nur mit einem Oxidation unterdrückenden Gas gefüllt, das Stickstoff, jedes beliebige Inertgas, Mischgas aus mehreren Inertgasen, oder Mischgas aus Stickstoff und einem oder mehreren Inertgasen ist, um die Alterung der Verformungsschicht26 wegen Oxidation zu vermeiden und damit die längere Lebensdauer der Verformungsschicht zu gewährleisten. - In diesem Ausführungsbeispiel kann die Verformungsschicht
26 folgende Materialien umfassen, aber beschränkt sich nicht auf diese: Titan, Kupfer, Silber oder Aluminium. Die Dicke der Verformungsschicht26 beträgt einschließlich 1nm bis 10.000 nm. Die bestimmte Dicke kann in Abhängigkeit vom Verformungsgrad eingestellt werden. - Unter Bezugnahme auf
2 , zeigt sie die unterschiedlichen Durchsichtigkeiten von drei Pixeleinheiten am TFT-Substrat21 . Auf der Bezugspotenzialschicht25 und der Verformungsschicht26 der linken Pixeleinheit werden keine Spannungen aufgebracht, somit bleibt die Verformungsschicht26 im Anfangszustand und lässt ein Teil des Lichts durchgehen. Auf der Bezugspotenzialschicht25 und der Verformungsschicht26 der mittleren Pixeleinheit werden Spannungen mit entgegengesetzter Polarität aufgebracht, sodass die Verformungsschicht26 vollständig die Oberfläche der Isolierschicht27 überdeckt und das Licht nicht durchgehen lässt. Auf der Bezugspotenzialschicht25 und der Verformungsschicht26 der rechten Pixeleinheit werden Spannungen mit gleicher Polarität aufgebracht, sodass die Verformungsschicht26 nach oben kippt elastisch verformt und sich die Hintergrundbeleuchtung durchgehen lässt. Dadurch kann die Lichtdurchlässigkeit durch Steuerung des Aufkippausmaßes der Verformungsschicht eingestellt werden. - Aus der obigen Beschreibung geht hervor, dass der Verformungsgrad der Verformungsschicht durch die Steuerung der Spannungsdifferenz zwischen der Verformungsschicht und der Bezugspotenzialschicht und der jeweiligen Polarität und damit die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone und damit die Lichtdurchlässigkeit eingestellt werden kann, sodass Bilddarstellungen mit unterschiedlichen Graustufen realisiert werden.
- Hieraus ergibt sich, dass der Flach-Bildschirm keine Flüssigkristallmaterialien braucht. Mit der Bezugspotenzialschicht und der Verformungsschicht kann die Einstellung der Lichtdurchlässigkeit der Pixelzone erzielt werden. Dadurch wird der Aufbau im Vergleich zu den herkömmlichen Flüssigkristallanzeigen vereinfacht. Es ist nicht erforderlich, eine gemeinsame Elektrode und einen oberen Polarisator auf dem Farbfilmsubstrat anzuordnen sowie eine Ausrichtschicht und einen unteren Polarisator auf dem TFT-Substrat anzuordnen. Somit ist der Herstellungsprozess einfacher und sind die Kosten niedrig.
- In einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für den oben beschriebenen Bildschirm bereitgestellt, umfassend die folgenden Verfahrensschritte:
Schritt S11: Bereitstellen eines TFT-Substrats21 , unter Bezugnahme auf3 . - Das TFT-Substrat
21 umfasst ein zweites Substrat211 sowie ein erstes TFT-Element23 und ein zweites TFT-Element24 , die an einer Oberfläche des zweiten Substrats211 angeordnet sind. Das erste TFT-Element umfasst eine Steuerungselektrode231 , eine Eingangselektrode232 sowie eine Ausgangselektrode233 . Die zweite TFT-Element24 umfasst eine Steuerungselektrode241 , eine Eingangselektrode242 sowie eine Ausgangselektrode243 . Das TFT-Substrat21 umfasst noch eine Passivierungsschicht212 , die das erste TFT-Element23 und das zweite TFT-Element24 bedeckt. - Schritt S12: Ausbilden einer ersten Nut A und einer zweiten Nut B am TFT-Substrat
21 , unter Bezugnahme auf4 . - Die erste Nut A und die zweite Nut B können mittels eines Prozesses wie Fotolithografie oder Laserätzen gebildet werden. Die erste Nut A kommuniziert mit der Ausgangselektrode
233 des ersten TFT-Elements23 , und die zweite Nut B kommuniziert mit der Ausgangselektrode243 des zweiten TFT-Elements24 . - Schritt S13: Ausbilden einer Bezugspotenzialschicht
25 auf einer Oberfläche des TFT-Substrats21 , unter Bezugnahme auf5 . Die Bezugspotenzialschicht25 ist über die erste Nut A mit der Ausgangselektrode233 des ersten TFT-Elements23 elektrisch verbunden. - Zuerst kann ganzflächig auf der Oberfläche des TFT-Substrats
21 eine transparente elektrisch leitende Schicht gebildet werden, wobei das Material der transparenten elektrisch leitenden Schicht in der Nut A abgeschieden wird, um die elektrische Verbindung mit der Ausgangselektrode233 herzustellen. Danach wird die transparente elektrisch leitende Schicht über einen Fotolithographieprozess geätzt, um die Bezugspotenzialschicht25 mit einer bestimmten Form auszubilden. - Schritt S14: Ausbilden einer Verformungsschicht
26 auf der Bezugspotenzialschicht25 , unter Bezugnahme auf6 . Die Verformungsschicht26 wird über die zweite Nut B mit der Ausgangselektrode243 des zweiten TFT-Elements24 elektrisch verbunden, wobei die Verformungsschicht gegen die Bezugspotenzialschicht isoliert ist. - Um die Isolation zwischen der Verformungsschicht
26 und der Bezugspotenzialschicht25 zu gewährleisten, wird in diesem Ablauf zuerst auf der Oberfläche der Bezugspotenzialschicht25 eine Isolierschicht27 mit einer bestimmten Form gebildet. Auf die Isolierschicht27 wird eine Fotoresistschicht aufgebracht. Nach der Härtung des Fotoresists, wird auf der Fotoresistschicht die Verformungsschicht26 gebildet. Mittels Beschichtung und Äztprozesses wird die Verformungsschicht mit einer bestimmten Form gebildet. Bei Beschichtung wird die zweite Nut B mit dem Material der Verformungsschicht26 gefüllt, um die elektrische Verbindung zwischen der Verformungsschicht26 und der Ausgangselektrode243 des zweiten TFT-Elements24 herzustellen. Zum Schluss wird der Fotoresist entfernt, sodass die Verformungsschicht26 nur über ihren mit der zweiten Nut B verbundenen Teil befestigt wird. Dadurch kann sich der restliche Teil elastisch verformen. - Um die Verformungsschicht
26 am TFT-Substrat fester zu befestigen, wird am mit dem TFT-Substrat verbundenen Teil der Verformungsschicht eine Schutzschicht28 gebildet. Die Schutzschicht28 kann eine Siliziumdioxidschicht sein, die mittels Abscheidungsbeschichtung und Ätzprozesses gebildet wird. - Schritt S15: Bereitstellen eines Farbfilmsubstrats
22 und Anliegen des Farbfilmsubstrats22 am TFT-Substrat21 , wobei sich die Verformungsschicht26 und die Bezugspotenzialschicht25 zwischen dem Farbfilmsubstrat22 und dem TFT-Substrat21 befinden, sodass der Bildschirmaufbau wie in1 gezeigt endlich erzielt wird. - Die Verformungsschicht
26 kann um ihren mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil als eine feste Achse der unterschiedlichen elastischen Verformung ausgesetzt sein, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zwischen dem ersten TFT-element und dem zweiten TFT-element zu ändern. - Um das Lichtleck am Rand zu vermeiden, wird der mit dem TFT-Substrat verbundenen Teil der Verformungsschicht
26 von der Projektion einer Schwarzmatrix222 des Farbfilmsubstrats22 auf dem TFT-Substrat bedeckt, d.h., dass die Projektionsfläche der Verformungsschicht26 auf dem TFT-Substrat größer als eine Öffnung der Schwarzmatrix222 ist. - Bevor das Farbfilmsubstrat
22 am TFT-Substrat21 angelegt wird, kann an einer vom TFT-Substrat abgewandten Oberfläche des Farbfilmsubstrats eine transparente elektrisch leitende Schicht gebildet wird, um die Störung des Bildschirms durch statische Elektrizität zu vermeiden. - Das Farbfilmsubstrat
22 und das TFT-Substrat21 werden unter Niederdruck dicht angeordnet, um den Widerstand für die Verformungsschicht26 zu vermindern. Zwischen dem Farbfilmsubstrat22 und dem TFT-Substrat21 wird ein Oxidation unterdrückendes Gas gefüllt, um die Oxidation der Verformungsschicht26 zu verhindern und die Lebensdauer der Verformungsschicht26 zu gewährleisten. - Aus der obigen Beschreibung geht hervor, dass der Bildschirm, der mit dem Herstellungsverfahren gemäß den Ausführungsbeispielen der Erfindung hergestellt ist, keine Flüssigkristallzellen braucht. Im Herstellungsablauf ist die Planarisierungsbehandlung der Flüssigkristallschicht nicht erforderlich. Es ist nicht erforderlich, eine gemeinsame Elektrode und einen oberen Polarisator auf dem Farbfilmsubstrat anzuordnen sowie eine Ausrichtschicht und einen unteren Polarisator auf dem TFT-Substrat anzuordnen. Somit ist der Herstellungsprozess einfacher und sind die Kosten niedrig.
- Es ist angemerkt, dass in der Erfindung die Ausführungsbeispiele für den Bildschirm und die Ausführungsbeispiele für das Verfahren sich unterschiedlich konzentrieren und die gleichen und ähnlichen Beschreibungen zueinander ergänzend erläutert werden können. Im Zusammenhang werden die Begriffe “erst” und “zweit” nur zum Unterscheiden von einem Element bzw. einer Handhabung und einem anderen Element bzw. einer anderen Handhabung verwendet und müssen nicht die praktische Beziehung oder Sequenz zwischen diesen Elementen und diesen Handhabungen fordern oder bezeichnen. Die Verben in der Erfindung “umfassen”, “enthalten” und die Variation davon bedeuten, dass neben den beschriebenen Elementen und Schritten auch andere Elemente und Schritte vorhanden sein können. Die Artikel vor den Elementen “ein” und “eine” schließen das Vorhanden von mehreren solchen Elementen nicht aus. Außerdem kann die Struktur des TFT-Elements als a-Si amorphes-Silizium-Struktur, LTPS niedrige-Temperatur-Polysilizium-Struktur oder Oxid-Halbleiter Struktur (z.B. IGZO) ausgeführt werden.
- Zwar werden die Idee und das Prinzip der Erfindung anhand der konkreten Ausführungsformen beschrieben, aber es ist zu verstehen, dass sich die Erfindung nicht auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkt. Die Einteilung der Aspekte bedeutet nicht, dass die Merkmale in diesen Aspekten nicht miteinander kombiniert werden können. Die Einteilung wird nur zur besseren Beschreibung verwendet. Die Erfindung zielt auf Beinhalten aller Modifikationen und Äquivalente innerhalb der Idee und des Prinzips der beigefügten Ansprüche. Der Umfang der beigefügten Ansprüche entspricht der weitesten Erläuterung und umfasst somit alle Variationen sowie äquivalente Strukturen und Funktionen.
- Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass „umfassend“ und „aufweisend“ keine anderen Elemente oder Schritte ausschließt und „eine“ oder „ein“ keine Vielzahl ausschließt. Ferner sei darauf hingewiesen, dass Merkmale oder Schritte, die mit Verweis auf eines der obigen Ausführungsbeispiele beschrieben worden sind, auch in Kombination mit anderen Merkmalen oder Schritten anderer oben beschriebener Ausführungsbeispiele verwendet werden können. Bezugszeichen in den Ansprüchen sind nicht als Einschränkungen anzusehen.
Claims (12)
- Ein Bildschirm, mit – einem TFT-Substrat und einem Farbfilmsubstrat, die aneinander gegenüberliegend sind, wobei das TFT-Substrat ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element umfasst, und wobei zwischen dem ersten TFT-Element und dem zweiten TFT-Element sich ein durchsichtiger Bereich als eine Pixelzone befindet; – einer Pixeleinheit, die an einer dem Filmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnet ist und die an der Oberfläche der Pixelzone liegt, wobei die Pixeleinheit eine auf einer dem Farbfilmsubstrat zugewandten Oberfläche des TFT-Substrats angeordnete transparente Bezugspotenzialschicht und eine auf der Bezugspotenzialschicht angeordnete undurchlässige Verformungsschicht umfasst, wobei die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht gegeneinander isoliert sind; – wobei die Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements mit der Bezugspotenzialschicht elektrisch verbunden ist, und die Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements mit der Verformungsschicht elektrisch verbunden ist, sodass die Verformungsschicht sich in Abhängigkeit von ihrer Spannungsdifferenz zu der Bezugspotenzialschicht um einen mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil der Verformungsschicht als eine feste Achse der der Spannungsdifferenz entsprechenden elastischen Verformung aussetzt, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zu ändern.
- Bildschirm nach Anspruch 1, wobei eine den Verbindungsbereich bedeckende Schutzschicht zur Befestigung des Verbindungsbereichs verwendet wird.
- Bildschirm nach Anspruch 1 oder 2, wobei zwischen dem TFT-Substrat und dem Farbfilmsubstrat ein Stützelement angeordnet ist, wobei die Dicke des Stützelements größer ist als der bei der maximalen Verformung der Verformungsschicht sich einstellende Abstand zwischen dem Höchstpunkt der Verformungsschicht und der Oberfläche des TFT-Substrats.
- Bildschirm nach Anspruch 3, wobei die Form des Stützelements eine Zylinderstruktur, eine Kubusstruktur, eine Kugelstruktur, eine Kegelstruktur oder eine Treppenstruktur aufweist.
- Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 4, mit einer transparenten elektrisch leitenden Schicht, die an der vom TFT-Substrat abgewandten Oberfläche des Farbfilmsubstrats angeordnet ist und zur Sicherung gegen die statische Elektrizität dient.
- Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Pixeleinheit in einem Dichtraum liegt, dessen Druck nicht größer als der standardmäßige Atmosphärendruck ist und der nur mit einem Oxidation unterdrückenden Gas gefüllt wird.
- Bildschirm nach Anspruch 6, bei dem das Oxidation unterdrückende Gas Stickstoff, beliebiges Inertgas, Mischgas aus mehreren Inertgasen, oder Mischgas aus Stickstoff und einem oder mehreren Inertgas ist.
- Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Material der Verformungsschicht Titan, Kupfer, Silber oder Aluminium ist.
- Bildschirm nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die Dicke der Verformungsschicht einschließlich 1nm bis 10.000 nm beträgt.
- Ein Herstellungsverfahren für einen Bildschirm, das aufweist: Bereitstellen eines TFT-Substrats, das ein erstes TFT-Element und ein zweites TFT-Element umfasst; Ausbilden einer mit der Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements kommunizierenden ersten Nut sowie einer mit der Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements kommunizierenden zweiten Nut auf der Isolierschicht an der Oberfläche des TFT-Substrats; Ausbilden einer Bezugspotenzialschicht auf der Oberfläche des TFT-Substrats, die über die erste Nut mit der Ausgangselektrode des ersten TFT-Elements elektrisch verbunden ist; Ausbilden einer Verformungsschicht auf der Bezugspotenzialschicht, die über die zweite Nut mit der Ausgangselektrode des zweiten TFT-Elements elektrisch verbunden ist und die gegen die Bezugspotenzialschicht isoliert ist; Bereitstellen eines Farbfilmsubstrats, das an dem TFT-Substrat angelegt wird, wobei die Verformungsschicht und die Bezugspotenzialschicht zwischen dem Farbfilmsubstrat und dem TFT-Substrat liegen; wobei die Verformungsschicht sich um ihren mit dem TFT-Substrat fest verbundenen Teil als eine feste Achse der unterschiedlichen elastischen Verformung aussetzen kann, um die Abdeckungsfläche der Verformungsschicht an der Pixelzone zwischen dem ersten TFT-element und dem zweiten TFT-Element zu ändern.
- Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem an einer vom TFT-Substrat abgewandten Oberfläche des Farbfilmsubstrats eine transparente elektrisch leitende Schicht gebildet wird, bevor das Farbfilmsubstrat am TFT-Substrat angelegt wird.
- Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, bei dem das TFT-Substrat gegen das Farbfilmsubstrat dicht angeordnet wird und zwischen dem TFT-Substrat und dem Farbfilmsubstrat ein Oxidation unterdrückendes Gas gefüllt wird.
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CN111554195B (zh) * | 2020-05-30 | 2022-06-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示模组及其制备方法、电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5781331A (en) * | 1997-01-24 | 1998-07-14 | Roxburgh Ltd. | Optical microshutter array |
US20100053727A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Lee Son-Uk | Display Device |
WO2012165745A1 (ko) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 한국과학기술원 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5194974A (en) * | 1989-08-21 | 1993-03-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Non-flicker liquid crystal display with capacitive charge storage |
US7999994B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
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KR101235627B1 (ko) * | 2010-09-02 | 2013-02-21 | 한국과학기술원 | 디스플레이 장치 |
CN103000245B (zh) * | 2012-12-03 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种石墨烯金属混合电极材料、其制备方法、应用及基板 |
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- 2014-07-08 DE DE102014109529.4A patent/DE102014109529A1/de active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5781331A (en) * | 1997-01-24 | 1998-07-14 | Roxburgh Ltd. | Optical microshutter array |
US20100053727A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-04 | Lee Son-Uk | Display Device |
WO2012165745A1 (ko) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | 한국과학기술원 | 디스플레이 장치 |
Also Published As
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