DE102014106570A1 - Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Leistungshalbleitermodul und eine Anordnung hiermit vorgestellt. Das Leistungshalbleitermodul ist ausgebildet mit einem Gehäuse, einer Schalteinrichtung mit einem dem Gehäuse verbundenen Substrat, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement, einer Verbindungseinrichtung, Lastanschlusseinrichtungen und einer gegen das Gehäuse beweglich ausgebildeten Druckeinrichtung. Hierbei weist das Substrat eine erste mittige Durchgangsöffnung sowie gegeneinander elektrisch isolierte Leiterbahnen auf, wobei auf einer Leiterbahn ein Leistungshalbleiterbauelement angeordnet ist. Hierbei weist die Verbindungseinrichtung eine erste und eine zweite Hauptfläche auf und ist mit einer elektrisch leitenden Folie ausgebildet. Weiterhin weist die Druckeinrichtung einen Druckkörper mit einer zweiten zur ersten fluchtenden Durchgangsöffnung und mit einer ersten Ausnehmung auf aus der ein Druckelement hervorstehend angeordnet ist, wobei das Druckelement auf einen Abschnitt der zweiten Hauptfläche der Verbindungseinrichtung drückt und hierbei dieser Abschnitt in Projektion entlang der Normalenrichtung des Substrats innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist. Hierbei sind die erste und zweite Durchgangsöffnungen dazu ausgebildet ein Befestigungsmittel aufzunehmen, das das Leistungshalbleitermodul in der Anordnung auf einer Kühleinrichtung kraftschlüssig befestigt.
Description
- Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit mindestens einer Schalteinrichtung, die die Basiszelle des Leistungshalbleitermoduls bildet. Weiterhin wird eine Anordnung mit einem derartigen Leistungshalbleitermodul beschrieben.
- Aus dem Stand der Technik, beispielhaft offenbart in der
DE10 2010 62 556 A1 , ist eine Halbleiterschaltungsanordnung in Form eines Leistungshalbleitermoduls bekannt, bei der ein Gehäuse Druckelemente mit einem Druckkörper aufweist, wobei der Druckkörper entweder direkt auf einen Teil eines Halbleiterbauelement oder auf einen Abschnitt eines Substrats drückt. Aus derUS 7,808,100 B2 ist es ebenfalls bekannt direkt mittels eines Pressstempels auf Leistungshalbleiterbauelemente zu drücken. Nachteilig an beiden Ausgestaltungen ist, dass ein direkter Druck auf ein Leistungshalbleiterbauelement, das mittels Drahtbondverbindungen intern schaltungsgerecht verbunden ist auf Grund der in realen Anwendungen begrenzten zur Verfügung stehenden Fläche nur sehr punktuell erfolgen kann. Somit verringert sich die Stromtragfähigkeit der internen Verbindung, da am Druckpunkt keine Bondverbindungen herstellbar sind. - Insbesondere aus der
DE 10 2013 104 949 B3 ist eine Basiszelle dem Grunde nach bekannt. Diese Basiszelle ist ausgebildet als eine Schalteinrichtung mit einem Substrat, einem Leistungshalbleiterbauelement, einer Verbindungseinrichtung, Lastanschlusseinrichtungen und einer Druckeinrichtung. Hierbei weist das Substrat elektrisch isolierte Leiterbahnen auf und auf einer Leiterbahn ist ein Leistungshalbleiterbauelement angeordnet. Die Verbindungseinrichtung ist als Folienverbund mit einer elektrisch leitenden und einer elektrisch isolierenden Folie ausgebildet und weist eine erste und eine zweite Hauptfläche auf. Hiermit wird die Schalteinrichtung intern schaltungsgerecht verbunden. Die Druckeinrichtung weist einen Druckkörper mit einer ersten Ausnehmung auf, aus der ein Druckelement hervorstehend angeordnet ist, wobei das Druckelement auf einen Abschnitt der zweiten Hauptfläche des Folienverbunds drückt und hierbei dieser Abschnitt in Projektion entlang der Normalenrichtung des Leistungshalbleiterbauelements innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist. - In Kenntnis der genannten Gegebenheiten liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Leistungshalbleitermodul, sowie eine Anordnung hiermit, mit mindestens einer Schalteinrichtung vorzustellen, wobei die Druckeinleitung auf die Basiszelle besonders einfach und effektiv erfolgt.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Anspruchs 1, sowie durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 12. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den jeweiligen abhängigen Ansprüchen beschrieben.
- Das erfindungsgemäße Leistungshalbleitermodul ist ausgebildet mit einem Gehäuse, einer Schalteinrichtung mit einem dem Gehäuse verbundenen Substrat, einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement, einer Verbindungseinrichtung, Lastanschlusseinrichtungen und einer gegen das Gehäuse in Normalenrichtung des Substrats beweglich ausgebildeten Druckeinrichtung. Hierbei weist das Substrat eine erste mittige Durchgangsöffnung sowie gegeneinander elektrisch isolierte Leiterbahnen auf, wobei auf einer Leiterbahn ein Leistungshalbleiterbauelement angeordnet und stoffschlüssig damit verbunden ist.
- Hierbei weist die Verbindungseinrichtung eine erste und eine zweite Hauptfläche auf und ist mit einer elektrisch leitenden Folie ausgebildet, wobei die Schalteinrichtung mittels der Verbindungseinrichtung intern schaltungsgerecht verbunden ist. Weiterhin weist die Druckeinrichtung einen Druckkörper mit einer zweiten zur ersten fluchtenden Durchgangsöffnung und mit einer ersten Ausnehmung auf aus der ein Druckelement hervorstehend angeordnet ist, wobei das Druckelement auf einen Abschnitt der zweiten Hauptfläche der Verbindungseinrichtung drückt und hierbei dieser Abschnitt in Projektion entlang der Normalenrichtung des Substrats innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements angeordnet ist. Hierbei sind die erste und zweite Durchgangsöffnungen dazu ausgebildet ein Befestigungsmittel aufzunehmen, das dazu ausgebildet ist das Leistungshalbleitermodul auf einer Kühleinrichtung kraftschlüssig zu befestigen.
- Selbstverständlich können, sofern dies nicht per se ausgeschlossen ist, die im Singular genannten Merkmale insbesondere das Leistungshalbleiterbauelement, und die Verbindungseinrichtung auch mehrfach in dem erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodul vorhanden sein. Insbesondere können mehrere Leistungshalbleiterbauelemente auf einer oder mehreren Leiterbahnen eines Substrats angeordnet sein.
- In einer bevorzugten Ausgestaltung weist das Gehäuse fluchtend zur ersten und zweiten Durchgangsöffnung eine dritte Durchgangsöffnung auf, wobei die erste und zweite oder alle Durchgangsöffnungen dazu ausgebildet sind das Befestigungsmittel aufzunehmen.
- Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn die Verbindungseinrichtung als Folienstapel mit mindestens einer elektrisch leitenden und mindestens einer elektrisch isolierenden Folie ausgebildet ist, wobei die leitenden und isolierenden Folien alternierend angeordnet sind.
- Bevorzugt ist es, wenn die erste Ausnehmung des Druckkörpers ausschließlich als Vertiefung, ausgehend von einer ersten dem Substrat zugewandten Hauptfläche des Druckkörpers oder als Vertiefung ausgehend von der ersten Hauptfläche mit einer durch den Druckkörper zur zweiten Hauptfläche hindurchreichenden Aussparung mit dort angeordneter Öffnung, ausgebildet ist. Hierbei kann das Druckelement die Ausnehmung des Druckkörpers vollständig oder annährend vollständig ausfüllen. Alternativ, gleichzeitig oder zusätzlich kann das Druckelement aus der Aussparung des Druckkörpers an dessen zweiter Hauptfläche hervorstehen.
- Ebenso kann das Gehäuse oder eine der Lastanschlusseinrichtungen erste Führungselemente und die Druckeinrichtung zweite Führungselemente aufweisen, wobei diese ersten und zweiten Führungselemente zueinander korrespondierend angeordnet und dazu ausgebildet sind eine Bewegung der Druckeinrichtung zum Gehäuse mit angeordneten Lastanschlusseinrichtungen nur in Normalenrichtung des Substrats zuzulassen.
- In einer besonders bevorzugten Ausführung kann der Druckkörper aus einem hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Kunststoff, insbesondere aus Polyphenylensulfid, und das Druckelement aus einem Silikonkautschuk, insbesondere aus Flüssig-Silikon, bestehen.
- Bevorzugt weist der Druckkörper eine zweite Ausnehmung auf seiner zweiten Hauptfläche auf, deren Basis eine Hilfsfläche bildet, wobei in der zweiten Ausnehmung ein flächiger Metallkörper mit einer weiteren zu den übrigen fluchtenden Durchgangsöffnung angeordnet ist.
- Zur Ausbildung einer effizienten Druckeinrichtung, deren Belastung für das Leistungshalbleiterbauelement nicht zu dessen Zerstörung führt, ist es besonders vorteilhaft, wenn der Flächeninhalt des Abschnitts mindestens 20%, insbesondere mindestens 50% der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements aufweist.
- Es ist weiterhin bevorzugt, wenn die laterale Ausdehnung der Druckeinrichtung in beide orthogonalen Richtungen parallel zur Substratebene geringer ist als die laterale Ausdehnung des Substrats als solches.
- Auch kann es zur Ausbildung eines besonderen Schutzes gegen Umwelteinflüsse notwendig sein, wenn die Oberseite des Substrats, einschießend dessen Leiterbahnen, das Leistungshalbleiterbauelement und die Verbindungseinrichtung mittels einer Vergussmasse feuchtigkeitsdicht vergossen ist.
- Ebenso ist es auf Grund der besonders wirksamen Druckeinleitung möglich, dass zwischen Substrat, insbesondere demjenigen Teil des Substrats, auf dem die Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet sind, und der Kühleinrichtung eine Wärmeleitpaste mit einer Dicke von weniger als 20µm, insbesondere von weniger als 10µm, insbesondere von weniger als 5µm angeordnet werden kann.
- Es ist besonders bevorzugt, wenn der jeweilige Druckkörper breiter als hoch ausgebildet ist, d.h. wenn das Verhältnis aus lateraler Ausdehnung zu vertikaler Ausdehnung des Druckkörpers vor der Anordnung mit einer Kühleinrichtung ein Verhältnis von 3 zu 1, insbesondere von 5 zu 1 aufweist.
- Für bestimmte Anwendungen kann die Oberseite des Substrats, einschießend dessen Leiterbahnen, das Leistungshalbleiterbauelement und die Verbindungseinrichtung mittels einer Vergussmasse feuchtigkeitsdicht vergossen sein.
- Zur externen Kontaktierung können Abschnitte der Lastanschlusseinrichtungen durch das Gehäuse ragen und dort externe Lastkontakteinrichtungen ausbilden.
- Die erfindungsgemäße Anordnung weist ein oben beschriebenes Leistungshalbleitermodul, eine Kühleinrichtung und ein Befestigungsmittel auf, wobei das Befestigungsmittel auf die Druckeinrichtung Kraft einleitet und somit die Druckeinrichtung das Substrat kraftschlüssig mit der Kühleinrichtung verbindet.
- Hierbei kann zwischen Substrat und der Kühleinrichtung eine Wärmeleitpaste mit einer Dicke von weniger als 20µm, insbesondere von weniger als 10µm, insbesondere von weniger als 5µm angeordnet sein.
- Bevorzugt kann die Kühleinrichtung als eine Grundplatte des Leistungshalbleitermoduls oder als ein dem Leistungshalbleitermodul zugeordneter externer Kühlkörper ausbildet sein.
- In einer bevorzugten Variante weist das Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls mindesten einen Zapfen auf, der in einer zugeordneten dritten Ausnehmung der Kühleinrichtung oder eines weiteren Kühlkörpers hineinragt und dazu ausgebildet ist ein Verdrehen des Gehäuses gegen die Kühleinrichtung bzw. gegen den weiteren Kühlkörper zu verhindern.
- Es versteht sich, dass die verschiedenen Ausgestaltungen der Erfindung, also des Leistungshalbleitermoduls wie auch der Anordnung hiermit, einzeln oder in beliebigen Kombinationen realisiert sein können, um Verbesserungen zu erreichen. Insbesondere sind die vorstehend genannten und hier oder im Folgenden erläuterten Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen sich nicht ausschließenden Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
- Weitere Erläuterungen der Erfindung, vorteilhafte Einzelheiten und Merkmale, ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der in den
1 bis6 schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele der Erfindung, oder von jeweiligen Teilen hiervon. -
1 zeigt eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen leistungselektronischen Leistungshalbleitermoduls. -
2 zeigt eine erste erfindungsgemäße Anordnung mit einem zweiten Leistungshalbleitermodul. -
3 zeigt eine zweite erfindungsgemäße Anordnung mit einem dritten Leistungshalbleitermodul. -
4 zeigt eine weitere erfindungsgemäßes Anordnung eines Leistungshalbleitermodul mit drei Schalteinrichtungen. -
5 zeigt eine Draufsicht auf Ausschnitte einer Schalteinrichtung in verschiedenen Schnittebenen. -
6 zeigt eine Draufsicht auf Teile eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls. -
1 zeigt eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls1 mit einer Schalteinrichtung10 . Dargestellt ist ein grundsätzlich fachüblich ausgebildetes Substrat2 mit einem Isolierstoffkörper20 und hierauf angeordneten jeweils elektrisch voneinander isolierten Leiterbahnen22 , die im Betrieb unterschiedliche Potentiale, insbesondere Lastpotentiale, aber auch Hilfs-, insbesondere Schalt- und Messpotentiale, der Schalteinrichtung aufweisen. Konkret dargestellt sind hier drei Leiterbahnen22 mit Lastpotentialen wie sie für eine Halbbrückentopologie typisch sind. Das Substrat weist eine mittig, bzw. im Wesentlichen mittig, angeordnete erste Durchgangsöffnung24 auf. - Auf zwei Leiterbahnen
22 ist jeweils ein Leistungsschalter26 angeordnet, der fachüblich als Einzelschalter, beispielhaft als MOS-FET, oder als IGBT mit antiparallel geschalteter Leistungsdiode, wie hier dargestellt, ausgebildet sein. Die Leistungsschalter26 sind fachüblich, bevorzugt mittels einer Sinterverbindung, mit den Leiterbahnen22 elektrisch leitend verbunden. - Die internen Verbindungen der Schalteinrichtung
10 sind ausgebildet mittels einer Verbindungseinrichtung3 aus einer elektrisch leitenden Folie30 , die hier einzelne nicht, weder mechanisch noch elektrisch, miteinander verbundene Leiterbahnabschnitte ausbildet. Diese Leiterbahnabschnitte verbinden insbesondere das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement24 , genauer dessen Kontaktflächen auf der dem Substrat2 abgewandten Seite, mit Leiterbahnen22 des Substrats2 . In bevorzugter Ausgestaltung sind die Leiterbahnabschnitte mit den Kontaktflächen mittels einer Sinterverbindung stoffschlüssig verbunden. Selbstverständlich können gleichartig auch Verbindungen zwischen Leistungshalbleiterbauelementen24 und zwischen Leiterbahnen22 des Substrats2 ausgebildet werden. Insbesondere bei Drucksinterverbindungen ist es vorteilhaft, wie dargestellt, eine isolierende Masse28 am Randbereich der Leistungshalbleiterbauelement24 anzuordnen. Diese isolierende Masse28 kann auch in den Zwischenräumen der Leiterbahnen22 angeordnet werden. Die dem Substrat2 zugewandte Oberfläche der Folie30 bildet hierbei die erste Hauptfläche300 aus, während die gegenüberliegende Oberfläche eine zweite Hauptfläche320 ausbildet. - Zur externen elektrischen Anbindung weist das Leistungshalbleitermodul
1 Last- und Hilfsanschlusselemente auf, wobei hier nur die Lastanschlusselemente4 dargestellt sind. Diese Lastanschlusselemente4 sind rein beispielhaft als Metallformkörper ausgebildet, die mit einem Kontaktfuß mit einer Leiterbahn22 des Substrats2 stoffschlüssig, vorteilhafterweise ebenfalls mittels einer Sinterverbindung, verbunden sind. Grundsätzlich können auch Teile der Verbindungseinrichtung3 selbst als Last- oder Hilfsanschlusselemente ausgebildet sein. Die Hilfsanschlusselemente, wie Gate- oder Sensoranschlüsse, können im Übrigen fachüblich ausgebildet sein. - Das Leistungshalbleitermodul
1 weist weiterhin ein Gehäuse6 auf, das mit dem Substrat2 mit einer Klebeverbindung verbunden ist. Die Lastanschlusselemente4 ragen durch das Gehäuse6 und bilden dort externe Lastkontakteinrichtungen40 aus. Diese Lastkontakteinrichtungen40 können grundsätzlich fachüblich ausgebildet sein. - Eine Druckeinrichtung
5 weist eine erste500 dem Substrat2 zugewandte und eine zweite dem Substrat2 abgewandte Hauptfläche502 auf und ist hier der Übersicht halber beabstandet von der Verbindungseinrichtung3 dargestellt. Die Druckeinrichtung5 besteht aus einem Druckkörper50 und einer Mehrzahl, dargestellt sind zwei, Druckelementen52 . Der Druckkörper50 ist besonders starr ausgebildet um auf ihn eingeleiteten Druck homogen auf die Druckelemente52 weitergeben zu können. Hierzu und vor dem Hintergrund der thermischen Belastungen beim Betrieb des Leistungshalbleitermoduls besteht der Druckkörper50 aus einem hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Kunststoff, insbesondere aus Polyphenylensulfid. Die Druckelemente52 müssen im Betrieb und hierbei insbesondere bei unterschiedlichen Temperarturen einen im Wesentlichen konstanten Druck ausüben können. Hierzu bestehen die Druckelemente52 aus einem Silikonkautschuk, insbesondere aus sog. Flüssig-Silikon. Grundsätzlich sind hier alle Varianten der Druckeinrichtung, wie sie aus dem Stand der Technik bekannt sind vorsehbar. - Die Druckeinrichtung
5 weist ihrerseits eine Durchgangsöffnung auf. Diese zweite Durchgangsöffnung54 ist fluchtend zur ersten Durchgangsöffnung24 des Substrats2 angeordnet. Hierdurch kann ein Befestigungsmittel7 , das hier als eine fachübliche Schraube ausgebildet ist, durch beide Durchgangsöffnungen24 ,54 hindurchreichen um das Leistungshalbleitermodul1 auf einer, hier nicht dargestellten, Kühleinrichtung zu befestigen. Ausgeführt wird dies beispielhaft indem das Substrat2 mittels der Druckeinrichtung5 auf der Kühleinrichtung befestigt wird und anschließend das Gehäuse6 angeordnet und mit dem Substrat2 verbunden wird. Alternativ, vgl.3 , kann das Gehäuse6 eine zu der ersten und zweiten Durchgangsöffnung24 ,54 fluchtende dritte Durchgangsöffnung64 aufweisen durch die hindurch die Schraube7 bewegt, gedreht und damit in einen Kühlkörper eingeschraubt, werden kann. -
2 zeigt eine erste erfindungsgemäße Anordnung mit einem zweiten Leistungshalbleitermodul1 . Diese Anordnung weist ein Leistungshalbleitermodul1 , ähnlich demjenigen gemäß1 , sowie einen die Kühleinrichtung8 bildenden Kühlkörper und eine schematisch angedeutete Druckeinleiteinrichtung7 auf. - Die internen Verbindungen der Schalteinrichtung
10 sind ausgebildet mittels einer Verbindungseinrichtung3 aus einem Folienverbund, der alternierend elektrisch leitende30 ,32 und elektrisch isolierende Folien31 aufweist. In dieser Ausführung weist der Folienverbund3 genau zwei leitende Folien30 ,32 und eine dazwischen angeordnete isolierende Folie31 auf. Die dem Substrat2 zugewandte Oberfläche des Folienverbunds3 bildet hierbei die erste Hauptfläche300 aus, während die gegenüberliegende die zweite Hauptfläche320 ausbildet. Insbesondere die leitenden Folien30 ,32 der Verbindungseinrichtung3 sind in sich strukturiert und bilden somit voneinander elektrisch isolierte Leiterbahnabschnitte aus. - Beispielhaft weist ein, hier das rechte Lastanschlusselement
4 in seinem Verlauf eine mäanderartigen Abschnitt48 auf, der als Zug- bzw. Druckentlastung wirkt. Weiterhin sind hier die Lastkontakteinrichtungen40 zur Verbindung mit einer fachüblichen Schraubverbindung dargestellt, wobei eine Mutter46 starr oder bewegliche im Gehäuse6 vorgesehen ist in die eine zugeordnete Schraube47 durch die Lastkontakteinrichtung40 hindurch eingreift. Zur Verdeutlichung ist die Schraube47 beabstandet dargestellt. - Der Druckkörper
50 der Druckreinrichtung5 weist in dieser Ausgestaltung zusätzlich eine Metalleinlage56 auf, die hier ohne Beschränkung der Allgemeinheit in einer zweite Ausnehmung506 an der zweiten Hauptfläche502 der Druckeinrichtung5 angeordnet ist. Hierbei bildet die Basis dieser zweiten Ausnehmung506 eine Hilfsfläche aus. Der Druckkörper5 weist in seiner Gesamtheit also einschließlich der Metalleinlage56 eine zweite Durchgangsöffnung54 auf. - Das Gehäuse
6 weist eine dritte Durchgangsöffnung64 auf, die zur ersten und zweiten Durchgangsöffnung24 ,54 fluchtend angeordnet ist. Durch diese Durchgangsöffnungen hindurchreichend ist eine Schraube7 angeordnet, die in eine Kühlreinrichtung8 ,80 eingeschraubt ist und somit Druck über das Gehäuse6 auf die Druckeinrichtung5 und über diese Druckeinrichtung5 und die Verbindungseinrichtung3 , das Substrat2 , genau an den Stellen an denen Leistungshalbleiterbauelemente26 angeordnet sind auf die Kühleinrichtung80 drückt und somit kraftschlüssig das Substrat2 mit der Kühleinrichtung8 verbindet. Dies zeigt den wesentlichen Vorteil des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls1 , nämlich eine einfache zentrale Krafteinleitung, die mittelbar die Leistungshalbleiterbauelemente26 , über das Substrat2 auf die Kühlreinrichtung80 drückt. - Der Druckkörper
50 der Druckeinrichtung5 verteilt hierbei den Druck gleichmäßig auf die Druckelemente52 , die ihrerseits auf Abschnitte322 der zweiten Hauptfläche320 der Verbindungseinrichtung3 drücken. Diese Abschnitte322 der Verbindungseinrichtung3 , die mit Druck beaufschlagt werden sind erfindungsgemäß derart gewählt, dass sie und somit ihre Ausdehnungsfläche betrachtet in Normalenrichtung des Substrats innerhalb der Fläche dieses Leistungshalbleiterbauelements26 angeordnete sind. Somit drückt das Druckelement52 mittels der Verbindungseinrichtung3 derart auf das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement26 , dass dieses, genauer das darunter befindliche Substrat2 , auf den Kühlkörper7 gedrückt wird und somit der thermische Kontakt vom Leistungshalbleiterbauelement24 zum Kühlkörper7 optimal ausgebildet ist. - Durch die Druckeinleitung auf die Druckelemente
52 verformen sich diese, wobei es hierbei auch möglich ist, dass ihre laterale Ausdehnung zunimmt. Im unbelasteten Zustand, also ohne eingeleiteten Druck, vgl.1 , weist dieser Druckkörper52 ein Verhältnis von seiner lateralen Ausdehnung zu seiner vertikaler Ausdehnung von 4 zu 1, auf. Im belasteten, also mit Druck beaufschlagten Zustand und durch die dadurch verursachte Verformung des Druckkörpers52 verändert sich dieses Verhältnis hier ungefähr nach 5 zu 1. - Zwischen dem Substrat
2 und der Kühleinrichtung8 ist eine Wärme leitenden Schicht, eine Wärmeleitpaste800 , angeordnet. Durch die erfindungsgemäße Ausbildung des Leistungshalbleitermoduls1 kann diese Schicht sehr dünn, beispielhaft mit einer Dicke im unmontierten Zustand von 10µm ausgebildet sein. Durch die Druckeinleitung wird die Schicht insbesondere unter den Leistungshalbleiterbauelementen zumindest teilweise verdrängt, wodurch der Wärmeübergang vom Substrat2 auf den Kühlkörper8 besonders effizient erfolgt. - Die Kühleinrichtung
8 ist hier als Kühlkörper80 zur Luftkühlung dargestellt, kann aber ebenso als Kühlkörper zur Flüssigkeitskühlung ausgebildet sein. -
3 zeigt eine zweite erfindungsgemäße Anordnung mit einem dritten Leistungshalbleitermodul1 . Hierbei ist die Kühleinrichtung8 als eine Grundplatte80 des Leistungshalbleitermoduls selbst ausbildet, die wie das Substrat2 des Leistungshalbleitermoduls1 , aber in noch stärkerem Maße der Wärmespreizung der durch Leitungsverluste in den Leistungshalbleiterbauelementen26 entstehenden Wärme und deren Weiterleitung an einen weiteren Kühlkörper84 dient. - Das Gehäuse
6 des Leistungshalbleitermoduls1 ist in dieser Ausgestaltung mit der Kühleinrichtung8 verbunden und weist Anschraubeinrichtungen66 zur Verbindung mit dem Kühlkörper82 auf. Weiterhin weist das Gehäuse6 des Leistungshalbleitermoduls1 mindesten einen Zapfen68 auf, der in einer zugeordneten dritten Ausnehmung der Kühleinrichtung, hier des Kühlkörpers82 hineinragt und dazu ausgebildet ist ein Verdrehen des Gehäuses6 gegen die Kühleinrichtung8 zu verhindern. Ein derartige Zapfen kann ebenso bei einer Ausgestaltung gemäß2 oder anderen vorgesehen sein. - Zwischen dem Substrat
2 und der Kühleinrichtung8 ist Wärmeleitpaste mit einer Dicke von 10µm angeordnet. Ein derart dünne Ausgestaltung einer Wärmeleitpastenschicht70 ist unter Berücksichtigung latent vorhandener lokaler Durchbiegungen des Substrats2 insbesondere dadurch möglich, dass der Druck in Normalenrichtung des Substrats2 auf das Leistungshalbleiterbauelement26 eingeleitet wird und somit das Leistungshalbleiterbauelement26 und nicht eine umgebende Fläche den optimalen thermischen Kontakt zur Kühleinrichtung8 aufweist. Zwischen der Kühleinrichtung8 und dem weiteren Kühlkörper84 ist wiederum Wärmeleitpaste allerdings mit einer Dicke von mehr als 50µm angeordnet. - Die weitere Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls
1 selbst entspricht einer Kombination derjenigen gemäß1 und2 . -
4 zeigt eine weitere erfindungsgemäße Anordnung eines Leistungshalbleitermoduls1 mit drei Schalteinrichtungen10 entspricht im Grund allerdings der Ausgestaltung gemäß3 . Die Ausgestaltung gemäß4 kann beispielhaft ein 3-phasiges Leistungshalbleitermodul ausbilden während diejenige gemäß3 ein 1-phasiges Leistungshalbleitermodul ausbildet. -
5 zeigt eine Draufsicht auf eine leistungselektronische Schalteinrichtung1 in verschiedenen Schnittebenen. Die Schnittebene gemäß5a zeigt zwei Leistungshalbleiterbauelemente26 , die typisch aber nicht dargestellt auf einer gemeinsamen Leiterbahn eines Substrats angeordnet sind. Es handelt sich hier ohne Beschränkung der Allgemeinheit um einen Transistor mit einer mittigen Gateanschlussfläche und diese umrahmende Emitteranschlussflächen und um eine Diode mit einer Kathodenanschlussfläche. -
5b zeigt die erste in sich strukturierte elektrisch leitende Folie30 der Verbindungseinrichtung3 . Diese bildet eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Emitteranschlussflächen des Transistors und der Kathodenanschlussfläche der Diode aus. Hierbei wird die Gateanschlussfläche des Transistors ausgespart. -
5c zeigt die zweite in sich strukturierte elektrisch leitende Folie32 der Verbindungseinrichtung3 . Diese bildet eine elektrisch leitende Verbindung zur Gateanschlussfläche des Transistors. -
5d zweigt quasi den Fußabdruck der den Leistungshalbleiterbauelementen26 zugeordneten Kontaktelementen50 der Kontakteinrichtung, wobei dem Transistor aufgrund seiner quadratischen Grundform nur ein Kontaktelement und der Diode aufgrund ihrer rechteckigen Grundform zwei Kontaktelemente zugeordnet sind. Der jeweilige Fußabdruck entspricht denjenigen Abschnitten322 auf der zweiten Hauptfläche302 der Verbindungseinrichtung3 , die in Normalenrichtung des Substrats fluchtend zu den Leistungshalbleiterbauelementen26 angeordnet sind und hierbei auf das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement projiziert sind. Hierbei wird ersichtlich, dass die Fläche des Fußabdrucks, also diejenige Fläche die zur Druckeinleitung bestimmt ist einen möglichst großen Teil der Fläche des Leistungshalbleiterbauelement abdeckt, ohne über diese hinauszuragen. -
6 zeigt eine Draufsicht auf Teile eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls1 . Dargestellt ist die Druckeinrichtung5 mit Druckelementen50 und schematisch angedeutet ein einem Druckelement50 zugeordnetes Leistungshalbleiterbauelement26 . Weiterhin dargestellt ist ein Ausschnitt eines Gehäuses6 wie auch drei Lastanschlusselemente4 . - Zur Einschränkung der Bewegung der Druckeinrichtung
5 zum Gehäuse6 mit angeordneten Lastanschlusseinrichtungen4 nur in Normalenrichtung des Substrats, hier in die Zeichenebene hinein oder heraus, sind zwei Varianten dargestellt, die grundsätzlich alternativ oder gleichzeitig vorhanden sein können. Diese Bewegung ist in den1 und2 mittels eines Doppelpfeils schematisch dargestellt. - In einer ersten Variante weist das Gehäuse
6 erste Führungselemente608 und die Druckeinrichtung5 zweite Führungselemente508 auf, wobei diese ersten und zweiten Führungselemente zueinander korrespondierend angeordnet sind. In dieser Ausgestaltung ist das erste Führungselement608 als eine v-förmige Nut und das zweite Führungselemente508 als eine in dieser Nut in Normalenrichtung bewegliche Nase ausgebildet ist. - In einer zweiten Variante weist eine Lastanschlusseinrichtungen
4 erste Führungselemente408 und die Druckeinrichtung5 zweite Führungselemente508 auf, wobei diese ersten und zweiten Führungselemente zueinander korrespondierend angeordnet sind. In dieser Ausgestaltung ist das erste Führungselement408 als eine in Normalenrichtung verlaufende Auswölbung des Lastanschlusselements ausgebildet entlang derer das zweite Führungselement508 , eine Nase mit einer Einkerbung, beweglich ausgebildet ist. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
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- US 7808100 B2 [0002]
- DE 102013104949 B3 [0003]
Claims (15)
- Leistungshalbleitermodul (
1 ) mit einem Gehäuse (6 ), einer Schalteinrichtung (10 ), einem mit dem Gehäuse (6 ) verbundenen Substrat (2 ), einem hierauf angeordneten Leistungshalbleiterbauelement (26 ), einer Verbindungseinrichtung (3 ), Lastanschlusseinrichtungen (4 ) und einer gegen das Gehäuse (6 ) in Normalenrichtung des Substrats (2 ) beweglich ausgebildeten Druckeinrichtung (5 ), wobei das Substrat (2 ) eine erste mittige Durchgangsöffnung (24 ) sowie gegeneinander elektrisch isolierte Leiterbahnen (22 ) aufweist, wobei auf einer Leiterbahn (22 ) ein Leistungshalbleiterbauelement (26 ) angeordnet und stoffschlüssig damit verbunden ist, wobei die Verbindungseinrichtung (3 ) eine erste und eine zweite Hauptfläche (300 ,320 ) aufweist und mit einer elektrisch leitende Folie (30 ,32 ) ausgebildet ist und wobei die Schalteinrichtung mittels der Verbindungseinrichtung (3 ) intern schaltungsgerecht verbunden ist, wobei die Druckeinrichtung (5 ) einen Druckkörper (50 ) mit einer zweiten zur ersten (24 ) fluchtenden Durchgangsöffnung (54 ) und mit einer ersten Ausnehmung (504 ) aufweist aus der ein Druckelement (52 ) hervorstehend angeordnet ist, wobei das Druckelement (52 ) auf einen Abschnitt (322 ) der zweiten Hauptfläche (320 ) der Verbindungseinrichtung (3 ) drückt und hierbei dieser Abschnitt (322 ) in Projektion entlang der Normalenrichtung des Substrats innerhalb der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements (26 ) angeordnet ist und wobei die erste und zweite Durchgangsöffnungen (24 ,54 ) dazu ausgebildet sind ein Befestigungsmittel (7 ) aufzunehmen, das dazu ausgebildet ist das Leistungshalbleitermodul (1 ) auf einer Kühleinrichtung (8 ) kraftschlüssig zu befestigen. - Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das Gehäuse (
6 ) fluchtend zur ersten und zweiten Durchgangsöffnung (24 ,54 ) eine dritte Durchgangsöffnung (64 ) aufweist, wobei die erste und zweite oder alle Durchgangsöffnungen dazu ausgebildet sind das Befestigungsmittel (7 ) aufzunehmen. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verbindungseinrichtung (
3 ) als Folienstapel mit mindestens einer elektrisch leitenden und mindestens einer elektrisch isolierenden Folie (30 ,31 ,32 ) ausgebildet ist, wobei die leitenden Folien (30 ,32 ) und isolierenden Folien (31 ) alternierend angeordnet sind. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Ausnehmung (
504 ) des Druckkörpers (50 ) ausschließlich als Vertiefung ausgehend von einer ersten dem Substrat (2 ) zugewandten Hauptfläche (500 ) des Druckkörpers (50 ) oder als Vertiefung ausgehend von der ersten Hauptfläche (500 ) mit einer durch den Druckkörper (50 ) zur zweiten Hauptfläche (502 ) hindurchreichenden Aussparung mit dort ausgebildeter Öffnung ausgebildet ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (
6 ) oder eine der Lastanschlusseinrichtungen (4 ) erste Führungselemente (608 ,408 ) und die Druckeinrichtung (5 ) zweite Führungselemente (508 ) aufweist, wobei diese ersten und zweiten Führungselemente zueinander korrespondierend angeordnet und dazu ausgebildet sind eine Bewegung der Druckeinrichtung (5 ) zum Gehäuse (6 ) mit angeordneten Lastanschlusseinrichtungen (4 ) nur in Normalenrichtung des Substrats (2 ) zuzulassen. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Druckkörper (
50 ) aus einem hochtemperaturbeständigen thermoplastischen Kunststoff, insbesondere aus Polyphenylensulfid, und das Druckelement (52 ) aus einem Silikonkautschuk, insbesondere aus Flüssig-Silikon, besteht. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Druckkörper (
50 ) eine zweite Ausnehmung (506 ) auf seiner zweiten Hauptfläche (502 ) aufweist, deren Basis eine Hilfsfläche bildet und wobei in der zweiten Ausnehmung (506 ) ein flächiger Metallkörper (56 ) mit einer weiteren zu den übrigen fluchtenden Durchgangsöffnung angeordnet ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Flächeninhalt des Abschnitts (
322 ) der zweiten Hauptfläche (320 ) der Verbindungseinrichtung mindestens 20%, insbesondere mindestens 50% der Fläche des Leistungshalbleiterbauelements (26 ) aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verhältnis aus laterale Ausdehnung zu vertikaler Ausdehnung des Druckkörpers (
52 ) ein Verhältnis von mindestens 3 zu 1, insbesondere von mindestens 5 zu 1 aufweist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberseite des Substrats (
2 ), einschießend dessen Leiterbahnen (22 ), das Leistungshalbleiterbauelement (24 ) und die Verbindungseinrichtung (3 ) mittels einer Vergussmasse feuchtigkeitsdicht vergossen ist. - Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Abschnitte der Lastanschlusseinrichtungen (
4 ) durch das Gehäuse (6 ) ragen und dort externe Lastkontakteinrichtungen (40 ) ausbilden. - Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit einer Kühleinrichtung (8 ) und mit einem Befestigungsmittel (7 ), wobei das Befestigungsmittel (7 ) auf die Druckeinrichtung (5 ) Kraft einleitet und somit die Druckeinrichtung (5 ) das Substrat (2 ) kraftschlüssig mit der Kühleinrichtung (8 ) verbindet. - Anordnung nach Anspruch 12, wobei zwischen Substrat (
2 ) und der Kühleinrichtung (8 ) eine Wärmeleitpaste (800 ) mit einer Dicke von weniger als 20µm, insbesondere von weniger als 10µm, insbesondere von weniger als 5µm angeordnet ist. - Anordnung nach Anspruch 12 oder 13, wobei die Kühleinrichtung (
8 ) eine Grundplatte (80 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ) ausbildet oder ein dem Leistungshalbleitermodul (1 ) zugeordneter externer Kühlkörper (82 ) ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Gehäuse (
6 ) des Leistungshalbleitermoduls (1 ) mindesten einen Zapfen (68 ) aufweist, der in einer zugeordneten dritten Ausnehmung der Kühleinrichtung (8 ) oder eines weiteren Kühlkörpers (84 ) hineinragt und dazu ausgebildet ist ein Verdrehen des Gehäuses (6 ) gegen die Kühleinrichtung (8 ) bzw. den weiteren Kühlkörper (84 ) zu verhindern.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014106570.0A DE102014106570B4 (de) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
CN201510205721.0A CN105097716B (zh) | 2014-05-09 | 2015-04-27 | 具有开关装置的功率半导体模块以及包括该功率半导体模块的布置 |
US14/708,275 US9627343B2 (en) | 2014-05-09 | 2015-05-10 | Power semiconductor module with switching device and assembly |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014106570.0A DE102014106570B4 (de) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014106570A1 true DE102014106570A1 (de) | 2015-11-12 |
DE102014106570B4 DE102014106570B4 (de) | 2016-03-31 |
Family
ID=54336383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014106570.0A Active DE102014106570B4 (de) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | Leistungshalbleitermodul mit Schalteinrichtung und Anordnung hiermit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9627343B2 (de) |
CN (1) | CN105097716B (de) |
DE (1) | DE102014106570B4 (de) |
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