DE102013101608A1 - Vorrichtung und Verfahren für einen Entwicklungsprozess - Google Patents
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Abstract
Eine Vorrichtung weist zumindest zwei Tanks, zumindest zwei Pumpen, zumindest eine Düse und einen Chuck auf. Die Vorrichtung stellt verschiedene Entwickler mit verschiedenen Polaritäten während eines Entwicklungsprozesses für Zielbereiche eines latenten Lackprofils mit verschiedenen Polaritäten und daher verschiedenen Löslichkeiten bereit. Diese Vorrichtung erlaubt ebenfalls die Verwendung einer Mischung von zwei Entwicklern für das Entwickeln der Lackschicht. Eine Polarität der Mischung ist durch das Steuern eines Verhältnisses einer Pumpendurchflussrate zu einer anderen Pumpendurchflussrate und weiter ein Steuern des Lackmusterprofils einstellbar.
Description
- HINTERGRUND
- Die Halbleiterindustrie auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen (IC) hat ein exponentielles Wachstum erlebt. Technologische Fortschritte bei IC-Materialien und im Design haben Generationen von ICs hervorgebracht, wobei jede Generation kleinere und komplexere Schaltungen als die vorhergehende Generation aufweist. In dem Verlauf der IC-Evolution hat die funktionale Dichte (d. h. die Anzahl miteinander verbundener Vorrichtungen pro Chipfläche) im Allgemeinen zugenommen, während die Geometriegröße (d. h. die kleinste Komponente (oder Leitung), welche unter Verwendung eines Fabrikationsprozesses hergestellt werden kann) hat abgenommen. Dieser Prozess des Herunterskalierens bietet allgemein Vorteile, indem die Produktionseffizienz erhöht wird und die damit verbundenen Kosten gesenkt werden. Ein solches Herunterskalieren hat auch die Komplexität des Verarbeitens und Herstellen von ICs erhöht und zum Umsetzen dieser Fortschritte werden ähnliche Entwicklungen bei der IC-Verarbeitung und Herstellung benötigt.
- Beispielsweise implementieren lithographische Prozesse oft Belichtungs- und Entwicklungsprozesse, um kleine Merkmale während der IC-Wafer-Herstellung und der Maskenherstellung zu strukturieren. Eine der Herausforderungen, welche während der lithographischen Prozesse auftreten, ist, dass latente Strukturlackprofile durch den Belichtungsprozess gebildet werden, welche in unterschiedlichen Bereichen der Lackprofile unterschiedliche Polaritäten aufweisen. Solche Polaritätsunterschiede werden durch Licht hervorgerufen, welches an der Oberseite und der Unterseite einer Lackschicht während des Belichtungsprozesses gestreut und reflektiert wird. Die unterschiedlichen Bereiche unterschiedlicher Polarität besitzen eine unterschiedliche Löslichkeit gegenüber einem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher während des Entwicklungsprozesses verwendet wird, woraus oft ein Lackstrukturprofil mit oberseitigem Schlamm (T-top) und bodenseitigem Schlamm (Untergrund) resultiert.
- Demgemäß werden eine Vorrichtung und ein Verfahren benötigt, welche die oben genannten Probleme angehen.
- ABRISS
- Gemäß einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Entwickeln einer Lackschicht bereit, welche auf einem Substrat abgeschieden wurde, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: einen Chuck, welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat, welches die darauf abgeschiedene Lackschicht aufweist, zu befestigen; einen ersten Tank, der dazu eingerichtet ist, einen ersten Entwickler einer ersten Polarität zu speichern; einen zweiten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen zweiten Entwickler einer zweiten Polarität zu speichern, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe, welche mit dem ersten Tank gekoppelt ist; eine zweite Pumpe, welche mit dem zweiten Tank gekoppelt ist; und eine Düse, welche mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler aus dem ersten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler aus dem zweiten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei ferner die Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
- In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung weiter Folgendes: ein Schlauch- oder Rohrsystem, welches den ersten und den zweiten Tank mit der ersten bzw. zweiten Pumpe verbindet, und weiter die erste und die zweite Pumpe mit der Düse verbindet.
- Die Vorrichtung kann auch weiter Folgendes umfassen: einen dritten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist; und eine dritte Pumpe, welche mit dem dritten Tank gekoppelt ist; wobei die Düse weiter mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler aus dem dritten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
- Die Düse kann eine erste Düse und eine zweite Düse aufweisen, wobei die erste Düse mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, so dass die erste Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen, und wobei die zweite Düse mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, so dass die zweite Düse dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen. Die erste Pumpe kann dazu eingerichtet sein, eine Durchflussrate des zu der Düse beförderten ersten Entwicklers zu steuern, wobei die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, eine Durchflussrate des zu der Düse beförderten zweiten Entwicklers zu steuern.
- Die Düse kann ferner dazu eingerichtet sein, eine Mischung des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
- Gemäß einem anderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Bilden eines Lackmusters bereit, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; Aufbringen eines ersten Entwicklers mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht; und Aufbringen eines zweiten Entwicklers mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist.
- In einer Ausführungsform ist die zweite Polarität kleiner als die erste Polarität.
- Der Schritt des Aufbringens des ersten Entwicklers mit der ersten Polarität kann ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines oberen Bereichs der belichteten Lackschicht umfassen.
- Der Schritt des Aufbringens des zweiten Entwicklers mit der zweiten Polarität kann ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht umfassen.
- In einer Ausführungsform weist das Verfahren ferner ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf die belichtete Lackschicht auf.
- Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen eines dritten Entwicklers mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht umfassen, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
- Die dritte Polarität kann größer als die erste Polarität sein.
- In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren Folgendes: Gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers; und danach Aufbringen des dritten Entwicklers.
- Gemäß einem anderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters bereit, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; Verteilen eines ersten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer ersten Polarität auf der belichteten Lackschicht; Verteilen eines zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer zweiten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; und Verteilen eines dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
- In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren Folgendes: Gleichzeitiges Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers auf der belichteten Lackschicht.
- Das Verfahren kann ferner ein Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer ersten Düse einer Entwicklungsvorrichtung und ein Verteilen des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer zweiten Düse der Entwicklungsvorrichtung umfassen.
- Der Schritt des Verteilens des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit der dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht kann ein Verteilen eines Entwicklers zum Entfernen von bodenseitigem Lackschlamm aufweisen.
- Das Verfahren kann ferner ein Durchführen eines Nachbelichtungsbackprozesses vor dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers umfassen.
- Das Verfahren kann ferner ein Durchführen eines Nachentwicklungsbackprozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers umfassen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die vorliegende Offenbarung wird am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn diese mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Es wird betont, dass der gängigen Praxis in der Industrie folgend verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind und lediglich Illustrationszwecken dienen. Tatsächlich kann die Abmessung der verschiedenen Merkmale aus Klarheitsgründen beliebig vergrößert oder verringert werden.
-
1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden eines Lackmusters zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. -
2 –6 sind diagrammatische Querschnittsseitenansichten des Ausbildens eines Lackmusters gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. -
7 –8 stellen ein Lackprofil nach einem Entwicklungsprozess gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar. -
9 ist ein Diagramm einer Entwicklungsvorrichtung zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Die folgendes Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Spezifische Beispiele von Komponenten und Anordnungen werden unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und nicht dazu gedacht, einschränkend zu sein. Beispielsweise kann die Ausbildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in welchen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann ebenfalls Ausführungsformen umfassen, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal gebildet sein können, so dass das erste und das zweiten Merkmal möglicherweise nicht in direktem Kontakt sind. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Vereinfachung und Klarheit und gibt selbst nicht zwangsläufig eine Beziehung zwischen den verschiedenen Ausführungsformen und/oder beschriebenen Konfigurationen an.
- Mit Bezug auf
1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens100 ein Beispiel des Ausbildens eines Lackmusters auf einem Wafersubstrat zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das Verfahren100 beginnt bei Schritt102 , indem ein Substrat bereitgestellt oder empfangen wird. Das Verfahren100 rückt zu Schritt104 durch ein Abscheiden einer Lackschicht auf dem Substrat, zum Beispiel mittels eines Spin-on-Beschichtungsprozesses vor. In der vorliegenden Offenbarung wird ein Lack auch als Fotolack bezeichnet. Der Schritt104 kann ein Durchführen eines Trocknungsprozesses vor dem Aufbringen der Lackschicht auf dem Substrat umfassen, wodurch eine Haftung der Lackschicht auf dem Substrat verbessert werden kann. Der Trocknungsprozess kann ein Backen des Substrats bei einer hohen Temperatur für eine Zeitdauer oder ein Anwenden einer Chemikalie wie beispielsweise Hexamethyldisilizan (HMDS) auf das Substrat umfassen. Der Schritt104 kann auch ein sanftes Backen (soft bake – SB) umfassen, wodurch eine mechanische Festigkeit der Lackschicht erhöht werden kann. Nach dem Schritt104 rückt das Verfahren100 zu Schritt106 zum Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht durch ein Belichtungsgerät zum Ausbilden eines latenten Bildmusters auf der Lackschicht vor. Das Belichtungsgerät kann ein optisches Belichtungsgerät, wie beispielsweise ein I-Linien-(365 nm)-, ein Tiefultraviolett-(DUV)-, ein Extremultraviolett-(EUV)- oder ein Röntgenstrahlbelichtungsgerät oder ein auf geladenen Teilchen basierendes Gerät wie beispielsweise einen Elektronenstrahlschreiber umfassen. Das Verfahren100 rückt zu Schritt108 durch ein Entwickeln der belichteten Lackschicht zum Bilden eines Lackmusters auf dem Wafersubstrat vor. Der Schritt108 kann ein Nachbelichtungsbacken (post expose bake – PEB), ein Nachentwicklungsbacken (post develop bake – PDB) oder beides umfassen. Zusätzliche Schritte können vor, während und nach dem Verfahren100 bereitgestellt werden, und einige der beschriebenen Schritte können bei zusätzlichen Ausführungsformen des Verfahrens100 ersetzt, gestrichen oder in der Reihenfolge geändert werden. - Unter Bezugnahme auf die
2 –6 sind diagrammatische Querschnittsseitenansichten des Ausbildens eines Lackmusters einer Einrichtung200 durch das Verfahren100 gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung illustriert. Das Lackmuster der Einrichtung200 umfasst ein Substrat202 und eine Lackschicht204 . Das Substrat202 kann einen Wafer und mehrere leitfähige und nicht leitfähige dünne Schichten aufweisen. Der Wafer ist ein Halbleiterwafer, welcher Silizium aufweist (mit anderen Worten ein Siliziumwafer). Alternativ oder zusätzlich weist der Wafer andere elementare Halbleiter wie beispielsweise Germanium; einen Verbundhalbleiter einschließlich Siliziumcarbid, Galliumarsenid, Galliumphosphid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und/oder Indiumantimonid; einen Legierungshalbleiter einschließlich SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP und/oder GaInAsP auf. Gemäß einer noch weiteren Alternative ist der Wafer ein Halbleiter-auf-Isolator (SOI). Die mehreren leitfähigen und nicht leitfähigen dünnen Schichten können einen Isolator oder ein leitfähiges Material umfassen. Zum Beispiel umfasst das leitfähige Material ein Metall wie beispielsweise Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Nickel (Ni), Titan (Ti), Gold (Au) und Platin (Pt) und eine Legierung dieser Metalle. Das Isolatormaterial kann Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfassen. - Wie in
2 gezeigt, wird die Lackschicht204 , nachdem das Substrat202 empfangen wurde, auf dem Substrat202 abgeschieden. Die Lackschicht204 kann einen Positivlack oder einen Negativlack aufweisen. Die Lackschicht204 kann auch eine einzelne Lackschicht oder eine mehrlagige Lackschicht umfassen. In einer Ausführungsform weist die mehrlagige Lackschicht eine Schicht mit einer Decklage auf Lack auf. Die Decklage dient dem Zwecke der Verringerung der EUV-Ausgasung oder des Immersionswasserwiderstands. Dann wird, wie in3 gezeigt, die auf dem Substrat202 abgeschiedene Lackschicht204 von einem optischen Belichtungsgerät belichtet. Licht206 , welches von dem optischen Gerät erzeugt wird, wird auf eine Maske208 projiziert. Das Licht206 umfasst I-Linien-Licht, DUV-Licht, EUV-Licht oder Röntgenlicht. Die Maske208 blockiert einen Teil des Lichts206 , um ein Muster eines IC-Designlayouts auf die Lackschicht204 zu übertragen. Die Maske208 umfasst eine Binärmaske oder eine Phasenmaske (phase shift mask – PSM). Die Phasenmaske kann eine alternierende Phasenmaske (alternating phase shift mask – alt. PSM) oder eine Halbtonphasenmaske (attenuated phase shift mask – att. PSM) sein. In der vorliegenden Offenbarung wird eine Maske auch als Photomaske oder als Retikel bezeichnet. Ein Teil des Lichts206 wird durch die Maske208 blockiert und ein Teil des Lichts206 durchdringt die Maske208 und wird auf die Lackschicht204 projiziert, wo es mit einer lichtempfindlichen Chemikalie in der Lackschicht204 reagiert, um ein latentes Bild auszubilden. Zum Beispiel ist die lichtempfindliche Chemikalie ein Photosäuregenerator (photo acid generator – PAG) in einem DUV-Lack. Der PAG gibt unter Bestrahlung durch das Licht206 eine Säure frei und bildet das latente Bild aus. Der PAG in dem Lack gibt unter Bestrahlung durch das Licht206 die Säure frei und die Säure fördert eine chemisch verstärkte Reaktion (chemical amplify reaction – CAR) in einem belichteten Gebiet, z. B. während eines PEB-Prozesses. Durch die chemisch verstärkte Reaktion (CAR) verändert sich die Polarität des Lacks in den belichteten Gebieten von einer hydrophoben Polarität in eine hydrophile Polarität. - Wie in
4 gezeigt, wird ein Entwickler210 auf die belichtete Lackschicht204 , welche auf dem Substrat202 abgeschieden wurde, aufgebracht, um ein Lackmuster zu entwickeln. In der dargestellten Ausführungsform hängt das endgültige Lackmuster von der Entwicklertönung ab. Wenn der Entwickler210 beispielsweise ein Entwickler mit positiver Tönung (positive tone developer – PTD), wie beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), ist, welcher auf die entwickelte Lackschicht204 aufgebracht ist, werden die belichteten (hydrophilen) Bereiche der Lackschicht204 durch den PTD während des Entwicklungsprozesses aufgelöst und die unbelichteten (hydrophoben) Bereiche der Lackschicht204 verbleiben, um eine strukturierte Lackschicht204a zu bilden, wodurch das endgültige in5 gezeigte Lackmuster bereitgestellt wird. Wenn in einem anderen Beispiel der Entwickler210 ein Entwickler mit negativer Tönung (negative tone developer – NTD), wie beispielsweise ein hydrophobes organisches Lösungsmittel, ist, welcher auf die belichtete Lackschicht204 aufgebracht ist, werden die unbelichteten (hydrophoben) Bereiche der Lackschicht204 durch den NTD aufgelöst und die belichteten (hydrophilen) Bereiche der Lackschicht204 verbleiben nach dem Entwicklungsprozess, um eine strukturierte Lackschicht204b auszubilden, wodurch das in6 gezeigte endgültige Lackmuster bereitgestellt wird. - Um mit den vorliegenden Ausführungsformen fortzufahren, illustriert
7 ein typisches Lackprofil205 , wenn die Lackschicht204 durch einen Entwickler mit negativer Tönung (NTD) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung entwickelt wurde. In der vorliegenden Offenbarung wird ein Entwickler mit negativer Tönung auch als ein organischer Lösungsmittelentwickler bezeichnet. Das Lackprofil205 umfasst einen geraden Mittelbereich205a , einen oberen Schlammbereich (T-top)205b und einen unteren Schlammbereich (Untergrund)205c auf dem Substrat202 . Der T-top205b und der Untergrund205c werden durch eine ungleichmäßige Belichtung der Lackschicht204 während des Belichtungsprozesses hervorgerufen, wie beispielsweise durch die Belichtung in Schritt106 des in1 dargestellten Verfahrens100 , welcher weiter in3 illustriert ist. Beispielsweise kann, weil Licht an der Oberfläche der Lackschicht204 gestreut wird, ein oberes Gebiet (ein ungewolltes Belichtungsgebiet) der Lackschicht204 während des Belichtungsprozesses teilweise durch das gestreute Licht belichtet werden. Daher kann das teilweise belichtete obere Gebiet (in einem ungewollten Belichtungsgebiet) nicht durch den Entwickler mit negativer Tönung (NTD) während des Entwicklungsprozesses entfernt werden und der T-top205b auf dem geraden mittleren Bereich205a wird gebildet. In einem anderen Beispiel kann, weil das Licht an der Grenzfläche des Substrats202 und der Lackschicht204 reflektiert und gestreut wird, ein unteres Gebiet (in einem ungewollten Belichtungsgebiet) der Lackschicht204 während des Belichtungsprozesses teilweise von dem gestreuten Licht oder dem reflektierten Licht belichtet werden. Daher kann das teilweise belichtete untere Gebiet nicht während des Entwicklungsprozesses aufgelöst werden und der Untergrund205c wird gebildet. Aufgrund der Lichtstreuung und/oder -reflexion an der Oberseite und an der Unterseite der Lackschicht204 nimmt die Lackschicht204 in unterschiedlichen Bereichen unterschiedliche Energiedosen auf, und die Lackschicht bildet daher ein latentes Profil mit unterschiedlichen Polaritäten an der Oberseite, in der Mitte und an der Unterseite der Lackschicht204 . Die unterschiedlichen Polaritäten können verschiedene Löslichkeiten hinsichtlich des gleichen Entwicklers mit negativer Tönung (NTD) aufweisen und daher wird das Lackprofil205 mit dem T-top205b und dem Untergrund205c wie in7 dargestellt ausgebildet. - Bezug nehmend auf
8 wird ein verbessertes Lackprofil207 unter Verwendung mehrerer Entwickler mit negativer Tönung (NTD) während des Entwicklungsprozesses gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung illustriert. Der T-top205b und der Untergrund205c sind reduziert. Durch das Verwenden mehrerer Entwickler mit negativer Tönung (NTD) wird das Lackprofil207 auf dem Substrat202 ausgebildet. Während des Entwicklungsprozesses wird ein erster Entwickler mit negativer Tönung (NTD) auf die belichtete Lackschicht204 , welche auf dem Substrat202 abgeschieden ist, aufgebracht. Der erste Entwickler mit negativer Tönung (NTD) zielt auf den mittleren Bereich der belichteten Lackschicht204 ab. Dann wird ein zweiter Entwickler mit negativer Tönung (NTD) mit einer polareren und stärkeren Löslichkeit als der erste Entwickler mit negativer Tönung (NTD) auf gebracht, um auf die teilweise belichtete Oberseite (T-top) und Unterseite (Untergrund) abzuzielen. Anschließend wird ein dritter Entwickler mit negativer Tönung (NTD) mit einer unterschiedlichen Polarität (beispielsweise bezüglich des ersten und zweiten Entwicklers mit negativer Tönung) aufgebracht, um auf die teilweise belichtete Unterseite (Untergrund) abzuzielen oder als Spülung zur Defektreduktion verwendet zu werden. Die Polarität der mehreren Entwickler mit negativer Tönung (NTD) können aus mehreren organischen Lösungsmitteln mit unterschiedlicher Polarität ausgewählt werden, um das Lackprofil207 zu steuern. Wenn z. B. ein polareres organisches Lösungsmittel als der dritte Entwickler mit negativer Tönung (NTD) verwendet wird, kann das Lackprofil205b von dem T-top oder Oberseitenschlamm zu einer Abrundung verändert werden. - Bezug nehmend auf
9 ist ein Diagramm einer Vorrichtung300 zum Ausgeben mehrerer organischer Lösungsmittelentwickler zum Ausbilden eines Lackmusters auf einem Substrat illustriert, um eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu implementieren. Die Vorrichtung300 umfasst Tanks302a ,302b und302c ; Pumpen304a ,304b und304c ; ein Schlauch- oder Rohrsystem306 ; eine Düse308a und einen Chuck310 . Allerdings können andere Konfigurationen sowie ein Aufnehmen oder Weglassen von Einrichtungen möglich sein. In der vorliegenden Offenbarung wird eine Pumpe auch als Ventil bezeichnet. Die Tanks302a ,302b und302c speichern jeweils einen organischen Lösungsmittelentwickler mit unterschiedlicher Polarität. Zum Beispiel speichert der Tank302a einen organischen Lösungsmittelentwickler210a , der Tank302b speichert einen organischen Lösungsmittelentwickler210b und der Tank302c speichert einen organischen Lösungsmittelentwickler210c . In einem Beispiel besitzt der organische Lösungsmittelentwickler210a eine geringere Polarität als die organischen Lösungsmittelentwickler210b und210c und der organische Lösungsmittelentwickler210b besitzt eine geringere Polarität als der organische Lösungsmittelentwickler210c . Die Tanks302a –302c sind mit den Pumpen304a –304c jeweils durch das Schlauch-/Rohrsystem306 verbunden. Der Tank302a ist mit der Pumpe304a verbunden, der Tank302b ist mit der Pumpe304b verbunden und der Tank302c ist mit der Pumpe304c verbunden. In der dargestellten Ausführungsform sind alle Pumpen304a ,304b und304c mit der Düse308a durch das Schlauch-/Rohrsystem306 verbunden. Das Schlauch-/Rohrsystem306 umfasst jedes beliebige Element oder eine Kombination von Elementen, welche ein Transportieren der organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und210c aus den Tanks302a ,302b und302c zu der Düse308a ermöglicht. Die Düse308a befindet sich oberhalb des Chucks310 . Die Düse308a sprüht den organischen Entwickler210a ; den organischen Entwickler210b ; den organischen Entwickler210c oder eine Mischung des organischen Entwicklers210a , des organischen Lösungsmittelentwicklers210b und/oder des organischen Entwicklers210c auf die belichtete Lackschicht204 , welche auf dem durch den Chuck310 befestigten Substrat202 abgeschieden ist. Der Chuck310 wird dazu verwendet, das mit der Lackschicht204 versehene Substrat202 während des Entwicklungsprozesses zu befestigen. Wie in9 gezeigt, können die einzelnen organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und210c mit unterschiedlicher Polarität separat an die auf dem Substrat202 abgeschiedene Lackschicht204 während eines Entwicklungsprozesses abgegeben werden, oder eine Mischung der einzelnen organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und210c kann an den auf dem Substrat202 abgeschiedenen Lack204 abgegeben werden. Die Pumpen304a ,304b und304c steuern ein Entwicklungsprozessrezept für den Entwicklungsprozess, wie beispielsweise einen Fluss und eine Menge jedes der organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und210c , welche über das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308a befördert werden. Es ist zu beachten, dass die Vorrichtung300 in der dargestellten Ausführungsform derart eingerichtet ist, dass die Düse308a drei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt. Die Vorrichtung300 kann derart eingerichtet sein, dass die Düse308a zwei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler oder mehr als drei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt, wobei eine Pumpe mit jedem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher von der Düse308a verteilt werden soll, verknüpft ist. Ferner können die Tanks andere Entwickler als organische Lösungsmittelentwickler beinhalten. - Nachdem die Lackschicht
204 auf dem Substrat202 abgeschieden wurde und die Lackschicht204 belichtet wurde, wird die belichtete Lackschicht204 in einem Beispiel für einen Entwicklungsprozess auf den Chuck310 der Vorrichtung300 transferiert. Zunächst wird der erste organische Lösungsmittelentwickler210a , wie beispielsweise Methyl-a-amylketon (MAK) aus dem Tank302a an die Düse308a durch das Schlauch-/Rohrsystem306 abgegeben, indem die Pumpe304a eingeschaltet wird, und der organische Lösungsmittelentwickler210a wird durch die Düse308a auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen Bereichs der belichteten Lackschicht204 abzuzielen. Dann wird die Pumpe304a ausgeschaltet und der zweite organische Lösungsmittelentwickler210b , wie beispielsweise N-Butylacetat (NBA) wird aus dem Tank302b durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308a befördert, indem die Pumpe304b eingeschaltet wird, und der organische Lösungsmittelentwickler210b wird auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht204 abzuzielen. In dem vorliegenden Beispiel besitzt der organische Lösungsmittelentwickler210a eine größere Polarität als der organische Lösungsmittelentwickler210b . Wenn in einem anderen Beispiel die Pumpe304a und die Pumpe304b gleichzeitig eingeschaltet sind, wird eine Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers210b (z. B. eine Mischung aus MAK und NBA) durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308a befördert, und die Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler210a und210b wird auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um die belichtete Lackschicht204 zu entwickeln. Ein Verhältnis der Mischung (z. B. 50% NBA und 50% MAK) kann durch ein Durchflussratenverhältnis der Pumpe304a zu der Pumpe304b gesteuert werden. Schließlich werden die Pumpe304a und die Pumpe304b ausgeschaltet und der dritte organische Entwickler210c , wie beispielsweise Alkohol, Methylisobutylcarbinol (MIBC) oder eine grenzflächenaktive Mischung wird aus dem Tank302c durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308a befördert und der dritte organische Entwickler210c wird auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um die belichtete Lackschicht204 weiter zu entwickeln. Der dritte organische oder wasserbasierende Entwickler210c kann auch als Schlussspülung dienen, wodurch der Entwicklerrückstanddefekt reduziert werden kann. Das endgültige Lackprofil207 auf dem Substrat ist wie in8 gezeigt ausgebildet. - Nunmehr Bezug nehmend auf
10 ist ein Diagramm einer Vorrichtung400 zum Abgeben verschiedener organischer Lösungsmittelentwickler zum Ausbilden eines Lackmusters auf einem Substrat illustriert, um eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu implementieren. Die Vorrichtung umfasst die Tanks302a ,302b und302c ; die Pumpen304a ,304b und304c ; das Schlauch- oder Rohrsystem306 ; Düsen308b und308c und den Chuck310 . Allerdings können andere Konfigurationen und ein Aufnehmen oder Weglassen von Einrichtungen möglich sein. Die Tanks302a ,302b und302c speichern jeweils einen organischen Lösungsmittelentwickler mit einer unterschiedlichen Polarität. Zum Beispiel speichert der Tank302a den organischen Lösungsmittelentwickler210a , der Tank302b speichert den organischen Lösungsmittelentwickler210b und der Tank302c speichert den organischen Lösungsmittelentwickler210c . Die Tanks302a –302c sind mit den Pumpen304a –304c jeweils durch das Schlauch-/Rohrsystem306 verbunden. Der Tank302a ist mit der Pumpe304a verbunden, der Tank302b ist mit der Pumpe304b verbunden und der Tank302c ist mit der Pumpe304c verbunden. Die Pumpe304a und die Pumpe304b sind mit der Düse308b durch das Schlauch-/Rohrsystem306 verbunden. Die Pumpe304c ist mit der Düse308c durch das Schlauch-/Rohrsystem306 verbunden. Das Schlauch-/Rohrsystem306 umfasst jedes beliebige Element oder eine Kombination von Elementen, welche ein Transportieren der organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und210c aus den Tanks302a und302b zu der Düse308b und aus dem Tank302c zu der Düse308c ermöglicht. Sowohl die Düse308b als auch die Düse308c befinden sich oberhalb des Chucks310 . Die Düse308b sprüht den organischen Lösungsmittelentwickler210a , den organischen Lösungsmittelentwickler210b oder eine Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers210b auf die belichtete Lackschicht204 , welche auf dem durch den Chuck310 befestigten Substrat202 abgeschieden ist. Die Düse308c sprüht den organischen Lösungsmittelentwickler210c auf die belichtete Lackschicht204 , welche auf dem durch den Chuck310 befestigten Substrat202 abgeschieden ist. Der Chuck310 wird verwendet, um das Substrat202 , auf welchem die Lackschicht204 abgeschieden ist, während des Entwicklungsprozesses zu befestigen. Wie in10 dargestellt ist, können die organischen Lösungsmittelentwickler mit verschiedenen Polaritäten210a ,210b und210c während des Entwicklungsprozesses separat an die Lackschicht204 abgegeben werden oder eine Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler210a ,210b und/oder210c kann durch ein Verarbeitungsrezept gesteuert an die Lackschicht204 abgegeben werden. Es ist zu beachten, dass die Vorrichtung400 in der dargestellten Ausführungsform derart eingerichtet ist, dass die Düse308b zwei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt und die Düse308c einen organischen Lösungsmittelentwickler verteilt. Die Vorrichtung400 kann derart eingerichtet sein, dass die Düse308c mehr als einen organischen Lösungsmittelentwickler verteilt, wobei eine Pumpe mit jedem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher durch die Düse308c verteilt werden soll, verknüpft ist. Darüber hinaus können die Tanks andere Entwickler als organische Lösungsmittelentwickler beinhalten. - Nachdem die Lackschicht
204 in einem Beispiel auf dem Substrat202 abgeschieden wurde und die Lackschicht204 belichtet wurde, wird die auf dem Substrat202 abgeschiedene, belichtete Lackschicht204 für den Entwicklungsprozess auf den Chuck310 der Vorrichtung400 transferiert. Der organische Lösungsmittelentwickler210a , wie beispielsweise N-Butylacetat (NBA) wird aus dem Tank302a durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308b befördert, indem die Pumpe304a eingeschaltet wird und anschließend wird der organische Lösungsmittelentwickler210a durch die Düse308b auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht204 abzuzielen. Anschließend wird die Pumpe304a ausgeschaltet und der polarere zweite organische Lösungsmittelentwickler210b , wie beispielsweise Methyl-a-amylketon (MAK) wird aus dem Tank302b durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308b befördert, indem die Pumpe304b eingeschaltet wird, und anschließend wird der organische Lösungsmittelentwickler210b auf die entwickelte Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen und des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht abzuzielen. Wenn die Pumpe304a und die Pumpe304b in einem anderen Beispiel gleichzeitig eingeschaltet werden, wird die Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers210b (z. B. die Mischung aus NBA und MAK) durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308b befördert, und die Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler210a und210b wird auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen und des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht204 abzuzielen. Ein Verhältnis der Mischung (z. B. 50% NBA und 50% MBA) kann durch ein Durchflussratenverhältnis der Pumpe304a zu der Pumpe304b gesteuert werden. Schließlich werden sowohl die Pumpe304a als auch die Pumpe304b ausgeschaltet und der dritte organische Lösungsmittelentwickler210c , wie beispielsweise Alkohol, wird aus dem Tank302c durch das Schlauch-/Rohrsystem306 zu der Düse308a befördert und der dritte organische Lösungsmittelentwickler210c wird auf die belichtete Lackschicht204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht204 abzuzielen. Der dritte organische Lösungsmittelentwickler210c kann auch als Schlussspülung dienen, wodurch der Entwicklerrückstandsdefekt reduziert wird. Das endgültige Lackprofil207 auf dem Substrat ist wie in8 gezeigt ausgebildet. - Daher beschreibt die vorliegende Offenbarung eine Vorrichtung. In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung einen Chuck, welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat mit der darauf abgeschiedenen Lackschicht zu befestigen; einen ersten Tank, welcher zum Speichern eines ersten Entwicklers einer ersten Polarität eingerichtet ist; einen zweiten Tank, welcher zum Speichern eines zweiten Entwicklers einer zweiten Polarität eingerichtet ist, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe, welche mit dem ersten Tank gekoppelt ist; eine zweite Pumpe, welche mit dem zweiten Tank gekoppelt ist; und eine Düse, welche mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler aus dem ersten Tank zu der Düse zu befördern und die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler aus dem zweiten Tank zu der Düse zu befördern, wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen. Die Vorrichtung weist auch ein Schlauch- oder Rohrsystem auf, welches den ersten und den zweiten Tank mit der ersten bzw. zweiten Pumpe verbindet, und weiter die erste und die zweite Pumpe mit der Düse verbindet. Die Vorrichtung umfasst ferner einen dritten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist, und eine dritte Pumpe, welche mit dem dritten Tank gekoppelt ist, wobei die Düse weiter mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler aus dem dritten Tank zu der Düse zu befördern und wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen. Die Vorrichtung umfasst eine erste Düse und eine zweite Düse, wobei die erste Düse mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, so dass die erste Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen, und wobei die zweite Düse mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, so dass die zweite Düse dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen. Die erste Pumpe ist dazu eingerichtet, eine Durchflussrate des ersten Entwicklers, welcher zu der Düse befördert wird, zu steuern und die zweite Pumpe ist dazu eingerichtet, eine Durchflussrate des zweiten Entwicklers, welcher zu der Düse befördert wird, zu steuern. Die Düse ist dazu eingerichtet, eine Mischung des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
- Die vorliegende Offenbarung beschreibt auch eine Anwendung für eine Vorrichtung. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters ein Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; ein Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; ein Aufbringen eines ersten Entwicklers mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht; und ein Aufbringen eines zweiten Entwicklers mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht. Die zweite Polarität ist von der ersten Polarität verschieden und ist kleiner als die erste Polarität. Das Verfahren umfasst ein Aufbringen des ersten Entwicklers mit der ersten Polarität zum Entfernen von Oberseitenlackschlamm und dann ein Aufbringen des zweiten Entwicklers mit der zweiten Polarität zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht. Das Verfahren umfasst auch ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf die belichtete Lackschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Aufbringen eines dritten Entwicklers mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht. Die dritte Polarität ist von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden und die dritte Polarität ist größer als die zweite Polarität. Das Verfahren umfasst auch ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers; und anschließend ein Aufbringen des dritten Entwicklers.
- In einer anderen Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters ein Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; ein Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; ein Verteilen eines ersten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer ersten Polarität auf der belichteten Lackschicht; ein Verteilen eines zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer zweiten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; und ein Verteilen eines dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist. Das Verfahren umfasst ein gleichzeitiges Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers auf der belichteten Lackschicht. Das Verfahren umfasst auch ein Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer ersten Düse einer Entwicklungsvorrichtung und ein Verteilen des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer zweiten Düse der Entwicklungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ferner ein Durchfahren eines Nachbelichtungsback-(PEB)-Prozesses vor dem Verteilen des organischen Lösungsmittelentwicklers, eines Nachentwicklungsback-(PDB)-Prozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelsentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers oder eine Kombination davon.
- Das Vorhergehende skizziert Merkmale verschiedener Ausführungsformen, so dass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Die Fachleute werden erkennen, dass sie die vorliegende Offenbarung leicht als eine Basis für das Entwerfen oder Verändern anderer Prozesse und Strukturen zum Erreichen der gleichen Zwecke und/oder das Erreichen der gleichen Vorteile der hierin vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Die Fachleute sollten auch erkennen, dass derartige äquivalente Konstruktionen nicht von dem Geist und dem Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie verschiedene Veränderungen, Ersetzungen und Umänderungen durchführen können, ohne von dem Geist und dem Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Claims (11)
- Vorrichtung zum Entwickeln einer Lackschicht, welche auf einem Substrat abgeschieden ist, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: einen Chuck, welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat, welches die darauf abgeschiedene Lackschicht aufweist, zu befestigen; einen ersten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen ersten Entwickler einer ersten Polarität zu speichern; einen zweiten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen zweiten Entwickler einer zweiten Polarität zu speichern, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe, welche mit dem ersten Tank gekoppelt ist; eine zweite Pumpe, welche mit dem zweiten Tank gekoppelt ist; und eine Düse, welche mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler aus dem ersten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler aus dem zweiten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei ferner die Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 1, welche weiter ein Schlauch- oder Rohrsystem umfasst, welches den ersten und den zweiten Tank mit der ersten bzw. zweiten Pumpe verbindet, und welches weiter die erste und die zweite Pumpe mit der Düse verbindet.
- Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, welche weiter Folgendes umfasst: einen dritten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist; und eine dritte Pumpe, welche mit dem dritten Tank gekoppelt ist; wobei die Düse weiter mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler aus dem dritten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen, wobei die Düse eine erste Düse und eine zweite Düse aufweisen kann, wobei die erste Düse mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, so dass die erste Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen, und wobei die zweite Düse mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, so dass die zweite Düse dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen.
- Verfahren zum Bilden eines Lackmusters, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; Aufbringen eines ersten Entwicklers mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht; und Aufbringen eines zweiten Entwicklers mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist.
- Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das Aufbringen des ersten Entwicklers mit der ersten Polarität ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines oberen Bereichs der belichteten Lackschicht umfasst, und wobei das Aufbringen des zweiten Entwicklers mit der zweiten Polarität ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht umfasst.
- Verfahren gemäß Anspruch 4 oder 5, welches weiter ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf die belichtete Lackschicht aufweist.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, welches weiter ein Aufbringen eines dritten Entwicklers mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht umfasst, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
- Verfahren nach Anspruch 7, wobei die zweite Polarität kleiner als die erste Polarität ist, und wobei die dritte Polarität größer als die erste Polarität ist.
- Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, welches weiter Folgendes umfasst: gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers; und danach Aufbringen des dritten Entwicklers.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, welches weiter zumindest einen der folgenden Schritte umfasst: Durchführen eines Nachbelichtungsbackprozesses vor dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers; und Durchführen eines Nachentwicklungsbackprozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, wobei der erste und der zweite Entwickler organische Lösungsmittelentwickler umfassen.
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