DE102013101608B4

DE102013101608B4 - Vorrichtung und Verfahren für einen Entwicklungsprozess

Info

Publication number: DE102013101608B4
Application number: DE102013101608.1A
Authority: DE
Inventors: Ching-Yu Chang
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2012-07-13
Filing date: 2013-02-19
Publication date: 2022-02-17
Anticipated expiration: 2033-02-20
Also published as: TWI508134B; KR101401695B1; TW201403665A; KR20140008986A; US9256133B2; DE102013101608A1; US20140017616A1

Abstract

Vorrichtung zum Entwickeln einer Lackschicht (204), welche auf einem Substrat (202) abgeschieden ist, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst:
einen Chuck (310), welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat (202), welches die darauf abgeschiedene Lackschicht (204) aufweist, zu befestigen;
einen ersten Tank (302a), welcher dazu eingerichtet ist, einen ersten Entwickler (210a) einer ersten Polarität zu speichern;
einen zweiten Tank (302b), welcher dazu eingerichtet ist, einen zweiten Entwickler (210b) einer zweiten Polarität zu speichern, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist;
eine erste Pumpe (304a), welche mit dem ersten Tank (302a) gekoppelt ist;
eine zweite Pumpe (304b), welche mit dem zweiten Tank (302b) gekoppelt ist; und
eine Düse (308a), welche mit der ersten Pumpe (304a) und der zweiten Pumpe (304b) gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe (304a) dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler (210a) aus dem ersten Tank (302a) zu der Düse (308a) zu befördern, und
wobei die zweite Pumpe (304b) dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler (210b) aus dem zweiten Tank (302b) zu der Düse (308a) zu befördern, und wobei ferner die Düse (308a) dazu eingerichtet ist, eine Mischung des ersten Entwicklers (210a) und des zweiten Entwicklers (210b) auf der auf dem Substrat (202) abgeschiedenen Lackschicht (204) zu verteilen.

Description

HINTERGRUND
Die Halbleiterindustrie auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen (IC) hat ein exponentielles Wachstum erlebt. Technologische Fortschritte bei IC-Materialien und im Design haben Generationen von ICs hervorgebracht, wobei jede Generation kleinere und komplexere Schaltungen als die vorhergehende Generation aufweist. In dem Verlauf der IC-Evolution hat die funktionale Dichte (d.h. die Anzahl miteinander verbundener Vorrichtungen pro Chipfläche) im Allgemeinen zugenommen, während die Geometriegröße (d.h. die kleinste Komponente (oder Leitung), welche unter Verwendung eines Fabrikationsprozesses hergestellt werden kann) hat abgenommen. Dieser Prozess des Herunterskalierens bietet allgemein Vorteile, indem die Produktionseffizienz erhöht wird und die damit verbundenen Kosten gesenkt werden. Ein solches Herunterskalieren hat auch die Komplexität des Verarbeitens und Herstellens von ICs erhöht und zum Umsetzen dieser Fortschritte werden ähnliche Entwicklungen bei der IC-Verarbeitung und -Herstellung benötigt.
Beispielsweise implementieren lithographische Prozesse oft Belichtungs- und Entwicklungsprozesse, um kleine Merkmale während der IC-Wafer-Herstellung und der Maskenherstellung zu strukturieren. Eine der Herausforderungen, welche während der lithographischen Prozesse auftreten, ist, dass latente Strukturlackprofile durch den Belichtungsprozess gebildet werden, welche in unterschiedlichen Bereichen der Lackprofile unterschiedliche Polaritäten aufweisen. Solche Polaritätsunterschiede werden durch Licht hervorgerufen, welches an der Oberseite und der Unterseite einer Lackschicht während des Belichtungsprozesses gestreut und reflektiert wird. Die unterschiedlichen Bereiche unterschiedlicher Polarität besitzen eine unterschiedliche Löslichkeit gegenüber einem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher während des Entwicklungsprozesses verwendet wird, woraus oft ein Lackstrukturprofil mit oberseitigem Schlamm (T-top) und bodenseitigem Schlamm (Untergrund) resultiert.
Demgemäß werden eine Vorrichtung und ein Verfahren benötigt, welche die oben genannten Probleme angehen.
Die US 2008/0020330 A1 beschreibt ein Verfahren zum Entwickeln eines Fotoresists, bei dem nacheinander ein erster und ein zweiter Entwickler verwendet werden, um nichtbelichtete Bereiche eines negativen Lacks zu entfernen, um einen Hinterschnitt an der Resistflanke auszubilden.
US 2011/0305992 A1 beschreibt ein Verfahren zum Ausbilden einer Fotoresist-Struktur unter Verwendung von zwei Entwicklern mit entgegengesetzter Polarität zur Ausbildung von Linienstrukturen mit doppelter Auflösung. Ähnliche Verfahren sind beschrieben in der US 2012/0009527 A1 , der JP 2000-199953 A und der US 2010/0119960 A1 .
Eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Entwicklers für einen Fotoresist ist in der US 2010/0330508 A1 beschrieben.
ABRISS
Gemäß einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Entwickeln einer Lackschicht bereit, welche auf einem Substrat abgeschieden wurde, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: einen Chuck, welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat, welches die darauf abgeschiedene Lackschicht aufweist, zu befestigen; einen ersten Tank, der dazu eingerichtet ist, einen ersten Entwickler einer ersten Polarität zu speichern; einen zweiten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen zweiten Entwickler einer zweiten Polarität zu speichern, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe, welche mit dem ersten Tank gekoppelt ist; eine zweite Pumpe, welche mit dem zweiten Tank gekoppelt ist; und eine Düse, welche mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler aus dem ersten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler aus dem zweiten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei ferner die Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung weiter Folgendes: ein Schlauch- oder Rohrsystem, welches den ersten und den zweiten Tank mit der ersten bzw. zweiten Pumpe verbindet, und weiter die erste und die zweite Pumpe mit der Düse verbindet.
Die Vorrichtung kann auch weiter Folgendes umfassen: einen dritten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist; und eine dritte Pumpe, welche mit dem dritten Tank gekoppelt ist; wobei die Düse weiter mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler aus dem dritten Tank zu der Düse zu befördern, und wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
Die Düse kann eine erste Düse und eine zweite Düse aufweisen, wobei die erste Düse mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, so dass die erste Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen, und wobei die zweite Düse mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, so dass die zweite Düse dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen.
Die erste Pumpe kann dazu eingerichtet sein, eine Durchflussrate des zu der Düse beförderten ersten Entwicklers zu steuern, wobei die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, eine Durchflussrate des zu der Düse beförderten zweiten Entwicklers zu steuern.
Die Düse kann ferner dazu eingerichtet sein, eine Mischung des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
Gemäß einem anderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Bilden eines Lackmusters bereit, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; Aufbringen eines ersten Entwicklers mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht; und Aufbringen eines zweiten Entwicklers mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist.
In einer Ausführungsform ist die zweite Polarität kleiner als die erste Polarität.
Der Schritt des Aufbringens des ersten Entwicklers mit der ersten Polarität kann ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines oberen Bereichs der belichteten Lackschicht umfassen.
Der Schritt des Aufbringens des zweiten Entwicklers mit der zweiten Polarität kann ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht umfassen.
In einer Ausführungsform weist das Verfahren ferner ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf die belichtete Lackschicht auf.
Das Verfahren kann ferner ein Aufbringen eines dritten Entwicklers mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht umfassen, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
Die dritte Polarität kann größer als die erste Polarität sein.
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren Folgendes: Gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers; und danach Aufbringen des dritten Entwicklers.
Gemäß einem anderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters bereit, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; Verteilen eines ersten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer ersten Polarität auf der belichteten Lackschicht; Verteilen eines zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer zweiten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; und Verteilen eines dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren Folgendes: Gleichzeitiges Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers auf der belichteten Lackschicht.
Das Verfahren kann ferner ein Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer ersten Düse einer Entwicklungsvorrichtung und ein Verteilen des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer zweiten Düse der Entwicklungsvorrichtung umfassen.
Der Schritt des Verteilens des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit der dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht kann ein Verteilen eines Entwicklers zum Entfernen von bodenseitigem Lackschlamm aufweisen.
Das Verfahren kann ferner ein Durchführen eines Nachbelichtungsbackprozesses vor dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers umfassen.
Das Verfahren kann ferner ein Durchführen eines Nachentwicklungsbackprozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers umfassen.
Figurenliste
Die vorliegende Offenbarung wird am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn diese mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Es wird betont, dass der gängigen Praxis in der Industrie folgend verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind und lediglich Illustrationszwecken dienen. Tatsächlich kann die Abmessung der verschiedenen Merkmale aus Klarheitsgründen beliebig vergrößert oder verringert werden.

1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden eines Lackmusters zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
2-6 sind diagrammatische Querschnittsseitenansichten des Ausbildens eines Lackmusters gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
7-8 stellen ein Lackprofil nach einem Entwicklungsprozess gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dar.
9 ist ein Diagramm einer Entwicklungsvorrichtung zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die folgendes Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Spezifische Beispiele von Komponenten und Anordnungen werden unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und nicht dazu gedacht, einschränkend zu sein. Beispielsweise kann die Ausbildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in welchen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann ebenfalls Ausführungsformen umfassen, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal gebildet sein können, so dass das erste und das zweiten Merkmal möglicherweise nicht in direktem Kontakt sind. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Vereinfachung und Klarheit und gibt selbst nicht zwangsläufig eine Beziehung zwischen den verschiedenen Ausführungsformen und/oder beschriebenen Konfigurationen an.
Mit Bezug auf 1 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 100 ein Beispiel des Ausbildens eines Lackmusters auf einem Wafersubstrat zum Implementieren einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das Verfahren 100 beginnt bei Schritt 102, indem ein Substrat bereitgestellt oder empfangen wird. Das Verfahren 100 rückt zu Schritt 104 durch ein Abscheiden einer Lackschicht auf dem Substrat, zum Beispiel mittels eines Spin-on-Beschichtungsprozesses vor. In der vorliegenden Offenbarung wird ein Lack auch als Fotolack bezeichnet. Der Schritt 104 kann ein Durchführen eines Trocknungsprozesses vor dem Aufbringen der Lackschicht auf dem Substrat umfassen, wodurch eine Haftung der Lackschicht auf dem Substrat verbessert werden kann. Der Trocknungsprozess kann ein Backen des Substrats bei einer hohen Temperatur für eine Zeitdauer oder ein Anwenden einer Chemikalie wie beispielsweise Hexamethyldisilizan (HMDS) auf das Substrat umfassen. Der Schritt 104 kann auch ein sanftes Backen (soft bake - SB) umfassen, wodurch eine mechanische Festigkeit der Lackschicht erhöht werden kann. Nach dem Schritt 104 rückt das Verfahren 100 zu Schritt 106 zum Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht durch ein Belichtungsgerät zum Ausbilden eines latenten Bildmusters auf der Lackschicht vor. Das Belichtungsgerät kann ein optisches Belichtungsgerät, wie beispielsweise ein I-Linien-(365 nm)-, ein Tiefultraviolett-(DUV)-, ein Extremultraviolett-(EUV)- oder ein Röntgenstrahlbelichtungsgerät oder ein auf geladenen Teilchen basierendes Gerät wie beispielsweise einen Elektronenstrahlschreiber umfassen. Das Verfahren 100 rückt zu Schritt 108 durch ein Entwickeln der belichteten Lackschicht zum Bilden eines Lackmusters auf dem Wafersubstrat vor. Der Schritt 108 kann ein Nachbelichtungsbacken (post expose bake - PEB), ein Nachentwicklungsbacken (post develop bake - PDB) oder beides umfassen. Zusätzliche Schritte können vor, während und nach dem Verfahren 100 bereitgestellt werden, und einige der beschriebenen Schritte können bei zusätzlichen Ausführungsformen des Verfahrens 100 ersetzt, gestrichen oder in der Reihenfolge geändert werden.
Unter Bezugnahme auf die 2-6 sind diagrammatische Querschnittsseitenansichten des Ausbildens eines Lackmusters einer Einrichtung 200 durch das Verfahren 100 gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung illustriert. Das Lackmuster der Einrichtung 200 umfasst ein Substrat 202 und eine Lackschicht 204. Das Substrat 202 kann einen Wafer und mehrere leitfähige und nicht leitfähige dünne Schichten aufweisen. Der Wafer ist ein Halbleiterwafer, welcher Silizium aufweist (mit anderen Worten ein Siliziumwafer). Alternativ oder zusätzlich weist der Wafer andere elementare Halbleiter wie beispielsweise Germanium; einen Verbundhalbleiter einschließlich Siliziumcarbid, Galliumarsenid, Galliumphosphid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und/oder Indiumantimonid; einen Legierungshalbleiter einschließlich SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP und/oder GaInAsP auf. Gemäß einer noch weiteren Alternative ist der Wafer ein Halbleiter-auf-Isolator (SOI). Die mehreren leitfähigen und nicht leitfähigen dünnen Schichten können einen Isolator oder ein leitfähiges Material umfassen. Zum Beispiel umfasst das leitfähige Material ein Metall wie beispielsweise Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Nickel (Ni), Titan (Ti), Gold (Au) und Platin (Pt) und eine Legierung dieser Metalle. Das Isolatormaterial kann Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfassen.
Wie in 2 gezeigt, wird die Lackschicht 204, nachdem das Substrat 202 empfangen wurde, auf dem Substrat 202 abgeschieden. Die Lackschicht 204 kann einen Positivlack oder einen Negativlack aufweisen. Die Lackschicht 204 kann auch eine einzelne Lackschicht oder eine mehrlagige Lackschicht umfassen. In einer Ausführungsform weist die mehrlagige Lackschicht eine Schicht mit einer Decklage auf Lack auf. Die Decklage dient dem Zwecke der Verringerung der EUV-Ausgasung oder des Immersionswasserwiderstands. Dann wird, wie in 3 gezeigt, die auf dem Substrat 202 abgeschiedene Lackschicht 204 von einem optischen Belichtungsgerät belichtet. Licht 206, welches von dem optischen Gerät erzeugt wird, wird auf eine Maske 208 projiziert. Das Licht 206 umfasst I-Linien-Licht, DUV-Licht, EUV-Licht oder Röntgenlicht. Die Maske 208 blockiert einen Teil des Lichts 206, um ein Muster eines IC-Designlayouts auf die Lackschicht 204 zu übertragen. Die Maske 208 umfasst eine Binärmaske oder eine Phasenmaske (phase shift mask - PSM). Die Phasenmaske kann eine alternierende Phasenmaske (alternating phase shift mask - alt. PSM) oder eine Halbtonphasenmaske (attenuated phase shift mask - att. PSM) sein. In der vorliegenden Offenbarung wird eine Maske auch als Photomaske oder als Retikel bezeichnet. Ein Teil des Lichts 206 wird durch die Maske 208 blockiert und ein Teil des Lichts 206 durchdringt die Maske 208 und wird auf die Lackschicht 204 projiziert, wo es mit einer lichtempfindlichen Chemikalie in der Lackschicht 204 reagiert, um ein latentes Bild auszubilden. Zum Beispiel ist die lichtempfindliche Chemikalie ein Photosäuregenerator (photo acid generator - PAG) in einem DUV-Lack. Der PAG gibt unter Bestrahlung durch das Licht 206 eine Säure frei und bildet das latente Bild aus. Der PAG in dem Lack gibt unter Bestrahlung durch das Licht 206 die Säure frei und die Säure fördert eine chemisch verstärkte Reaktion (chemical amplify reaction - CAR) in einem belichteten Gebiet, z.B. während eines PEB-Prozesses. Durch die chemisch verstärkte Reaktion (CAR) verändert sich die Polarität des Lacks in den belichteten Gebieten von einer hydrophoben Polarität in eine hydrophile Polarität.
Wie in 4 gezeigt, wird ein Entwickler 210 auf die belichtete Lackschicht 204, welche auf dem Substrat 202 abgeschieden wurde, aufgebracht, um ein Lackmuster zu entwickeln. In der dargestellten Ausführungsform hängt das endgültige Lackmuster von der Entwicklertönung ab. Wenn der Entwickler 210 beispielsweise ein Entwickler mit positiver Tönung (positive tone developer - PTD), wie beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), ist, welcher auf die entwickelte Lackschicht 204 aufgebracht ist, werden die belichteten (hydrophilen) Bereiche der Lackschicht 204 durch den PTD während des Entwicklungsprozesses aufgelöst und die unbelichteten (hydrophoben) Bereiche der Lackschicht 204 verbleiben, um eine strukturierte Lackschicht 204a zu bilden, wodurch das endgültige in 5 gezeigte Lackmuster bereitgestellt wird. Wenn in einem anderen Beispiel der Entwickler 210 ein Entwickler mit negativer Tönung (negative tone developer - NTD), wie beispielsweise ein hydrophobes organisches Lösungsmittel, ist, welcher auf die belichtete Lackschicht 204 aufgebracht ist, werden die unbelichteten (hydrophoben) Bereiche der Lackschicht 204 durch den NTD aufgelöst und die belichteten (hydrophilen) Bereiche der Lackschicht 204 verbleiben nach dem Entwicklungsprozess, um eine strukturierte Lackschicht 204b auszubilden, wodurch das in 6 gezeigte endgültige Lackmuster bereitgestellt wird.
Um mit den vorliegenden Ausführungsformen fortzufahren, illustriert 7 ein typisches Lackprofil 205, wenn die Lackschicht 204 durch einen Entwickler mit negativer Tönung (NTD) gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung entwickelt wurde. In der vorliegenden Offenbarung wird ein Entwickler mit negativer Tönung auch als ein organischer Lösungsmittelentwickler bezeichnet. Das Lackprofil 205 umfasst einen geraden Mittelbereich 205a, einen oberen Schlammbereich (T-top) 205b und einen unteren Schlammbereich (Untergrund) 205c auf dem Substrat 202. Der T-top 205b und der Untergrund 205c werden durch eine ungleichmäßige Belichtung der Lackschicht 204 während des Belichtungsprozesses hervorgerufen, wie beispielsweise durch die Belichtung in Schritt 106 des in 1 dargestellten Verfahrens 100, welcher weiter in 3 illustriert ist. Beispielsweise kann, weil Licht an der Oberfläche der Lackschicht 204 gestreut wird, ein oberes Gebiet (ein ungewolltes Belichtungsgebiet) der Lackschicht 204 während des Belichtungsprozesses teilweise durch das gestreute Licht belichtet werden. Daher kann das teilweise belichtete obere Gebiet (in einem ungewollten Belichtungsgebiet) nicht durch den Entwickler mit negativer Tönung (NTD) während des Entwicklungsprozesses entfernt werden und der T-top 205b auf dem geraden mittleren Bereich 205a wird gebildet. In einem anderen Beispiel kann, weil das Licht an der Grenzfläche des Substrats 202 und der Lackschicht 204 reflektiert und gestreut wird, ein unteres Gebiet (in einem ungewollten Belichtungsgebiet) der Lackschicht 204 während des Belichtungsprozesses teilweise von dem gestreuten Licht oder dem reflektierten Licht belichtet werden. Daher kann das teilweise belichtete untere Gebiet nicht während des Entwicklungsprozesses aufgelöst werden und der Untergrund 205c wird gebildet. Aufgrund der Lichtstreuung und/oder -reflexion an der Oberseite und an der Unterseite der Lackschicht 204 nimmt die Lackschicht 204 in unterschiedlichen Bereichen unterschiedliche Energiedosen auf, und die Lackschicht bildet daher ein latentes Profil mit unterschiedlichen Polaritäten an der Oberseite, in der Mitte und an der Unterseite der Lackschicht 204. Die unterschiedlichen Polaritäten können verschiedene Löslichkeiten hinsichtlich des gleichen Entwicklers mit negativer Tönung (NTD) aufweisen und daher wird das Lackprofil 205 mit dem T-top 205b und dem Untergrund 205c wie in 7 dargestellt ausgebildet.
Bezug nehmend auf 8 wird ein verbessertes Lackprofil 207 unter Verwendung mehrerer Entwickler mit negativer Tönung (NTD) während des Entwicklungsprozesses gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung illustriert. Der T-top 205b und der Untergrund 205c sind reduziert. Durch das Verwenden mehrerer Entwickler mit negativer Tönung (NTD) wird das Lackprofil 207 auf dem Substrat 202 ausgebildet. Während des Entwicklungsprozesses wird ein erster Entwickler mit negativer Tönung (NTD) auf die belichtete Lackschicht 204, welche auf dem Substrat 202 abgeschieden ist, aufgebracht. Der erste Entwickler mit negativer Tönung (NTD) zielt auf den mittleren Bereich der belichteten Lackschicht 204 ab. Dann wird ein zweiter Entwickler mit negativer Tönung (NTD) mit einer polareren und stärkeren Löslichkeit als der erste Entwickler mit negativer Tönung (NTD) aufgebracht, um auf die teilweise belichtete Oberseite (T-top) und Unterseite (Untergrund) abzuzielen. Anschließend wird ein dritter Entwickler mit negativer Tönung (NTD) mit einer unterschiedlichen Polarität (beispielsweise bezüglich des ersten und zweiten Entwicklers mit negativer Tönung) aufgebracht, um auf die teilweise belichtete Unterseite (Untergrund) abzuzielen oder als Spülung zur Defektreduktion verwendet zu werden. Die Polarität der mehreren Entwickler mit negativer Tönung (NTD) können aus mehreren organischen Lösungsmitteln mit unterschiedlicher Polarität ausgewählt werden, um das Lackprofil 207 zu steuern. Wenn z.B. ein polareres organisches Lösungsmittel als der dritte Entwickler mit negativer Tönung (NTD) verwendet wird, kann das Lackprofil 205b von dem T-top oder Oberseitenschlamm zu einer Abrundung verändert werden.
Bezug nehmend auf 9 ist ein Diagramm einer Vorrichtung 300 zum Ausgeben mehrerer organischer Lösungsmittelentwickler zum Ausbilden eines Lackmusters auf einem Substrat illustriert, um eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu implementieren. Die Vorrichtung 300 umfasst Tanks 302a, 302b und 302c; Pumpen 304a, 304b und 304c; ein Schlauch- oder Rohrsystem 306; eine Düse 308a und einen Chuck 310. Allerdings können andere Konfigurationen sowie ein Aufnehmen oder Weglassen von Einrichtungen möglich sein. In der vorliegenden Offenbarung wird eine Pumpe auch als Ventil bezeichnet. Die Tanks 302a, 302b und 302c speichern jeweils einen organischen Lösungsmittelentwickler mit unterschiedlicher Polarität. Zum Beispiel speichert der Tank 302a einen organischen Lösungsmittelentwickler 210a, der Tank 302b speichert einen organischen Lösungsmittelentwickler 210b und der Tank 302c speichert einen organischen Lösungsmittelentwickler 210c. In einem Beispiel besitzt der organische Lösungsmittelentwickler 210a eine geringere Polarität als die organischen Lösungsmittelentwickler 210b und 210c und der organische Lösungsmittelentwickler 210b besitzt eine geringere Polarität als der organische Lösungsmittelentwickler 210c. Die Tanks 302a - 302c sind mit den Pumpen 304a - 304c jeweils durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 verbunden. Der Tank 302a ist mit der Pumpe 304a verbunden, der Tank 302b ist mit der Pumpe 304b verbunden und der Tank 302c ist mit der Pumpe 304c verbunden. In der dargestellten Ausführungsform sind alle Pumpen 304a, 304b und 304c mit der Düse 308a durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 verbunden. Das Schlauch-/Rohrsystem 306 umfasst jedes beliebige Element oder eine Kombination von Elementen, welche ein Transportieren der organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und 210c aus den Tanks 302a, 302b und 302c zu der Düse 308a ermöglicht. Die Düse 308a befindet sich oberhalb des Chucks 310. Die Düse 308a sprüht den organischen Entwickler 210a; den organischen Entwickler 210b; den organischen Entwickler 210c oder eine Mischung des organischen Entwicklers 210a, des organischen Lösungsmittelentwicklers 210b und/oder des organischen Entwicklers 210c auf die belichtete Lackschicht 204, welche auf dem durch den Chuck 310 befestigten Substrat 202 abgeschieden ist. Der Chuck 310 wird dazu verwendet, das mit der Lackschicht 204 versehene Substrat 202 während des Entwicklungsprozesses zu befestigen. Wie in 9 gezeigt, können die einzelnen organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und 210c mit unterschiedlicher Polarität separat an die auf dem Substrat 202 abgeschiedene Lackschicht 204 während eines Entwicklungsprozesses abgegeben werden, oder eine Mischung der einzelnen organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und 210c kann an den auf dem Substrat 202 abgeschiedenen Lack 204 abgegeben werden. Die Pumpen 304a, 304b und 304c steuern ein Entwicklungsprozessrezept für den Entwicklungsprozess, wie beispielsweise einen Fluss und eine Menge jedes der organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und 210c, welche über das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308a befördert werden. Es ist zu beachten, dass die Vorrichtung 300 in der dargestellten Ausführungsform derart eingerichtet ist, dass die Düse 308a drei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt. Die Vorrichtung 300 kann derart eingerichtet sein, dass die Düse 308a zwei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler oder mehr als drei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt, wobei eine Pumpe mit jedem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher von der Düse 308a verteilt werden soll, verknüpft ist. Ferner können die Tanks andere Entwickler als organische Lösungsmittelentwickler beinhalten.
Nachdem die Lackschicht 204 auf dem Substrat 202 abgeschieden wurde und die Lackschicht 204 belichtet wurde, wird die belichtete Lackschicht 204 in einem Beispiel für einen Entwicklungsprozess auf den Chuck 310 der Vorrichtung 300 transferiert. Zunächst wird der erste organische Lösungsmittelentwickler 210a, wie beispielsweise Methyl-a-amylketon (MAK) aus dem Tank 302a an die Düse 308a durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 abgegeben, indem die Pumpe 304a eingeschaltet wird, und der organische Lösungsmittelentwickler 210a wird durch die Düse 308a auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen Bereichs der belichteten Lackschicht 204 abzuzielen. Dann wird die Pumpe 304a ausgeschaltet und der zweite organische Lösungsmittelentwickler 210b, wie beispielsweise N-Butylacetat (NBA) wird aus dem Tank 302b durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308a befördert, indem die Pumpe 304b eingeschaltet wird, und der organische Lösungsmittelentwickler 210b wird auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht 204 abzuzielen. In dem vorliegenden Beispiel besitzt der organische Lösungsmittelentwickler 210a eine größere Polarität als der organische Lösungsmittelentwickler 210b. Wenn in einem anderen Beispiel die Pumpe 304a und die Pumpe 304b gleichzeitig eingeschaltet sind, wird eine Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers 210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers 210b (z.B. eine Mischung aus MAK und NBA) durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308a befördert, und die Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler 210a und 210b wird auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um die belichtete Lackschicht 204 zu entwickeln. Ein Verhältnis der Mischung (z.B. 50 % NBA und 50 % MAK) kann durch ein Durchflussratenverhältnis der Pumpe 304a zu der Pumpe 304b gesteuert werden. Schließlich werden die Pumpe 304a und die Pumpe 304b ausgeschaltet und der dritte organische Entwickler 210c, wie beispielsweise Alkohol, Methylisobutylcarbinol (MIBC) oder eine grenzflächenaktive Mischung wird aus dem Tank 302c durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308a befördert und der dritte organische Entwickler 210c wird auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um die belichtete Lackschicht 204 weiter zu entwickeln. Der dritte organische oder wasserbasierende Entwickler 210c kann auch als Schlussspülung dienen, wodurch der Entwicklerrückstanddefekt reduziert werden kann. Das endgültige Lackprofil 207 auf dem Substrat ist wie in 8 gezeigt ausgebildet.
Nunmehr Bezug nehmend auf 10 ist ein Diagramm einer Vorrichtung 400 zum Abgeben verschiedener organischer Lösungsmittelentwickler zum Ausbilden eines Lackmusters auf einem Substrat illustriert, um eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu implementieren. Die Vorrichtung umfasst die Tanks 302a, 302b und 302c; die Pumpen 304a, 304b und 304c; das Schlauch- oder Rohrsystem 306; Düsen 308b und 308c und den Chuck 310. Allerdings können andere Konfigurationen und ein Aufnehmen oder Weglassen von Einrichtungen möglich sein. Die Tanks 302a, 302b und 302c speichern jeweils einen organischen Lösungsmittelentwickler mit einer unterschiedlichen Polarität. Zum Beispiel speichert der Tank 302a den organischen Lösungsmittelentwickler 210a, der Tank 302b speichert den organischen Lösungsmittelentwickler 210b und der Tank 302c speichert den organischen Lösungsmittelentwickler 210c. Die Tanks 302a - 302c sind mit den Pumpen 304a - 304c jeweils durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 verbunden. Der Tank 302a ist mit der Pumpe 304a verbunden, der Tank 302b ist mit der Pumpe 304b verbunden und der Tank 302c ist mit der Pumpe 304c verbunden. Die Pumpe 304a und die Pumpe 304b sind mit der Düse 308b durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 verbunden. Die Pumpe 304c ist mit der Düse 308c durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 verbunden. Das Schlauch-/Rohrsystem 306 umfasst jedes beliebige Element oder eine Kombination von Elementen, welche ein Transportieren der organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und 210c aus den Tanks 302a und 302b zu der Düse 308b und aus dem Tank 302c zu der Düse 308c ermöglicht. Sowohl die Düse 308b als auch die Düse 308c befinden sich oberhalb des Chucks 310. Die Düse 308b sprüht den organischen Lösungsmittelentwickler 210a, den organischen Lösungsmittelentwickler 210b oder eine Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers 210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers 210b auf die belichtete Lackschicht 204, welche auf dem durch den Chuck 310 befestigten Substrat 202 abgeschieden ist. Die Düse 308c sprüht den organischen Lösungsmittelentwickler 210c auf die belichtete Lackschicht 204, welche auf dem durch den Chuck 310 befestigten Substrat 202 abgeschieden ist. Der Chuck 310 wird verwendet, um das Substrat 202, auf welchem die Lackschicht 204 abgeschieden ist, während des Entwicklungsprozesses zu befestigen. Wie in 10 dargestellt ist, können die organischen Lösungsmittelentwickler mit verschiedenen Polaritäten 210a, 210b und 210c während des Entwicklungsprozesses separat an die Lackschicht 204 abgegeben werden oder eine Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler 210a, 210b und/oder 210c kann durch ein Verarbeitungsrezept gesteuert an die Lackschicht 204 abgegeben werden. Es ist zu beachten, dass die Vorrichtung 400 in der dargestellten Ausführungsform derart eingerichtet ist, dass die Düse 308b zwei verschiedene organische Lösungsmittelentwickler verteilt und die Düse 308c einen organischen Lösungsmittelentwickler verteilt. Die Vorrichtung 400 kann derart eingerichtet sein, dass die Düse 308c mehr als einen organischen Lösungsmittelentwickler verteilt, wobei eine Pumpe mit jedem organischen Lösungsmittelentwickler, welcher durch die Düse 308c verteilt werden soll, verknüpft ist. Darüber hinaus können die Tanks andere Entwickler als organische Lösungsmittelentwickler beinhalten.
Nachdem die Lackschicht 204 in einem Beispiel auf dem Substrat 202 abgeschieden wurde und die Lackschicht 204 belichtet wurde, wird die auf dem Substrat 202 abgeschiedene, belichtete Lackschicht 204 für den Entwicklungsprozess auf den Chuck 310 der Vorrichtung 400 transferiert. Der organische Lösungsmittelentwickler 210a, wie beispielsweise N-Butylacetat (NBA) wird aus dem Tank 302a durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308b befördert, indem die Pumpe 304a eingeschaltet wird und anschließend wird der organische Lösungsmittelentwickler 210a durch die Düse 308b auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht 204 abzuzielen. Anschließend wird die Pumpe 304a ausgeschaltet und der polarere zweite organische Lösungsmittelentwickler 210b, wie beispielsweise Methyl-a-amylketon (MAK) wird aus dem Tank 302b durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308b befördert, indem die Pumpe 304b eingeschaltet wird, und anschließend wird der organische Lösungsmittelentwickler 210b auf die entwickelte Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen und des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht abzuzielen. Wenn die Pumpe 304a und die Pumpe 304b in einem anderen Beispiel gleichzeitig eingeschaltet werden, wird die Mischung des organischen Lösungsmittelentwicklers 210a und des organischen Lösungsmittelentwicklers 210b (z.B. die Mischung aus NBA und MAK) durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308b befördert, und die Mischung der organischen Lösungsmittelentwickler 210a und 210b wird auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des oberen und des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht 204 abzuzielen. Ein Verhältnis der Mischung (z.B. 50 % NBA und 50 % MBA) kann durch ein Durchflussratenverhältnis der Pumpe 304a zu der Pumpe 304b gesteuert werden. Schließlich werden sowohl die Pumpe 304a als auch die Pumpe 304b ausgeschaltet und der dritte organische Lösungsmittelentwickler 210c, wie beispielsweise Alkohol, wird aus dem Tank 302c durch das Schlauch-/Rohrsystem 306 zu der Düse 308a befördert und der dritte organische Lösungsmittelentwickler 210c wird auf die belichtete Lackschicht 204 gesprüht, um auf eine Entwicklung des unteren Bereichs der belichteten Lackschicht 204 abzuzielen. Der dritte organische Lösungsmittelentwickler 210c kann auch als Schlussspülung dienen, wodurch der Entwicklerrückstandsdefekt reduziert wird. Das endgültige Lackprofil 207 auf dem Substrat ist wie in 8 gezeigt ausgebildet.
Daher beschreibt die vorliegende Offenbarung eine Vorrichtung. In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung einen Chuck, welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat mit der darauf abgeschiedenen Lackschicht zu befestigen; einen ersten Tank, welcher zum Speichern eines ersten Entwicklers einer ersten Polarität eingerichtet ist; einen zweiten Tank, welcher zum Speichern eines zweiten Entwicklers einer zweiten Polarität eingerichtet ist, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe, welche mit dem ersten Tank gekoppelt ist; eine zweite Pumpe, welche mit dem zweiten Tank gekoppelt ist; und eine Düse, welche mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler aus dem ersten Tank zu der Düse zu befördern und die zweite Pumpe dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler aus dem zweiten Tank zu der Düse zu befördern, wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen. Die Vorrichtung weist auch ein Schlauch- oder Rohrsystem auf, welches den ersten und den zweiten Tank mit der ersten bzw. zweiten Pumpe verbindet, und weiter die erste und die zweite Pumpe mit der Düse verbindet. Die Vorrichtung umfasst ferner einen dritten Tank, welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist, und eine dritte Pumpe, welche mit dem dritten Tank gekoppelt ist, wobei die Düse weiter mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler aus dem dritten Tank zu der Düse zu befördern und wobei die Düse weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen. Die Vorrichtung umfasst eine erste Düse und eine zweite Düse, wobei die erste Düse mit der ersten Pumpe und der zweiten Pumpe gekoppelt ist, so dass die erste Düse dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler und den zweiten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen, und wobei die zweite Düse mit der dritten Pumpe gekoppelt ist, so dass die zweite Düse dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler auf der Lackschicht zu verteilen. Die erste Pumpe ist dazu eingerichtet, eine Durchflussrate des ersten Entwicklers, welcher zu der Düse befördert wird, zu steuern und die zweite Pumpe ist dazu eingerichtet, eine Durchflussrate des zweiten Entwicklers, welcher zu der Düse befördert wird, zu steuern. Die Düse ist dazu eingerichtet, eine Mischung des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht zu verteilen.
Die vorliegende Offenbarung beschreibt auch eine Anwendung für eine Vorrichtung. In einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters ein Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; ein Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; ein Aufbringen eines ersten Entwicklers mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht; und ein Aufbringen eines zweiten Entwicklers mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht. Die zweite Polarität ist von der ersten Polarität verschieden und ist kleiner als die erste Polarität. Das Verfahren umfasst ein Aufbringen des ersten Entwicklers mit der ersten Polarität zum Entfernen von Oberseitenlackschlamm und dann ein Aufbringen des zweiten Entwicklers mit der zweiten Polarität zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht. Das Verfahren umfasst auch ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers auf die belichtete Lackschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Aufbringen eines dritten Entwicklers mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht. Die dritte Polarität ist von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden und die dritte Polarität ist größer als die zweite Polarität. Das Verfahren umfasst auch ein gleichzeitiges Aufbringen des ersten Entwicklers und des zweiten Entwicklers; und anschließend ein Aufbringen des dritten Entwicklers.
In einer anderen Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Ausbilden eines Lackmusters ein Abscheiden einer Lackschicht auf einem Substrat; ein Belichten der auf dem Substrat abgeschiedenen Lackschicht; ein Verteilen eines ersten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer ersten Polarität auf der belichteten Lackschicht; ein Verteilen eines zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer zweiten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; und ein Verteilen eines dritten organischen Lösungsmittelentwicklers mit einer dritten Polarität auf der belichteten Lackschicht, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist. Das Verfahren umfasst ein gleichzeitiges Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers auf der belichteten Lackschicht. Das Verfahren umfasst auch ein Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers und des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer ersten Düse einer Entwicklungsvorrichtung und ein Verteilen des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers unter Verwendung einer zweiten Düse der Entwicklungsvorrichtung. Das Verfahren umfasst ferner ein Durchführen eines Nachbelichtungsback-(PEB)-Prozesses vor dem Verteilen des organischen Lösungsmittelentwicklers, eines Nachentwicklungsback-(PDB)-Prozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelsentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers oder eine Kombination davon.
Das Vorhergehende skizziert Merkmale verschiedener Ausführungsformen, so dass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Die Fachleute werden erkennen, dass sie die vorliegende Offenbarung leicht als eine Basis für das Entwerfen oder Verändern anderer Prozesse und Strukturen zum Erreichen der gleichen Zwecke und/oder das Erreichen der gleichen Vorteile der hierin vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Die Fachleute sollten auch erkennen, dass derartige äquivalente Konstruktionen nicht von dem Geist und dem Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie verschiedene Veränderungen, Ersetzungen und Umänderungen durchführen können, ohne von dem Geist und dem Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims

Vorrichtung zum Entwickeln einer Lackschicht (204), welche auf einem Substrat (202) abgeschieden ist, wobei die Vorrichtung Folgendes umfasst: einen Chuck (310), welcher dazu eingerichtet ist, das Substrat (202), welches die darauf abgeschiedene Lackschicht (204) aufweist, zu befestigen; einen ersten Tank (302a), welcher dazu eingerichtet ist, einen ersten Entwickler (210a) einer ersten Polarität zu speichern; einen zweiten Tank (302b), welcher dazu eingerichtet ist, einen zweiten Entwickler (210b) einer zweiten Polarität zu speichern, wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist; eine erste Pumpe (304a), welche mit dem ersten Tank (302a) gekoppelt ist; eine zweite Pumpe (304b), welche mit dem zweiten Tank (302b) gekoppelt ist; und eine Düse (308a), welche mit der ersten Pumpe (304a) und der zweiten Pumpe (304b) gekoppelt ist, wobei die erste Pumpe (304a) dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler (210a) aus dem ersten Tank (302a) zu der Düse (308a) zu befördern, und wobei die zweite Pumpe (304b) dazu eingerichtet ist, den zweiten Entwickler (210b) aus dem zweiten Tank (302b) zu der Düse (308a) zu befördern, und wobei ferner die Düse (308a) dazu eingerichtet ist, eine Mischung des ersten Entwicklers (210a) und des zweiten Entwicklers (210b) auf der auf dem Substrat (202) abgeschiedenen Lackschicht (204) zu verteilen.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1, welche weiter ein Schlauch- oder Rohrsystem umfasst, welches den ersten und den zweiten Tank (302a, 302b) mit der ersten und zweiten Pumpe (304a, 304b) verbindet, und welches weiter die erste und die zweite Pumpe (304a, 304b) mit der Düse (308a) verbindet.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, welche weiter Folgendes umfasst: einen dritten Tank (302c), welcher dazu eingerichtet ist, einen dritten Entwickler (210c) einer dritten Polarität zu speichern, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist; und eine dritte Pumpe (304c), welche mit dem dritten Tank (302c) gekoppelt ist; wobei die Düse (308a, 308c) weiter mit der dritten Pumpe (304c) gekoppelt ist, wobei die dritte Pumpe (304c) dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler (210c) aus dem dritten Tank (302c) zu der Düse (308a, 308c) zu befördern, und wobei die Düse (308a, 308c) weiter dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler (210c) auf der auf dem Substrat (202) abgeschiedenen Lackschicht (204) zu verteilen, wobei die Düse (308a, 308c) eine erste Düse (308a) und eine zweite Düse (308c) aufweisen kann, wobei die erste Düse (308a) mit der ersten Pumpe (304a) und der zweiten Pumpe (304b) gekoppelt ist, so dass die erste Düse (308a) dazu eingerichtet ist, den ersten Entwickler (210a) und den zweiten Entwickler (210b) auf der Lackschicht (204) zu verteilen, und wobei die zweite Düse (308c) mit der dritten Pumpe (304c) gekoppelt ist, so dass die zweite Düse (308c) dazu eingerichtet ist, den dritten Entwickler (210c) auf der Lackschicht (204) zu verteilen.
Verfahren zum Bilden eines Lackmusters, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Abscheiden (104) einer Lackschicht (204) auf einem Substrat (202); Belichten (106) der auf dem Substrat (202) abgeschiedenen Lackschicht (204) mit Licht, das an der Oberseite und der Unterseite der Lackschicht (204) gestreut wird, wodurch unterschiedliche Bereiche der Lackschicht (204) unterschiedliche Polaritäten aufweisen; Aufbringen eines ersten Entwicklers (210a) mit einer ersten Polarität auf die belichtete Lackschicht (204); und Aufbringen eines zweiten Entwicklers (210b) mit einer zweiten Polarität auf die belichtete Lackschicht (204), wobei die zweite Polarität von der ersten Polarität verschieden ist, wobei der erste und der zweite Entwickler (210b) auf die unterschiedlichen Bereiche der Lackschicht (204) mit unterschiedlicher Polaritäten gerichtet sind, um die unterschiedlichen Bereiche der Lackschicht (204) zu entwickeln.
Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das Aufbringen des ersten Entwicklers (210a) mit der ersten Polarität ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines oberen Bereichs der belichteten Lackschicht (204) umfasst, und wobei das Aufbringen des zweiten Entwicklers (210b) mit der zweiten Polarität ein Aufbringen eines Entwicklers zum Entwickeln eines mittleren Bereichs der belichteten Lackschicht (204) umfasst, wobei der obere Bereich und der mittlere Bereich Bereiche mit unterschiedlichen Polaritäten sind und verschiedene Löslichkeiten in Bezug auf einen gleichen Entwickler haben.
Verfahren gemäß Anspruch 4 oder 5, wobei das Aufbringen des ersten Entwicklers (210a) und des zweiten Entwicklers (210b) als Mischung auf die belichtete Lackschicht (204) erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, welches weiter ein Aufbringen eines dritten Entwicklers (210c) mit einer dritten Polarität auf die belichtete Lackschicht (204) umfasst, wobei die dritte Polarität von der ersten Polarität und der zweiten Polarität verschieden ist.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die zweite Polarität kleiner als die erste Polarität ist, und wobei die dritte Polarität größer als die erste Polarität ist.
Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, welches weiter Folgendes umfasst: (210b); und danach Aufbringen des dritten Entwicklers (210c).
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 9, wobei der erste und der zweite Entwickler (210b) organische Lösungsmittelentwickler umfassen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, welches weiter einen der folgenden Schritte umfasst: Durchführen eines Nachbelichtungsbackprozesses vor dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers; oder Durchführen eines Nachentwicklungsbackprozesses nach dem Verteilen des ersten organischen Lösungsmittelentwicklers, des zweiten organischen Lösungsmittelentwicklers und des dritten organischen Lösungsmittelentwicklers.