DE102012105345A1 - Verfahren zum Strukturieren eines Substrats - Google Patents

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Abstract

Bei verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (501) aufweisen: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht (502) auf oder über einem Substrat und Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht (503) auf oder über der zusätzlichen Schicht, wobei die zusätzliche Schicht (502) so eingerichtet ist, dass sie von dem Substrat leichter entfernt werden kann als die Plasmaätzmaskenschicht (503); Strukturieren der Plasmaätzmaske so dass mindestens ein Bereich (501a) des Substrats (501) freigelegt ist; Strukturieren des Substrats (501) mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503‘) als eine Plasmaätzmaske verwendet wird.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen betreffen allgemein ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats.
  • Heutzutage weist die Herstellung von Halbleiterdies bzw. -chips üblicherweise auf das sogenannte Dicing, d.h. das Vereinzeln der einzelnen Dies oder Chips aus einem Substrat, typischerweise einem Wafersubstrat oder kurz Wafer. Bei verschiedenen Arten von Substraten kann das Vereinzeln erreicht werden durch mechanisches Sägen des Substrats. Bei manchen Arten von Substraten, wie z.B. Siliziumkarbid-(SiC)-Substraten, kann mechanisches Sägen des Substrates jedoch schwierig und/oder teuer sein wegen der spezifischen mechanischen Materialeigenschaften des Substratmaterials (z.B. SiC). Beispielsweise kann mechanisches Sägen des Substrats eine niedrige Sägegeschwindigkeit aufweisen und/oder in diesem Fall zu einem hohen Verbrauch von Sägeblättern führen.
  • Darüber hinaus kann mechanisches Sägen des Substrats zu mechanischer Beschädigung durch Sägen führen, wie z.B. der Ausbildung von Rissen, welche in das Substrat hineinreichen und die Funktionalität des Chips beeinträchtigen oder sogar zerstören können. Mechanisches Sägen kann auch zu einem relativ breiten Sägeschlitz führen durch die vorgegebene Breite des Sägeblatts. Diese Wirkungen können insbesondere für sehr kleine Chips, z.B. Dioden, bedeutend sein, bei denen ein beträchtlicher Anteil der Waferfläche von dem Sägeschlitz eingenommen sein kann, und ebenso wenn große Wafersubstratdurchmesser (z.B. Durchmesser von 150 mm („6 inch“) oder mehr) verarbeitet werden.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht auf oder über einem Substrat und Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht, wobei die zusätzliche Schicht so eingerichtet ist, dass sie von dem Substrat leichter entfernt werden kann als die Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht, so dass mindestens ein Bereich des Substrats freigelegt ist; Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske verwendet wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann das Substrat ein Breite-Bandlücke-Material aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann das Substrat aus einer Gruppe von Substraten ausgewählt sein, bestehend aus: einem Siliziumkarbidsubstrat; einem Aluminiumoxidsubstrat; einem Diamantsubstrat; einem II-VI-Halbleitersubstrat; einem III-V-Halbleitersubstrat.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine hohe Ätzselektivität bezüglich des Substratmaterials aufweist. Beispielsweise kann die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 aufweist bezüglich eines Substratmaterials.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die Plasmaätzmaskenschicht Metall aufweisen oder daraus hergestellt sein, z.B. Kupfer (Cu) und/oder Nickel (Ni).
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht eine Kohlenstoffschicht sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht mindestens ein aus einer Gruppe von Materialien ausgewähltes Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, wobei die Gruppe aufweist: Ein Resist-Material; ein Imid-Material (z.B. ein Polimid-Material); Polytetraflourethylen (PTFE); ein poröses dielektrisches Material; ein Zeolith-Material.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats aufweisen Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturen in dem Substrat: Eine Rille; eine Nut; ein Loch; eine Durchkontaktierung (Via).
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats Vereinzeln des Substrats aufweisen.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass der mindestens eine Bereich des Substrats freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass der mindestens eine Bereich des Substrats freigelegt ist.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über dem Substrat Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über einer Rückseite des Substrats aufweisen.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht nach dem Strukturieren des Substrats entfernt werden. Die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht können beispielsweise in getrennten Verfahrensschritten entfernt werden. Alternativ können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht in einem einzigen Verfahrensschritt entfernt werden. Beispielsweise können bei einem Beispiel die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht durch Verwendung eines Lift-Off-Verfahrens entfernt werden.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer anderen Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht auf oder über einem Substrat, wobei das Substrat Siliziumkarbid aufweist oder daraus hergestellt ist, und die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein organisches Material aufweist, welches Kohlenstoff aufweist; Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht, wobei die Plasmaätzmaskenschicht Metall aufweist; Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht, so dass zumindest ein Teil des Substrats freigelegt ist; Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske genutzt wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht eine Kohlenstoffschicht sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann das Metall Kupfer und/oder Nickel aufweisen oder sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats Vereinzeln des Substrats aufweisen.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer weiteren Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer Kohlenstoffschicht auf oder über einem Siliziumkarbidsubstrat; Ausbilden einer Metallschicht auf oder über der Kohlenstoffschicht; Strukturieren der Metallschicht und der Kohlenstoffschicht, so dass zumindest ein Teil des Siliziumkarbidsubstrats freigelegt ist; Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats, wobei die strukturierte Metallschicht als eine Plasmaätzmaske genutzt wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann das Siliziumkarbidsubstrat mittels Plasmaätzen vereinzelt werden.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform können die strukturierte Metallschicht und die strukturierte Kohlenstoffschicht nach dem Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats entfernt werden.
  • In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen grundsätzlich über verschiedene Darstellungen hinweg die gleichen Teile. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht, da der Schwerpunkt im Allgemeinen darauf liegt, das Prinzip der Erfindung zu verdeutlichen. In der nachfolgenden Beschreibung sind verschiedene Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, wobei:
  • 1 ein Diagramm zeigt, welches ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellt;
  • 2 ein Diagramm zeigt, welches ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellt;
  • 3 ein Diagramm zeigt, welches ein Verfahren zum Plasmavereinzeln eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellt;
  • 4 ein Diagramm zeigt, welches ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellt;
  • 5A bis 5K schematische Querschnittsansichten zeigen, welche ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellen;
  • 6A und 6B schematische Draufsichten zeigen, welche ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellen;
  • 7 ein strukturiertes Substrat gemäß einer Ausführungsform darstellt.
  • Die folgende detaillierte Beschreibung nimmt Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die spezifische Details und Ausführungsformen, in welchen die Erfindung ausgeführt werden kann, veranschaulichen. Diese Ausführungsformen sind mit hinreichender Genauigkeit beschrieben, um es dem Fachmann zu ermöglichen, die Erfindung auszuführen. Andere Ausführungsformen können verwendet werden und strukturelle, logische und elektrische Veränderungen können vorgenommen werden, ohne von dem Anwendungsbereich der Erfindung abzuweichen. Die verschiedenen Ausführungsformen schließen einander nicht aus, da manche Ausführungsformen mit einer oder mehr anderen Ausführungsformen kombiniert werden können um neue Ausführungsformen zu bilden. Die folgende detaillierte Beschreibung ist darum nicht in einem beschränkenden Sinn zu verstehen, und der Umfang der vorliegenden Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • Verschiedene Ausführungsformen sind für Vorrichtungen bereitgestellt, und verschiedene Ausführungsformen sind für Verfahren bereitgestellt. Es ist zu verstehen, dass grundlegende Eigenschaften der Vorrichtungen auch für die Verfahren gelten und umgekehrt. Darum wurde der Kürze halber auf doppelte Beschreibung solcher Eigenschaften verzichtet.
  • Der Begriff „mindestens ein“, wie er hierin verwendet wird, ist zu verstehen als eine ganze Zahl gleich oder größer als eins, z.B. „eins“, „zwei“, „drei“, ..., usw.
  • Der Begriff „eine Mehrzahl“, wie er hierin verwendet wird, ist zu verstehen als eine ganze Zahl gleich oder größer als zwei, z.B. „zwei“, „drei“, „vier“, ..., usw.
  • Sofern nicht anders angezeigt ist zu verstehen, dass der Begriff „Schicht“, wie er hierin verwendet wird, Ausführungsformen aufweist, bei denen eine Schicht als einfache Schicht ausgebildet ist, und auch Ausführungsformen, bei denen eine Schicht als ein Schichtstapel eingerichtet ist, welcher eine Mehrzahl von Unterschichten bzw. Teilschichten aufweist.
  • Heutzutage weist die Herstellung von Dies oder Chips aus Substraten (z.B. Wafern) üblicherweise ein Die-Vereinzelungsverfahren auf, welches auch als Dicing bezeichnet wird. Für verschiedene Arten von Substraten kann das Dicing mit Hilfe von mechanischem Sägen des Substrats erzielt werden. Für manche Arten von Substratmaterialien, wie z.B. Siliziumkarbid-(SiC)Substraten kann mechanisches Sägen des Substrates jedoch schwierig und/oder teuer sein wegen der spezifischen mechanischen Materialeigenschaften des Substratmaterials. Beispielsweise kann mechanisches Sägen des Substrats eine niedrige Sägegeschwindigkeit aufweisen und/oder in diesem Fall zu einem hohen Verbrauch von Sägeblättern führen.
  • Darüber hinaus kann mechanisches Sägen des Substrats zu mechanischer Beschädigung durch Sägen führen, wie z.B. der Ausbildung von Rissen, welche in das Substrat hineinreichen und die Funktionalität des Chips beeinträchtigen oder sogar zerstören können. Mechanisches Sägen kann auch zu einem relativ breiten Sägeschlitz führen durch die vorgegebene Breite des Sägeblatts. Diese Wirkungen können insbesondere für sehr kleine Chips, z.B. Dioden, bedeutend sein, bei denen ein beträchtlicher Anteil der Waferfläche von dem Sägeschlitz eingenommen sein kann, und ebenso wenn große Wafersubstratdurchmesser (z.B. Durchmesser von 150 mm („6 inch“) oder mehr) verarbeitet werden.
  • 1 zeigt in einem Diagramm 100 ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform.
  • In 102 kann eine zusätzliche Schicht auf oder über einem Substrat ausgebildet sein, und eine Plasmaätzmaskenschicht kann auf oder über der zusätzlichen Schicht ausgebildet sein. Die zusätzliche Schicht kann so eingerichtet sein, dass sie von dem Substrat leichter entfernt werden kann als die Plasmaätzmaskenschicht.
  • Beispielsweise kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Plasmaätzmaskenschicht Elemente (z.B. Metalle oder metallhaltige Filme) aufweisen oder daraus hergestellt sein welche, wenn sie einmal im Kontakt mit dem Substratmaterial sind, ein Kontaminationsrisiko darstellen, welches wiederum beispielsweise die elektrische Leistungsfähigkeit des Chips oder die Chipausbeute beeinträchtigen kann. Sie kann auch zu einer chemischen Verbundschicht an der Grenz- bzw. Berührungsfläche von der Plasmaätzmaskenschicht und dem Substrat führen. Dies kann sogar begünstigt bzw. gefördert werden bei erhöhten Verfahrenstemperaturen oder unter Ionenbeschuss während der Musterübertragung in dem Plasma. Letzteres kann sogar zur Implantation von im Maskenmaterial enthaltenen Bestandteilen bzw. Elementen in das Substrat führen. Verschiedene Maskenmaterialien können auch die Verwendung hoch reaktiver/aggressiver Ätzchemikalien und/oder erhöhte Temperaturen für die Entfernung der Maskenschicht nach einem Substratätzverfahren erfordern. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht (z.B. organisches Material) so ausgeführt sein, dass sie nach dem Substratätzverfahren z.B. zusammen mit der Maskenschicht leicht zu entfernen ist, z.B. durch ein Lift-off-Verfahren („Lift-off“ stammt aus dem Englischen, auf Deutsch „Abheben“) oder andere Verfahren, welche einfache Verfahrenschemikalien (z.B. O2, N2, Mischungen davon usw.) in Plasmaätzmodulen verwenden, welche beispielsweise nicht widerstandsfähig zu sein brauchen gegen aggressive Ätzverfahrenschemikalien (z.B. Cl2, BCl3, Mischungen davon usw.), welche üblicherweise für das Metallätzen verwendet werden.
  • In 104 können die Plasmaätzmaskenschicht und die zusätzliche Schicht so strukturiert werden, dass mindestens bzw. zumindest, im Folgenden mindestens, ein Bereich des Substrats freigelegt wird.
  • In 106 kann das Substrat mittels eines Plasmaätzverfahrens, welches die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske verwendet, strukturiert werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat ein Material mit einer breiten Bandlücke aufweisen oder daraus hergestellt sein, beispielsweise ein Material, welches eine Bandlücke von mindestens 1 eV aufweist, oder ein Material, welches eine Bandlücke von mindestens 2 eV aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eines der folgenden Substrate sein: Ein Siliziumkarbidsubstrat, ein Aluminiumoxidsubstrat (z.B. ein Saphirsubstrat oder ein Rubinsubstrat), ein Diamantsubstrat, ein II-VI-Halbleitersubstrat (z.B. ein II-VI-Halbleitersubstrat mit breiter Bandlücke), ein III-V-Halbleitersubstrat (z.B. ein III-V-Halbleitersubstrat mit breiter Bandlücke).
  • Hierin ist der Ausdruck „Siliziumkarbidsubstrat“ so zu verstehen, dass er Substrate aufweist, welche auf Siliziumkarbid (SiC) basieren. Dies kann Substrate, welche aus Siliziumkarbid hergestellt sind, ebenso aufweisen wie Substrate, welche eine oder mehr Schichten aufweisen, die Siliziumkarbid enthalten oder aus Siliziumkarbid bestehen, wie beispielsweise Substrate, welche eine Schicht mit einem Hauptanteil an Silizium, kurz Silizium-Hauptanteilsschicht, und eine Siliziumkarbidschicht aufweisen, (z.B. eine epitaktisch gewachsene Siliziumkarbidschicht (welche auch als Epitaxieschicht oder Epi-SiC-Schicht bezeichnet wird)), welche auf oder über der Silizium-Hauptanteilsschicht angeordnet ist.
  • Entsprechend ist der Ausdruck „Aluminiumoxidsubstrat“ so zu verstehen, dass er Substrate aufweist, welche aus Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt sind. Dies kann Substrate, welche aus Aluminiumoxid hergestellt sind, ebenso aufweisen wie Substrate, welche eine oder mehr Schichten aufweisen, die Aluminiumoxid enthalten oder aus Aluminiumoxid bestehen.
  • Entsprechend ist der Ausdruck „Diamantsubstrat“ so zu verstehen, dass er Substrate aufweist, welche aus Diamant hergestellt sind. Dies kann Substrate, welche aus Diamant hergestellt sind, ebenso aufweisen wie Substrate, welche eine oder mehr Schichten aufweisen, die Diamant enthalten oder aus Diamant bestehen.
  • Entsprechend ist der Ausdruck „II-VI-Halbleitersubstrat“ so zu verstehen, dass er Substrate aufweist, welche aus II-VI-Halbleiter hergestellt sind. Dies kann Substrate, welche aus II-VI-Halbleiter hergestellt sind, ebenso aufweisen wie Substrate, welche eine oder mehr Schichten aufweisen, die II-VI-Halbleiter enthalten oder aus II-VI-Halbleiter bestehen.
  • Entsprechend ist der Ausdruck „III-V-Halbleitersubstrat“ so zu verstehen, dass er Substrate aufweist, welche aus III-V-Halbleiter hergestellt sind. Dies kann Substrate, welche aus III-V-Halbleiter hergestellt sind, ebenso aufweisen wie Substrate, welche eine oder mehr Schichten aufweisen, die III-V-Halbleiter enthalten oder aus III-V-Halbleiter bestehen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat zumindest Teil eines Wafers sein. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform das Substrat ein Wafer sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat (z.B. der Wafer) eine Dicke im Mikrometerbereich aufweisen, beispielsweise in der Größenordnung von mehreren hundert Mikrometern gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise bis hinauf zu 1000 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Dicke jedoch einen anderen Wert aufweisen, z.B. größer als 1000 µm gemäß einer Ausführungsform.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat beispielsweise auf einem Träger (z.B. einem Wafer, einem Band oder einem anderen geeigneten Träger) angebracht sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches leichter von dem Substrat entfernt werden kann als ein Material der Plasmaätzmaskenschicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches sich so von dem Substrat entfernen lässt, dass die Substratfläche frei von Rückständen des Materials der zusätzlichen Schicht ist. Anders ausgedrückt kann die zusätzliche Schicht oder das Material der zusätzlichen Schicht von dem Substrat entfernt werden, ohne Rückstände (des Materials der zusätzlichen Schicht) auf der Substratfläche zu hinterlassen. Noch einmal anders ausgedrückt kann die zusätzliche Schicht oder das Material der zusätzlichen Schicht so eingerichtet sein, dass ein Entfernen der zusätzlichen Schicht oder des Materials der zusätzlichen Schicht von dem Substrat zu einer rückstandsfreien Substratfläche führt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, beispielsweise ein organisches Resist-Material anders ausgedrückt Lack) (z.B. ein organisches Photoresist-Material), ein Imid-Material (z.B. ein Polyimid-Material) oder Polytetrafluorethylen (PTFE) oder alternativ andere geeignete Kohlenstoff aufweisende organische Materialien.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht ein poröses dielektrisches Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, oder ein Zeolith-Material.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht eine Kohle-, bzw. Kohlenstoffschicht aufweisen oder daraus hergestellt sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht durch Verwenden eines Ablagerungsverfahrens ausgebildet sein, beispielsweise eines chemischen Gasphaseabscheidungs-(CVD)Verfahrens, z.B. eines plasmaunterstützen chemischen Gasphaseabscheidungs-(PECVD)Verfahrens oder eines pyrolytischen Beschichtungsverfahrens. Alternativ oder zusätzlich können andere geeignete Ablagerungsverfahren verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der zusätzlichen Schicht), gewählt werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht sogar eine Folie aufweisen (eine oder mehr der oben erwähnten Materialien aufweisend oder daraus bestehend), welche auf dem Substrat angebracht werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über dem Substrat das Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über einer Rückseite des Substrats (d.h. auf oder über einer Waferrückseite) aufweisen. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die zusätzliche Schicht auf die Rückseite des Substrats beschichtet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über dem Substrat das Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über einer Vorderseite des Substrats (z.B. auf oder über einer Wafervorderseite) aufweisen. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die zusätzliche Schicht auf die Vorderseite des Substrats beschichtet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine hohe Ätzselektivität bezüglich eines Substratmaterials aufweist. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 aufweist bezüglich eines Substratmaterials. Anders ausgedrückt kann das Verhältnis zwischen der Ätzrate des Materials der Plasmaätzmaskenschicht und der Ätzrate des Substratmaterials 10:1 oder mehr betragen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht Metall aufweisen, beispielsweise Kupfer (Cu) und/oder Nickel (Ni).
  • Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die Plasmaätzmaskenschicht eine Metallschicht sein, z.B. eine Kupferschicht und/oder eine Nickelschicht. Gemäß einer Ausführungsform kann die Plasmaätzmaskenschicht als ein Schichtstapel (der auch als Sandwich-Schicht bezeichnet wird), welcher eine Mehrzahl von Unterschichten aufweist, eingerichtet sein. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform der Schichtstapel eine Kupfer-Unterschicht und eine Nickel-Unterschicht, welche auf der Kupfer-Unterschicht angeordnet sind, aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann der Schichtstapel anders konfiguriert sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht durch Verwenden eines Ablagerungsverfahrens ausgebildet sein, beispielsweise eines physikalischen Gasphaseabscheidungs-(PVD)Verfahrens, z.B. eines Sputter-Ablagerungsverfahrens („Sputtern“ ist ein englischer Begriff, auf Deutsch „Kathodenzerstäubung“) oder eines chemischen Gasphaseabscheidungs-(CVD)Verfahrens, z.B. eines metall-organischen chemischen Gasphaseabscheidungs- (MOCVD) Verfahrens oder eines Atomschichtablagerungs-(ALD)Verfahrens oder eines elektrochemischen Ablagerungs-(ECD)Verfahrens auf eine vorher abgelagerte Saatschicht, bzw. Startschicht oder auf einen vorher abgelagerten Schichtstapel, welcher eine Saatschicht und einen Sperrfilm aufweist oder daraus besteht, oder eines stromlosen (z.B. galvanischen) Ablagerungsverfahrens auf eine vorher abgelagerte Metallsaatschicht. Alternativ oder zusätzlich können andere geeignete Ablagerungsverfahren verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Plasmaätzmaskenschicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass mindestens ein Bereich des Substrats freigelegt ist. Entfernen der strukturierten Maskenschicht.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass der mindestens eine Bereich des Substrats freigelegt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht ein Resist-Material (z.B. ein Photoresist-Material) aufweisen oder daraus hergestellt sein. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die Maskenschicht eine Resistschicht, z.B. eine Photoresist-Schicht sein. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Maskenschicht jedoch andere geeignete Materialien aufweisen oder daraus hergestellt sein, welche strukturiert werden und als eine Maske dienen können (z.B. Imide, Photoimide usw.).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht durch ein geeignetes Ablagerungsverfahren ausgebildet werden, beispielsweise ein Schleuderbeschichtungsverfahren gemäß einer Ausführungsform, obwohl andere Ablagerungsverfahren (z.B. Sprühbeschichten, Laminieren von Photoresist-Folien usw.) gemäß anderen Ausführungsformen verwendet werden können. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Maskenschicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren der Maskenschicht durch ein lithographisches (z.B. photolithographisches) Verfahren erreicht werden, welches Belichtung und Entwicklung aufweist, z.B. in dem Fall, dass die Maskenschicht als Photoresist-Schicht eingerichtet ist. Gemäß anderen Ausführungsformen kann das Strukturieren der Maskenschicht durch andere geeignete Strukturierungsverfahren erreicht werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Maskenschicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, indem die strukturierte Maskenschicht als eine Maske verwendet wird.
  • Ätzen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht kann erzielt werden durch ein geeignetes Ätzverfahren, z.B. ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren (z.B. ein Plasmaätzverfahren) unter Verwendung geeigneter Ätzchemikalien oder Ätzmittel (z.B. einer geeigneten Ätzlösung, eines geeigneten Ätzgases oder einer Mischung von Ätzgasen für Strukturübertragung in einem Plasma). Im Allgemeinen können geeignete Ätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Plasmaätzmaskenschicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht unter Verwendung der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht (und, gemäß einer Ausführungsform, der strukturierten Maskenschicht) als Maske.
  • Ätzen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht kann erzielt werden durch ein geeignetes Ätzverfahren, z.B. ein Trockenätzverfahren (z.B. ein Plasmaätzverfahren) gemäß einer Ausführungsform, unter Verwendung geeigneter Ätzchemikalien oder Ätzmittel (z.B. einer geeigneten Ätzlösung, eines geeigneten Ätzgases oder einer Mischung von Ätzgasen für Strukturübertragung in einem Plasma). Im Allgemeinen können geeignete Ätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der zusätzlichen Schicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen der strukturierten Maskenschicht aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen der strukturierten Maskenschicht.
  • Ätzen der strukturierten Maskenschicht kann erzielt werden durch ein geeignetes Ätzverfahren, z.B. ein Nassätzverfahren unter Verwendung geeigneter Ätzchemikalien oder ein Trockenätzverfahren, z.B. ein Plasmaätzverfahren (z.B. ein Veraschungsverfahren) gemäß einer Ausführungsform. Im Allgemeinen können geeignete Ätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der strukturierten Maskenschicht), gewählt werden.
  • Es wird angemerkt, dass gemäß manchen Ausführungsformen die strukturierte Maskenschicht zumindest teilweise entfernt werden kann während eines Ätzverfahrens, welches zum Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht verwendet wird, und/oder später während eines Ätzverfahrens (z.B. während eines Plasmaätzverfahrens), welches verwendet wird, um die zusätzliche Schicht zu strukturieren, so dass ein zugeordneter Entfernungsschritt (z.B. zugeordneter Ätzschritt) möglicherweise nicht benötigt wird. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die strukturierte Maskenschicht vollständig aufgezehrt (und somit entfernt) werden während eines Ätzverfahrens, welches zum Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht genutzt wird. Anders ausgedrückt kann Ätzen der Plasmaätzmaskenschicht gemäß dieser Ausführungsform zur strukturierten Plasmaätzmaskenschicht führen, und zugleich zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die strukturierte Maskenschicht vollständig aufgezehrt (und somit entfernt) werden während eines Ätzverfahrens, welches zum Strukturieren der zusätzlichen Schicht genutzt wird. Anders ausgedrückt kann Ätzen der zusätzlichen Schicht gemäß dieser Ausführungsform zur strukturierten zusätzlichen Schicht führen, und zugleich zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren des Substrat mittels eines Plasmaätzverfahrens aufweisen oder erreicht werden durch ein geeignetes Plasmaätzverfahren, welches z.B. aufweist ein geeignetes oder geeignete Plasmaätzmittel (z.B. Ätzgase oder Ätzplasma/Ätzplasmen) und/oder geeignete Betriebsbedingungen (z.B. geeignete Prozesskammer oder Reaktor (z.B. ICP-(abgeleitet vom englischen Begriff „inductively coupeled plasma“, auf Deutsch „induktiv gekoppeltes Plasma“)Reaktor, ECR-(abgeleitet vom englischen Begriff „electron cyclotron resonance“, auf Deutsch „Elektron-Zyklotron-Resonanz“)Reaktor oder andere geeignete Prozesskammer oder Reaktor), TCP-(abgeleitet vom englischen Begriff „transformer coupled plasma“, auf Deutsch „transformatorgekoppeltes Plasma“)Reaktor, M0RI-(M = 0 resonante Induktivität)Reaktor oder ein/e andere/r geeignete/r Prozesskammer oder Reaktor), Temperatur, Teildrücke von Ätzgasen, Hochfrequenz oder Mikrowellenfrequenz, die zur Zündung des Plasmas genutzt wird, usw.). Beispielsweise können gemäß einer Ausführungsform eine oder mehr fluorbasierte Ätzmittel wie z.B. SF6, CF4 oder NF3 zum Ätzen verwendet werden, möglicherweise in Kombination mit Hinzufügen von einem oder mehr Verfahrensgas/en, welche beispielsweise die Flüchtigkeit der Ätzprodukte erhöhen oder eine Sputterwirkung haben können, wie z.B. Sauerstoff (O2) oder Argon (Ar). Alternativ oder zusätzlich können, wie dem Fachmann leicht verständlich ist, andere Verfahrensgase verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Plasmaätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien des Substrats), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens Plasmaätzen des mindestens einen freigelegten Bereichs des Substrats aufweisen. Anders ausgedrückt kann der mindestens eine freigelegte Bereich des Substrats mittels des Plasmaätzverfahrens geätzt werden. Dadurch kann ein strukturiertes Substrat erzielt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der freigelegte Bereich des Substrats zumindest teilweise mittels eines Plasmaätzverfahrens entfernt werden. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform der freigelegte Bereich des Substrats teilweise entfernt werden, so dass z.B. ein Graben, eine Nut, ein Loch oder eine Durchkontaktierung (Via) im Substrat ausgebildet wird oder, gemäß einer Ausführungsform, der freigelegte Bereich des Substrats vollständig entfernt werden kann, so dass z.B. ein Loch oder eine Durchkontaktierung, welche sich von einer Seite (z.B. der Rückseite) des Substrats zu der anderen Seite (z.B. der Vorderseite) des Substrats erstreckt, im Substrat ausgebildet wird oder, gemäß einer Ausführungsform, so dass das Substrat vereinzelt wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren des Substrats mittels des Plasmaätzverfahrens Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturen in dem Substrat aufweisen: einen Graben, eine Nut, ein Loch, eine Durchkontaktierung (Via). Anders ausgedrückt kann das strukturierte Substrat gemäß verschiedenen Ausführungsformen mindestens einen Graben und/oder mindestens eine Nut und/oder mindestens ein Loch und/oder mindestens eine Durchkontaktierung aufweisen. Beispielsweise kann der mindestens eine freigelegte Bereich des Substrats plasmageätzt sein, so dass mindestens einen Graben und/oder mindestens eine Nut und/oder mindestens ein Loch und/oder mindestens eine Durchkontaktierung im Substrat ausgebildet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine laterale Abmessung (z.B. ein lateraler Durchmesser eines Lochs oder einer Durchkontaktierung, oder eine laterale Breite eines Grabens oder einer Nut) mindestens einer der im Substrat ausgebildeten Strukturen gleich oder kleiner als ungefähr 100 µm sein, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 50 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 20 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen kann eine laterale Abmessung einen anderen Wert aufweisen, z.B. größer als 100 µm gemäß einer Ausführungsform oder kleiner als 1 µm gemäß einer weiteren Ausführungsform.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine vertikale Abmessung (z.B. eine Tiefe eines Lochs oder einer Durchkontaktierung, oder eines Grabens oder einer Nut) mindestens einer der im Substrat ausgebildeten Strukturen einen Wert aufweisen, welcher kleiner oder gleich der Dicke des Substrats ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens Vereinzeln des Substrats aufweisen. Das heißt, das strukturierte Substrat (z.B. Wafer) kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein oder mehr vereinzelte Dies aufweisen. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform das strukturierte Substrat einem vereinzelten Wafer, welcher eine Mehrzahl von Dies aufweist, die durch eine oder mehr Sägeschlitze getrennt sind, entsprechen oder ein solcher sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens einer der Sägeschlitze eine Sägeschlitzbreite aufweisen, welche gleich oder kleiner als ungefähr 100 µm ist, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 50 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 20 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Sägeschlitzbreite einen anderen Wert aufweisen, z.B. größer als 100 µm gemäß einer Ausführungsform oder kleiner als 1 µm gemäß einer Ausführungsform.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht nach dem Strukturieren des Substrats entfernt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht entfernt werden, indem getrennte (z.B. aufeinanderfolgende) Verfahrensschritte angewendet werden. Das heißt, dass gemäß verschiedenen Ausführungsformen erst die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (welche auf oder über der strukturierten zusätzlichen Schicht angeordnet ist) entfernt werden kann, und dann kann die strukturierte zusätzliche Schicht (welche über dem strukturierten Substrat angeordnet ist) entfernt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht entfernt werden, indem ein Ätzverfahren angewendet wird, beispielsweise ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise ein Plasmaätzverfahren gemäß einer Ausführungsform, alternativ können andere geeignete Ätzverfahren angewendet werden. Gemäß manchen Ausführungsformen kann die strukturierte Plasmaätzmaske auch durch Kombinationen von Nass- und Trockenätzverfahren entfernt werden. Im Allgemeinen können geeignete Ätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die strukturierte zusätzliche Schicht entfernt werden, indem ein Ätzverfahren angewendet wird, beispielsweise ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise ein Plasmaätzverfahren gemäß einer Ausführungsform, alternativ können andere geeignete Ätzverfahren angewendet werden. Gemäß manchen Ausführungsformen kann die strukturierte zusätzliche Schicht auch durch Kombinationen von Nass- und Trockenätzverfahren entfernt werden. Im Allgemeinen können geeignete Ätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der strukturierten zusätzlichen Schicht), gewählt werden. In diesem Zusammenhang sollte noch einmal angemerkt werden, dass gemäß manchen Ausführungsformen die zusätzliche Schicht so eingerichtet sein kann (z.B. ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein), dass sie von dem Substrat entfernt werden kann, ohne Rückstände zu hinterlassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht in einem einzigen Verfahrensschritt entfernt werden, beispielsweise in einem Lift-Off-Verfahrensschritt gemäß einer Ausführungsform. Anders ausgedrückt können gemäß verschiedenen Ausführungsformen die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht gleichzeitig entfernt werden, beispielsweise mittels eines Lift-Off-Verfahrens.
  • 2 zeigt in einem Diagramm 200 ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform.
  • In 202 kann eine zusätzliche Schicht auf oder über einem Substrat ausgebildet werden. Das Substrat kann Siliziumkarbid aufweisen. Die zusätzliche Schicht kann Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweisen.
  • Das Substrat kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Die zusätzliche Schicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Ausbilden der zusätzlichen Schicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 204 kann eine Plasmaätzmaskenschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht ausgebildet werden. Die Plasmaätzmaskenschicht kann Metall aufweisen.
  • Die Plasmaätzmaskenschicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Ausbilden der Plasmaätzmaskenschicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 206 können die Plasmaätzmaskenschicht und die zusätzliche Schicht strukturiert werden, so dass zumindest ein Teil des Substrats freigelegt ist.
  • Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 208 kann das Substrat mittels eines Plasmaätzverfahrens unter Verwendung der Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske strukturiert werden.
  • Strukturieren des Substrats kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Plasmaätzmaskenschicht und die zusätzliche Schicht nach dem Strukturieren der Substrate entfernt werden.
  • Entfernen der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • 3 zeigt in einem Diagramm 300 ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform.
  • In 302 kann eine Kohlenstoffschicht auf oder über einem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet (z.B. abgelagert) werden.
  • Die Kohlenstoffschicht kann als eine zusätzliche Schicht zum Strukturieren des Siliziumkarbidsubstrats dienen. Ausbilden der Kohlenstoffschicht (zusätzlichen Schicht) kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Siliziumkarbidsubstrat beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • In 304 kann eine Metallschicht auf oder über der Kohlenstoffschicht ausgebildet werden.
  • Die Metallschicht kann als eine Plasmaätzmaskenschicht dienen in einem Plasmaätzverfahren, welches zum Strukturieren des Siliziumkarbidsubstrats verwendet wird.
  • Die Metallschicht (Plasmaätzmaskenschicht) kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein. Ausbilden der Metallschicht (Plasmaätzmaskenschicht) kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 306 können die Metallschicht (Plasmaätzmaskenschicht) und die Kohlenstoffschicht (zusätzliche Schicht) so strukturiert werden, dass zumindest ein Teil des Siliziumkarbidsubstrats freigelegt ist.
  • Strukturieren der Metallschicht (Plasmaätzmaskenschicht) und der Kohlenstoffschicht (zusätzliche Schicht) kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 308 kann das Siliziumkarbidsubstrat plasmageätzt werden (anders ausgedrückt durch ein Plasmaätzverfahren behandelt werden) unter Verwendung der strukturierten Metallschicht als eine Plasmaätzmaske.
  • Mittels des Plasmaätzens kann das Siliziumkarbidsubstrat strukturiert, z.B. vereinzelt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die strukturierte Metallschicht und die strukturierte Kohlenstoffschicht nach dem Plasmaätzen entfernt werden.
  • Entfernen der strukturierten Metallschicht und der strukturierten Kohlenstoffschicht kann beispielsweise gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden, beispielsweise in getrennten Verfahrensschritten gemäß einer Ausführungsform, oder in einem einzigen Verfahrensschritt (z.B. einem Lift-Off-Verfahrensschritt) gemäß einer weiteren Ausführungsform.
  • 4 zeigt in einem Diagramm 400 ein Verfahren zum Plasmavereinzeln eines Substrats gemäß einer Ausführungsform.
  • In 402 kann eine zusätzliche Schicht auf oder über einem Siliziumkarbidsubstrat ausgebildet werden, wobei die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweist.
  • Das Substrat kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Die zusätzliche Schicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Ausbilden der zusätzlichen Schicht kann beispielsweise gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 404 kann eine Metallschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht ausgebildet werden.
  • Die Metallschicht kann als eine Plasmaätzmaskenschicht dienen bei einem Plasmaätzverfahren, welches zum Vereinzeln des Substrats verwendet wird.
  • Die Metallschicht kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Ausbilden der Metallschicht kann beispielsweise gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 406 können die Metallschicht und die zusätzliche Schicht so strukturiert werden, dass zumindest ein Teil des Siliziumkarbidsubstrats freigelegt ist.
  • Strukturieren der Metallschicht und der zusätzlichen Schicht kann beispielsweise gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • In 408 kann das Siliziumkarbidsubstrat mittels eines Plasmaätzverfahrens unter Verwendung der Metallschicht als Plasmaätzmaske vereinzelt werden.
  • Das Vereinzeln oder das Plasmaätzverfahren kann beispielsweise darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Metallschicht und die zusätzliche Schicht nach dem Vereinzeln entfernt werden.
  • Entfernen der Metallschicht und der zusätzlichen Schicht kann gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen ausgeführt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann ein strukturiertes Substrat (z.B. Wafer) bereitgestellt sein, welches eine oder mehr Strukturen aufweist, welche durch ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen gewonnen wurde. Beispielsweise kann das strukturierte Substrat eine oder mehr Strukturen aufweisen wie beispielsweise Gräben, Nuten, Löcher oder Durchkontaktierungen. Gemäß manchen Ausführungsformen kann eine laterale Abmessung (z.B. ein lateraler Durchmesser eines Lochs oder einer Durchkontaktierung, oder eine laterale Breite eines Grabens oder einer Nut) mindestens einer der Strukturen gleich oder kleiner als ungefähr 100 µm sein, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß manchen Ausführungsformen kann das strukturierte Substrat einen vereinzelten Wafer, welcher ein oder mehr Dies aufweist, die durch eine oder mehr Sägeschlitze getrennt sind, aufweisen oder ein solcher sein, wobei die Sägeschlitze beispielsweise eine Sägeschlitzbreite aufweisen, die gleich oder kleiner als ungefähr 100 µm ist, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform. Das strukturierte Substrat kann darüber hinaus gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • 5A bis 5K zeigen schematische Querschnittsansichten, welche ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellen.
  • 5A zeigt in einer Ansicht 500, dass ein Substrat 501 bereitgestellt sein kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Substrat 501 ein Siliziumkarbid-(SiC)Substrat sein. Gemäß anderen Ausführungsformen kann das Substrat 501 andere Materialien aufweisen oder daraus hergestellt sein, wie beispielsweise hierin im Zusammenhang mit 1 beschrieben. Beispielsweise kann das Substrat ein Material mit einer breiten Bandlücke aufweisen oder daraus hergestellt sein, beispielsweise ein Material, welches eine Bandlücke von mindestens 1 eV aufweist gemäß einer Ausführungsform, oder ein Material, welches eine Bandlücke von mindestens 2 eV aufweist gemäß einer weiteren Ausführungsform.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 501 ein Wafer sein oder kann Teil eines Wafers sein (in 5A wird möglicherweise nur ein Teil des Wafers dargestellt).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 501 auf einem Träger montiert sein (z.B. einem Wafer, einem Band oder einem anderen geeigneten Träger).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat 501 (z.B. der Wafer) eine Dicke im Mikrometerbereich aufweisen, beispielsweise in der Größenordnung von mehreren hundert Mikrometern gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise bis hinauf zu 1000 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Dicke jedoch einen anderen Wert aufweisen, z.B. größer als 1000 µm gemäß einer Ausführungsform.
  • 5B zeigt in einer Ansicht 510 dass eine zusätzliche Schicht 502 auf dem Substrat 501 ausgebildet sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht 502 ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches leichter von dem Substrat 501 entfernt werden kann als ein Material einer Plasmaätzmaskenschicht 503, welche später ausgebildet wird (siehe unten). Beispielsweise kann die zusätzliche Schicht 502 ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches sich von dem Substrat 501 entfernen lässt, ohne Rückstände auf dem Substrat 501 zu hinterlassen.
  • Beispielsweise kann gemäß manchen Ausführungsformen die zusätzliche Schicht 502 Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, beispielsweise ein organisches Resist-Material, ein Imid-Material oder Polytetrafluorethylen (PTFE). Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die zusätzliche Schicht 502 eine Kohlenstoffschicht sein. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht 502 andere geeignete Materialien aufweisen oder daraus hergestellt sein, welche sich leicht (und/oder ohne Rückstände zu hinterlassen) vom Substrat 501 entfernen lassen, beispielsweise ein poröses dielektrisches Material oder ein Zeolith-Material gemäß manchen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht 502 durch Verwenden eines Ablagerungsverfahrens ausgebildet sein, beispielsweise eines chemischen Gasphaseabscheidungs-(CVD)Verfahrens, z.B. eines plasmaunterstützen chemischen Gasphaseabscheidungs-(PECVD)Verfahrens oder eines pyrolytischen Beschichtungsverfahrens, alternativ andere geeignete Ablagerungsverfahren. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der zusätzlichen Schicht 502), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht 502 eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • 5C zeigt in einer Ansicht 520 dass eine Plasmaätzmaskenschicht 502 auf der zusätzlichen Schicht 502 ausgebildet sein kann.
  • Die Plasmaätzmaskenschicht 503 kann als eine Ätzmaske dienen während eines Plasmaätzverfahrens, welches zum Strukturieren des Substrats 501 wie unten beschrieben verwendet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht 503 ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine hohe Ätzselektivität bezüglich des Substratmaterials aufweist, beispielsweise eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 bezüglich des Substratmaterials gemäß einer Ausführungsform.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht 503 eine Metallschicht sein, z.B. eine Kupfer-(Cu)Schicht, eine Nickel-(Ni)Schicht, eine Ni/Cu-Sandwich-Schicht (d.h. ein Schichtstapel, welcher eine auf einer Cu-Unterschicht angeordnete Ni-Unterschicht aufweist) oder andere Metallschichten gemäß manchen Ausführungsformen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht 503 andere geeignete Maskenmaterialien aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht 503 durch Verwenden eines Ablagerungsverfahrens ausgebildet sein, beispielsweise eines chemischen Gasphaseabscheidungs-(CVD)Verfahrens, z.B. eines metall-organischen chemischen Gasphaseabscheidungs-(MOCVD)Verfahrens oder eines Atomschichtablagerungs-(ALD)Verfahrens gemäß einer Ausführungsform, alternativ andere geeignete Ablagerungsverfahren. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Plasmaätzmaskenschicht 503), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht 503 eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • Die Plasmaätzmaskenschicht 503 und die zusätzliche Schicht 502 können so strukturiert sein, dass ein Bereich des Substrats 501 freigelegt ist, wie hierin unten mit Bezug auf 5D bis 5H beschrieben wird.
  • 5D zeigt in einer Ansicht 530, dass eine Maskenschicht 504 auf der Plasmaätzmaskenschicht 503 ausgebildet sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht 504 ein Resist-Material (z.B. ein Photoresist-Material) aufweisen oder daraus hergestellt sein. Beispielsweise kann gemäß einer Ausführungsform die Maskenschicht 504 eine Resistschicht, z.B. eine Photoresist-Schicht sein. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Maskenschicht 504 andere geeignete Materialien, welche strukturiert werden und als eine Maske dienen können, aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht 504 durch ein geeignetes Ablagerungsverfahren ausgebildet werden, beispielsweise ein Schleuderbeschichtungsverfahren gemäß einer Ausführungsform, obwohl andere Ablagerungsverfahren gemäß anderen Ausführungsformen verwendet werden können. Im Allgemeinen können geeignete Ablagerungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche abgelagert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Maskenschicht 504), gewählt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Maskenschicht 504 eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 µm bis zu ungefähr 100 µm aufweisen. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Schichtdicke einen anderen Wert aufweisen.
  • 5E zeigt in einer Ansicht 540, dass die Maskenschicht 504 so strukturiert sein kann, dass ein Bereich 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503 freigelegt ist. Zusätzlich zu dem in 5E dargestellten Bereich 503a kann gemäß manchen Ausführungsformen mindestens ein zusätzlicher Bereich der Plasmaätzmaskenschicht 503 freigelegt sein (nicht dargestellt).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Strukturieren der Maskenschicht 504 durch ein lithographisches (z.B. photolithographisches) Verfahren erreicht werden, welches Belichtung und Entwicklung aufweist, z.B. in dem Fall, dass die Maskenschicht 504 als Photoresist-Schicht eingerichtet ist. Gemäß anderen Ausführungsformen kann das Strukturieren der Maskenschicht durch andere geeignete Strukturierungsverfahren erreicht werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Maskenschicht 504), gewählt werden.
  • Wie dargestellt kann das Strukturieren der Maskenschicht 504 zu einer strukturierten Maskenschicht 504‘ führen.
  • 5F zeigt in einer Ansicht 550, dass der freigelegte Bereich 503 der Plasmaätzmaskenschicht 503 so entfernt werden kann, dass ein Bereich 502a der zusätzlichen Schicht 502 freigelegt ist. Zusätzlich zu dem in 5F dargestellten Bereich 502a kann mindestens ein weiterer Bereich der zusätzlichen Schicht 502 gemäß manchen Ausführungsformen freigelegt sein (nicht dargestellt).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen des freigelegten Bereichs 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503 aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen des freigelegten Bereichs 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503, indem die strukturierte Maskenschicht 504‘ als Maske genutzt wird.
  • Ätzen des freigelegten Bereichs 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503 kann mittels eines geeigneten Ätzverfahrens erreicht werden, z.B. eines Nassätzverfahrens oder eines Trockenätzverfahrens (z.B. eines Plasmaätzverfahrens), wobei geeignete Ätzchemikalien oder Ätzmittel (z.B. geeignete Ätzgase oder -plasma) verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Plasmaätzmaskenschicht 503), gewählt werden.
  • Wie dargestellt kann das Entfernen des freigelegten Bereichs 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503 zu einem Schichtstapel führen, welcher eine strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die strukturierte Maskenschicht 504‘ aufweist, welche auf der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht 503‘ angeordnet ist.
  • 5G zeigt in einer Ansicht 560, dass der freigelegte Bereich 502a der zusätzlichen Schicht 502 so entfernt werden kann, dass ein Bereich 501a des Substrats 501 freigelegt ist. Zusätzlich zu dem in 5G dargestellten Bereich 501a kann gemäß manchen Ausführungsformen mindestens ein zusätzlicher Bereich des Substrats 501 freigelegt sein (nicht dargestellt).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen des freigelegten Bereichs 502a der zusätzlichen Schicht 502 aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen des freigelegten Bereichs 502a der zusätzlichen Schicht 502, indem die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die strukturierte Maskenschicht 504‘ als Maske genutzt werden.
  • Ätzen des freigelegten Bereichs 502a der zusätzlichen Schicht 502 kann gemäß manchen Ausführungsformen mittels eines geeigneten Ätzverfahrens erreicht werden, z.B. eines Trockenätzverfahrens (z.B. eines Plasmaätzverfahrens), wobei ein geeignetes oder geeignete Ätzmittel (z.B. geeignete Ätzgase oder -plasma) verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der zusätzlichen Schicht 502), gewählt werden.
  • Wie dargestellt kann das Entfernen des freigelegten Bereichs 502a der zusätzlichen Schicht 502 zu einem Schichtstapel führen, welcher eine strukturierte zusätzliche Schicht 502‘, die auf der strukturierten zusätzlichen Schicht 502‘ angeordnete strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die auf der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht 503‘ angeordnete strukturierte Maskenschicht 504‘ aufweist.
  • 5H zeigt in einer Ansicht 570, dass die strukturierte Maskenschicht 504‘ entfernt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Entfernen der strukturierten Maskenschicht 504‘ aufweisen oder erzielt werden durch Ätzen der strukturierten Maskenschicht 504‘.
  • Ätzen der strukturierten Maskenschicht 504‘ kann gemäß einer Ausführungsform mittels eines geeigneten Ätzverfahrens erreicht werden, z.B. eines Nassätzverfahrens unter Verwendung geeigneter Ätzchemikalien oder eines Trockenätzverfahrens, z.B. eines Plasmaätzverfahrens (z.B. eines Veraschungsverfahrens). Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der strukturierten Maskenschicht 504‘), gewählt werden.
  • Gemäß den in 5E bis 5H dargestellten Ausführungsformen wird die strukturierte Maskenschicht 504‘ erst nach dem Strukturieren der zusätzlichen Schicht 502 entfernt. Das heißt, dass gemäß dieser Ausführungsform die strukturierte Maskenschicht 504‘ als Maske dienen kann, wenn die Plasmaätzmaskenschicht 503 (wie in 5E und 5F dargestellt) strukturiert wird, und dass sie auch (zusammen mit der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht 503‘) als Maske dienen kann, wenn die zusätzliche Schicht 502 (wie in 5F und 5G dargestellt) strukturiert wird. Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann die strukturierte Maskenschicht 504‘ nach dem Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht 503 und vor dem Strukturieren der zusätzlichen Schicht 502 entfernt werden. Das heißt, dass gemäß dieser Ausführungsform die strukturierte Maskenschicht 504‘ nur beim Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht 503 (wie in 5E und 5F dargestellt) als Maske dient, wohingegen Strukturieren der zusätzlichen Schicht 502 erzielt werden kann, indem nur die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ als Maske genutzt wird.
  • 5I zeigt in einer Ansicht 580, dass das Substrat 501 mittels eines Plasmaätzverfahrens, welches die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ als eine Plasmaätzmaske nutzt, strukturiert werden kann.
  • Strukturieren des Substrats 501 kann aufweisen oder erzielt werden mittels eines geeigneten Plasmaätzverfahrens, welches z.B. aufweist ein geeignetes Plasmaätzmittel oder geeignete Plasmaätzmittel (z.B. Ätzgase oder Ätzplasma(-plasmen)) und/oder geeignete Betriebsbedingungen (z.B. geeignete Prozesskammern oder Reaktoren (z.B. ICP-(induktiv gekoppeltes Plasma)Reaktor, ECR-(Elektron-Zyklotron-Resonanz)Reaktor, TCP-(transformatorgekoppeltes Plasma)Reaktor, M0RI-(M = 0 resonante Induktivität)Reaktor oder ein/e andere/r geeignete/r Prozesskammer oder Reaktor), Temperatur, Teildrücke von Ätzgasen, Hochfrequenz oder Mikrowellenfrequenz, die zur Zündung des Plasmas genutzt wird, usw.). Beispielsweise können gemäß einer Ausführungsform eine oder mehr fluorbasierte Ätzmittel wie z.B. SF6, CF4 oder NF3 zum Ätzen verwendet werden, möglicherweise in Kombination mit Hinzufügen von einem oder mehr Verfahrensgas/en, welche beispielsweise die Flüchtigkeit der Ätzprodukte erhöhen oder eine Sputterwirkung haben können, wie z.B. Sauerstoff (O2) oder Argon (Ar). Alternativ oder zusätzlich können, wie dem Fachmann leicht verständlich ist, andere Verfahrensgase verwendet werden. Im Allgemeinen können geeignete Plasmaätzverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche geätzt werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien des Substrats 501), gewählt werden.
  • Gemäß der dargestellten Ausführungsform kann der freigelegte Bereich 501a des Substrats 501 zumindest teilweise durch das Plasmaätzverfahren entfernt werden. Wie dargestellt kann Entfernen des freigelegten Bereichs 501a des Substrats 501 zu einem Schichtstapel führen, welcher ein strukturiertes Substrat 501‘, die auf dem strukturierten Substrat 501‘ angeordnete zusätzliche Schicht 502‘ und die auf der strukturierten zusätzlichen Schicht 502‘ angeordnete strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ aufweist.
  • Gemäß der dargestellten Ausführungsform kann das Substrat 501 so strukturiert sein, dass das strukturierte Substrat 501‘ wie dargestellt einen Sägeschlitz 505 aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat 501 so strukturiert sein, dass das strukturierte Substrat 501‘ eine oder mehr Gräben oder Nute und/oder ein oder mehr Löcher oder Durchkontaktierungen aufweist (nicht dargestellt, siehe z.B. 7).
  • Der Sägeschlitz 505 kann wie durch den Pfeil 506 in 5I dargestellt eine Sägeschlitzbreite aufweisen. Die Sägeschlitzbreite 506 kann einer Breite der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und der strukturierten zusätzlichen Schicht 502‘ wie dargestellt entsprechen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Sägeschlitzbreite 506 beispielsweise gleich oder kleiner als 100 µm sein, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 50 µm gemäß einer Ausführungsform, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 20 µm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die Sägeschlitzbreite einen anderen Wert aufweisen, z.B. größer als 100 µm oder kleiner als 1 µm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das strukturierte Substrat 501‘ eine oder mehr zusätzliche Sägeschlitze (nicht dargestellt) aufweisen. Offensichtlich kann das strukturierte Substrat 501‘ gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein oder mehr vereinzelte durch Sägeschlitze getrennte Dies aufweisen (nicht dargestellt, siehe z.B. 6B).
  • 5J und 5K zeigen, dass die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die strukturierte zusätzliche Schicht 502‘ nach dem Strukturieren des Substrats 501 entfernt werden können.
  • 5J zeigt in einer Ansicht 590, dass die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ entfernt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ gemäß einer Ausführungsform unter Verwendung eines Ätzverfahrens entfernt werden, z.B. eines Nassätzverfahrens oder eines Trockenätzverfahrens, z.B. eines Plasmaätzverfahrens gemäß einer Ausführungsform, alternativ können andere geeignete Ätzverfahren genutzt werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der Plasmaätzmaskenschicht 503‘), gewählt werden.
  • 5K zeigt in einer Ansicht 595, dass die strukturierte zusätzliche Schicht 502 entfernt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die strukturierte zusätzliche Schicht gemäß einer Ausführungsform unter Verwendung eines Ätzverfahrens entfernt werden, z.B. eines Nassätzverfahrens oder eines Trockenätzverfahrens, z.B. eines Plasmaätzverfahrens gemäß einer Ausführungsform, alternativ können andere geeignete Ätzverfahren genutzt werden. Im Allgemeinen können geeignete Strukturierungsverfahren und entsprechende Betriebsbedingungen als solche dem Fachmann bekannt sein und beispielsweise in Abhängigkeit von dem Material oder den Materialien, welche strukturiert werden sollen (d.h. in diesem Fall das Material oder die Materialien der strukturierten zusätzlichen Schicht 502‘), gewählt werden.
  • Gemäß der dargestellten Ausführungsform können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die strukturierte zusätzliche Schicht 502‘ in getrennten (z.B. aufeinanderfolgenden) Verfahrensschritten entfernt werden.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und die strukturierte zusätzliche Schicht 502‘ in eine einzigen Verfahrensschritt (z.B. einem Lift-Off-Verfahren) entfernt werden. Anders ausgedrückt ist die in 5J dargestellte Zwischenstufe in dieser Ausführungsform möglicherweise nicht vorhanden.
  • Es ist anzumerken, dass es gemäß manchen Ausführungsformen möglich ist, dass die strukturierte Maskenschicht 504‘ während des Ätzverfahrens, welches zum Strukturieren der zusätzlichen Schicht 502 (oben im Zusammenhang mit 5G beschrieben) aufgezehrt (und demnach entfernt) wird. Anders ausgedrückt kann Ätzen des freigelegten Bereichs 502a der zusätzlichen Schicht 502 zur strukturierten zusätzlichen Schicht 502‘ und gleichzeitig zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht 504‘ führen. Demzufolge kann ein zugeordneter Entfernungsschritt (z.B. zugeordneter Ätzschritt) zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht 504‘ (wie oben im Zusammenhang mit 5H beschrieben) möglicherweise in diesem Fall unnötig sein.
  • Darüber hinaus kann es gemäß manchen Ausführungsformen möglich sein, dass die strukturierte Maskenschicht 504‘ während des Ätzverfahrens, welches zum Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht 503 (oben im Zusammenhang mit 5F beschrieben) aufgezehrt (und demnach entfernt) wird. Anders ausgedrückt kann Ätzen des freigelegten Bereichs 503a der Plasmaätzmaskenschicht 503 zu der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht 503‘ und gleichzeitig zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht 504‘ führt. Demzufolge kann ein zugeordneter Entfernungsschritt (z.B. zugeordneter Ätzschritt) zum Entfernen der strukturierten Maskenschicht 504‘ (wie oben im Zusammenhang mit 5H beschrieben) möglicherweise in diesem Fall unnötig sein, und die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht 503 kann erst als eine Maske zum Strukturieren der zusätzlichen Schicht 502 dienen, und dann zum Strukturieren des Substrats 501.
  • 6A und 6B zeigen schematische Draufsichten, welche ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform darstellen.
  • 6A zeigt in einer Draufsicht 600, dass ein Substrat 501 bereitgestellt sein kann. Das Substrat 501 kann als ein Wafer, nicht dargestellt, eingerichtet sein. Gemäß einer Ausführungsform kann das Substrat 501 ein SiC-Wafer sein. Alternativ kann das Substrat 501 andere Materialien aufweisen oder daraus hergestellt sein, wie hierin im Zusammenhang mit verschiedenen Ausführungsformen beschrieben. Das Substrat 501, d.h. der Wafer gemäß der dargestellten Ausführungsform, kann darüber hinaus gemäß einem oder mehr hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein. Gemäß manchen Ausführungsformen kann das Substrat 501 (der Wafer) auf einem Träger montiert sein, z.B. auf einem weiteren Wafer oder einem Band gemäß manchen Ausführungsformen, alternativ auf einem anderen geeigneten Träger.
  • 6B zeigt in einer Draufsicht 610, dass das Substrat 501 (der Wafer) strukturiert werden kann mittels eines Verfahrens zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen, so dass ein strukturiertes Substrat 501‘ erzielt wird. Wie dargestellt kann das strukturierte Substrat 501‘ eine Mehrzahl von Dies 625 aufweisen, welche durch dünne Sägeschlitze 505 getrennt sind. Die Sägeschlitze 505 können beispielsweise eine Sägeschlitzbreite 506 von gleich oder kleiner als ungefähr 100 µm aufweisen gemäß manchen Ausführungsformen, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 50 µm gemäß einer Ausführungsform, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 20 µm gemäß einer Ausführungsform, obwohl andere Werte der Sägeschlitzbreite 506 gemäß anderen Ausführungsformen auch möglich sein können.
  • Offenbar kann durch die Verwendung eines Verfahrens zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen das Substrat 501 in eine Mehrzahl von vereinzelten Dies 625, welche durch dünne Sägeschlitze 505 getrennt sind, vereinzelt werden. Die Sägeschlitze 505 können durch Plasmaätzen des Substrats 501 erzielt werden, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske wie hierin beschrieben dient. Beispielsweise kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein (z.B. ein Metall wie Cu und/oder Ni), welches eine hohe Ätzselektivität (z.B. eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 gemäß einer Ausführungsform) bezüglich des Substratmaterials 501, wie hierin beschrieben, aufweist. Wie ebenfalls hierin beschrieben kann eine zusätzliche Schicht zwischen dem Substrat 501 und der Plasmaätzmaskenschicht angeordnet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht ein Material (z.B. Kohlenstoff) aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches sich leicht strukturieren und/oder leicht von dem Substrat 501 entfernen lässt, nachdem das Substrat 501 strukturiert wurde. Auf diese Weise kann es möglich sein, die zusätzliche Schicht und die tatsächliche Plasmaätzmaske (d.h. die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht) von dem strukturierten Substrat zu entfernen, ohne Rückstände auf dem Substrat zu hinterlassen, wie hierin beschrieben.
  • Offenbar zeigen 6A und 6B, dass ein Substrat 501 unter Verwendung eines Verfahrens zum Strukturieren eines Substrats gemäß verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsformen plasmavereinzelt werden kann, so dass eine Mehrzahl von Dies 625 erzielt wird. Wie dargestellt führt Plasmavereinzeln zu einer Trennung der Dies 625 (oder Chips) auf einem herkömmlichen Substratwafer (d.h. Substrat 501) durch paralleles Verarbeiten, d.h. alle Dies (oder Chips) auf einem Wafer (d.h. Substrat 501) können gleichzeitig voneinander getrennt werden. Plasmavereinzeln kann beispielswese das Ausbilden von Chiprissen vermeiden, welches ein typisches Schadensmuster sein kann, welches vom mechanischen Vereinzeln, z.B. Sägen wie hierin oben beschrieben, herrührt.
  • 7 zeigt in einer Ansicht 700 ein strukturiertes Substrat 501‘ gemäß einer weiteren Ausführungsform. Wie dargestellt kann das strukturierte Substrat 501‘ einen Graben 705 aufweisen (zusätzliche Gräben können gemäß anderen Ausführungsformen vorhanden sein, nicht dargestellt). Das strukturierte Substrat 501‘ kann durch die Anwendung eines Verfahrens zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen erzielt worden sein (beispielsweise ähnlich der im Zusammenhang mit 5A bis 5K beschriebenen Ausführungsform) auf ein Substrat. Der Graben 705 (und/oder die zusätzlichen Gräben) kann/können eine laterale Breite 706 aufweisen, welche beispielsweise einen Wert gemäß einer oder mehr der hierin beschriebenen Ausführungsformen aufweist, beispielsweise kleiner als oder gleich ungefähr 100 µm gemäß manchen Ausführungsformen, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 100 µm gemäß einer Ausführungsform, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 50 µm gemäß einer Ausführungsform, z.B. im Bereich von ungefähr 1 µm bis zu ungefähr 20 µm gemäß einer Ausführungsform, obwohl andere Werte der lateralen Breite 706 gemäß anderen Ausführungsformen auch möglich sein können. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Tiefe des Grabens 705 jeglichen Wert aufweisen, der kleiner als die Dicke des Substrats ist.
  • Im Folgenden werden beispielhafte Merkmale und mögliche Wirkungen von hierin beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen erörtert.
  • Gemäß verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsformen können Verfahren zum Strukturieren von Breite-Bandlücke-Substraten wie Siliziumkarbid-(SiC-)Substraten, Aluminiumoxid-(Al2O3-)Substraten (z.B. Saphirsubstraten oder Rubinsubstraten), Diamantsubstraten, Breite-Bandlücke-III-V-Halbleitersubstraten, Breite-Bandlücke-II-VI-Halbleitersubstraten usw. mittels Plasmaätzen bereitgestellt werden. Strukturieren des Substrats kann beispielsweise Ausbilden von Strukturen wie beispielsweise Gräben, Nuten, Löchern, Durchkontaktierungen usw. in dem Substrat aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat (z.B. der Wafer) vereinzelt werden. Das heißt, gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Verfahren zum Plasmavereinzeln von einem oder mehr der vorgenannten Substrate bereitgestellt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Plasmaätzen des Substrats mit Hilfe einer strukturierten Plasmaätzmaske ausgeführt werden. Die Plasmaätzmaske kann ein Material aufweisen oder daraus bestehen, welches eine genügend hohe Ätzselektivität bezüglich des Substratmaterials aufweist, z.B. eine Ätzselektivität von mindestens 10:1, obwohl andere Werte auch möglich sind. Beispielsweise kann das Plasmaätzmaskenmaterial gemäß manchen Ausführungsformen ein Metall wie z.B. Kupfer oder Nickel aufweisen oder daraus bestehen, obwohl andere Materialien auch möglich sein können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Plasmaätzmaskenschicht auf oder über einer zusätzlichen Schicht angeordnet sein. Das heißt, dass eine zusätzliche Schicht zwischen dem Substrat und der tatsächlichen Plasmaätzmaske eingefügt sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Schicht ein Material aufweisen oder daraus bestehen, welches sich leicht strukturieren lässt und/oder leicht von dem Substrat entfernen lässt. Beispielsweise kann die zusätzliche Schicht gemäß einer Ausführungsform aufweisen Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material, z.B. ein Imid-Material (z.B. ein Polyimid-Material), ein organisches Resist-Material (z.B. ein organisches Photoresist-Material), Polytetrafluorethylen (PTFE) oder andere geeignete organische Materialien, oder ein poröses dielektrisches Material oder ein Zeolith-Material gemäß manchen Ausführungsformen.
  • Da gemäß verschiedenen Ausführungsformen die tatsächliche Plasmaätzmaskenschicht (d.h. die tatsächliche Plasmaätzmaske) auf oder über der zusätzlichen Schicht angeordnet sein kann, lassen sich sowohl die Plasmaätzmaskenschicht, als auch die zusätzliche Schicht von dem Substrat entfernen, ohne Rückstände auf dem Substrat zu hinterlassen.
  • Insbesondere kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen mittels der zusätzlichen zwischen dem Substrat und der Plasmaätzmaskenschicht angeordneten Schicht vermieden werden, dass Rückstände des Plasmaätzmaskenmaterials (z.B. Metall wie beispielsweise Kupfer, Nickel usw.) auf oder in der Substratfläche verbleiben. Wenn beispielsweise die Plasmaätzmaske direkt auf dem Substrat angeordnet wäre, wäre es möglich, dass während des Plasmaätzens des Substrats Material der Plasmaätzmaske in das Substrat implantiert wird. In diesem Fall wäre es schwierig und/oder teuer, dieses implantierte Material von/aus dem Substrat zu entfernen, so dass es schwierig und/oder teuer wäre, die Plasmaätzmaske vollständig von dem Substrat zu entfernen. Mittels der zusätzlichen zwischen dem Substrat und der Plasmaätzmaske angeordneten Schicht kann ein Implantieren von Material der Plasmaätzmaske in das Substrat gemäß verschiedenen Ausführungsformen vermieden werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Plasmaätzmaskenschicht und die zusätzliche Schicht von dem Substrat nach dem Strukturieren (z.B. Vereinzeln) des Substrats entfernt werden, beispielsweise in getrennten Verfahrensschritten (z.B. getrennten Ätzschritten) gemäß manchen Ausführungsformen, oder in einem einzigen Verfahrensschritt (z.B. einem Lift-Off-Verfahrensschritt) gemäß anderen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Verfahren zum Strukturieren eines Substrats bereitgestellt werden, bei denen Abplatzen vermieden werden kann. Demzufolge können strukturierte Substrate (z.B. Wafer), welche Strukturen (z.B. Rillen, Nuten, Löcher, Durchkontaktierungen oder Sägeschlitze) mit glatteren Seitenwänden aufweisen, erzielt werden.
  • Verschiedene Ausführungsformen hierin können Plasmavereinzeln von Breite-Bandlücke-Materialsubstraten wie beispielsweise Siliziumkarbidsubstraten ermöglichen. Plasmavereinzeln kann zu einer Vereinzelung der Dies (oder Chips) auf einem herkömmlichen Substratwafer durch Parallel-Verarbeitung führen, d.h. alle Dies (oder Chips) auf einem Wafer können gleichzeitig voneinander getrennt werden. Darüber hinaus können Sägeschlitze, welche durch Plasmavereinzeln erzielt werden, dünner sein als solche, die durch mechanisches Sägen erzielt werden.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht auf oder über einem Substrat und Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht, wobei die zusätzliche Schicht so eingerichtet ist, dass sie von dem Substrat leichter entfernt werden kann als die Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht, so dass mindestens ein Bereich des Substrats freigelegt ist; Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske verwendet wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann das Substrat ein Breite-Bandlücke-Material aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann das Substrat aus einer Gruppe von Substraten ausgewählt sein, bestehend aus: einem Siliziumkarbidsubstrat; einem Aluminiumoxidsubstrat; einem Diamantsubstrat; einem II-VI-Halbleitersubstrat; einem III-V-Halbleitersubstrat.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine hohe Ätzselektivität bezüglich des Substratmaterials aufweist. Beispielsweise kann die Plasmaätzmaskenschicht ein Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, welches eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 aufweist bezüglich eines Substratmaterials.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die Plasmaätzmaskenschicht Metall aufweisen oder daraus hergestellt sein, z.B. Kupfer (Cu) und/oder Nickel (Ni).
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweisen oder daraus hergestellt sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht eine Kohlenstoffschicht sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht mindestens ein aus einer Gruppe von Materialien ausgewähltes Material aufweisen oder daraus hergestellt sein, wobei die Gruppe aufweist: Ein Resist-Material; ein Imid-Material (z.B. ein Polimid-Material); Polytetraflourethylen (PTFE); ein poröses dielektrisches Material; ein Zeolith-Material.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats aufweisen Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturen in dem Substrat: Eine Rille; eine Nut; ein Loch; eine Durchkontaktierung.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats Vereinzeln des Substrats aufweisen.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass der mindestens eine Bereich des Substrats freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht aufweisen: Ausbilden einer Maskenschicht auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht; Strukturieren der Maskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der Plasmaätzmaskenschicht freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der Plasmaätzmaskenschicht, so dass mindestens ein Bereich der zusätzlichen Schicht freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs der zusätzlichen Schicht, so dass der mindestens eine Bereich des Substrats freigelegt ist.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über dem Substrat Ausbilden der zusätzlichen Schicht auf oder über einer Rückseite des Substrats aufweisen.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht nach dem Strukturieren des Substrats entfernt werden. Die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht können beispielsweise in getrennten Verfahrensschritten entfernt werden. Alternativ können die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht in einem einzigen Verfahrensschritt entfernt werden. Beispielsweise können bei einem Beispiel die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht und die strukturierte zusätzliche Schicht durch Verwendung eines Lift-Off-Verfahrens entfernt werden.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer anderen Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht auf oder über einem Substrat, wobei das Substrat Siliziumkarbid aufweist oder daraus hergestellt ist, und die zusätzliche Schicht Kohlenstoff oder ein organisches Material aufweist, welches Kohlenstoff aufweist; Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht auf oder über der zusätzlichen Schicht, wobei die Plasmaätzmaskenschicht Metall aufweist; Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht und der zusätzlichen Schicht, so dass zumindest ein Teil des Substrats freigelegt ist; Strukturieren des Substrats mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht als eine Plasmaätzmaske genutzt wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann die zusätzliche Schicht eine Kohlenstoffschicht sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann das Metall Kupfer und/oder Nickel aufweisen oder sein.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform kann Strukturieren des Substrats Vereinzeln des Substrats aufweisen.
  • Ein Verfahren zum Strukturieren eines Substrats gemäß einer weiteren Ausführungsform kann aufweisen: Ausbilden einer Kohlenstoffschicht auf oder über einem Siliziumkarbidsubstrat; Ausbilden einer Metallschicht auf oder über der Kohlenstoffschicht; Strukturieren der Metallschicht und der Kohlenstoffschicht, so dass zumindest ein Teil des Siliziumkarbidsubstrats freigelegt ist; Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats, wobei die strukturierte Metallschicht als eine Plasmaätzmaske genutzt wird.
  • Bei einem Beispiel dieser Ausführungsform kann das Siliziumkarbidsubstrat mittels Plasmaätzen vereinzelt werden.
  • Bei einem weiteren Beispiel dieser Ausführungsform können die strukturierte Metallschicht und die strukturierte Kohlenstoffschicht nach dem Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats entfernt werden.
  • Obwohl die Erfindung insbesondere mit Bezug auf bestimmte Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurde, sollte vom Fachmann zu verstehen sein, dass verschiedene Änderungen bezüglich Form und Einzelheit darin vorgenommen werden können, ohne vom durch die angehängten Ansprüche definierten Schutzumfang abzuweichen. Der Schutzumfang der Erfindung ist demzufolge durch die angehängten Ansprüche angegeben, und sämtliche Änderungen, die eine Entsprechung in den Ansprüchen haben, sollen dementsprechend eingeschlossen sein.

Claims (25)

  1. Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (501), aufweisend: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht (502) auf oder über einem Substrat (501) und Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht (503) auf oder über der zusätzlichen Schicht (502), wobei die zusätzliche Schicht (502) so eingerichtet ist, dass sie von dem Substrat (501) leichter entfernt werden kann als die Plasmaätzmaskenschicht (503) (102); Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht (503) und der zusätzlichen Schicht (502), so dass mindestens ein Bereich (501a) des Substrats (501) freigelegt ist (104); Strukturieren des Substrats (501) mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503) als eine Plasmaätzmaske verwendet wird (106).
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Substrat (501) ein Breite-Bandlücke-Material aufweist.
  3. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat aus einer Gruppe von Substraten (501) ausgewählt ist, welche besteht aus: einem Siliziumkarbidsubstrat; einem Aluminiumoxidsubstrat; einem Diamantsubstrat; einem II-VI-Halbleitersubstrat; einem III-V-Halbleitersubstrat.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Plasmaätzmaskenschicht (503) ein Material aufweist, welches eine hohe Ätzselektivität bezüglich des Substratmaterials aufweist.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei die Plasmaätzmaskenschicht (503) ein Material aufweist, welches eine Ätzselektivität von mindestens 10:1 aufweist bezüglich eines Substratmaterials.
  6. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Plasmaätzmaskenschicht (503) Metall aufweist.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei das Metall mindestens eines auf weist von: Kupfer (CU); Nickel (Ni).
  8. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zusätzliche Schicht (502) Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweist.
  9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zusätzliche Schicht (502) eine Kohlenstoffschicht ist.
  10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zusätzliche Schicht (502) mindestens ein aus einer Gruppe von Materialien ausgewähltes Material aufweist, wobei die Gruppe aufweist: ein Resist-Material; ein Imid-Material; Polytetraflourethylen (PTFE); ein poröses dielektrisches Material; ein Zeolith-Material.
  11. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Strukturieren des Substrats (501) aufweist Ausbilden mindestens einer der folgenden Strukturen in dem Substrat (501): eine Rille; eine Nut; ein Loch; eine Durchkontaktierung.
  12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Strukturieren des Substrats (501) Vereinzeln des Substrats (501) aufweist.
  13. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht (503) und der zusätzlichen Schicht (502) aufweist: Ausbilden einer Maskenschicht (504) auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht (503); Strukturieren der Maskenschicht (504), so dass mindestens ein Bereich (503a) der Plasmaätzmaskenschicht (503) freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs (503a) der Plasmaätzmaskenschicht (503), so dass mindestens ein Bereich (502a) der zusätzlichen Schicht (502) freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs (502a) der zusätzlichen Schicht (502), so dass der mindestens eine Bereich (501a) des Substrats (501) freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht.
  14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht (503) und der zusätzlichen Schicht (502) aufweist: Ausbilden einer Maskenschicht (504) auf oder über der Plasmaätzmaskenschicht (503); Strukturieren der Maskenschicht (504), so dass mindestens ein Bereich (503a) der Plasmaätzmaskenschicht (503) freigelegt ist; Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs (503a) der Plasmaätzmaskenschicht (503), so dass mindestens ein Bereich (502a) der zusätzlichen Schicht (502) freigelegt ist; Entfernen der strukturierten Maskenschicht (504‘); Entfernen des mindestens einen freigelegten Bereichs (502a) der zusätzlichen Schicht (502), so dass der mindestens eine Bereich (501a) des Substrats (501) freigelegt ist.
  15. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Ausbilden der zusätzlichen Schicht (502) auf oder über dem Substrat (501) aufweist Ausbilden der zusätzlichen Schicht (502) auf oder über einer Rückseite des Substrats (501).
  16. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend Entfernen der strukturierten Plasmaätzmaskenschicht (503‘) und der strukturierten zusätzlichen Schicht (502‘) nach dem Strukturieren des Substrats (501).
  17. Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503‘) und die strukturierte zusätzliche Schicht (502‘) unter Verwendung getrennter Verfahrensschritte entfernt werden.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503‘) und die strukturierte zusätzliche Schicht (502‘) in einem einzigen Verfahrensschritt entfernt werden.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503‘) und die strukturierte zusätzliche Schicht (502‘) durch Verwendung eines Lift-Off-Verfahrens entfernt werden.
  20. Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (501), aufweisend: Ausbilden einer zusätzlichen Schicht (502) auf oder über einem Substrat (501), wobei das Substrat (501) Siliziumkarbid aufweist und die zusätzliche Schicht (502) Kohlenstoff oder ein Kohlenstoff aufweisendes organisches Material aufweist 202); Ausbilden einer Plasmaätzmaskenschicht (503) auf oder über der zusätzlichen Schicht (502), wobei die Plasmaätzmaskenschicht (503) Metall aufweist (204); Strukturieren der Plasmaätzmaskenschicht (503) und der zusätzlichen Schicht (502), so dass zumindest ein Teil des Substrats (501) freigelegt ist (206); Strukturieren des Substrats (501) mittels eines Plasmaätzverfahrens, wobei die strukturierte Plasmaätzmaskenschicht (503‘) als eine Plasmaätzmaske genutzt wird (208).
  21. Verfahren gemäß Anspruch 20, wobei die zusätzliche Schicht (502) eine Kohlenstoffschicht ist.
  22. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 20 oder 21, wobei Strukturieren des Substrats (501) Vereinzeln des Substrats (501) aufweist.
  23. Verfahren zum Strukturieren eines Substrats (501), aufweisend: Ausbilden einer Kohlenstoffschicht auf oder über einem Siliziumkarbidsubstrat; Ausbilden einer Metallschicht auf oder über der Kohlenstoffschicht; Strukturieren der Metallschicht und der Kohlenstoffschicht, so dass zumindest ein Teil des Siliziumkarbidsubstrats freigelegt ist; Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats, wobei die strukturierte Metallschicht als eine Plasmaätzmaske genutzt wird.
  24. Verfahren gemäß Anspruch 23, wobei das Siliziumkarbidsubstrat mittels Plasmaätzen vereinzelt wird.
  25. Verfahren gemäß einem der Anspruche 23 oder 24, ferner aufweisend Entfernen der strukturierten Metallschicht und der strukturierten Kohlenstoffschicht nach dem Plasmaätzen des Siliziumkarbidsubstrats.
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