JP4409362B2 - レチクルの製造方法 - Google Patents
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Description
図5〜図9は、本発明の第1実施形態に係るレチクルの製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
まず、HF:H2Oの比を1:200とするフッ酸溶液の中にガラス基板30を浸漬することにより、二酸化シリコンよりなるリフトオフパターン33cを選択的かつ等方的にエッチングする。これにより、リフトオフパターン33cの側面が後退してその幅広パターン部33aの面積が減少すると共に、幅狭パターン部33bが除去されて、レジストパターン34cがリフトオフされる。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
前記第3マスク層をパターニングして、第3幅広マスク部と第3幅狭マスク部とを有する第3マスクパターンにする工程と、
前記第3マスクパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記第3幅広マスク部と前記第3幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記第2マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に第2幅広マスク部と第2幅狭マスク部とを有する第2マスクパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記第3幅狭マスク部をリフトオフすると共に、前記幅広パターン部の面積を減少させる工程と、
前記第2マスクパターンをマスクにして前記第1マスク層をエッチングすることにより、前記第2幅広マスク部と前記第2幅狭マスク部のそれぞれの下に第1幅広マスク部と第1幅狭マスク部とを有する第1マスクパターンを形成する工程と、
前記第1マスクパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記第1幅広マスク部と前記第1幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記第2マスクパターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、前記第2マスクパターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記第2幅広マスク部と前記第1幅狭マスク部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記第3マスクパターンを除去する工程と、
前記第1マスクパターンの側面を後退させ、前記第1幅広マスク部の面積を減少させる工程と、
前記第2マスクパターンをエッチングすることにより、少なくとも前記第2幅広マスク部の面積を前記第1幅広マスク部の面積よりも小さくする工程と、
前記第1幅広マスク部をマスクにして前記幅広遮光部をエッチングすることにより、該幅広遮光部の面積を減少させる工程と、
前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
前記マスク層をパターニングして、幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンにする工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンの側面を後退させる工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該マスクパターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭マスク部をリフトオフする工程と、
前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの側面を後退させる工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭マスク部と前記幅狭レジスト部とをリフトオフする工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記幅狭マスク部を除去する工程と、
前記幅広レジスト部を除去する工程と、
前記幅広マスク部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させるとともに、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅広パターン部の面積を減少させると共に、前記幅狭パターン部を除去して、前記レジストパターンをリフトオフする工程と、
前記マスクパターンをマスクに使用して前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフの後に、前記リフトオフパターンの前記幅広パターン部をマスクにして前記マスクパターンをエッチングすることにより、前記幅広マスク部の面積を減少させると共に、前記幅狭マスク部を除去する工程と、
前記幅広マスク部の面積を減少させた後、該幅広マスク部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させると共に、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅広パターン部の面積を減少させると共に、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭レジスト部をリフトオフする工程と、
前記幅広レジスト部を除去する工程と、
前記リフトオフの後、前記幅広パターン部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させると共に、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
Claims (5)
- 透明基板の上に、遮光層、第1マスク層、第2マスク層、リフトオフ層、及び第3マスク層を順に形成する工程と、
前記第3マスク層をパターニングして、第3幅広マスク部と第3幅狭マスク部とを有する第3マスクパターンにする工程と、
前記第3マスクパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記第3幅広マスク部と前記第3幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記第2マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に第2幅広マスク部と第2幅狭マスク部とを有する第2マスクパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記第3幅狭マスク部をリフトオフすると共に、前記幅広パターン部の面積を減少させる工程と、
前記第2マスクパターンをマスクにして前記第1マスク層をエッチングすることにより、前記第2幅広マスク部と前記第2幅狭マスク部のそれぞれの下に第1幅広マスク部と第1幅狭マスク部とを有する第1マスクパターンを形成する工程と、
前記第1マスクパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記第1幅広マスク部と前記第1幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記第2マスクパターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、前記第2マスクパターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記第2幅広マスク部と前記第1幅狭マスク部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記第3マスクパターンを除去する工程と、
前記第1マスクパターンの側面を後退させ、前記第1幅広マスク部の面積を減少させる工程と、
前記第2マスクパターンをエッチングすることにより、少なくとも前記第2幅広マスク部の面積を前記第1幅広マスク部の面積よりも小さくする工程と、
前記第1幅広マスク部をマスクにして前記幅広遮光部をエッチングすることにより、該幅広遮光部の面積を減少させる工程と、
前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 透明基板の上に、遮光層、リフトオフ層、マスク層を順に形成する工程と、
前記マスク層をパターニングして、幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンにする工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンの側面を後退させる工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該マスクパターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭マスク部をリフトオフする工程と、
前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 透明基板の上に、遮光層、マスク層、リフトオフ層、レジストを順に形成する工程と、
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの側面を後退させる工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭マスク部と前記幅狭レジスト部とをリフトオフする工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記幅狭マスク部を除去する工程と、
前記幅広レジスト部を除去する工程と、
前記幅広マスク部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させるとともに、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 透明基板の上に、遮光層、マスク層、リフトオフ層、レジストを順に形成する工程と、
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記マスク層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広マスク部と幅狭マスク部とを有するマスクパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅広パターン部の面積を減少させると共に、前記幅狭パターン部を除去して、前記レジストパターンをリフトオフする工程と、
前記マスクパターンをマスクに使用して前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広マスク部と前記幅狭マスク部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフの後に、前記リフトオフパターンの前記幅広パターン部をマスクにして前記マスクパターンをエッチングすることにより、前記幅広マスク部の面積を減少させると共に、前記幅狭マスク部を除去する工程と、
前記幅広マスク部の面積を減少させた後、該幅広マスク部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させると共に、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 透明基板の上に、遮光層、リフトオフ層、レジストを順に形成する工程と、
前記レジストを露光、現像して、幅広レジスト部と幅狭レジスト部とを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記リフトオフ層をエッチングすることにより、前記幅広レジスト部と前記幅狭レジスト部のそれぞれの下に幅広パターン部と幅狭パターン部とを有するリフトオフパターンを形成する工程と、
前記リフトオフパターンをマスクにして前記遮光層をエッチングすることにより、前記幅広パターン部と前記幅狭パターン部のそれぞれの下に幅広遮光部と幅狭遮光部とを有する遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンをマスクにして前記透明基板をエッチングすることにより、該遮光パターンで覆われていない部分の前記透明基板の厚さを薄くすると共に、前記幅広遮光部と前記幅狭遮光部のそれぞれの下でエッチングされずに残る部分の前記透明基板をそれぞれ幅広凸パターン及び幅狭凸パターンとする工程と、
前記リフトオフパターンの側面を後退させることにより、前記幅広パターン部の面積を減少させると共に、前記幅狭パターン部を除去して該幅狭パターン部の上の前記幅狭レジスト部をリフトオフする工程と、
前記幅広レジスト部を除去する工程と、
前記リフトオフの後、前記幅広パターン部をマスクにして前記遮光パターンをエッチングすることにより、前記幅広遮光部の面積を減少させると共に、前記幅狭遮光部を除去する工程と、
を有することを特徴とするレチクルの製造方法。
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