DE102011015141A1

DE102011015141A1 - Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage und derartiges Bauelement

Info

Publication number: DE102011015141A1
Application number: DE102011015141A
Authority: DE
Inventors: Dr. Kierey Holger; Dr. Siekmann Heiko; Andre Bresan
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH; Carl Zeiss Laser Optics GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2011-03-16
Filing date: 2011-03-16
Publication date: 2012-09-20
Also published as: JP2014514737A; US9541685B2; JP5989011B2; TWI567426B; EP2686133B1; US20130335816A1; KR102085237B1; KR20140010116A; EP2686133A1; TW201303382A; KR20180108902A; WO2012123436A1

Abstract

Ein Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements (10) für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das ein Substrat (12), das einen Basiskörper (14) aufweist, und eine auf dem Substrat (12) angeordnete reflektierende Schicht (20) aufweist, wobei das Substrat (12) eine optisch wirksame Mikrostrukturierung (16) aufweist, weist die Schritte auf: Einbringen der Mikrostrukturierung (16) in das Substrat (12); Polieren des Substrats (12), nachdem die Mikrostrukturierung (16) in das Substrat (12) eingebracht wurde, Aufbringen der reflektierenden Schicht (20) auf das Substrat (12). Ein reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage weist entsprechend zwischen der Mikrostrukturierung und der reflektierenden Schicht eine polierte Fläche auf (1).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das ein Substrat, das einen Basiskörper aufweist, und eine auf dem Substrat angeordnete reflektierende Schicht aufweist.
Die Erfindung betrifft ferner ein solches reflektives optisches Bauelement.
Ein reflektives optisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben ist bspw. aus US 7,129,010 B2 bekannt.
In einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, die typischerweise bei Wellenlängen im extremen Ultraviolett (EUV) – typische Wellenlänge 13,5 nm – arbeitet, werden nahezu ausschließlich Spiegel eingesetzt, deren reflektierende Oberfläche extrem hohen Anforderungen in Bezug auf Passe und Rauhigkeit genügen muss. Dazu werden üblicherweise Spiegel-Substrate aus Gläsern, wie bspw. SiO2, oder aus Glaskeramiken, wie bspw. Zerodur oder ULE (ein Titanium-Silikatglas mit sehr geringer Ausdehnung) superpoliert, bis die Mikrorauhigkeit der Oberfläche bei Messungen mit dem AFM (Atomkraftmikroskop) typischerweise unter 0,2 nm rms liegt.
Derartige Substratmaterialien sind jedoch meist sehr teuer und nur unter hohem Aufwand zu bearbeiten, bspw. durch Schleifen, Läppen und Polieren. Konventionelle und günstige spanabhebende Methoden wie Fräsen, Drehen oder Erodieren usw. sind nicht einsetzbar.
Substratmaterialien aus Gläsern, Glaskeramiken und Keramiken haben außerdem den Nachteil, dass sie nur ungenügend geeignet sind, wenn bspw. aufgrund des Einfalls hoher Strahlungsleistungen sehr hohe Wärmelasten in das optische Bauelement eingetragen werden. Dies ist insbesondere bei der Anwendung des reflektiven optischen Bauelements als sammelnder Kollektorspiegel für eine EUV-Strahlungsquelle der Fall. Die zu hohem Wärmeeintrag führende Strahlungsleistung kann auch aus anderer Strahlung resultieren, die von der EUV-Strahlungsquelle neben der EUV-Strahlung abgegeben wird, bspw. Infrarotstrahlung. Im Fall der vorstehend genannten Substratmaterialien ist die Wärmeleitfähigkeit des Substrats üblicherweise zu klein, so dass der Spiegel sich stark erwärmt und seine Funktion durch Verformung und thermische Degradation der Reflexionsschicht beeinträchtigt wird.
Ein weiteres Problem bei den bekannten reflektiven optischen Bauelementen für die EUV-Lithographie besteht dann, wenn derartige reflektive optische Bauelemente mit einer optisch wirksamen Mikrostrukturierung versehen werden sollen. Bei reflektiven optischen Bauelementen für die EUV-Lithographie ist es häufig wünschenswert, eine solche optisch wirksame Mikrostrukturierung auf der Oberfläche eines EUV-Spiegels vorzusehen, damit die vom Spiegel reflektierte EUV-Strahlung von ebenfalls reflektierter Pumpstrahlung, Wärmestrahlung oder UV-Strahlung getrennt werden kann, oder die Mikrostrukturierung kann dazu vorgesehen sein, homogenisierende oder korrigierende Wirkungen auf die EUV-Strahlung selbst auszuüben.
Bei Anwendung der üblichen Verfahren zur Mikrostrukturierung von Oberflächen, bspw. Mikrolithographie, Diamantdrehen, Holographie oder Nano-Imprint genügen die Rauhigkeiten der strukturierten Oberflächen in der Regel nicht mehr den Anforderungen für einen EUV-Spiegel.
Das aus dem eingangs genannten Dokument US 7,129,010 B2 bekannte reflektive optische Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das ein Spiegel oder eine Maske sein kann, weist ein Substrat auf, mit einem Basiskörper aus einer Keramik oder Glaskeramik, auf dem eine Deckschicht aus Silizium-Dioxid aufgebracht ist. Auf der Deckschicht ist die reflektierende Schicht aufgebracht. Bei diesem bekannten reflektiven optischen Bauelement wird bereits eine Verbesserung dahingehend erreicht, dass die Oberfläche des Basiskörpers aus Keramik oder Glaskeramik selbst rauh sein kann, weil die Deckschicht aus Silizium-Dioxid poliert wird. Im Fall der Ausgestaltung des Bauelements als Maske ist die äußere Schicht strukturiert.
Aus US 7,259,252 B2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats eines Spiegels für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage bekannt, bei dem ein Basiskörper aus einem Material mit geringem Ausdehnungskoeffizienten bereitgestellt wird, dessen Oberfläche rauh sein kann. Als Material wird dort eine Glaskeramik, bspw. Zerodur vorgeschlagen. Auf den Basiskörper wird eine Deckschicht aus einem Halbleitermaterial aufgebracht, nachdem der Basiskörper poliert wurde. Diese Vorgehensweise hat die oben genannten Nachteile.
US 6,453,005 B2 offenbart ein Spiegelsubstrat aus kristallinem Silizium, Diamant oder SiC, auf dem eine amorphe Schicht aufgebracht ist, die sich für eine Superpolitur eignet.
US 6,469,827 B1 offenbart ein Kondensorsystem für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, wobei auf einem Spiegel des Kondensors ein Beugungsgitter, d. h. eine optisch wirksame Mikrostrukturierung eingebracht ist. Das Beugungsgitter wird auf dem Substrat erzeugt, bevor eine reflektierende Mehrlagenschicht, bspw. abwechselnde Silizium- und Molybdän-Schichten auf dem Gitter aufgebracht werden. Wie das Beugungsgitter auf dem Substrat erzeugt wird, ist in dem Dokument nicht beschrieben.
US 2008/0043321 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegels für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, bei dem mehrere Kreissegmente eines Substrats aus SiC mit einer mehrlagigen Beschichtung versehen werden. Nach dem Zusammensetzen der einzelnen Substratsegmente wird die Beschichtung poliert. Die mehrlagigen Schichten können aus Silizium, Kohlenstoff, Si3N4, B4C, SiC oder Chrom sein.
Aus US 2009/0159808 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegels für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage bekannt. Bei dem Verfahren wird ein metallisches Substrat an seiner Oberfläche durch Diamantdrehen bearbeitet. Anschließend wird eine Zwischenschicht mittels physikalischer Dampfabscheidung aufgebracht, und danach wird eine mehrlagige reflektierende Beschichtung aufgebracht. Das Substrat kann aus mit Nickelphosphat plattiertem Aluminium bestehen.
US 2009/0289205 A1 offenbart einen EUV-Kollektorspiegel, der mit einer Mikrostrukturierung in Form eines Beugungsgitters versehen ist. Der Spiegel weist einen Substratabschnitt, einen Grundabschnitt, der aus einer ersten Verbundschicht gebildet ist, der auf einer Seite des Substratabschnittes angeordnet ist, und einen reflektierenden Abschnitt auf, der durch Bilden von Rillen oder Furchen vorbestimmter Formen in einer zweiten Verbundschicht gefertigt ist, der vom Substratausschnitt aus auf der anderen Seite des Grundabschnitts angeordnet ist. Bei diesem bekannten optischen Bauelement wird somit die optisch wirksame Mikrostrukturierung nach Aufbringen der reflektierenden Schicht in diese eingebracht. Der Substratabschnitt dieses EUV-Kollektorspiegels kann aus Silizium oder einer Nickelverbindung mit guter Wärmeleitfähigkeit gefertigt sein. Die reflektierende Schicht besteht aus abwechselnden Silizium- und Molybdän-Schichten. Durch das nachträgliche Einbringen der optisch wirksamen Mikrostrukturierung in die reflektierende Schicht können die hohen Anforderungen an die Passe und Rauhigkeit zumindest nicht auf einfache und kostengünstige Weise erfüllt werden.
Das oben genannte Problem, ein reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Belichtungsanlage bereitzustellen, das eine optisch wirksame Mikrostrukturierung aufweist, andererseits die hohen Anforderungen an die Passe und Rauhigkeit erfüllt, ist im Stand der Technik nicht kostengünstig gelöst worden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements und ein optisches Bauelement der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, dass das Bauelement auf einfach und kostengünstig herstellbare Weise mit einer gewünschten optischen Eigenschaft versehen werden kann und andererseits das Bauelement die hohen Anforderungen an Passe und Rauhigkeit erfüllt.
Hinsichtlich des eingangs genannten Verfahrens zum Herstellen eines reflektierenden optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das ein Substrat, das einen Basiskörper aufweist, und eine auf dem Substrat angeordnete reflektierende Schicht aufweist, wobei das Substrat eine optisch wirksame Mikrostrukturierung aufweist, wird die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe durch die Schritte gelöst:
Einbringen der Mikrostrukturierung in das Substrat,
Polieren des Substrats, nachdem die Mikrostrukturierung in das Substrat eingebracht wurde,
Aufbringen der reflektierenden Schicht auf das Substrat, nachdem das Substrat poliert wurde.
Die der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe wird des Weiteren durch ein reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage gelöst, das ein Substrat, das einen Basiskörper aufweist, und eine auf dem Substrat angeordnete reflektierende Schicht aufweist, wobei das Substrat eine optisch wirksame Mikrostrukturierung aufweist, und wobei zwischen der Mikrostrukturierung und der reflektierenden Schicht eine polierte Fläche vorhanden ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements löst sich von dem im Stand der Technik verfolgten Konzept, die optisch wirksame Mikrostrukturierung erst nach dem Polieren in das Substrat einzubringen, oder die Mikrostrukturierung sogar in die reflektierende Schicht einzubringen. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich demgegenüber dadurch aus, dass der Schritt des Polierens erst nach dem Einbringen der Mikrostrukturierung in das Substrat durchgeführt wird. Dies hat den Vorteil, dass die Mikrostrukturierung, die zunächst in das Substrat eingebracht wird, nicht die Anforderungen an die Mikrorauhigkeit ihrer Oberfläche erfüllen muss, weil diese Anforderungen dann durch das Polieren des Substrats erreicht werden. Nach dem Polieren des Substrats wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die reflektierende Schicht auf das Substrat aufgebracht. Es versteht sich, dass die Schritte des Einbringens der Mikrostrukturierung, des Polierens und des Aufbringens der reflektierenden Schicht nicht unmittelbar aufeinanderfolgend durchgeführt werden müssen, sondern auch weitere Schritte zwischen ihnen liegen können.
Das erfindungsgemäße reflektive optische Bauelement weist entsprechend eine zwischen der Mikrostrukturierung und der reflektierenden Schicht vorhandene polierte Fläche auf.
Das erfindungsgemäße optische Bauelement ist mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kostengünstig und einfach herstellbar und erfüllt auch die Anforderungen an die Mikrorauhigkeit, ohne dass darauf geachtet werden muss, dass bereits die Mikrostrukturierung selbst diese Anforderungen erfüllt.
In einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird die Mikrostrukturierung unmittelbar in den Basiskörper eingebracht.
In einer entsprechenden Ausgestaltung des Bauelements ist die Mikrostrukturierung unmittelbar im Basiskörper vorhanden.
Hierbei ist von Vorteil, dass das Substrat insgesamt einstückig bzw. einteilig ausgebildet sein kann, d. h. nur aus dem Basiskörper besteht, ohne dass für das Einbringen der optisch wirksamen Mikrostrukturierung eine oder mehrere zusätzliche Schichten auf den Basiskörper aufgebracht werden müssen. Hierdurch ergibt sich eine Kosteneinsparung bei der Herstellung des Bauelements.
Im Zusammenhang mit der zuvor genannten Ausgestaltung ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren und dem erfindungsgemäßen Bauelement vorzugsweise vorgesehen, dass der Basiskörper aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metalllegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Aluminium-Legierungen, Kupfer, Kupfer-Legierungen, Silizium, Aluminium-Silizium-Legierungen oder Nickel besteht.
Hierbei ist nicht nur von Vorteil, dass die Mikrostrukturierung mit einem gängigen Verfahren zur Mikrostrukturierung von Oberflächen erzeugt werden kann, sondern diese Materialwahl sorgt auch für einen geringen Verschleiß der Strukturierungswerkzeuge, bspw. beim Diamantdrehen, oder beim Diamant-Fly-Cut weil die vorstehend genannten Materialien hinreichend weich sind, um durch gängige Verfahren zur Mikrostrukturierung bearbeitet werden zu können. Diese Materialien weisen sich typischerweise durch eine gute Zerspanbarkeit aus.
Die vorstehend genannten Materialien zeichnen sich nicht nur durch eine ausreichende Weichheit aus, die sich für das Einbringen einer Mikrostrukturierung eignet, sondern haben des Weiteren auch sehr gute wärmeleitende Eigenschaften, so dass sie in der Lage sind, die im Betrieb des reflektierenden optischen Bauelements eingetragenen Wärmelasten gut abzuführen bzw. gleichmäßig zu verteilen.
Alternativ zu den vorstehend genannten Materialien kann der Basiskörper vorzugsweise aus einem Material gefertigt sein, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie PMMA oder anderen Kunststoffen besteht.
Auch diese Materialien, die gegenüber den zuvor genannten Materialien noch kostengünstiger sind, eignen sich für das Einbringen einer Mikrostrukturierung mit gängigen Verfahren, z. B. durch Heißprägen mit einem Stempel, Abformen, Abgießen oder Spritzgießen in eine strukturierte Form.
Alternativ zu der oben genannten Ausgestaltung, wonach die Mikrostrukturierung unmittelbar in den Basiskörper eingebracht wird, ist es ebenso bevorzugt, wenn vor dem Einbringen der Mikrostrukturierung auf den Basiskörper eine Strukturierungsschicht, vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material des Basis körpers weicheren Material, aufgebracht wird, und wobei die Mikrostrukturierung in die Strukturierungsschicht eingebracht wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement ist entsprechend die Mikrostrukturierung in einer auf dem Basiskörper angeordneten Strukturierungsschicht, vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material des Basiskörpers weicheren Material, vorhanden.
Hierbei ist von Vorteil, dass der Basiskörper als solches aus einem Material gefertigt sein kann, das sich weniger gut für das Einbringen einer Mikrostrukturierung eignet, das mit anderen Worten entweder hart und/oder spröde sein kann. In diesem Fall kann der Basiskörper bspw. aus einem glasartigen Material, wie Quarz, oder aus einer Glaskeramik (ULE, Zerodur und dgl.) gefertigt sein. Allgemein ermöglicht es diese Ausgestaltung, den Basiskörper als solches aus einem beliebigen Material zu fertigen, wobei die für das Einbringen einer Mikrostrukturierung geeignete Strukturierungsschicht auf den Basiskörper aufgebracht wird, und die Mikrostrukturierung wird in die Strukturierungsschicht eingebracht, bspw. mit den oben genannten gängigen Mikrostrukturierungsverfahren.
Insbesondere kann bei dieser Ausgestaltung der Basiskörper aus einem Material gefertigt sein, das sich besonders für die Abfuhr von eingetragener Wärmeleistung eignet, weil es eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, z. B. ein Material aus der Gruppe der Metalle oder Halbleiter oder deren Verbundwerkstoffe, wie Kupfer, Aluminium, Molybdän, Wolfram, Silizium, Silizium-Carbid, SiSiC, AlN, AlSiC, Si₃N₄, AlSiC-Legierungen.
Weiter kann der Basiskörper bei dieser Ausgestaltung aus einem Material gefertigt sein, das sich besonders durch geringe Wärmeausdehnung auszeichnet, wie z. B. sprödharte Glas- oder Keramikmaterialien wie Quarz, Silizium, Silizium-Carbid, SiSiC, ULE, Zerodur.
Auch im Falle dieser Ausgestaltung ist es bevorzugt, wenn als Strukturierungsschicht ein weiches Material aufgebracht wird, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metalllegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Platin, NiP, kristallinem Silizium, amorphem Silizium und anderen weichen Metallen bzw. Materialien besteht.
Ebenso kann in einer bevorzugten Ausgestaltung als Strukturierungsschicht ein Material aufgebracht werden, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie ausgehärtetem Fotolack oder PMMA, besteht.
Bei dem Aufbringen der Strukturierungsschicht sollte diese über die Fläche des Substrats möglichst homogen sein, um eine homogene Bearbeitung der Strukturierungsschicht zum Einbringen der Mikrostrukturierung zu ermöglichen, was die Qualität der zu erzeugenden Mikrostrukturierung und damit die Qualität der optischen Eigenschaften des fertigen reflektiven optischen Bauelements verbessert.
Wenn zum Einbringen der Mikrostrukturierung auf den Basiskörper eine Strukturierungsschicht aufgebracht wird, kann es vorteilhaft sein, vor dem Aufbringen der Strukturierungsschicht eine Haftvermittlungsschicht auf den Basiskörper aufzubringen.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement kann entsprechend zwischen dem Basiskörper und der Strukturierungsschicht eine Haftvermittlungsschicht vorhanden sein.
Diese Maßnahme ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn sich das Material des Basiskörpers, bspw. aufgrund fehlender Leitfähigkeit, nicht ohne Weiteres zum Aufbringen der Strukturierungsschicht mittels eines Verfahrens wie galvanischer Abscheidung eignet, oder wenn das Material des Basiskörpers sich nicht dazu eignet, die Strukturierungsschicht aufzudampfen oder aufzusputtern, zumindest nicht in dem Maße, dass die Strukturierungsschicht mit dem Basiskörper einen innigen Verbund bilden kann. In diesem Fall kann die Haftvermittlungsschicht hier abhelfen.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird nach dem Einbringen der Mikrostrukturierung unmittelbar die mikrostrukturierte Oberfläche poliert.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement ist entsprechend vorzugsweise vorgesehen, dass die polierte Oberfläche die mikrostrukturierte Oberfläche selbst ist.
Diese Maßnahme eignet sich insbesondere dann, wenn das Material, in das die Mikrostrukturierung eingebracht worden ist, dennoch ausreichend hart ist, so dass es sich für eine Politur eignet. Wenn das Material, in das die Mikrostrukturierung eingebracht wurde, sich auch für eine Politur eignet, wie dies bspw. bei dem Material NiP, (amorphes oder kristallines) Silizium, Quarz oder Kupfer der Fall ist, hat diese Maßnahme den Vorteil, dass das Aufbringen einer weiteren Schicht, die dann poliert würde, eingespart werden kann, wodurch Zeit und Kosten bei der Herstellung des optischen Bauelements eingespart werden.
Alternativ hierzu ist in einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens vorgesehen, dass vor dem Polieren auf die Mikrostrukturierung eine Polierschicht, vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material der mikrostrukturierten Oberfläche härteren Material, aufgebracht wird, wobei die Polierschicht poliert wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement ist entsprechend die polierte Oberfläche eine Oberfläche einer Polierschicht, die auf der Mikrostrukturierung angeordnet ist und ein Material aufweist, das vorzugsweise härter ist als das Material der mikrostrukturierten Oberfläche.
Die Polierschicht muss dabei nicht unmittelbar auf der Mikrostrukturierung angeordnet sein, sondern es können sich auch noch eine oder mehrere andere Schichten zwischen der Polierschicht und der Mikrostrukturierung befinden.
Der Vorteil dieser Maßnahme besteht darin, dass zum einen das Material des Basiskörpers oder der Strukturierungsschicht, in den bzw. in die die Mikrostrukturierung eingebracht wird, ein sich für die Mikrostrukturierung besonders gut eignendes weiches Material sein kann, während für die Polierschicht dann ein Material gewählt wird, das sich besonders gut polieren, insbesondere superpolieren lässt. Das Vorsehen einer Polierschicht hat den Vorteil, dass die Polierschicht entsprechend gewählt werden kann, um die Polierzeit zu reduzieren und die Mikrostrukturierung bestmöglich zu erhalten.
Die Polierschicht weist vorzugsweise ein Material auf, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus glasartigen Materialien, wie amorphem Silizium, kristallinem Silizium oder Quarz, oder aus metallischen Materialien, wie z. B. NiP oder Kupfer, besteht.
Diese Materialien sind hinreichend hart und dicht und eignen sich daher insbesondere als Material für die Polierschicht.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird auf die reflektierende Schicht, die je nach Ausgestaltung des Verfahrens auf die Mikrostrukturierung unmittelbar oder auf die Polierschicht aufgebracht wird, eine Schutzschicht als abschließende Schicht aufgebracht.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement ist entsprechend auf der reflektierenden Schicht eine Schutzschicht als abschließende Schicht vorhanden.
Diese Maßnahme hat den Vorteil, dass das fertige reflektive optische Bauelement durch die Schutzschicht insbesondere gegen mechanische Einflüsse und/oder durch den Einfluss von Gasen, die die unter der Schutzschicht liegenden Schichten angreifen könnten, geschützt ist.
In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Bauelements ist die Mikrostrukturierung als wellenlängenselektives Filter, bspw. als Beugungsgitter, ausgebildet.
In dieser Ausgestaltung eignet sich die Mikrostrukturierung zum Herausfiltern von unerwünschten Spektralbereichen aus der EUV-Strahlung, wie UV-Strahlung oder IR-Strahlung.
Das erfindungsgemäße Bauelement ist vorzugsweise ein Kollektorspiegel einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage. Der Kollektorspiegel kann mit schrägem, insbesondere streifendem Lichteinfall oder mit senkrechtem Lichteinfall betrieben werden.
Weitere Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und der beigefügten Zeichnung.
Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden mit Bezug auf diese hiernach näher beschrieben. Es zeigen:
1 ein reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage in einer schematischen Schnittdarstellung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
2a) bis d) ein Verfahren zur Herstellung des reflektiven optischen Bauelements in 1;
3 ein reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage in einer schematischen Schnittdarstellung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel;
4a) bis e) ein Verfahren zur Herstellung des reflektiven optischen Bauelements in 3; und
5a) bis e) ein gegenüber dem Verfahren in 2a) bis d) und 4a) bis e) abgewandeltes weiteres Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Herstellung eines reflektiven optischen Bauelements, das in 5e) dargestellt ist.
In 1 ist ein mit dem allgemeinen Bezugszeichen 10 versehenes reflektives optisches Bauelement für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage dargestellt.
Das reflektive optische Bauelement 10 kann als EUV-Kollektorspiegel ausgebildet sein, der in der EUV-Strahlungsquelle verwendet wird. Das Bauelement 10 kann jedoch auch ein Spiegel sein, der in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage in einem Projektionsobjektiv oder einem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage verwendet wird. Das Bauelement 10 kann auch als Spiegel-Array, insbesondere als Mikrospiegel-Array, ausgebildet sein.
Allgemein weist das optische Bauelement 10 ein Substrat 12 auf, das einen Basiskörper 14 aufweist, in den eine optisch wirksame Mikrostrukturierung 16 eingearbeitet ist. Die optisch wirksame Mikrostrukturierung 16 ist hier in Form eines schematisch dargestellten Beugungsgitters ausgebildet. Die in 1 dargestellte Mikrostrukturierung 16 ist jedoch nur beispielhaft zu verstehen, und kann jede andere optisch wirksame Mikrostrukturierung darstellen, mit der dem optischen Bauelement 10 eine bestimmte optische Eigenschaft verliehen werden kann. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel dient die Mikrostrukturierung 16 als wellenlängenselektives Filter, um beim Einsatz des optischen Bauelements 10 in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage bestimmte Wellenlängen der Strahlung herauszufiltern bzw. dafür Sorge zu tragen, dass sich nur Strahlung einer bestimmten Wellenlänge in der Projektionsbelichtungsanlage als Nutzlicht ausbreitet.
An den mit der Mikrostrukturierung 16 versehenen Basiskörper 14 schließt sich eine reflektierende Schicht 20 an. Eine Oberfläche 22 der reflektierenden Schicht 20 stellt im Betrieb des optischen Bauelements 10 die Oberfläche dar, die vom Licht bzw. von der Strahlung beaufschlagt wird.
In dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 ist der Basiskörper 14 insgesamt aus einem Material gefertigt, das geeignet ist, mit einem gängigen Verfahren, wie z. B. Mikrolithograpie, Diamantdrehen oder -fräsen, Holographie oder Nano-Imprint, die optisch wirksame Mikrostrukturierung 16 in das Material einzubringen.
Der Basiskörper 14 kann dabei insgesamt aus einem Metall, einer Metalllegierung, einem Halbleiter oder einer Verbindung der vorstehend genannten Materialien gefertigt sein. Beispielsweise kann der Basiskörper 14 aus Aluminium, einer Aluminium-Legierung, Kupfer, einer Kupfer-Legierung, Silizium, einer Aluminium-Silizium-Legierung oder aus Nickel gefertigt sein. Wichtig dabei ist, dass das Material des Basiskörpers 14 gut für die Einbringung zum einen der hier konkav gewölbten Oberflächenform und zum anderen der Mikrostrukturierung 16 geeignet ist.
Eine Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 ist eine polierte Fläche, die die Anforderungen an die Mikrorauhigkeit erfüllt, die typischerweise unter 0,2 nm rms liegen sollte.
Die reflektierende Schicht 20 ist bspw. eine Molybdän-/Silizium-Mehrlagenschicht, wie sie in EUV-Anwendungen üblich ist.
In dem Basiskörper 14 sind ferner Kühlleitungen 28 vorhanden, durch die bspw. ein Kühlmedium geleitet wird, um das Substrat 12 und damit das optische Bauelement 10 zu kühlen.
Mit Bezug auf 2a) bis d) wird nun ein Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelements 10 in 1 beschrieben.
2a) zeigt den Schritt des Bereitstellens des Basiskörpers 14. Der Basiskörper 14 ist dabei insgesamt aus einem für das Einbringen einer Mikrostrukturierung geeigneten Material gefertigt, wie oben angegeben ist. Beispielsweise kann der Basiskörper 14 aus Aluminium, einer Aluminium-Legierung, Kupfer, einer Kupfer-Legierung, Silizium, einer Aluminium-Silizium-Legierung oder aus Nickel gefertigt sein. In dem Basiskörper 14 sind bereits die Kühlleitungen 28 eingebracht worden.
Im nächsten Schritt gemäß 2b) wird nun eine Oberfläche 30 des Basiskörpers 14 bearbeitet, um die Oberflächenform der Oberfläche 30 gemäß 2b) zu erhalten. Hierzu können konventionelle spanabhebende Bearbeitungsmethoden eingesetzt werden.
Im nächsten Schritt gemäß 2c) wird in die Oberfläche 30 des Basiskörpers 14 die Mikrostrukturierung 16 eingearbeitet. Das Einbringen der Mikrostrukturierung 16 kann mit gängigen Verfahren wie bspw. Mikrolithographie, Diamantdrehen oder -fräsen, Holographie oder Nano-Imprint durchgeführt werden. Dabei ist es nicht erforderlich, dass die verwendete Methode zum Einbringen der Mikrostrukturierung schon die nötige Mikrorauhigkeit für die Anwendung des Bauelements 10 als EUV-Spiegel erzeugt.
Die Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 erfüllt somit noch nicht die hohen Anforderungen an die Mikrorauhigkeit.
Um die hohen Anforderungen an die Mikrorauhigkeit zu erfüllen, wird die Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 poliert, insbesondere superpoliert. Beim Polieren der Oberfläche 24 sollte die Oberflächenstruktur der Mikrostrukturierung 16 in dem Material des Basiskörpers 14 so gut wie möglich erhalten bleiben.
Die Oberfläche 24 wird bspw. mit einem konventionellen nassen Polierverfahren poliert.
Nach dem Polieren der Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 wird dann die reflektierende Schicht 20, bspw. in Form einer Silizium-/Molybdän-Mehrlagenschicht auf die polierte Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 aufgebracht.
Die Ausgestaltung des optischen Bauelements 10, bei dem die Mikrostrukturierung 16 in das Material des Basiskörpers 14 eingebracht und bei der die Oberfläche 24 der Mikrostrukturierung 16 anschließend poliert wird, ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn das Material des Basiskörpers 14 ein solches ist, das einerseits für das Einbringen der Mikrostrukturierung 16 hinreichend weich ist, jedoch ausreichend hart, um anschließend poliert zu werden. Materialien für den Basiskörper 14, die sich entsprechend eignen, sind bspw. Kupfer, Silizium oder Nickel.
In 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines mit dem allgemeinen Bezugszeichen 10a versehenen reflektiven optischen Bauelements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage dargestellt.
Das optische Bauelement 10a weist ein Substrat 12a auf, das einen Basiskörper 14a aufweist, in den wie bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel eine optisch wirksame Mikrostrukturierung 16a eingearbeitet ist.
Im Unterschied zu dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel ist die Oberfläche 24a der Mikrostrukturierung 16a nicht eine polierte Fläche, sondern an den mit der Mikrostrukturierung 16a versehenen Basiskörper 14a schließt sich eine Polierschicht 18a an, an die sich dann die reflektierende Schicht 20a anschließt.
Diese Ausgestaltung des optischen Bauelements 10a mit der zusätzlichen Polierschicht 18a ermöglicht eine höhere Flexibilität bei der Auswahl des Materials des Basiskörpers 14a. Das Material des Basiskörpers 14a muss nämlich bei dieser Ausgestaltung lediglich geeignet sein, dass die Mikrostrukturierung 16a mit gängigen Verfahren leicht in das Material des Basiskörpers 14a eingebracht werden kann, jedoch muss dieses Material nicht auch für eine Politur, insbesondere eine Superpolitur geeignet sein, um die erforderliche Mikrorauhigkeit zu erzielen. Somit können für das Material des Basiskörpers 14a besonders weiche Materialien gewählt werden, wie Aluminium oder Kupfer oder sogar polymere Materialien wie PMMA und andere Kunststoffe.
Die Polierschicht 18 kann nämlich aus einem gegenüber dem Material des Basiskörpers 14a härteren Material gewählt werden, bspw. Quarz, amorphes oder kristallines Silizium, wobei jedoch auch andere amorphe, kristalline oder polykriställine Schichten als Polierschicht 18 denkbar sind. Auch Metalle wie Kupfer oder Metallverbindungen wie NiP eignen sich als Materialien für die Polierschicht 18. Durch geeignete Wahl des Materials der Polierschicht 18a kann die Polierzeit verringert werden.
In 4a) bis e) ist nun ein Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelements 10a in 3 dargestellt.
Gemäß 4a) wird zunächst der Basiskörper 14a bereitgestellt. Der Basiskörper 14a ist dabei insgesamt aus einem für das Einbringen einer Mikrostrukturierung geeigneten Material gefertigt, das entsprechend weich ist. Beispielsweise kann der Basiskörper 14a aus einem besonders weichen Material gefertigt sein, wie bereits zuvor erläutert. In dem Basiskörper 14a sind bereits die Kühlleitungen 28a eingebracht worden.
Im nächsten Schritt gemäß 4b) wird nun eine Oberfläche 30a des Basiskörpers 14a bearbeitet, um die Oberflächenform der Oberfläche 30a gemäß 4b) zu erhalten.
Im nächsten Schritt gemäß 4c) wird in die Oberfläche 30a des Basiskörpers 14a die Mikrostrukturierung 16a eingearbeitet. Aufgrund der Weichheit des Materials kann das Einbringen der Mikrostrukturierung 16a mit gängigen Verfahren, wie oben beschrieben, durchgeführt werden.
Im nächsten Schritt gemäß 4d) wird auf die Oberfläche 24a der Mikrostrukturierung 16a die Polierschicht 18a aufgebracht, und die Polierschicht 18a wird anschließend poliert, insbesondere superpoliert, um so eine polierte Fläche 26a zu erhalten.
Die Polierschicht 18a wird in dünner Schichtdicke aufgebracht. Die Polierschicht 18 kann bspw. eine Quarzschicht oder eine amorphe oder kristalline Siliziumschicht sein.
Die Polierschicht 18a wird mit einem konventionellen nassen Polierverfahren poliert, so dass die Oberflächenform der Oberfläche 24a der Mikrostrukturierung 16a erhalten bleibt, andererseits aber die erforderliche Mikrorauhigkeit erzielt wird. Die Polierschicht 18 wird typischerweise nicht so weit poliert, dass die Schicht 18a verschwindet, sondern diese verbleibt auf der Oberfläche 24a der Mikrostrukturierung 16a und dient somit als eigentliche Substratoberfläche für das weitere Aufbringen der reflektierenden Schicht 20a gemäß 4e).
Die Dicke der Polierschicht 18a liegt bspw. in einem Bereich von etwa 0,5 μm bis etwa 100 μm. Die Polierschicht 18a ist nach dem Polieren über die Fläche des Substrats 12 hinweg durchgängig vorhanden.
Bei dem Ausführungsbeispiel des optischen Bauelements 10a ist somit der Basiskörper 14a hinsichtlich der Einarbeitung der Mikrostrukturierung 16a optimiert, während die Polierschicht 18a hinsichtlich ihrer Polierbarkeit optimiert ist, um so eine Mikrorauhigkeit von weniger als 0,2 nm rms zu erreichen.
In 5a) bis e) ist ein gegenüber dem Verfahren gemäß 2a) bis d) und dem Verfahren gemäß 4a) bis e) abgewandeltes Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Bauelements 10b gemäß 5e) dargestellt.
Gemäß 5a) wird zunächst wieder ein Basiskörper 14b bereitgestellt, mit einer Oberfläche 30b und in den Basiskörper 14b bereits eingearbeiteten Kühlleitungen 28a.
Im Unterschied zu dem Basiskörper 14 bzw. 14a kann der Basiskörper 14b aus jedem beliebigen Material gefertigt sein, insbesondere auch einem solchen, das sich für das Einbringen einer Mikrostrukturierung 16b (siehe 5e)) nicht eignet. Der Basiskörper 14b kann somit auch aus einem harten und/oder spröden Material, bspw. aus einer Keramik oder Glaskeramik (bspw. ULE, Zerodur) sein. Nichtsdestoweniger kann jedoch der Basiskörper 14b auch aus einem der oben genannten Materialien für den Basiskörper 14 oder 14a gefertigt sein. Zusätzlich zu den oben genannten Materialien für den Basiskörper 14 oder 14a kommen als Materialien bspw. Silizium-Carbid, SiSiC, Molybdän, Wolfram, AlN, AlSiC, Si₃N₄, Al-SiC-Legierungen in Frage.
Zunächst wird gemäß 5b) die Oberfläche 30b des Basiskörpers 14b zur Erzielung der gewünschten Oberflächenform, die hier wiederum als konkav dargestellt ist, bearbeitet.
Da das Material des Basiskörpers 14b für eine Erzeugung der Mikrostrukturierung 16b möglicherweise zu hart oder spröde ist, wird anschließend auf die Oberfläche 30b eine Strukturierungsschicht 32b aus einem Material aufgebracht, das sich für die Einbringung der Mikrostrukturierung 16b mit gängigen Verfahren, wie oben beschrieben, eignet. Die Strukturierungsschicht 32b ist daher vorzugsweise wiederum eine Schicht aus einem Metall, einer Metalllegierung, einem Halbleiter oder deren Verbindungen, insbesondere NiP, Kupfer, Aluminium, Gold, Silber, Platinmetalle, amorphes Silizium, oder Quarz oder aus einem Polymer, wie bspw. ausgehärteter Fotolack, PMMA und dergleichen.
Die Strukturierungsschicht 32b kann durch Aufdampfen oder Sputtern, Galvanik oder chemischen Überzug und im Fall, dass die Strukturierungsschicht 32b aus einem polymeren Material gefertigt ist, auch durch Aufsprühen, Aufschleudern oder Auflackieren aufgebracht werden.
Für den Fall, dass die Strukturierungsschicht 32b bspw. galvanisch aufgebracht werden soll, das Material des Basiskörpers 14b hingegen nicht oder nicht ausreichend leitfähig ist, kann vor dem Aufbringen der Strukturierungsschicht 32b auf die Oberfläche 30b des Basiskörpers 14b eine Haftvermittlungsschicht aufgebracht werden, bspw. aus Aluminium, Chrom oder dergleichen. Die Strukturierungsschicht 32b kann bspw. dann aus einem Metall oder einer Metalllegierung, einer Metallverbindung, bspw. NiP galvanisch auf den Basiskörper 14b aufgebracht werden. Aber nicht nur für den Fall des galvanischen Aufbringens der Strukturierungsschicht 32b, sondern auch im Fall anderer Verfahren zur Aufbringung der Strukturierungsschicht 32b kann das vorherige Aufbringen einer Haftvermittlungsschicht in Abhängigkeit der verwendeten Materialien vorteilhaft sein.
Gemäß 5c) wird nun in die Strukturierungsschicht 32b, wie mit Bezug auf 2c) bzw. 4c) beschrieben, eine Mikrostrukturierung 16b eingebracht.
Anschließend kann eine Polierschicht 18b auf die Mikrostrukturierung 16b aufgebracht und wie mit Bezug auf 4d) beschrieben, poliert werden, und anschließend wird eine reflektierende Schicht 20b aufgetragen.
Abweichend hiervon ist es jedoch möglich, wenn sich das Material der Strukturierungsschicht 32b hierfür eignet, die Polierschicht 18b wegzulassen, und dafür die Oberfläche 24b der Strukturierungsschicht 32b zu polieren, wie dies mit Bezug auf das optische Bauelement 10 und das Verfahren zum Herstellen desselben oben beschrieben worden ist. Wenn die Strukturierungsschicht 32b bspw. aus NiP oder Kupfer oder Silizium gebildet ist, kann die Oberfläche 24b der Mikrostrukturierung 16b auch unmittelbar poliert werden.
In allen vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen kann auf die reflektierende Schicht 20, 20a bzw. 20b eine abschließende Schutzschicht aufgebracht werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 und 2a) bis d) und bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 3 und 4a) bis e) ist es ebenso möglich, den Basiskörper 14 bzw. 14a), ggf. zusammen mit der optisch wirksamen Mikrostrukturierung 16, in einem Abformverfahren aus einem abformbaren Material, bspw. einem Metall oder einem Polymer abzuformen oder den Basiskörper 14 bzw. 14a zusammen mit der Mikrostrukturierung 16 bzw. 16a in einem Spritzgießverfahren herzustellen.
Allen vorstehend genannten Ausführungsbeispielen ist es gemeinsam, dass das Einbringen der Mikrostrukturierung 16, 16a bzw. 16b in das Substrat 12, 12a, 12b vor dem Polieren des Substrats 12, 12a bzw. 12b erfolgt, und die reflektierende Schicht 20, 20a bzw. 20b nach dem Einbringen der Mikrostrukturierung 16, 16a bzw. 16b und nach dem Polieren des Substrats 12, 12a bzw. 12b erfolgt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 7129010 B2 [0003, 0009]
US 7259252 B2 [0010]
US 6453005 B2 [0011]
US 6469827 B1 [0012]
US 2008/0043321 A1 [0013]
US 2009/0159808 A1 [0014]
US 2009/0289205 A1 [0015]

Claims

Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Bauelements (10; 10a; 10b) für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, das ein Substrat (12; 12a; 12b), das einen Basiskörper (14; 14a; 14b) aufweist, und eine auf dem Substrat (12; 12a; 12b) angeordnete reflektierende Schicht (20; 20a; 20b) aufweist, wobei das Substrat (12; 12a; 12b) eine optisch wirksame Mikrostrukturierung (16; 16a; 16b) aufweist, mit den Schritten: Einbringen der Mikrostrukturierung (16; 16a; 16b) in das Substrat (12; 12a; 12b), Polieren des Substrats (12; 12a; 12b), nachdem die Mikrostrukturierung (16; 16a; 16b) in das Substrat (12; 12a; 12b) eingebracht wurde, Aufbringen der reflektierenden Schicht (20; 20a; 20b) auf das Substrat (12; 12a; 12b), nachdem das Substrat (12; 12a; 12b) poliert wurde.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Mikrostrukturierung (16; 16a) unmittelbar in den Basiskörper (14; 14a) eingebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Basiskörper (14; 14a) aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metalllegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Aluminium-Legierungen, Kupfer, Kupfer-Legierungen, Silizium, Aluminium-Silizium-Legierungen oder Nickel besteht.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Basiskörper (14; 14a) aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie PMMA besteht.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor dem Einbringen der Mikrostrukturierung (16b) auf den Basiskörper (14b) eine Strukturierungsschicht (32b), vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material des Basiskörpers (14b) weicheren Material, aufgebracht wird, und wobei die Mikrostrukturierung (16b) in die Strukturierungsschicht (32b) eingebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei als Strukturierungsschicht (32b) ein Material aufgebracht wird, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metallegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Platin, NiP, amorphem oder kristallinem Silizium besteht.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei als Strukturierungsschicht (32b) ein Material aufgebracht wird, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie ausgehärtetem Fotolack, PMMA, besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei vor dem Aufbringen der Strukturierungsschicht (32b) eine Haftvermittlungsschicht auf den Basiskörper (14b) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei nach dem Einbringen der Mikrostrukturierung (16; 16b) unmittelbar die mikrostrukturierte Oberfläche (24; 24b) poliert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei vor dem Polieren auf die Mikrostrukturierung (16a; 16b) eine Polierschicht (18a; 18b), vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material der mikrostrukturierten Oberfläche (24a; 24b) härteren Material, aufgebracht wird, und wobei die Polierschicht (18a; 18b) poliert wird.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei als Polierschicht (18a; 18b) ein Material aufgebracht wird, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus glasartigen Materialen, wie amorphem oder kristallinem Silizium oder Quarz, oder aus Metallen oder Metallverbindungen wie Kupfer oder NiP, besteht.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die reflektierende Schicht (20a; 20b) auf die Polierschicht (18a; 18b) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei auf die reflektierende Schicht (20; 20a; 20b) eine Schutzschicht als abschließende Schicht aufgebracht wird.
Reflektives optisches Bauelement für eine EUV–Projektionsbelichtungsanlage, das ein Substrat (12; 12a; 12b), das einen Basiskörper (14; 14a; 14b) aufweist, und eine auf dem Substrat (12; 12a; 12b) angeordnete reflektierende Schicht (20; 20a; 20b) aufweist, wobei das Substrat (12; 12a; 12b) eine optisch wirksame Mikrostrukturierung (16; 16a; 16b) aufweist, und wobei zwischen der Mikrostrukturierung (16; 16a; 16b) und der reflektierenden Schicht (20; 20a; 20b) eine polierte Fläche (24; 26a; 24b; 26b) vorhanden ist.
Bauelement nach Anspruch 14, wobei die Mikrostrukturierung (16; 16a) unmittelbar im Basiskörper (14; 14a) vorhanden ist.
Bauelement nach Anspruch 15, wobei der Basiskörper (14; 14a) aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metalllegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Aluminium-Legierungen, Kupfer, Kupfer-Legierungen, Silizium, Aluminium-Silizium-Legierungen oder Nickel besteht.
Bauelement nach Anspruch 15, wobei der Basiskörper (14; 14a) aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie PMMA, besteht.
Bauelement nach Anspruch 14, wobei die Mikrostrukturierung (16b) in einer auf dem Basiskörper (14b) angeordneten Strukturierungsschicht (32b), vorzugsweise aus einem gegenüber dem Material des Basiskörpers (14b) weicheren Material, vorhanden ist.
Bauelement nach Anspruch 18, wobei die Strukturierungsschicht (32b) ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus Metallen, Metalllegierungen, Halbleitern und deren Verbindungen, insbesondere Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Platin, NiP, amorphem Silizium, kristallinem Silizium oder Quarz besteht.
Bauelement nach Anspruch 18, wobei die Strukturierungsschicht (32b) ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus polymeren Materialien, wie ausgehärtetem Fotolack oder PMMA, besteht.
Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei der Basiskörper (14b) aus einem Material gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die Aluminium, Aluminium-Legierungen, Silizium-Carbid, SiSiC, Kupfer, Kupfer-Legierungen, Silizium, Molybdän, Wolfram, AlN, AlSiC, Si₃N₄, Aluminium-Silizium-Legierungen, Al-SiC-Legierungen, Quarz, Glaskeramiken oder PMMA besteht.
Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 21, wobei zwischen dem Basiskörper (14b) und der Strukturierungsschicht (32b) eine Haftvermittlungsschicht vorhanden ist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei die polierte Oberfläche (24; 24b) die mikrostrukturierte Oberfläche (24; 24b) selbst ist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei die polierte Oberfläche (26; 26b) eine Oberfläche einer Polierschicht (18a; 18b) ist, die auf der Mikrostrukturierung (16a, 16b) angeordnet ist und ein Material aufweist, das vorzugsweise härter ist als das Material der mikrostrukturierten Oberfläche (16a, 16b).
Bauelement nach Anspruch 24, wobei die Polierschicht (18a; 18b) ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe, die aus glasartigen Materialen, wie amorphem Silizium, kristallinem Silizium oder Quarz, oder aus Metallen oder Metallverbindungen, wie Kupfer oder NiP besteht.
Bauelement nach Anspruch 24 oder 25, wobei die reflektierende Schicht (20a; 20b) auf der Polierschicht (18a; 18b) angeordnet ist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 26, wobei auf der reflektierenden Schicht (20; 20a; 20b) eine Schutzschicht als abschließende Schicht vorhanden ist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 27, wobei die Mikrostruktierung (16; 16a; 16b) als wellenlängenselektives Filter, bspw. als Beugungsgitter, ausgebildet ist.
Bauelement nach einem der Ansprüche 14 bis 28, das als Kollektorspiegel zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ausgebildet ist.