EP1982219A2 - Thermisch stabiler multilayer-spiegel für den euv-spektralbereich - Google Patents

Thermisch stabiler multilayer-spiegel für den euv-spektralbereich

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EP1982219A2
EP1982219A2 EP07711155A EP07711155A EP1982219A2 EP 1982219 A2 EP1982219 A2 EP 1982219A2 EP 07711155 A EP07711155 A EP 07711155A EP 07711155 A EP07711155 A EP 07711155A EP 1982219 A2 EP1982219 A2 EP 1982219A2
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EP
European Patent Office
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multilayer mirror
layer
layers
mirror according
multilayer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP07711155A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Thorsten Feigl
Nicolas Bernoit
Sergiy Yulin
Nobert Kaiser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
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Publication date
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Publication of EP1982219A2 publication Critical patent/EP1982219A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G21K2201/067—Construction details

Definitions

  • the invention relates to a thermally stable multilayer mirror for the extreme ultraviolet spectral range (EUV) and its use.
  • EUV extreme ultraviolet spectral range
  • Reflecting optical components for use in the extreme ultraviolet spectral range can be realized with multilayer mirrors containing a generally periodic layer sequence of a plurality of layer pairs.
  • a pair of layers generally contains two layers of different materials, which should have the largest possible difference in their optical constants in the wavelength range intended for use of the component. At least one of these materials, the so-called spacer material, should have the lowest possible absorption at the intended wavelength.
  • the choice of materials for the multilayer mirrors is therefore mainly dependent on the wavelength at which the optical component is to be used. In the EUV spectral range, therefore, there is an optimal material pairing for a specific wavelength range, usually only a few nanometers wide, which guarantees high reflection due to the optical contrast of the layer materials.
  • multilayer mirrors made of the molybdenum material pair are preferred and silicon, since there is a particularly good optical contrast in the said wavelength range between these materials.
  • Mo / Si (molybdenum-silicon) multilayer mirrors for example, a reflection of about 70% at a wavelength of 13.5 nm can be achieved.
  • EUV radiation sources which emit at a wavelength of approximately 13.5 nm are provided as radiation sources. Since the reflection of the entire optical system in EUV lithography is relatively low due to the large number of mirrors, such EUV radiation sources must be operated at high powers in order to compensate for the reflection losses arising in the optical system. In the vicinity of such a high-power EUV radiation source, EUV multilayer mirrors may be exposed to high temperatures. This is the case in particular for an EUV multilayer mirror, which is positioned close to an EUV radiation source for beam shaping, for example as a so-called collector mirror.
  • DE 100 11 547 C2 To increase the thermal stability of Mo / Si multilayer mirrors, it is known from DE 100 11 547 C2 to insert in each case a barrier layer of M02C at the interfaces between the molybdenum layers and the silicon layers. Furthermore, DE 100 11 548 C2 describes the use of barrier layers of MoSi 2 for increasing the thermal stability.
  • the technological requirements in the production of the barrier layers are comparatively high, since the thickness of the barrier layers is generally less than 0.5 nm. In particular, the deposition of a layer sequence with such thin barrier layers on curved substrates is difficult.
  • the invention has for its object to provide a multilayer mirror for the EUV spectral range, which is characterized by a high temperature stability, in particular a comparatively high long-term stability, preferably the production cost should be relatively low.
  • a muItilayer mirror for EUV radiation comprises a substrate arranged on a layer sequence of a plurality of layer pairs of a first layer of a first material and a second layer of a second material applied thereto, wherein the first layers and the second Each have a thickness of more than 2 nm, and the first material or the second material is a silicon boride or a molybdenum nitride.
  • At least one layer of the layer pairs is a silicon boride layer or a molybdenum nitride layer, interdiffusion at the interfaces between the first layers and the second layers of the layer pairs is reduced, in particular at high operating temperatures.
  • the long-term temperature stability and the radiation stability of the multilayer mirrors are thereby advantageously improved over conventional multi-layer mirrors.
  • the first material is a silicon boride and the second material is molybdenum.
  • the so-called Spacer material called silicon replaced by a silicon boride.
  • the first material is silicon and the second material is a molybdenum nitride.
  • the so-called absorber material molybdenum is replaced by a molybdenum nitride.
  • silicon boride and molybdenum nitride in the context of the application include all compounds having the composition Si x By or Mo x Ny, regardless of the specific stoichiometric or non-stoichiometric composition of the respective material.
  • the production cost is a multilayer Mirror according to the invention, the layer pairs of only two layers, advantageously low.
  • a further advantage with regard to the production outlay in comparison to multilayer mirrors with barrier layers results from the fact that both the first and the second layers of the multilayer mirror according to the invention each have a thickness of more than 2 nm.
  • the multilayer mirror is provided for the reflection of radiation whose angle of incidence varies over the surface of the multilayer mirror.
  • the first and / or the second layer of the layer pairs advantageously has a layer thickness gradient. served, ie the thickness of the first and / or second layers varies in the lateral direction.
  • the production of such layer thickness gradients is associated with less effort than in the case of layer sequences with barrier layers in which at least the barrier layers have thicknesses in the sub-nanometer range.
  • the substrate is, for example, a planar substrate. Furthermore, it is possible for the multilayer mirror to be applied to a curved surface of a substrate.
  • the surface of the substrate may have an aspheric curvature, such as a parabolic or elliptical curvature.
  • a parabolically curved surface is suitable for producing a substantially parallel beam from a near point radiation source, while an elliptically curved surface is suitable for focusing the beam from a radiation source , which is arranged in a first focal point of the ellipse, is suitable for a second focal point of the ellipse.
  • Such a multilayer mirror is preferably used for reflection of EUV radiation having a wavelength between 12.5 m and 14 ⁇ m.
  • the multilayer mirror may, for example, have a periodic arrangement of first and second layers, the period thickness, ie the sum of the thicknesses of the first layer and the second layer of the layer pairs, not varying within the multilayer mirror.
  • the period thickness of the layer sequence ie the sum of the thicknesses of the first layer and the second Layer of the layer pairs, is advantageously about 6.5 nm to 7, 5 microns.
  • the multilayer mirror may also contain an aperiodic layer sequence, within which the thicknesses of the first layers and / or of the second layers vary.
  • an aperiodic multilayer mirror it is possible to achieve a high reflection of the multilayer mirrors in a comparatively broad wavelength or incident angle range, the maximum reflection at a given wavelength, however, being lower than in the case of a periodic multilayer mirror.
  • a cover layer is preferably applied to the multilayer mirror, which differs in its material and / or its thickness from the layers of the layer pairs in order to protect the multilayer mirror in particular against oxidation and contamination.
  • a cover layer may also be applied.
  • Particularly suitable materials for the cover layer are oxides, nitrides, carbides or borides, as well as ruthenium, rhodium, scandium and zirconium.
  • a multilayer mirror according to the invention for use at temperatures of more than 300 0 C, in particular in the temperature range of 300 0 C to 500 0 C.
  • the range includes, as all other ranges in the context of this application, the limits indicated with a.
  • a multilayer mirror according to the invention has the advantage, in particular, of high long-term stability at temperatures of more than 300 ° C., in particular in the temperature range from 300 ° C. to 500 ° C.
  • a multilayer mirror according to the invention also has an operating time of 100 h in an ner temperature of about 500 0 C still no significant reduction of the reflection and / or the period thickness.
  • the multilayer mirror to a high operating temperature, for example, to 300 0 C or more, preferably even to 400 0 C or more heated to reduce the deposition of impurities on the multilayer mirror.
  • a heating device can be provided, which is preferably attached to a substrate of the multilayer mirror.
  • the adhesion coefficient of lithium on a surface of the multilayer mirror is advantageously reduced in such a way that the reflection is not significantly impaired even after an operating time of 100 hours or more ,
  • a multilayer mirror according to the invention can be used in particular in the vicinity of an EUV radiation source, for example a laser plasma source.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a cross section through an exemplary embodiment of a multilayer mirror according to the invention
  • FIG. 2 shows a graphical representation of the reflection R as a function of the wavelength ⁇ of three exemplary embodiments of a multilayer mirror according to the invention in comparison to Mo / Si, Mo / Si 3 N 4 and Mo 2 B multilayer mirrors.
  • Figure 3 is a schematic diagram of an arrangement in which an embodiment of a multilayer mirror according to the invention is used as a collector mirror of an EUV radiation source.
  • a layer sequence 7 which contains a multiplicity of layer pairs 5 is applied to a substrate 3.
  • a preferred number of the layer pairs 5 is 30 to 100.
  • the layer pairs 5 each consist of a first layer 1 of a first material and a second layer 2 of a second material. At least one of the materials is a silicon boride or a molybdenum nitride.
  • the first material is a silicon boride, for example SiB 4 or SiB 6 .
  • the first material is silicon and the second material is a molybdenum nitride, for example MoN.
  • the substrate 3 is for example a semiconductor substrate, in particular of silicon or SiC, or a substrate of a glass or a glass ceramic, in particular a glass ceramic with a low coefficient of thermal expansion.
  • the substrate 3 has a surface roughness of less than 0.2 nm. The surface roughness is understood to mean the surface roughness of the surface that can be determined, for example, from curve fits to X-ray reflection curves measured using Cu Ka radiation.
  • the multilayer mirror preferably has at least one cover layer 6 applied to the layer sequence 7.
  • the thermal stability of the multilayer mirror 1 can be further increased.
  • FIG. 2 shows a graph of the calculated reflection R at normal incidence as a function of the wavelength ⁇ for a conventional Mo / Si multilayer mirror (curve 8), a M ⁇ 2B / Si multilayer mirror (curve 9) and a Mo / Si multilayer mirror (curve 9).
  • Si3N4 multilayer mirror (curve 13) compared to three embodiments of a multilayer mirror according to the invention (curves 10, 11, 12). These exemplary embodiments are a MoN / Si multilayer mirror (curve 10), a Mo / Si-34 multilayer mirror (curve 11) and a Mo / Si-35 multilayer mirror (curve 12).
  • the number of layer pairs is 100 in each case, and that a 2 nm thick cover layer of SiO 2 is applied to the layer sequence.
  • the multilayer mirrors according to the invention have a lower reflection than the material pairing Mo / Si used in conventional multilayer mirrors because of the material selection made to achieve improved temperature stability. As the simulation calculations show, it can be In a multi-layer mirror comprising molybdenum and S1B4 or SiBg layer pairs, a reflection of more than 55% is achieved (curves 11 and 12). For the material pairing MoN / Si, a reflection of more than 65% (curve 10) was calculated at the wavelength of about 13.5 nm, which is frequently used for applications in EUV lithography.
  • the simulated reflectivities for the layer systems according to the invention thus lie between the calculated values for the material pairing Mo / Si3N4 (curve 13) which has a reflection of more than 40%, and for the material pairings M ⁇ 2B / Si (curve 9) or Mo / Si (curve 8), for which a reflection of more than 70% was calculated.
  • the reflection due to the unavoidable boundary surface roughness can be at least slightly lower than in the layer systems based on ideally smooth boundary surfaces on which FIG. 2 is based.
  • FIG. 3 schematically shows an exemplary embodiment of a multilayer mirror 19 according to the invention, which has a layer sequence 7 applied to a curved, preferably aspherically curved substrate 14.
  • the layer sequence 7 contains layer pairs of first layers and second layers (not shown), the first and / or the second layers preferably having a layer thickness gradient in the lateral direction.
  • the layer thickness of the first and / or the second layers of the layer sequence 7 increases from the center of the multilayer mirror towards the edge regions in order to meet the Bragg reflection condition for the EUV radiation 16 impinging on the multilayer mirror 19 at different angles of incidence EUV radiation source 15 to meet.
  • the multilayer mirror 19 acts as a collector mirror of EUV radiation source 15.
  • the EUV radiation 16 emitted by the EUV radiation source 15 is focused by the collector mirror into a focal point F, for example.
  • the EUV radiation source 15 is, for example, a laser plasma radiation source in which a target material, for example lithium droplets, are excited by laser radiation to emit EUV radiation. In the case of such EUV radiation sources, there is often the problem that optical elements arranged in the vicinity of the radiation source are contaminated by the target material.
  • a heating device 17 is provided on the substrate 14 to solve this problem, with which the multilayer mirror is heated to a temperature at which the target material of the EUV radiation source 15 has only a low adhesion coefficient us thus of the Surface 18 of the multilayer mirror 19 desorbed.
  • the multilayer mirror 19 is heated by the heating device 17 to an operating temperature of about 400 0 C or more.
  • a temperature of about 400 0 C is particularly advantageous in the case of a lithium target.

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Abstract

Bei einem Multilayer-Spiegel (6) für EUV-Strahlung, der eine auf einem Substrat (3) angeordnete Schichtenfolge (7) aus einer Vielzahl von Schichtpaaren (5) aus jeweils einer ersten Schicht (1) aus einem ersten Material und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht (2) aus einem zweiten Material enthält, weisen gemäß der Erfindung die ersten Schichten (1) und die zweiten Schichten (2) jeweils eine Dicke von mehr als 2 nm auf, und das erste Material oder das zweite Material ist ein Siliziumborid oder ein Molybdännitrid.

Description

Thermisch, stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektral- bereich
Die Erfindung betrifft einen thermisch stabilen Multilayer- Spiegel für den extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV) und dessen Verwendung.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2006 006 283.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Reflektierende optische Bauelemente für die Nutzung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV) , der den Wellenlängenbereich von etwa 10 nm bis etwa 50 nm umfasst, können mit Multilayer-Spiegeln realisiert werden, die eine in der Regel periodische Schichtenfolge aus einer Vielzahl von Schichtpaaren enthalten. Ein Schichtpaar enthält im allgemeinen zwei Schichten aus verschiedenen Materialien, die in dem zur Verwendung des Bauelements vorgesehenen Wellenlängenbereich einen möglichst großen Unterschied in ihren optischen Konstanten aufweisen sollten. Zumindest eines dieser Materialien, das sogenannte Spacer-Material, sollte bei der vorgesehenen Wellenlänge eine möglichst geringe Absorption aufweisen. Die Auswahl der Materialien für die Multilayer-Spiegel ist daher vor allem von der Wellenlänge, bei der das optische Bauelement verwendet werden soll, abhängig. Im EUV-Spektralbereich gibt es daher für jeweils einen bestimmten, meist nur wenige Nanometer breiten Wellenlängenbereich eine optimale Materialpaarung, welche aufgrund des optischen Kontrastes der Schichtmaterialien eine hohe Reflexion garantiert.
Im Wellenlängenbereich von etwa 12,5 nm bis 14 nm, der insbesondere für die Entwicklung optischer Systeme für Anwendungen in der EUV-Lithographie von großer Bedeutung ist, werden bevorzugt Multilayer-Spiegel aus der Materialpaarung Molybdän und Silizium verwendet, da zwischen diesen Materialien ein besonders guter optischer Kontrast in dem genannten Wellenlängenbereich besteht. Mit Mo/Si (Molybdän-Silizium) - Multilayer-Spiegeln kann beispielsweise eine Reflexion von etwa 70 % bei einer Wellenlänge von 13,5 nm erzielt werden.
Zum Betrieb optischer Systeme für die EUV-Lithographie sind als Strahlungsquellen insbesondere Laser-Plasmaquellen vorgesehen, die bei einer Wellenlänge von etwa 13,5 nm emittieren. Da die Reflexion des gesamten optischen Systems bei der EUV- Lithographie aufgrund der Vielzahl der Spiegel verhältnismäßig gering ist, müssen derartige EUV-Strahlungsquellen mit hohen Leistungen betrieben werden, um die im optischen System entstehenden Reflexionsverluste auszugleichen. In der Nähe einer derartigen Hochleistungs-EUV-Strahlungsquelle können EUV-Multilayer-Spiegel hohen Temperaturen ausgesetzt sein. Dies ist insbesondere für einen EUV-Multilayer-Spiegel der Fall, der zur Strahlformung, beispielsweise als sogenannter Kollektor-Spiegel, dicht an einer EUV-Strahlungsquelle positioniert wird.
Bei hohen Temperaturen neigen die Materialien Molybdän und Silizium aber zur Bildung von Molybdänsilizid, insbesondere MoSi2/ und zu Interdiffusionsprozessen an den Grenzflächen, wie beispielsweise aus der DE 100 11 547 C2 bekannt ist. Daher besteht bei hohen Anwendungstemperaturen die Gefahr einer Degradation derartiger MuItilayer-Spiegel, durch welche die Reflexion deutlich vermindert wird. Neben einer Verminderung der Reflexion ist mit der durch Interdiffusionsprozesse und Molybdänsilizidbildung bedingten Degradation auch eine Abnahme der Dicke der Schichtpaare, die auch als Periodendicke bezeichnet wird, verbunden. Durch diese Abnahme der Periodendicke erfolgt eine Verschiebung des Reflexionsmaximums zu einer kürzeren Wellenlänge. Die Funktion eines auf Mo/Si-Multi- layer-Spiegeln basierenden optischen Systems kann durch der- artige Degradationsprozesse erheblich beeinträchtigt oder sogar vollständig zerstört werden.
Zur Erhöhung der thermischen Stabilität von Mo/Si-Multilayer- Spiegeln ist aus der DE 100 11 547 C2 bekannt, an den Grenzflächen zwischen den Molybdänschichten und den Siliziumschichten jeweils eine Barriereschicht aus M02C einzufügen. Ferner ist in der DE 100 11 548 C2 die Verwendung von Barriereschichten aus MoSi2 zur Erhöhung der thermischen Stabilität beschrieben.
Weiterhin ist aus der US 6,396,900 Bl bekannt, Barriereschichten aus dem Material B4C in Mo/Si-Multilayer-Spiegel einzufügen, um die Reflexion und/oder die thermische Stabilität zu erhöhen.
Durch den Einsatz derartiger bekannter Barriereschichten können SchichtSysteme mit einer hohen Reflexion hergestellt werden, deren thermische Stabilität gegenüber reinen Mo/Si- SchichtSystemen verbessert ist.
Bei Mo/Si-SchichtSystemen mit Barriereschichten sind die technologischen Anforderungen bei der Herstellung der Barriereschichten allerdings vergleichsweise hoch, da die Dicke der Barriereschichten in der Regel weniger als 0,5 nm beträgt. Insbesondere ist die Abscheidung einer Schichtenfolge mit derart dünnen Barriereschichten auf gekrümmten Substraten schwierig.
Dies gilt insbesondere, wenn der Einfallswinkel der EUV- Strahlung über die Oberfläche des Multilayer-Spiegel variiert und aus diesem Grund die Schichtenfolge einen Schichtdickegradienten aufweisen muss, um an allen Orten der Spiegeloberfläche die Bragg-Reflexionsbedingung zu erfüllen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Multilayer- Spiegel für den EUV-Spektralbereich anzugeben, der sich durch eine hohe Temperaturstabilität, insbesondere eine vergleichsweise hohe Langzeitstabilität auszeichnet, wobei bevorzugt der Herstellungsaufwand vergleichsweise gering sein soll.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Multilayer- Spiegel nach Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Ein MuItilayer-Spiegel für EUV-Strahlung gemäß der Erfindung enthält eine auf einem Substrat angeordnete Schichtenfolge aus einer Vielzahl von Schichtpaaren aus jeweils einer ersten Schicht aus einem ersten Material und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht aus einem zweiten Material, wobei die ersten Schichten und die zweiten Schichten jeweils eine Dicke von mehr als 2 nm aufweisen, und das erste Material o- der das zweite Material ein Siliziumborid oder ein Molybdännitrid ist.
Dadurch, dass zumindest jeweils eine Schicht der Schichtpaare eine Siliziumboridschicht oder eine Molybdännitridschicht ist, wird die Interdiffusion an den Grenzflächen zwischen den ersten Schichten und den zweiten Schichten der Schichtpaare insbesondere bei hohen Betriebstemperaturen vermindert. Die Langzeittemperaturstabilität und die StrahlungsStabilität der Multilayer-Spiegel sind dadurch gegenüber herkömmlichen MuI- tilayer-Spiegeln vorteilhaft verbessert.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das erste Material ein Siliziumborid und das zweite Material Molybdän. Bei diesen Multilayer-Spiegeln ist also im Vergleich zu einem herkömmlichen Mo/Si-Multilayer-Spiegel das so ge- nannte Spacermaterial Silizium durch ein Siliziumborid ersetzt.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das erste Material Silizium und das zweite Material ein Molybdännitrid. Im Vergleich zu einem herkömmlichen Mo/Si- Multilayer-Spiegel ist also das so genannte Absorber-Material Molybdän durch ein Molybdännitrid ersetzt.
Die Materialbezeichnungen Siliziumborid und Molybdännitrid umfassen im Rahmen der Anmeldung alle Verbindungen mit der Zusammensetzung SixBy oder MoxNy, unabhängig von der konkreten stöchiometrischen oder nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung des jeweiligen Materials.
Im Gegensatz zu EUV-Multilayer-Spiegeln, bei denen Barriereschichten mit einer Dicke von typischerweise weniger als 0,5 nm zur Verminderung der Interdiffusion an den Grenzflächen eingesetzt werden und somit jede Periode der Schichtenfolge aus insgesamt vier Schichten besteht, ist der Herstellungsaufwand bei einem Multilayer-Spiegel gemäß der Erfindung, der Schichtpaare aus nur zwei Schichten aufweist, vorteilhaft gering.
Eine weiterer Vorteil im Hinblick auf den Herstellungsaufwand im Vergleich zu Multilayer-Spiegeln mit Barriereschichten ergibt sich daraus, dass sowohl die ersten als auch die zweiten Schichten des erfindungsgemäßen Multilayer-Spiegels jeweils eine Dicke von mehr als 2 nm aufweisen.
Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der Multilayer- Spiegel zur Reflexion von Strahlung, deren Einfallswinkel ü- ber die Fläche des Multilayer-Spiegels variiert, vorgesehen ist. In diesem Fall weist die erste und/oder die zweite Schicht der Schichtpaare vorteilhaft einen Schichtdickegra- dienten auf, d.h. die Dicke der ersten und/oder zweiten Schichten variiert in lateraler Richtung. Die Herstellung derartiger Schichtdickegradienten ist bei einer Schichtenfolge, bei der die Einzelschichten zumindest 2 um dick sind, mit geringerem Aufwand verbunden als bei Schichtenfolgen mit Barriereschichten, bei denen zumindest die Barriereschichten Dicken im Sub-Nanometer-Bereich aufweisen.
Das Substrat ist zum Beispiel ein ebenes Substrat. Ferner ist es möglich, dass der Multilayer-Spiegel auf eine gekrümmte Oberfläche eines Substrats aufgebracht ist. Insbesondere kann die Oberfläche des Substrats eine asphärische Krümmung, beispielsweise eine parabolische oder elliptische Krümmung aufweisen..Zum Beispiel ist eine parabolisch gekrümmte Oberfläche zur Erzeugung eines weitgehend parallelen Strahls aus einer nahezu punktförmigen Strahlungsquelle geeignet, während eine elliptisch gekrümmte Oberfläche zur Fokussierung des Strahls einer Strahlungsquelle, die in einem ersten Brennpunkt der Ellipse angeordnet ist, in einen zweiten Brennpunkt der Ellipse geeignet ist.
Ein derartiger Multilayer-Spiegel wird bevorzugt zur Reflexion von EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge zwischen 12,5 m und 14 um verwendet.
Der Multilayer-Spiegel kann beispielsweise eine periodische Anordnung aus ersten und zweiten Schichten aufweisen, wobei die Periodendicke, also die Summe der Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht der Schichtpaare, innerhalb des Multilayer-Spiegels nicht variiert. Mit einem derartigen periodischen Multilayer-Spiegel lässt sich eine hohe Reflexion in einem engen Spektralbereich um eine vorgegebene Wellenlänge erzielen. Die Periodendicke der Schichtenfolge, also die Summe der Dicken der ersten Schicht und der zweiten Schicht der Schichtpaare, beträgt dabei vorteilhaft etwa 6,5 nm bis 7, 5 um.
Der Multilayer-Spiegel kann im Rahmen der Erfindung aber auch eine aperiodische Schichtenfolge enthalten, innerhalb derer die Dicken der ersten Schichten und/oder der zweiten Schichten variieren. Mit einem derartigen aperiodischen Multilayer- Spiegel ist es möglich, eine hohe Reflexion der Multilayer- Spiegel in einem vergleichsweise breiten Wellenlängen- beziehungsweise Einfallswinkelbereich zu erzielen, wobei die maximale Reflexion bei einer vorgegebenen Wellenlänge allerdings geringer ist als bei einem periodischen Multilayer-Spiegel .
Bevorzugt ist bei der Erfindung eine Deckschicht auf den Multilayer-Spiegel aufgebracht, die sich in ihren Material und/oder ihrer Dicke von den Schichten der Schichtpaare unterscheidet, um den Multilayer-Spiegel insbesondere vor Oxi- dation und Kontamination zu schützen. Anstatt einer einzelnen Deckschicht können auch zwei oder mehr Deckschichten aufgebracht sein. Besonders geeignete Materialien für die Deckschicht sind Oxide, Nitride, Carbide oder Boride, ferner auch Ruthenium, Rhodium, Scandium und Zirkonium.
Besonders geeignet ist ein Multilayer-Spiegel gemäß der Erfindung für die Verwendung bei Temperaturen von mehr als 300 0C, insbesondere im Temperaturbereich von 300 0C bis 500 0C. Die Bereichsangabe schließt, wie alle weiteren Bereichsangaben im Rahmen dieser Anmeldung, die angegebenen Grenzen mit ein.
Ein erfindungsgemäßer Multilayer-Spiegel hat insbesondere den Vorteil einer hohen Langzeitstabilität bei Temperaturen von mehr als 300 0C, insbesondere im Temperaturbereich von 300 0C bis 500 0C. Beispielswiese weist ein erfindungsgemäßer Multilayer-Spiegel auch nach einer Betriebszeit von 100 h bei ei- ner Temperatur von etwa 500 0C noch keine signifikante Verminderung der Reflexion und/oder der Periodendicke auf.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird der Multilayer-Spiegel auf eine hohe Betriebstemperatur, beispielsweise auf 300 0C oder mehr, vorzugsweise sogar auf 400 0C oder mehr, erhitzt, um die Abscheidung von Verunreinigungen auf dem Multilayer-Spiegel zu vermindern. Dazu kann eine Heizvorrichtung vorgesehen sein, die bevorzugt an einem Substrat des Multilayer-Spiegels angebracht ist. Dies ist insbesondere vorteilhaft bei einem Multilayer-Spiegel, der in der Nähe einer EUV-StrahlungsquelIe angeordnet ist, da der Multilayer-Spiegel in diesem Fall durch ein in der EUV-Strahlungs- quelle verwendetes Targetmaterial, beispielsweise Lithium, das mittels einem Laserstrahl zur Emission von EUV-Strahlung angeregt wird, verunreinigt werden könnte, wodurch die Reflexion beeinträchtigt würde. Durch ein Heizen des Multilayer- Spiegels auf eine Betriebstemperatur von vorzugsweise etwa 400 0C wird zum Beispiel der Haftkoeffizient von Lithium auf einer Oberfläche des Multilayer-Spiegels vorteilhaft derart vermindert, dass die Reflexion auch nach einer Betriebszeit von 100 h oder mehr nicht signifikant beeinträchtigt wird.
Aufgrund seiner hohen thermischen Beständigkeit kann ein erfindungsgemäßer Multilayer-Spiegel insbesondere in der Nähe einer EUV-Strahlungsquelle, beispielsweise einer Laser- Plasmaquelle, verwendet werden.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen in Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 3 näher erläutert.
Es zeigen: Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein Ausführungsbeispiel eines Multilayer- Spiegels gemäß der Erfindung,
Figur 2 eine grafische Darstellung der Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ von drei Ausführungs- beispielen eines Multilayer-Spiegels gemäß der Erfindung im Vergleich zu Mo/Si-, Mo/Si3N4- und Mo2B- Multilayer-Spiegeln,
Figur 3 eine schematische grafische Darstellung einer Anordnung, bei der ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Multilayer-Spiegels als Kollektor- Spiegel einer EUV-Strahlungsquelle verwendet wird.
Bei dem in Figur 1 dargestellten Multilayer-Spiegel gemäß der Erfindung ist eine Schichtenfolge 7, die eine Vielzahl von Schichtpaaren 5 enthält, auf ein Substrat 3 aufgebracht. Zur Vereinfachung der Darstellung sind nur vier Schichtpaare 5 dargestellt. Eine bevorzugte Anzahl der Schichtpaare 5 beträgt 30 bis 100.
Die Schichtpaare 5 bestehen jeweils aus einer ersten Schicht 1 aus einem ersten Material und einer zweiten Schicht 2 aus einem zweiten Material. Dabei ist zumindest eines der Materialien ein Siliziumborid oder ein Molybdännitrid.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das erste Material ein Siliziumborid, beispielsweise SiB4 oder SiB6.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das erste Material Silizium und das zweite Material ein Molybdännitrid, zum Beispiel MoN. Das Substrat 3 ist beispielsweise ein Halbleitersubstrat, insbesondere aus Silizium oder SiC, oder ein Substrat aus einem Glas oder einer Glaskeramik, insbesondere einer Glaskeramik mit einem geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Vorteilhaft weist das Substrat 3 eine Oberflächenrauheit von weniger als 0,2 nm auf. Unter der Oberflächenrauheit wird dabei die beispielsweise aus Kurvenanpassungen an mit Cu Ka- Strahlung gemessene Röntgenreflexionskurven bestimmbare rms- Rauheit der Oberfläche verstanden.
Der Multilayer-Spiegel weist bevorzugt mindestens eine auf die Schichtenfolge 7 aufgebrachte Deckschicht 6 auf. Durch die Auswahl eines gegen Oxidation verhältnismäßig unempfindlichen Materials für die Deckschicht 6 kann die thermische Stabilität des Multilayer-Spiegels 1 weiter erhöht werden.
Figur 2 zeigt eine grafische Darstellung der berechneten Reflexion R bei senkrechtem Einfall in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für einen herkömmlichen Mo/Si-Multilayer- Spiegel (Kurve 8), einen Mθ2B/Si-Multilayer-Spiegel (Kurve 9) und einen Mo/Si3N4-Multilayer-Spiegel (Kurve 13) im Vergleich zu drei Ausführungsbeispielen eines Multilayer-Spiegels gemäß der Erfindung (Kurven 10, 11, 12) . Es handelt sich bei diesen Ausführungsbeispielen um einen MoN/Si-Multilayer-Spiegel (Kurve 10) , einen Mo/Si-34-Multilayer-Spiegel (Kurve 11) und einen Mo/Si-35-Multilayer-Spiegel (Kurve 12) . Bei den berechneten Reflexionskurven wurde angenommen, dass die Anzahl der Schichtpaare jeweils 100 beträgt, und dass eine 2 nm dicke Deckschicht aus Siθ2 auf die Schichtenfolge aufgebracht ist.
Die erfindungsgemäßen Multilayer-Spiegel weisen aufgrund der zur Erzielung einer verbesserten Temperaturstabilität erfolgten Materialauswahl eine geringere Reflexion als die in herkömmlichen Multilayer-Spiegeln verwendete Materialpaarung Mo/Si auf. Wie die Simulationsrechnungen zeigen, kann mit ei- nem Multilayer-Spiegel, der Schichtpaare aus Molybdän und S1B4 oder SiBg enthält, eine Reflexion von mehr als 55 % erzielt werden (Kurven 11 und 12) . Für die Materialpaarung MoN/Si wurde eine Reflexion von mehr als 65 % (Kurve 10) bei der für Anwendungen in der EUV-Lithographie häufig verwendeten Wellenlänge von etwa 13,5 nm errechnet.
Die simulierten Reflektivitäten für die erfindungsgemäßen Schichtsysteme liegen somit zwischen den errechneten Werten für die Materialpaarung Mo/Si3N4 (Kurve 13) die eine Reflexion von mehr als 40 % aufweist, und für die Materialpaarungen Mθ2B/Si (Kurve 9) oder Mo/Si (Kurve 8), für die eine Reflexion von jeweils mehr als 70 % errechnet wurde.
In tatsächlichen SchichtSystemen kann die Reflexion aufgrund der nicht zu vermeidenden Grenzflächenrauheiten zumindest geringfügig geringer sein als bei den der Figur 2 zugrunde gelegten Schichtsystemen mit ideal glatten Grenzflächen.
Figur 3 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Multilayer-Spiegels 19, der eine auf ein gekrümmtes, vorzugsweise asphärisch gekrümmtes Substrat 14 aufgebrachte Schichtenfolge 7 aufweist. Die Schichtenfolge 7 enthält Schichtpaare aus ersten Schichten und zweiten Schichten (nicht dargestellt) , wobei die ersten und/oder die zweiten Schichten vorzugsweise in lateraler Richtung einen Schichtdickegradienten aufweisen. Beispielsweise nimmt die Schichtdicke der ersten und/oder der zweiten Schichten der Schichtenfolge 7 von der Mitte des Multilayer-Spiegels zu den Randbereichen hin zu, um die Bragg-Reflexionsbedingung für die unter verschiedenen Einfallswinkeln auf den Multilayer- Spiegel 19 auftreffende EUV-Strahlung 16 einer EUV- Strahlungsquelle 15 zu erfüllen.
Der Multilayer-Spiegel 19 fungiert als Kollektor-Spiegel der EUV-Strahlungsquelle 15. Die von der EUV-Strahlungsquelle 15 emittierte EUV-Strahlung 16 wird von dem Kollektor-Spiegel beispielsweise in einen Brennpunkt F fokussiert. Die EUV- Strahlungsquelle 15 ist zum Beispiel eine Laser-Plasma- Strahlungsquelle, in der ein Targetmaterial, beispielsweise Lithium-Tröpfchen, mittels LaserStrahlung zur Emission von EUV-Strahlung angeregt werden. Bei derartigen EUV-Strahlungs- quellen besteht oftmals das Problem, dass in der Umgebung der Strahlungsquelle angeordnete optische Elemente durch das Targetmaterial verunreinigt werden. Bei dem Multilayer-Spiegel 19 ist zur Lösung dieses Problems eine Heizvorrichtung 17 an dem Substrat 14 vorgesehen, mit welcher der Multilayer- Spiegel auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der das Targetmaterial der EUV-Strahlungsquelle 15 nur einen geringen Haftkoeffizienten aufweist uns somit von der Oberfläche 18 des Multilayer-Spiegels 19 desorbiert. Vorzugsweise wird der Multilayer-Spiegel 19 mittels der Heizvorrichtung 17 auf eine Betriebstemperatur von etwa 400 0C oder mehr erhitzt. Eine Temperatur von etwa 400 0C ist insbesondere im Fall eines Lithium-Targets vorteilhaft .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Multilayer-Spiegel für EUV-Strahlung, der eine auf einem Substrat angeordnete Schichtenfolge (7) aus einer Vielzahl von Schichtpaaren (5) aus jeweils einer ersten Schicht (1) aus einem ersten Material und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht (2) aus einem zweiten Material enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Schichten (1) und die zweiten Schichten (2) jeweils eine Dicke von mehr als 2 nm aufweisen, und dass das erste Material oder das zweite Material ein Silizi- umborid oder ein Molybdännitrid ist.
2. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material ein Siliziumborid und das zweite Material Molybdän ist.
3. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Material Silizium und das zweite Material ein Molybdännitrid ist.
4. Multilayer-Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (14) eine gekrümmte Oberfläche aufweist.
5. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Substrats (14) asphärisch gekrümmt ist.
6. Multilayer-Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Schichten (1) und/oder die zweiten Schichten (2) eine in lateraler Richtung variierende Dicke aufweisen.
7. Multilayer-Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Schichtenfolge (7) eine Deckschicht (6) aufgebracht ist.
8. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) ein Oxid, Silizid, Nitrid, Carbid oder Borid enthält.
9. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckschicht (6) zumindest eines der Materialien Ruthenium, Rhodium, Scandium oder Zirkonium enthält.
10. Multilayer-Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine HeizVorrichtung (17) vorgesehen ist, um den Multilayer- Spiegel (19) auf eine Betriebstemperatur von 300 0C oder mehr, bevorzugt 400 0C oder mehr, zu erhitzen.
11. Multilayer-Spiegel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Multilayer-Spiegel (19) auf ein Substrat (14) aufgebracht ist, an dem die Heizvorrichtung (17) angebracht ist.
12. Multilayer-Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Multilayer-Spiegel (19) ein Kollektorspiegel einer EUV-
Strahlungsquelle (15) ist.
13. Verwendung eines Multilayer-Spiegels nach einem der An- Sprüche 1 bis 12 zur Reflexion von EUV-Strahlung bei einer Betriebstemperatur von 300 0C bis 500 0C.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008002403A1 (de) 2008-06-12 2009-12-17 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagen-Beschichtung, optisches Element und optische Anordnung
DE102008040265A1 (de) 2008-07-09 2010-01-14 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009017096A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
JP2011222958A (ja) * 2010-03-25 2011-11-04 Komatsu Ltd ミラーおよび極端紫外光生成装置
US9448492B2 (en) 2011-06-15 2016-09-20 Asml Netherlands B.V. Multilayer mirror, method of producing a multilayer mirror and lithographic apparatus
DE102013207751A1 (de) 2013-04-29 2014-10-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit einer Mehrlagen-Beschichtung und optische Anordnung damit
DE102013107192A1 (de) * 2013-07-08 2015-01-08 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Reflektives optisches Element für streifenden Einfall im EUV-Wellenlängenbereich
FR3059434B1 (fr) * 2016-11-29 2019-05-17 Centre National De La Recherche Scientifique - Cnrs Composant de selection spectrale pour radiations xuv
US20210373212A1 (en) * 2020-05-26 2021-12-02 Lawrence Livermore National Security, Llc High reflectance and high thermal stability in reactively sputtered multilayers

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004007796A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of tungsten nitride

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190807A (en) * 1990-10-18 1993-03-02 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant polymeric substrate product
US5480706A (en) * 1991-09-05 1996-01-02 Alliedsignal Inc. Fire resistant ballistic resistant composite armor
JP3357876B2 (ja) * 1996-04-30 2002-12-16 株式会社デンソー Ｘ線反射装置
JPH09326347A (ja) * 1996-06-05 1997-12-16 Hitachi Ltd 微細パターン転写方法およびその装置
US5911858A (en) * 1997-02-18 1999-06-15 Sandia Corporation Method for high-precision multi-layered thin film deposition for deep and extreme ultraviolet mirrors
JPH1138192A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 多層膜反射鏡
US6073559A (en) * 1998-09-11 2000-06-13 Presstek, Inc. Lithographic imaging with constructions having inorganic oleophilic layers
US6385290B1 (en) * 1998-09-14 2002-05-07 Nikon Corporation X-ray apparatus
US6670040B1 (en) * 1999-07-14 2003-12-30 Tokai University Educational System Carbon fiber-reinforced carbon composite body and method of manufacturing the same
DE10011547C2 (de) * 2000-02-28 2003-06-12 Fraunhofer Ges Forschung Thermisch stabiles Schichtsystem zur Reflexion von Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV)
DE10011548C2 (de) * 2000-02-28 2003-06-18 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines thermisch stabilen Schichtsystems zur Reflexion von Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV)
US6664554B2 (en) * 2001-01-03 2003-12-16 Euv Llc Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography
US6396900B1 (en) * 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE10150874A1 (de) * 2001-10-04 2003-04-30 Zeiss Carl Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP3864106B2 (ja) * 2002-03-27 2006-12-27 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー 透過ｘ線データ獲得装置およびｘ線断層像撮影装置
EP1348984A1 (de) 2002-03-27 2003-10-01 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optisches Breitbandelement und Verfahren zur dessen Herstellung
FR2853418B1 (fr) 2003-04-01 2005-08-19 Commissariat Energie Atomique Dispositif optique a stabilite mecanique renforcee fonctionnant dans l'extreme ultraviolet et masque de lithographie comportant un tel dispositif
WO2004104707A2 (de) * 2003-05-22 2004-12-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente
US7193228B2 (en) 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
JP2005300249A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Nikon Corp 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及びｅｕｖ露光装置
JP2006173446A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
DE102004062289B4 (de) 2004-12-23 2007-07-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004007796A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of tungsten nitride

Also Published As

Publication number Publication date
KR101350325B1 (ko) 2014-01-10
US7986455B2 (en) 2011-07-26
KR20080096660A (ko) 2008-10-31
WO2007090364A2 (de) 2007-08-16
DE102006006283B4 (de) 2015-05-21
DE102006006283A1 (de) 2007-08-23
JP5054707B2 (ja) 2012-10-24
CA2640511A1 (en) 2007-08-16
CA2640511C (en) 2014-09-23
US20090009858A1 (en) 2009-01-08
JP2009526387A (ja) 2009-07-16
WO2007090364A3 (de) 2007-09-20

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