DE102009060873A1 - Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen - Google Patents
Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102009060873A1 DE102009060873A1 DE102009060873A DE102009060873A DE102009060873A1 DE 102009060873 A1 DE102009060873 A1 DE 102009060873A1 DE 102009060873 A DE102009060873 A DE 102009060873A DE 102009060873 A DE102009060873 A DE 102009060873A DE 102009060873 A1 DE102009060873 A1 DE 102009060873A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- integrated circuit
- substrate
- supply
- generating units
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 title abstract description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung (10) zum schnellen Schalten eines hohen Stroms, die insbesondere als Lasertreiber ausgebildet ist. Die integrierte Schaltung (10) weist mehrere in Funktion und Layout gleiche Unterschaltkreisen (201 bis 2050) auf, die nebeneinander auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind. Jeder Unterschaltkreis (201 bis 2050) weist eine schnell schaltende Stromerzeugungseinrichtung (50, 55) zum Bereitstellen eines Teilstroms des zu schaltenden hohen Stroms, einen Versorgungsanschluss (95) zum Anlegen einer Versorgungsspannung und einen mit der Stromerzeugungseinrichtung verbundenen Ausgangsanschluss (90) auf. Die Versorgungsanschlüsse (95) und die Ausgangsanschlüsse (90) sind auf dem Substrat parallel geschaltet. Die Unterschaltkreise werden im gleichen Arbeitspunkt betrieben und zeitgleich angesteuert.
Description
- Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung zum schnellen Schalten eines hohen Stroms, die insbesondere als Lasertreiber ausgebildet ist.
- Lasertreiber sind hinlänglich bekannt.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine integrierte Schaltung zum schnellen Schalten eines hohen Stroms zu schaffen, die skalierbar und als Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber einsetzbar ist.
- Ein Kerngedanke der Erfindung ist darin zu sehen, eine Vielzahl von baugleichen Funktionsblöcken, die jeweils für sich voll funktionsfähig sind, nebeneinander auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat zu integrieren. Die Funktionsblöcke werden derart verschaltet, dass die einzelnen Funktionen, die die Funktionsblöcke jeweils durchführen, in ihrer Wirkung vorzugsweise addiert werden. Im Ergebnis weist die integrierte Gesamtschaltung dann die gleichen parametrischen Eigenschaften (zum Beispiel Geschwindigkeit, Pulsform, Spannungsabhängigkeit, Temperaturgang) wie ein einzelner Funktionsblock auf. Demzufolge genügt es, die einzelnen Funktionsblöcke hinsichtlich ihrer auszuführenden Funktion zu optimieren, um eine optimierte Gesamtschaltung zu erzielen. Die Funktionsblöcke werden vorzugsweise im gleichen Arbeitspunkt betrieben und im Wesentlichen zeitgleich angesteuert.
- Das oben genannte technische Problem wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Dementsprechend wird eine integrierte Schaltung zum schnellen Schalten eines hohen Stroms geschaffen. Die integrierte Schaltung weist mehrere in Funktion und Layout gleiche Unterschaltkreise auf, die nebeneinander auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat angeordnet sind. Der Begriff „nebeneinander” bedeutet, dass die Unterschaltkreise ein- oder mehrzeilig und/oder ein- oder mehrspaltig auf dem Substrat angeordnet sein können. Jeder Unterschaltkreis weist eine schnell schaltende Stromerzeugungseinrichtung zum Bereitstellen eines Teilstroms des zu schaltenden hohen Stroms, einen Versorgungsanschluss zum Anlegen einer Versorgungsspannung und einen mit der Stromerzeugungseinrichtung verbundenen Ausgangsanschluss auf, wobei die Versorgungsanschlüsse und die Ausgangsanschlüsse auf dem Substrat, also innerhalb der integrierten Schaltung parallel geschaltet sind.
- Auf diese Weise entsteht ein skalierbarer Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber. Das Merkmal „zum schnellen Schalten” drückt aus, dass die integrierte Schaltung Schaltzeiten im Subnanosekunden-Bereich erzielen kann. Das Merkmal „hoher Strom” ist dahin gehend zu verstehen, dass Ströme im Bereich von hundert Milli-Ampere bis zu einigen Ampere, zum Beispiel zwischen 300 mA und 5 A, geschaltet werden können.
- Jeder Unterschaltkreis kann einen Stelleingang zum Anlegen einer Referenzspannung aufweisen, welche den Teilstrom der jeweiligen Stromerzeugungseinrichtung einstellt. Die Stelleingänge sind auf dem Substrat zusammengeschaltet
- Um den Arbeitspunkt und somit den Teilstrom einstellen zu können, kann jeder Unterschaltkreis wenigstens einen Kondensator und/oder eine Impedanz und/oder aktive Schaltungselemente zum Beispiel zur Ansteuerung und/oder Pulsformung aufweisen. Die Stromerzeugungseinrichtungen der Unterschaltkreise weisen zweckmäßigerweise alle den gleichen Arbeitspunkt auf. Damit ist sichergestellt, dass die Gesamtfunktion der integrierten Schaltung durch eine Addition gleichwertiger Einzelfunktionen ohne gegenseitige Beeinflussungen oder Störungen definiert ist.
- Vorteilhafter Weise kann jeder Unterschaltkreis einen Eingangsanschluss zum Anlegen eines Steuersignals aufweisen. Das Steuersignal kann über ein Ansteuernetzwerk den Eingangsanschlüssen zugeführt werden, so dass die Unterschaltkreise zeitgleich ansteuerbar sind.
- Das Ansteuernetzwerk kann auf dem Substrat angeordnet sein, um eine kompakte Bauweise und schnelle und präzise Ansteuerung der Unterschaltkreise zu erreichen.
- Um eine Gleichzeitigkeit der Schaltvorgänge hinsichtlich der Unterschaltkreise zu erreichen, kann das Ansteuernetzwerk eine Baustruktur mit Verzögerungs- und/oder Verstärkungselementen aufweisen.
- Zweckmäßigerweise ist die integrierte Schaltung zum Treiben wenigstens einer Laserdiode ausgebildet.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit einer einzigen Figur näher erläutert.
- Die Figur zeigt eine integrierte Schaltung
10 , welche als skalierbarerer Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber ausgebildet ist. Im vorliegenden Beispiel enthält der Hochgeschwindigkeits-Stromstreiber10 fünfzig nebeneinander angeordnete Unterschaltkreise201 bis2050 , die auf einem Halbleitersubstrat (nicht dargestellt) angeordnet sind. Die Unterschaltkreise werden nachfolgend auch als Funktionszellen oder Funktionsblöcke bezeichnet. Die Funktionsblöcke201 bis2050 weisen den gleichen schaltungstechnischen Aufbau auf, enthalten also die gleichen passiven und aktiven Bauelemente. Weiterhin sind die Funktionsblöcke hinsichtlich der Funktion und des Layouts gleich. Im vorliegenden Beispiel ermöglicht das gewählte Layout eine spalten- oder zeilenweise Anordnung der Funktionsblöcke. Denkbar ist auch ein Layout, welches eine mehrzeilige und/oder mehrspaltige Anordnung von Funktionsblöcken auf einem Substrat ermöglicht. Jeder Funktionsblock ist derart aufgebaut, dass er einen Teilstrom IT von beispielsweise 10 mA liefern kann. Folglich kann der Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber10 einen 500 mA hohen Gesamtstrom IL zum Treiben einer Laserdiode100 liefern. - Da alle Funktionsblöcke gleich aufgebaut sind und die gleiche Funktion ausführen, wird der prinzipielle Aufbau lediglich anhand des Funktionsblocks
201 näher erläutert. - Der Funktionsblock
201 weist einen mit CI bezeichneten Stelleingang30 auf, an den eine Referenzspannung beispielsweise über eine Gleichspannungsquelle40 angelegt werden kann. Erwähnt sei, dass der Laserstrom IL der Laserdiode100 eine Funktion dieser Referenzspannung ist. Der Funktionsblock201 weist ferner eine schaltbare Stromerzeugungseinrichtung auf, die schematisch durch einen als Stromquelle fungierenden Feldeffekttransistor55 und einen als Schalter betriebenen Feldeffekttransistor50 , welche in Reihe geschaltet sind, dargestellt ist. Zudem verfügt der Funktionsblock201 über einen Versorgungs- bzw. Masseanschluss95 und einen Ausgangsanschluss90 . Die Ausgangsanschlüsse90 und die Masseanschlüsse95 aller Funktionsblöcke sind auf dem Substrat zusammengeschaltet. Die zusammengeschalteten Ausgangsanschlüsse90 sind mit der Kathode der Laserdiode100 verbunden, deren Anode mit einer Versorgungsquelle170 verbunden ist, die an Masse angeschlossen ist und eine Betriebsspannung VDD liefert. Ein Kondensator110 ist der Laserdiode100 und dem Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber10 zugeordnet, wobei der Kondensator110 die Spannungsversorgung abblockt und schnelle Umschaltströme liefert. Zwischen dem Stelleingang30 und der Spannungsquelle40 kann eine Impedanz oder aktive Schaltung120 geschaltet sein, die außerhalb des Funktionsblocks201 und somit aller übrigen Funktionsblöcke liegen kann. Innerhalb des Funktionsblocks201 kann ebenfalls eine Impedanz oder aktive Schaltung122 zwischen dem Stelleingang30 und dem Gate-Anschluss des Transistors55 geschaltet sein. Die Referenzspannung wird über den Eingangsanschluss30 dem Gate-Anschluss des als Stromquelle fungierenden Feldeffekttransistors55 zugeführt. Zwischen dem Gate-Anschluss des Feldeffekttransistors55 und dem Source-Anschluss des Feldeffekttransistors50 kann ein Kondensator80 geschaltet sein. Der Kondensator80 hält die Spannung am Gate des Feldeffekttransistors55 konstant. Mittels der Impedanz oder aktiven Schaltung120 , der Impedanz oder aktiven Schaltung122 und dem Kondensator80 wird der Arbeitspunkt der Stromerzeugungseinrichtung jedes Funktionsblocks eingestellt. Die Impedanz oder aktive Schaltung122 und der Kondensator80 können als Bestandteile der Stromerzeugungseinrichtung betrachtet werden. Der Source-Anschluss des als Schalter fungierenden Feldeffekttransistors50 ist mit dem Masseanschluss95 verbunden, während der Drain-Anschluss der Feldeffekttransistors55 mit dem Ausgangsanschluss90 verbunden ist. Der Schalttransistor50 ist über eine elektronische Schaltung70 , welche einen Verstärker, Pulsformer, eine Signalaufbereitung und/oder Ansteuerungselektronik enthalten kann, mit einem Eingang35 verbunden, der als Steuereingang fungiert. An die Steuereingänge35 der Funktionsblöcke201 bis2050 kann ein Steuersignal über ein Ansteuernetzwerk180 angelegt werden. Das Ansteuernetzwerk180 , das ebenfalls auf dem Substrat des Hochgeschwindigkeits-Stromtreibers10 angeordnet sein kann, ist derart ausgebildet, dass die Stromerzeugungseinrichtungen der Funktionsblöcke zeitgleich angesteuert werden können. Das Steuersignal kann von einer entsprechenden Einrichtung60 bereitgestellt werden. Das Ansteuernetzwerk180 kann eine Baumstruktur aufweisen. Im vorliegenden Beispiel enthält das Ansteuernetzwerk180 einen Strang, welcher ein Verzögerungs- und Verstärkerelement160 aufweist, von dem sich mehrere Verzögerungs- und/oder Verstärkungselemente150 ,140 abzweigen. Die Einrichtung60 ist an das Verzögerungs- und/oder Verstärkerelement160 angeschlossen. In Flussrichtung des Steuersignals betrachtet, verzweigt jedes Verzögerungs- und/oder Verstärkerelements160 ,150 ,140 beispielsweise zu zwei nachfolgenden Verzögerungs- und/oder Verstärkerelemente. So verzweigt das Verzögerungs- und/oder Verstärkerelement140 zu zwei Verzögerungs- und/oder Verstärkerelementen135 bzw.130 , die beispielsweise jeweils mit zwei benachbarten Funktionsblöcken verbunden sind. Im vorliegenden Beispiel sind daher die Steuereingänge35 der Funktionsblöcke201 und202 mit dem Verzögerungs- und/oder Verstärkerelement130 verbunden, während die Steuereingänge35 der beiden benachbarten Funktionsblöcke203 und204 mit dem Verzögerungs- und/oder Verstärkerelement135 verbunden sind. In ähnlicher Weise können die übrigen Funktionsblöcke an das Ansteuernetzwerk180 angeschlossen sein. Bei entsprechender Dimensionierung der Verzögerungs- und/oder Verstärkerelemente innerhalb der Baumstruktur kann sichergestellt werden, dass das von der Einrichtung60 bereitgestellte Steuersignal verzögert aber zeitgleich an den Eingängen35 der Funktionsblöcke201 bis2050 anliegt. - Weiterhin ist denkbar, dass in jedem Funktionsblock weitere passive oder aktive Bauelemente integriert sein können. Dank der Verwendung von in Funktion und Layout gleichen Funktionsblöcken, kann ein skalierbarer Hochgeschwindigkeits-Stromtreiber
10 aufgebaut werden. Jeder Funktionsblock201 bis2050 wird hierbei optimal auf einen kleinen Strom, hier 10 mA, ausgelegt, so dass im Ergebnis die Gesamtschaltung auf einen hohen Strom, im vorliegenden Fall 500 mA, optimiert wird.
Claims (6)
- Integrierte Schaltung (
10 ) zum schnellen Schalten eines hohen Stroms mit mehreren in Funktion und Layout gleichen Unterschaltkreisen (201 bis2050 ), die nebeneinander auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind, wobei jeder Unterschaltkreis (201 bis2050 ) eine schnell schaltende Stromerzeugungseinrichtung (50 ,55 ) zum Bereitstellen eines Teilstroms des zu schaltenden hohen Stroms, einen Versorgungsanschluss (95 ) zum Anlegen einer Versorgungsspannung und einen mit der Stromerzeugungseinrichtung verbundenen Ausgangsanschluss (90 ) aufweist, wobei die Versorgungsanschlüsse (95 ) und die Ausgangsanschlüsse (90 ) auf dem Substrat parallel geschaltet sind. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Unterschaltkreis (
201 bis2050 ) einen Stelleingang (30 ) zum Anlegen einer Referenzspannung zur Einstellung der Stromerzeugungseinrichtung aufweist, wobei die Stelleingänge (30 ) auf dem Substrat zusammengeschaltet sind. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Unterschaltkreis (
201 bis2050 ) einen Eingangsanschluss (35 ) zum Anlegen eines Steuersignals aufweist, wobei das Steuersignal über ein Ansteuernetzwerk (180 ) den Eingangsanschlüssen (35 ) zuführbar ist, so dass die Unterschaltkreise (201 bis2050 ) zeitgleich ansteuerbar sind. - Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Ansteuernetzwerk (
180 ) auf dem Substrat angeordnet ist. - Integrierter Schaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Ansteuernetzwerk (
180 ) eine Baumstruktur mit Verzögerungs- und/oder Verstärkerelementen (130 ,135 ,140 ,150 ,160 ) aufweist. - Integrierter Schaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Schaltung (
10 ) zum Treiben wenigstens einer Laserdiode (100 ) ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009060873.7A DE102009060873B4 (de) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009060873.7A DE102009060873B4 (de) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102009060873A1 true DE102009060873A1 (de) | 2011-07-07 |
DE102009060873B4 DE102009060873B4 (de) | 2023-03-30 |
Family
ID=44312515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102009060873.7A Active DE102009060873B4 (de) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102009060873B4 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017121713A1 (de) | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte Lasertreiberschaltung zum Schalten eines Pulsstroms für eine Laserdiode |
WO2021013308A1 (de) | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Jan Meijer | Nv-zentrum basierender mikrowellenfreier quantensensor und dessen anwendungen und ausprägungen |
DE102020124564A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-08 | Elmos Semiconductor Se | Linse für ein mechanikloses LIDARSystem für eine Drohne |
DE102020114782A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-08 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses LIDAR-System für eine Drohne |
WO2021140160A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | Elmos Semiconductor Se | Lichtmodul und lidar-vorrichtung mit mindestens einem derartigen lichtmodul |
DE102021101584B3 (de) | 2021-01-25 | 2022-03-10 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
DE102021128923A1 (de) | 2021-01-25 | 2022-07-28 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5038189A (en) * | 1989-03-01 | 1991-08-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driving circuit |
DE4210022A1 (de) * | 1992-03-27 | 1993-09-30 | Sel Alcatel Ag | Ansteuerschaltung für einen Laser |
DE102008018602A1 (de) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Atmel Automotive Gmbh | Lasertreiberschaltung und Verwendung |
DE102008036985A1 (de) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Atmel Automotive Gmbh | Lasertreiberschaltung, Verfahren zum Steuern einer Lasertreiberschaltung und Verwendung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2545295B1 (fr) | 1983-04-29 | 1985-07-12 | Thomson Csf | Amplificateur hyperfrequence de puissance |
JPH10163772A (ja) | 1996-10-04 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 電力増幅器およびチップキャリヤ |
JP2005026410A (ja) | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
US7177334B2 (en) | 2003-10-02 | 2007-02-13 | Asia Optical Co., Ltd. | High power driver system |
DE102004063198B4 (de) | 2004-12-23 | 2009-04-30 | Atmel Germany Gmbh | Treiberschaltung, insbesondere für Laser-Dioden und Verfahren zur Bereitstellung einer Treiberpulsfolge |
-
2009
- 2009-12-30 DE DE102009060873.7A patent/DE102009060873B4/de active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5038189A (en) * | 1989-03-01 | 1991-08-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser driving circuit |
DE4210022A1 (de) * | 1992-03-27 | 1993-09-30 | Sel Alcatel Ag | Ansteuerschaltung für einen Laser |
DE102008018602A1 (de) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Atmel Automotive Gmbh | Lasertreiberschaltung und Verwendung |
DE102008036985A1 (de) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Atmel Automotive Gmbh | Lasertreiberschaltung, Verfahren zum Steuern einer Lasertreiberschaltung und Verwendung |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11936159B2 (en) | 2017-09-19 | 2024-03-19 | Ic-Haus Gmbh | Integrated laser driver circuit for switching a pulse current for a laser diode |
WO2019057236A1 (de) | 2017-09-19 | 2019-03-28 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte lasertreiberschaltung zum schalten eines pulsstroms für eine laserdiode |
CN111108656A (zh) * | 2017-09-19 | 2020-05-05 | Ic-豪斯有限公司 | 用于切换激光二极管的脉冲电流的激光驱动器集成电路 |
CN111108656B (zh) * | 2017-09-19 | 2024-04-09 | Ic-豪斯有限公司 | 用于切换激光二极管的脉冲电流的激光驱动器集成电路 |
DE102017121713A1 (de) | 2017-09-19 | 2019-03-21 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte Lasertreiberschaltung zum Schalten eines Pulsstroms für eine Laserdiode |
WO2021013308A1 (de) | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Jan Meijer | Nv-zentrum basierender mikrowellenfreier quantensensor und dessen anwendungen und ausprägungen |
US11988619B2 (en) | 2019-07-25 | 2024-05-21 | Quantum Technologies Gmbh | NV-center-based microwave-free quantum sensor and uses and characteristics thereof |
WO2021140160A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | Elmos Semiconductor Se | Lichtmodul und lidar-vorrichtung mit mindestens einem derartigen lichtmodul |
EP4239370A2 (de) | 2020-01-07 | 2023-09-06 | Elmos Semiconductor SE | Lichtmodul und lidar-vorrichtung mit mindestens einem derartigen lichtmodul |
EP4254011A2 (de) | 2020-01-07 | 2023-10-04 | Elmos Semiconductor SE | Lichtmodul und lidar-vorrichtung mit mindestens einem derartigen lichtmodul |
DE102020114782A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-08 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses LIDAR-System für eine Drohne |
DE102020124564A1 (de) | 2020-01-07 | 2021-07-08 | Elmos Semiconductor Se | Linse für ein mechanikloses LIDARSystem für eine Drohne |
DE102021128923A1 (de) | 2021-01-25 | 2022-07-28 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
DE102021101584B3 (de) | 2021-01-25 | 2022-03-10 | Elmos Semiconductor Se | Mechanikloses ISO26262 konformes LIDAR-System |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102009060873B4 (de) | 2023-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4224804C1 (de) | Programmierbare logische Schaltungsanordnung | |
DE102009060873A1 (de) | Integrierte Schaltung zum schnellen Schalten von hohen Strömen | |
DE3743969C2 (de) | ||
DE60106541T2 (de) | LVDS Schaltungen, die für die Stromversorgung in Serie geschaltet sind | |
DE102017100879B4 (de) | Elektrische Schaltung und Verfahren zum Betrieb einer elektrischen Schaltung | |
DE102017121713A1 (de) | Integrierte Lasertreiberschaltung zum Schalten eines Pulsstroms für eine Laserdiode | |
EP2298028B1 (de) | Schaltungsanordnung und verfahren zum betreiben mindestens einer ersten und einer zweiten led | |
DE2514012C2 (de) | Monolithisch integrierte halbleiterschaltungsanordnung, insbesondere fuer koppelbausteine von vermittlungssystemen | |
DE102013203929A1 (de) | Verfahren zur ansteuerung eines halbleiterbauelements | |
DE3148410C2 (de) | Programmierbare Verknüpfungsschaltung | |
DE102020125996A1 (de) | Halbleiterrelaismodul und halbleiterrelaiskreis | |
DE102018131023A1 (de) | Optoelektronische leuchtvorrichtung mit einem pwm-transistor und verfahren zum herstellen oder steuern einer optoelektronischen leuchtvorrichtung | |
DE2525690C3 (de) | Logische DOT-Verknüpfungsschaltung in Komplementär-Feldeffekttransistor-Technik | |
DE10393795T5 (de) | Impulserzeugungsschaltung und Abtastschaltung | |
DE19880406C2 (de) | Integrierte CMOS-Schaltung | |
DE102005051065B4 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung zum Zuschalten einer Spannungsdomäne | |
DE102020209180A1 (de) | Matrixschaltung zur Verarbeitung eines Vektors von Spannungen | |
DE102016223354B4 (de) | Schalt-Schaltungsanordnung, Gleichspannungsschnittstelle und Verfahren zum Betreiben einer Schalt-Schaltungsanordnung | |
DE10038665C1 (de) | Schaltungsanordnung zum Deaktivieren von Wortleitungen einer Speichermatrix | |
DE10059309A1 (de) | Digitale Pegelanpassung | |
DE60100929T2 (de) | Treiberschaltung mit einstellbarem Ausgangsstrom | |
DE10146509C2 (de) | Integrierte Schaltung mit einer Eingangsschaltung | |
WO2021053083A1 (de) | Anordnung und verfahren zum betreiben eines diodenarrays | |
CH682224A5 (de) | ||
DE112019003379T5 (de) | Halbleiterrelaismodul und Halbleiterrelaiskreis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01S0005062000 Ipc: H01S0005042000 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |