DE102009034404B4 - Transformatoren und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

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Abstract

Transformator (120), aufweisend: – ein Halbleiter-Arbeitsstück (102); und – ein über dem Halbleiter-Arbeitsstück (102) angeordnetes Kapselungssystem, wobei das Kapselungssystem eine Umverdrahtungsschicht (104) und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung aufweist, wobei mindestens ein Teil mindestens einer ersten Wicklung (122) des Transformators (120) in der Umverdrahtungsschicht (104) des Kapselungssystems angeordnet ist und wobei mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung (124) des Transformators (120) in mindestens einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) in der Nähe des mindestens einen Teils der ersten Wicklung (122) angeordnet ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Halbleiterbauelemente und insbesondere Transformatoren.
  • Halbleiterbauelemente werden in vielfältigen Elektronikanwendungen verwendet, wie zum Beispiel in PCs, Mobiltelefonen, Digitalkameras und anderen Elektronikgeräten. Halbleiterbauelemente werden typischerweise durch sequenzielles Abscheiden von isolierenden oder dielektrischen Schichten, leitfähigen Schichten und halbleitfähigen Schichten aus Material über einem Halbleitersubstrat und Strukturieren der verschiedenen Schichten unter Verwendung von Lithographie zur Bildung von Schaltungskomponenten und Elementen darauf hergestellt.
  • Ein Transformator ist ein elektrisches Bauelement, das Energie überträgt. Ein Transformator besitzt eine Eingangsseite mit einer Primärwicklung und eine Ausgangsseite mit einer Sekundärwicklung. An die Primärwicklung angelegte elektrische Energie wird in ein Magnetfeld umgewandelt, das in der Sekundärwicklung einen Strom induziert. Der Strom in der Sekundärwicklung trägt Energie zu einer mit der Sekundärwicklung verbundenen Last. Die an die Primärwicklung angelegte Energie liegt gewöhnlich in der Form einer sich ändernden Spannung vor, die in der Primärwicklung einen sich konstant ändernden Strom erzeugt, wodurch ein sich änderndes Magnetfeld verursacht wird. Das sich ändernde Magnetfeld erzeugt in der Sekundärwicklung einen Strom.
  • Transformatoren werden typischerweise verwendet, um Energie umzuwandeln oder eine Energiequelle zu isolieren. Transformatoren können Energie an der Primärwicklung in einen anderen Spannungspegel an der Sekundärwicklung umwandeln, indem sie verschiedene Windungszahlen auf der Primärwicklung und auf der Sekundärwicklung verwenden. Das Spannungsverhältnis des Transformators ist dasselbe wie das Windungsverhältnis der Primär- und Sekundärwicklung. Transformatoren können verwendet werden, um die Energiequelle von der Zielenergiequelle zu isolieren, aus Sicherheitsgründen oder um ein Spannungsoffset zwischen der Quelle und der Last zu ermöglichen. Ferner können Transformatoren auch zur Transformation von Impedanz verwendet werden.
  • Transformatoren werden im Allgemeinen in zwei Haupttypen unterteilt: Leistungstransformatoren und Signaltransformatoren. Leistungstransformatoren dienen zum Umwandeln von Spannungen und liefern Betriebsstrom für elektrische Bauelemente. Signaltransformatoren dienen zum Übertragen von Informationen von einer Form oder Stelle zu einer anderen Form oder Stelle.
  • Bei bestimmten Halbleiterbauelementanwendungen sind Transformatoren erforderlich, wie zum Beispiel in Hochfrequenz-(HF-)Schaltungen, Analogschaltungen, Leistungsverstärkern oder anderen Arten von Halbleiterbauelementen. Die Verwendung von externen Transformatoren mit Halbleiterbauelementen kann kostspielig sein und kann die Materialliste (BOM) für eine Anwendung vergrößern. Darüber hinaus sind externe Transformatoren groß und erfordern viel Platz.
  • Die Bildung von Transformatoren in leitfähigen Materialschichten von Halbleiterbauelementen führt zu Transformatoren mit einem niedrigen Gütefaktor (Q). Die dünnen Metallschichten von Halbleiterbauelementen begrenzen die Art, Größe und Betriebseigenschaften des Transformators, der gebildet werden kann. Ein Versuch, die Dicke leitfähiger Materialschichten zu vergrößern, um einen Transformator auf einem Chip aufzubauen, würde zu erhöhten Kosten für die Halbleiterbauelemente führen.
  • Aus der US 2006/0 263 727 A1 ist ein Halbleiterchip mit Wicklungen im Halbleiter und in der Kapselung bekannt, siehe 15. Aus der US 2004/0 145 380 A1 und US 2007/0 279 176 A1 sind Halbleiterbauelemente mit Transformator bekannt, bei denen die Wicklungen in einer Umverdrahtungsebene liegen, siehe 5 und 6, bzw. 9. In WOJNOWSKI, M. [et al.]: High Frequency Characterization of Thin-Film Redistribution Layers for Embedded Wafer Level BGA”, In: 9th Electronic Packaging Technology Conference 2007, IEEE, 2007, S. 308–314 – ISBN 978-1-4244-1323-2 werden Spulen in einer Umverdrahtungsebene in einer eingebetteten Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung gezeigt, siehe 10.
  • Es werden somit in der Technik verbesserte Transformatorentwürfe für Halbleiterbauelementanwendungen benötigt.
  • Durch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die neuartige Entwürfe für Transformatoren und Verfahren zum Herstellen derselben aufweisen, werden im Allgemeinen technische Fortschritte erzielt.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist ein Transformator auf ein Halbleiter-Arbeitsstück und ein über dem Halbleiter-Arbeitsstück angeordnetes Kapselungssystem. Das Kapselungssystem weist eine Umverdrahtungsschicht und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung auf. Mindestens ein Teil mindestens einer ersten Wicklung des Transformators ist in der Umverdrahtungsschicht des Kapselungssystems angeordnet. Mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung des Transformators in mindestens einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks in der Nähe des mindestens einen Teils der ersten Wicklung angeordnet ist.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß noch einer anderen Ausführungsform wird ein Verfahren zum Herstellen eines Transformators bereitgestellt, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleiter-Arbeitsstücks, wobei das Bereitstellen des Halbleiter-Arbeitsstücks aufweist, ein Arbeitsstück bereitzustellen, das eine zweite Wicklung des Transformators aufweist; und Bilden eines Kapselungssystems über dem Halbleiter-Arbeitsstück, wobei das Kapselungssystem eine Umverdrahtungsschicht aufweist, wobei das Bilden des Kapselungssystems aufweist, eine Umverdrahtungsschicht zu bilden, die mindestens einen Teil mindestens einer Wicklung des Transformators aufweist und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung zu bilden, wobei das Bilden der den mindestens einen Teil der mindestens einen Wicklung des Transformators aufweisenden Umverdrahtungsschicht aufweist, eine erste Wicklung des Transformators zu bilden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Im Obigen wurden relativ allgemein die Merkmale und technischen Fortschritte von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung skizziert, damit die folgende ausführliche Beschreibung der Erfindung besser verständlich wird. Im Folgenden werden zusätzliche Merkmale und Vorteile von Ausführungsformen der Erfindung beschrieben.
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgenden Beschreibungen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verwiesen.
  • Es zeigen
  • 1 eine Querschnittsansicht eines gekapselten Halbleiter-Arbeitsstücks, wobei mindestens ein Teil der Wicklung eines Transformators in einer Umverdrahtungsschicht eines Kapselungssystems für das Halbleiter-Arbeitsstück angeordnet ist;
  • 2 eine Draufsicht einer in einer Umverdrahtungsschicht eines Kapselungssystems angeordneten ersten Wicklung eines Transformators gemäß einer Ausführungsform;
  • 3 eine Draufsicht einer in einer leitfähigen Materialschicht eines Halbleiter-Arbeitsstücks angeordneten zweiten Wicklung des Transformators;
  • 4 eine Draufsicht der über der ersten Wicklung von 2 angeordneten zweiten Wicklung von 3;
  • 5 und 6 Draufsichten einer in zwei leitfähigen Materialschichten eines Halbleiter-Arbeitsstücks gebildeten zweiten Wicklung eines Transformators;
  • 7 eine Querschnittsansicht der zweiten Wicklung in den zwei leitfähigen Materialschichten des in 5 und 6 gezeigten Halbleiter-Arbeitsstücks, wobei eine erste Wicklung eines in 2 gezeigten Transformators über dem Teil der zweiten Wicklung in der oberen leitfähigen Materialschicht angeordnet ist;
  • 8 bis 10 Draufsichten von Wicklungen eines Transformators gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 11 eine perspektivische Ansicht der Wicklungen von 8 bis 10 übereinander angeordnet;
  • 12 eine Draufsicht einer anderen Ausführungsform, wobei eine erste Wicklung und eine zweite Wicklung eines Transformators beide in einer Umverdrahtungsschicht eines Kapselungssystems gebildet werden; und
  • 13 eine Querschnittsansicht der in 12 gezeigten Ausführungsform.
  • Entsprechende Bezugszahlen und Symbole in den verschiedenen Figuren beziehen sich im Allgemeinen auf entsprechende Teile, wenn es nicht anders angegeben wird. Die Figuren sind so gezeichnet, dass die relevanten Aspekte der bevorzugten Ausführungsformen deutlich dargestellt werden und sie sind nicht unbedingt maßstabsgetreu.
  • Die Herstellung und Verwendung der zurzeit bevorzugten Ausführungsformen werden im Folgenden ausführlich besprochen.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung enthalten das vertikale Stapeln von Primärwicklungen und die Sekundärwicklungen eines Transformators in einem Halbleiter-Arbeitsstück und/oder in den Kapselungsschichten des Halbleiter-Arbeitsstücks. Bei bestimmten Ausführungsformen werden Metallisierungsschichten auf dem Chip, z. B. die oberen leitfähigen Materialschichten des Halbleiter-Arbeitsstücks, verwendet, um die Sekundärwicklungen zu bilden und eine Umverdrahtungsschicht eines Kapselungssystems wird verwendet, um die Primärwicklungen zu bilden. Es können Transformatoren mit Wicklungen mit einer oder mehreren Windungen gebildet werden, und die Metallebenen auf dem Chip können für die Überkreuzungen und Brücken der in der Umverdrahtungsschicht gebildeten Wicklung verwendet werden. Wenn eine zweite Umverdrahtungsschicht in dem Kapselungssystem verfügbar ist, können in einer nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform Transformatoren nur in dem Kapselungssystem gebildet werden, ohne dass die Verwendung von Silizium in dem Halbleiter-Arbeitsstück unter dem Transformator erforderlich ist.
  • Die vorliegende Erfindung wird mit Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen in einem spezifischen Kontext beschrieben, nämlich in Halbleiterbauelementanwendungen implementiert, die Transformatoren erfordern.
  • Nunmehr mit Bezug auf 1 ist eine Querschnittsansicht eines gekapselten Halbleiter-Arbeitsstücks 100 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gezeigt, wobei mindestens ein Teil einer Wicklung 122 eines Transformators 120 in einer Umverdrahtungsschicht 104 eines Kapselungssystems für das Halbleiter-Arbeitsstück 102 angeordnet ist. Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann als Beispiele ein Halbleiterbauelement, einen Halbleiterchip, einen Halbleiterkörper, einen Halbleiterwafer oder ein Substrat aufweisen. Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann eine integrierte Schaltung aufweisen und kann (nicht gezeigte) aktive Komponenten oder Schaltungen enthalten. Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann leitfähige Materialschichten und/oder andere Arten von Halbleiterelementen, z. B. Transistoren, Kondensatoren, Dioden usw., aufweisen. Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann mindestens einen Teil einer Schaltung aufweisen, die eine Hochfrequenz-(HF-)Schaltung eine Analogschaltung, ein Leistungsverstärkerbauelement oder andere Arten von auf einem Substrat (siehe das in 7 gezeigte Substrat 101, das später beschrieben werden soll) aufweist.
  • Das in 1 gezeigte Kapselungssystem weist eine eingebettete WLB-Kapselung (Ball Grid Array auf Waferebene) auf. Als nicht erfindungsgemäße Alternative kann das Kapselungssystem des gekapselten Halbleiter-Arbeitsstücks 100 andere Arten von Kapselungssystemen aufweisen, die zum Beispiel eine Umverdrahtungsschicht 104 aufweisen. Die WLB-Kapselung weist mehrere Lotkugelkontakte 108 auf, die auf einer Oberfläche davon angeordnet sind. Die Lotkugelkontakte 108 können in einem Array positioniert sein, das Formen wie etwa ein Quadrat oder ein Rechteck aufweist, oder in einem Array in einem zentralen Bereich. Die Lotkugelkontakte 108 können auch wie in 1 gezeigt in Zeilen in einem Peripheriebereich positioniert werden.
  • Die Umverdrahtungsschicht 104 der WLB-Kapselung weist eine oder mehrere isolierende Materialschichten 106 auf. In der Umverdrahtungsschicht 104 werden leitfähige Leitungen 110 gebildet. Bei einer Ausführungsform können die leitfähigen Leitungen 110 aus einem Metall (z. B. einem reinen Metall oder einer Metalllegierung) gebildet werden. Als Alternative können die leitfähigen Leitungen 110 andere leitfähige Materialien aufweisen. Die leitfähigen Leitungen 110 werden mit Kontaktstellen 112 des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebondet oder gekoppelt. Die leitfähigen Leitungen 110 weisen leitfähige Leitungen in der isolierenden Materialschicht bzw. den isolierenden Materialschichten 106 auf, die die mehreren Lotkugelkontakte 108 mit Kontaktstellen 112 des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 koppelt bzw. koppeln.
  • Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann durch einen Kleber 114 an der Umverdrahtungsschicht 104 angebracht und befestigt werden. Die Kontaktstellen 112 können an die leitfähigen Leitungen 110 der Umverdrahtungsschicht 104 gelötet werden, die zur Kopplung mit den Kontaktstellen 112 des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 Bondkontaktstellen auf der oberen Oberfläche davon aufweisen können. Die Kontaktstellen 112 können als Alternative z. B. unter Verwendung eines leitfähigen Klebers an den leitfähigen Leitungen 110 angebracht werden. Über der gesamten Kapselung, über der Umverdrahtungsschicht 104 und dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann ein Einkapselungsmaterial 116 angeordnet werden.
  • Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist das gekapselte Halbleiter-Arbeitsstück 100 einen Transformator 120 auf mit mindestens einem Teil mindestens einer Wicklung, der in der Umverdrahtungsschicht 104 des Kapselungssystems gebildet oder angeordnet wird. Mindestens ein Teil einer ersten Wicklung 122 des Transformators 120 ist bei der in 1 gezeigten Ausführungsform zum Beispiel in der Umverdrahtungsschicht 104 des Kapselungssystems angeordnet.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen ist mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung 124 des Transformators 120 in mindestens einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 angeordnet. Die zweite Wicklung 124 wird wie in 1 gezeigt in der Nähe der ersten Wicklung 122 angeordnet; z. B. werden die Teile der Wicklungen 122 und 124 vertikal übereinander gestapelt. Bei anderen, nicht erfindungsgemäßen Ausführungsformen wird mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung 124 des Transformators 120 in der Umverdrahtungsschicht 104 des Kapselungssystems in der Nähe der ersten Wicklung 122 angeordnet, wie in 1 gestrichelt gezeigt, wie später beschrieben werden wird.
  • Es kann die gesamte erste Wicklung 122 in der Umverdrahtungsschicht 104 gebildet werden, oder nur Teile der ersten Wicklung 122 können in der Umverdrahtungsschicht 104 gebildet werden. Wenn die erste Wicklung 122 mehr als eine Windung aufweist, können zum Beispiel in einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 Überkreuzungen der ersten Wicklung 122 gebildet werden. Es kann die gesamte zweite Wicklung 124 in einer nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform in der Umverdrahtungsschicht 104 oder erfindungsgemäß in dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 gebildet werden. Als nicht erfindungsgemäße Alternative können nur Teile der zweiten Wicklung 124 in der Umverdrahtungsschicht 104 gebildet werden, und Überkreuzungen der zweiten Wicklung 124 können in einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden. Erfindungsgemäß kann die zweite Wicklung 124 in einer oder mehreren leitfähigen Materialschichten des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden, z. B. kann die zweite Wicklung 124 in mehreren leitfähigen Materialschichten gebildet werden, die eine vertikale spiralförmig verlaufende Schleife aufweisen, die durch Durchkontaktierungen zwischen den leitfähigen Materialschichten in dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 verbunden werden.
  • Die erste Wicklung 122 kann bei bestimmten Anwendungen die Primärwicklung des Transformators 120 aufweisen, und die zweite Wicklung 124 kann die Sekundärwicklung des Transformators 120 aufweisen. Bei anderen Anwendungen kann die erste Wicklung 122 alternativ dazu die Sekundärwicklung des Transformators 120 aufweisen, und die zweite Wicklung 124 kann die Primärwicklung des Transformators 120 aufweisen.
  • Als nächstes werden mehrere Beispiele für Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. 2 bis 4 zeigen eine Ausführungsform, bei der die gesamte erste Wicklung 122 eines Transformators 120 in einer Umverdrahtungsschicht 104 eines Kapselungssystems gebildet ist und die gesamte zweite Wicklung 124 des Transformators 120 in einer leitfähigen Materialschicht eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet ist. 2 zeigt eine Draufsicht einer ersten Wicklung 122 eines Transformators 120, die in einer Umverdrahtungsschicht 104 eines Kapselungssystems angeordnet ist. Die erste Wicklung 122 kann beispielsweise Kupfer, andere Metalle, Metalllegierungen oder andere leitfähige Materialien aufweisen. Die erste Wicklung 122 weist eine kontinuierliche Schleife aus leitfähigem Material, die ringförmig ist, auf. Die erste Wicklung 122 kann in Draufsicht eine achteckige oder kreisförmige Form aufweisen. Die Breite der ersten Wicklung 122 richtet sich nach den gewünschten Parametern des Transformators 120, z. B. der gewünschten Induktivität, Impedanz oder anderen Parametern der ersten Wicklung 122 in der Anwendung. Die erste Wicklung 122 kann zum Beispiel wie gezeigt an jedem Ende mit Anschlüssen 128 gekoppelt werden, und andere Bereiche entlang der ersten Wicklung 122 mit optionalen leitfähigen. Leitungen 126, die in der Umverdrahtungsschicht 104 gebildet werden. Die erste Wicklung 122 kann zum Beispiel an jedem Ende mit einem Anschluss 128 gekoppelt werden, wobei der Anschluss 128 einen Spannungsversorgungsanschluss, einen Spannungsrückkehranschluss oder einen Anschluss für ein Signal aufweisen.
  • 3 zeigt eine Draufsicht einer zweiten Wicklung 124 eines Transformators 120, der die in 2 gezeigte erste Wicklung 122 aufweist. Die zweite Wicklung 124 wird in einer leitfähigen Materialschicht eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 angeordnet oder gebildet. Die zweite Wicklung 124 kann eine ähnliche Größe und/oder Form wie die erste Wicklung 122 aufweisen.
  • Bei der in 2 bis 4 gezeigten Ausführungsform weist die zweite Wicklung 124 dieselbe Anzahl von Windungen auf wie die erste Wicklung 122. Somit weist der Transformator 120 ein Windungsverhältnis von 1:1 auf. Die erste Wicklung 122 kann eine erste Anzahl von Windungen und die zweite Wicklung 124 eine zweite Anzahl von Windungen aufweisen, wobei die zweite Anzahl von Windungen im Wesentlichen dieselbe wie die erste Anzahl von Windungen ist. Als Alternative kann die zweite Anzahl von Windungen der zweiten Wicklung 124 von der ersten Anzahl von Wicklungen verschieden sein, um zum Beispiel einen Transformator 120 mit einem anderen Windungsverhältnis als 1:1 zu bilden.
  • Die zweite Wicklung 124 kann im Wesentlichen wie gezeigt dieselbe Breite wie die erste Wicklung 122 aufweisen, oder die zweite Wicklung 124 kann als Alternative eine andere Breite aufweisen, die z. B. größer oder kleiner als die Breite der (nicht gezeigten) ersten Wicklung 122 ist. Die zweite Wicklung 124 kann bei bestimmten Ausführungsformen wie gezeigt im Wesentlichen ein Spiegelbild der ersten Wicklung 122 aufweisen.
  • Wie gezeigt können leitfähige Leitungen 126 mit Enden der zweiten Wicklung 124 gekoppelt werden. Die leitfähigen Leitungen 126 können zum Beispiel mit einem Spannungsversorgungsanschluss, einem Spannungsrückkehranschluss oder einem Anschluss für ein Signal an einer anderen Stelle in der leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 oder in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 verbunden werden.
  • 4 zeigt eine Draufsicht der über der ersten Wicklung 122 von 2 angeordneten zweiten Wicklung 124 von 3. Die zweite Wicklung 124 ist im Wesentlichen über die gesamte Schleife in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 hinweg über der ersten Wicklung 122 angeordnet, so dass die zweite Wicklung 124 und die erste Wicklung 122 als ein Transformator 120 wirken.
  • Bei der in 2 bis 4 gezeigten Ausführungsform weisen die erste Wicklung 122 und die zweite Wicklung 124 jeweils eine volle Windung oder eine einzige Schleife auf. Als Alternative können bei anderen Ausführungsformen die erste Wicklung 122 und die zweite Wicklung 124 verschiedene Anzahlen von Windungen aufweisen oder die erste Wicklung 122 und die zweite Wicklung 124 können beide mehrere Anzahlen von Windungen aufweisen. Ferner können die zweiten Wicklungen 124 in mehreren leitfähigen Materialschichten des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden.
  • Zum Beispiel zeigen 5 und 6 Draufsichten der Teile 124a und 124b einer zweiten Wicklung 124 eines Transformators 120, die in zwei leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden. 7 zeigt eine Querschnittsansicht eines Transformators 120 mit einer ersten Wicklung 122 in einer Umverdrahtungsschicht 104 wie in 2 gezeigt über dem in 5 und 6 gezeigten Halbleiter-Arbeitsstück 102 angeordnet. Man beachte, dass die Ansicht in 7 relativ zu der Ansicht des in 1 gezeigten gekapselten Halbleiter-Arbeitsstücks 100 invertiert ist oder auf dem Kopf steht: die Umverdrahtungsschicht 104 ist in der in 7 gezeigten Ansicht über dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 gezeigt, während die Umverdrahtungsschicht 104 in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 in 1 unter dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 gezeigt ist.
  • Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 enthält ein in 7 gezeigtes Substrat 101. Das Substrat 101 kann zum Beispiel Silizium oder andere halbleitfähige Materialien aufweisen. Das Substrat 101 kann bei bestimmten Ausführungsformen einen Halbleiterwafer aufweisen. Das Substrat 101 kann wahlweise zum Beispiel mit einer nicht gezeigten isolierenden Schicht überdeckt werden. Das Substrat 101 kann beispielsweise Siliziumoxid über einkristallinem Silizium aufweisen. Beispielsweise können Verbundhalbleiter, GaAs, InP, Si/Ge oder SiC anstelle von Silizium verwendet werden. Das Substrat 101 kann beispielsweise ein SOI-Substrat (Silizium auf Isolator) oder ein GOI-Substrat (Germanium auf Isolator) aufweisen.
  • Das Halbleiter-Arbeitsstück 102 enthält mehrere leitfähige Materialschichten Mx, Vx, M(x+1), die über dem Substrat 101 in der Nähe einer oberen Oberfläche des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden. In anderen Regionen der leitfähigen Materialschichten Mx und M(x+1) werden (nicht gezeigte) leitfähige Leitungen gebildet, und in anderen Bereichen der leitfähigen Materialschicht Vx werden (ebenfalls nicht gezeigt) Durchkontaktierungen gebildet. Die leitfähige Materialschicht M(x+1) weist eine oberste leitfähige Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 auf und die leitfähige Materialschicht Mx weist eine unter der leitfähigen Materialschicht M(x+1) angeordnete zweite leitfähige Materialschicht auf. Die Durchkontaktierungsschicht Vx ist zwischen den leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx angeordnet und dient zur Herstellung von Verbindungen zwischen leitfähigen Leitungen in den beiden leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx.
  • 5 zeigt eine Draufsicht der obersten Materialschicht M(x+1) eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 mit mindestens einem Teil 124a einer zweiten Wicklung 124, die drei Windungen aufweist. 6 zeigt eine leitfähige Materialschicht Mx in der Nähe der obersten leitfähigen Materialschicht M(x+1) mit mindestens einem Teil 124b der zweiten Wicklung 124, die drei Windungen aufweist. Man beachte, dass die Teile 124b der zweiten Wicklung 124 optional sind; als Alternative kann die zweite Wicklung 124 vollständig in der obersten leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet werden. Als Alternative können Teile der zweiten Wicklung 124 zum Beispiel auch in drei oder mehr nicht gezeigten leitfähigen Materialschichten gebildet werden, die unter der leitfähigen Materialschicht Mx angeordnet sind.
  • In anderen Regionen der leitfähigen Materialschichten gebildete leitfähige Leitungen können in einer Draufsicht in der obersten leitfähigen Materialschicht M(x+1) eine größere Breite als in der leitfähigen Materialschicht Mx aufweisen. Die Teile 124a der zweiten Wicklung 124 können auch eine größere Breite als Teile 124b der zweiten Wicklung 124 aufweisen; z. B. wiest bei der gezeigten Ausführungsform jede Windung des Teils 124b der zweiten Wicklung 124 in der leitfähigen Materialschicht Mx zwei leitfähige Leitungen auf, die entlang ihrer Länge parallel zueinander verlaufen, sich krümmen oder in denselben Bereichen biegen.
  • Die Durchkontaktierungen 136 können verwendet werden, um die Teile 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 in der zwischen den leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx angeordneten Durchkontaktierungsschicht Vx zu verbinden. Der Teil 124b der zweiten Wicklung 124 in der leitfähigen Materialschicht Mx kann Landekontaktstellen 134 aufweisen, die einen Ort für die Durchkontaktierungen 136 zum Landen bereitstellen, um mit Enden 130 der Teile 124a in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) zu verbinden. Die Landekontaktstellen 134 dienen auch zum Koppeln der parallelen leitfähigen Leitungsteile 124a in der leitfähigen Materialschicht Mx miteinander.
  • Bestimmte Enden 130 von Teilen 124a der zweiten Wicklung 124 in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) können durch Überkreuzungen 132 der angrenzenden leitfähigen Materialschicht Mx z. B. unter Verwendung einer oder mehrerer zwischen den Teilen 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 angeordneter Durchkontaktierungen 136 miteinander verbunden werden. Wie bei der vorherigen Ausführungsform können bestimmte Enden der Teile 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 in den leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx mit leitfähigen Leitungen 126a bzw. 126b gekoppelt werden. Die leitfähigen Leitungen 126a und 126b können zum Beispiel mit einem Spannungsversorgungsanschluss, einem Spannungsrückkehranschluss oder einem Anschluss für ein Signal an einer anderen Stelle in der leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 oder in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 verbunden werden.
  • Teile 124b der zweiten Wicklung 124 werden in der Nähe von Teilen 124a der zweiten Wicklung 124 vertikal in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 angeordnet. Die Teile 124a der zweiten Wicklung 124 werden in der Nähe der ersten Wicklung 122 in der in 2 gezeigten Umverdrahtungsschicht 104 angeordnet, wodurch der Transformator 120 gebildet wird.
  • Bei der in 2 und 5 bis 7 gezeigten Ausführungsform weist die zweite Wicklung 124 eine andere Anzahl von Windungen auf als die erste Wicklung 122. Die zweite Wicklung 124 besitzt eine größere Anzahl von Windungen als die erste Wicklung 122. Die erste Wicklung 122 besitzt eine Windung und die zweite Wicklung 124 besitzt drei Windungen in zwei leitfähigen Materialschichten Mx und M(x+1). Somit weist der Transformator 120 ein Windungsverhältnis von 1:3 auf. Als Alternative kann die erste Wicklung 122 zum Beispiel eine größere Anzahl von Windungen als die zweite Wicklung 124 aufweisen.
  • Die Teile 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 weisen andere Breiten als die erste Wicklung 122 auf, wie in den Draufsichten in 2, 5 und 6 zu sehen ist. Zum Beispiel sind die Breiten der Teile 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 kleiner als die Breite der ersten Wicklung 122.
  • Die Teile 124a und 124b der zweiten Wicklung 124 können auch andere Dicken als die Dicke der ersten Wicklung 122 in der vertikalen Richtung im Querschnitt von 7 aufweisen. Die erste Wicklung 122 kann bei bestimmten Ausführungsformen eine größere Dicke als die zweite Wicklung 124 aufweisen, weil leitfähige Leitungen in der Umverdrahtungsschicht 104 dicker als leitfähige Leitungen auf dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 sein können. Dies kann bei bestimmten Anwendungen vorteilhaft sein, weil der Gütefaktor des Transformators 120 verbessert und die Impedanz der ersten Wicklung 122 verkleinert werden kann.
  • 8 bis 10 zeigen Draufsichten von Teilen der Wicklungen 122 und 124 eines Transformators 120 gemäß einer anderen Ausführungsform. 11 zeigt eine perspektivische Ansicht des Transformators 120, der die Wicklungen 122 und 124 von 8 bis 10 übereinander angeordnet aufweist.
  • 8 zeigt einen ersten Teil 122a einer ersten Wicklung 122, der in einer Umverdrahtungsschicht 104 gebildet wird. Der erste Teil 122a der ersten Wicklung 122 weist bei dieser Ausführungsform zwei Windungen auf. Der erste Teil 122a weist mindestens einen ersten Teil 122a auf; z. B. kann der erste Teil 122a mehrere erste Teile 122a aufweisen. Außerdem sind in 8 Kontakte 138 gezeigt, die zum Koppeln der Umverdrahtungsschicht 104 mit der zweiten Wicklung 124 in den leitfähigen Materialschichten M(x+1) und Mx des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 verwendet werden. Elektrische Verbindungen können dergestalt zu den Kontakten 138 geroutet werden, dass die zweite Wicklung 124 zum Beispiel mit einem Lotkugelkontakt 108 des gekapselten Halbleiter-Arbeitsstücks 100 (siehe 1) gekoppelt werden kann.
  • 9 zeigt eine Draufsicht der obersten leitfähigen Materialschicht M(x+1) des Halbleiter-Arbeitsstücks 102. Ein zweiter Teil 122b der ersten Wicklung 122 wird in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet. Der zweite Teil 122b weist mindestens einen zweiten Teil 122b auf und kann wie gezeigt mehrere zweite Teile 122b aufweisen. Die zweiten Teile 122b der ersten Wicklung 122 weisen Überkreuzungen auf, z. B. Kreuzungen oder Brücken für die erste Wicklung 122 in der leitfähigen Materialschicht M(x+1), die Enden 130 des ersten Teils 122a der in 8 gezeigten ersten Wicklung 122 miteinander koppeln.
  • Die ersten Teile 122a und die zweiten Teile 122b der ersten Wicklung bilden eine Induktivität des Transformators 120, der die erste Wicklung 122 aufweist. Die erste Wicklung 122 weist eine einzige Wicklung auf, die aus den ersten Teilen 122a in der Umverdrahtungsschicht 104 und den zweiten Teilen 122b der der leitfähigen Materialschicht M(x+1) in dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 gebildet wird.
  • Wie gezeigt können Landekontaktstellen 134 mit jedem Ende der zweiten Teile 122b der ersten Wicklung 122 gekoppelt werden. Eine (nicht gezeigte) Kontaktschicht in dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 kann verwendet werden, um Verbindungen mit dem ersten Teil 122a der ersten Wicklung 122 in der Umverdrahtungsschicht 104 herzustellen. Als Alternative kann die Verdrahtung für Bereiche des ersten Teils 122a der ersten Wicklung 122 in der Umverdrahtungsschicht 104 zu der Oberfläche der Umverdrahtungsschicht 104 verlängert und zum Beispiel durch Verwendung von Lot oder leitfähigem Kleber mit den Landekontaktstellen 134 gebondet werden, wodurch der zweite Teil 122b mit dem ersten Teil 122a der ersten Wicklung 122 verbunden wird und die Windungen der ersten Wicklung 122 abgeschlossen werden, so dass eine kontinuierliche erste Wicklung 122 gebildet wird.
  • Die leitfähige Materialschicht M(x+1) weist außerdem einen Teil 124a oder mehrere Teile 124a der zweiten Wicklung 124 auf, die zwei Windungen aufweist. Entlang bestimmter Bereiche des Teils 124a der zweiten Wicklung 124 können Landekontaktstellen 134a zur Verbindung der Teile 124a der zweiten Wicklung 124 mit Teilen 124b der zweiten Wicklung 124 in der in 10 gezeigten leitfähigen Materialschicht Mx vorgesehen werden. Leitfähige Leitungen 139a werden auch in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet, die an einem Ende mit den Teilen 124a der zweiten Wicklung 124 und an einem gegenüberliegenden Ende mit den Landekontaktstellen 134a verbunden werden. Die leitfähigen Leitungen 139a dienen zum Verbinden der zweiten Wicklung 124 mit den Kontakten 138 in der in 8 gezeigten Umverdrahtungsschicht 104.
  • 10 zeigt einen Teil oder Teile 124b der zweiten Wicklung 124, die in einer leitfähigen Materialschicht Mx in der Nähe der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet werden. Der Teil 124b ist optional; als Alternative kann die gesamte zweite Wicklung 124 in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet werden. Als Alternative kann die zweite Wicklung 124 in drei oder mehr leitfähigen Materialschichten gebildet werden.
  • Die leitfähigen Leitungen 139b können verwendet werden, um die Teile 124b der zweiten Wicklung 124 mit den Landekontaktstellen 134b zu verbinden, die durch eine oder mehrere nicht gezeigte Durchkontaktierungen mit den Landekontaktstellen 134a gekoppelt sein können. Enden 130 der Teile 124b der zweiten Wicklung 124 können durch Durchkontaktierungen mit Landekontaktstellen 134a entlang von Regionen der Teile 124a der zweiten Wicklung 124 in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) verbunden werden, um Überkreuzungen für die Teile 124b der zweiten Wicklung 124 herzustellen und die Windungen abzuschließen, so dass eine kontinuierliche zweite Wicklung 124 gebildet wird.
  • Wahlweise können Überkreuzungen der ersten Wicklung 122 auch durch dritte Teile 122c der ersten Wicklung 122 hergestellt werden, die in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gebildet werden. Die dritten Teile 122c können an jedem Ende mit einer Landekontaktstelle 134' gekoppelt werden, und die Landekontaktstellen 134' können unter Verwendung von (nicht gezeigten) Durchkontaktierungen in einer Durchkontaktierungsschicht Vx, die zwischen den leitfähigen Materialschichten Mx und M(x+1) angeordnet ist, mit den Landekontaktstellen 134 in der leitfähigen Materialschicht M(x+1) gekoppelt werden.
  • 11 zeigt, dass die Windungen der zweiten Wicklung 124 vertikal im Wesentlichen über und in der Nähe der ersten Wicklung 122 in dem gekapselten Halbleiter-Arbeitsstück 100 angeordnet sind, so dass die zweite Wicklung 124 und die erste Wicklung 122 als ein Transformator 120 wirken.
  • Die Windungen der Wicklungsteile 124a können wie rechts in 9 gezeigt eine leitfähige Leitung aufweisen, oder die Windungen der Wicklungsteile 124a können wie auf den anderen Windungen in 9 gezeigt zwei leitfähige Leitungen aufweisen. Als Alternative können die Windungen der Wicklungsteile 124b wie in 10 gezeigt drei oder mehr leitfähige Leitungen aufweisen.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Wicklung 122 eine niedrige Impedanz und die zweite Wicklung 124 eine hohe Impedanz aufweisen. Dies ist in verschiedenen Anwendungen ein Vorteil, bei denen zum Beispiel die Quellenimpedanz beim Entwurf berücksichtigt oder einbezogen wird.
  • 12 zeigt eine Draufsicht einer anderen, nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform, bei der die erste Wicklung 122 und die zweite Wicklung 124 eines Transformators 120 beide in einer Umverdrahtungsschicht 104 eines Kapselungssystems eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gebildet werden. 13 zeigt eine Querschnittsansicht der in 12 gezeigten, nicht erfindungsgemäßen Ausführungsform. Die erste Wicklung 122 besitzt eine Windung oder Schleife, und die zweite Wicklung 124 besitzt zwei Windungen oder Schleifen; somit beträgt das Windungsverhältnis des Transformators 120 bei dieser Ausführungsform 1:2.
  • Die erste Wicklung 122 und die zweite Wicklung 124 sind nahe beieinander vertikal angeordnet und werden durch isolierendes Material 106 in der Umverdrahtungsschicht 104 voneinander getrennt. Inder oberen leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 (nicht gezeigt) können Überkreuzungen, z. B. Kreuzungen oder Brücken, der zweiten Wicklung 124 hergestellt werden. Diese nicht erfindungsgemäße Ausführungsform ist vorteilhaft, weil weniger Platz auf dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 erforderlich ist, so dass das Halbleiter-Arbeitsstück 102 kleiner hergestellt oder der in dem Halbleiter-Arbeitsstücks 102 gesparte Bereich für andere Schaltkreise verwendet werden kann.
  • Wenn die Wicklung 122 erste und die zweite Wicklung 124 beide eine einzige Windung (z. B. eine Wicklung oder eine einzige Schleife) aufweisen, sind möglicherweise keine Überkreuzungen in einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks 102 erforderlich, so dass die Transformatoren 120 vorteilhafterweise überhaupt keinen Platz auf dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 benötigen.
  • Die in 12 gezeigte, nicht erfindungsgemäße Ausführungsform zeigt außerdem mögliche elektrische Verbindungen, die mit dem Transformator 120 hergestellt werden können. Ein Anschluss für ein Signal 140, wie etwa ein Transformator-(TX-)Signal, kann mit einem Ende der zweiten Wicklung 124 gekoppelt werden, und der Spannungsrückkehranschluss 142 oder Masseanschluss kann mit einem gegenüberliegenden Ende der zweiten Wicklung 124 gekoppelt werden. Ein Spannungsversorgungsanschluss 144 kann mit einem Teil der ersten Wicklung 122 gekoppelt werden. Als Alternative können elektrische Verbindungen mit den Wicklungen 122 und 124 des Transformators 120 in anderen Konfigurationen hergestellt werden.
  • Die erste Wicklung 122 kann beispielsweise eine einzige breite Primärwicklung aufweisen, die bei dieser Ausführungsform mit einem Leistungsverstärker verbunden werden kann. Als ein weiteres Beispiel kann die zweite Wicklung 124 zum Umwandeln der Energie aus der ersten Wicklung 124 verwendet werden, um einen Wechselstrom in der ersten Wicklung 122 heraufzusetzen.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weisen Transformatoren 120 und Verfahren zum Herstellen derselben auf. Die Wicklungen 122 und 124 und Teile der Wicklungen 122 und 124 können unter Verwendung von in Halbleiterbauelemente-Herstellungsprozessen verwendeten Lithographie- und Ätzprozessen und/oder unter Verwendung von Herstellungsprozessen für Umverdrahtungsschichten von Kapselungssystemen hergestellt werden. Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weise außerdem auf Halbleiterbauelemente, integrierte Schaltungen und Halbleiter-Arbeitsstücke 102, die die hier beschriebenen neuartigen Transformatoren 120 enthalten und benutzen. Ausführungsformen weisen außerdem gekapselte Halbleiter-Arbeitsstücke 100 auf, die die Transformatoren 120 enthalten, die mindestens in einem Teil der Umverdrahtungsschicht 104 des Kapselungssystems gebildet werden.
  • Zu den Vorteilen von Ausführungsformen der Erfindung gehört die Bereitstellung von neuartigen Entwürfen von Transformatoren 120, die verbesserte Güte- bzw. Q-Faktoren aufweisen. Die Wicklungen 122 und 124 weisen Induktivitäten der Transformatoren 120 auf, die mindestens in einem Teil einer Umverdrahtungsschicht 104 eines Kapselungssystems für die Halbleiter-Arbeitsstücke 102 gebildet werden. Es können Transformatoren 120 mit vergrößerter Fähigkeit und vergrößerten Windungsverhältnissen hergestellt und in mindestens einem Teil der Kapselungssysteme für Halbleiterbauelemente vorgesehen werden. Die Transformatoren 120 können in einer oder mehreren leitfähigen Schichten von Umverdrahtungsschichten 104 von Kapselungssystemen gebildet werden, wodurch Platz auf Halbleiter-Arbeitsstücken 102 gespart wird. Die Wicklungen 122 und 124 der Transformatoren 120 werden in einer Materialschicht oder in mehreren leitfähigen Materialschichten eines Halbleiter-Arbeitsstücks 102 und/oder in einer leitfähigen Schicht oder in mehreren leitfähigen Schichten einer Umverdrahtungsschicht 104 vertikal gestapelt.
  • Bei verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Wicklung 122 eine Primärwicklung mit niedriger Impedanz und hoher Güte aufweisen, während die zweite Wicklung 124 eine auf dem Halbleiter-Arbeitsstück 102 gebildete Sekundärwicklung aufweisen kann, die eine höhere Impedanz aufweist und eine niedrigere Güte aufweisen kann, was bei bestimmten Anwendungen ein Vorteil sein kann.

Claims (10)

  1. Transformator (120), aufweisend: – ein Halbleiter-Arbeitsstück (102); und – ein über dem Halbleiter-Arbeitsstück (102) angeordnetes Kapselungssystem, wobei das Kapselungssystem eine Umverdrahtungsschicht (104) und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung aufweist, wobei mindestens ein Teil mindestens einer ersten Wicklung (122) des Transformators (120) in der Umverdrahtungsschicht (104) des Kapselungssystems angeordnet ist und wobei mindestens ein Teil einer zweiten Wicklung (124) des Transformators (120) in mindestens einer leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) in der Nähe des mindestens einen Teils der ersten Wicklung (122) angeordnet ist.
  2. Transformator (120) gemäß Anspruch 1, wobei der mindestens eine Teil der ersten Wicklung (122) mindestens einen Teil einer Primärwicklung aufweist und wobei der mindestens eine Teil der zweiten Wicklung (124) mindestens einen Teil einer Sekundärwicklung aufweist.
  3. Transformator (120) gemäß Anspruch 2, wobei die ersten Wicklung (122) eine erste Anzahl von Windungen aufweist, wobei die zweiten Wicklung (124) eine zweite Anzahl von Windungen aufweist, wobei die zweite Anzahl von Windungen dieselbe wie die erste Anzahl von Windungen ist.
  4. Transformator (120) gemäß Anspruch 2, wobei die ersten Wicklung (122) eine erste Anzahl von Windungen aufweist, wobei die zweiten Wicklung (124) eine zweite Anzahl von Windungen aufweist, wobei die zweite Anzahl von Windungen von der ersten Anzahl von Windungen verschieden ist.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Transformators (120), mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiter-Arbeitsstücks (102), wobei das Bereitstellen des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) aufweist, ein Arbeitsstück bereitzustellen, das eine zweite Wicklung (124) des Transformators (122) aufweist; und – Bilden eines Kapselungssystems über dem Halbleiter-Arbeitsstück (102), wobei das Kapselungssystem eine Umverdrahtungsschicht (104) aufweist, wobei das Bilden des Kapselungssystems aufweist, eine Umverdrahtungsschicht (104) zu bilden, die mindestens einen Teil mindestens einer Wicklung (122) des Transformators (120) aufweist und eine eingebettete Waferebenen-Ball-Grid-Array-Kapselung zu bilden, wobei das Bilden der den mindestens einen Teil der mindestens einen Wicklung (122) des Transformators (120) aufweisenden Umverdrahtungsschicht (104) aufweist, eine erste Wicklung (122) des Transformators (120) zu bilden.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Bilden der zweiten Wicklung (124) des Transformators (120) aufweist, einen ersten Teil der zweiten Wicklung (124) in einer ersten leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) zu bilden und mindestens einen zweiten Teil der zweiten Wicklung (124) in mindestens einer zweiten leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) zu bilden, und ferner mit dem Schritt des Koppelns des ersten Teils und des mindestens einen zweiten Teils der zweiten Wicklung (124) durch mindestens eine Durchkontaktierung in einer Durchkontaktierungsschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks miteinander, wobei die Durchkontaktierungsschicht (Vx) zwischen der ersten leitfähigen Materialschicht und der zweiten leitfähigen Materialschicht des Halbleiter-Arbeitsstücks (102) angeordnet ist.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 6, wobei das Bilden der den mindestens einen Teil mindestens einer Wicklung des Transformators (120) aufweisenden Umverdrahtungsschicht (104) aufweist, eine erste Wicklung des Transformators (120) zu bilden und eine zweite Wicklung des Transformators (120) in der Nähe der ersten Wicklung des Transformators (120) zu bilden.
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, ferner mit dem Schritt des Bildens einer Schaltung auf dem Halbleiter-Arbeitsstück (102) vor der Bildung des Kapselungssystems.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei das Bilden der Schaltung aufweist, mindestens einen Teil einer Hochfrequenz-Schaltung, einer Analogschaltung oder einer Leistungsverstärkerschaltung zu bilden.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, ferner mit dem Schritt des Koppelns mindestens eines Endes oder eines Bereichs des mindestens einen Teils der mindestens einen Wicklung (122) des Transformators (120) mit einem Spannungsversorgungsanschlussoder einem Anschluss für ein Signal.
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