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Die
Erfindung betrifft einen Halbleiterchip mit Identifizierungsmarkierungen
und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips.
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Typischerweise
ist es schwierig, die Ursprünge
ausgefallener Halbleiterchips zu verfolgen, die von Kunden zurückgesendet
wurden. Ein ausgefallener Halbleiterchip kann auf eine definierte
Anzahl von Losen (Chargen) zurückgeführt werden,
wie zum Beispiel auf drei Lose, aber nur selten auf ein Los, auf einen
Wafer eines Loses oder auf eine definierte Position auf einem Wafer
eines Loses. Die Korrelation des Ausfalls mit während des Herstellungsprozesses erhaltenen
Inline-Daten wird folglich behindert und eine eingehende Ursachenanalyse
des Ausfalls ist schwierig. Zusätzlich
ist es typischerweise schwierig, mehrere Halbleiterchip-Stichproben
während
der Produkt- und Technologieentwicklung und während der Produkt- und Technologiequalifikation
zu verfolgen (z. B. Verfolgung von Prozessaufteilungen, Yield-Learning
(Ausbeuteinformationen)).
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Der
Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterchip
zu schaffen, der leicht identifiziert und insbesondere zurückverfolgt
werden kann, und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben.
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Die
der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird durch die Merkmale der
unabhängigen
Ansprüche
gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind
in den Unteransprüchen
angegeben.
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Eine
Ausführungsform
stellt einen Halbleiterchip bereit. Der Halbleiterchip enthält eine
erste Markierung zum Identifizieren einer Position des Chips in einem
Belichtungsfeld. Der Halbleiterchip enthält eine erste Matrix in einer
ersten Schicht des Chips und eine zweite Markierung in der ersten
Matrix, die eine Position des Belichtungsfelds auf einem Wafer identifiziert.
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Die
beigefügten
Zeichnungen sind vorgesehen, um ein weiteres Verständnis von
Ausführungsformen
zu geben und sind in die vorliegende Beschreibung integriert und
bilden einen Teil dieser. Die Zeichnungen zeigen Ausführungsformen
und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung von Prinzipien von
Ausführungsformen.
Andere Ausführungsformen
und viele der beabsichtigten Vorteile von Ausführungsformen werden ohne weiteres
ersichtlich, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche
Beschreibung besser verständlich werden.
Die Elemente der Zeichnungen sind nicht unbedingt maßstabsgetreu
zueinander. Gleiche Bezugszahlen kennzeichnen entsprechende ähnliche Teile.
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1 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Halbleiterchips bzw. -die.
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2 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Wafers.
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3 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Lithographiezelle.
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4 ist
ein Flussdiagramm einer Ausführungsform
eines Verfahrens zum Codieren von Informationen auf Halbleiterchips.
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5 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von vier Belichtungsfeldern auf einem Wafer.
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6 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Markierungsretikels.
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7 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
der vier Belichtungsfelder nach ihrer Belichtung unter Verwendung
des Markierungsretikels.
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8 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Matrix zum Codieren der Wafernummer.
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9 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Matrix zum Codieren der Losnummer.
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10 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von drei Matrizen zum Codieren der Losnummer.
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11 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von zwei Matrizen zum Codieren der Losnummer.
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12 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
codierter Informationen, einschließlich der Halbleiterchip-Position,
der Wafernummer und der Losnummer für einen Halbleiterchip.
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13 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
des Codierens von Informationen in mehreren Schichten eines Halbleiterchips.
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In
der folgenden ausführlichen
Beschreibung wird auf die beigefügten
Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen
zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind,
in denen die Erfindung ausgeübt
werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw.
mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet.
Da Komponenten von Ausführungsformen
in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden
können,
dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf
keinerlei Weise einschränkend.
Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle
oder logische Änderungen
vorgenommen werden können,
ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die folgende ausführliche
Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen,
und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
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Es
versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen
beispielhaften Ausführungsformen
miteinander kombiniert werden können,
sofern es nicht spezifisch anders erwähnt wird.
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1 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Halbleiterchips bzw. -die 100. Der Halbleiterchip 100 enthält eine
Chipanordnung, wie etwa einen MOS-Chip (Metalloxid-Halbleiter) oder
einen anderen geeigneten Chip. Der Halbleiterchip 100 enthält mindestens
eine Referenzstruktur oder -matrix 102. Der Halbleiterchip 100 enthält außerdem mindestens
eine Markierung 104 in der Matrix 102. Bei anderen
Ausführungsformen
enthält
der Halbleiterchip 100 eine beliebige geeignete Anzahl
von Matrizen und zugeordneten Markierungen. Die Matrix 102 und
die Markierung 104 codieren Informationen für oder über den
Halbleiterchip 100, wie etwa Informationen, die den Halbleiterchip 100 identifizieren und/oder
verfolgen. Die codierten Informationen können Folgendes umfassen: die
Position des Halbleiterchips 102 auf einem Wafer, auf dem
der Halbleiterchip hergestellt wurde, die Wafernummer, die Losnummer
oder beliebige andere geeignete Informationen.
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Bei
einer Ausführungsform
werden die Matrix 102 und die Markierung 104 in
einer Bauelementeschicht des Halbleiterchips 100, wie zum
Beispiel in einer Polysiliziumschicht oder in einer anderen geeigneten
Schicht, gebildet. Bei einer Ausführungsform betragen die Abmessungen
der Matrix 102 ungefähr
30 μm mal
30 μm. Bei
anderen Ausführungsformen
ist die Matrix 102 größer oder
kleiner als 30 μm
mal 30 μm.
Auf der Basis der Position der Markierung 104 in der Matrix 102 werden
die codierten Informationen decodiert und ausgelesen. Bei einer Ausführungsform
werden die Informationen optisch durch Verwendung eines Mikroskops
oder eines anderen geeigneten Untersuchungswerkzeugs ausgelesen.
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2 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Wafers 110. Der Wafer 110 wird zur Herstellung
mehrerer Halbleiterchips 100 verwendet. Der Wafer 110 enthält mehrere
Belichtungsfelder, wie zum Beispiel bei 112 angegeben.
In jedem Belichtungsfeld 112 werden mehrere Halbleiterchips 100 gebildet.
Bei einer Ausführungsform
gibt eine Matrix 102 und eine Markierung 104 jedes
Halbleiterchips 100 das Belichtungsfeld 112 des
Wafers 110 an, in dem jeder Halbleiterchip 100 gebildet
wurde. Der Wafer 110 kann eine beliebige geeignete Größe aufweisen
und kann eine beliebige geeignete Anzahl von Belichtungsfeldern 112 enthalten,
wobei jedes Belichtungsfeld 112 eine beliebige Anzahl von
Chips enthält.
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3 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Lithographiezelle 120. Die Lithographiezelle 120 enthält ein Belichtungswerkzeug 122,
andere Werkzeuge 124, wie etwa ein Resistbeschichtungswerkzeug,
ein Entwicklungsverarbeitungswerkzeug und/oder andere geeignete
Werkzeuge zum Durchführen
optischer Lithographie auf Halbleiter-Wafern und eine Steuerung 126.
Die Steuerung 126 steuert den Betrieb der Lithographiezelle 120 einschließlich des
Betriebs des Belichtungswerkzeugs 122 und anderer Werkzeuge 124 zum
Herstellen von Halbleiterchips, wie etwa des zuvor mit Bezug auf 1 beschriebenen
und dargestellten Halbleiterchips 100.
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Das
Belichtungswerkzeug 122 enthält eine Beleuchtungsquelle 128 (z.
B. einen Laser, eine HG-Lampe oder eine andere geeignete Strahlungsemissionsquelle),
ein Retikel (Photomaske, Maske) 130, ein Linsensystem 132 und
eine Bühne 134.
Bei anderen Ausführungsformen
enthält
das Belichtungswerkzeug 122 andere geeignete Komponenten. Auf
der Bühne 134 wird
zur Belichtung ein Wafer 110 platziert. Bei einer Ausführungsform
wird das Belichtungswerkzeug 122 verwendet, um die Matrix 102 und
die Markierung 104 jedes Halbleiterchips 100 zu bilden.
Bei einer Ausführungsform
wird das Belichtungswerkzeug 122 mit einem Nanodruckwerkzeug ersetzt,
bei dem Schablonenmasken verwendet werden, um die Matrix 102 und
die Markierung 104 jedes Halbleiterchips 100 zu
stanzen oder zu bilden.
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Bei
einer Ausführungsform
ist das Belichtungswerkzeug 122 ein Schrittbelichtungswerkzeug, bei
dem das Belichtungswerkzeug 122 zu einem Zeitpunkt ein
Belichtungsfeld 112 des Wafers 110 belichtet und
dann den Wafer 110 zu einem neuen Ort vorrückt, um
die Belichtung zu wiederholen. Bei einer anderen Ausführungsform
ist das Belichtungswerkzeug 122 ein Schritt- und Scan-Belichtungswerkzeug,
das sowohl die Abtastbewegung eines Scanners (d. h. das Retikel 130 und
der Wafer 110 werden an dem Feld des Linsensystems 132 vorbeigeführt, das
das Bild des Retikels 130 auf den Wafer 110 projiziert)
als auch die Schrittbewegung einer Schrittvorrichtung kombiniert.
Ungeachtet des verwendeten Verfahrens belichtet das Belichtungswerkzeug 122 jedes
Belichtungsfeld 112 des Wafers 110.
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Die
Beleuchtungsquelle 128 führt dem Retikel 130 auf
dem optischen Pfad 136 gefiltertes, aufbereitetes und ausgerichtetes
Licht zu. Das Retikel 130 enthält ein Bild zur Projektion
auf den Wafer 110 auf der Bühne 134. Das Retikel 130 ist
eine Glas- oder Quarzplatte, die als Schwankung der Durchlässigkeit
und/oder Phase codierte Informationen über die auf den Wafer 110 zu
druckenden Strukturelemente enthält.
Bei einer Ausführungsform
für eine erste
Belichtung ist das Retikel 130 ein Retikel der Bauelementeschicht,
das Bilder von Matrizen zum Definieren einer Matrix 102 für jeden
in einem Belichtungsfeld 112 zu bildenden Halbleiterchip
enthält.
Bei einer anderen Ausführungsform
für eine
zweite Belichtung ist das Retikel 130 ein Markierungsretikel, das
Bilder von Markierungen zum Definieren einer Markierung 104 für jeden
in einem Belichtungsfeld 112 zu bildenden Halbleiterchip
enthält.
Bei einer anderen Ausführungsform
werden die Markierungen 104 in einer ersten Belichtung
und die Matrizen 102 in einer der ersten Belichtung folgenden
zweiten Belichtung definiert. Die Markierungen 104 und
die Matrizen 102 werden in derselben Schicht oder in verschiedenen
Schichten jedes Halbleiterchips definiert.
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Das
Linsensystem 132 fokussiert das Licht auf dem optischen
Pfad 136 von dem Retikel 130 auf den Wafer 110 zum
Schreiben auf dem Wafer 110. Bei einer Ausführungsform
enthält
das Linsensystem 132 mehrere Linsenelemente, die eingestellt
werden können,
um Fokus, Linsenaberrationen und andere Parameter zu korrigieren,
um die Gleichförmigkeit der
kritischen Dimensionen (critical dimensions, CD) aufrechtzuerhalten.
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Die
Bühne 134 hält den Wafer 110 zur
Belichtung. Die Bühne 134 und/oder
das Retikel 130 werden zur Belichtung der Belichtungsfelder 112 des Wafers 110 abhängig davon,
ob das Belichtungswerkzeug 122 eine Schrittvorrichtung
oder ein Schritt- und Scan-Belichtungswerkzeug ist, relativ zu dem
Linsensystem 132 positioniert. Bei einer Ausführungsform
steuert die Steuerung 126 die Position der Beleuchtungsquelle 128,
des Retikels 130, des Linsensystems 132 und der
Bühne 134 und/oder
justiert diese zur Belichtung des Wafers 110. Bei einer
Ausführungsform
steuert die Steuerung 126 das Belichtungswerkzeug 122,
um für
jeden auf dem Wafer 110 gebildeten Halbleiterchip 100 den
Wafer 110 unter Verwendung einer Bauelementeschicht und
eines Matrixretikels für
das Retikel 130 kombiniert mit einem Markierungsretikel
für das
Retikel 130 zum Definieren einer Matrix 102 bzw.
einer Markierung 104 zu belichten.
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4 ist
ein Flussdiagramm einer Ausführungsform
eines Verfahrens 200 zum Codieren von Informationen auf
Halbleiterchips. Bei 202 wird durch ein Resistbeschichtungswerkzeug
Resist (Fotolack) auf einen Wafer 110 aufgebracht. Bei 204 wird
ein erstes Belichtungsfeld 112 des Wafers 110 ausgewählt. Bei 206 wird
der Wafer 110 unter Verwendung einer Bauelementeschicht
und des Matrixretikels 130 durch das Belichtungswerk zeug 122 oder
ein anderes geeignetes Werkzeug belichtet. Die Bauelementeschicht
und das Matrixretikel umfassen eine beliebige geeignete Anzahl von
Bildern von Matrizen zum Definieren von Matrizen zum Codieren von
Informationen für
jeden Halbleiterchip. Bei 208 wird, wenn nicht alle Belichtungsfelder 112 des
Wafers 110 belichtet worden sind, bei 210 dann
das nächste
Belichtungsfeld 112 ausgewählt und die Belichtung bei 206 wiederholt.
Bei 208 wird, wenn alle Belichtungsfelder 112 des
Wafers 110 belichtet worden sind, bei 212 dann
das erste Belichtungsfeld 112 ausgewählt. Bei einer anderen Ausführungsform
wird eine Maske verwendet und der gesamte Wafer 110 unter
Verwendung einer einzigen Belichtung belichtet, um Matrizen zum
Codieren von Informationen für
jeden Halbleiterchip zu definieren.
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Bei 214 wird
ein Markierungsretikel 130 relativ zu dem Wafer 110 versetzt,
um alle Matrizen für
einen Informationstyp in dem gewählten
Belichtungsfeld 112 zu markieren. Zum Beispiel werden bei
einer Ausführungsform
alle Matrizen 102 in dem gewählten Belichtungsfeld 112 mit
Markierungen 104 markiert, um das gewählte Belichtungsfeld 112 anzugeben. Bei
einer Ausführungsform
wird das Retikel 130 justiert, um das Retikel 130 mit
Bezug auf den Wafer 110 zu versetzen. Bei einer anderen
Ausführungsform wird
die Bühne 134 justiert,
um den Wafer 110 in Bezug auf das Retikel 130 zu
versetzen. Bei einer anderen Ausführungsform werden sowohl das
Retikel 130 als auch die Bühne 134 justiert,
um das Retikel 130 mit Bezug auf den Wafer 110 zu
versetzen. Bei 216 wird der Wafer 110 unter Verwendung
des Markierungsretikels 130 durch das Belichtungswerkzeug 122 oder
ein anderes geeignetes Werkzeug belichtet. Bei 218 wird,
wenn nicht alle Belichtungsfelder 112 des Wafers 110 belichtet
worden sind, bei 220 dann das nächste Belichtungsfeld 112 ausgewählt, das Markierungsretikel
zu dem Wafer bei 214 versetzt und die Belichtung bei 216 wiederholt.
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Bei 218 wird,
wenn alle Belichtungsfelder 112 des Wafers 110 belichtet
worden sind, der Wafer 110 dann bei 222 entwickelt, geätzt und
das Resist wird entfernt. Auf diese Weise werden eine Bauelementeschicht,
Matrix und Markierung auf jedem Chip des Wafers 110 hergestellt.
Bei anderen Ausführungsformen
werden andere geeignete Prozessabläufe verwendet, um die Bauelementeschicht,
Matrix und Markierung auf jedem Chip des Wafers 110 herzustellen.
Bei anderen Ausführungsformen
kann eine beliebige geeignete Anzahl von Matrizen für jeden Chip
in der Bauelementeschicht definiert und durch Wiederholen der Blöcke 212–220 für jede Matrix
markiert werden. In diesem Fall wird ein einziges Markierungsretikel
verwendet, um für
alle Belichtungen eine Markierung in jeder Matrix zu definieren.
Jede Matrix fügt
eine zusätzliche
Belichtung hinzu. Wenn jeder Chip eine Matrix enthält, wird
deshalb eine zusätzliche
Belichtung zusätzlich
zu der Bauelementeschichtbelichtung verwendet. Wenn jeder Chip zwei Matrizen
enthält,
werden zwei zusätzliche
Belichtungen zusätzlich
zu der Bauelementeschichtbelichtung verwendet und so weiter.
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Bei
einer Ausführungsform
enthält
jede Matrix nur vier Richtmaße,
die den Rand der Matrix bilden. Bei einer Ausführungsform sind mehrere Markierungen
in einer einzigen Matrix enthalten, wobei jede Markierung verschiedene
Informationen codiert. Bei einer anderen Ausführungsform enthalten die Markierungen
in einer einzigen Matrix zwei oder mehr verschiedene Formen, wobei
die Form angibt, welche Informationen eine Markierung codiert.
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Die
folgenden 5–7 zeigen
eine Ausführungsform
zum Markieren eines einzelnen Chips eines Wafers zur Angabe der
Position jedes Chips auf dem Wafer. Obwohl 5–7 der
Einfachheit halber vier Belichtungsfelder mit vier Chips pro Belichtungsfeld
zeigen, kann bei anderen Ausführungsformen
eine beliebige geeignete Anzahl von Belichtungsfeldern mit einer
beliebigen geeigneten Anzahl von Chips pro Belichtungsfeld verwendet
werden.
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5 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von vier Belichtungsfeldern 302a–302d auf einem Wafer 300.
Jedes Belichtungsfeld 302a–302d enthält wie bei 304a–304d angegeben
vier Chips. Jeder Chip enthält
eine erste Markierung oder Kennung 306 zur Angabe der Position
des Chips in dem Belichtungsfeld. Zum Beispiel ist die Markierung 306 für den Chip 304a „1”, die Markierung 306 für den Chip 304b ist „2”, die Markierung 306 für den Chip 302c ist „3” und die
Markierung 306 für
den Chip 304c ist „4”. Bei anderen
Ausführungsformen
werden andere geeignete Markierungen oder Kennungen zur Angabe der
Position des Chips in dem Belichtungsfeld verwendet, wie etwa Buchstaben,
Formen oder Symbole. Jeder Chip enthält außerdem eine Matrix 308. Jede
Markierung 306 und jede Matrix 308 werden in einer
Bauelementeschicht oder in einer anderen geeigneten Schicht des
Wafers 300 unter Verwendung eines Prozesses wie zuvor mit
Bezug auf die Blöcke 202–210 von 4 beschrieben
und dargestellt gebildet. Bei einer anderen Ausführungsform wird der gesamte
Wafer 300 unter Verwendung einer einzigen Belichtung belichtet,
um die erste Markierung oder Kennung 306 zur Angabe der
Position jedes Chips auf dem Wafer 300 bereitzustellen.
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6 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
eines Markierungsretikels 320. Bei einer Ausführungsform
wird das Markierungsretikel 320 für das Retikel 130 in
dem Belichtungswerkzeug 122 verwendet, um eine Markierung
in jeder Matrix 308 bereitzustellen. Das Markierungsretikel 320 enthält ein Markierungsbild 322a–322d für jeden
Chip 304a–304d in
jedem Belichtungsfeld 302a–302d. Deshalb wird
jede Matrix 308 in einem Belichtungsfeld 302a–302d unter
Verwendung einer einzigen Belichtung markiert. Zum Beispiel definiert
während
einer ersten Belichtung das Markierungsbild 322a eine Markierung
in der Matrix 308 des Chips 304a des Belichtungsfelds 302a.
Das Markierungsbild 322b definiert eine Markierung in der
Matrix 308 des Chips 304b des Belichtungsfelds 302a.
Das Markierungsbild 322c definiert eine Markierung in der
Matrix 308 des Chips 304c des Belichtungsfelds 302a.
Das Markierungsbild 322d definiert eine Markierung in der Matrix 308 des
Chips 304d des Belichtungsfelds 302a. Ähnlich definiert
während
einer zweiten Belichtung das Markierungsbild 322a eine
Markierung in der Matrix 308 des Chips 304a des
Belichtungsfelds 302b und so weiter.
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7 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
der vier Belichtungsfelder 302a–302d auf einem Wafer 330 nach
der Belichtung dieser unter Verwendung des Markierungsretikels 320.
Jedes Belichtungsfeld 302a–302d wird wie zuvor
mit Bezug auf die Blöcke 212–220 von 4 beschrieben
und dargestellt belichtet. Bei einer ersten Belichtung wird das Retikel 320 wie
bei 320a angegeben nicht relativ zu dem Belichtungsfeld 302a versetzt,
so dass die untere linke Ecke jeder Matrix 308 mit einer
Markierung 332 markiert wird. Bei einer zweiten Belichtung
wird das Retikel 320 wie bei 320b angegeben relativ
zu dem Belichtungsfeld 302b versetzt, so dass die untere
rechte Ecke jeder Matrix 308 mit einer Markierung 332 markiert
wird. Bei einer dritten Belichtung wird das Retikel 320 wie
bei 320c angegeben relativ zu dem Belichtungsfeld 302c versetzt,
so dass die obere linke Ecke jeder Matrix 308 mit einer
Markierung 332 markiert wird. Bei einer vierten Belichtung
wird das Retikel 320 wie bei 320d angegeben relativ
zu dem Belichtungsfeld 302d versetzt, so dass die obere rechte
Ecke jeder Matrix 308 mit einer Markierung 332 markiert
wird. Die Markierungen für
alle Halbleiterchips in einem Belichtungsfeld werden gleichzeitig definiert,
so dass keine Maskierungsblenden notwendig sind.
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Auf
diese Weise wird jeder Chip 304a–304d jedes Belichtungsfelds 302a–302d eindeutig
markiert, um seine Position auf dem Wafer 330 zu identifizieren.
Zum Beispiel wird Chip 304a des Belichtungsfelds 302a mit
einer internen Belichtungsfeldnummer „1” für die Markierung 306 und
mit einer Markierung 332 unten links in der Matrix 308 markiert. Deshalb
kann, wenn die untere linke Ecke des Wafers als Zeile 1, Spalte
1 bezeichnet wird, dieser Chip auf Chip 1 (d. h. dem Chip 304a) des
Belichtungsfelds in Zeile 1, Spalte 1 (d. h. Belichtungsfeld 302a) zurückverfolgt
werden. Chip 304d des Belichtungsfelds 302b wird
mit einer internen Belichtungsfeldnummer „4” für die Markierung 306 und
mit einer Markierung 332 unten rechts in der Matrix 308 markiert. Deshalb
kann dieser Chip auf Chip 4 (d. h. Chip 304d) des Belichtungsfelds
in Zeile 1, Spalte 2 (d. h. Belichtungsfeld 302b) zurückverfolgt
werden. Ähnlich
wird Chip 304b des Belichtungsfelds 302c mit der internen
Belichtungsfeldnummer „2” für die Markierung 306 und
mit einer Markierung 332 oben links in der Matrix 308 markiert.
Deshalb kann dieser Chip auf Chip 2 (d. h. Chip 304b) des
Belichtungsfelds in Zeile 2, Spalte 1 (d. h. Belichtungsfeld 302c)
zurückverfolgt
werden.
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8 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Matrix 400 zum Codieren der Wafernummer. Die Matrix 400 enthält zwei
Zeilen und 25 Spalten zum Identifizieren von bis zu 50 Wafern in
einem Los. Bei anderen Ausführungsformen
kann die Matrix 400 eine beliebige geeignete Anzahl von
Zeilen und Spalten zum Identifizieren einer beliebigen geeigneten
Anzahl von Wafern in einem Los enthalten. Bei dieser Ausführungsform
gibt eine Markierung in der ersten Spalte (d. h. äußersten
linken Spalte), ersten Zeile (d. h. untersten Zeile) wie bei 402 angegeben Wafer „1” an, und
eine Markierung in der ersten Spalte, zweiten Zeile wie bei 404 angegeben,
zeigt Wafer „26”, so dass
bei dieser Ausführungsform
die Markierung 406 den Wafer „5” angibt. Bei einer Ausführungsform
sind die Matrix 400 und die zuvor mit Bezug auf 7 beschriebene
und dargestellte Matrix 308 beide auf jedem Chip vorgesehen,
um die Wafernummer bzw. Position des Chips auf dem Wafer anzugeben.
Die Matrix 400 und die Markierung 406 werden unter
Verwendung eines dem zuvor mit Bezug auf 4 beschriebenen
und dargestellten Verfahren 200 ähnlichen Verfahrens gebildet.
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9 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
einer Matrix 410 zum Codieren der Losnummer. Die Matrix 410 enthält 10 Zeilen
und 6 Spalten zum Identifizieren einer Losnummer, die bis zu sechs
Stellen enthält.
Jede Spalte der Matrix 410 enthält eine Markierung zur Angabe
einer Stelle der Losnummer. Bei anderen Ausführungsformen kann die Matrix 410 eine
beliebige geeignete Anzahl von Zeilen und Spalten zum Identifizieren
einer Losnummer mit einer beliebigen geeigneten Anzahl von Stellen
enthalten. Bei dieser Ausführungsform
gibt eine Markierung in der ersten Zeile (d. h. untersten Zeile)
wie bei 412 angegeben eine „1” an, eine Markierung in der
neunten Zeile, wie bei 414 angegeben, gibt eine „9” an, und eine
Markierung in der zehnten Zeile, wie bei 416 angegeben,
gibt eine „0” an.
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Deshalb
gibt bei dieser Ausführungsform
die Markierung 418 eine „8” an, die Markierung 420 eine „1”, die Markierung 422 eine „7”, die Markierung 424 eine „2”, die Markierung 426 eine „2” und die
Markierung 428 eine „1”, um eine
Losnummer gleich „817221” bereitzustellen.
Bei einer Ausführungsform sind
Matrix 410, Matrix 400, die zuvor mit Bezug auf 8 beschrieben
und dargestellt wurden, und/oder die zuvor mit Bezug auf 7 beschriebene
und dargestellte Matrix 308 auf jedem Chip vorgesehen,
um jeweils die Losnummer, Wafernummer und/oder Position des Chips
auf dem Wafer anzugeben. Die Martrix 410 und jede Markierung 418–428 werden
unter Verwendung eines dem zuvor mit Bezug auf 4 beschriebenen
und dargestellten Verfahren 200 ähnlichen Verfahrens gebildet.
Bei dieser Ausführungsform
wird jedoch eine separate Belichtung verwendet, um jede Markierung 418–428 bereitzustellen,
so dass sechs Belichtungen zusätzlich
zu der Bauelementeschicht- und Matrixbelichtung pro Belichtungsfeld
vorliegen.
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10 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von drei Matrizen 440 zur Codierung der Losnummer. Jede
Matrix 442, 444 und 446 enthält 10 Zeilen
und 10 Spalten zum Identifizieren von zwei Stellen einer Losnummer,
so dass die Kombination der Matrizen 442, 444 und 446 eine
Losnummer identifiziert, die bis zu sechs Stellen enthält. Jede
Matrix 442, 444 und 446 enthält eine
Markierung zur Angabe von zwei Stellen. Bei an deren Ausführungsformen
können
zusätzliche
Matrizen verwendet werden, um eine Losnummer zu identifizieren,
die eine beliebige Anzahl von Stellen enthält. Bei dieser Ausführungsform
gibt eine Markierung in der ersten Spalte (d. h. äußersten
linken Spalte), der ersten Zeile (d. h. untersten Zeile) einer Matrix 442, 444 und 446 wie bei 448 angegeben
eine „11” an, eine
Markierung in der ersten Spalte, neunten Zeile wie bei 450 angegeben
gibt eine „19” an, eine
Markierung in der ersten Spalte, zehnten Zeile, wie bei 452 angegeben,
gibt eine „10” an, eine
Markierung in der neunten Spalte, ersten Zeile wie bei 454 angegeben,
gibt eine „91” an, und
eine Markierung in der zehnten Spalte, ersten Zeile, wie bei 456 angegeben,
gibt eine „01” an.
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Deshalb
gibt bei dieser Ausführungsform
die Markierung 458 der Matrix 442 eine „81” an, die
Markierung 460 der Matrix 444 eine „72” und die
Markierung 462 der Matrix 446 eine „21”, um eine
Losnummer „817221” bereitzustellen.
Bei einer Ausführungsform
werden die Matrizen 440, die zuvor mit Bezug auf 8 beschriebene
und dargestellte Matrix 400 und/oder die zuvor mit Bezug
auf 7 beschriebene und dargestellte Matrix 308 auf
jedem Chip vorgesehen, um jeweils die Losnummer, Wafernummer und/oder
Position des Chips auf dem Wafer anzugeben. Die Matrizen 440 und
jede Markierung 458–462 werden
unter Verwendung eines dem zuvor mit Bezug auf 4 beschriebenen
und dargestellten Verfahren 200 ähnlichen Verfahrens gebildet.
Bei dieser Ausführungsform
wird jedoch eine separate Belichtung verwendet, um jede Markierung 458–462 bereitzustellen,
so dass drei Belichtungen zusätzlich
zu der Bauelementeschicht- und Matrixbelichtung pro Belichtungsfeld
vorliegen.
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11 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von zwei Matrizen 480 zur Codierung der Losnummer. Bei
dieser Ausführungsform
wird die erste Zahl der Losnummer, die in diesem Beispiel keine wichtige
Information ist (z. B. das Jahr) ausgeschlossen. Die übrigen fünf Stellen
der Losnummer werden dann in Hexadezimal umgewandelt, um eine Hexadezimaldarstellung
mit vier Stellen der Losnummer bereitzustellen. Zum Beispiel wird
für die
Losnummer „817221” die „8” ausgeschlossen
und „17221” in Hexadezimal
umgewandelt, um „4345” bereitzustellen.
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Jede
Matrix 482 und 484 enthält 16 Zeilen und 16 Spalten
zur Identifikation von zwei Stellen einer Hexadezimaldarstellung
einer Losnummer, so dass die Kombination der Matrizen 482 und 484 eine Losnummer
bereitstellt, die bis zu fünf
Stellen enthält. Jede
Matrix 482 und 484 enthält eine Markierung zur Angabe
von zwei Hexadezimalstellen. Bei anderen Ausführungsformen können zusätzliche
Matrizen verwendet werden, um eine Losnummer zu identifizieren,
die eine beliebige Anzahl von Stellen enthält. Bei dieser Ausführungsform
gibt eine Markierung in der ersten Spalte (d. h. äußersten
linken Spalte), ersten Zeile (d. h. unterste Zeile) einer Matrix 482 und 484 wie
bei 486 angegeben die Hexadezimalzahl „11” an, eine Markierung in der
ersten Spalte, 16. Zeile, wie bei 488 angegeben, gibt eine „1F” an, und
eine Markierung in der 16. Spalte, ersten Zeile, wie bei 490 angegeben,
gibt ein „F1” an.
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Deshalb
gibt bei dieser Ausführungsform
die Markierung 492 der Matrix 482 eine „43” an, und
die Markierung 494 der Matrix 484 gibt eine „45” an, um eine
Hexadezimalzahl gleich „4345” und eine
Losnummer gleich „17221” bereitzustellen.
Bei einer Ausführungsform
werden die Matrizen 480, die zuvor mit Bezug auf 8 beschriebene
und dargestellte Matrix 400 und/oder die zuvor mit Bezug
auf 7 beschriebene und dargestellte Matrix 308 auf
jedem Chip vorgesehen, um jeweils die Losnummer, Wafernummer und/oder
Position des Chips auf dem Wafer anzugeben. Die Matrizen 480 und
jede Markierung 492 und 494 werden unter Verwendung
eines dem zuvor mit Bezug auf 4 beschriebenen
und dargestellten Verfahren 200 ähnlichen Verfahrens gebildet. Bei
dieser Ausführungsform
wird jedoch eine separate Belichtung verwendet, um jede Markierung 482 und 484 bereitzustellen,
so dass zwei Belichtungen zu sätzlich
zu der Bauelementeschicht- und Matrixbelichtung pro Belichtungsfeld
vorliegen.
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12 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von codierten Informationen 500, die die Halbleiterchip-Position
auf einem Wafer, die Wafernummer und die Losnummer für einen
Halbleiterchip umfassen. Der Teil 502 der codierten Informationen 500 enthält eine
interne Belichtungsfeldnummer 508, eine Matrix 510 und
eine Markierung 512 zur Angabe der Position des Halbleiterchips
auf dem Wafer. Bei dieser Ausführungsform
ist die interne Belichtungsfeldnummer 508 „54”, wodurch
angegeben wird, dass der Halbleiterchip der 54. Chip in dem Belichtungsfeld
ist. Die Markierung 512 gibt an, dass sich der Halbleiterchip
in dem Belichtungsfeld in Zeile 4, Spalte 5 auf dem Wafer befindet.
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Der
Teil 504 der codierten Informationen 500 umfasst
eine Losnummer, die durch die Matrizen 514 und 518 bzw.
Markierungen 516 und 520 identifiziert wird. Bei
dieser Ausführungsform
enthält
die Losnummer fünf
Stellen, die als Hexadezimalzahl codiert werden. Bei dieser Ausführungsform
gibt die Markierung 516 der Matrix 514 die Hexadezimalzahl „84” und die
Markierung 520 der Matrix 518 die Hexadezimalzahl „53” an, um
die Losnummer „33875” bereitzustellen.
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Der
Teil 506 der codierten Informationen 500 umfasst
eine Wafernummer, die durch die Matrix 522 und die Markierung 524 identifiziert
wird. Bei dieser Ausführungsform
gibt die Markierung 524 die Wafernummer „4” an. Die
Matrizen 510, 514, 518 und 522 bzw.
jede Markierung 512, 516, 520 und 524 werden unter
Verwendung eines dem zuvor mit Bezug auf 4 beschriebenen
und dargestellten Verfahren 200 ähnlichen Verfahrens gebildet.
Bei dieser Ausführungsform
wird jedoch eine separate Belichtung verwendet, um jede Markierung 512, 516, 520 und 524 bereitzustellen,
so dass vier Belichtungen zusätzlich
zu der Bauelementeschicht- und Matrixbelichtung pro Belichtungsfeld
vorliegen. Es wird dasselbe Markierungsreti kel verwendet, um jede
Markierung 512, 516, 520 und 524 bereitzustellen.
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13 ist
ein Diagramm einer Ausführungsform
von Codierungsinformationen 540 in mehreren Schichten eines
Halbleiterchips. Bei dieser Ausführungsform
werden eine Matrix 542 und eine Markierung 552 in
einer ersten Schicht des Halbleiterchips gebildet, um zwei Hexadezimalstellen
einer Losnummer zu codieren. In einer zweiten Schicht des Halbleiterchips
werden eine Matrix 544 und eine Markierung 554 gebildet,
um zwei weitere Hexadezimalstellen der Losnummer zu codieren. In
einer dritten Schicht des Halbleiterchips werden eine dritte Matrix 546 und
eine erste Markierung 556 und eine zweite Markierung 558 gebildet,
um die Wafernummer bzw. Position des Halbleiterchips auf dem Wafer
zu codieren. Durch Stapelung der Matrizen 542, 544 und 546 wird
die in einer einzigen Schicht des Halbleiterchips zum Codieren von
Informationen verwendete Fläche im
Vergleich zu der zuvor mit Bezug auf 12 beschriebenen
und dargestellten Ausführungsform
verringert.
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Bei
einer anderen Ausführungsform
werden die Matrizen 542, 544 und 546 ausgeschlossen.
Bei dieser Ausführungsform
wird eine Referenzstruktur 548, die den Rasterabstand definiert,
und ein Referenzpunkt 550 zur Angabe der Position 0/0 in
dem Halbleiterchip gebildet. Unter Verwendung des durch die Referenzstruktur 548 definierten
Rasterabstands werden Vektoren von dem Referenzpunkt 550 zu
jeder Markierung 552, 554, 556 und 558 gemessen. Somit
gibt die Messung des Vektors 560 von dem Referenzpunkt 550 zu
der Markierung 552 zwei Hexadezimalstellen einer Losnummer
an. Die Messung des Vektors 562 von dem Referenzpunkt 550 zu
der Markierung 554 gibt zwei weitere Hexadezimalstellen der
Losnummer an. Die Messung des Vektors 564 von dem Referenzpunkt 550 zu
der Markierung 556 gibt die Wafernummer an. Die Messung
des Vektors 566 von dem Referenzpunkt 550 zu der
Markierung 558 gibt die Position des Halbleiterchips auf
dem Wafer an.
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Ausführungsformen
stellen codierte Informationen auf einem Halbleiterchip bereit.
Die codierten Informationen sind optisch lesbar und umfassen die Position
des Halbleiters auf einem Wafer, die Wafernummer, die Losnummer
und/oder beliebige andere geeignete Informationen. Alle Halbleiterchips
in einem Belichtungsfeld werden gleichzeitig unter Verwendung eines
Markierungsretikels markiert, das ein Markierungsbild pro Halbleiterchip
enthält.
Das Markierungsretikel wird für
jede Belichtung relativ zu dem Wafer versetzt, um die gewünschten
Informationen auf jedem Chip in einem Belichtungsfeld zu codieren. Somit
wird jeder Halbleiterchip eindeutig identifiziert und ist auf den
Herstellungsprozess zurückverfolgbar,
so dass die Korrelation eines Ausfalls mit während des Herstellungsprozesses
erhaltenen Inlinedaten und eine eingehende Ursachenanalyse des Ausfalls
möglich
werden. Zusätzlich
ist die eindeutige Identifikation jedes Halbleiterchips nützlich für die Verfolgung
von komplexen Aufteilungsexperimenten oder Yield Learning zum Beispiel
während
der Technologieentwicklung.
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Obwohl
hier spezifische Ausführungsformen dargestellt
und beschrieben wurden, ist für
Durchschnittsfachleute erkennbar, dass vielfältige alternative und/oder äquivalente
Implementierungen die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen
ersetzen können,
ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die
vorliegende Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Varianten der
hier besprochenen spezifischen Ausführungsformen abdecken. Deshalb
ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung nur durch die
Ansprüche
und ihre Äquivalente
beschränkt
wird.