DE10160458B4 - Maske mit programmierten Defekten und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Abstract

Maske zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleiterstruktur mittels Lithographie, wobei das Layout der Maske auf einem bestehenden Layout für eine geplante Produktion basiert und die herzustellenden Halbleiterstrukturen für die Produktion definiert, mit:
einer Quarzschicht (1); und
einer auf der Quarzschicht (1) verlaufenden Maskierungsschicht (2) zur Maskierung von vorbestimmten Bereichen der Quarzschicht (1) zur Abbildung der Halbleiterstrukturen, wobei die Maskenoberfläche zusätzlich einen oder mehrere vorbestimmte Defekte (8, 15, 16, 17, 18) aufweist, und jeder dieser Defekte (8, 15, 16, 17, 18) durch eine Markierung (11) auf der Maskenoberfläche markiert ist.

Description

• Durch die großen Fortschritte in der Mikroelektronik werden die Strukturen integrierter Schaltkreise immer kleiner und die Zahl der auf einem Silizium-Plättchen angeordneten Elemente wie Transistoren, Dioden, Widerstände, Kondensatoren und Leiterbahnen immer größer.
• Im fotolithografischen Herstellungsverfahren werden solche Strukturen dadurch hergestellt, dass die Oberfläche eines Siliziumsubstrates mit einem lichtempfindlichen Lack überzogen ist, und dieser mit Hilfe einer Maske an den Stellen belichtet wird, an denen später eingegriffen werden soll. An den belichteten Stellen lässt sich der Fotolack leicht ablösen, wodurch die Siliziumoberfläche zum Ätzen freigegeben wird.
• Um eine genaue Abbildung der Strukturen und damit eine mögliche Verkleinerung der Schaltkreise zu gewährleisten, müssen Fehler in den Strukturen auf den Masken minimiert werden. Es ist deshalb bekannt, spezielle Testmasken mit programmierten Defekten einzusetzen, um Fehler bei der Herstellung der Produktmasken, die die eigentlich herzustellenden Chipstrukturen enthalten, zu vermeiden. (Solche Testmasken enthalten Teststrukturen, die sich von den Chipstrukturen unterscheiden).
• Die Testmasken sollen dabei drei zentrale Aufgaben erfüllen. Zum einen sollen sie eine Kalibrierung von Masken-Fehlerinspektionsanlagen ermöglichen. Durch die Kalibrierung soll sichergestellt werden, dass all diejenigen Fehler detektiert werden können, die zu so genannten Spec-Verletzungen (d.h. Verletzungen der Spezifikation) bei der Chipherstellung führen würden.
• In dem Dokument DE 196 22 037 A1 ist die Verwendung einer Testmaske mit vorbestimmt angeordneten Defektstrukturen beschrieben, die zum Kalibrieren eines auf der Messung der Lichtintensitätsverteilung beruhenden Fehlerinspektionssystems dient.
• Weiterhin sollen mittels der Testmasken Kriterien festgelegt werden, die zur anschließenden Überprüfung der Produktmasken verwendet werden können. Insbesondere sollen die programmierten Fehler auf den Testmasken mit AIMS (Aerial Image Measurement System) Mikroskopen inspiziert werden, um diese zu erkennen und daraus Schlüsse ziehen zu können, wie schon vor der Chipherstellung Aussagen über mögliche Maskenfehler gemacht werden können. Die optischen Parameter der Mikroskope (numerische Apertur, räumliche Kohärenz) können dabei an die Stepperparameter angepasst werden. Somit entspricht das Luftbild der Testmaskenabbildung im Mikroskop im wesentlichen dem Luftbild des Steppers. Aus den gemessenen Abweichungen im Luftbild werden dann im Vergleich mit Abweichungen auf Waferebene Kriterien für maximal zu tolerierende Schwankungen abgeleitet. Solche auf diese Weise festgelegten Kriterien werden auch als „Defect-Printability Kriterien" bezeichnet.
• Diese „Defect-Printability Kriterien" sollen außerdem zur systematischen Untersuchung von Defektreparaturen berücksichtigt werden. Solche Reparaturen werden durchgeführt, da die Herstellung einer neuen (fehlerfreien) Produktmaske verhältnismäßig teuer ist, und andererseits vom Kunden auf der Produktmaske keine kritischen Fehler toleriert werden können.
• Bekannte Testmasken weisen programmierte Defekte auf, mittels derer diese Anforderungen nicht gleichzeitig erfüllt werden können. Art und Größe dieser Defekte liegen je nach Anforderung innerhalb oder außerhalb der kritischen (d.h. Toleranz-) Bereiche.
• Insbesondere werden Beschriftungen zur Markierung von Defekten verwendet, die mit den Algorithmen bekannter Inspektionsanlagen nicht harmonieren. Als Folge dessen verursachen die Markierungen selbst eine hohe Anzahl von Defektmeldungen, so dass die Fehlersuche in der Regel abgebrochen werden muss.
• Außerdem ist es oft problematisch, Testmasken, deren Strukturen sich wesentlich von denen von Produktmasken unterscheiden, auf den Wafer zu drucken. Darüber hinaus ist das zum Teil sehr komplexe Design von Testmasken nachteilig, das einen großen Aufwand beim Layoutentwurf mit sich bringt.
• Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, dieser Problematik abzuhelfen. Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen definierte Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind durch die Unteransprüche definiert.
• Erfindungsgemäß ist eine Produktmaske zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleiterstruktur mittels Lithographie geschaffen, mit: einer Quarzschicht; und einer auf der Quarzschicht verlaufenden Maskierungsschicht zur Maskierung von vorbestimmten Bereichen der Quarzschicht zur Abbildung der Halbleiterstrukturen, wobei die Maskenoberfläche einen oder mehrere vorbestimmte Defekte aufweist und jeder dieser Defekte durch eine Markierung auf der Maskenoberfläche markiert ist.
• Unter Produktmaske ist eine Maske zu verstehen, die die herzustellenden Halbleiterstrukturen für die Produktion (oder geplante Produktion) enthält. Die Implementierung von programmierten Fehlern auf einer Produktmaske hat den Vorteil, dass neben den „gewollten" Fehlern auch prozessbedingte („natürliche") Fehler auf der Maske entstehen. Somit können unmittelbar die unterschiedlichen Auswirkungen von „gewollten" und „natürlichen" Fehlern untersucht und die Inspektionsanlagen darauf abgeglichen werden. In einem Inspektionsschritt kann dann ein Abgleich der Sensitivität für Prozessfehler und programmierte Defekte erfolgen. Der Bezug zu den sonst auf anderen Masken zu findenden Prozessfehlern ist somit sehr nahe. Ebenso kann ein Wiederholungstest sehr leicht durchgeführt werden, um die Grenzen der Testanlage festzustellen.
• Das Layout basiert demnach auf einem bestehenden Layout für die (geplante) Produktion, so dass kein neues spezielles Testlayout erstellt werden muss. Darüber hinaus sind bei der Herstellung der Maske alle Produktionsschritte und Produktionsparameter identisch mit denen auch sonst für die Herstellung einer Produktmaske verwendeten Schritte bzw. Parameter. Somit wird eine optimale Reproduzierbarkeit von programmierten Fehlern bei gleichzeitiger Erzeugung produktionsbedingter „echter" Fehler erreicht.
• Erfindungsgemäß ist weiterhin eine Phasenverschiebungsmaske zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleiterstruktur mittels Lithographie geschaffen, mit: einer Quarzschicht; einer auf der Quarzschicht verlaufenden Maskierungsschicht zur Maskierung von vorbestimmten Bereichen der Quarzschicht zur Abbildung der Halbleiterstrukturen; und einer Anzahl von in der Quarzschicht gebildeten Gräben, wobei die Quarzschicht innerhalb und/oder außerhalb der Gräben einen oder mehrere vorbestimmte Defekte aufweist.
• Die Maskierungsschicht kann durch eine Chromschicht gebildet sein. Phasenverschiebungsmasken zeichnen sich generell dadurch aus, dass ein Teil der Strukturen lediglich in die Chromschicht geätzt wird, während ein anderer Teil der Strukturen bis in die darunter liegende Quarzschicht geätzt wird. Alternativ können alle Strukturen mit unterschiedlicher Tiefe in die Quarzschicht geätzt werden.
• Insbesondere wird die Ätztiefe für benachbarte Strukturteile abgewechselt. Dadurch wird der Kontrast benachbarter Strukturen bei der Abbildung auf das Substrat erhöht. Dies liegt daran, dass das Licht bei der Abbildung der Maskenstrukturen auf das Substrat eine Phasenverschiebung abhängig von der Ätztiefe der jeweiligen Strukturteile erfährt.
• Der Herstellungsprozess einer Phasenverschiebungsmaske besteht aus zwei Prozessteilen. In dem ersten Prozessteil („first layer"-Prozess) werden alle Strukturen in die Chromschicht geätzt. In dem zweiten Prozessteil („second layer"-Prozess) wird ein Teil der Strukturen zusätzlich in die Quarzschicht geätzt.
• Die Implementierung der Defekte und Markierungen erfolgt mit Vorteil ausschließlich in dem „second layer"-Prozess. Dies hat eine schnelle Realisierbarkeit des Layouts zur Folge, da nur eine Ebene des Layouts (eben jene „second layer" im Quarz) von den Veränderungen betroffen ist. Die Quarzfehler sowie die zugeordneten Markierungen können auf einfache Weise durch lokale Abdeckungen (Quarzerhebung) oder Belichtungen (Quarzlöcher) hergestellt werden.
• Durch die Markierung werden die einzelnen programmierten Defekte gekennzeichnet. Dadurch können die Fehler insbesondere mit AIMS und im Printtest auch bei ungenauen Fehlerkoordinaten leicht gefunden und Fehlertyp und Größe abgelesen werden.
• Vorzugsweise besteht jede Markierung aus einer Anzahl von Markern, von denen jeder einem Markertyp zugeordnet ist, und wobei jeder Markertyp einem vorbestimmten Defektparameter zugeordnet ist. Die Zuordnung jedes Markers zu einem Markertyp erfolgt durch dessen Anordnung auf der Maskenoberfläche. Die vorbestimmten Defektparameter sind durch eine Defektkategorie, einen Defekttyp, und eine durch einen Defekt erzeugte Phasenverschiebung gebildet. Die Defektkategorie, der Defekttyp, und die durch einen Defekt erzeugte Phasenverschiebung sind jeweils durch die Anzahl der Marker des zugeordneten Markertypes bestimmt. Die Defektkategorie bestimmt, ob ein Defekt durch eine Quarzerhebung innerhalb eines Grabens oder ein Quarzloch außerhalb eines Grabens gebildet oder durch Reparatur eines vorhergehenden Defektes (Reparaturtest) entstanden ist. Der Defekttyp bestimmt, ob ein Defekt ein Seitendefekt, ein zentraler Defekt oder ein Brückendefekt ist.
• Vorzugsweise sind Marker desselben Types auf derselben Ebene der Maske, und benachbarte Marker unterschiedlichen Types auf unterschiedlichen Ebenen der Maske aufgebracht. Unter Ebenen sind Bereiche unterschiedlicher Ätztiefe gemeint. So können beispielsweise alle Marker eines Typs innerhalb von Gräben liegen, während alle benachbarten Marker eines anderen Types außerhalb der Gräben liegen. Dadurch ist eine einfache Unterscheidung der Markertypen möglich.
• Mit Vorteil sind die Marker im wesentlichen rechteckig und dergestalt, dass sie von verwendeten Inspektionsanlagen problemlos erkannt werden können, ohne zu einem Anwachsen der getriggerten Fehlererkennungen zu führen. Somit kann die gesamte Maske inspiziert werden, und nicht nur Teile der Maske, in denen sich keine weitere Fehlermeldungen auslösenden Beschriftungen befinden.
• Die Marker können durch Quarzerhebungen und/oder Quarzlöcher auf bzw. in der Quarzschicht gebildet sein. Dadurch ist eine Herstellung der Markierungen im selben Schritt wie die Herstellung der Defekte und der Gräben, d.h. im „second layer"-Prozess möglich.
• Die Defekte variieren in der Größe, sind aber immer kleiner (vorzugsweise wesentlich kleiner) als die Marker. Dadurch kann eine Verwechslung von Markern mit Defekten ausgeschlossen werden.
• Erfindungsgemäß ist außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer Maske geschaffen, mit folgenden Schritten: Herstellen einer Maskenstruktur durch Belichten und Wegätzen von vorbestimmten Bereichen einer Maskierungsschicht auf einem Substrat; Auftragen eines Photolackes auf die Maskierungsstrukturen sowie unmaskierte Bereiche des Substrates; Belichten und Wegätzen von vorbestimmten Bereichen des Photolackes, zum Freilegen von bestimmten unmaskierten Bereichen des Substrates; Wegätzen von Teilen des Substrates in den freigelegten Bereichen zur Bildung von Gräben und zum Herstellen mindestens eines Defektes auf dem Substrat innerhalb oder außerhalb der Gräben; und Entfernen des Photolackes.
• Vorzugsweise enthält das Verfahren außerdem folgenden Schritt: Markieren jeder dieser Defekte auf der Maskenoberfläche in der Nähe des jeweiligen Defektes, wobei jede Markierung maschinenlesbare Informationen über den zugeordneten Defekt darstellt, und wobei jede Markierung dergestalt ist, dass diese bei Belichtung der Maske bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung auf einen darunter angeordneten Wafer abgebildet wird.
• Die Marker werden in unmittelbarer Nähe zu den Defekten im „Diefeld" plaziert und können ohne großen Aufwand beim Layoutentwurf in der gleichen Schicht wie die Defekte selbst implementiert werden. Ferner sind die Marker derart gestaltet, dass sie auch auf dem Wafer gut zu erkennen sind. Aufwendige Beschriftungsfelder sind damit überflüssig.
• Weiterhin kann eine Vielzahl von identischen Fehlern erzeugt werden. Dies dient zur Evaluierung von neuen oder vorhandenen Reparaturstrategien. Das Gegenüberstellen von Fehlern und reparierten Stellen erlaubt eine schnelle Kontrolle der Qualität der Reparatur(en).
• Das Markieren kann durch Ausblenden vorbestimmter Teile der zu belichtenden Bereiche durchgeführt werden, so dass in diesen Teilbereichen ein Ätzen in das Substrat verhindert wird. Somit werden die Markierungen durch Erhebungen auf dem Substrat gebildet.
• Alternativ kann das Markieren auch durch Ätzen der Quarzschicht durchgeführt werden, so dass die Markierungen durch Löcher im Substrat gebildet werden. Diese Markierungsarten sind mit Vorteil kombinierbar, so dass einige der Markierungen aus Löchern im, und andere aus Erhebungen auf dem Substrat gebildet sind.
• Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden an Hand der Zeichnungen erläutert, und es zeigen:
• 1 schematisch die Schritte bei der Herstellung einer alternierenden Phasenmaske;
• 2 schematisch die Schritte bei der Erzeugung eines Defektes auf der Maske;
• 2A bis 2C schematisch die Durchführung einer Lichtintensitätsbalancierung;
• 3 schematisch die Markierung eines Defektes auf der Maske (Beispiel: 60° zentrales Quarzloch); und
• 4 bis 7 schematisch verschiedene Defekte auf der Maske.
• 1 zeigt schematisch die Schritte bei der Herstellung einer alternierenden Phasenmaske (PSM = Phase Shifting Mask). Die Phasenmaske umfasst eine Quarzschicht 1, eine Chromschicht 2 sowie eine erste Photolackschicht 3 (1a). Durch Belichtung und anschließende Entwicklung werden erste Gräben 4 in der Chromschicht 2 hergestellt (1b), durch welche bei der Lithographie Licht auf ein unter der Maske liegendes Substrat fallen kann.
• Anschließend wird auf die Schichten 1 und 2 eine zweite Photolackschicht 5 aufgetragen (1c) und durch Belichtung und anschließende Entwicklung zweite Gräben 6 in der Quarzschicht 1 hergestellt (1d und e). Bei der Belichtung eines Substrates mittels einer solchen Maske ist das Licht, welches durch die Gräben 6 hindurchfällt, gegenüber jenem, welches durch die Gräben 4 hindurchfällt, um 180° phasenverschoben. Dies erhöht die Abbildungsauflösung auf dem Substrat. Anschließend wird die zweite Photolackschicht 5 entfernt.
• 2 illustriert schematisch, wie an der Stelle 7 durch einen der zweiten Gräben 6 ein Defekt 8 in der Quarzschicht 2 hergestellt wird. Der Defekt 8 wird in den Schritten e und d aus 1 hergestellt, d.h. ausschließlich im so genannten „second layer" Prozess, also der Herstellung der Phasengräben (zweiten Gräben) 6. In der gezeigten Ausführung ist der Defekt 8 durch Abdeckung einer der belichteten Bereiche des Photolackes 5 bei der Ätzung hergestellt. Dadurch wird an einer Stelle, an der eigentlich ein Graben 6 hergestellt werden sollte, dessen Herstellung verhindert. Somit erfährt das Licht an dieser Stelle bei der Belichtung relativ zu den benachbarten Bereichen keine Phasenverschiebung von 180°.
• Umgekehrt können Defekte auch dadurch hergestellt werden, dass in die Quarzschicht 1 an Stellen hineingeätzt wird, an denen keine Gräben entstehen sollten. Dadurch wird durchtretendes Licht an diesen Stellen relativ zu benachbarten Bereichen phasenverschoben, obwohl an diesen Stellen keine solche Phasenverschiebung erwünscht ist.
• Defekte, die eine relative Phasenverschiebung von weniger als 180° bewirken, können dadurch hergestellt werden, dass bei der „second level" Belichtung gewisse Bereiche ausgespart werden. Nach Ätzen der Gräben 6 und Entfernung des Lackes 5 wird nochmals ein Lack aufgetragen, der nur in den ausgesparten Bereichen belichtet und entfernt wird. Anschließend wird an diesen Stellen soweit in die Quarzschicht 1 hineingeätzt, dass sich die gewünschte Phasenverschiebung von durchtretendem Licht relativ zu benachbarten Stellen ergibt (z.B. 60° oder 120°).
• Die 2A bis 2C zeigen schematisch, wie durch Veränderung der Gräben 6 eine Balancierung der Intensität des durch die Masken fallenden Lichtes erreicht wird. 2A illustriert eine unbehandelte Maske, bei der die Intensität von Licht, das die Gräben 6 durchläuft, niedriger ist als die von Licht, das die Gräben 4 durchläuft.
• Eine nicht gezeigte Möglichkeit der Balancierung ist die des „Chrombias". In diesem Fall werden die Gräben 6 durch Reduzierung der Breite der Chrombereiche verbreitert.
• Die 2B und 2C zeigen jeweils eine alternative Möglichkeit: In 2B werden einerseits die Gräben 6 durch isotrope Ätzung vertieft und verbreitert, so dass sie sich bis unter die Chromschicht 2 erstrecken. Andererseits werden die Gräben 4 ebenfalls durch isotrope Ätzung zusätzlich in die Quarzschicht hineingeätzt derart, dass auch sie sich wie gezeigt bis unter die Chromschicht 2 erstrecken.
• In 2 sind lediglich die Gräben 6 durch isotrope Ätzung verbreitert. Bereits erzeugte Defekte müssen bei der Intensitätsbalancierung nicht berücksichtigt werden.
• Jedem Defekt ist eine Markierung zugeordnet, der die Kategorie, den Typ, sowie die durch den Defekt bewirkte Phasenverschiebung darstellt. Jede Markierung besteht aus drei Markergruppen:
• 1) Defektkategorie – Marker#1

  – Quarzerhebungen	– 1 Marker
  – Quarzlöcher	– 2 Marker
  – Reparaturtest	– 3 Marker

• 2) Defekttyp – Marker#2

  – zentraler Defekt	– 1 Marker
  – Seitendefekt	– 2 Marker
  – Brückendefekt	– 3 Marker

• 3) Phasenverschiebung – Marker#3

  – 180° Phasenverschiebung	– 0 Marker
  – 60° Phasenverschiebung	– 1 Marker
  – 120° Phasenverschiebung	– 2 Marker

• Die Anzahl der Marker #1, #2 und #3 bestimmt die Defektkategorie, den Defekttyp, bzw. die durch den Defekt erzeugte Phasenverschiebung.
• 3 zeigt schematisch die Oberfläche einer Maske 10, mit einer Markierung 11 eines Defektes, der durch ein Quarzloch, Typ zentraler Defekt, Phasenverschiebung 60°, gebildet ist.
• Die Schichten 2 (doppelt schraffiert – Chromschicht), 1 (einfach schraffiert – 180° Quarz) und 6 (nicht schraffiert – 0° Quarz) der Maske 10 entsprechen denen in den 1 und 2. Wie aus 3 ersichtlich, erfolgt die Zuordnung der Marker zu den Markern #1, #2 oder #3 durch deren Anordnung auf der Maskenoberfläche.
• 4 zeigt schematisch einen der Markierung 11 in 3 zugeordneten Defekt 15 (Quarzloch, zentral, 60°) – 32 verschiedene Variationen: 1) w,h: Verhältnis 1:1; 2) w,h: Verhältnis 2:1. Die gezeigten Dimensionen sind lediglich beispielhaft und können wie angedeutet varzeltert werden.
• Die 5 bis 7 zeigen schematisch weitere beispielhafte Defekte 16, 17 bzw. 18.
• 5 zeigt eine Quarzerhebung des Defekttypes „Seitendefekt" – 16 verschiedene Variationen für den oberen Defekt: h = 130 nm, ..., 46 nm (Schrittweite 12 nm); 1) w = 250 nm; 2) w:h Verhältnis gleich 2:1 und 16 verschiedene Variationen für den unteren Defekt: h = 130 nm, ..., 46 nm (Schrittweite 12 nm); 1) w = 250 nm; 2) w:h Verhältnis gleich 2:1.
• 6 zeigt eine Quarzerhebung des Types „Brückendefekt"-16 verschiedene Variationen: w = 130 nm, ...; 40 nm (Schrittweite 6 nm).
• 7 zeigt ein Quarzloch des Types „Seitendefekt" – Quarzlöcher sind einfach inverse Kopien von Quarzerhebungen, die in dem 0°-Graben der Quarzschicht eingebracht sind (anstelle von 180°).
• Es umfasst die Erfindung analog die Herstellung und Markierung von „first layer" Chromfehlern anstatt von „second layer" Quarzfehlern. Auch umfasst die Erfindung Halbtonphasenmasken mit entsprechenden „first layer" Fehlern und deren Markierungen.

1

Quarzschicht (einfach schraffiert)

2

Chromschicht (doppelt schraffiert)

3

Photolackschicht (nicht schraffiert)

4

Gräben in der Chromschicht 2

5

zweite Photolackschicht

6

Gräben in der Quarzschicht 1

7

Stelle für einen Defekt

8

Defekt in der Quarzschicht 2

10

Maske

11

Markierung eines Defektes

15

Defekt (Quarzloch, zentral, 60°)

16

Defekt (Quarzerhebung des Defekttyps Seitendefekt)

17

Defekt (Quarzerhebung des Defekttyps Brückendefekt)

18

Defekt (Quarzloch des Defekttyps Seitendefekt)

Claims (22)

1. Maske zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleiterstruktur mittels Lithographie, wobei das Layout der Maske auf einem bestehenden Layout für eine geplante Produktion basiert und die herzustellenden Halbleiterstrukturen für die Produktion definiert, mit: einer Quarzschicht (1); und einer auf der Quarzschicht (1) verlaufenden Maskierungsschicht (2) zur Maskierung von vorbestimmten Bereichen der Quarzschicht (1) zur Abbildung der Halbleiterstrukturen, wobei die Maskenoberfläche zusätzlich einen oder mehrere vorbestimmte Defekte (8, 15, 16, 17, 18) aufweist, und jeder dieser Defekte (8, 15, 16, 17, 18) durch eine Markierung (11) auf der Maskenoberfläche markiert ist.
2. Maske nach Anspruch 1, wobei jede Markierung (11) aus einer Anzahl von Markern (Marker#1, Marker#2, Marker#3) besteht, von denen jeder einem Markertyp zugeordnet ist, und wobei jeder Markertyp einem vorbestimmten Defektparameter zugeordnet ist.
3. Maske nach Anspruch 2, wobei die Zuordnung jedes Markers (Marker#1, Marker#2, Marker#3) zu einem Marke typ durch dessen Anordnung auf der Maskenoberfläche hergestellt ist.
4. Maske nach Anspruch 2 oder 3, wobei die vorbestimmten Defektparameter durch eine Defektkategorie, einen Defekttyp, und einer durch einen Defekt erzeugte Phasenverschiebung gebildet sind.
5. Maske nach Anspruch 4, wobei die Defektkategorie, der Defekttyp, und die durch einen Defekt erzeugte Phasenverschiebung jeweils durch die Anzahl der Marker (Marker#1, Marker#2, Marker#3) des zugeordneten Markertypes bestimmt ist.
6. Maske nach einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die Defektkategorie bestimmt, ob ein Defekt (8, 15, 16, 17, 18) durch eine Quarzerhebung oder ein Quarzloch gebildet oder durch Reparatur eines vorhergehenden Defektes entstanden ist.
7. Maske nach einem der Ansprüche 2 bis 6, wobei der Defekttyp bestimmt, ob ein Defekt (8, 15, 16, 17, 18) ein Seitendefekt, ein zentraler Defekt, oder ein Brückendefekt ist.
8. Maske nach einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei die Marker (Marker#1, Marker#2, Marker#3) rechteckig sind.
9. Maske nach einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei jeder Marker (Marker#1, Marker#2, Marker#3) durch eine Quarzerhebung auf oder ein Quarzloch in der Quarzschicht (1) gebildet ist.
10. Maske nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Maske eine Phasenverschiebungsmaske ist, mit: einer Anzahl von in der Quarzschicht (1) gebildeten Gräben (6), wobei die Quarzschicht (1) innerhalb und/oder außerhalb der Gräben (6) einen oder mehrere vorbestimmte Defekte (8, 15, 16, 17, 18) aufweist.
11. Maske nach Anspruch 10, wobei jeder der Defekte (8, 15, 16, 17, 18) durch eine Markierung (11) auf der Maskenoberfläche in der Nähe des jeweiligen Defektes (8, 15, 16, 17, 18) markiert ist.
12. Maske nach Anspruch 11 und einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei die Defektkategorie bestimmt, ob ein Defekt (8, 15, 16, 17, 18) durch eine Quarzerhebung innerhalb eines Grabens (6) oder ein Quarzloch außerhalb eines Grabens (6) gebildet oder durch Reparatur eines vorhergehenden Defektes entstanden ist.
13. Maske nach Anspruch 12, wobei alle Marker desselben Types auf derselben Ebene der Maske liegen.
14. Maske nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei benachbarte Marker (Marker#1, Marker#2, Marker#3) unterschiedlichen Types auf unterschiedlichen Ebenen der Maske liegen.
15. Verfahren zur Herstellung einer Maske nach einem der vorangehenden Ansprüche 1 bis 14, mit folgenden Schritten: Herstellen einer Maskenstruktur durch Belichten und Wegätzen von vorbestimmten Bereichen einer Maskierungsschicht (2) auf einem Substrat; Auftragen eines Photolackes (5) auf die Maskierungsstrukturen sowie unmaskierte Bereiche des Substrates; Belichten und Wegätzen von vorbestimmten Bereichen des Photolackes (5) zum Freilegen von bestimmten unmaskierten Bereichen des Substrates; Wegätzen von Teilen des Substrates in den freigelegten Bereichen zur Bildung von Gräben (6) und zum Herstellen mindestens eines vorbestimmten Defektes (8, 15, 16, 17, 18) auf dem Substrat innerhalb oder außerhalb der Gräben (6); Markieren jedes dieser Defekte (8, 15, 16, 17, 18) auf der Maskenoberfläche in der Nähe des jeweiligen Defektes (8, 15, 16, 17, 18); und Entfernen des Photolackes (5).
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Maskenstrukturen herzustellende Halbleiterstrukturen darstellen.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei jede Markierung maschinenlesbare Informationen über den zugeordneten Defekt darstellt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Markieren durch Ätzen der Quarzschicht (1) durchgeführt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, wobei das Markieren durch Ausblenden vorbestimmter Teile der zu belichtenden Bereiche durchgeführt wird, so dass in diesen Teilbereichen ein Ätzen in das Substrat verhindert wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei jede Markierung dergestalt ist, dass diese bei Belichtung der Maske bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung auf einen darunter angeordneten Wafer abgebildet wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20, mit folgendem Schritt: Herstellen einer Vielzahl von identischen Defekten (8, 15, 16, 17, 18) auf dem Substrat innerhalb und/oder außerhalb der Gräben (6).
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 21, mit folgenden Schritten: Erzeugen von zwei identischen Strukturteilen; Erzeugen eines Defekts (8, 15, 16, 17, 18) in einem der Strukturteile; Reparieren des defekten Strukturteiles; und Vergleichen des reparierten Strukturteiles mit dem defektfreien Strukturteil.