DE102008059502A1 - Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals - Google Patents
Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals Download PDFInfo
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Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008059502A DE102008059502A1 (de) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals |
| US12/604,532 US8018260B2 (en) | 2008-11-28 | 2009-10-23 | Compensation of degradation of performance of semiconductor devices by clock duty cycle adaptation |
| KR1020117014958A KR20110138209A (ko) | 2008-11-28 | 2009-11-27 | 클럭 듀티 싸이클 조정에 의한 반도체 디바이스의 성능 저하 보상 |
| PCT/EP2009/008470 WO2010060638A1 (en) | 2008-11-28 | 2009-11-27 | Compensation of degradation of performance of semiconductor devices by clock duty cycle adaptation |
| CN2009801556604A CN102308283A (zh) | 2008-11-28 | 2009-11-27 | 通过时钟占空比调整的半导体器件的性能退化的补偿 |
| JP2011537892A JP2012510742A (ja) | 2008-11-28 | 2009-11-27 | クロックデューティサイクル適合による半導体デバイスの性能の低下の補償 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008059502A DE102008059502A1 (de) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008059502A1 true DE102008059502A1 (de) | 2010-06-10 |
Family
ID=42145369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008059502A Ceased DE102008059502A1 (de) | 2008-11-28 | 2008-11-28 | Kompensation der Leistungsbeeinträchtigung von Halbleiterbauelementen durch Anpassung des Tastgrades des Taktsignals |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8018260B2 (https=) |
| JP (1) | JP2012510742A (https=) |
| KR (1) | KR20110138209A (https=) |
| CN (1) | CN102308283A (https=) |
| DE (1) | DE102008059502A1 (https=) |
| WO (1) | WO2010060638A1 (https=) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8984305B2 (en) | 2010-12-21 | 2015-03-17 | Intel Corporation | Method and apparatus to configure thermal design power in a microprocessor |
| US8578143B2 (en) * | 2011-05-17 | 2013-11-05 | Apple Inc. | Modifying operating parameters based on device use |
| JP2015002452A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
| US9465373B2 (en) | 2013-09-17 | 2016-10-11 | International Business Machines Corporation | Dynamic adjustment of operational parameters to compensate for sensor based measurements of circuit degradation |
| KR102197943B1 (ko) | 2014-04-04 | 2021-01-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러와 이를 포함하는 시스템 |
| US9251890B1 (en) | 2014-12-19 | 2016-02-02 | Globalfoundries Inc. | Bias temperature instability state detection and correction |
| US9704598B2 (en) * | 2014-12-27 | 2017-07-11 | Intel Corporation | Use of in-field programmable fuses in the PCH dye |
| KR102235521B1 (ko) | 2015-02-13 | 2021-04-05 | 삼성전자주식회사 | 특정 패턴을 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
| US11605416B1 (en) * | 2021-11-10 | 2023-03-14 | Micron Technology, Inc. | Reducing duty cycle degradation for a signal path |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007039516A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for automatically self-calibrating a duty cycle circuit for maximum chip performance |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000012639A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | モニターtegのテスト回路 |
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| JP4360825B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2009-11-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の寿命予測方法 |
| US7475320B2 (en) * | 2003-08-19 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Frequency modification techniques that adjust an operating frequency to compensate for aging electronic components |
| US7333905B2 (en) * | 2006-05-01 | 2008-02-19 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the duty cycle of a digital signal |
| US7330061B2 (en) * | 2006-05-01 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for correcting the duty cycle of a digital signal |
| US7495519B2 (en) * | 2007-04-30 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | System and method for monitoring reliability of a digital system |
-
2008
- 2008-11-28 DE DE102008059502A patent/DE102008059502A1/de not_active Ceased
-
2009
- 2009-10-23 US US12/604,532 patent/US8018260B2/en active Active
- 2009-11-27 JP JP2011537892A patent/JP2012510742A/ja active Pending
- 2009-11-27 KR KR1020117014958A patent/KR20110138209A/ko not_active Withdrawn
- 2009-11-27 WO PCT/EP2009/008470 patent/WO2010060638A1/en not_active Ceased
- 2009-11-27 CN CN2009801556604A patent/CN102308283A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6903564B1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-07 | Transmeta Corporation | Device aging determination circuit |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012510742A (ja) | 2012-05-10 |
| US8018260B2 (en) | 2011-09-13 |
| KR20110138209A (ko) | 2011-12-26 |
| US20100134167A1 (en) | 2010-06-03 |
| CN102308283A (zh) | 2012-01-04 |
| WO2010060638A1 (en) | 2010-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |