DE102008014927A1 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement Download PDF

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DE102008014927A DE102008014927A1 (de) 2008-02-22 2008-03-19 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Bauelementen und strahlungsemittierendes Bauelement
TW098104275A TW200947765A (en) 2008-02-22 2009-02-11 Method for producing a plurality of radiation-emitting components and radiation-emitting component
CN2009801060204A CN101946339B (zh) 2008-02-22 2009-02-19 用于制造多个发射辐射的器件的方法以及发射辐射的器件
PCT/DE2009/000249 WO2009103283A1 (de) 2008-02-22 2009-02-19 Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von strahlungsemittierenden bauelementen und strahlungsemittierendes bauelement
US12/918,364 US8790939B2 (en) 2008-02-22 2009-02-19 Method for producing a plurality of radiation-emitting components and radiation-emitting component
KR1020107020192A KR101525638B1 (ko) 2008-02-22 2009-02-19 복수 개의 복사 방출 소자들 제조 방법 및 복사 방출 소자
EP09712047.1A EP2255396B1 (de) 2008-02-22 2009-02-19 Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von strahlungsemittierenden bauelementen
JP2010547042A JP5579080B2 (ja) 2008-02-22 2009-02-19 複数のビーム放射構成素子を作製する方法およびビーム放射構成素子

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015105661A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit einer Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv
US10185112B2 (en) 2012-05-02 2019-01-22 Heraeus Noblelight Gmbh Optical module with design feature for mounting
DE102017117548A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017117550A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102012025826B3 (de) * 2012-05-02 2020-09-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optisches Modul mit Ausformung zur Montage

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6176302B2 (ja) * 2015-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6925100B2 (ja) * 2015-05-21 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106558640B (zh) * 2015-09-25 2019-01-22 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN114242601B (zh) * 2021-11-30 2025-09-05 北京卫星制造厂有限公司 一种用于igbt模块的密封方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10008203A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen elektronicher Halbleiterbauelemente
US20020187570A1 (en) * 2001-06-12 2002-12-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting diode devices
US6707247B2 (en) * 2001-06-11 2004-03-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US20050048698A1 (en) * 2003-07-31 2005-03-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board, and electronic apparatus
EP1806782A2 (en) * 2006-01-06 2007-07-11 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20080048308A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 Atmel Corporation Stackable packages for three-dimensional packaging of semiconductor dice

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3604108B2 (ja) * 1997-02-17 2004-12-22 株式会社シチズン電子 チップ型光半導体の製造方法
JPH1174410A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Citizen Electron Co Ltd 表面実装型チップ部品及びその製造方法
JP3497722B2 (ja) * 1998-02-27 2004-02-16 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法及びその搬送トレイ
JP2000183218A (ja) 1998-12-14 2000-06-30 Mitsumi Electric Co Ltd Ｉｃパッケージの製造方法
JP3455762B2 (ja) * 1999-11-11 2003-10-14 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP2003179269A (ja) 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2003031526A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Mitsumi Electric Co Ltd モジュールの製造方法及びモジュール
US6743699B1 (en) * 2003-01-21 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Method of fabricating semiconductor components
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
KR20070012501A (ko) 2004-04-28 2007-01-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 발광장치 및 그 제조방법
US7087463B2 (en) 2004-08-04 2006-08-08 Gelcore, Llc Laser separation of encapsulated submount
US7842526B2 (en) 2004-09-09 2010-11-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of producing same
JP4747704B2 (ja) * 2005-07-20 2011-08-17 豊田合成株式会社 蛍光体層付き発光装置の製造方法
JP5128047B2 (ja) 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
JP2007165789A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Olympus Corp 半導体装置の製造方法
JP4838005B2 (ja) * 2006-02-20 2011-12-14 京セラ株式会社 発光装置
JP2007324205A (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7883810B2 (en) * 2006-11-09 2011-02-08 GM Global Technology Operations LLC Slow purge for improved water removal, freeze durability, purge energy efficiency and voltage degradation due to shutdown/startup cycling
JP4343962B2 (ja) * 2007-01-19 2009-10-14 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US7923846B2 (en) * 2007-11-16 2011-04-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package-in-package system with wire-in-film encapsulant

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10008203A1 (de) * 2000-02-23 2001-08-30 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen elektronicher Halbleiterbauelemente
US6707247B2 (en) * 2001-06-11 2004-03-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US20020187570A1 (en) * 2001-06-12 2002-12-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting diode devices
US20050048698A1 (en) * 2003-07-31 2005-03-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit board, and electronic apparatus
EP1806782A2 (en) * 2006-01-06 2007-07-11 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US20080048308A1 (en) * 2006-08-28 2008-02-28 Atmel Corporation Stackable packages for three-dimensional packaging of semiconductor dice

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10185112B2 (en) 2012-05-02 2019-01-22 Heraeus Noblelight Gmbh Optical module with design feature for mounting
DE102012025826B3 (de) * 2012-05-02 2020-09-24 Heraeus Noblelight Gmbh Optisches Modul mit Ausformung zur Montage
DE102015105661A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit einer Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv
US10597512B2 (en) 2015-04-14 2020-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device with a mixture having a silicone and a fluoro-organic additive
DE102015105661B4 (de) 2015-04-14 2022-04-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Vorrichtung mit einer Mischung aufweisend ein Silikon und ein fluor-organisches Additiv
DE102017117548A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017117550A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

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