DE102007062572A1 - Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion - Google Patents
Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion Download PDFInfo
- Publication number
- DE102007062572A1 DE102007062572A1 DE102007062572A DE102007062572A DE102007062572A1 DE 102007062572 A1 DE102007062572 A1 DE 102007062572A1 DE 102007062572 A DE102007062572 A DE 102007062572A DE 102007062572 A DE102007062572 A DE 102007062572A DE 102007062572 A1 DE102007062572 A1 DE 102007062572A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dispersion
- particles
- cerium oxide
- dispersion according
- colloidal silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 108
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 24
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 8
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 claims description 8
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- PBLZLIFKVPJDCO-UHFFFAOYSA-N 12-aminododecanoic acid Chemical compound NCCCCCCCCCCCC(O)=O PBLZLIFKVPJDCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 4
- YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N glycylglycine Chemical compound [NH3+]CC(=O)NCC([O-])=O YMAWOPBAYDPSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 4
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 3
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- JJMDCOVWQOJGCB-UHFFFAOYSA-N 5-aminopentanoic acid Chemical compound [NH3+]CCCCC([O-])=O JJMDCOVWQOJGCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDOLZJYETYVRKV-UHFFFAOYSA-N 7-Aminoheptanoic acid Chemical compound NCCCCCCC(O)=O XDOLZJYETYVRKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 2
- 108010008488 Glycylglycine Proteins 0.000 claims description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 claims description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 claims description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 claims description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229940043257 glycylglycine Drugs 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000000291 glutamic acid group Chemical group N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)* 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000004966 inorganic peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 150000004967 organic peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 perborate Chemical compound 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
Dispersion enthaltend Partikel von Ceroxid und kolloidalem Siliciumdioxid, wobei - das Zetapotential der Siliciumdioxidpartikel negativ und das der Ceroxidpartikel positiv oder gleich Null und das Zetapotential der Dispersion insgesamt negativ ist, - der mittlere Durchmesser der . Ceroxidpartikel maximal 200 nm . Siliciumdioxidpartikel weniger als 100 nm beträgt, - der Anteil, jeweils bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion, an . Ceroxidpartikeln 0,1 bis 5 Gew.-% . Siliciumdioxidpartikeln 0,01 bis 10 Gew.-% und - der pH-Wert der Dispersion 3,5 bis < 7,5 ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion, deren Herstellung und Verwendung.
- Es ist bekannt, Ceroxiddispersionen zum Polieren von Glas-, Metall- und dielektrischen Oberflächen einzusetzen und zwar sowohl zum Grobpolieren (hoher Abtrag, unregelmäßiges Profil, Kratzer) und zum Feinpolieren (geringer Abtrag, glatte Oberflächen, keine oder wenige Kratzer). Als nachteilig erweist sich dabei oft, dass Ceroxidpartikel und zu polierende Oberfläche unterschiedliche elektrische Ladungen tragen und sich dadurch anziehen. In Folge ist es aufwändig, die Ceroxidpartikel von der polierten Oberfläche wieder zu entfernen.
- In
US 7112123 wird eine Dispersion zum Polieren von Glas-, Metall- und dielektrischen Oberflächen offenbart, welche als Abrasiv 0,1 bis 50 Gew.-% Ceroxidpartikel und 0,1 bis 10 Gew.-% Tonpartikel enthält, wobei 90% der Tonpartikel einen Partikeldurchmesser von 10 nm bis 10 μm und 90% der Ceroxidpartikel einen Partikeldurchmesser von 100 nm bis 10 μm aufweisen. Ceroxidpartikel, Tonpartikel und Glas als die zu polierende Oberfläche weisen dabei eine negative Oberflächenladung auf. Eine solche Dispersion ermöglicht einen wesentlich höheren Abtrag als eine nur auf Ceroxidpartikeln basierende Dispersion. Jedoch verursacht eine solche Dispersion eine hohe Defektrate. - Aus
US 5891205 ist eine alkalische Dispersion bekannt, die Siliciumdioxid und Ceroxid enthält. Dabei ist die Partikelgröße der Ceroxidpartikel kleiner oder gleich der Größe der Siliciumdioxidpartikel. Die in der Dispersion vorliegenden Ceroxidpartikel stammen aus einem Gasphasenprozess, sind nicht aggregiert weisen eine Partikelgröße auf, die kleiner oder gleich 100 nm ist. Durch die Gegenwart von Ceroxidpartikeln und Siliciumdioxidpartikeln läßt sich lautUS 5891205 die Abtragsrate drastisch steigern. Um dies zu erreichen, soll das Gewichtsverhältnis Siliciumdioxid/Ceroxid 7,5:1 bis 1:1 betragen. Das Siliciumdioxid weist bevorzugt eine Partikelgröße weniger als 50 nm und das Ceroxid eine von weniger als 40 nm auf. Zusammenfassend gilt, dass a) der Anteil an Siliciumdioxid größer ist als der Anteil an Ceroxid und b) die Siliciumdioxidpartikel größer sind als die Ceroxidpartikel. - Die in
US 5891205 offenbarte Dispersion ermöglicht einen wesentlich höheren Abtrag als eine nur auf Ceroxidpartikeln basierende Dispersion. Eine solche Dispersion ermöglicht einen wesentlich höheren Abtrag als eine nur auf Ceroxidpartikeln basierende Dispersion. Jedoch verursacht eine solche Dispersion eine hohe Defektrate. - In
US 6491843 wird eine wässerige Dispersion offenbart, die eine hohe Selektivität bezüglich der Abtragsrate von SiO2 und Si3N4 aufweisen soll. Diese Dispersion enthält Abrasivpartikel und eine organische Verbindung, die sowohl eine Carboxylgruppe wie auch eine zweite Chlorid- oder Aminhaltige funktionale Gruppe aufweist. Als geeignete organische Verbindungen werden Aminosäuren genannt. Prinzipiell sollen alle Abrasivpartikel geeignet sein, wobei insbesondere Aluminiumoxid, Ceroxid, Kupferoxid, Eisenoxid, Nickeloxid, Manganoxid, Siliciumdioxid, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Zinnoxid, Titandioxid, Titancarbid, Wolframoxid, Yttriumoxid, Zirkonoxid oder Mischungen der vorgenannten Verbindungen bevorzugt sind. In den Ausführungsbeispielen ist jedoch einzig Ceroxid als Abrasivpartikel genannt. - Gewünscht sind Dispersionen, die eine hohe Abtragsrate bei geringer Defektrate und hoher Selektivität liefern. Nach dem Polieren und Reinigen der Wafer sollen nur geringe oder keine Ablagerungen mehr auf der Oberfläche zu finden sein.
- Es wurde nun überraschend gefunden, dass die Aufgabe durch eine Dispersion gelöst wird, die Partikel von Ceroxid und kolloidalem Siliciumdioxid, wobei
- – das Zetapotential der Siliciumdioxidpartikel negativ und das der Ceroxidpartikel positiv oder gleich Null und das Zetapotential der Dispersion insgesamt negativ ist,
- – der mittlere Durchmesser der • Ceroxidpartikel maximal 200 nm • Siliciumdioxidpartikel weniger als 100 nm beträgt,
- – der Anteil, jeweils bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion, an • Ceroxidpartikeln 0,01 bis 50 Gew.-% • Siliciumdioxidpartikeln 0,01 bis 10 Gew.-% beträgt und
- – der pH-Wert der Dispersion 3,5 bis < 7,5 ist.
- Das Zetapotential ist ein Maß für die Oberflächenladung der Partikel ist. Unter Zetapotential ist das Potential an der Scherebene innerhalb der elektrochemischen Doppelschicht Partikel/Elektrolyt in der Dispersion zu verstehen. Eine wichtige Größe im Zusammenhang mit dem Zetapotential ist der isoelektrische Punkt (IEP) für einen Partikel. Der IEP gibt den pH-Wert an, bei dem das Zetapotential Null ist. Je größer das Zetapotential desto stabiler ist die Dispersion.
- Die Ladungsdichte an der Oberfläche kann beeinflusst werden durch Veränderung der Konzentration der potentialbestimmenden Ionen im umgebenden Elektrolyten.
- Partikel aus dem gleichen Material werden das gleiche Vorzeichen der Oberflächenladungen besitzen und sich somit abstoßen. Wenn das Zetapotential zu klein ist, kann die abstoßende Kraft jedoch nicht die van der Waals-Anziehung der Partikel kompensieren und es kommt zu Flockung und gegebenenfalls Sedimentation der Partikel.
- Das Zetapotential kann beispielsweise bestimmt werden durch Messung des kolloidalen Vibrationsstroms (CVI) der Dispersion oder durch Bestimmung der elektrophoretischen Mobilität.
- Weiterhin kann das Zetapotentials mittels der Elektrokinetischen Schallamplitude (ESA) bestimmt werden.
- Die erfindungsgemäße Dispersion weist bevorzugt ein Zetapotential von –10 bis –100 mV und besonders bevorzugt eines von –25 bis –50 mV auf.
- Die erfindungsgemäße Dispersion zeichnet sich weiterhin dadurch aus, dass deren pH-Wert 3,5 bis < 7,5 beträgt. Sie erlaubt beispielsweise das Polieren von dielektrischen Oberflächen im alkalischen Bereich. Bevorzugt kann eine Dispersion sein, die einen pH-Wert von 5,5 bis 7,4 aufweist.
- Der Anteil an Ceroxid in der erfindungsgemäßen Dispersion kann über einen Bereich von 0,01 bis 50 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, variiert werden. Hohe Ceroxid-Anteile werden angestrebt, wenn es beispielsweise darum, geht Transportkosten niedrig zu halten. Bei Einsatz als Poliermittel beträgt der Anteil an Ceroxid bevorzugt 0,1 bis 5 Gew.-% und besonders bevorzugt 0,2 bis 1 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion.
- Der Anteil an kolloidalem Siliciumdioxid in der erfindungsgemäßen Dispersion beträgt 0,01 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion. Für Polierzwecke ist ein Bereich von 0,05 bis 0,5 Gew.-% bevorzugt.
- Das Gewichtsverhältnis Ceroxid/Siliciumdioxid in der erfindungsgemäßen Dispersion beträgt vorzugsweise 1,1:1 bis 100:1. Es hat sich als vorteilhaft bei Polierprozessen erwiesen, wenn das das Gewichtsverhältnis Ceroxid/Siliciumdioxid 1,25:1 bis 5:1 ist.
- Weiterhin kann eine erfindungsgemäße Dispersion bevorzugt sein, in der außer Ceroxidpartikeln und kolloidalen Siliciumdioxidpartikeln keine weiteren Partikel vorliegen.
- Der mittlere Partikeldurchmesser der Ceroxidpartikel in der erfindungsgemäßen Dispersion beträgt maximal 200 nm. Bevorzugt ist ein Bereich von 40 bis 90 nm. In diesem Bereich ergeben sich bei Polierprozessen bezüglich Abtrag, Selektivität und Defektrate die besten Ergebnisse.
- Die Ceroxidpartikel können dabei als isolierte Einzelpartikel wie auch in Form aggregierter Primärpartikel vorliegen. Vorzugsweise enthält die erfindungsgemäße Dispersion aggregierte Ceroxidpartikel beziehungsweise die Ceroxidpartikel liegen überwiegend oder vollständig in aggregierter Form vor.
- Als besonders geeignet haben sich dabei Ceroxidpartikel erwiesen, die auf ihrer Oberfläche und in oberflächennahen Schichten Carbonatgruppen enthalten. Insbesondere solche wie sie in
DE-A-102005038136 offenbart sind. Dabei handelt es sich um Ceroxidpartikel die - – eine BET-Oberfläche von 25 bis 150 m2/g besitzen,
- – die Primärpartikel einen mittleren Durchmesser von 5 bis 50 nm aufweisen,
- – die oberflächennahe Schicht der Primärpartikel eine Tiefe von ca. 5 nm aufweist,
- – in der oberflächennahen Schicht die Carbonatkonzentration ausgehend von der Oberfläche, auf der die Carbonatkonzentration am höchsten ist, nach innen abnimmt,
- – der von den Carbonatgruppen herrührende Kohlenstoffgehalt auf der Oberfläche 5 bis 50 Flächenprozent beträgt und in der oberflächennahen Schicht in einer Tiefe von ca. 5 nm 0 bis 30 Flächenprozent beträgt
- – der Gehalt an Ceroxid, gerechnet als CeO2 und bezogen auf das Pulver, mindestens 99,5 Gew.-% beträgt und
- – der Gehalt an Kohlenstoff, umfassend organischen und anorganischen Kohlenstoff, 0,01 bis 0,3 Gew.-%, bezogen auf das Pulver, beträgt.
- Die Carbonatgruppen im können sowohl an der Oberfläche als auch in einer Tiefe bis ca. 5 nm der Ceroxidpartikel nachgewiesen werden. Die Carbonatgruppen sind dabei chemisch gebunden und können beispielsweise wie in den Strukturen a–c angeordnet sein.
- Die Carbonatgruppen können beispielsweise durch XPS/ESCA-Analyse nachgewiesen werden. Zum Nachweis der Carbonatgruppen in der oberflächennahen Schicht kann ein Teil der Oberfläche mittels Argonionenbeschuss abgetragen werden und die sich ergebende neue Oberfläche ebenfalls mittels XPS/ESCA (XPS = Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie; ESCA = Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) analysiert werden.
- Der Anteil an Natrium beträgt in der Regel nicht mehr als 5 ppm und an Chlor nicht mehr als 20 ppm. Die genannten Elemente sind in der Regel beim chemisch-mechanischen Polieren nur in geringen Mengen tolerierbar.
- Die eingesetzten Ceroxidpartikel weisen bevorzugt eine BET-Oberfläche von 30 bis 100 m2/g und besonders bevorzugt von 40 bis 80 m2/g auf.
- Die kolloidalen Siliciumdioxidpartikel der erfindungsgemäßen Dispersion weisen einen mittleren Partikeldurchmesser von weniger als 100 nm auf. Dabei ist der Bereich von 3 bis 50 nm bevorzugt und der Bereich von 10 bis 35 nm besonders bevorzugt.
- Unter kolloidalen Siliciumdioxidpartikeln sind solche zu verstehen, die in Form von untereinander unvernetzten, kugelförmigen oder weitestgehend kugelförmigen Einzelpartikeln vorliegen und die an der Oberfläche Hydroxylgruppen aufweisen.
- Dabei hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn die Ceroxidpartikel auf ihrer Oberfläche und in oberflächennahen Schichten Carbonatgruppen enthalten und der pH-Wert der Dispersion 3,5 bis < 7,5 ist.
- Die erfindungsgemäße Dispersion kann weiterhin ein oder mehrere Aminocarbonsäure mit einem Anteil, in Summe, von 0,01 bis 5 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, enthalten. Vorzugsweise werden diese ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Alanin, 4-Aminobutancarbonsäure, 6-Aminohexancarbonsäure, 12-Aminolaurinsäure, Arginin, Asparaginsäure, Glutaminsäure, Glycin, Glycylglycin, Lysin und Prolin. Besonders bevorzugt ist Glutaminsäure und Prolin.
- Vorzugsweise beträgt der Anteil an Aminosäure oder deren Salz in der Dispersion 0,1 bis 0,6 Gew.-%.
- Die flüssige Phase der erfindungsgemäßen Dispersion umfasst Wasser, organische Lösungsmittel und Mischungen von Wasser mit organischen Lösungsmittel. In der Regel ist der Hauptbestandteil mit einem Anteil von > 90 Gew.-% der flüssigen Phase Wasser.
- Darüber hinaus kann die erfindungsgemäße Dispersion noch Säuren, Basen, Salze enthalten. Die Einstellung des pH-Wertes kann durch Säuren oder Basen erfolgen. Als Säuren können anorganische Säuren, organische Säuren oder Mischungen der vorgenannten Verwendung finden. Als anorganische Säuren können insbesondere Phosphorsäure, Phosphorige Säure, Salpetersäure, Schwefelsäure, Mischungen daraus, und ihre sauer reagierenden Salze Verwendung finden. Als organische Säuren finden bevorzugt Carbonsäuren der allgemeinen Formel CnH2n+1CO2H, mit n = 0–6 oder n = 8, 10, 12, 14, 16, oder Dicarbonsäuren der allgemeinen Formel HO2C(CH2)nCO2H, mit n = 0–4, oder Hydroxycarbonsäuren der allgemeinen Formel R1R2C(OH)CO2H, mit R1 = H, R2 = CH3, CH2CO2H, CH(OH)CO2H, oder Phthalsäure oder Salicylsäure, oder sauer reagierende Salze der vorgenannten Säuren oder Mischungen der vorgenannten Säuren und ihrer Salze. Eine Erhöhung des pH-Wertes kann durch Addition von Ammoniak, Alkalihydroxiden oder Aminen erfolgen.
- Bei bestimmten Anwendungen kann es vorteilhaft sein, wenn die erfindungsgemäße Dispersion 0,3–20 Gew.-% eines Oxidationsmittels enthält. Hierfür kann Wasserstoffperoxid, ein Wasserstoffperoxid-Addukt, wie zum Beispiel das Harnstoff-Addukt, eine organische Persäure, eine anorganische Persäure, eine Iminopersäure, ein Persulfat, Perborat, Percarbonat, oxidierende Metallsalze und/oder Mischungen der vorgenannten eingesetzt werden.
- Aufgrund der verringerten Stabilität einiger Oxidationsmittel gegenüber anderen Bestandteilen der erfindungsgemäßen Dispersion kann es sinnvoll sein, dieses erst unmittelbar vor der Benutzung der Dispersion hinzuzufügen.
- Die erfindungsgemäße Dispersion kann weiterhin Oxidationsaktivatoren beinhalten. Geeignete Oxidationsaktivatoren können die Metallsalze von Ag, Co, Cr, Cu, Fe, Mo, Mn, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti, V und Mischungen daraus sein. Weiterhin sind Carbonsäuren, Nitrile, Harnstoffe, Amide und Ester geeignet. Besonders bevorzugt kann Eisen-II-nitrat sein. Die Konzentration des Oxidationskatalysators kann abhängig vom Oxidationsmittel und der Polieraufgabe in einem Bereich zwischen 0,001 und 2 Gew.-% variiert werden. Besonders bevorzugt kann der Bereich zwischen 0,01 und 0,05 Gew.-% sein.
- Die Korrosionsinhibitoren, die in der Regel mit einem Anteil von 0,001 bis 2 Gew.-% in der erfindungsgemäßen Dispersion vorhanden sind, können Stickstoff enthaltende Heterocyclen wie Benzotriazol, substituierte Benzimidazole, substituierte Pyrazine, substituierte Pyrazole und deren Mischungen sein.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Dispersion, bei dem man
- – in eine kolloidale Siliciumdioxidpartikel enthaltende Vordispersion Ceroxidpartikel in Pulverform einbringt und nachfolgend dispergiert oder
- – eine Ceroxidpartikel enthaltende Vordispersion und eine kolloidale Siliciumdioxidpartikel enthaltende Vordispersion zusammengibt und nachfolgend dispergiert und anschließend
- – gegebenenfalls eine oder mehrere Aminosäuren in fester, flüssiger oder gelöster Form und anschließend
- – gegebenenfalls Oxidationsmittel, Oxidationskatalysator und/oder Korrosionsinhibitor hinzufügt.
- Als Dispergieraggregate eignen sich insbesondere solche, die einen Energieeintrag von mindestens 200 KJ/m3 bewirken. Hierzu zählen Systeme nach dem Rotor-Stator-Prinzip, zum Beispiel Ultra-Turrax-Maschinen, oder Rührwerkskugelmühlen. Höhere Energieeinträge sind mit einem Planetenkneter/-mixer möglich. Die Wirksamkeit dieses Systems ist jedoch mit einer ausreichend hohen Viskosität der bearbeiteten Mischung verbunden, um die benötigten hohen Scherenergien zum Zerteilen der Teilchen einzubringen.
- Mit Hochdruckhomogenisierern werden zwei unter hohem Druck stehende vordispergierte Suspensionsströme über eine Düse entspannt. Beide Dispersionsstrahlen treffen exakt aufeinander und die Teilchen mahlen sich selbst. Bei einer anderen Ausführungsform wird die Vordispersion ebenfalls unter hohen Druck gesetzt, jedoch erfolgt die Kollision der Teilchen gegen gepanzerte Wandbereiche. Die Operation kann beliebig oft wiederholt werden um kleinere Teilchengrößen zu erhalten.
- Weiterhin kann der Energieeintrag auch mittels Ultraschall erfolgen.
- Die Dispergier- und Mahlvorrichtungen können auch kombiniert eingesetzt werden. Oxidationsmittel und Additive können zu verschiedenen Zeitpunkten der Dispergierung zugeführt werden. Es kann auch von Vorteil sein, beispielsweise Oxidationsmittel und Oxidationsaktivatoren erst am Ende der Dispergierung, gegebenenfalls bei geringerem Energieeintrag einzuarbeiten.
- Das Zetapotential der eingesetzten kolloidalen Siliciumdioxidpartikel beträgt vorzugsweise –10 bis –100 mV, bei einem pH-Wert von 3,5 bis 7,4.
- Das Zetapotential der eingesetzten Ceroxidpartikel beträgt vorzugsweise 0 bis 60 mV, bei einem pH-Wert von 3,5 bis 7,4.
- Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Dispersion zum Polieren von dielektrischen Oberflächen.
- Die erfindungsgmäße Dispersion führt im Bereich des STI-CMP (STI = Shallow Trench Isolation, CMP = Chemical Mechanical Polishing) zu einer hohen SiO2:Si3N4-Selektivität. Dies bedeutet, dass der durch die Dispersion erzielte SiO2-Abtrag deutlich größer als der durch dieselbe Slurry erzielte Abtrag an Si3N4 ist. Dazu trägt die erfindungsgemäße dispersion bei, indem ihr pH-Wert 3,5 bis < 7,5 ist. Bei diesen pH-Werten ist die Hydrolyse des Si3N4 zu SiO2 minimal oder nicht vorhanden. Der bei diesen pH-Werten geringe SiO2-Abtrag kann durch organische Additive wie Aminosäuren wieder erhöht werden.
- Beispiele
- Analytik
- Die spezifische Oberfläche wird bestimmt nach DIN 66131.
- Die Oberflächeneigenschaften werden durch großflächige (1 cm2) XPS/ESCA-Analyse (XPS = Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie; ESCA = Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) ermittelt. Die Auswertung beruht auf den allgemeinen Empfehlungen gemäß DIN-Fachbericht No. 39, DMA(A)97 des National Physics Laboratory, Teddington, U. K, und den bisherigen Erkenntnissen zur entwicklungsbegleitenden Normung des Arbeitsauschusses „Oberflächen- und Mikrobereichsanalysen" NMP816(DIN). Zudem werden die jeweils vorliegenden Vergleichsspektren aus der Fachliteratur berücksichtigt. Die Werte werden durch Untergrundsubtraktion, unter Berücksichtigung der relativen Empfindlichkeitsfaktoren der jeweils angegebenen Elektronenniveaus errechnet. Die Angabe erfolgt in Flächenprozent. Die Genauigkeit ist mit +/–5% relativ zu veranschlagen.
- Das Zetapotentials wird im pH-Bereich 3–12 mittels der Elektrokinetischen Schallamplitude (ESA) bestimmt. Dazu wird eine Suspension mit 1% Ceroxid hergestellt. Die Dispergierung erfolgt mit einem Ultraschall-Stab (400 W). Die Suspension wird mit einem Magnetrührer gerührt und über eine Schlauchpumpe durch den PPL-80 Sensor des ESA-8000 Geräts der Firma Matec gepumpt. Vom Ausgangs-pH-Wert startet die potentiometrische Titration mit 5 m NaOH auf pH 12. Die Rücktitration auf pH 4 wird mit 5 m HNO3 vorgenommen. Die Auswertung erfolgt mittels der Gerätesoftware Version pcava 5.94. mit ζ = Zetapotential, ϕ = Volumenfraktion, Δρ = Dichtedifferenz zwischen Partikel und Flüssigkeit, c = Schallgeschwindigkeit in der Suspension, η = Viskosität der Flüssigkeit, ε = Dielektrizitätskonstante der Suspension, |G(α)| = Trägheitskorrektur.
- Die mittleren Aggregatdurchmesser werden mit einem Partikelgrößen-Analysator LB-500, Fa. Horiba bestimmt.
- Einsatzstoffe
- Als Einsatzstoffe zur Herstellung von Dispersionen dienen ein pyrogen hergestelltes Ceroxid wie in
DE-A-102005038136 , Beispiel 2 beschrieben. Weiterhin werden als kolloidales Siliciumdioxid zwei Levasil®-Typen der Firma H. C. Starck, eingesetzt. Wichtige physikalisch-chemische Werte dieser Stoffe sind in Tabelle 1 wiedergegeben. Tabelle 1: EinsatzstoffeBET Zetapotential Partikeldurchmessera) m2/g mV nm 1 Ceroxid 60 35 (7,4) 65 2a Levasil® 300 300 –20 (7,4) 13 2b Levasil® 500 500 –22 (7,4) 23 - a) bestimmt Partikelgrößen-Analysator LB-500, Fa. Horiba
- Wafer/Pad:
- Siliciumdioxid (200 mm, Schichtdicke 1000 nm. thermisches Oxid, Fa. SiMat) und Siliciumnitrid (200 mm, Schichtdicke 160 nm, LPCVD, Fa. SiMat). Pad Rodel IC 1000-A3.
- Herstellung von Dispersionen
- D1: Die Dispersion wird erhalten, indem man zu Wasser Ceroxidpulver gibt und durch Ultraschallbehandlung mit einem Ultraschallfinger (Fa. Bandelin UW2200/DH13G), Stufe 8, 100%; 5 Minuten) dispergiert. Anschließend wird der pH-Wert mit Ammoniakwasser auf 7,0 eingestellt.
- D2a-D3a: Die Dispersionen werden erhalten indem man eine Vordispersion bestehend aus Ceroxid und Wasser und eine Vordispersion bestehend aus kolloidalem Siliciumdioxid und Wasser mischt, durch Ultraschallbehandlung mit einem Ultraschallfinger (Fa. Bandelin UW2200/DH13G), Stufe 8, 100%; 5 Minuten) dispergiert, bei den Dispersionen D2-1b, D2-2b und D3b nachfolgend Glutaminsäure hinzugibt, und den pH-Wert auf 7,0 einstellt. Tabelle 2 zeigt wichtige Parameter der erhaltenen Dispersionen. Tabelle 3 zeigt die Polierabträge und Selektivitäten nach Ansetzen der Dispersionen.
- Gegenüber der Dispersion D1, die lediglich Ceroxid enthält, weisen die erfindungsgemäßen Dispersionen einen vergleichbaren Abtrag von Siliciumdioxid und Siliciumnitrid auf, jedoch ist die Anzahl der Kratzer auf der Oberfläche deutlich geringer.
- Beurteilung von Polierrückständen auf Wafern und Pads
- Die Polierrückstände werden visuell (auch per Auflichtmikroskop im Bereich bis zu 64facher Vergrößerung) beurteilt.
- Hierzu werden die Partikelgrößen der Dispersionen D1 (Vergleich) und D2-1a, D2-2a, D3 (erfindungsgemäß) direkt nach dem Polieren vermessen:
- – D1 ist instabil und sedimentiert bereits nach wenigen Minuten. Die gemessene Teilchengröße liegt deutlich oberhalb von einem Mikrometer.
- – Die erfindungsgemäßen Dispersionen sind hingegen auch nach dem Polieren noch stabil. Dies bedeutet, dass es bei der diesen Dispersionen nicht zur Bildung großer Agglomerate kommt. Auch zeigen die polierten Wafer erheblich weniger Rückstände.
- Der Zusatz von negativ geladenen kolloidalen Siliciumdioxidpartikeln, insbesondere in Gegenwart einer Aminosäure, beeinflusst die Poliergüte einer Ceroxid enthaltenden Dispersion positiv, in dem der Anteil an Polierrückständen vermindert wird.
- Ein möglicher Mechanismus umfasst, dass negativ geladene kolloidale Siliciumdioxidpartikel positiv geladene Ceroxidpartikel nach außen hin abschirmen und für eine effektive Umladung der Ceroxidpartikel sorgen. Durch diese Umladung, bietet die erfindungsgemäße Dispersion unter anderem die Möglichkeit bei pH-Werten nahe des IEP des reinen Ceroxides zu polieren. Da es sich um elektrostatische Wechselwirkungen handelt, können die kolloidalen Siliciumdioxidpartikel während des Poliervorgangs abgeschert werden, so dass die Polierwirkung des Ceroxids erhalten bleibt. Dadurch, dass während des gesamten Poliervorganges alle Partikel nach außen hin immer negativ geladen sind, wird die Agglomeratbildung deutlich reduziert. Langzeituntersuchungen zeigen, dass die Stabilität und die Poliereigenschaften auch über längere Zeiträume erhalten bleiben. Tabelle 2: Dispersionen
Dispersion D1 D2a D3a D2-1b D2-2b D3 Ceroxid Gew.-% 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Kolloidales SiO2 # Gew.-% – 0 2a 0,18 2b 0,125 2a 0,18 2a 0,18 2b 0,125 Aminosäure Gew.-% – 0 – 0 – 0 Glu** 0,1 Glu 0,5 Glu 0,5 pH-Wert 7,0 7,0 7,0 7,0 7,0 7,0 Zetapotential mV 42 –15 –16 –16 –17 –14 Partikeldurchmesser nm 60 100 83 78 144 95 Dispersion D1 D2a D3a D2-1b D2-2b D3 RR SiO2 nm/min 275 190 225 265 355 245 RR Si3N4 nm/min 72 76 88 37 85 87 - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - US 7112123 [0003]
- - US 5891205 [0004, 0004, 0005]
- - US 6491843 [0006]
- - DE 102005038136 A [0022, 0051]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - DIN 66131 [0047]
Claims (20)
- Dispersion enthaltend Partikel von Ceroxid und kolloidalem Siliciumdioxid, wobei – das Zetapotential der Siliciumdioxidpartikel negativ und das der Ceroxidpartikel positiv oder gleich Null und das Zetapotential der Dispersion insgesamt negativ ist, – der mittlere Durchmesser der • Ceroxidpartikel maximal 200 nm • Siliciumdioxidpartikel weniger als 100 nm beträgt, – der Anteil, jeweils bezogen auf die Gesamtmenge der Dispersion, an • Ceroxidpartikeln 0,1 bis 5 Gew.-% • Siliciumdioxidpartikeln 0,01 bis 10 Gew.-% und – der pH-Wert der Dispersion 3,5 bis < 7,5 ist.
- Dispersion nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Zetapotential der Dispersion –10 bis –100 mV ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der pH-Wert 5,5 bis 7,4 ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an Ceroxid 0,1 bis 5 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an kolloidalem Siliciumdioxid 0,01 bis 10 Gew.-%, bezogen auf die Dispersion, ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Gewichtsverhältnis Ceroxid/Siliciumdioxid 1,1:1 bis 100:1 ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass Ceroxidpartikel und Siliciumdioxidpartikel die einzigen Partikel in der Dispersion sind.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Partikeldurchmesser der Ceroxidpartikel 40 bis 90 nm ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Ceroxidpartikel in Form aggregierter Primärpartikel vorliegen.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Ceroxidpartikel auf ihrer Oberfläche und in oberflächennahen Schichten Carbonatgruppen enthalten.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet dass die kolloidalen Siliciumdioxidpartikel einen mittleren Partikeldurchmesser von 3 bis 50 nm aufweisen.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass, sie weiterhin 0,01 bis 5 Gew.-% einer oder mehrerer Aminocarbonsäure und/oder deren Salzen enthält.
- Dispersion nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Aminocarbonsäure ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Alanin, 4-Aminobutancarbonsäure, 6-Aminohexancarbonsäure, 12-Aminolaurinsäure, Arginin, Asparaginsäure, Glutaminsäure, Glycin, Glycylglycin, Lysin und Prolin.
- Dispersion nach den Ansprüchen 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Aminosäure oder deren Salz mit einem Anteil von 0,1 bis 0,6 Gew.-% in der Dispersion vorliegt.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass Wasser der Hauptbestandteil der flüssigen Phase der Dispersion ist.
- Dispersion nach den Ansprüchen 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass sie Säuren, Basen, Salze, Oxidationsmittel, Oxidationskatalysatoren und/oder Korrosionsinhibitoren enthält.
- Verfahren zur Herstellung der Dispersion gemäß der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass man – in eine kolloidale Siliciumdioxidpartikel enthaltende Vordispersion Ceroxidpartikel in Pulverform einbringt und nachfolgend dispergiert oder – eine Ceroxidpartikel enthaltende Vordispersion und eine kolloidale Siliciumdioxidpartikel enthaltende Vordispersion zusammengibt und nachfolgend dispergiert und anschließend – gegebenenfalls eine oder mehrere Aminosäuren in fester, flüssiger oder gelöster Form und anschließend – gegebenenfalls Oxidationsmittel, Oxidationskatalysator und/oder Korrosionsinhibitor hinzufügt.
- Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Zetapotential der kolloidalen Siliciumdioxidpartikel –10 bis –100 mV bei einem pH-Wert von 3,5 bis < 7,5 ist.
- Verfahren nach den Ansprüchen 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Zetapotential der Ceroxidpartikel 0 bis 60 mV bei einem pH-Wert von 3,5 bis < 7,5 ist.
- Verwendung der Dispersion gemäß der Ansprüche 1 bis 16 zum Polieren von dielektrischen Oberflächen.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007062572A DE102007062572A1 (de) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
EP08865512A EP2220188A1 (de) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | Dispersion mit ceriumoxid und kolloidalem siliciumdioxid |
US12/745,598 US20100307068A1 (en) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide |
KR1020107013667A KR101156824B1 (ko) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | 산화세륨 및 콜로이드 이산화규소를 포함하는 분산물 |
CN2008801223495A CN101910352A (zh) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | 含有二氧化铈和胶态二氧化硅的分散体 |
JP2010538541A JP5300864B2 (ja) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液 |
PCT/EP2008/066496 WO2009080443A1 (en) | 2007-12-22 | 2008-12-01 | Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide |
TW097149454A TWI447214B (zh) | 2007-12-22 | 2008-12-18 | 含有氧化鈰和膠態二氧化矽的分散體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007062572A DE102007062572A1 (de) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007062572A1 true DE102007062572A1 (de) | 2009-06-25 |
Family
ID=40291136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007062572A Withdrawn DE102007062572A1 (de) | 2007-12-22 | 2007-12-22 | Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100307068A1 (de) |
EP (1) | EP2220188A1 (de) |
JP (1) | JP5300864B2 (de) |
KR (1) | KR101156824B1 (de) |
CN (1) | CN101910352A (de) |
DE (1) | DE102007062572A1 (de) |
TW (1) | TWI447214B (de) |
WO (1) | WO2009080443A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009027211A1 (de) | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Basf Se | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
DE102009046849A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120083188A1 (en) * | 2009-06-25 | 2012-04-05 | Basf Se | Dispersion comprising cerium oxide and silicon dioxide |
JPWO2013099142A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-04-30 | コニカミノルタ株式会社 | 基板用研磨剤及び基板の製造方法 |
KR20160002728A (ko) * | 2013-04-25 | 2016-01-08 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Cmp용 연마액 및 이것을 사용한 연마 방법 |
US9583359B2 (en) | 2014-04-04 | 2017-02-28 | Fujifilm Planar Solutions, LLC | Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films |
CN104694018B (zh) * | 2015-03-23 | 2017-04-19 | 济南大学 | 一种用于二氧化锆陶瓷抛光的抛光粉的制备方法 |
JP6262836B1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-01-17 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
US20180094166A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cmp polishing composition comprising positive and negative silica particles |
JP6985116B2 (ja) | 2017-11-17 | 2021-12-22 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用の研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法 |
KR20220006277A (ko) * | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 성주경 | 차량 유리 유막 제거용 페이스트 조성물 |
CN115991893A (zh) * | 2022-12-09 | 2023-04-21 | 江苏联瑞新材料股份有限公司 | 底部填充胶用球形二氧化硅粉末的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891205A (en) | 1997-08-14 | 1999-04-06 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition |
US6491843B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
US7112123B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-09-26 | Amcol International Corporation | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces |
DE102005038136A1 (de) | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Degussa Ag | Ceroxid-Pulver und Ceroxid-Dispersion |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5382272A (en) * | 1993-09-03 | 1995-01-17 | Rodel, Inc. | Activated polishing compositions |
US6022400A (en) * | 1997-05-22 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method |
JP4113282B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
US20020019202A1 (en) * | 1998-06-10 | 2002-02-14 | Thomas Terence M. | Control of removal rates in CMP |
JP3895949B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2007-03-22 | 株式会社東芝 | Cmp用スラリー、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
WO2003016424A1 (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-27 | Samsung Corning Co., Ltd. | Polishing slurry comprising silica-coated ceria |
US20030211747A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-11-13 | Nyacol Nano Technologies, Inc | Shallow trench isolation polishing using mixed abrasive slurries |
US20030162398A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-28 | Small Robert J. | Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same |
JP2004079968A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の研磨剤及び研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
TWI307712B (en) * | 2002-08-28 | 2009-03-21 | Kao Corp | Polishing composition |
US20040065021A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Yasuhiro Yoneda | Polishing composition |
US7044836B2 (en) * | 2003-04-21 | 2006-05-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Coated metal oxide particles for CMP |
TWI291987B (en) * | 2003-07-04 | 2008-01-01 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
JP4574140B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-11-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法 |
TW200613485A (en) * | 2004-03-22 | 2006-05-01 | Kao Corp | Polishing composition |
US7056192B2 (en) * | 2004-09-14 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Ceria-based polish processes, and ceria-based slurries |
KR101134590B1 (ko) * | 2005-03-28 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 분산 안정성이 우수한 연마 슬러리의 제조방법 |
JP4451347B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2010-04-14 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP2006339594A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Seimi Chem Co Ltd | 半導体用研磨剤 |
JP2007012679A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨剤および半導体集積回路装置の製造方法 |
US7553465B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-06-30 | Degussa Ag | Cerium oxide powder and cerium oxide dispersion |
JP2007266500A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | タッチアップcmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
DE102007008232A1 (de) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Evonik Degussa Gmbh | Dispersion enthaltend Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid |
DE102007035992A1 (de) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid, Siliciumdioxid oder Schichtsilikat und Aminosäure enthaltende Dispersion |
US20120083188A1 (en) * | 2009-06-25 | 2012-04-05 | Basf Se | Dispersion comprising cerium oxide and silicon dioxide |
-
2007
- 2007-12-22 DE DE102007062572A patent/DE102007062572A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-12-01 US US12/745,598 patent/US20100307068A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-01 KR KR1020107013667A patent/KR101156824B1/ko active Active
- 2008-12-01 CN CN2008801223495A patent/CN101910352A/zh active Pending
- 2008-12-01 EP EP08865512A patent/EP2220188A1/de not_active Withdrawn
- 2008-12-01 WO PCT/EP2008/066496 patent/WO2009080443A1/en active Application Filing
- 2008-12-01 JP JP2010538541A patent/JP5300864B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-18 TW TW097149454A patent/TWI447214B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891205A (en) | 1997-08-14 | 1999-04-06 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition |
US6491843B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-12-10 | Eastman Kodak Company | Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide |
US7112123B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-09-26 | Amcol International Corporation | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces |
DE102005038136A1 (de) | 2005-08-12 | 2007-02-15 | Degussa Ag | Ceroxid-Pulver und Ceroxid-Dispersion |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DIN 66131 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009027211A1 (de) | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Basf Se | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
DE102009046849A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Evonik Degussa Gmbh | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2220188A1 (de) | 2010-08-25 |
KR101156824B1 (ko) | 2012-06-20 |
JP2011507785A (ja) | 2011-03-10 |
JP5300864B2 (ja) | 2013-09-25 |
CN101910352A (zh) | 2010-12-08 |
US20100307068A1 (en) | 2010-12-09 |
TW200946659A (en) | 2009-11-16 |
TWI447214B (zh) | 2014-08-01 |
KR20100084190A (ko) | 2010-07-23 |
WO2009080443A1 (en) | 2009-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007062572A1 (de) | Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion | |
DE102007062571A1 (de) | Ceroxid und Schichtsilikat enthaltende Dispersion | |
DE102007035992A1 (de) | Ceroxid, Siliciumdioxid oder Schichtsilikat und Aminosäure enthaltende Dispersion | |
DE102007008232A1 (de) | Dispersion enthaltend Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid | |
DE69527406T2 (de) | Suspension zum Gemisch-mechanisch Polieren von Metallschichten | |
DE112012001891B4 (de) | Verfahren zum Polieren eines nicht-Oxid-Einkristallsubstrats | |
DE60001958T2 (de) | Verbessertes ceriumoxidpulver | |
EP1203801A2 (de) | Wässrige Dispersion, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung | |
DE102008008184A1 (de) | Verfahren zum Polieren einer Siliciumoberfläche mittels einer ceroxidhaltigen Dispersion | |
DE602005001622T2 (de) | Dispersion für das chemisch-mechanische polieren von metalloberflächen mit metalloxidpartikeln und einem kationischen polymer | |
DE112012004193T5 (de) | Siliziumcarbid-Einkristallsubstrat und Polierlösung | |
DE112012003686T5 (de) | Poliermittel und Polierverfahren | |
DE112012002344T5 (de) | Poliermittel und Polierverfahren | |
DE102006013728A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität | |
DE102007008279A1 (de) | Ceroxid und Schichtsilikat enthaltende Dispersion | |
DE102008002321A1 (de) | Ceroxid und partikuläres Additiv enthaltende Dispersion | |
DE102007005291A1 (de) | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren | |
DE102009046849A1 (de) | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion | |
DE102009027211A1 (de) | Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion | |
DE10320854A1 (de) | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren | |
DE102008008183A1 (de) | Ceroxidpartikel enthaltende Dispersion und deren Verwendung zum Polieren von Gläsern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination | ||
R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
Effective date: 20141223 |