DE102007034773B4

DE102007034773B4 - Display mit Infrarot-Kantenbeleuchtung und Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion

Info

Publication number: DE102007034773B4
Application number: DE102007034773.3A
Authority: DE
Inventors: In Jae Chung; In Ho Ahn; Seong Ho Baik; Sang Hyuck Bae
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2006-09-26
Filing date: 2007-07-25
Publication date: 2016-04-07
Anticipated expiration: 2027-07-26
Also published as: US20080252618A1; KR20080028208A; CN101154139A; DE102007034773A1; JP2008083677A; TWI354919B; JP4573856B2; FR2906379A1; TW200816036A; KR101281830B1; CN100530064C; US8102378B2

Abstract

Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm umfassend: ein oberes transparentes Substrat (41); ein unteres Substrat (42), dass dem oberen Substrat (41) gegenüber angeordnet ist; Farbfilter (RCF, GCF, BCF), eine Lichtwandlungsschicht (CONV) und eine Schwarzmatrix, die auf dem oberen Substrat (41) ausgebildet sind; eine Infrarotlichtquelle (IRS), die das obere transparente Substrat (41) entlang einem oder mehreren Rändern desselben beleuchtet; wobei das obere transparente Substrat (41) so konfiguriert ist, dass es einen Teil des Infrarotlichts zur Lichtwandlungsschicht (CONV) lenkt, wenn ein Objekt mit der Fläche des oberen transparenten Substrats (41) in Kontakt steht, wodurch das Infrarotlicht gestreut wird, wobei die Lichtwandlungsschicht (CONV) in derselben Schicht wie die Farbfilter (RCF, GCF, BCF) ausgebildet ist, und zwischen dem oberen und dem unteren Substrat (41, 42) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass sie das durch das obere transparente Substrat (41) empfangene Infrarotlicht in sichtbares Licht wandelt; einem Pixelgebiet auf dem unteren Substrat (42) mit einem ersten Dünnschichttransistor (TFT1), der so konfiguriert ist, dass er eine Pixelelektrode (PXLE) aktiviert; und einem Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) im Pixelgebiet, der so konfiguriert ist, dass er das durch die Lichtwandlungsschicht (CONV) gelieferte sichtbare Licht erfasst und daraufhin ein Lichterfassungssignal ausgibt.

Description

HINTERGRUND
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Mehrfachberührungsanzeigeschirm und ein Display mit Mehrfachberührungsfunktion, und spezieller betrifft sie ein Display, das einer Mehrfachberührungserkennung fähig ist, und ein zugehöriges Ansteuerungsverfahren.
Beschreibung der einschlägigen Technik
Ein Berührtablett ist allgemein ein Typ einer Benutzerschnittstelle, die an einer Oberfläche einer Anzeigevorrichtung angebracht werden kann, wobei sich in einem Berührungsgebiet, in dem ein Finger eines Benutzers oder ein anderes Instrument mit dem Berührtablett in Kontakt gelangt, eine elektrische Eigenschaft ändert, wodurch das Berührungsgebiet erkannt wird. Die Anwendungen von Berührtabletts erstrecken sich auf kleine, tragbare Endgeräte, Büroausrüstung und dergleichen. Wenn zwei oder mehr Berührungen gleichzeitig vorliegen, kann das Berührtablett fehlerhaft arbeiten, und durch ein vor eingestelltes Programm kann irgendeine der Berührungen ausgewählt werden.
Die 1–3 zeigen bekannte Mehrfachberührungsvorrichtungen, mit denen versucht wurde, die Einschränkungen von Mehrfachberührungs-Erkennungssystemen zu überwinden.
Gemäß der 1 verfügt die Mehrfachberührungsvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik über eine transparente Acrylplatte 11, ein erstes bis viertes IRLED(Infrarotdiode oder IR-Leuchtdiode)-Array 12A–12D sowie ein erstes bis viertes IRPD(Infrarotdetektor oder IR-Fotodetektor)-Array 12A–12D. Die IRLED-Arrays und die IRPD-Arrays 12A–12D beinhalten mehrere IR-Leuchtdioden 13 und mehrere IR-Fotodetektoren 14.
Die 2 zeigt eine Hand eines Benutzers oder einen Griffel, der in direktem Kontakt mit der transparenten Acrylplatte 11 steht.
Die IRLED- und IRPD-Arrays 12A–12D sind so angeordnet, dass sie einer Seitenfläche der transparenten Acrylplatte 11 zugewandt sind.
Von der IRLED 13 wird Infrarotlicht durch die transparente Acrylplatte 11 gestrahlt. Das Infrarotlicht wird durch die entsprechende IRPD 14 empfangen. Wenn in diesem Zustand eine Hand oder ein Stift in Kontakt mit der transparenten Acrylplatte 11 steht, wird das Infrarotlicht gestreut und nicht vom entsprechenden IRPD 14 im Kontakt(oder Berührungs)gebiet empfangen. Demgemäß kann die Mehrfachberührungsvorrichtung in der 1 eine fehlerhafte Berührungsstelle erkennen.
Eine Mehrfachberührungsvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik in der 1 verfügt über den Vorteil, dass sie flach ist. Jedoch ist die Mehrfachberührungsvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik dahingehend nachteilig, dass die Mehrfachberührungserkennung aufgrund der direkten Beleuchtung durch Infrarotlicht ungenau ist. Ferner ist die effektive Anzeigefläche durch die durch die IRLED- und IRPD-Arrays 12A–12D eingenommene Fläche verringert.
Die 2 und 3 zeigen eine Mehrfachberührungsvorrichtung vom Projektionstyp.
Die Mehrfachberührungsvorrichtung verfügt über ein Kamera-/Projektor-Modul 30, die sich nahe einem hinteren Teil der transparenten Acrylplatte 11 befinden.
Wenn ein Finger eines Benutzers mit einem beliebigen Punkt auf der transparenten Acrylplatte 11 in Berührung steht, wird Infrarotstrahlung durch den Finger oder das andere Objekt gestreut. Die gestreute Infrarotstrahlung fällt auf die Kamera mit Projektor 30. Derartige gestreute Infrarotstrahlung SIR wird erfasst, so dass die Mehrfachberührungsvorrichtung vom Projektionstyp ein Mehrfachberührungsgebiet erkennen kann.
Da jedoch der Abstand zwischen der transparenten Acrylplatte 11 und dem Kamera/Projektor-Modul 30 relativ groß ist, nimmt die Mehrfachberührungsvorrichtung in den 2 und 3 einen großen Raum ein. Ferner besteht, da die Mehrfachberührungsvorrichtung gemäß den 2 und 3 ein Bild unter Verwendung eines Projektors anzeigt, eine Einschränkung für den Typ der Anzeigevorrichtung und das Design derselben. Außerdem ist die Lebensdauer der Projektionslinse eingeschränkt.
Die Mehrfachberührungsvorrichtungen in den 1 bis 3 übertragen Signale vom Kamera/Projektor-Modul 30 über ein Kabel an einen externen Computer, und die Signale werden durch diesen verarbeitet. So ist das System kompliziert, der durch die Komponenten eingenommene Raum ist groß, und der Signalübertragungspfad ist relativ lang.
WO 2005/029394 A2 zeigt ein Touchscreen, bei dem eine Lichtleitplatte über einem Bildschirm angeordnet ist, wobei die Lichtleitplatte seitlich von einer Lichtquelle bestrahlt wird. Unter dem Bildschirm befindet sich ein Aktivmatrixsubstrat. Das Aktivmatrixsubstrat enthält Lichtdetektionsmittel in Form von TFTs oder photoempfindlichen Platten. Die an einer Seite der Lichtleiterplatte angeordnete Lichtquelle emittiert Licht im Infrarotbereich. Weiter enthalten die Lichtdetektionsmittel optische Filter, um die Selektivität für Licht zu erhöhen, das von der Lichtleiterplatte austritt.
US 20040090170 A1 zeigt ein Filter für ein Plasmadisplaypanel. Es wird ein Pigment verwendet, um Licht aus dem Nahinfrarotbereich, das vom Plasmadisplay erzeugt wird, zu blockieren.
DE 228 20 889 A1 beschreibt eine lumineszierende Substanz, die aus einer ternären Verbindung besteht. Diese lumineszierende Substanz kann bei einem Bildschirm oder einer Leuchtröhre verwendet werden, um beispielsweise Röntgenstrahlen in sichtbares Licht umzuwandeln.
WO 2003/071345 beschreibt ein lichtempfindliches Display, bei dem in einem oberen Substrat eine Schwarzmatrix mit einer Öffnung vorhanden ist, die im Bereich eines darunter angeordneten Photo-TFTs angeordnet ist.
US 2005/0200293 A1 beschreibt berührungsempfindliche OLED-Anzeigen. Insbesondere kann dabei ein passiver Stift verwendet werden, um Informationen in die Sensoranordnung einzugeben. Das System umfasst eine Glasplatte, deren Rand von Lichtquellen bestrahlt wird. Das eingestrahlte Licht ist dabei vorzugsweise rotes Licht. Berührt der Stift die Oberfläche der Glasplatte, so wird Licht auf die Sensoranordnung gestreut.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, einen Mehrfachberührungsanzeigeschirm bzw. ein Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion und ein Verfahren anzugeben, bei denen eine zuverlässige Erkennung einer Mehrfachberührung sichergestellt werden kann und bei denen die Dimensionen des Mehrfachberührungsanzeigeschirms bzw. des Displays flach sind.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
ZUSAMMENFASSUNG
Ein Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm verfügt über ein oberes transparentes Substrat, ein diesem gegenüberstehendes unteres Substrat sowie eine Infrarotlichtquelle, die so konfiguriert ist, dass sie einen Teil des oberen transparenten Substrats beleuchtet. Zwischen dem oberen und dem unteren Substrat ist eine Lichtwandlungsschicht angeordnet, die so konfiguriert ist, dass sie das durch das obere transparente Substrat empfangene Infrarotlicht in sichtbares Licht wandelt. Ein Pixel-Dünnschichttransistor auf dem unteren Substrat ist so konfiguriert, dass er eine Pixelelektrode aktiviert, und ein Lichterfassungs-Dünnschichttransistor ist so konfiguriert, dass er das durch die Lichtwandlungsschicht gelieferte sichtbare Licht erfasst. Auf die Aktivierung des Lichterfassungs-Dünnschichttransistors hin wird ein Lichterfassungssignal ausgegeben.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Erfindung wird aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich werden, in denen Folgendes dargestellt ist:
1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine Mehrfachberührungsvorrichtung gemäß der einschlägigen Technik zeigt;
2 und 3 zeigen zugehörige Mehrfachberührungsvorrichtungen;
4 ist eine Schnittansicht, die ein Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion gemäß einer Ausführungsform zeigt;
5 ist eine Schnittansicht zum Veranschaulichen des Betriebs des Displays mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion in der 4;
6 ist eine Draufsicht eines Unterpixels dort, wo ein TFT zum Erfassen von Licht ausgebildet ist;
7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie I-I' und II-II' in der 6;
8 ist eine Draufsicht, die eine Schwarzmatrix und ein freies Gebiet im Unterpixel in der 7 zeigt;
9 ist ein Ersatzschaltbild des Unterpixels in der 6;
10 ist ein Blockdiagramm, das ein Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion sowie ein Display mit Treiberschaltung zeigt; und
11 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen einer Verarbeitung eines Berührungsbilds.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Gemäß der 4 verfügt ein Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion über eine Anzeigetafel 40, eine Infrarotlichtquelle IRS und eine Hinterleuchtungseinheit 50. Die Anzeigetafel 40 verfügt über eine Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung sowie einen Dünnschichttransistor (TFT) TFTSS zum Erfassen von Licht. Die Infrarotlichtquelle IRS strahlt Infrarotlicht auf die Anzeigetafel 40. Die Hinterleuchtungseinheit 50 strahlt sichtbares Licht auf die Anzeigetafel 40. Die Anzeigetafel 40 verfügt über ein oberes transparentes Substrat 41, ein unteres transparentes Substrat 42 und eine Flüssigkristallschicht LC. Das obere transparente Substrat 41 verfügt über Farbfilter RCF, GCF und BCF sowie eine Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung. Das untere transparente Substrat 42 verfügt über einen Pixel-TFT und einen TFT zum Erfassen von Licht TFTSS, der ein Pixel auswählt. Die Flüssigkristallschicht LC ist zwischen dem oberen transparenten Substrat 41 und dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet.
Das obere transparente Substrat 41 kann ein transparentes Kunststoffsubstrat, wie eine Acrylplatte, ein Glassubstrat und dergleichen sein. Jedoch ist ein Glassubstrat wirtschaftlicher, da eine Kunststoff- oder Acrylplatte bei Berührung einen großen Lichtstreuwinkel zeigt, relativ dick ist und leicht zerkratzt oder beschädigt wird.
Die Farbfilter RCF, GCF und BCF, die Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung und eine Schwarzmatrix sind auf dem oberen transparenten Substrat 41 der Anzeigetafel 40 ausgebildet.
Ein Infrarotlichtquelleemitter IRS erzeugt Infrarotlicht, und er ist an einer Seitenfläche des oberen transparenten Substrats 41 der Anzeigetafel 40 so angeordnet, dass er Infrarotlicht durch das obere transparente Substrat 41 strahlt. Die Infrarotlichtquelle IRS kann eine Infrarotleuchtdiode sein.
Wenn eine Hand eines Benutzers oder ein undurchsichtiges Objekt mit dem oberen transparente Substrat 41 in Kontakt gelangt, wird das Infrarotlicht gestreut. Die Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung wandelt das gestreute Infrarotlicht in Licht mit einer sichtbaren Wellenlänge, das durch den TFT zum Erfassen von Licht TFTSS erfasst wird. Die Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung kann aus einem beliebigen Material bestehen, das Infrarotlicht in sichtbares Licht wandeln kann. Beispielsweise kann die Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung Titan Phthalocyanin TiOPc enthalten. Das Titanylphthalocyanin TiOPc wandelt Nahinfrarotlicht in Licht mit einer Wellenlänge blauen Lichts.
Eine gemeinsame Elektrode steht einer Pixelelektrode gegenüber, wobei sich die Flüssigkristallschicht LC dazwischen befindet. Die gemeinsame Elektrode wird mit einer gemeinsamen Spannung versorgt, und sie ist entsprechend einem verdrillt-nematischen (TN) Modus und einem Modus mit vertikaler Ausrichtung (VA) auf dem oberen transparenten Substrat 41 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode ist in einem Modus mit einem Schalten in der Ebene (IPS) und einem Modus mit Streifenfeldschaltung (FFS) auf dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet.
Sowohl auf dem oberen als auch dem unteren transparenten Substrat 41 und 42 der Anzeigetafel 40 sind ein Polarisator, der eine Linearpolarisation auswählt, und ein Ausrichtungsfilm ausgebildet, der eine Vorverkippung eines Flüssigkristallmoleküls bestimmt.
Auf dem unteren transparenten Substrat 42 schneiden eine Vielzahl von Datenleitungen und eine Vielzahl von Gateleitungen einander. Auf dem unteren transparenten Substrat 42 sind eine Vielzahl von Treiberspannungs-Versorgungsleitungen, die parallel zu den Gateleitungen verlaufen, und eine Vielzahl von Ausleseleitungen, die die Gateleitungen und die Treiberspannungs-Versorgungsleitungen schneiden, ausgebildet. Die TFTs zum Auswählen eines Pixels sind an den Schnittstellen der Datenleitungen und der Gateleitungen ausgebildet. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ist an der Schnittstelle der Treiberspannungs-Versorgungsleitungen und der Ausleseleitungen ausgebildet. Die TFTs sind mit einer Pixelelektrode verbunden. Die TFTs zum Auswählen eines Pixels liefern auf ein Scansignal von der Gateleitung hin eine Datenspannung von der Datenleitung an die Pixelelektrode.
Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ist ein optischer Sensor, der die Menge sichtbaren Lichts erfasst, das durch die in der Nähe des Berührungsgebiets liegende Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung gewandelt wird. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ist ein TFT aus amorphem Silicium oder Polysilicium, der über dieselbe Struktur wie der TFT zum Auswählen eines Pixels verfügt, und er ist auf dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet. Es ist nicht erforderlich, dass für jedes Pixel ein TFT zum Erfassen von Licht TFTSS vorhanden ist. So kann für jeweils eine Anzahl N von Pixeln nur ein TFT zum Erfassen von Licht TFTSS vorhanden sein, wobei die Anzahl N ein ausgewählter Designparameter ist. Die Anzahl von Pixeln zwischen jedem TFT zum Erfassen von Licht TFTSS kann eingestellt werden.
Die Hinterleuchtungseinheit 50 ist unter der Anzeigetafel 40, dem unteren transparenten Substrat 42 gegenüber, positioniert. Die Hinterleuchtungseinheit 50 ist eine solche vom Kantentyp oder eine solche vom Direkttyp.
Die 5 zeigt eine Mehrfachberührungsbedienung eines Flüssigkristalldisplays mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion.
Wenn ein Finger eines Benutzers oder ein undurchsichtiges Objekt mit dem oberen transparenten Substrat 41 der Anzeigetafel 40 in Berührung gelangt, während die Infrarotlichtquelle IRS eingeschaltet ist, ändert sich an der Kontaktfläche das Brechvermögen zwischen dem oberen transparenten Substrat 41 und einem leitenden Material auf diesem. Im Ergebnis wird Infrarotlicht an der Kontaktfläche gestreut und zum unteren transparenten Substrat 42 reflektiert.
Das reflektierte Infrarotlicht wird durch die Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung in sichtbares Licht gewandelt, das dann auf eine Halbleiterschicht des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS strahlt, der auf dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet ist. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS erzeugt einen Fotostrom, der in der Halbleiterschicht empfangen wird. Der Fotostrom wird über die Ausleseleitung ausgegeben. Die digitale Signalverarbeitungsschaltung analysiert den Fotostrom. Im Ergebnis wird ein Koordinatenwert eines Berührungsgebiets berechnet, und die digitale Signalverarbeitungsschaltung erkennt mehrere Berührungsgebiete. Gleichzeitig wird auf der Anzeigetafel 40 ein Berührungsbild eines Berührungsgebiets angezeigt.
Die 6 bis 9 sind Diagramme zum Erläutern einer Struktur und einer Betriebsweise eines Unterpixels, auf dem der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ausgebildet ist.
Gemäß den 6 und 7 verfügt das untere transparente Substrat 42 der Anzeigetafel 40 über eine Gateleitung (oder eine Scanleitung) GL, eine Datenleitung DL, einen ersten TFT TFT1, eine Pixelelektrode PXLE, eine Ausleseleitung ROL, eine erste und eine zweite Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 und VL2, einen TFT zum Erfassen von Licht TFTSS und einen zweiten TFT TFT2. Die Gateleitung GL und die Datenleitung DL schneiden einander, wobei sich dazwischen ein Gateisolierfilm 101 befindet. Der erste TFT TFT1 ist an der Schnittstelle der Gateleitung GL und der Datenleitung DL ausgebildet. Die Pixelelektrode PXLE ist im durch die Gateleitung GL und die Datenleitung DL definierten Zellengebiet ausgebildet.
Die Ausleseleitung ROL ist parallel zur Datenleitung DL ausgebildet, wobei sich dazwischen die Pixelelektrode PXLE befindet. Die erste und die zweite Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 und VL2 sind parallel zur Gateleitung GL ausgebildet, um eine erste und eine zweite Treiberspannung zu liefern. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ist an der Schnittstelle der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 und der Ausleseleitung ROL ausgebildet. Der zweite TFT TFT2 ist an der Schnittstelle der Gateleitung GL und der Ausleseleitung ROL ausgebildet.
Das untere transparente Substrat 42 der Anzeigetafel 40 verfügt über einen ersten Speicherkondensator Cst1 und einen zweiten Speicherkondensator Cst2. Der erste Speicherkondensator Cst1 ist elektrisch mit der zweiten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL2 zwischen dem TFT zum Erfassen von Licht TFTSS und dem zweiten TFT TFT2 verbunden. Der zweite Speicherkondensator Cst2 ist in einem Überlappungsgebiet der Pixelelektrode PXLE und der Gateleitung GL einer Vorstufe ausgebildet.
Der erste TFT TFT1 verfügt über eine Gateelektrode GE, eine Sourceelektrode SE, eine Drainelektrode DE und eine aktive Schicht 102. Die Gateelektrode GE ist mit der Gateleitung GL verbunden. Die Sourceelektrode SE ist mit der Datenleitung DL verbunden. Die Drainelektrode DE ist mit der Pixelelektrode PXLE verbunden. Die aktive Schicht 102 überlappt mit der Gateleitung GL, und sie bildet zwischen der Sourceelektrode SE und der Drainelektrode DE einen Kanal.
Die aktive Schicht 102 überlappt mit der Datenleitung DL, der Sourceelektrode SE und der Drainelektrode DE. Auf der aktiven Schicht 102 ist eine Ohmsche Kontaktschicht 103 ausgebildet, die mit der Datenleitung DL, der Sourceelektrode SE und der Drainelektrode DE einen Ohmschen Kontakt bildet. Die aktive Schicht 102 besteht aus einer Halbleiterschicht aus amorphem Silicium oder Polysilicium. Eine derartige aktive Schicht 102 und eine Ohmsche Kontaktschicht 103 sind als vorbestimmtes Halbleitermuster SCP strukturiert.
Der erste TFT TFT1 wird durch eine hohe Spannung eines Durchschaltsignals (oder eines Scansignals), mit dem die Gateleitung GL versorgt wird, eingeschaltet, um eine Datenspannung von der Datenleitung DL an die Pixelelektrode PXLE zu liefern. Eine hohe Gatespannung ist eine Spannung über einer Schwellenspannung des ersten TFT TFT1. Umgekehrt ist eine niedrige logische Spannung eines Durchschaltsignals eine Spannung unter einer Schwellenspannung des ersten TFT TFT1.
Die Pixelelektrode PXLE ist eine transparente Elektrode, wie aus Indiumzinnoxid ITO, und sie ist über ein erstes Kontaktloch 109, das durch einen Schutzfilm 104 verläuft, mit der Drainelektrode DE des ersten TFT TFT1 verbunden. Zwischen der Pixelelektrode PXLE und einer gemeinsamen Elektrode wird eine Potenzialdifferenz erzeugt. Die gemeinsame Elektrode ist auf dem oberen transparenten Substrat 41 oder dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet. Flüssigkristallmoleküle werden aufgrund der dazwischen vorhandenen Potenzialdifferenz gedreht, wodurch sich das Brechvermögen für Licht ändert, das durch die Hinterleuchtungseinheit 50 emittiert wird.
Der zweite Speicherkondensator Cst2 ist durch die Gateleitung GL der Vorstufe und die Pixelelektrode PXLE, die einander überlappen, wobei der Gateisolierfilm 101 und der Schutzfilm 104 dazwischen angeordnet sind, gebildet. Der Gateisolierfilm 101 und der Schutzfilm 104 liegen zwischen der Gateleitung GL und der Pixelelektrode PXLE. Der zweite Speicherkondensator Cst2 hält die Spannung der Pixelelektrode PXLE, bis die nächste Datenspannung in diese geladen wird.
Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ist ein TFT, der durch einen Kanal zwischen einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode bei Bestrahlung mit Infrarotlicht einen Fotostrom erzeugt. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS verfügt über die Gateelektrode GE, die aktive Schicht 102, die Sourceelektrode SE und die Drainelektrode 162. Die Gateelektrode GE ist integral mit der zweiten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL2 ausgebildet. Die aktive Schicht 102 überlappt mit der Gateelektrode GE, wobei sich der Gateisolierfilm 101 dazwischen befindet. Die Sourceelektrode SE ist mit der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 auf der aktiven Schicht 102 verbunden. Die Drainelektrode 162 liegt der Sourceelektrode SE auf der aktiven Schicht 102 gegenüber.
Die aktive Schicht 102 wird aus einem Halbleitermaterial, wie amorphem Silicium oder Polysilicium, durch denselben Prozess hergestellt, der dazu verwendet wird, den ersten TFT TFT1 und den zweiten TFT TFT2 herzustellen. Die aktive Schicht 102 wird gleichzeitig mit dem TFT TFT1 und dem TFT TFT2 hergestellt. Die Ohmsche Kontaktschicht 103, die einen Ohmschen Kontakt zur Sourceelektrode SE und zur Drainelektrode DE herstellt, wird auf der aktiven Schicht 102 hergestellt. Eine Sourceelektrode des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS wird durch ein zweites Kontaktloch 107, das durch den Schutzfilm 104 und den Gateisolierfilm 101 verläuft, um einen Teil der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 freizulegen, und ein transparentes Elektrodenmuster 108, das am zweiten Kontaktloch 107 ausgebildet ist, elektrisch mit der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung verbunden.
Die Drainelektrode DE des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS, eine obere Elektrode 106 des ersten Speicherkondensators Cst1 sowie die Sourceelektrode SE des zweiten TFT TFT2 sind aus demselben Metall miteinander integriert, um elektrisch miteinander verbunden zu sein. Der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS erfasst Infrarotlicht, das von einem Finger oder einem undurchsichtigen Objekt reflektiert wird.
Der erste Speicherkondensator Cst1 verfügt über eine erste untere Speicherelektrode 105 und eine erste obere Speicherelektrode 106. Die erste untere Speicherelektrode 105 ist integral mit der Gateelektrode GE des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS ausgebildet. Die erste obere Speicherelektrode 106 überlappt mit der ersten unteren Speicherelektrode 105, wobei der Gateisolierfilm 101 dazwischen liegt, und sie ist mit der Drainelektrode DE des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS verbunden. Der erste Speicherkondensator Cst1 speichert durch einen durch den TFT zum Erfassen von Licht TFTSS erzeugten Fotostrom eine elektrische Ladung.
Der zweite TFT TFT2 verfügt über die Gateelektrode GE, die Sourceelektrode SE, die Drainelektrode DE und die aktive Schicht 102. Die Gateelektrode GE ist auf dem unteren transparenten Substrat 42 ausgebildet. Die Sourceelektrode SE ist mit der ersten oberen Speicherelektrode 106 verbunden. Die Drainelektrode DE ist von der Sourceelektrode SE abgewandt, wobei sich dazwischen ein Kanal befindet. Die aktive Schicht 102 überlappt mit der mit der Gateleitung GL verbundenen Gateelektrode GE, und sie bildet zwischen der Sourceelektrode SE und der Drainelektrode DE einen Kanal. Die aktive Schicht 102 ist aus einem Halbleitermaterial, wie amorphem Silicium oder Polysilicium usw., ausgebildet.
Die Ohmsche Kontaktschicht 103, die zur Sourceelektrode SE und zur Drainelektrode DE einen Ohmschen Kontakt bildet, ist auf der aktiven Schicht 102 ausgebildet. Der zweite TFT TFT2 wird durch eine hohe Gatespannung von der Gateleitung GL eingeschaltet, um eine elektrische Ladung, die den ersten Speicherkondensator Cst lädt, an die Ausleseleitung ROL zu liefern.
Andere Gebiete als der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS und die Pixelelektrode PXLE innerhalb des Pixelgebiets sind durch eine auf dem oberen transparenten Substrat 41 ausgebildete Schwarzmatrix BM abgeschirmt, wie es in der 8 dargestellt ist. Demgemäß wird sichtbares Licht, das durch das Material in Kontakt mit dem oberen transparenten Substrat 41 reflektiert wird, nur durch den TFT zum Erfassen von Licht TFTSS empfangen.
Nun wird eine Betriebsweise eines derartigen Unterpixels in Verbindung mit der 9 beschrieben.
In die aktive Schicht 102 des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS wird Infrarotlicht gestrahlt. Dabei wird eine erste Treiberspannung V1 von ungefähr 10 V von der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL1 an die Sourceelektrode SE des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS gelegt, und eine zweite Treiberspannung V2 von ungefähr 0 V bis 10 V wird von der zweiten Treiberspannungs-Versorgungsleitung VL2 an die Gateelektrode des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS gelegt.
Entsprechend der Intensität des Infrarotlichts fließt ein Fotostrom ”i” von der Sourceelektrode SE durch die aktive Schicht 102 zur Drainelektrode 162. Der Fotostrom i fließt von der Drainelektrode DE zur ersten oberen Speicherelektrode 106, und da die erste untere Speicherelektrode 105 mit der Gateelektrode GE des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS verbunden ist, lädt ein Fotostrom den ersten Speicherkondensator Cst1. Die maximale Ladung des ersten Speicherkondensators Cst1 entspricht der Spannungsdifferenz zwischen der Sourceelektrode SE und der Gateelektrode GE.
Wenn eine hohe Gatespannung an die Gateelektrode GE des zweiten TFT TFT2 gelegt wird, während der TFT zum Erfassen von Licht TFTSS sichtbares Licht erfasst und der erste Speicherkondensator Cst1 geladen wird, wird der zweite TFT TFT2 eingeschaltet, und die im ersten Speicherkondensator Cst1 geladene elektrische Ladung wird über die Kombination des Sourceelektrode SE des zweiten TFT TFT2, einen Kanal der aktiven Schicht 102, die Drainelektrode DE und die Ausleseleitung ROL an einen integrierten Ausleseschaltkreis (nicht dargestellt) geliefert.
Die 10 zeigt das Flüssigkristalldisplay gemäß einer Ausführungsform.
Das Flüssigkristalldisplay verfügt über einen integrierten Datenschaltkreis 71, einen integrierten Gateschaltkreis 72, einen integrierten Ausleseschaltkreis 73, eine Digitalplatine 74 und eine Systemschaltungsplatine 75. Der integrierte Datenschaltkreis 71 ist mit der Datenleitung DL der Anzeigetafel 40 verbunden, um eine Datenspannung an die Datenleitungen DL zu liefern.
Der integrierte Gateschaltkreis 72 ist mit den Gateleitungen G1–Gn der Anzeigetafel 40 verbunden, um sequenziell einen Gateimpuls oder einen Scanimpuls an diese Gateleitungen G1–Gn zu liefern. Der integrierte Ausleseschaltkreis 73 ist mit den Ausleseleitungen ROL der Anzeigetafel 40 verbunden, um eine elektrische Ladung von diesen zu verstärken, um ein Spannungssignal zu erzeugen. Die Digitalplatine 74 steuert die integrierten Schaltkreise 71, 72 und 73. Die Systemschaltungsplatine 75 ist mit der Digitalplatine 74 verbunden.
Der integrierte Datenschaltkreis 71 wandelt digitale Videodaten, wie sie von einer Timingsteuerung eingegeben werden, in analoge Datenspannungen. Die analogen Datenspannungen werden auf ein durch die Timingsteuerung angelegtes Timingsteuerungssignal an die Datenleitungen DL der Anzeigetafel 40 geliefert. Analoge Datenspannungen, mit denen die Datenleitung DL versorgt wird, werden aus Gammakompensationsspannungen entsprechend Graustufenwerten der digitalen Videodaten ausgewählt.
Der integrierte Gateschaltkreis 72 erzeugt einen Gateimpuls, um diesen sequenziell auf ein durch die Timingsteuerung der Digitalplatine 74 geliefertes Timingsteuerungssignal an die Gateleitungen G1–Gn zu liefern.
Der integrierte Ausleseschaltkreis 73 verfügt über einen Spannungsverstärker, und er führt eine Wandlung und Verstärkung einer elektrischen Ladung in eine an die Digitalplatine 74 zu liefernde Spannung aus.
Die Digitalplatine 74 ist über ein Kabel 76 und eine Schnittstellenschaltung mit den integrierten Schaltkreisen 71, 72 und 73 verbunden, und sie verfügt über die Timingsteuerung, einen Wechselrichter und einen Gleichspannungswandler. Der Wechselrichter steuert eine Lichtquelle der Hinterleuchtungseinheit an. Der Gleichspannungswandler erzeugt Treiberspannungen für die Flüssigkristalltafel, d. h. eine Gammakompensationsspannung, eine hohe Gatespannung und eine niedrige Gatespannung.
Die Digitalplatine 74 erzeugt Treiberspannungs- und Timingsteuerungssignale für die integrierten Schaltkreise, und sie liefert digitale Videodaten für eine Hintergrundbild sowie digitale Videodaten eines Berührungsbilds. Das Hintergrundbild und die digitalen Videodaten werden von einer digitalen Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung in den integrierten Datenschaltkreis 71 eingegeben, um die integrierten Schaltkreise zu betreiben und anzusteuern, um dadurch einen Hintergrund und Berührungsbilder auf der Anzeigetafel 40 anzuzeigen.
Die Systemschaltungsplatine 75 ist über das Kabel 76 und die Schnittstellenschaltung mit der Digitalplatine 74 verbunden, und sie verfügt über eine Schaltung, die Videosignale von einer externen Videoquelle, wie einer Rundfunkempfangsschaltung, einer CD oder eine DVD usw., verarbeitet.
Die Digitalplatine 74 oder die Systemschaltungsplatine 75 verfügt ferner über eine digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung, die ein Berührungsbild verarbeitet. Die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung erkennt ein Infrarotlicht-Berührungserfassungssignal, das über ein TFT-Array zum Erfassen von Licht TFTSS eingegeben wird, als Bildtyp statt als Koordinate. Ferner analysiert die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung ein Muster eines Berührungsbilds, um das Berührungszentrum oder das Zentrum eines Fingers unter mehreren Berührungsfingerbildern zu erkennen, um auf der Anzeigetafel 40 anzuzeigende Berührungsbilddaten zu erzeugen.
Die 11 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen eines Betriebsalgorithmus einer digitalen Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung, die in der Digitalplatine 74 oder der Systemschaltungsplatine 75 montiert ist.
Vor eingestellte Referenzwerte für jedes Berührungsgebiet werden vorab auf Grundlage des Pegels weißen Rauschens und einer Abweichung des TFT zum Erfassen von Licht TFTSS eingestellt. Die Referenzwerte werden in der digitalen Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung abgespeichert. Ferner wird ein Schwellenwert, der angewandt wird, wenn Koordinaten für jedes Berührungsgebiet berechnet werden, in der digitalen Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung abgespeichert. Wenn ein digitales Signal eines Berührungsbilds in die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung eingegeben wird, bildet diese Referenzwerte auf ein eingegebenes digitales Signal ab, um Berührungsbilddaten für mehr als einen Referenzwert zu entnehmen (S1 und S2). Als Nächstes glättet die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung die Berührungsbilddaten, die im Schritt S2 entnommen wurden, um mehrere Berührungsgebiete zu verknüpfen und einen Rand der Berührungsbilder zu erkennen (S3).
Als Nächstes vergleicht die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung Signale der Berührungsbilder, die im Schritt S3 erfasst wurden, mit einem Schwellenwert, um nach Signalen mit einem Wert über dem Schwellenwert zu suchen (S4).
Schließlich unterteilt die digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung Berührungsgebiete der Signale mit einem Wert über dem Schwellenwert, und sie liefert eine Zielkennung (ID) betreffend die Berührungsgebiete, und dann berechnet sie die Zentrumskoordinate jedes Berührungsgebiets unter Verwendung einer Ziel-ID derselben (S5 und S6).
Wie oben beschrieben, verfügt das Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion über eine Schicht CONV zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung und TFTs zum Erfassen von Licht TFTSS, um mehrere Berührungsgebiete des Displays zu erkennen. Das Display ist auch relativ flach.
Obwohl die Erfindung durch in den oben beschriebenen Zeichnungen dargestellte Ausführungsformen erläutert wurde, ist es vom Fachmann zu beachten, dass die Erfindung nicht auf die Ausführungsformen eingeschränkt ist, sondern dass vielmehr verschiedene Änderungen oder Modifizierungen derselben möglich sind, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen. Demgemäß soll der Schurzumfang der Erfindung alleine durch die beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente bestimmt sein.

Claims

Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm umfassend: ein oberes transparentes Substrat (41); ein unteres Substrat (42), dass dem oberen Substrat (41) gegenüber angeordnet ist; Farbfilter (RCF, GCF, BCF), eine Lichtwandlungsschicht (CONV) und eine Schwarzmatrix, die auf dem oberen Substrat (41) ausgebildet sind; eine Infrarotlichtquelle (IRS), die das obere transparente Substrat (41) entlang einem oder mehreren Rändern desselben beleuchtet; wobei das obere transparente Substrat (41) so konfiguriert ist, dass es einen Teil des Infrarotlichts zur Lichtwandlungsschicht (CONV) lenkt, wenn ein Objekt mit der Fläche des oberen transparenten Substrats (41) in Kontakt steht, wodurch das Infrarotlicht gestreut wird, wobei die Lichtwandlungsschicht (CONV) in derselben Schicht wie die Farbfilter (RCF, GCF, BCF) ausgebildet ist, und zwischen dem oberen und dem unteren Substrat (41, 42) angeordnet ist und so konfiguriert ist, dass sie das durch das obere transparente Substrat (41) empfangene Infrarotlicht in sichtbares Licht wandelt; einem Pixelgebiet auf dem unteren Substrat (42) mit einem ersten Dünnschichttransistor (TFT1), der so konfiguriert ist, dass er eine Pixelelektrode (PXLE) aktiviert; und einem Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) im Pixelgebiet, der so konfiguriert ist, dass er das durch die Lichtwandlungsschicht (CONV) gelieferte sichtbare Licht erfasst und daraufhin ein Lichterfassungssignal ausgibt.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 1, bei dem das obere transparente Substrat (41) so konfiguriert ist, dass es verhindert, dass Infrarotlicht die Lichtwandlungsschicht (CONV) erreicht, wenn kein Objekt mit einer Fläche des oberen transparenten Substrats (41) in Kontakt steht.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 2, ferner mit einer Signalverarbeitungsschaltung in Kommunikation mit dem Lichterfassungssignal, die so konfiguriert ist, dass sie das Lichterfassungssignal mit einer oder mehreren Stellen auf der Fläche des oberen transparenten Substrats (41), die durch das Objekt berührt wird, korreliert.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 1, ferner mit einer Matrix von Pixelgebieten, von denen jedes über einen ersten Dünnschichttransistor (TFT1) verfügt, der so konfiguriert ist, dass er eine entsprechende Pixelelektrode (PXLE) aktiviert.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 4, bei dem jedes Pixelgebiet ferner über einen Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) verfügt.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 4, bei dem einige der Pixelgebiete über einen Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) verfügen.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 1, ferner mit einem zweiten Dünnschichttransistor (TFT2) in Verbindung mit dem Lichterfassungstransistor (TFTSS).
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 7, bei dem der zweite Dünnschichttransistor (TFT2) die Ausgabe des Lichterfassungssignals erleichtert.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 8, ferner mit einer Gateleitung (GL), die mit dem jeweiligen ersten Dünnschichttransistor (TFT1) und dem jeweiligen Lichterfassungstransistor (TFTSS) verbunden ist, um die Identifizierung von Pixelstellen, wo die Lichterfassungstransistoren (TFTSS) das sichtbare Licht empfangen, zu erleichtern.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 8, ferner mit einer Datenleitung (DL), die mit dem jeweiligen ersten Dünnschichttransistor (TFT1) verbunden ist, wobei eine Aktivierung sowohl der Datenleitung (DL) als auch der Gateleitung (GL) die entsprechende Pixelelektrode (PXLE) aktiviert.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 10, ferner mit einer Matrix von Pixelgebieten, von denen jedes über einen ersten Dünnschichttransistor (TFT1) verfügt, und wobei einige der Pixelgebiete über einen Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) verfügen, wobei die Identifizierung der Gateleitung (GL) und der Datenleitung (DL), die einen ausgewählten ersten Dünnschichttransistor (TFT1) aktivieren, die Identifizierung eines entsprechenden Lichterfassungstransistors (TFTSS) erleichtert.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 11, ferner mit einer Bildverarbeitungsschaltung, die so konfiguriert ist, dass sie Stellen mehrerer aktiver Lichterfassungstransistoren (TFTSS) auf Grundlage der Gate- und Datenleitungen (GL, DL) entsprechender erster Dünnschichttransistoren (TFT1) analysiert, um ein oder mehrere Berührungszentren zu erfassen.
Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach Anspruch 12, bei dem die Bildverarbeitungsschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine den Berührungszentren zugeordnete Grenze identifiziert.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion, mit einem Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm nach einem der vorherigen Ansprüche 1–13.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 14, ferner mit: einer Hinterleuchtungseinheit (50), die unter dem Mehrfachberührungs-Anzeigeschirm liegt, um Licht zu diesem abzustrahlen.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 14, bei dem der Anzeigeschirm eine Flüssigkristallschicht (LC) aufweist, die zwischen den transparenten Substraten (41, 42) ausgebildet ist.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 16, bei dem das untere transparente Substrat (42) Folgendes aufweist: eine Vielzahl von Datenleitungen (DL), an die eine Datenspannung geliefert wird; eine Vielzahl von Gateleitungen (GL), die die Datenleitungen (DL) schneiden und sequenziell mit einem Scanimpuls versorgt werden; eine Vielzahl von Ausleseleitungen (ROL) parallel zu den Datenleitungen (DL), die so konfiguriert sind, dass sie ein Infrarotstrahlungs-Erfassungssignal entsprechend Infrarotlicht, das am oberen transparenten Substrat (41) reflektiert wird, ausgeben; eine Pixelelektrode (PXLE), die in einem durch die Datenleitung (DL), die Gateleitung (GL) und die Ausleseleitung (ROL) bestimmten Pixelgebiet ausgebildet ist; eine Vielzahl erster Dünnschichttransistoren (TFT1), die in einem Schnittteil der Gateleitungen (GL) ausgebildet sind, mit einer Konfiguration zum Liefern der Datenspannung auf den Scanimpuls hin an die Pixelelektrode (PXLE); eine Vielzahl erster Treiberspannungs-Versorgungsleitungen (VL1) parallel zu den Gateleitungen (GL), um eine Treiberspannung mit hohem Pegel an den Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) zu liefern; eine Vielzahl zweiter Treiberspannungs-Versorgungsleitungen (VL2) parallel zu den Gateleitungen (GL) und den ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitungen (VL1), um eine Treiberspannung mit niedrigem Pegel an den Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) zu liefern; einen ersten Speicherkondensator (CST1) zum Laden einer elektrischen Ladung aus dem Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS); einen zweiten Speicherkondensator (CST2), der zwischen der Pixelelektrode (PXLE) und der Gateleitung (GL) ausgebildet ist, um die Spannung der Pixelelektrode (PXLE) aufrecht zu erhalten; und eine Vielzahl zweiter Dünnschichttransistoren (TFT2), die in einem Schnittteil der Gateleitungen (GL) und der Ausleseleitungen (ROL) ausgebildet sind und mit dem ersten Speicherkondensator (CST1) in Verbindung stehen, um eine elektrische Ladung von einem ersten Speicherkondensator (CST1) auf den Scanimpuls hin an die Ausleseleitungen (ROL) zu liefern.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 17, bei dem der Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) durch die Treiberspannung von hohem Pegel und die Treiberspannung von niedrigem Pegel betrieben wird, um für einen Stromfluss zwischen seiner Sourceelektrode (SE) und seiner Drainelektrode (DE) zu sorgen.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 18, bei dem der Lichterfassungs-Dünnschichttransistor (TFTSS) Folgendes aufweist: eine Gateelektrode (GE), die einstückig mit der zweiten Treiberspannungs-Versorgungsleitung (VL1) ausgebildet ist; eine Halbleiterschicht in Überlappung mit der Gateelektrode (GE), wobei sich ein Isolierfilm dazwischen befindet; eine Sourceelektrode (SE), die mit der ersten Treiberspannungs-Versorgungsleitung (VL1) auf der Halbleiterschicht verbunden ist; und eine Drainelektrode (DE), die der Sourceelektrode (SE) auf der Halbleiterschicht gegenüber liegt.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 17, bei dem das obere transparente Substrat (41) ferner Folgendes aufweist: eine Schwarzmatrix (BM), die an einer Grenze zwischen den Pixelgebieten und einem dem ersten und dem zweiten Dünnschichttransistor (TFT1, TFT2) entsprechenden Gebiet ausgebildet ist, um auf den ersten und den zweiten Dünnschichttransistor (TFT1, TFT2) fallendes Infrarotlicht abzuschirmen.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 17, ferner mit: mehreren integrierten Datenschaltkreisen (71), die mit den Datenleitungen (DL) verbunden sind, um digitale Videodaten von Berührungsbildern, die durch körperliche kontaktierende Berührung mit dem Anzeigeschirm erzeugt werden, in die an die Datenleitungen (DL) zu liefernde Datenspannung zu wandeln; mehreren integrierten Gateschaltkreisen (72), die mit den Gateleitungen (GL) verbunden sind, um die Scanimpulse sequenziell an diese zu liefern; einem integrierten Ausleseschaltkreis (73), der mit den Ausleseleitungen (ROL) verbunden ist, um eine elektrische Ladung von diesen zu verstärken, um dadurch eine verstärkte Spannung auszugeben; einer Digitalplatine (74), die so konfiguriert ist, dass sie die integrierten Schaltkreise (71, 72, 73) und die digitalen Videodaten des Berührungsbilds steuert; und einer Systemschaltungsplatine (75), die mit der Digitalplatine (74) verbunden ist.
Display mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach Anspruch 21, bei dem die Digitalplatine (74) oder die Systemschaltungsplatine (75) über eine digitale Berührungsbild-Verarbeitungsschaltung verfügt, die so konfiguriert ist, dass sie ein Muster der Berührungsbilder analysiert, um das Zentrum derselben zu erkennen.
Verfahren zum Ansteuern eines Displays mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion nach einem der Ansprüche 14–22, das Folgendes beinhaltet: Bestrahlen eines oberen transparenten Substrats (41) mit Infrarotlicht; Wandeln des von einer Fläche des oberen transparenten Substrats (41) reflektierten Infrarotlichts in sichtbare Strahlung unter Verwendung der auf dem oberen transparenten Substrat (41) ausgebildeten Lichtwandlungsschicht (CONV) zum Wandeln von Infrarotstrahlung in sichtbare Strahlung; und Erfassen der sichtbaren Strahlung unter Verwendung eines unter dem oberen transparenten Substrat (41) liegenden Lichterfassungs-Dünnschichttransistors (TFTSS).
Verfahren zum Ansteuern eines Displays mit Mehrfachberührungs-Erkennungsfunktion gemäß dem Anspruch 23, das ferner Folgendes beinhaltet: Bestrahlen des Anzeigeschirms (40) mit Licht, das durch eine unter ihm liegende Hinterleuchtungseinheit (50) erzeugt wird; und Anzeigen eines Berührungsbilds auf der Fläche des oberen transparenten Substrats (41) auf dem Anzeigeschirm (40).