TWI436137B - 主動式光感測畫素、主動式光感測陣列以及光感測方法 - Google Patents

主動式光感測畫素、主動式光感測陣列以及光感測方法 Download PDF

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Description

主動式光感測畫素、主動式光感測陣列以及光感測方法
本發明係有關於顯示器，特別係有關於使用主動式光感測畫素的顯示器，其中主動式光感測畫素在選擇信號線被選取時同時執行曝光和讀出。
近年來，電子書(E-books)已經逐漸被發展並商業化。電子書之一種可行的顯示架構是使用薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)的顯示架構。換言之，電子書可藉由在下板(backplane)設置電子元件(例如TFT或光感測器)而顯示影像。為了要在電子書的顯示螢幕上作標記，電子書必須能夠感測光。以具有光感測功能的電子書為例，由於光感測器被設置在下板，所以透光度不佳。因此，習知電子書的缺點是需要很長的曝光時間才能在電子書的顯示螢幕(display screen)上作標記。
因此，亟需一種主動式光感測畫素，使得電子書能夠迅速被地標記。
本發明提供一種主動式光感測畫素，包括：雙端點光感測電晶體以及驅動電晶體。雙端點光感測電晶體具有一第一端點耦接於第一節點、第二端點連接於選擇信號線，以及控制端點連接於第一節點。驅動電晶體具有第一端點耦接於第一參考電壓、第二端點耦接於輸出信號線，以及控制端點連接於第一節點。
本發明提供一種主動式光感測陣列，包括：複數信號選擇線、複數輸出信號線以及複數主動式光感測畫素。主動式光感測畫素之每一者包括：雙端點光感測電晶體以及驅動電晶體。雙端點光感測電晶體具有第一端點耦接於第一節點、第二端點耦接於相應的選擇信號線，以及控制端點連接於第一節點。驅動電晶體具有第一端點耦接於第一參考電壓、第二端點耦接於相應的輸出信號線，以及控制端點連接於第一節點。
本發明亦提供一種光感測方法，應用於主動式光感測畫素，主動式光感測畫素包括：雙端點光感測電晶體以及驅動電晶體。雙端點光感測電晶體具有第一端點耦接於第一節點、第二端點耦接於選擇信號線以及控制端點連接於第一節點。驅動電晶體具有第一端點耦接於第一參考電壓、第二端點耦接於輸出信號線，以及控制端點連接於第一節點。光感測方法包括下列步驟：在曝光暨讀出週期，提供第一電壓準位至選擇信號線，使得雙端點光感測電晶體作為光敏電阻；以及當雙端點光感測電晶體接收到入射光時，產生光感測電流對第一節點充電，使得驅動電晶體根據第一節點上之電壓準位而導通，用以產生輸出電流至輸出信號線。
第1A圖為本發明之雙端點光感測電晶體操作於一第一操作模式(first operation mode)的示意圖。在本實施例中，雙端點光感測電晶體Q1 為N型氫化非晶矽薄膜電晶體(N-type a-Si:H TFT)，但不限於此。雙端點光感測電晶體Q1 具有第一端點N1 、第二端點N2 ，以及控制端點。要注意的是，雙端點光感測電晶體Q1 的控制端點是連接至第二端點N2 ，並藉此形成雙端點光感測電晶體Q1 的兩個端點，即第一端點N1 與連接於第二端點N2 的控制端點。在第一操作模式中，雙端點光感測電晶體Q1 的第一端點N1 被施加高電壓VH ，而第二端點N2 被施加低電壓VL 。當入射光hv 照射到操作於第一操作模式的雙端點光感測電晶體Q1 時，雙端點光感測電晶體Q1 會產生光感測電流Iphoto 由第一端點N1 流向第二端點N2 。一般而言，光感測電流Iphoto 的大小是由雙端點光感測電晶體Q1 之半導體層的面積和材料特性所決定。此外，光感測電流Iphoto 的大小亦可由入射光hv 的強度所決定；換言之，若入射光的強度越強，則光感測電流Iphoto 的也越大。因此，雙端點光感測電晶體Q1 於第一操作模式作為一光敏電阻(photosensitive resistor)。在另一實施例中，雙端點光感測電晶體Q1 亦可為P型矽薄膜電晶體(P-type Si TFT)，但不限定於此。在其它實施例中，雙端點光感測電晶體Q1 亦可為雙載子接面電晶體(BJT)或其他開關元件。
第1B圖顯示雙端點光感測電晶體Q1 操作在第一操作模式時，第一端點的電壓VN1 和光感測電流Iphoto 的關係。如第1B圖所示，當沒有入射光hv 照射時(菱形點線)，光感測電流I’photo 為零(又稱為截止區)。相反地，當有入射光hv 照射時(方形點線)，與習知場效電晶體(FET)類似地，光感測電流Iphoto 起初會呈現線性增加，然後增加幅度逐漸變小(又稱為三極管區)，且最後趨近於飽和(又稱為飽和區)。在一實施例中，若雙端點光感測電晶體Q1 被入射光照射且第一端點的電壓VN1 為16V，則光感測電流Iphoto 約為7.5E-09安培；若雙端點光感測電晶體Q1 未被入射光照射且第一端點的電壓VN1 為16V，則光感測電流I’photo 為0安培。當雙端點光感測電晶體Q1 操作在第一操作模式時，藉由偵測光感測電流Iphoto ，便能夠判斷雙端點光感測電晶體Q1 是否被入射光照射。
第2A圖為本發明之雙端點光感測電晶體操作於一第二操作模式(second operation mode)的示意圖。類似於第1A圖，雙端點光感測電晶體Q1 的控制端也連接至第二端點N2 。相較於第一操作模式，雙端點光感測電晶體Q1 的第一端點N1 被施加低電壓VL ，而第二端點被施加高電壓VH 。因為雙端點光感測電晶體Q1 的控制端和第二端點耦接至高電壓VH (通常稱為『二極體連接』)，所以在第二操作模式中，雙端點光感測電晶體Q1 作為一二極體，並產生二極體電流Idiode (即順向導通電流)由第二端點N2 流向第一端點N1 。
第2B圖顯示雙端點光感測電晶體Q1 操作在第二操作模式時，第二端點的電壓VN2 和二極體電流的關係。類似於習知二極體，雙端點光感測電晶體Q1 的二極體電流Idiode 起初為零，然後在導通之後，呈現指數型式的增加。在雙端點光感測電晶體Q1 導通之後(VN2 >10V)，不論是否有入射光hv 照射，都存在二極體電流由第二端點N2 流向第一端點N1 。要注意的是，有入射光hv 照射(方形點線)的二極體電流Idiode 大於沒有入射光hv 照射(菱形點線)的二極體電流I’diode 。在一實施例中，若雙端點光感測電晶體Q1 被入射光照射且第二端點的電壓VN2 為15V，則二極體電流Idiode 約為1.0E-09安培。相反地，若雙端點光感測電晶體Q1 未被入射光照射且第二端點的電壓VN2 為15V，則二極體電流I’diode 約為0.5E-09安培。因此，第二操作模式有兩種用途，第一種是藉由偵測/判斷二極體電流的數值/大小，便能夠判斷雙端點光感測電晶體Q1 是否被入射光照射。第二種是利用二極體電流來讓第二端點N2 對第一端點N1 放電。一般來說，因為二極體電流Idiode 的數值遠大於光感測電流Iphoto 的數值(約大1.0E+03~1.0E+04個數量級)，所以相對於在第一操作模式中，光感測電流Iphoto 對第一端點N1 的充電過程，在第二操作模式中，二極體電流Idiode 對第二端點N2 的放電過程是更快速的。
第3圖為本發明主動式光感測畫素的示意圖。在本實施例中，主動式光感測畫素P22 包括雙端點光感測電晶體Q1 ，以及驅動電晶體Q2 。主動式光感測畫素P22 耦接於信號選擇線Sel_2，以及垂直於選擇信號線Sel_2的輸出信號線Out_2。
在第3圖中，雙端點光感測電晶體Q1 具有第一端點N1 耦接於第一節點X1 、第二端點N2 耦接於選擇信號線Sel_2，以及控制端點連接於第一節點X1 。驅動電晶體Q2 具有第一端點耦接於第一參考電壓Vref1 、第二端點耦接於輸出信號線Out_2，以及控制端點連接於第一節點X1 。
本發明光感測畫素的光感測方法將如以下說明。第4圖顯示選擇信號線的時序圖，以及第一節點X1 的電壓波形，其中第一節點X1 的電壓波形為光感測畫素P22 被入射光hv 照射的情況。在第4圖中，實線分別表示掃描信號線Sel_2的時序圖，虛線表示當光感測畫素P22 被入射光hv 照射時，第一節點X1 之電壓VX1 的波形。
以下討論雙端點光感測電晶體的操作模式。在第一週期T1 (通常稱為曝光暨讀出週期)，選擇信號線Sel_2的電壓準位被拉至高於第一節點X1 的電壓準位(如高準位驅動電壓VGH )，並且光感測畫素P22 被入射光照射，雙端點光感測電晶體Q1 作為光敏電阻並根據入射光hv 而產生光感測電流Iphoto ，並且光感測電流Iphoto 將第一節點X1 充電至高準位的電壓VX1 。當電壓VX1 高於驅動電晶體Q2 的臨界電壓時，驅動電晶體Q2 被導通並產生輸出電流至輸出信號線Out_2，所以第一週期T1 也是讀出週期。另一方面，在第一週期T1 ，選擇信號線Sel_2的電壓準位被拉至高於第一節點X1 的電壓準位(如高準位驅動電壓VGH )，但光感測畫素P22 未被入射光照射，雙端點光感測電晶體Q1 則不會產生光感測電流Iphoto 。根據前述段落的說明可知這裡用到的是雙端點光感測電晶體Q1 的第一操作模式。因此，當雙端點光感測電晶體Q1 作為光敏電阻時，將驅動電晶體Q2 的臨界電壓設計為小於(或等於)被入射光照射的光感測電流Iphoto 在第一節點上所產生之對應電壓，故使得驅動電晶體Q2 被光感測電流Iphoto 導通並產生輸出電流。因此，藉由判斷光感測畫素是否產生輸出電流，便能夠判斷其是否 被入射光hv 照射。
在第二週期T2 (通常稱重置週期)，選擇信號線Sel_2的電壓準位被拉至低於第一節點X1 的電壓準位(如低準位驅動電壓VGL )，雙端點光感測電晶體Q1 作為二極體並藉由二極體電流Idiode 而將第一節點X1 的電壓VX1 『快速地』放電至選擇訊號線Sel_2。當第一節點X1 的電壓VX1 被放電至低於驅動電晶體Q2 的臨界電壓時，驅動電晶體Q2 截止。
在第二週期T2 ，驅動電晶體Q2 被截止，所以即使入射光hv 照射雙端點光感測電晶體Q1 ，雙端點光感測電晶體Q1 也不會產生光感測電流。要注意的是，本發明對第一節點之電壓VX1 的重置主要是藉由雙端點光感測電晶體Q1 的二極體電流Idiode (即第二操作模式)而完成。在本實施例中，選擇信號線的高準位驅動電壓VGH 為10V，選擇信號線的低準位驅動電壓VGL 為0V。第一節點X1 的電壓波形VX1 比低準位驅動電壓VGL 至少高Vth_Q1 ，其中Vth_Q1 為雙端點光感測電晶體Q1 的臨界電壓。
第5圖為本發明主動式光感測畫素的示意圖。本實施例大體上類似於第3圖的實施例，為了簡化說明，其電路連接方式和選擇信號線的時序圖不再贅述。要注意的是，主動式光感測畫素P22 更包括靈敏度調整電容Csensitivity ，具有第一端點連接於第一節點X1 ，以及第二端點連接於第二參考電壓Vref2 。
接著說明靈敏度調整電容Csensitivity 的作用。如上所述，藉由調整驅動電晶體Q2 的閘極電壓(即第一節點X1 的電壓VX1 )，便能夠判斷主動式光感測畫素P22 是否被入光照射。在本實施例中，當光感測電流Iphoto 很大時(即ΔVX1 很大)，使用具有較大電容值的靈敏度調整電容Csensitivity ；當光感測電流Iphoto 很小時(即ΔVX1 很小)，使用具有較小電容值的靈敏度調整電容Csensitivity 。因此，即使入射光很微弱而使光感測電流Iphoto 變得很小，藉由使用電容值較小的靈敏度調整電容Csensitivity ，仍然可以感測微弱的入hv 。藉此，本發明具有較高的訊雜比。
第6圖為本發明主動式光感測陣列的圖示與信號線相應的時序圖。主動式光感測陣列Mphoto-sensing 包括複數信號選擇信號線Sel_1-Sel_4、複數輸出信號線Out_1-Out_3、複數主動式光感測畫素P11 -P43 、驅動電路50，以及感測電路51。在本實施例中，複數主動式光感測畫素P11 -P43 之每一者大體上類似於第5圖的實施例，但不限定於此。在某些實施例中，主動式光感測畫素P11 -P43 之每一者亦可類似於第3圖的實施例。為了簡化說明，其電路連接方式和選擇信號線Sel_1-Sel_4的時序圖不再贅述。驅動電路50依序致能選擇信號至複數選擇信號線Sel_1-Sel_4。舉例而言，在第一週期T1 (曝光暨讀出週期)，選擇信號線Sel_2的電壓準位被拉至高於第一節點X1 的電壓準位(如高準位驅動電壓VGH )，雙端點光感測電晶體Q1 作為光敏電阻並根據入射光hv 而產生光感測電流Iphoto ，並且光感測電流Iphoto 對第一節點X1 充電至高準位的電壓VX1 。在此實施例中，雙端點光感測電晶體Q1 作未被入射光hv 照射時，則不會產生光感測電流Iphoto ，對第一節點X1 充電。當第一節點X1 上的電壓被充電而高於驅動電晶體Q2 的臨界電壓時，驅動電晶體Q2 被導通並產生輸出電流至輸出信號線Out_2，然後感測電路51藉由偵測/判斷輸出電流的數值/大小便能夠決定主動式光感測畫素P22 是否被入射光hv 照射。因此，第一週期T1 也是讀出週期。接著，在第二週期T2 ，選擇信號線Sel_2的電壓準位被拉至低於第一節點X1 的電壓準位(如低準位驅動電壓VGL )，驅動電晶體Q2 藉由雙端點光感測電晶體Q1的二極體電流Idiode 將第一節點的電壓VX1 重置，使得驅動電晶體Q2 被截止。要注意的是，當選擇信號線Sel_2是第一週期T1 時，選擇信號線Sel_1、Sel_3和Sel_4是第二週期T2 ，換言之，選擇信號線Sel_1、Sel_3和Sel_4之相應的掃描列是截止的，所以選擇信號線Sel_2之相鄰的選擇信號線Sel_1和Sel_3不會對選擇信號線Sel_2造成干擾。在其他實施例中，主動式光感測陣列Mphoto-sensing 包括四條以上的選擇信號線、三條以上的掃描信號線，以及十二個以上的光感測畫素。習知技藝者當根據產品的需求來設計主動式光感測陣列Mphoto-sensing 。
第7圖為本發明主動式光感測暨顯示陣列的圖示與信號線相應的時序圖。主動式光感測暨顯示陣列Msensing-display 包括複數選擇信號線Sel_1-Sel_4、複數輸出信號線Out-0-Out_3、複數資料信號線data_1-data_4、複數主動式光感測暨顯示畫素U11 -U43 、驅動電路50、感測電路51，以及資料驅動電路52。在第7圖中，主動式光感測暨顯示畫素U11 -U43 之每一者均包括一主動式光感測畫素(例如P22 )以及一顯示畫素(例如S22 )，其中每一個主動式光感測畫素能夠以本發明前述實施例之主動式光感測畫素而被設置，在此不再贅述。參考顯示畫素S22 ，顯示畫素S22 包括一開關電晶體Q3 以及一液晶電容CLC ，其中開關電晶體Q3 具有一第一端點耦接於第二資料線data_2、一第二端點，以及一控制端點耦接於第二選擇訊號線Sel_2，並且液晶電容CLC 具有一第一端點連接於開關電晶體Q3 的第二端點，以及一第二端點耦接於第三參考電壓Vref3 。
以下討論主動式光感測暨顯示陣列的操作。舉例而言，在第一週期T1 ，選擇信號線Sel_1的電壓準位被拉至高於光感測畫素P22 之第一節點X1 的電壓準位(如高準位驅動電壓VGH )，雙端點光感測電晶體Q1 作為光敏電阻並根據入射光hv 而產生光感測電流Iphoto ，並且光感測電流Iphoto 對第一節點X1 充電至高準位的電壓VX1 。當第一節點X1 上的電壓高於驅動電晶體Q2 的臨界電壓，驅動電晶體Q2 被導通並產生輸出電流至輸出信號線Out_2，然後感測電路51藉由偵測/判斷輸出電流的數值/大小便能夠決定主動式光感測畫素P22 是否被入射光hv 照射。因此，第一週期T1 也是讀出週期。在此實施例中，當第一節點X1 上的電壓VX1 高於驅動電晶體Q2 之臨界電壓時，驅動電晶體Q2 會導通。相反地，當雙端點光感測電晶體Q1 未被入射光照射時，則不會產生光感測電流Iphoto ，第一節點X1 上的電壓VX1 會低於驅動電晶體Q2 之臨界電壓，故驅動電晶體Q2 則不會導通。
接著，在第二週期T2 ，選擇信號線Sel_1的電壓準位被拉至低於第一節點X1 的電壓準位(如低準位驅動電壓VGL )，第一節點的電壓VX1 係藉由雙端點光感測電晶體Q1 的二極體電流Idiode 被重置，使得驅動電晶體Q2 被截止。此時，因為選擇信號線Sel_2亦被驅動電路50致能，所以顯示畫素S22 的開關電晶體Q3 導通。因此，顯示畫素S22 根據由第二資料信號線data_2接收的資料信號，而顯示主動式光感測暨顯示畫素U22 被入射光照射與否。
本發明提供主動式光感測畫素和其光感測方法。相較於習知之被動式光感測畫素，本發明的光感測畫素具有更高的訊雜比和驅動能力，因此能夠滿足大面積顯示器的需求。此外，本發明驅動電晶體Q1 的控制端是連接至其第二端點，所以顯示器不會受到驅動電晶體Q1 臨界電壓變動的影響。本發明的光感測畫素和陣列可設置於顯示器的下板，並且取代習知的電荷耦合元件(charge coupled device，CCD)光感測器和CMOS光感測器。
雖然本發明以較佳實施例揭露如上，但並非用以限制本發明。此外，習知技藝者應能知悉本發明申請專利範圍應被寬廣地認定以涵括本發明所有實施例及其變型。
Q1 ．．．雙端點光感測電晶體
Q2 ．．．驅動電晶體
Q3 ．．．開關電晶體
hv ．．．入射光
VH ．．．高電壓
VL ．．．低電壓
Iphoto 、I’photo ．．．光感測電流
Idiode 、I’diode ．．．二極體電流
U11 、U12 、U13 、U21 、U22 、U23 、U31 、U32 、U33 、U41 、U42 、U43 ．．．主動式光感測暨顯示畫素
P11 、P12 、P13 、P21 、P22 、P23 、P31 、P32 、P33 、P41 、P42 、P43 ．．．主動式光感測畫素
S22 ．．．顯示畫素
Sel_1-Sel_4．．．選擇信號線
Out_0-Out_3．．．輸出信號線
data_1-data_4．．．資料信號線
Vref1 ．．．第一參考電壓
Vref2 ．．．第二參考電壓
Vref3 ．．．第三參考電壓
X1 ．．．第一節點
VX1 、VN1 、VN2 ．．．電壓
VGH ．．．高準位驅動電壓
VGL ．．．低準位驅動電壓
Vth_Q1 ．．．臨界電壓
T1 ．．．第一週期
T2 ．．．第二週期
Csensitivity ．．．靈敏度調整電容
CLC ．．．液晶電容
Mphoto-sensing ‧‧‧光感測陣列
Msensing-display ‧‧‧光感測暨顯示陣列
N1‧‧‧第一端點
N2‧‧‧第二端點
50‧‧‧驅動電路
51‧‧‧感測電路
52‧‧‧資料驅動電路
本發明能夠以實施例伴隨所附圖式而被理解，所附圖式亦為實施例之一部分。習知技藝者應能知悉本發明申請專利範圍應被寬廣地認定以涵括本發明之實施例及其變型。
第1A圖為本發明之雙端點光感測電晶體第一操作模式的圖示；
第1B圖顯示雙端點光感測電晶體操作在第一操作模式時，第一端點的電壓和光感測電流的關係。
第2A圖為本發明之雙端點光感測電晶體第二操作模式的圖示；
第2B圖顯示雙端點光感測電晶體操作在第二操作模式時，第二端點的電壓和二極體電流的關係。
第3圖為本發明主動式光感測畫素的圖示；
第4圖為第3圖選擇信號線的時序圖；
第5圖為本發明主動式光感測畫素的另一示意圖；
第6圖為為本發明主動式光感測陣列的圖示與信號線相應的時序圖；
第7圖為本發明主動式光感測暨顯示陣列的圖示與信號線相應的時序圖。
Q1 ．．．雙端點光感測電晶體
Q2 ．．．驅動電晶體
P22 ．．．主動式光感測畫素
Sel_2．．．選擇信號線
Out_2．．．輸出信號線
Vref1 ．．．第一參考電壓
Vref2 ．．．第二參考電壓
X1 ．．．第一節點
Csensitivity ．．．靈敏度調整電容

Claims (15)

  1. 一種主動式光感測畫素，包括：一雙端點光感測電晶體，具有一第一端點耦接於一第一節點、一第二端點連接於一選擇信號線，以及一控制端點連接於上述第一節點；以及一驅動電晶體，具有一第一端點耦接於一第一參考電壓、一第二端點耦接於一輸出信號線，以及一控制端點連接於上述第一節點，其中，上述選擇信號線耦接至上述雙端點光感測電晶體之上述第二端點以及一顯示畫素之一開關電晶體，以及上述選擇信號線提供一電壓位準至上述顯示畫素之上述開關電晶體之控制端，且上述開關電晶體之第一端用以接收一資料信號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動式光感測畫素，其中更包括一靈敏度調整電容，具有一第一端點連接至上述第一節點，以及一第二端點連接至一第二參考電壓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之主動式光感測畫素，其中在一曝光暨讀出週期，上述選擇信號線上之電壓準位被拉至高於上述第一節點上之電壓準位，上述雙端點光感測電晶體作為一光敏電阻並根據一入射光而產生一光感測電流，並且上述光感測電流對上述第一節點充電，使得上述驅動電晶體被導通並產生一輸出電流至上述輸出信號線。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之主動式光感測畫素， 其中在接續於上述曝光暨讀出週期的一重置週期，上述選擇信號線上之電壓準位被拉至低於上述第一節點上之電壓準位，上述雙端點光感測電晶體作為一二極體，並產生一二極體電流，使得上述第一節點被放電並且上述驅動電晶體被截止。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之主動式光感測畫素，其中上述雙端點光感測電晶體為N型氫化非晶矽薄膜電晶體(N-type a-Si：H TFT)。
  6. 一種主動式光感測陣列，包括：複數信號選擇線；複數輸出信號線；以及複數主動式光感測畫素，上述主動式光感測畫素之每一者包括：一雙端點光感測電晶體，具有一第一端點耦接於一第一節點、一第二端點耦接於一相應的選擇信號線，以及一控制端點連接於上述第一節點；以及一驅動電晶體，具有一第一端點耦接於一第一參考電壓、一第二端點耦接於一相應的輸出信號線，以及一控制端點連接於上述第一節點，其中，上述選擇信號線耦接至上述雙端點光感測電晶體之上述第二端點以及一顯示畫素之一開關電晶體，以及上述選擇信號線提供一電壓位準至上述顯示畫素之上述開關電晶體之控制端，且上述開關電晶體之第一端用以接收一資料信號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之主動式光感測陣列，其中上述主動式光感測畫素之每一者更包括一靈敏度調整 電容，具有一第一端連接至上述第一節點，以及一第二端連接至一第二參考電壓。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之主動式光感測陣列，其中在一曝光暨讀出週期，上述相應的選擇信號線上之電壓準位被拉至高於上述第一節點上之電壓準位，上述雙端點光感測電晶體作為一光敏電阻並根據一入射光而產生一光感測電流，並且上述光感測電流對上述第一節點充電，使得上述驅動電晶體被導通並產生一輸出電流至上述相應的輸出信號線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之主動式光感測陣列，其中在接續於上述曝光暨讀出週期的一重置週期，上述相應的選擇信號線上之電壓準位被拉至低於上述第一節點上之電壓準位時，上述雙端點光感測電晶體作為一二極體，並產生一二極體電流，使得上述第一節點被放電並且上述驅動電晶體被截止。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之主動式光感測陣列，其中上述雙端點光感測電晶體為N型氫化非晶矽薄膜電晶體(N-type a-Si：H TFT)。
  11. 一種光感測方法，應用於一主動式光感測畫素，上述主動式光感測畫素包括一雙端點光感測電晶體，具有一第一端點耦接於一第一節點、一第二端點耦接於一選擇信號線以及一控制端點連接於上述第一節點，以及一驅動電晶體，具有一第一端點耦接於一第一參考電壓、一第二端點耦接於一輸出信號線，一控制端點連接於上述第一節點，以及上述選擇信號線耦接至上述雙端點光感測電晶體 之上述第二端點以及一顯示畫素之一開關電晶體，上述光感測方法包括下列步驟：在一曝光暨讀出週期，提供一第一電壓準位至上述選擇信號線，使得上述雙端點光感測電晶體作為一光敏電阻；當上述雙端點光感測電晶體接收到一入射光時，產生一光感測電流對上述第一節點充電，使得上述驅動電晶體根據上述第一節點上之電壓準位而導通，用以產生一輸出電流至上述輸出信號線；以及藉由上述選擇信號線提供一電壓位準至上述顯示畫素之上述開關電晶體之控制端，且上述開關電晶體之第一端用以接收一資料信號。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之光感測方法，更包括提供在接續於上述曝光暨讀出週期的一重置週期，提供一第二電壓準位至上述選擇信號線，使得上述雙端點光感測電晶體作為一二極體，產生一二極體電流，且根據上述二極體電流，上述第一節點會被放電並且上述驅動電晶體會被截止。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之光感測方法，其中上述第一電壓準位高於上述第一節點於上述曝光暨讀出週期的期間內之電壓準位。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之光感測方法，其中上述第二電壓準位低於上述第一節點於上述重置週期的期間內之電壓準位。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之光感測方法，其中上述雙端點光感測電晶體為N型氫化非晶矽薄膜電晶體 (N-type a-Si：H TFT)。
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