CN115019725B - 感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备 - Google Patents

感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备，应用于终端技术领域。该感光电路包括感光单元以及与感光单元连接的信号读取电路，该信号读取电路包括电压控制模块、驱动模块和存储模块，电压控制模块预先向驱动模块的控制端写入负压，则感光单元在生成第一感光信号后，向驱动模块的控制端写入正压。通过电压控制模块预先写入的负压，可提高驱动模块的驱动能力，使得驱动模块输出的第二感光信号的信号强度增大，从而提高传输至驱动芯片的感光信号的信号强度，使得驱动芯片检测得到的检测结果的准确性得到提高。

Description

感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备
技术领域
本申请涉及光电技术领域，尤其涉及一种感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备。
背景技术
随着终端设备的快速发展，在终端设备上集成有各种光电传感器以实现相应的功能，如在终端设备上设置接近光传感器、环境光传感器、指纹传感器等光电传感器。
但是，目前的光电传感器中的感光电路，其输出的感光信号的信号强度较小，从而导致驱动芯片根据该感光信号识别到的检测结果的准确性较低。
发明内容
本申请实施例提供一种感光电路及其驱动方法、显示屏及终端设备，以提高感光电路输出的感光信号的信号强度，从而提高驱动芯片识别到的检测结果的准确性。
第一方面，本申请实施例提出一种感光电路，包括感光单元以及与感光单元连接的信号读取电路，信号读取电路包括电压控制模块、驱动模块和存储模块；电压控制模块分别与第一扫描信号端、电压写入信号端和驱动模块的控制端连接，用于在第一扫描信号端提供的第一扫描信号的作用下导通，将电压写入信号端提供的电压信号写入驱动模块的控制端，电压信号的第一电压为负压；存储模块分别与感光单元的输出端、高电平信号端和驱动模块的控制端连接，用于存储感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，并根据第一感光信号将驱动模块的控制端的电压从第一电压拉至第二电压；驱动模块分别与存储模块、高电平信号端和信号输出端连接，用于在第二电压的作用下，向信号输出端输出第二感光信号。
这样，通过电压控制模块预先向驱动模块的控制端写入负压，使得感光单元在向驱动模块的控制端传输第一感光信号时，可提高驱动模块的驱动能力，使得驱动模块输出的第二感光信号的信号强度增大，从而提高传输至驱动芯片的感光信号的信号强度，使得驱动芯片检测得到的检测结果的准确性得到提高。
在一种可选的实现方式中，电压控制模块包括电压控制晶体管，电压控制晶体管的栅极与第一扫描信号端连接，电压控制晶体管的第一极与电压写入信号端连接，电压控制晶体管的第二极与驱动模块的控制端连接。这样，采用电压控制晶体管作为电压控制模块，使得电压控制模块的结构较为简单。
在一种可选的实现方式中，驱动模块包括驱动晶体管，驱动晶体管的栅极与存储模块连接，驱动晶体管的第一极与高电平信号端连接，驱动晶体管的第二极与信号输出端连接。这样，采用驱动晶体管作为驱动模块，使得驱动模块的结构较为简单。
在一种可选的实现方式中，存储模块包括存储电容，存储电容的第一端与高电平信号端连接，存储电容的第二端与驱动模块的控制端和感光单元的输出端连接。这样，采用存储电容作为存储模块，使得存储模块的结构较为简单。
在一种可选的实现方式中，感光电路还包括开关模块，开关模块串联在感光单元的输出端与存储模块之间；开关模块还与第二扫描信号端连接，用于在第二扫描信号端提供的第二扫描信号的作用下导通，将感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，写入存储模块。这样，通过在感光单元的输出端与存储模块之间增加开关模块，从而可基于开关模块，精确控制在电压控制模块向驱动模块的控制端写入负压之后，使得感光单元向驱动模块的控制端传输第一感光信号。
在一种可选的实现方式中，开关模块包括开关晶体管，开关晶体管的栅极与第二扫描信号端连接，开关晶体管的第一极与感光单元的输出端连接，开关晶体管的第二极与存储模块连接。这样，采用开关晶体管作为开关模块，使得开关模块的结构较为简单。
在一种可选的实现方式中，感光电路还包括读取模块，读取模块串联在驱动模块与信号输出端之间；读取模块还与读取信号端连接，用于在读取信号端提供的读取信号的作用下导通，将驱动模块输出的第二感光信号传输至信号输出端。这样，通过在驱动模块与信号输出端之间增加读取模块，读取晶体管可分时读取一定时间内的驱动模块输出的第二感光信号，以降低传输至信号输出端的第二感光信号的噪声。
在一种可选的实现方式中，读取模块包括读取晶体管，读取晶体管的栅极与读取信号端连接，读取晶体管的第一极与驱动模块连接，读取晶体管的第二极与信号输出端连接。这样，采用读取晶体管作为读取模块，使得读取模块的结构较为简单。
在一种可选的实现方式中，感光单元包括多个并联的感光元件；每个感光元件的控制端均与控制电压端连接，每个感光元件的输入端均与高电平信号端连接，每个感光元件的输出端均与信号读取电路连接。这样，采用多个并联的感光元件作为感光单元，可提高感光单元生成的第一感光信号的信号强度。
在一种可选的实现方式中，感光元件为光电晶体管，光电晶体管为P型晶体管；光电晶体管的栅极与控制电压端连接，光电晶体管的第一极与高电平信号端连接，光电晶体管的第二极与信号读取电路连接。这样，采用光电晶体管作为感光元件，使得感光元件与OLED屏幕的制作工艺兼容，便于在OLED显示屏上集成该感光元件。
在一种可选的实现方式中，电压控制晶体管的有源层的材料为N型金属氧化物半导体。这样，采用N型金属氧化物半导体作为电压控制晶体管的有源层材料，可减小电压控制晶体管的漏电流，从而降低第二感光信号的噪声。
在一种可选的实现方式中，开关晶体管的有源层的材料为N型金属氧化物半导体。这样，采用N型金属氧化物半导体作为开关晶体管的有源层材料，可减小开关晶体管的漏电流，从而降低第二感光信号的噪声。
第二方面，本申请实施例提出一种感光电路的驱动方法，应用于驱动上述的感光电路，该方法包括：在第一阶段，电压控制模块在第一扫描信号端提供的第一扫描信号的作用下导通，将电压写入信号端提供的电压信号写入驱动模块的控制端，该电压信号的第一电压为负压；在第二阶段，感光单元将入射光的光信号转换为第一感光信号，并存储到存储模块，使得驱动模块的控制端的电压从第一电压拉至第二电压；在第三阶段，驱动模块在第二电压的作用下，向信号输出端输出第二感光信号。
在一种可选的实现方式中，感光电路还包括串联在感光单元的输出端与存储模块之间的开关模块；在第二阶段，感光单元将入射光的光信号转换为第一感光信号，并存储到存储模块，使得驱动模块的控制端的电压从第一电压拉至第二电压，包括：在第二阶段，开关模块在第二扫描信号端提供的第二扫描信号的作用下导通，将感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，写入存储模块，使得驱动模块的控制端的电压从第一电压拉至第二电压。
在一种可选的实现方式中，感光电路还包括串联在驱动模块与信号输出端之间的读取模块；在第三阶段，驱动模块在第二电压的作用下，向信号输出端输出第二感光信号，包括：在第三阶段，读取模块在读取信号端提供的读取信号的作用下导通，将驱动模块输出的第二感光信号传输至信号输出端。
第三方面，本申请实施例提出一种显示屏，包括衬底、放大电路以及上述的感光电路，感光电路的信号输出端与放大电路连接，感光电路和放大电路均设置在衬底上。
第四方面，本申请实施例提出一种终端设备，包括驱动芯片以及上述的显示屏，驱动芯片与显示屏包括的放大电路的信号输出端连接。
第二方面至第四方面的各可能的实现方式，效果与第一方面以及第一方面的可能的设计中的效果类似，在此不再赘述。
附图说明
图1为相关技术提供的一种感光电路的电路图；
图2为本申请实施例提供的终端设备的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种显示屏的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种感光电路的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种感光电路的具体电路图；
图6为图5所示的感光电路的驱动时序图；
图7为本申请实施例中的光电晶体管的感光原理示意图；
图8为本申请实施例提供的另一种感光电路的具体电路图；
图9为图8所示的感光电路的驱动时序图。
具体实施方式
为了便于清楚描述本申请实施例的技术方案，在本申请的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一芯片和第二芯片仅仅是为了区分不同的芯片，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
需要说明的是，本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本申请实施例中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
目前，在终端设备上集成有各种光电传感器以实现相应的功能。例如，在终端设备上设置有接近光传感器，将接近光传感器生成的感光信号输出至驱动芯片，以检测是否有遮挡物接近终端设备，因此，终端设备可以利用接近光传感器检测用户手持终端设备贴近耳朵通话，以便自动熄灭屏幕达到省电的目的，接近光传感器也可用于皮套模式，口袋模式自动解锁与锁屏等；和/或，在终端设备上设置环境光传感器，将环境光传感器生成的感光信号输出至驱动芯片，以检测环境光亮度，终端设备可以根据感知的环境光亮度自适应调节显示屏亮度，环境光传感器也可用于拍照时自动调节白平衡。环境光传感器还可以与接近光传感器配合，检测终端设备是否在口袋里，以防误触。
在相关技术中，光电传感器包括多个感光单元，以及与各个感光单元连接的信号读取电路，感光单元与信号读取电路共同构成感光电路。如图1所示，感光电路包括感光单元11以及与感光单元连接的信号读取电路12，信号读取电路12包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容C。在入射光照射到感光单元11上时，感光单元11将接收到入射光的光信号转换为相应的感光信号，该感光信号为电信号；在扫描信号端Scan的控制下，第三晶体管T3导通，则感光单元11生成的感光信号可提供至第一晶体管T1的栅极，使得第一晶体管T1导通；在读取信号端Tx的控制下，第二晶体管T2导通，则使得感光信号从信号输出端Out输出。
该信号输出端Out会通过走线与驱动芯片连接，则信号读取电路12读取到的感光信号，会从该信号输出端Out传输至驱动芯片，驱动芯片根据接收到的感光信号进行检测。但是，由于感光单元11生成的感光信号的信号强度往往比较小，且走线电阻的存在也会对感光信号的信号强度有所降低，使得传输至驱动芯片的感光信号的信号强度比较微弱，甚至出现没有信号传输至驱动芯片的情况。当感光信号的信号强度越小时，驱动芯片也就更难以识别到该感光信号，从而会导致驱动芯片的检测结果的准确性较低。
以光电传感器为环境光传感器为例，将环境光传感器生成的感光信号输出至驱动芯片，驱动芯片根据接收到的感光信号检测环境光亮度，然后终端设备可以根据感知的环境光亮度自适应调节显示屏亮度。当环境光亮度偏低时，将显示屏的亮度调低，以改善高亮度对人眼的刺激，同时降低终端设备的功耗；当环境光亮度偏高时，将显示屏的亮度调高，改善用户看不清楚显示屏内的显示内容的现象。
但是，当驱动芯片根据环境光传感器输出的感光信号，检测得到的环境光亮度的准确性较低时，可能存在环境光实际的亮度偏高，但是驱动芯片检测到的环境光亮度较低，在终端设备将显示屏的亮度调低后，使得用户看不清显示屏内的显示内容，影响用户的正常使用；或者，也有可能存在环境光实际的亮度偏低，但是驱动芯片检测到的环境光亮度较高，在终端设备将显示屏的亮度调高时，导致显示屏的亮度对用户的眼睛造成刺激，并且也增加了终端设备的功耗。
基于此，本申请实施例提供了一种感光电路，通过在感光电路中设置电压控制模块，该电压控制模块预先向驱动模块的控制端写入负压，则感光单元在生成第一感光信号后，向驱动模块的控制端写入正电压，从而拉高驱动模块的控制端的电压，使得驱动模块的控制端的电压与其连接的高电平信号端提供的高电平电压之间的差值的绝对值增大，以提高驱动模块的驱动能力，使得驱动模块输出的第二感光信号的信号强度增大，从而提高传输至驱动芯片的感光信号的信号强度，使得驱动芯片检测得到的检测结果的准确性得到提高。
本申请实施例提供的感光电路，可以应用在终端设备中，该终端设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等设置有感光单元，且需要对感光单元生成的感光信号进行读取的设备，本申请实施例对终端设备所采用的具体技术和具体设备形态不做限定。
如图2所示，终端设备200包括显示屏20和壳体30，该显示屏20可以为有机发光二极管(organic light-emittingdiode，OLED)显示屏，显示屏20安装于壳体30上，并覆盖该容纳腔，其用于显示图像或视频等，在显示屏20中可集成有光电传感器，该光电传感器包括感光电路和放大电路，该感光电路包括感光单元以及与感光单元连接的信号读取电路，该信号读取电路的信号输出端(即感光电路的信号输出端)与放大电路连接，放大电路的信号输出端通过走线与驱动芯片连接。
在实际产品中，显示屏20包括衬底，感光电路中的感光单元和信号读取电路，以及放大电路均设置在该衬底上。
如图3所示，显示屏20被划分为显示区21和围绕显示区的非显示区22，在显示区21内设置有多个像素单元，感光电路中的感光单元31也可以设置在显示区21内，从而减少感光单元31在非显示区22内的占用面积，从而提高终端设备的屏占比，光电传感器包括的感光单元31的数量为多个，且多个感光单元均匀分布在显示区21内。当然，在一些实施例中，感光电路中的感光单元31也可设置在非显示区22内，并在非显示区22内通过挖孔的方式，使得入射光可以照射到感光单元31上。
而感光电路中的信号读取电路32可设置在显示屏20的显示区21，也可设置在显示屏20的非显示区22内。放大电路40可设置在显示屏20的非显示区22内，与放大电路40连接的驱动芯片50可设置在显示屏20的非显示区22内，具体的，驱动芯片50可直接绑定在非显示区22内，也可采用柔性线路板(flexible printed circuit，FPC)将驱动芯片50绑定在显示屏20的非显示区22内，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，如图3所示，可将信号读取电路32和放大电路40均设置在非显示区22的上边框处，而将驱动芯片50设置在非显示区22的下边框处；当然，信号读取电路32、放大电路40和驱动芯片50在显示屏20的位置，不局限于图3示出的位置关系，其可以根据实际产品需求变更其位置，本申请实施例对此不作限定。
示例性的，图4为本申请实施例提供的一种感光电路的结构示意图。参照图4所示，该感光电路包括：感光单元31以及与感光单元31连接的信号读取电路32，信号读取电路32包括电压控制模块321、驱动模块322、存储模块323、开关模块324和读取模块325。
其中，感光单元31的控制端与控制电压端V0连接，感光单元31的输入端与高电平信号端Vdd连接，感光单元31的输出端与信号读取电路32中的开关模块324的输入端连接。
在实际产品中，控制电压端V0实际上为控制信号线，该控制信号线沿显示屏20的行方向延伸，且控制信号线的数量与显示屏20中分布的感光单元31的行数相等，位于同一行的多个感光单元31与同一条控制信号线连接；高电平信号端Vdd实际上为高电平信号线，高电平信号线沿显示屏20的列方向延伸，高电平信号线的数量与显示屏20中分布的感光单元31的列数相等，位于同一列的多个感光单元31与同一条高电平信号线连接。
电压控制模块321的控制端与第一扫描信号端Scan1连接，电压控制模块321的输入端与电压写入信号端Vint连接，电压控制模块321的输出端与第一节点N1连接，而第一节点N1分别还与驱动模块322的控制端、存储模块323的第二端和开关模块324的输出端连接，从而使得电压控制模块321的输出端，还分别与驱动模块322的控制端、存储模块323的第二端以及开关模块324的输出端连接。
驱动模块322的控制端与第一节点N1连接，从而使得驱动模块322的控制端分别与电压控制模块321的输出端、存储模块323的第二端以及开关模块324的输出端连接；而驱动模块322的输入端与高电平信号端Vdd连接，驱动模块322的输出端与读取模块325的输入端连接。
存储模块323的第一端与高电平信号端Vdd连接，存储模块323的第二端与第一节点N1连接，从而使得存储模块323的第二端分别与开关模块324的输出端、电压控制模块321的输出端和驱动模块322的控制端连接。
开关模块324的控制端与第二扫描信号端Scan2连接，开关模块324的输入端与感光单元31的输出端连接，开关模块324的输出端与第一节点N1连接，而第一节点N1分别还与驱动模块322的控制端、存储模块323的第二端和电压控制模块321的输出端连接，从而使得开关模块324的输出端，还分别与驱动模块322的控制端、存储模块323的第二端和电压控制模块321的输出端连接。此时，开关模块324实际上串联在感光单元31的输出端与存储模块323的第二端之间。
读取模块325的控制端与读取信号端Tx连接，读取模块325的输入端与驱动模块322的输出端连接，读取模块325的输出端与信号输出端Out连接。此时，读取模块325串联在驱动模块322的输出端与信号输出端Out之间。
在实际驱动过程中，感光电路每检测一次感光信号，需要经过以下三个阶段，其分别为第一阶段、第二阶段和第三阶段。第一阶段也可称为负压写入阶段，第二阶段也可称为感光积分阶段，第三阶段也可称为信号读取阶段。
在第一阶段，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为有效信号，使得电压控制模块321在第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号的作用下导通，则电压写入信号端Vint提供的电压信号，通过电压控制模块321写入驱动模块322的控制端；电压信号的第一电压为负压，例如，电压写入信号端Vint提供的电压信号的第一电压为-3V。
此时，第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号，以及读取信号端Tx提供的读取信号均为无效信号，使得开关模块324和读取模块325均处于关闭状态。而由于驱动模块322包括的驱动晶体管为P型晶体管，因此，电压控制模块321在将电压写入信号端Vint提供的电压信号写入驱动模块322的控制端后，可使得驱动模块322导通，具体的，该驱动模块322包括的驱动晶体管实际上工作在线性区。
在第二阶段，当入射光照射到感光单元31上时，感光单元31可以将入射光的光信号转换为第一感光信号；并且，此时的第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为有效信号，使得开关模块324在第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号的作用下导通，则感光单元31生成的第一感光信号可以通过开关模块324写入到存储模块323。
第一感光信号的光电流在存储模块323上积累电荷，该电荷为正电荷，在一定时长内存储模块323积累的电荷量
Figure BDA0003336773080000061
I指的是第一感光信号的光电流，to指的是电荷积累的时长；并且，ΔV＝Q/C，Q指的是第一感光信号的光电流在存储模块323上积累的电荷量，C指的是存储模块323的存储电容，ΔV指的是第一感光信号在存储模块323上积累正电荷时，驱动模块322的控制端所增加的电压，ΔV为正压，则存储模块323可以在第二阶段，将第一感光信号的光电流转换为电压。因此，经过存储模块323积累的电荷量，可使得驱动模块322的控制端的电压，从第一电压被拉高至第二电压，第二电压为V2，第一电压为V1，则可以得知：V2＝V1+ΔV。例如，ΔV＝0.1V，第一电压V1为-3V，则第二电压V2＝-2.9V。
此时，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号，以及读取信号端Tx提供的读取信号均为无效信号，使得电压控制模块321和读取模块325均处于关闭状态。由于第一感光信号的信号强度往往比较小，因此，驱动模块322的控制端所增加的电压ΔV也较小，使得驱动模块322包括的驱动晶体管依旧工作在线性区。
在第三阶段，驱动模块322在其控制端的第二电压的作用下，输出第二感光信号；并且，读取信号端Tx提供的读取信号为有效信号，使得读取模块325在读取信号端Tx提供的读取信号的作用下导通，则驱动模块322输出的第二感光信号，通过读取模块325传输至信号输出端Out。
此时，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号，以及第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号均为无效信号，使得开关模块324和电压控制模块321均处于关闭状态。
在相关技术中，其在感光电路中不设置电压控制模块321，则在第二阶段，基于感光单元31生成的第一感光信号，可使得驱动模块322的控制端的电压为ΔV，并且，由于驱动模块322的输入端与高电平信号端Vdd连接，高电平信号端Vdd输入的高电平电压为正压，如4.6V，因此，此时的驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs1＝ΔV-Vdd，且驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs1为负压。而本申请实施例中，其在感光电路中设置电压控制模块321，在第一阶段将驱动模块322的控制端的电压拉低至第一电压V1，而在第二阶段基于感光单元31生成的第一感光信号，将驱动模块322的控制端的电压拉低至第二电压V2，且V2＝V1+ΔV，因此，此时的驱动模块322的控制端与输入端的压差为Vgs2＝V1+ΔV-Vdd，且驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs2为负压。
由于电压写入信号端Vint提供的电压信号的第一电压V1为负压，因此，本申请实施例中的驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs2，小于相关技术中的驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs1。而Vgs2和Vgs1均为负压，因此，本申请实施例中的驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs2的绝对值，大于相关技术中的驱动模块322的控制端与输入端的压差Vgs1的绝对值。
而驱动模块322的驱动能力与其控制端与输入端的压差有关。当驱动模块322的控制端与输入端的压差的绝对值越大时，驱动模块322的驱动能力越强，其输出的驱动电流也越大；当驱动模块322的控制端与输入端的压差的绝对值越小时，驱动模块322的驱动能力越弱，其输出的驱动电流也越小。因此，本申请实施例中的驱动模块322输出的驱动电流，大于相关技术中的驱动模块322输出的驱动电流，从而基于电压控制模块321向驱动模块322的控制端写入负压，提高驱动模块322的驱动能力，以提高驱动模块322输出的第二感光信号的驱动电流，使得传输至驱动芯片的感光信号的信号强度得到提高。
因此，在本申请实施例中，可以得知，当入射至感光单元31的入射光的光照强度越小时，驱动模块322的控制端的电压的绝对值越大，从而使得感光电路的信号输出端Out输出的第二感光信号的驱动电流越大；当入射至感光单元31的入射光的光照强度越大时，驱动模块322的控制端的电压的绝对值越小，从而使得感光电路的信号输出端Out输出的第二感光信号的驱动电流越小。
需要说明的是，可通过合理设置电压写入信号端Vint提供的电压信号的第一电压，以及高电平信号端Vdd输入的高电平电压，使得第一电压与高电平电压的差值，小于驱动模块322中的驱动晶体管的阈值电压，因此，本申请实施例在第一阶段就可控制驱动模块322中的驱动晶体管处于线性区，使得驱动模块322中的驱动晶体管可以正常工作。这样，即使入射至感光单元31的入射光的光照强度较低，感光单元31基于入射光生成的第一感光信号的信号量较小的情况下，驱动模块322依旧处于工作状态，可正常输出第二感光信号，可改善在低光照强度下驱动模块322无法工作的情况。
并且，由于驱动模块322中的驱动晶体管工作在线性区，因此，驱动模块322中的驱动晶体管本身就具有一定的信号放大作用，因此，驱动模块322输出的第二感光信号的驱动电流，大于感光单元31直接向存储模块323存储的第一感光信号的电流。
下面以两种可选的实施方式，介绍本申请实施例的感光电路的具体结构和工作过程。
一种可选的实施方式，如图5所示，电压控制模块321包括电压控制晶体管M1，驱动模块322包括驱动晶体管M2，存储模块323包括存储电容C1，开关模块324包括开关晶体管M3，读取模块325包括读取晶体管M4。
电压控制晶体管M1的栅极与第一扫描信号端Scan1连接，电压控制晶体管M1的第一极与电压写入信号端Vint连接，电压控制晶体管M1的第二极与驱动模块322的控制端连接。具体的，电压控制晶体管M1的第二极，分别与驱动模块322中的驱动晶体管M2的栅极、存储模块323中的存储电容C1的第二端以及开关模块324中的开关晶体管M3的第二极连接。电压控制晶体管M1的栅极也就是电压控制模块321的控制端，电压控制晶体管M1的第一极也就是电压控制模块321的输入端，电压控制晶体管M1的第二极也就是电压控制模块321的输出端。
驱动晶体管M2的栅极与存储模块323中的存储电容C1的第二端连接，驱动晶体管M2的第一极与高电平信号端Vdd连接，驱动晶体管M2的第二极与读取模块325中的读取晶体管M4的第一极连接。驱动晶体管M2的栅极也就是驱动模块322的控制端，驱动晶体管M2的第一极也就是驱动模块322的输入端，驱动晶体管M2的第二极也就是驱动模块322的输出端。
存储电容C1的第一端与高电平信号端Vdd连接，存储电容C1的第二端与驱动模块322中的驱动晶体管M2的栅极，以及开关模块324中的开关晶体管M3的第二极连接。
开关晶体管M3的栅极与第二扫描信号端Scan2连接，开关晶体管M3的第一极与感光单元31的输出端连接，开关晶体管M3的第二极与存储模块323中的存储电容C1的第二端连接。开关晶体管M3的栅极也就是开关模块324的控制端，开关晶体管M3的第一极也就是开关模块324的输入端，开关晶体管M3的第二极也就是开关模块324的输出端。
读取晶体管M4的栅极与读取信号端Tx连接，读取晶体管M4的第一极与驱动模块322中的驱动晶体管M2的第二极连接，读取晶体管M4的第二极与信号输出端Out连接。读取晶体管M4的栅极也就是读取模块325的控制端，读取晶体管M4的第一极也就是读取模块325的输入端，读取晶体管M4的第二极也就是读取模块325的输出端。
而感光电路中的感光单元31包括多个并联的感光元件；每个感光元件的控制端均与控制电压端V0连接，每个感光元件的输入端均与高电平信号端Vdd连接，每个感光元件的输出端均与信号读取电路包括的开关模块324中的开关晶体管M3的第一极连接
如图5所示，感光元件为光电晶体管M0，光电晶体管M0为P型晶体管；光电晶体管M0的栅极与控制电压端V0连接，光电晶体管M0的第一极与高电平信号端Vdd连接，光电晶体管M0的第二极与信号读取电路中的开关晶体管M3的第一极连接。光电晶体管M0的栅极也就是感光元件的控制端，光电晶体管M0的第一极也就是感光元件的输入端，光电晶体管M0的第二极也就是感光元件的输出端。
例如，每个感光单元31包括50个至1000个并联的光电晶体管M0。当每个感光单元31中包括的并联的光电晶体管M0的数量越多时，感光单元31在受到入射光的照射时，生成的第一感光信号的光电流越大，但是，若其中一个光电晶体管M0短路时，会导致整个感光单元31发生短路，因此，通过将感光单元31包括的光电晶体管M0的数量合理设置在50个至1000个，在提高感光单元31生成的第一感光信号的光电流的同时，降低感光单元31发生短路的概率。
在图5中，电压控制晶体管M1、驱动晶体管M2、开关晶体管M3和读取晶体管M4均为P型晶体管，且电压控制晶体管M1、驱动晶体管M2、开关晶体管M3和读取晶体管M4的有源层的材料均为低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)。
下面结合图6所示的时序图，说明图5所示的感光电路的具体工作过程。
在第一阶段t11，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为低电平，此时的第一扫描信号为有效信号，使得电压控制晶体管M1在第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号的作用下导通，则电压写入信号端Vint提供的电压信号，通过电压控制晶体管M1写入驱动晶体管M2的栅极。例如，在第一阶段t11，电压控制晶体管M1向驱动晶体管M2的栅极写入-3V的第一电压。
并且，在第一阶段t11，第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为高电平，则此时的第二扫描信号为无效信号，使得开关晶体管M3处于截止状态；读取信号端Tx提供的读取信号也为高电平，则此时的读取信号为无效信号，使得读取晶体管M4也处于截止状态。而此时的驱动晶体管M2工作在线性区。
在第二阶段t12，在控制电压端V0输入的控制电压以及高电平信号端Vdd输入的高电平电压的作用下，感光单元31中的各个并联的光电晶体管M0工作在截止区，但是，由于光电晶体管M0存在一定的漏电流，当光电晶体管M0受到入射光的照射时，其会产生特性漂移，从而导致漏电流增加，当入射光的强度越大时，光电晶体管M0生成的漏电流越大，此时，该漏电流也可称为第一感光信号的光电流。当入射光的强度不同时，光电晶体管M0转换得到的第一感光信号的光电流不同，且光照强度与输出的第一感光信号的光电流不是完全的线性关系。
光电晶体管M0的感光原理示意图如图7所示，在图7中，横坐标表示光电晶体管M0的栅源电压，纵坐标表示光电晶体管M0输出的第一感光信号的光电流，虚线圈围成的曲线表示光电晶体管M0工作在截止区时的光电流曲线，且不同的曲线表示不同光照强度对应的光电流曲线。可以看出，当光电晶体管M0工作在截止区时，当有入射光照射到光电晶体管M0上时，光电晶体管M0会输出光电流。
并且，在第二阶段t12，第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为低电平，则此时的第二扫描信号为有效信号，使得开关晶体管M3在第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号的作用下导通，则感光单元31中的各个光电晶体管M0生成的第一感光信号，可以通过开关晶体管M3写入到存储电容C1，第一感光信号的光电流在存储电容C1上积累电荷，即光电晶体管M0在入射光的作用下，向存储电容C1充电，从而使得驱动晶体管M2的栅极的电压，从第一电压被拉高至第二电压。
此时，在第二阶段t12，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为高电平，则此时的第一扫描信号为无效信号，使得电压控制晶体管M1处于截止状态；读取信号端Tx提供的读取信号也为高电平，则此时的读取信号也为无效信号，使得读取晶体管M4也处于截止状态。而此时的驱动晶体管M2依旧工作在线性区。
在第三阶段t13，驱动晶体管M2在其栅极的第二电压的作用下，输出第二感光信号；并且，读取信号端Tx提供的读取信号为低电平，则此时的读取信号为有效信号，读取晶体管M4在读取信号端Tx提供的读取信号的作用下导通，则驱动晶体管M2输出的第二感光信号，可通过读取晶体管M4传输至信号输出端Out。
此时，在第三阶段t13，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为高电平，则此时的第一扫描信号为无效信号，使得电压控制晶体管M1处于截止状态；第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为高电平，则此时的第二扫描信号为无效信号，使得开关晶体管M3处于截止状态。
在本申请实施例中，光电晶体管M0的沟道宽长比大于1，例如，光电晶体管M0的沟道宽长比为100。
感光单元31中的光电晶体管M0，基于入射光而产生的第一感光信号的电流值一般为皮安培级，其信号量较低；而本申请实施例的信号读取电路可将皮安培级的第一感光信号，放大到纳安培级的第二感光信号，因此，第二感光信号的电流值大于第一感光信号的电流值，从而提高感光电路输出的感光信号的信号强度。
另外，在每个感光信号的检测周期内，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号从无效信号变为有效信号的时间，早于第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号从无效信号变为有效信号的时间，从而使得电压控制晶体管M1，可以在感光单元31向存储电容C1写入第一感光信号之前，向驱动晶体管M2的栅极写入负压。
在一些实施例中，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号从无效信号变为有效信号的时间，与第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号从无效信号变为有效信号的时间之间间隔X个时钟周期，X为正整数，该是时钟周期指的是第一扫描信号为有效信号的时长。
通过设置X的具体数值，可改善第一扫描信号为有效信号以及第二扫描信号为有效信号时，两者之间的时间间隔过短导致的相互串扰的问题。例如，X等于4，
在驱动晶体管M2的沟道宽长比很小的情况下，驱动晶体管M2表现出良好的驱动输出特性，可以将驱动晶体管M2的栅源电压Vgs转换为驱动电流Ids输出。例如，本申请实施例中的驱动晶体管M2的沟道宽长比为3/31。
在实际产品中，感光单元31中的光电晶体管M0包括：层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层以及源漏电极层，该源漏电极层包括源极和漏极，且源极和漏极分别通过贯穿层间介质层和栅极绝缘层的过孔与有源层连接。
有源层的材料为低温多晶硅，其包括沟道区和位于沟道区两侧的掺杂区，即第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区内的掺杂离子为P型离子，因此，通过在沟道区两侧掺杂P型离子，使得该光电晶体管M0为P型晶体管。
而栅极绝缘层的材料为无机绝缘材料，如该栅极绝缘层为氮化硅层，或者该栅极绝缘层为氧化硅层，或者，该栅极绝缘层为氮化硅层和氧化硅层的叠层结构。相应的，层间介质层的材料也可以为无机绝缘材料，如该层间介质层为氮化硅层，或者该层间介质层为氧化硅层，或者，该层间介质层为氮化硅层和氧化硅层的叠层结构。源极和漏极的材料为导电材料，如源极和漏极的材料为铜等金属材料。
具体的，源极是通过贯穿层间介质层和栅极绝缘层的过孔与第一掺杂区连接，漏极是通过贯穿层间介质层和栅极绝缘层的过孔与第二掺杂区连接。
由于OLED显示屏内设置的像素单元所包括的像素驱动电路，其中设置的开关晶体管和驱动晶体管可以均采用PMOS管，其有源层材料均为低温多晶硅；或者，像素驱动电路中设置的驱动晶体管为PMOS管，其有源层材料为低温多晶硅，而开关晶体管为NMOS管，其有源层材料为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。因此，通过采用P型的光电晶体管制作得到感光元件，可使得感光元件与OLED屏幕的制作工艺兼容。
其中，光电晶体管M0的栅极层的材料为透明导电材料，例如，该透明导电材料为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，其厚度可以设置为
Figure BDA0003336773080000101
等。通过采用透明导电材料制作光电晶体管的栅极层，可提高入射至光电晶体管M0的有源层的入射光的强度，从而提高生成的第一感光信号的强度。
需要说明的是，上述描述的光电晶体管M0为顶栅型晶体管，当然，在一些产品中，该光电晶体管M0也可采用底栅型晶体管，此时，该光电晶体管M0包括层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层，以及部分覆盖有源层的源极和漏极。
另一种可选的实施方式，如图8所示，感光单元31包括并联的多个光电晶体管M0，电压控制模块321包括电压控制晶体管M1，驱动模块322包括驱动晶体管M2，存储模块323包括存储电容C1，开关模块324包括开关晶体管M3，读取模块325包括读取晶体管M4。
图8中的光电晶体管M0、电压控制晶体管M1、驱动晶体管M2、存储电容C1、开关晶体管M3和读取晶体管M4的连接关系，与图5中的光电晶体管M0、电压控制晶体管M1、驱动晶体管M2、存储电容C1、开关晶体管M3和读取晶体管M4的连接关系相同，为避免重复，在此不再赘述。
其不同之处在于，在图8中，电压控制晶体管M1和开关晶体管M3为N型晶体管，电压控制晶体管M1和开关晶体管M3的有源层材料均为N型金属氧化物半导体，如电压控制晶体管M1和开关晶体管M3的有源层材料均为IGZO。
另外，在图8中，光电晶体管M0、驱动晶体管M2和读取晶体管M4均为P型晶体管，且光电晶体管M0、驱动晶体管M2和读取晶体管M4的有源层的材料均为低温多晶硅。
下面结合图9所示的时序图，说明图8所示的感光电路的具体工作过程。
在第一阶段t11，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为高电平，此时的第一扫描信号为有效信号，使得电压控制晶体管M1在第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号的作用下导通，则电压写入信号端Vint提供的电压信号，通过电压控制晶体管M1写入驱动晶体管M2的栅极。
并且，在第一阶段t11，第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为低电平，则此时的第二扫描信号为无效信号，使得开关晶体管M3处于截止状态；读取信号端Tx提供的读取信号高电平，则此时的读取信号为无效信号，使得读取晶体管M4也处于截止状态。而此时的驱动晶体管M2工作在线性区。
在第二阶段t12，在控制电压端V0输入的控制电压以及高电平信号端Vdd输入的高电平电压的作用下，感光单元31中的各个并联的光电晶体管M0工作在截止区，光电晶体管M0基于入射光生成第一感光信号。
并且，在第二阶段t12，第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号为高电平，则此时的第二扫描信号为有效信号，使得开关晶体管M3在第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号的作用下导通，则感光单元31中的各个光电晶体管M0生成的第一感光信号，可以通过开关晶体管M3写入到存储电容C1，第一感光信号的光电流在存储电容C1上积累电荷，使得驱动晶体管M2的栅极的电压，从第一电压被拉高至第二电压。
此时，在第二阶段t12，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为低电平，则此时的第一扫描信号为无效信号，使得电压控制晶体管M1处于截止状态；读取信号端Tx提供的读取信号为高电平，则此时的读取信号也为无效信号，使得读取晶体管M4也处于截止状态。而此时的驱动晶体管M2依旧工作在线性区。
在第三阶段t13，驱动晶体管M2在其栅极的第二电压的作用下，输出第二感光信号；并且，读取信号端Tx提供的读取信号为低电平，则此时的读取信号为有效信号，读取晶体管M4在读取信号端Tx提供的读取信号的作用下导通，则驱动晶体管M2输出的第二感光信号，可通过读取晶体管M4传输至信号输出端Out。
此时，在第三阶段t13，第一扫描信号端Scan1提供的第一扫描信号为低电平，则此时的第一扫描信号为无效信号，使得电压控制晶体管M1处于截止状态；第二扫描信号端Scan2提供的第二扫描信号也为低电平，则此时的第二扫描信号为无效信号，使得开关晶体管M3处于截止状态。
由于采用低温多晶硅作为有源层材料的晶体管，其漏电流一般在10-12A左右，漏电流较大，容易导致感光电路输出的第二感光信号的噪声较大。因此，为了提高本申请实施例中的感光电路在直流和低频的工作能力，采用IGZO作为电压控制晶体管M1和开关晶体管M3的有源层材料，其漏电流一般在10-16A左右，小于低温多晶硅作为有源层材料时的漏电流，从而可减小电压控制晶体管M1和开关晶体管M3因漏电流导致的第二感光信号的噪声。
另外，上述说明了本申请实施例中的信号读取电路为4T1C电路，可以理解的是，本申请实施例的感光电路包括的信号读取电路，不局限于图5或图8所示的信号读取电路，其还可以为其他类型的信号读取电路，如3T1C的信号读取电路等，只要保证在感光单元31生成的第一感光信号写入存储电容C1之前，提高对驱动晶体管M2的栅极写入负压的信号读取电路，均可适用于本申请。
例如，本申请实施例还可将图5或图8所示的读取晶体管M4去除，得到3T1C的信号读取电路，此时的信号读取电路包括电压控制晶体管M1、驱动晶体管M2、存储电容C1和开关晶体管M3，而不包括读取晶体管M4。此时，驱动晶体管M2的第二极直接与信号输出端Out连接，其在第二电压的作用下，可直接向信号输出端Out输出第二感光信号。
需要说明的是，若信号读取电路未在驱动晶体管M2的第二极与信号输出端Out之间设置读取晶体管M4时，驱动晶体管M2传输至信号输出端Out的第二感光信号的噪声较大，因此，通过读取晶体管M4分时读取一定时间内的驱动晶体管M2输出的第二感光信号，以降低传输至信号输出端Out的第二感光信号的噪声。
当然，在一些实施例中，也可以将图5或图8所示的开关晶体管M3去除，此时的感光单元31的输出端直接与存储电容C1的第二端连接。
在实际制作过程中，若在衬底上形成如图5或图8所示的感光电路中的信号读取电路，可通过依次在衬底上形成有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层以及源漏电极层等，制作得到信号读取电路包括的各个晶体管。
其中，有源层包括信号读取电路中的每个晶体管的有源层图案，栅极层包括信号读取电路中的每个晶体管的栅极，源漏电极层包括信号读取电路中的每个晶体管的源极和漏极，且晶体管的源极和漏极通过贯穿层间介质层和栅极绝缘层的过孔，与其对应的有源图案连接。
当然，信号读取电路中的各个晶体管的结构也不局限于上述的顶栅型晶体管，其还可以为底栅型晶体管。
另外，信号读取电路中的各个晶体管的有源层图案可以同层设置，也可以异层设置；信号读取电路中的各个晶体管的栅极可以同层设置，也可以异层设置；信号读取电路中的各个晶体管的源漏极可以同层设置，也可以异层设置，本申请实施例对此不作限定。
在此需要说明的是，在本申请实施例中，各个晶体管的源极和漏极在一定条件下是可以互换的，因此，各个晶体管的源极、漏极从连接关系的描述上是没有区别的。在本申请实施例中，为了区分晶体管的源极和漏极，将其中的一极称为第一极，另一极称为第二极，此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型晶体管和P型晶体管，第一极为晶体管的源极，第二极为晶体管的漏极。
以上的实施方式、结构示意图或仿真示意图仅为示意性说明本申请的技术方案，其中的尺寸比例并不构成对该技术方案保护范围的限定，任何在上述实施方式的精神和原则之内所做的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种感光电路，其特征在于，包括感光单元以及与所述感光单元连接的信号读取电路，所述信号读取电路包括电压控制模块、驱动模块和存储模块；
所述电压控制模块，分别与第一扫描信号端、电压写入信号端和所述驱动模块的控制端连接，用于在所述第一扫描信号端提供的第一扫描信号的作用下导通，将所述电压写入信号端提供的电压信号写入所述驱动模块的控制端；所述电压信号的第一电压为负压；
所述存储模块，分别与所述感光单元的输出端、高电平信号端和所述驱动模块的控制端连接，用于存储所述感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，并根据所述第一感光信号将所述驱动模块的控制端的电压从所述第一电压拉至第二电压；
所述驱动模块，分别与所述存储模块、所述高电平信号端和信号输出端连接，用于在所述第二电压的作用下，向所述信号输出端输出第二感光信号。
2.根据权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述电压控制模块包括电压控制晶体管，所述电压控制晶体管的栅极与所述第一扫描信号端连接，所述电压控制晶体管的第一极与所述电压写入信号端连接，所述电压控制晶体管的第二极与所述驱动模块的控制端连接。
3.根据权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述驱动模块包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与所述存储模块连接，所述驱动晶体管的第一极与所述高电平信号端连接，所述驱动晶体管的第二极与所述信号输出端连接。
4.根据权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述存储模块包括存储电容，所述存储电容的第一端与所述高电平信号端连接，所述存储电容的第二端与所述驱动模块的控制端和所述感光单元的输出端连接。
5.根据权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光电路还包括开关模块，所述开关模块串联在所述感光单元的输出端与所述存储模块之间；
所述开关模块，还与第二扫描信号端连接，用于在所述第二扫描信号端提供的第二扫描信号的作用下导通，将所述感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，写入所述存储模块。
6.根据权利要求5所述的感光电路，其特征在于，所述开关模块包括开关晶体管，所述开关晶体管的栅极与所述第二扫描信号端连接，所述开关晶体管的第一极与所述感光单元的输出端连接，所述开关晶体管的第二极与所述存储模块连接。
7.根据权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述感光电路还包括读取模块，所述读取模块串联在所述驱动模块与所述信号输出端之间；
所述读取模块，还与读取信号端连接，用于在所述读取信号端提供的读取信号的作用下导通，将所述驱动模块输出的第二感光信号传输至所述信号输出端。
8.根据权利要求7所述的感光电路，其特征在于，所述读取模块包括读取晶体管，所述读取晶体管的栅极与所述读取信号端连接，所述读取晶体管的第一极与所述驱动模块连接，所述读取晶体管的第二极与所述信号输出端连接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的感光电路，其特征在于，所述感光单元包括多个并联的感光元件；每个所述感光元件的控制端均与控制电压端连接，每个所述感光元件的输入端均与所述高电平信号端连接，每个所述感光元件的输出端均与所述信号读取电路连接。
10.根据权利要求9所述的感光电路，其特征在于，所述感光元件为光电晶体管，所述光电晶体管为P型晶体管；所述光电晶体管的栅极与所述控制电压端连接，所述光电晶体管的第一极与所述高电平信号端连接，所述光电晶体管的第二极与所述信号读取电路连接。
11.根据权利要求2所述的感光电路，其特征在于，所述电压控制晶体管的有源层的材料为N型金属氧化物半导体。
12.根据权利要求6所述的感光电路，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的材料为N型金属氧化物半导体。
13.一种感光电路的驱动方法，其特征在于，应用于驱动如权利要求1至12中任一项所述的感光电路，所述方法包括：
在第一阶段，电压控制模块在第一扫描信号端提供的第一扫描信号的作用下导通，将电压写入信号端提供的电压信号写入驱动模块的控制端；所述电压信号的第一电压为负压；
在第二阶段，感光单元将入射光的光信号转换为第一感光信号，并存储到存储模块，使得所述驱动模块的控制端的电压从所述第一电压拉至第二电压；
在第三阶段，驱动模块在所述第二电压的作用下，向信号输出端输出第二感光信号。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述感光电路还包括串联在所述感光单元的输出端与所述存储模块之间的开关模块；
所述在第二阶段，感光单元将入射光的光信号转换为第一感光信号，并存储到存储模块，使得所述驱动模块的控制端的电压从所述第一电压拉至第二电压，包括：
在第二阶段，所述开关模块在第二扫描信号端提供的第二扫描信号的作用下导通，将所述感光单元基于入射光而产生的第一感光信号，写入所述存储模块，使得所述驱动模块的控制端的电压从所述第一电压拉至第二电压。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述感光电路还包括串联在所述驱动模块与所述信号输出端之间的读取模块；
所述在第三阶段，驱动模块在所述第二电压的作用下，向信号输出端输出第二感光信号，包括：
在第三阶段，所述读取模块在读取信号端提供的读取信号的作用下导通，将所述驱动模块输出的第二感光信号传输至所述信号输出端。
16.一种显示屏，其特征在于，包括衬底、放大电路以及如权利要求1至12中任一项所述的感光电路，所述感光电路的信号输出端与所述放大电路连接，所述感光电路和所述放大电路均设置在所述衬底上。
17.一种终端设备，其特征在于，包括驱动芯片以及如权利要求16所述的显示屏，所述驱动芯片与所述显示屏包括的放大电路的信号输出端连接。
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