DE102007031278B4 - Nichtflüchtige Speichervorrichtungen mit Dummy-Wortleitungen und damit verbundene Strukturen und Verfahren - Google Patents

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251189B2 (en) 2009-02-09 2022-02-15 Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123158A1 (de) * 1990-07-13 1992-01-23 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines leiterschichtarrays mit kontrollierten abstaenden zwischen den leiterschichten
US20040152262A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory, fabrication method for the same, semiconductor integrated circuits and systems
US20060139997A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Flash memory device
US7079437B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device having configuration of NAND strings with dummy memory cells adjacent to select transistors

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3808569B2 (ja) * 1996-11-14 2006-08-16 三星電子株式会社 不揮発性メモリ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123158A1 (de) * 1990-07-13 1992-01-23 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines leiterschichtarrays mit kontrollierten abstaenden zwischen den leiterschichten
US7079437B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device having configuration of NAND strings with dummy memory cells adjacent to select transistors
US20040152262A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory, fabrication method for the same, semiconductor integrated circuits and systems
US20060139997A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Flash memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251189B2 (en) 2009-02-09 2022-02-15 Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device
US11950412B2 (en) 2009-02-09 2024-04-02 Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device

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