DE102007031278B4 - Nichtflüchtige Speichervorrichtungen mit Dummy-Wortleitungen und damit verbundene Strukturen und Verfahren - Google Patents
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|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4123158A1 (de) * | 1990-07-13 | 1992-01-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur herstellung eines leiterschichtarrays mit kontrollierten abstaenden zwischen den leiterschichten |
| US20040152262A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory, fabrication method for the same, semiconductor integrated circuits and systems |
| US20060139997A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Flash memory device |
| US7079437B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device having configuration of NAND strings with dummy memory cells adjacent to select transistors |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4123158A1 (de) * | 1990-07-13 | 1992-01-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur herstellung eines leiterschichtarrays mit kontrollierten abstaenden zwischen den leiterschichten |
| US7079437B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device having configuration of NAND strings with dummy memory cells adjacent to select transistors |
| US20040152262A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory, fabrication method for the same, semiconductor integrated circuits and systems |
| US20060139997A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Flash memory device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11251189B2 (en) | 2009-02-09 | 2022-02-15 | Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device |
| US11950412B2 (en) | 2009-02-09 | 2024-04-02 | Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device |
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