DE102007003450A1 - Halbleiterbauelement mit verschiedenen Kondensatoren und Herstellungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei Kondensatoren, die unterschiedliche Eigenschaften haben, auf einem Substrat und auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement beinhaltet ein Substrat (100) mit einem Bereich für einen Speicherkondensator und einem Bereich für einen Kondensator höherer Spannungsfestigkeit, untere Elektroden (110a, 110b) im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit, eine erste dielektrische Schicht (121) auf der unteren Elektrode (110b) des Kondensatorbereichs höherer Spannungsfestigkeit, eine zweite dielektrische Schicht (123, 125, 127) auf der unteren Elektrode (110a) des Speicherkondensatorbereichs und auf der ersten dielektrischen Schicht (121) im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit und obere Elektroden (140a, 140b) auf der zweiten dielektrischen Schicht im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit, wobei die oberen Elektroden zusammen mit der jeweils korrespondierenden unteren Elektrode und der oder den zwischenliegenden dielektrischen Schichten den Speicherkondensator und den Kondensator höherer Spannungsfestigkeit bilden. DOLLAR A Verwendung in der Halbleitertechnologie.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit wenigstens zwei Kondensatoren unterschiedlicher Eigenschaften auf einem Substrat und auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements.
  • Kondensatoren werden in Halbleiterbauelementen beispielsweise zum Speichern von Ladungen, für Filterfunktionen, zum Blockieren von Gleichspannungssignalen und/oder für Entkoppelfunktionen eingesetzt. Je nach ihrer Funktion können diese verschiedenen verwendeten Kondensatoren unterschiedliche Bedingungen bzw. Auslegungen erfordern. Dementsprechend können sich, wenn ein einzelnes Halbleiterbauelement mit unterschiedlichen Kondensatoren ausgerüstet wird, prozessbedingte Faktoren zur Bildung der Kondensatoren, wie Typ und Art von Elektroden sowie Dicken dielektrischer Filme, voneinander unterscheiden. Auf einem einzigen, gemeinsamen Substrat vorzusehende Kondensatoren sollten unter dem Gesichtspunkt der Herstellungskosten möglichst mit dem gleichen Herstellungsablauf gebildet werden. Dies kann allerdings die Diversifizierung geeigneter Herstellungsfaktoren für die unterschiedlichen Einsatzzwecke der Kondensatoren beschränken, wobei einige Arten von Kondensatoren gleiche Strukturen von entsprechenden Kondensatorschichten aufweisen können.
    •
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit Kondensatoren, die unterschiedliche elektrische Bedingungen bzw. Eigenschaften bedingt durch unterschiedlichen Schichtaufbau haben, und eines zugehörigen Herstellungsverfahrens zugrunde, das mit möglichst wenigen Herstellungsschritten auskommt.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie eines Herstellungsverfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 11. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
    •
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:
  • 1A bis 1C Querschnitte eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlichen Kondensatoren in aufeinanderfolgenden Herstellungsstufen eines Verfahrens zu seiner Herstellung.
  • In den 1A bis 1C ist beispielhaft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleitersubstrat 100 veranschaulicht, das einen Speicherkondensatorbereich, einen Bereich für niedrigere Spannung, einen Bereich für höhere Spannung und einen Kondensatorbereich mit höherer Spannungsfestigkeit aufweist.
  • Es sei angemerkt, dass vorliegend Begriffe wie „niedrigere Spannung" und „höhere Spannung" sowie „höhere Spannungsfestigkeit" relativ zu verstehen sind, d.h. es ist damit gemeint, dass der Bereich für höhere Spannung für einen Anwendungszweck ausgelegt ist, bei dem Span nungen zur Anwendung kommen, die höher als diejenigen sind, wie sie im Bereich niedrigerer Spannung verwendet werden. Ebenso bedeutet die höhere Spannungsfestigkeit, dass der im betreffenden Bereich gebildete Kondensator eine höhere Spannungsfestigkeit aufweist als der im Speicherkondensatorbereich gebildete Speicherkondensator.
  • In einer Oberseite des Substrats 100 werden Bauelementisolationsschichtbereiche 105 gebildet, um sogenannte aktive Bereiche zu definieren. Die Bauelementisolationsschichtbereiche 105 können beispielsweise durch lokale Oxidation von Silizium (LOCOS) oder Grabenisolation gebildet werden.
  • Eine untere Elektrodenschicht 110 wird auf der zuvor resultierenden Struktur gebildet, d.h. auf dem Substrat 100 mit den Bauelementisolationsschichtbereichen 105. Die untere Elektrodenschicht 110 ist eine elektrisch leitfähige Schicht aus beispielsweise einem Metall- oder Halbleitermaterial, wie Polysilizium. Wenn die untere Elektrodenschicht 110 aus Polysilizium besteht, beinhaltet sie zweckmäßigerweise eine Störstellendotierung, um die elektrische Leitfähigkeit in gewünschter Weise einzustellen. Dies kann z.B. durch Ionenimplantation von Phosphor (P) oder Arsen (As) realisiert werden. Auf der unteren Elektrodenschicht 110 wird eine erste dielektrische Schicht 121 gebildet. Auf der ersten dielektrischen Schicht 121 wird eine erste Photoresiststruktur 201 gebildet, welche die erste dielektrische Schicht 121 im Speicherkondensatorbereich freilässt.
  • Anschließend wird der freiliegende Teil der ersten dielektrischen Schicht 121 durch Verwenden der ersten Photoresiststruktur 201 als Maske geätzt, z.B. durch einen Nassätzprozess. Dies führt zum Freilegen der unteren Elektrodenschicht 110 im Speicherkondensatorbereich. Während des Ätzens der ersten dielektrischen Schicht 121 wird eine Schädigung der unteren Elektrodenschicht 110 minimiert oder reduziert. Die erste Photoresiststruktur 201 wird dann entfernt.
  • Anschließend wird eine zweite dielektrische Schicht 123 auf die resultierende Struktur aufgebracht, d.h. im Speicherkondensatorbereich auf die freiliegende untere Elektrodenschicht 110, wo zuvor die erste dielektrische Schicht 121 weggeätzt wurde, und im übrigen Substratgebiet auf der ersten dielektrischen Schicht 121. Die erste dielektrische Schicht 121 und die zweite dielektrische Schicht 123 können jeweils z.B. aus SiO2, SiNx, Ta2O5, Al2O3, HfO2 und/oder einem Verbund mehrerer dieser Materialien bestehen. Dabei können die erste dielektrische Schicht 121 und die zweite dielektrische Schicht 123 z.B. aus dem gleichen Material bestehen, wie aus SiO2. Alternativ bestehen sie aus unterschiedlichen Materialien. Die erste dielektrische Schicht 121 besteht vorzugsweise aus einem Material mit einer relativ hohen Dielektrizitätskonstante, z.B. aus einem Material, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Ta2O5, Al2O3, HfO2 und aus zusammengesetzten Schichten dieser Materialien besteht, während die zweite dielektrische Schicht 123 z.B. aus Siliziumoxid besteht. Die erste dielektrische Schicht 121 und die zweite dielektrische Schicht 123 können z.B. mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) gebildet werden.
  • Auf der zweiten dielektrischen Schicht 123 wird eine dritte dielektrische Schicht 125 gebildet, z.B. aus SiO2, SiNx, Ta2O5, Al2O3, HfO2 und/oder einer aus diesen Materialien zusammengesetzten Schicht. Ein vorteilhaftes Material für die dritte dielektrische Schicht 125 ist SiNx. Auf der dritten dielektrischen Schicht 125 wird eine vierte dielektrische Schicht 127 gebildet, z.B. aus SiO2, SiNx, Ta2O5, Al2O3, HfO2 und/oder einer aus diesen Materialien zusammengesetzten Schicht. Ein vorteilhaftes Material für die vierte dielektrische Schicht 127 ist Siliziumoxid. Auf der somit resultierenden Struktur wird eine zweite Photoresiststruktur 202 gebildet, die den Speicherkondensatorbereich und den Kondensatorbereich mit höherer Spannungsfestigkeit jeweils teilweise bedeckt bzw. abschirmt, wie aus 1B ersichtlich.
  • Unter Verwendung der zweiten Photoresiststruktur 202 als Maske werden dann die vierte dielektrische Schicht 127, die dritte dielektrische Schicht 125, die zweite dielektrische Schicht 123, die erste dielektrische Schicht 121 und die untere Elektrodenschicht 110 sequentiell z.B. mittels Ätzen entfernt, siehe 1C. Dadurch entstehen eine erste Struktur mit einer sequentiell gestapelten Schichtfolge aus einer unteren Speicherkondensatorelektrode 110a und einer dielektrischen Speicherkondensatorschicht 120a im Speicherkondensatorbereich sowie eine zweite Struktur mit einer Stapelschichtfolge aus einer unteren Elektrode (110b) für höhere Spannungsfestigkeit und einer dielektrischen Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit. Die dielektrische Speicherkondensatorschicht 120a umfasst die entsprechenden verbliebenen Schichtteile der zweiten dielektrischen Schicht 123, der dritten dielektrischen Schicht 125 und der vierten dielektrischen Schicht 127 im Speicherkondensatorbereich. Die dielektrische Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit umfasst die verbliebenen Schichtteile der ersten dielektrischen Schicht 121, der zweiten dielektrischen Schicht 123, der dritten dielektrischen Schicht 125 und der vierten dielektrischen Schicht 127. Durch den Ätzprozess kann außerdem das Substrat 100 in den beiden anderen Bereichen für niedrigere bzw. höhere Spannung freigelegt werden.
  • Im Bereich für höhere Spannung wird auf dem Substrat 100 anschließend eine Gateisolationsschicht 133 für höhere Spannung gebildet. Analog wird im Bereich für niedrigere Spannung auf dem Substrat 100 eine Gateisolationsschicht 131 für niedrigere Spannung gebildet. Die beiden Gateisolationsschichten 133 und 131 können beispielsweise thermische Oxidationsschichten sein, die durch thermisches Oxidieren des Substrats 100 gebildet werden. Auf der somit resultierenden Struktur, welche die auf dem Substrat gebildeten Gateisolationsschichten 131 und 133 umfasst, wird dann eine obere Elektrodenschicht gebildet, die als elektrisch leitfähige Schicht z.B. aus einem Metall und/oder einem Halbleitermaterial wie Polysilizium realisiert wird. Wenn die obere Elektrodenschicht aus Polysilizium besteht, werden Störstellen in das Polysilizium dotiert, um die elektrische Leitfähigkeit der oberen Elektrodenschicht in gewünschter Weise einzustellen. Als Störstellen kann z.B. Phosphor (P) fungieren, der unter Verwendung eines an sich bekannten POCl3-Prozesses eindotiert wird.
  • Durch Strukturieren der oberen Elektrodenschicht wird im Speicherkondensatorbereich auf der dielektrischen Speicherkondensatorschicht 120a eine obere Speicherelektrode 140a gebildet, während im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit eine obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit auf der dielektrischen Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit gebildet wird und in den beiden Bereichen für niedrigere bzw. höhere Spannung eine Gateelektrode 140c für niedrigere Spannung und eine Gateelektrode 140d für höhere Spannung auf der Gateisolationsschicht 131 für niedrigere Spannung bzw. der Gateisolationsschicht 133 für höhere Spannung gebildet wird. Die obere Speicherkondensatorelektrode 140a und die obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit können so gebildet werden, dass sie die dielektrische Speicherschicht 120a bzw. die dielektrische Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit partiell frei lassen.
  • Die untere Speicherelektrode 120a, die dielektrische Speicherkondensatorschicht 120a und die obere Speicherelektrode 140a bilden einen Speicherkondensator. Die untere Elektrode 110b für höhere Spannungsfestigkeit, die dielektrische Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit und die obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit bilden ei nen Kondensator mit höherer Spannungsfestigkeit. Durch die zusätzliche Verwendung der ersten dielektrischen Schicht 121 in der dielektrischen Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit verglichen mit der dielektrischen Speicherkondensatorschicht 120a ist die dielektrische Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit dicker als die dielektrische Speicherkondensatorschicht 120a, wodurch der Kondensator mit höherer Spannungsfestigkeit eine höhere Durchbruchspannung aufweist. Selbst wenn kontinuierlich ein höheres elektrisches Feld zwischen die Elektroden 140b und 110b des Kondensators mit höherer Spannungsfestigkeit angelegt wird, kann eine gewünschte elektrische Charakteristik beibehalten werden, was eine verbesserte Langzeitzuverlässigkeit sicherstellt. Der Speicherkondensator hat vorzugsweise eine höhere Kapazität als der Kondensator höherer Spannungsfestigkeit. Wenn die dielektrische Schicht 121 aus einem Material mit einer vergleichsweise hohen Dielektrizitätskonstante gebildet wird, kann eine Verringerung der Kapazität des Kondensators höherer Spannungsfestigkeit trotz der größeren Dicke seiner dielektrischen Schicht 120b bei Bedarf vermieden werden.
  • Wie oben erläutert, können der Kondensator höherer Spannungsfestigkeit und der Speicherkondensator mit unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften bzw. Anforderungen innerhalb eines gemeinsamen Schichtaufbaus gebildet werden, ohne die Anzahl von Herstellungsschritten erhöhen zu müssen. Die oberen Elektroden 140a, 140b der beiden Kondensatoren bestehen vorzugsweise aus Polysilizium, so dass gleichzeitig mit dem Bilden der oberen Elektroden 140a, 140b die Gateelektroden 140c, 140d gebildet werden können, was ebenfalls dazu beiträgt, die Anzahl von Fertigungsschritten gering zu halten. Eine isolierende Abstandshalterschicht kann auf die obere Speicherelektrode 140a, die obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit, die Gateelektrode 140c für niedrigere Spannung und die Gateelektrode 140d für höhere Spannung aufgebracht und dann anisotrop geätzt werden, um Abstandshalter 145a an Seitenwänden der oberen Kondensatorspeicherelektrode 140a, der oberen Elektrode 140b des Kondensators mit höherer Spannungsfestigkeit, der dielektrischen Speicherkondensatorschicht 120a, der dielektrischen Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit, der unteren Speicherkondensatorelektrode 110a, der unteren Elektrode 110b für höhere Spannungsfestigkeit, der Gateelektrode 140c für niedrigere Spannung und der Gateelektrode 140d für höhere Spannung zu bilden. Eine Zwischenisolationsschicht 150 wird dann auf die resultierende Struktur auf dem Substrat 100 mit den Abstandshaltern 145 aufgebracht, um die obere Speicherkondensatorelektrode 140a, die obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit, die Gateelektrode 140c für niedrigere Spannung und die Gateelektrode 140d für höhere Spannung zu bedecken.
  • In die Zwischenisolationsschicht 150 können Kontaktöffnungen eingebracht und mit einer leitfähigen Schicht gefüllt werden, die dann beispielsweise zur Bildung von Speicherleitungen 160a und Spannungsversorgungsleitungen 160b strukturiert werden kann. Eine der Speicherleitungen 160a erstreckt sich in diesem Fall durch die Zwischenisolationsschicht 150 und die dielektrische Speicherkondensatorschicht 120a hindurch, um die untere Speicherkondensatorelektrode 110a elektrisch zu kontaktieren. Eine weitere Speicherleitung 160a erstreckt sich durch die Zwischenisolationsschicht 150 hindurch, um die obere Speicherkondensatorelektrode 140a elektrisch zu kontaktieren. Eine der Spannungsversorgungsleitungen 160b erstreckt sich durch die Zwischenisolationsschicht 150 und die dielektrische Schicht 120b für höhere Spannungsfestigkeit hindurch, um die untere Elektrode 110b für höhere Spannungsfestigkeit elektrisch zu kontaktieren. Eine weitere Spannungsversorgungsleitung 160b erstreckt sich durch die Zwischenisolationsschicht 150 hindurch, um die obere Elektrode 140b für höhere Spannungsfestigkeit elektrisch zu kontaktieren.
  • Der Speicherkondensator kann zur Speicherung von Ladungen verwendet werden, der Kondensator höherer Spannungsfestigkeit kann beispielsweise als Entkopplungskondensator fungieren, der eine abrupte Erhöhung oder Erniedrigung der Leistungsversorgungsspannung puffert. Wenn das Halbleiterbauelement eine spezifische Versorgungsspannung benötigt, kann der Entkopplungskondensator zwischen eine Leistungsversorgungsspannung und eine Masseversorgungsspannung eingeschleift sein. Gemäß den oben beschriebenen, exemplarischen Ausführungsformen der Erfindung können Kondensatoren mit voneinander verschiedenen elektrischen Eigenschaften bzw. Anforderungen innerhalb der gleichen Schichtebenen bzw. des gleichen Schichtaufbaus gebildet werden, ohne die Anzahl von Fertigungsschritten merklich zu erhöhen.

Claims (24)

  1. Halbleiterbauelement mit folgenden Elementen: – einem Substrat mit einem Bereich für einen Speicherkondensator und einem Bereich für einen Kondensator höherer Spannungsfestigkeit, – unteren Elektroden (110a, 110b) im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit, – einer ersten dielektrischen Schicht (121) auf der unteren Elektrode (110b) des Kondensatorbereichs höherer Spannungsfestigkeit, – einer zweiten dielektrischen Schicht (123, 125, 127) auf der unteren Elektrode (110a) des Speicherkondensatorbereichs und auf der ersten dielektrischen Schicht (121) im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit und – oberen Elektroden (140a, 140b) auf der zweiten dielektrischen Schicht im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich höherer Spannungsfestigkeit, wobei die oberen Elektroden zusammen mit der jeweils korrespondierenden unteren Elektrode und der oder den zwischenliegenden dielektrischen Schichten den Speicherkondensator und den Kondensator höherer Spannungsfestigkeit bilden.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht (121) und die zweite dielektrische Schicht (123, 125, 127) aus dem gleichen Material oder aus verschiedenen Materialien gebildet sind.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht (121) ein dielektrisches Material beinhaltet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus SiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2 und beliebigen Kombinationen dieser Materialien besteht.
  4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht (121) und/oder die zweite dielektrische Schicht (123, 125, 127) SiO2 beinhaltet.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht eine erste Schichtlage (123) und eine zweite Schichtlage (125) auf der ersten Schichtlage beinhaltet.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht eine dritte Schichtlage (127) auf der zweiten Schichtlage beinhaltet.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 oder 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schichtlage (123) der zweiten dielektrischen Schicht SiO2 beinhaltet, die zweite Schichtlage (125) der zweiten dielektrischen Schicht SiNx beinhaltet und/oder die dritte Schichtlage (127) der zweiten dielektrischen Schicht SiO2 beinhaltet.
  8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator höherer Spannungsfestigkeit als Entkopplungskondensator verschaltet ist.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat einen Bereich für niedrigere Spannung mit einer Gateelektrode (140c) für niedri gere Spannung sowie einen Bereich für höhere Spannung mit einer Gateelektrode (140d) für höhere Spannung aufweist, wobei die Gateelektroden aus dem gleichen Material wie die oberen Elektroden (140a, 140b) gebildet sind.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die unteren Elektroden und die oberen Elektroden aus Polysilizium gebildet sind.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (100) mit einem Bereich für einen Speicherkondensator und einem Bereich für einen Kondensator höherer Spannungsfestigkeit, – Bilden einer unteren Elektrodenschicht (110) auf dem Speicherkondensatorbereich und dem Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit, – Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (121) auf der unteren Elektrodenschicht, – selektives Entfernen der ersten dielektrischen Schicht vom Speicherkondensatorbereich, so dass dort die untere Elektrodenschicht freiliegt, – Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht (123, 125, 127) auf der ersten dielektrischen Schicht im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit und auf der freiliegenden unteren Elektrodenschicht im Speicherkondensatorbereich und – Bilden einer oberen Elektrodenschicht auf der zweiten dielektrischen Schicht zur Bereitstellung oberer Kondensatorelektroden (140a, 140b) im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht und die zweite dielektrische Schicht aus dem gleichen Material oder unterschiedlichen Materialien gebildet werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht aus einem dielektrischen Material gebildet wird, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus SiO2, Ta2O5, Al2O3, HfO2 und beliebigen Kombinationen dieser Materialien besteht.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schicht und/oder die zweite dielektrische Schicht unter Verwendung von SiO2 gebildet wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht mit einer ersten dielektrischen Schichtlage (123) und einer auf dieser aufgebrachten zweiten dielektrischen Schichtlage (125) gebildet wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweite dielektrische Schicht mit einer dritten Schichtlage (127) auf der zweiten Schichtlage (125) gebildet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste dielektrische Schichtlage der zweiten dielektrischen Schicht unter Verwendung von SiO2 gebildet wird, die zweite dielektrische Schichtlage (125) der zweiten dielektrischen Schicht unter Verwendung von Siliziumnitrid (SiNx) gebildet wird und/oder die dritte Schichtlage (127) der zweiten dielektrischen Schicht unter Verwendung von SiO2 gebildet wird.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator höherer Spannungsfestigkeit als ein Entkopplungskondensator gebildet wird.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die untere Elektrodenschicht und/oder die obere Elektrodenschicht unter Verwendung von Polysilizium gebildet werden.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen der ersten dielektrischen Schicht vom Speicherkondensatorbereich mittels Nassätzen erfolgt.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 20, weiter dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Bilden der oberen Elektrodenschicht die dielektrischen Schichten und die untere Elektrodenschicht strukturiert werden, um im Speicherkondensatorbereich eine erste Struktur mit sequentiell gestapelter unterer Speicherelektrode und zweiter dielektrischer Schicht sowie im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit eine zweite Struktur mit sequentiell gestapelter unterer Elektrode für höhere Spannungsfestigkeit und erster und zweiter dielektrischer Schicht zu erzeugen.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 21, weiter dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat zusätzlich mit einem Bereich für niedrigere Spannung und einem Bereich für höhere Spannung bereitgestellt wird und dass die obere Elektroden schicht auch in den Bereichen für niedrigere und höhere Spannung gebildet wird und dort zur Bildung einer Gateelektrode (140c) für niedrigere Spannung und einer Gateelektrode (140d) für höhere Spannung gleichzeitig mit ihrer Strukturierung im Speicherkondensatorbereich und im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit strukturiert wird.
  23. Verfahren nach Anspruch 22, weiter dadurch gekennzeichnet, dass beim Bilden der unteren Elektrodenschicht und der dielektrischen Schichten diese Schichten ganzflächig auch im Bereich für niedrigere Spannung und im Bereich für höhere Spannung aufgebracht werden.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 bis 23, weiter dadurch gekennzeichnet, dass bei der Erzeugung der ersten Struktur im Speicherkondensator und der zweiten Struktur im Kondensatorbereich für höhere Spannungsfestigkeit auf dem freiliegenden Substrat im Bereich für höhere Spannung eine Gateisolationsschicht (133) für höhere Spannung und auf dem freiliegenden Substrat im Bereich für niedrigere Spannung eine Gateisolationsschicht (131) für niedrigere Spannung gebildet werden, wobei das Aufbringen der oberen Elektrodenschicht vor ihrer Strukturierung ganzflächig auch auf der Gateisolationsschicht für höhere Spannung und auf der Gateisolationsschicht für niedrigere Spannung erfolgt.
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