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HINWEIS BEZÜGLICH STAATLICH
UNTERSTÜTZTER
FORSCHUNG ODER ENTWICKLUNG
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Diese
Erfindung wird von der Regierung unter Subkontrakt Nr. 4300039024-
BWXT Y-12; Vertrags-Nr. DE-RC05-000R22800
unterstützt,
der vom Department of Energy vergeben wird. Die Regierung hat gewisse
Rechte an dieser Erfindung.
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GEBIET
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Ausführungsbeispiele
dieser Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf das Gebiet der
Photodetektoren und insbesondere auf einen Photoleiter-basierten
Megavolt-Strahlungssensor.
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HINTERGRUND
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Detektoren
können
auf viele Weisen hergestellt werden und können vielen Zwecken dienen.
Für alle
Detektoren sind Sensitivität
und Signal-zu-Rausch-Verhältnisse
wichtig für
einen erfolgreichen Betrieb. Strahlungs-Photodetektoren können mit
photoleitenden Sensoren aufgebaut werden. Wenn Röntgenstrahlen detektiert werden
sollen, sind Photodetektoren vorzugsweise hochempfindlich für Röntgenstrahlung
und relativ unempfindlich für
andere elektromagnetische Strahlung. Die Photoleiter können entweder
intrinsische Halbleitermaterialien sein, die, solange sie nicht
mit Röntgenphotonen
bestrahlt werden, einen hohen Widerstand aufweisen, oder Diodenstrukturen,
die solange sie nicht mit Röntgenstrahlen
bestrahlt werden, aufgrund des Blockadeeffekts des Diodenübergangs
geringe Ströme aufweisen.
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1A stellt einen Typ eines
konventionellen Photodetektors 50 dar, der ein Halbleitermaterial mit
einem Paar von Kontaktelektroden auf jeder Seite des Halbleitermaterials
umfaßt.
Das Halbleitermaterial wirkt als eine direkte Konversionsschicht,
um einfallende Strahlung in elektrische Ströme umzuwandeln. Eine mit den
Elektroden verbundene Spannungsquelle legt eine positive Vorspannung
(bzw. Bias-Spannung) entlang dem Halbleitermaterial an und ein Strom
wird als Angabe für
die Größe der einfallenden
Strahlung beobachtet. Wenn keine Strahlung vorliegt, ist der Widerstand
des Halbleitermaterials für
die meisten Photoleiter groß und
es können
nur geringe Dunkelströme
gemessen werden. Wenn Strahlung auf die obere Kontaktelektrode über dem Halbleitermaterial
gerichtet wird, so bilden sich Elektron-Loch-Paare, die unter dem
Einfluß einer
Spannung entlang dieses Bereichs auseinanderdriften. Elektronen
werden in Richtung der positiver (+) vorgespannten Kontaktelektrode
gezogen und Löcher werden
in Richtung der negativer vorgespannten (z.B. quasi-geerdeten) Kontaktelektrode
gezogen. Die Bildung von Elektron-Loch-Paaren tritt aufgrund der Wechselwirkung
zwischen der einfallenden Strahlung und dem Halbleitermaterial auf.
Falls die Röntgenstrahlen
eine Energie aufweist, die größer ist als
die Bandlückenenergie
des Halbleitermaterials, so werden Elektron-Loch-Paare in dem Halbleiter
erzeugt, wenn ein jeweiliges Photon in dem Material absorbiert wird.
Falls eine Spannung kontinuierlich entlang dem Halbleitermaterial
angelegt wird, tendieren die Elektronen und Löcher dazu, zu separieren, wodurch
ein Strom erzeugt wird, der durch den Photodetektor fließt. Die
Größe des in
dem Photodetektor erzeugten Stroms ist Abhängig von der Größe der aufgenommenen
einfallenden Strahlung. Nach Wegnahme der einfallenden Strahlung
bleiben die Ladungsträger
(Elektronen und Löcher)
für eine
begrenzte Zeitspanne erhalten, bis sie entweder die Sammelelektroden
erreichen oder rekombiniert werden können. Der Begriff "Ladungsträger" wird häufig verwendet,
um entweder auf die Elektronen, oder die Löcher, oder beides zu verweisen.
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Einige
Halbleitermaterialien, die für
Röntgendetektoren
verwendet werden, sind Selen, Quecksilberiodid und Bleiiodid. Die
zwei Iodid-Verbindungen weisen ein höheres Beweglichkeitsprodukt
auf, erfordern eine wesentlich geringere Ladungssammlungsspannung
als Selen und haben weitere Vorteile, wie beispielsweise eine größere Temperaturstabilität. Allerdings
haben sowohl Quecksilberiodid als auch Bleiiodid physikalische Parameter,
die ihre Leistungsfähigkeit
und Anwendungsfreundlichkeit in einschichtigen Röntgendetektoren beeinflussen.
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In
Quecksilberiodid ist die gemessene Trägerbeweglichkeit größer als
in Bleiiodid und die Verzögerungszeit
ist geringer. Die geringere Trägerbeweglichkeit
bedeutet, daß es
schwierig ist, eine dicke Schicht aus Bleiiodid zu verwenden, die
darin effizienter ist, daß sie
einen größeren Anteil
der einfallenden Röntgenphotonen
absorbiert, insbesondere bei höheren
Photonenenergien, was die Detektor-Sensitivität vergrößert. Allerdings ist Quecksilberiodid
gegenüber
typischen Kontaktmaterialien (z.B. Aluminium) chemisch reaktiver
als Bleiiodid und in Flachbilddetektoren (bzw. Flat-Panel-Detektoren),
die mit Quecksilberiodid beschichtet sind, wurden erhebliche Probleme
mit Kontaktkorrosion beobachtet.
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Wie
oben erwähnt
können
Photoleiter auch Diodenstrukturen basierend auf entweder einem p-i-n-
oder einem p-n-Aufbau aufweisen. 1B stellt
eine konventionelle p-i-n-Diode dar. Solch eine Photodiode 100 wird
wegen des Aufbaus des Halbleitermaterials in der Diode "p-i-n"-Diode bezeichnet. Die
Photodiode 100 besteht aus einer p-dotierten Halbleiter-(p-Typ)-Materialschicht 110 und
einer n-dotierten Halbleiter-(n-Typ)-Materialschicht 130. Licht
wird auf den Verarmungsbereich zwischen den p-Typ- und n-Typ-Materialschichten
gerichtet, wodurch Elektronen-Loch-Paare und somit ein Strom erzeugt werden.
Um die Dicke des Verarmungsbereichs zu steuern, wird eine Schicht 120 aus
einem intrinsischen (i) Material zwischen die p-dotierte Halbleitermaterialschicht 110 und
die n-dotierte Halbleitermaterialschicht 130 eingefügt. Diese
Struktur kann verwendet werden, um Röntgenstrahlung zu Detektieren,
die auf entweder den p-dotierten Halbleiter 110 oder den
n-dotierten Halbleiter 130 einfällt. Photodetektoren, die auf
einer p-i-n-Struktur
basieren, umfassen auch Kontakte, um die Materialschichten vorzuspannen,
wie in 1C dargestellt
ist. Der Photodetektor 115 umfaßt einen oberen Kontaktleiter 181,
der mit dem p-dotierten Bereich 182 verbunden ist, und
einen unteren Kontaktleiter 185, der mit dem n-dotierten
Bereich 184 verbunden ist. Der p-dotierte Bereich 182,
die intrinsische Schicht 183 und der n-dotierte Bereich 184 sind
alle Halbleitermaterialien, wie sie bzgl. des Detektors 100 beschrieben
wurden. Die Schichten werden auf einem Substrat 186 ausgebildet,
das als Basis für
den Detektor 150 dient.
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Wie
oben erwähnt,
kann die p-i-n-Struktur verwendet werden, um Röntgenstrahlen zu detektieren,
die auf entweder die p-dotierte Halbleitermaterialschicht 182 oder
die n-dotierte Halbleitermaterialschicht 185 einfällt. Im
Betrieb der p-i-n-Photodiode 150 wird eine Sperrvorspannung
entlang der Photodiode angelegt und Röntgenstrahlen werden auf den intrinsischen
Bereich 183 gerichtet. Die Elektron-Loch-Paare separieren
sich dann unter dem angelegten elektrischen Feld und wandern schnell
in Richtung ihrer entsprechenden Pole. Die Elektronen bewegen sich
in Richtung des positiven Pols und die Löcher bewegen sich in Richtung
des negativen Pols. Konventionelle Photodioden haben schmale intrinsische
Bereiche 183. Aufgrund der Schmalheit des intrinsischen
Bereichs 183 und auch aufgrund der hohen Beweglichkeit
des intrinsischen Materials, ist die Wahrscheinlichkeit gering,
daß die
Träger
rekombinieren, bevor sie den Übergang
zum dotierten Material erreichen. Die Elektronen und Löcher sammeln sich
dann neben dem jeweiligen Übergang
zum dotierten Material. Die Widerstandsänderung bewirkt eine Spannungsänderung,
eine Stromänderung, oder
beides zwischen dem oberen Leiter 181 und dem zweiten Leiter 186,
was in einem umgebenden System (nicht gezeigt) gemessen werden kann.
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Ein
Problem mit existierenden Diodenstruktur-Photoleitern besteht darin, daß ein Dunkelstrom (Leckstrom)
die Brauchbarkeit der hohen Röntgenstrahlsensitivität des Photoleiter-Sensors
beschränkt.
Eine Lösung,
um solchen Dunkelstrom deutlich zu reduzieren, besteht darin, p-n-Heterostrukturen
aus Photoleitern zu verwenden. Diodenstrukturen (p-n und p-i-n)
können
aus zwei oder mehr ungleichen Halbleitermaterialien aufgebaut sein,
wodurch ein Heteroübergang
gebildet wird. Beispielsweise besteht ein existierender Photodetektor
aus einer Schicht aus Cadmiumtellurid und einer Schicht aus Cadmiumsulfid,
die einen Heteroübergang
bilden. Das Cadmiumtellurid wird so abgeschieden, daß es ein
p-Typ-Material (Überschußlöcher) ist,
und das Cadmiumsulfid wird so abgeschieden, daß es ein n-Typ-Material (Überschußelektronen)
ist. Eine externe Spannung, die entlang des Heteroübergangs der
zwei Materialien angelegt wird, erzeugt einen sperrvorgespannten
p-n-Übergang,
der als Photodiode wirkt. Wie oben erläutert, bewirken strahlungsinduzierte
Elektron-Loch-Paare elektrische Ströme, die proportional zur einfallenden
Strahlung fließen.
Der p-n-Übergang
verhindert, wenn er sperrvorgespannt ist, daß ein Dunkelstrom über den Übergang
fließt.
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Die
Leistungsfähigkeit
eines Photoleiters kann mittels verschiedener Kriterien beurteilt
werden, z.B. über
die Sensitivität.
Die Sensitivität
bezieht sich auf den Strom, der von einem Photoleiter bezüglich der
elektromagnetischen Strahlungsintensität erzeugt wird. Ein Photoleiter
mit einer hohen Sensitivität
erzeugt bei einer gegebenen Intensität der einfallenden Strahlung
mehr Strom als ein Photoleiter mit einer niedrigen Sensitivität. Die Sensitivität wird durch
viele Faktoren beeinflußt,
darunter die Beweglichkeit der Elektronen in dem Material. Halbleitermaterialien
mit einer hohen Beweglichkeit haben eine größere Sensitivität, falls
andere Parameter gleich sind, da die Elektronen sich mit einer größeren Geschwindigkeit
bewegen können.
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Detektoren
können
geeignet sein, um Röntgenphotonen
mit Megavolt (MV) -Energien zu detektieren, falls genug der Röntgenstrahlung
absorbiert und mittels einer photoleitenden Konversionsschicht in
Elektron-Loch-Paare (freie Ladung) umgewandelt werden kann, oder
absorbiert und in Photoelektronen umgewandelt werden kann, in der
darunterliegenden Substratschicht, die dann in die photoleitende
Konversionsschicht hochwandern und dort detektiert werden. Typischerweise
wird ein Substrat hoher Dichte verwendet, um eine derartige Absorption
und Erzeugung von Photoelektronen zu ermöglichen. Ein Problem mit vielen
Substraten hoher Dichte besteht darin, daß sie hinsichtlich der Anzahl
der Pixelelemente, die sie enthalten können, beschränkt sind, oder
hinsichtlich der physikalischen Abmessungen ihrer gesamten Detektorfläche beschränkt sind
(im Gegensatz zu einem in Pixel-Array aus Elektronikelementen, wie
beispielsweise Dünnfilm-Siliziumtransistoren,
Kondensatoren, Schaltern und Verstärkern auf Glassubstraten niedriger
Dichte, die viele Millionen einzelner Pixel und hunderte bis tausende
Quadratinch Detektorfläche
unterbringen können).
Zudem sind die Herstellungskosten von Detektoren mit hochdichtem
Substrat höher
als für
die Herstellung von Substraten niedriger Dichte.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Gemäß einiger
Ausführungsbeispiele
umfaßt ein
Photodetektor zum Detektieren von Megavolt (MV) -Strahlung eine
Halbleiter-Konversionsschicht mit einer ersten Fläche und
einer zweiten Fläche,
die gegenüber
der ersten Fläche
angeordnet ist, eine erste Elektrode, die mit der ersten Oberfläche gekoppelt
ist, eine zweite Elektrode, die mit der zweiten Oberfläche gekoppelt
ist, ein Substrat niedriger Dichte umfassend ein Detektor-Array,
das gegenüber
der Halbleiter-Konversionsschicht und dem Substrat niedriger Dichte
mit der zweiten Elektrode gekoppelt ist. Die Konversionsschicht
umfaßt
ein photoleitendes Material einer ausreichenden Dicke, um Photoelektronen,
die von der ersten Elektrode empfangen werden und von auf die erste
Elektrode einfallenden MV-Röntgenphotonen
erzeugt werden, in eine ausreichende Anzahl freier Ladungsträger zu konvertieren,
die von einem Detektor-Array detektiert werden, und das Substrat
niedriger Dichte weist eine Dichte und eine Dicke auf, so daß Megavolt-Röntgenphotonen,
die auf die Schicht niedriger Dichte einfallen, im wesentlichen
keine oder nicht mehr als eine unwesentliche Anzahl oder Menge an
Photoelektronen erzeugen, die von der Konversionsschicht konvertiert werden.
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Die
vorliegende Erfindung wird in den beiliegenden Zeichnungen beispielhaft
und nicht beschränkend
dargestellt, von denen:
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1A einen
Typ eines konventionellen Photoleiters darstellt.
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1B den
konventionellen Photoleiter aus 1A weitergehend
darstellt.
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1C einen
weiteren konventionellen Photoleiter darstellt.
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2A ein
Ausführungsbeispiel
eines Photoleiterbasierten Megavolt-Strahlungssensors darstellt.
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2B den
Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensor
aus 2A in einer Draufsicht darstellt.
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3 ein
alternatives Ausführungsbeispiel eines
Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors darstellt.
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4 ein
weiteres alternatives Ausführungsbeispiel
eines Photoleiters-basierten Megavolt-Strahlungssensors darstellt.
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5 ein
Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zur Herstellung eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors
darstellt.
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6 ein
Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zum Betrieb eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors
darstellt.
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7 ein
Ausführungsbeispiel
eines Megavolt-Röntgenstrahlungs-Detektionssystem
darstellt.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG
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In
der folgenden Beschreibung werden eine Vielzahl spezifischer Details
dargelegt, wie beispielsweise Beispiele für spezifische Komponenten,
Verfahren, und dergleichen, um ein gründliches Verständnis der
vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es
wird dem Fachmann allerdings auch deutlich sein, daß diese
spezifischen Details bei der Ausübung
der vorliegenden Erfindung nicht eingesetzt werden müssen. Um
eine unnötige
Verschleierung der vorliegenden Erfindung zu vermeiden, wurden wohl
bekannte Komponenten und Verfahren manchmal nicht ausführlich beschrieben.
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Die
Ausdrücke "oben" "unten" "vorne" "hinten" "über", "unter" und "zwischen", wie sie hier verwendet
werden, beziehen sich auf eine Relativposition einer Schicht oder
einer Komponente bzgl. einer anderen. Solchermaßen kann eine Schicht, die über oder
unter einer anderen Schicht, oder zwischen Schichten abgeschieden
oder angeordnet ist, direkt in Kontakt mit der(n) anderen Schicht(en)
sein, oder eine oder mehrere Zwischenschichten aufweisen. Der Ausdruck "gekoppelt", wie er hier verwendet wird,
bedeutet direkt verbunden oder indirekt verbunden über eine
oder mehrere Zwischenschichten, oder funktionell gekoppelt über nicht
physikalische Verbindungen (z.B. optisch).
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Es
wird ein Photodetektor beschrieben, der geeignet ist, Megavolt (MV)
-Strahlung zu detektieren, der ein Substrat niedriger Dichte aufweisen kann,
wenigstens eine Schicht hoher Dichte und eine Photoleiter-Konversionsschicht (z.B.
eine oder mehrere Schichten aus einem oder mehreren Halbleitermaterialien),
um Photoelektronen in freie Ladungsträger zu konvertieren, so daß diese
durch ein Detektor-Array des Substrats detektiert werden können. Statt
ein Substrat hoher Dichte zu verwenden, wird eine weitere hochdichte
Schicht verwendet, um einfallende Megavolt-Röntgenphotonen
in eine ausreichende Anzahl von Photoelektronen für eine Umwandlung
in eine Anzahl detektierbarer freier Ladungsträger umzuwandeln.
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Ein
Vorteil solch einer Struktur besteht darin, daß sie, ohne daß ein Substrat
hoher Dichte verwendet wird, in der Lage ist, Röntgenphotonen mit Megavolt
(MV)-Energien zu detektieren, da genug der Röntgenphotonen absorbiert oder
in hochenergetische Photoelektronen konvertiert werden können, die
daraufhin von einer photoleitenden Konversionsschicht detektiert
werden. So wird, obwohl die meiste Röntgenstrahlung ohne absorbiert
oder konvertiert zu werden vollständig durch die Substrat/Photoleiter-Struktur
hindurchtritt, ein Teil der Strahlung (und damit ein Teil ihrer
Energie) in dem hochdichten Material absorbiert und in hochenergetische
Photoelektronen umgewandelt. Das Substrat niedriger Dichte kann
eine größere Anzahl
und hinsichtlich ihrer Größe kleinere
Detektionselektronik-Bausteine (z.B. ein Pixel-Array aus Elektronikelementen,
wie beispielsweise Dünnfilmtransistoren,
Kondensatoren, Schalter, Verstärker
und dergleichen) aufweisen, als es mit einem hochdichten Substrat
möglich
ist. Zudem sind das Substrat niedriger Dichte und die darin befindliche
Detektionselektronik bzgl. ihrer Herstellungskosten günstiger
als das hochdichte Substrat und Detektionselektronik.
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2A stellt
ein Ausführungsbeispiel
eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors dar. In diesem
Ausführungsbeispiel
umfaßt
der Photodetektor 200 eine Halbleiter-Konversionsschicht 240 mit
einer Oberfläche 242,
die mit einer Elektrode 210 gekoppelt ist, und mit einer
Oberfläche 244,
die mit dem Substrat niedriger Dichte 280 gekoppelt ist. Die
Oberflächen 242 und 244 sind
einander gegenüberliegend
angeordnet, so daß sie
gegenüberliegende
ebene Oberflächen
eines photoleitenden Films bilden. 2A zeigt
eine Schutzschicht 290, die zwischen eine hochdichte Schicht 270 und
die Elektrode 210 gekoppelt ist. Zudem kann Strahlung,
wie beispielsweise Röntgenstrahlen
aus der Richtung 205 und/oder der Richtung 207 auf
den Photodetektor 200 einfallen. In dem Ausführungsbeispiel
aus 2A umfaßt
das Substrat 280 ein Detektor-Array 260 mit Elektroden 262, 264 und 266,
die mit der Oberfläche 244 gekoppelt
sind. Es ist einzusehen, daß in
bestimmten Ausführungsbeispielen
mehr als drei Elektroden anstelle der Elektroden 262, 264 und 266 verwendet
werden können.
Alternativ kann in einigen Ausführungsbeispielen
statt der Elektroden 262, 264 und 262 auch
eine einzelne Elektrode verwendet werden, wie beispielsweise für Elektrode 210 gezeigt
ist.
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2A zeigt
auch das Substrat 280, das Dünnfilmtransistor (TFT) -Kondensatoren 282, 284 und 286 aufweist,
die jeweils mit Dünnfilmtransistor (TFT)
-Schaltern 283, 285 bzw. 287 gekoppelt
sind. Gate-Leitungen (GL) können
verwendet werden, um die Schalter 283, 285 und/oder 287 zu
schalten oder zu aktivieren. Datenleitungen D1, D2 und D3 sind mit den
Ausgängen
der Schalter 283, 285 bzw. 287 gekoppelt.
Das Substrat 280, die Elektroden 262-266, die
Kondensatoren 282-286 und/oder die Schalter 283-287 können hier
als Teil eines Detektors; eines Sensors; Detektor-Arrays; und/oder
Sensor-Arrays; Pixeln; und/oder Pixel-Arrays aus TFT-Bausteinen, Kondensatoren,
und/oder Schaltern beschrieben werden. Beispielsweise kann ein Pixel-Array aus TFT-Bausteinen
ein Array oder eine Matrix aus mehr als drei Elektroden und zugehörigen TFT-Strukturen für jede Elektrode
aufweisen.
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2A zeigt
die Elektrode 210, die mit einem Spannungsgenerator VG
gekoppelt ist, der wiederum geerdet ist. Die Elektrode 262 des
Arrays 260 ist mit einem Ladungsspeicherkondensator 282 verbunden,
der wiederum geerdet ist. Es ist vorgesehen, daß verschiedene andere Elektroden
des Arrays 260 (z.B. die Elektrode 264 und die
Elektrode 266) oder alle Elektroden des Arrays 260 über Speicherkondensatoren
(z.B. Kondensatoren 284 und 286) mit der Erde
verbunden sind, damit die Ladung in jedem Speicherkondensator eines
Pixels, die das Bild beinhaltet, zur Ausleseelektronik abgeleitet
wird, indem eine Spannung an die Gate-Ausleseleitung GL angelegt
wird, so daß die
Schalter (z.B. TFTs) 283, 285 und 287 alle
eingeschaltet werden.
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2B stellt
den Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensor aus 2A aus
einer Perspektive von oben dar. Die 2A und 2B zeigen das
Detektor-Array 260, das Pixel 252, 254 und 256 aufweist,
wie ein in Pixel aufgeteiltes Array aus Elektronikbauelementen,
wie beispielsweise TFT, Kondensatoren, Schalter, Elektroden, Gate-Leitungen, Daten-Leitungen,
Verstärker
und dergleichen, die im Stand der Technik bekannt sind. Insbesondere
können
die Pixel 252, 254 und 256 jene Strukturen
aufweisen, die für
die Pixel unter Bezugnahme auf 2A gezeigt
und beschrieben wurden. Beispielsweise kann das Pixel 252,
das für
ein beliebiges Pixel des Arrays 260 steht, eine Elektrode 262 aufweisen, die
mit einem Kondensator 282 gekoppelt ist, der wiederum mit
dem Schalter 283 gekoppelt ist. Das Gate des Schalters 283 ist
mit der Gate-Leitung GL gekoppelt und der Ausgang des Schalters 283 ist
mit der Datenleitung D1 gekoppelt. Verschiedene andere Konfigurationen
elektronischer Bauelemente für
Pixel sind vorgesehen, wie beispielsweise Ausführungsbeispiele, die andere
Bauelemente anstelle des Kondensators 282 und/oder des
Schalters 283 weglassen oder verwenden.
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Unter
Bezugnahme auf 2B kann gemäß eines Ausführungsbeispiels
die Draufsicht-Querschnittsgröße jedes
Pixels (z.B. Pixel 252) zwischen 30 × 30 Mikrometern und 2 × 2 mm liegen.
Zudem ist vorgesehen, daß die
Pixel verschiedene Größen und Formen
haben können.
Beispielsweise kann innerhalb der oben beschriebenen Draufsicht-Größenabmessung
jedes Pixel eine rechteckige Form, eine hexagonale Form, und eine
oktagonale Form, eine dreieckige Form, eine kreisförmige, eine
gekrümmte Form
und/oder eine Kombination dieser aufweisen.
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Zusätzlich können zwischen
den Pixeln Leerräume
oder Spalten vorgesehen sein, so daß zwischen den Pixeln in dem
Substrat 280 Raum für Steuerungsleitungen,
Ausleseleitungen oder andere Elektronik besteht, die mit den Pixeln
verbunden sein können
oder nicht, und/oder TFT-Bauelemente, die mit den Pixeln verbunden
sind. Beispielsweise zeigt 2B vertikale
Beabstandungen VSP und horizontale Beabstandungen HSP zwischen Pixeln,
wobei jede Beabstandung ein Raum sein kann, der zwischen einem und
zehn Mikrometern beträgt.
Es ist auch vorgesehen, daß die
Beabstandung des VSP gleich ist, größer ist oder kleiner ist als
die Beabstandung HSP.
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Gemäß eines
Ausführungsbeispiels
können, wenn
die Röntgenstrahlen
interagieren, kollidieren, oder von der Elektrode 210,
der Schutzschicht 290 und/oder der hochdichten Schicht 270 absorbiert werden,
die auf den Photodetektor 200 (z.B. aus Richtung 205 und/oder 207)
einfallenden Megavolt (MV)- Röntgenphotonen
Photoelektronen bewirken oder erzeugen. Die Photoelektroden können hochenergetische
Photoelektronen sein.
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Zudem
können
gemäß eines
Ausführungsbeispiels
die Elektrode 210, die Schutzschicht 290 und/oder
die hochdichte Schicht 270 ein Material hoher Dichte mit
einer ausreichenden Dicke und einer ausreichenden Dichte umfassen,
um eine ausreichende Anzahl von Photoelektroden aus MV-Röntgenphotonen zu erzeugen,
die auf diese Schichten einfallen, um durch die Konversionsschicht 240 in eine
ausreichende Anzahl freier Ladungsträger umgewandelt zu werden,
die von dem Detektions-Array 260 detektiert werden. Zudem
umfaßt
die Konversionsschicht 240 eine ausreichende Dicke eines
photoleitendes Materials (wie beispielsweise ein Halbleitermaterial,
einen photoleitenden Film, und/oder eine photoleitende Schicht),
um die von der Elektrode 210, der Schutzschicht 290 und/oder
der hochdichten Schicht 270 aufgenommenen Photoelektroden
in eine ausreichende Anzahl freier Ladungsträger zu konvertieren, die von
dem Detektor-Array 260 detektiert
werden. In anderen Worten, die Elektrode 210, die Schicht 290 und
die Schicht 270, eine Kombination dieser oder alle diese
können
in einem Ausführungsbeispiel
ausreichend dicht sein, um zwischen einem und zwei Prozent der einfallenden
MV-Strahlung in hochenergetische Photoelektronen zu konvertieren,
die durch die Schicht 240 in freie Ladungsträger konvertiert
werden, die von den Pixeln 250 detektiert werden. Es ist
vorgesehen, daß andere
Prozentzahlen der einfallenden MV-Strahlung von der Elektrode 210,
der Schicht 290 und der Schicht 270, von einer
Kombination dieser, oder von allen diesen, wie beispielsweise ein
Prozentsatz zwischen 0.25 Prozent und 20 Prozent, abhängig vom
Aufbau des Photodetektors, konvertiert werden können. Es ist einzusehen, daß ein Teil
der oder die meiste MV-Strahlungsenergie aufgrund der niedrigen
Dichte der Komponenten oder Schichten des Photodetektors, die von
der Schicht oder den Schichten verschieden sind, die die MV-Strahlung in Photoelektronen
umwandeln, in den Photodetektor 200 eindringen und durch
diesen hindurchtreten können,
ohne absorbiert zu werden.
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Mit
zunehmendem Prozentsatz der konvertierten oder absorbierten einfallenden
Megavolt-Strahlung (z.B. wenn die Elektrode 210, oder die Schicht 290,
und/oder die Schicht 270 in ihrer Dicke und/oder Dichte
erhöht
werden), kann die Dicke der Schicht 240 abnehmen, und umgekehrt.
Insbesondere werden, wenn die Dichte zunimmt, bei einer spezifischen
Energie oder Leistung der einfallenden Strahlung mehr Photoelektronen
erzeugt, wodurch eine geringer Dicke der Schicht 240 erforderlich
ist, um eine ausreichende Menge der Photoelektronen in freie Ladungsträger umzuwandeln.
Entsprechend werden, wenn die Dichte oder Dicke des hochdichten Materials
abnimmt, weniger Photoelektroden bei einer gegebenen Leistung oder
Energie der Strahlung produziert, so daß die Schicht 240 dicker
ist, um eine ausreichende Anzahl der wenigeren Photoelektroden in
eine ausreichende Anzahl zu detektierende Ladungsträger umzuwandeln.
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Genauer
zeigt 2A die hochdichte Schicht 270 mit
einer Dicke T3, beispielsweise einer Dicke zwischen 0.1 und 10 mm.
In einigen Fällen kann
T3 eine Dicke von 0.1, 0.2, 0.4, 0.8, 1, 2, 4 Millimetern, oder
eine beliebige Zahl dazwischen, oder eine Kombination dieser sein.
Auch kann die Schicht 270 Kupfer, Blei, Wolfram, Tantal,
Iridium, bleihaltiges Glas, bleihaltigen Kunststoff, andere bleihaltige
Materialien, und/oder Legierungen dieser aufweisen, oder auch mehrere
der vorgenannten. In einigen Fällen
kann die Schicht 270 eine Dicke zwischen 0.7 und 1.5 mm
aus Blei, Kupfer, einer Bleilegierung, einer Kupferlegierung, oder
einer Kombination dieser umfassen. Es ist auch vorgesehen, daß die Schicht 270 eine
oder mehrere Schichten eines der oben beschriebenen Materialien
aufweist, eine Legierung dieser, oder einer Kombination dieser.
Beispielsweise kann die Schicht 270 ein 1 mm dicker Film
oder eine Folie aus Kupfer, Wolfram, oder Blei, oder einem anderen
Metall oder dichten Material sein. Zudem kann, wie oben bemerkt,
die Dicke der Schicht 240 von der Dicke und der Existenz
der Schicht 270 abhängig
sein. So kann beispielsweise in einem Ausführungsbeispiel, bei dem die
Schicht 270 eine 1 mm dicke Materialschicht ist, die Schicht 240 eine
Dicke von 0.5 Mikrometer aufweisen; während alternativ, wenn die
Schicht 270 nicht existiert, die Schicht 240 eine
Dicke von 10 mm aufweisen kann. Es ist einzusehen, daß diese
Zahlen nicht exakt sein müssen und
in der Praxis um 25 Prozent abweichen können.
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So
kann die Schicht 270 aus einem ausreichend dicken dichten
Material bestehen, um eine ausreichende Menge der einfallenden Strahlung
mit einer Leistung von wenigstens einem Megavolt (wie beispielsweise
bei der Absorption von Röntgenstrahlen)
zu absorbieren, um die einfallende Strahlung in Photoelektronen
zu konvertieren, die von der Schicht 240 konvertiert werden
und von dem Array 260 detektiert werden. Insbesondere kann
die Schicht 270 eine Schicht mit einer ausreichenden Kombination aus
Dicke und Dichte sein, um hochenergetische Photoelektroden mit einer
ausreichenden Energie zu erzeugen, so daß diese aus einer Tiefe von
zwischen 2 und 50 Mikrometern und tief unter der Oberfläche der
Schicht 270 entkommen können,
die mit der Schutzschicht 290 gekoppelt ist. Zudem können die erzeugten
hochenergetischen Photoelektroden genug Energie haben, um in die
Konversationsschicht 240 zu entkommen, um freie Ladungsträger zu erzeugen,
die durch das Array 260 detektiert werden.
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Ferner
kann gemäß eines
Ausführungsbeispiels
die Schicht 270 eine ausreichende Dicke (z.B. 1 mm) eines
ausreichend dichten Materials (z.B. Blei) sein, um Streuung zu vermindern.
Die meisten Bildinformationen sind in den ungestreuten Photonen
enthalten, die durch ein Objekt hindurch geradewegs hinunter zu
den Detektorpixeln gelangen. Die in dem Objekt gestreute Strahlung
wandert geneigt (verglichen mit der ungestreuten) und weist einen
längeren Pfad
durch die Schicht 270 auf. So überlebt weniger das Bild verwischende
gestreute Strahlung bis hinunter zu den Detektorpixeln, wenn die
Schicht 270 ausreichend dick und dicht ist, da sie nicht
in der Lage ist, den längeren
Weg zu überleben
und "ausgefiltert" wird. Beispielsweise
kann die Schicht 270 eine ausreichende Dicke eines hochdichten
Materials aufweisen, um die Detektion von an einem Probeobjekt (z.B.
einem Objekt, auf das die Röntgenphotonen
vor dem Auftreffen auf dem Detektor fallen) gestreuten Megavolt-Röntgenphotonen
zu reduzieren, aufgrund einer größeren Weglänge, die
gestreute Strahlung in der hochdichten Schicht zurücklegen
muß, verglichen
mit einem kürzeren
Weg, der von ungestreuter Strahlung in der hochdichten Schicht zurückgelegt wird.
Auch kann die Schicht 270 eine Dichte zwischen ungefähr 4 und
23 oder mehr gm/cm3 aufweisen. Es wird in
Betracht gezogen, daß die
Schicht 270 eine Dichte von 1, 2, 4, 8, 10, 20 gm/cm3, einer beliebigen Zahl dazwischen, oder
einer Kombination dieser aufweist. Beispielsweise kann die Schicht 270 eine
Dichte in einem bevorzugten Bereich zwischen ungefähr 5 und
20 gm/cm3 aufweisen; oder in einem noch
bevorzugteren Bereich von ungefähr
9 (z.B. ungefähr
die Dichte von Kupfer) bis 19 (z.B. ungefähr die Dichte von Wolfram)
gm/cm3. In einigen Fällen kann die Schicht 270 auch
eine Dichte von ungefähr 11
gm/cm3 (z.B. ungefähr die Dichte von Blei), eine Dichte
von ungefähr
22 gm/cm3 (z.B. ungefähr die Dichte von Iridium),
oder eine Dichte von bis zu ungefähr 39 gm/cm3 aufweisen.
-
Die
Schutzschicht 290 kann als ausreichend hochdichte Schicht
wirken, um Megavolt-Strahlung in eine ausreichende Anzahl von Photoelektroden
umzuwandeln, die durch die Schicht 240 konvertiert werden
und von dem Array 260 detektiert werden, wie beispielsweise
oben bzgl. der Schicht 270 beschrieben wurde. Ebenso kann
die Schicht 290 die Streuung von einfallender Strahlung
reduzieren, wie oben in Hinsicht auf die Schicht 270 beschrieben
wurde. Zudem kann gemäß eines
Ausführungsbeispiels
die Schicht 290 eine Schutzschicht eines Materials sein, das
nicht reaktiv ist mit dem Material der Schicht 270. Zudem
kann die Schicht 290 ein Isolatormaterial sein, wie beispielsweise
Paralyene C, oder MylarTM, oder HumisealTM, und/oder ein Acryl-Material. In einigen
Fällen
kann die Schicht 290 die Konversionsschicht 240,
die Elektrode 210, das Array 260 und Elektroden
dieser (z.B. die Elektrode 262), und/oder das Substrat 280 vor
Beschädigungen
aufgrund des Ausgesetztseins gegenüber Luft, Feuchtigkeit und/oder
Korrosion schützen.
Die Schicht 290 kann eine Dicke T4 aufweisen, die ausreicht,
um die Elektrode 210 vor einer Beschädigung zu schützen, und/oder
Korrosion zu verhindern, wie sie beispielsweise durch eine chemische
Reaktion zwischen dem Material der Elektrode 210 und dem
Material der Schicht 270, und umgekehrt, bewirkt wird.
Die Schicht 290 kann eine Dicke T4 zwischen 0.1 und 50 Mikrometer
aufweisen. In einigen Fällen
kann T4 0.1, 0.2, 0.4, 0.8, 1, 2, 4, 8, 10, 20, 40 Mikrometer, eine Zahl
dazwischen, oder eine Kombination dieser betragen.
-
In
einigen Fällen
hat die Schicht 290 eine Dicke von weniger als 10 Mikrometern,
um es Photoelektronen, die durch die Schicht 270 erzeugt
wurden (z.B. resultierend aus MV-Röntgenstrahlen,
die auf die Schicht 270 einfallen) zu ermöglichen,
durch die Schicht 290 zur Schicht 240 zu gelangen,
um durch das Array 260 detektiert zu werden. Alternativ
kann die Schicht 290 eine Dicke von mehr als 10 Mikrometern
aufweisen, so daß von
der Elektrode 210 ausreichend viele Photoelektronen erzeugt
werden (z.B. von MV-Röntgenstrahlen,
die auf die Elektrode 210 einfallen), um zur Schicht 240 übertragen
und von dem Array 260 detektiert zu werden. In diesem Fall ist
die Schicht 290 zu dick, als daß die bei der Schicht 270 erzeugten
Photoelektroden durch die Schicht 290 und die Schicht 240 gelangen
können.
-
Die
Elektrode 210 kann eine ausreichende Dicke (z.B. T2) eines
ausreichend dichten Materials sein, um eine ausreichende Anzahl
von Photoelektronen zu erzeugen oder zu generieren, die durch die Schicht 240 konvertiert
werden und von dem Array 260 detektiert werden, wie beispielsweise
oben unter Bezugnahme auf die Schicht 270 beschrieben wurde (z.B.
in Reaktion auf MV-Strahlung, die auf die Elektrode 210 auftrifft
und hochenergetische Photoelektronen erzeugt, die zur Schicht 240 übertragen
werden). Zudem kann die Elektrode 210 Streuung reduzieren,
wie beispielsweise oben unter Bezugnahme auf die Schicht 270 beschrieben
wurde. Ferner kann gemäß eines
Ausführungsbeispiels
die Elektrode 210 Palladium, Platin, Kohlenstoff, Gold,
Kupfer, Aluminium, Indiumzinnoxid (ITO), und Legierungen dieser,
oder eine Mischung dieser umfassen. Es wird auch in Betracht gezogen,
daß die
Elektrode 210 eine Anzahl von Schichten aus beliebigen
dieser Materialien, Legierungen oder Kombinationen aufweist.
-
Die
Elektrode 210 kann eine Dicke T2 zwischen 0.1 und 1000
Mikrometer aufweisen. Die Dicke T2 kann 0.5, 1, 2, 4, 8, 10, 20,
40, 80, 100, 200, 400 Mikrometer, eine beliebige Zahl dazwischen,
oder eine Kombination dieser betragen. Ferner kann die Elektrode 210 eine
durchgehende obere Leitungselektrode sein, welche die Oberfläche 242 oder
einen Großteil
der Oberfläche 242 der
Schicht 240 bedeckt.
-
Die
Konversionsschicht 240 kann eine Photokonversionsschicht
sein, die im Stand der Technik bekannt sind. In einigen Fällen kann
die Schicht 240 ein photoleitendes Material mit einer breiten
Bandlücke
sein, das eine ausreichende Dicke (z.B., wie oben beschrieben, T1)
aufweist, um freie Ladungsträger
aus Photoelektronen (z.B. Hochenergie-Photoelektronen) zu generieren
oder zu erzeugen, die von der Elektrode 210, der Schicht 290,
und/oder der Schicht 270 aufgenommen werden, wobei die
freien Ladungsträger
ausreichend zahlreich sind, um von dem Array 260 detektiert
zu werden. Genauer zeigt 2A einen
Pfeil 273, der die Photoelektronen repräsentiert, die die Schicht 240 von
der Schicht 270 aufnimmt, als Ergebnis einer aus der Richtung 205 und/oder
der Richtung 207 auf die Schicht 270 einfallenden
MV-Strahlung. Entsprechend repräsentiert der
Pfeil 293 Photoelektronen, die die Schicht 240 von
der Schicht 290 aufnimmt, die aus MV-Strahlung resultieren,
die aus der Richtung 205 und/oder der Richtung 207 auf
die Schicht 290 einfällt.
Entsprechend repräsentiert
der Pfeil 213 Photoelektronen, die die Schicht 240 von
der Elektrode 210 empfängt, die
aus MV-Strahlung resultieren, die von der Elektrode 210 aus
der Richtung 205 und/oder der Richtung 207 empfangen
wurden. Die von der Schicht 240 aufgenommenen Photoelektronen
werden in freie Ladungsträger
umgewandelt, wie durch den freien Ladungsträger 246 und den gegensätzlichen
freien Ladungsträger 248 gezeigt
ist. Es ist einzusehen, daß der
freie Ladungsträger 246 ein
Loch, oder ein Elektron sein kann, während der Ladungsträger 248 ein Ladungsträger des
gegensätzlichen
Typs sein kann.
-
In
alternativen Ausführungsbeispielen
können
Halbleitermaterialien verwendet werden, die von Quecksilberiodid
und Bleiiodid verschieden sind, wie beispielsweise andere Halbleiter-Halogenide.
In einem Ausführungsbeispiel
können
solch alternative Materialien Jod-Verbindungen wie Bismutiodid (BiI2) sein. Alternativ können auch Nicht-Iodid-Verbindungen
verwendet werden, wie beispielsweise Thalliumbromid (TlBr). Die
zur Verwendung ausgewählten Halbleitermaterialien
können
als Korrosions-Barriereschicht
zu einem Kontakt und/oder als Teil einer Heteroübergangsstruktur betrieben
werden, um die elektrischen Parameter des Detektors zu optimieren (z.B.
um Dunkelströme
zu reduzieren). Die anderen Halbleitermaterialien, die für die Schicht 240 verwendet
werden können,
können
Bandlücken
aufweisen, die ungefähr
die gleichen sind, oder auch unterschiedlich sind zu der von Quecksilberiodid
(2.1eV) oder Bleiiodid (2.3eV). Beispielsweise hat Bismutiodid eine
Bandlücke
von 1.73eV und Thalliumbromid eine Bandlücke von 2.7eV. Wie bereits
bemerkt, können
auch andere Hallogenide für
die Halbleiter-Materialschichten verwendet werden.
-
Zudem
kann gemäß eines
Ausführungsbeispiels
die Schicht 240 eine Schicht mit einer Dicke T1 zwischen
20 und 20000 Mikrometern aus Quecksilberiodid (HgI2),
Bleiiodid (PbI2), Bismutiodid (BiI2), Bismuttriiodid (BiI3),
amorphem Selen, und/oder Thalliumbromid (TlBr), einer Legierung
dieser, und/oder einer Kombination dieser sein. Es ist auch vorgesehen,
daß die
Schicht 240 aus mehreren Materialschichten, Legierungen
und/oder Kombinationen der oben erwähnten Materialien bestehen
kann, wie beispielsweise zwei oder drei unterschiedliche Materialien
in einer Schichtstruktur. In einigen Fällen kann die Dicke T1 10,
20, 40, 80, 100, 200, 400, 800, 1000, 2000, 4000, 8000, 10.000 Mikrometer,
eine beliebige Zahl dazwischen, oder eine Kombination dieser betragen.
-
Beispielsweise
kann die Schicht 240 eine Schicht aus Bleiiodid (PbI2), oder eine Schicht aus Quecksilberiodid
(HgI2) sein. Alternativ kann eine Schicht
aus sowohl Bleiiodid (PbI2) als auch Quecksilberiodid
(HgI2) verwendet werden, um einen zweischichtigen
PbI2-HgI2-Beschichtungsfilm
zur Verwendung als Schicht 240 zu bilden. Als eine Beispielkombination
können
auch PbI2, BiI3 (Bismuttriodid)
und HgI2 als eine dreischichtiges PbI2-BiI3-HgI2-"Sandwich"-Struktur verwendet werden. Ferner kann
eine beliebige Kombination aus Quecksilberiodid (HgI2), Bleiiodid
(PbI2), Bismutiodid (BiI2),
Bismuttriodid (BiI3), amorphem Selen, und/oder
Thalliumbromid (TlBr), und Legierungen einiger dieser verwendet werden.
-
Beispielsweise
kann die Dicke der Schicht 240 speziell für die Absorption
von Photoelektroden ausgebildet werden, die aus der Absorption von
Megavolt-Strahlung durch das ausgewählte Material und die Dicke
der Elektrode 210, der Schicht 290 und der Schicht 270 resultieren
(sowie von der Entscheidung, ob die optionale Schicht 290 und/oder
die optionale Schicht 270 in dem Photodetektor verwendet werden
sollen). Beispielsweise kann die Schicht 240 eine Dicke
T1 zwischen 20 und 1000 Mikrometern eines photoleitenden Materials
aufweisen. Zusätzlich zu
den obigen Faktoren kann die Dicke T1 auch in Abhängigkeit
von der Ausgabespannung des Arrays 260 ausgewählt werden,
beispielsweise abhängig von
der gewünschten
Ausgabespannung auf der Datenleitung D1, wenn MV-Strahlung auf den Photodetektor einfällt. In
einigen Fällen
kann die Schicht 240 eine Dicke haben, die ausreicht, um
zu bewirken, daß die
Ausgabespannung an der Datenleitung zwischen 0.2 Volt und 2 Volt
liegt, wie beispielsweise eine Spannung, die ähnlich ist zur Ausgabe der
Datenleitungen für
Kilovolt (KV) -Strahlungs-Photodetektoren oder andere Photodetektoren.
Insbesondere kann die Schicht 240 eine Dicke T1 aufweisen,
die größer ist
als 1000 Mikrometer, und/oder eine Dicke, um sicherzustellen, daß die Ausgabesignale
der Pixel des Arrays 260 in Reaktion auf einfallende Megavolt-Strahlung ausreicht,
um ein Bild bereitzustellen (wie im Folgenden unter Bezugnahme auf
die 6 und 7 beschrieben wird).
-
Das
Substrat 280 kann ein Substrat geringer Dichte sein, wie
beispielsweise ein Pixel-Array aus Elektronikelementen, umfassend
Dünnfilm-Silizium-Transistoren, Kondensatoren,
Schalter, und/oder Verstärker
auf einem Glas oder Halbleitersubstrat geringer Dichte. Das Substrat 280 kann
geeignet sein, um viele Millionen einzelner Pixel und hunderte bis tausende
Quadratinch-Detektorfläche
unterzubringen. Gemäß einiger
Ausführungsbeispiele
hat das Substrat 280 eine Dichte und Dicke, so daß auf die Schicht
geringer Dicke einfallende Megavolt-Röntgenphotonen wenige oder im
wesentlichen keine Photoelektronen erzeugen, oder nicht mehr als
eine unwesentliche Anzahl oder Menge an Photoelektronen. Die wie
oben beschrieben erzeugten Photoelektronen können jene sein, die durch die
Konversionsschicht 240 in freie Ladungsträger umgewandelt
werden. Das Substrat 280 kann eine Dicke T5 zwischen 10
und 10.000 Mikrometern aufweisen. Die Dicke T5 kann 10, 20, 40,
80, 100, 200, 400, 800, 1000, 2000, 4000, 8000 Mikrometer, eine
beliebige Zahl dazwischen, oder eine Kombination dieser sein. Zudem kann
das Substrat 280 eine Dichte zwischen 0.1 und 8 gm/cm3, wie beispielsweise eine Dichte von 0.1, 0.2,
0.4, 0.8, 1, 2, 4, 8 Gramm pro Kubikzentimeter, eine beliebige Zahl
dazwischen, oder eine Kombination dieser aufweisen. Beispielsweise
kann das Substrat 280 eine Dichte im Bereich von ungefähr 0.7 bis ungefähr 7.7 gm/cm3 aufweisen; vorzugsweise im Bereich von
ungefähr
2 bis ungefähr
3 gm/cm3; oder noch bevorzugter im Bereich
von ungefähr
2.3 (z.B. der Dichte eines Glas geringer Dichte) und 2.5 (z.B. der
Dichte eines Glas höherer
Dichte) gm/cm3 aufweisen. Obgleich die hier
beschriebenen Dichtebereiche für
die hochdichte Schicht 270 und das Substrat 280 geringer
Dichte überlappen,
wird in Betracht gezogen, daß in
einem Ausführungsbeispiel
mit einer hochdichten Schicht, eine spezifische Minimaldichte für die hochdichte
Schicht 270 nicht weniger dicht ist als die Maximaldichte
für das
Substrat geringer Dichte 280. Für Ausführungsbeispiele, die keine
hochdichte Schicht aufweisen, kann das Substrat geringer Dichte 280 eine
beliebige Dichte, wie sie hier beschrieben wird, aufweisen. Auch
kann in Ausführungsbeispielen
das Substrat 280 eine Dichte von weniger als der Dichte
eines leitenden Metalls, einer leitenden Legierung, Aluminium, Kupfer,
Iridium, Messing, Stahl, rostfreier Stahl, Eisen, bleihaltiges Glas,
Indiumzinnoxid (ITO) auf Glas (Silikat), Blei, Wolfram, oder Legierungen
dieser aufweisen. In diesen Ausführungsbeispielen
kann ein Substrat, das aus einem der obigen Materialien besteht
oder eines dieser Materialien aufweist, betrachtet werden als ein Substrat
hoher Dichte (z.B. kann dieses Material ein hochdichtes Substratmaterial
sein). Auch werden gemäß einiger
Ausführungsbeispiele
im wesentlichen alle der Hochenergie-Photoelektronen durch Kollision
der Megavolt-Röntgenphotonen
mit einer hochdichten Schicht erzeugt, und wenige oder im wesentlichen
keine, oder nicht mehr als eine unwesentliche Anzahl oder Menge
an Hochenergie-Photoelektronen
werden durch die Kollision von Megavolt-Röntgenphotonen
mit der Substratschicht geringer 280 erzeugt. Die wie oben
beschrieben erzeugten Photoelektronen können jene sein, die in der
Schicht 240 in freie Ladungsträger umgewandelt werden und/oder in
der Schicht 260 detektiert werden. Das Substrat 280 kann
ein Substrat oder eine oder mehrere Schichten aus einem Halbleitermaterial,
einem Kunststoffmaterial, einem Silizium-Material, einem Siliziumlegierungsmaterial,
einem Glas, oder einem anderen Material geringer Dichte sein oder
ein solches umfassen, das in der Lage ist, eine Detektor- oder Sensor-Schaltung
zu tragen oder zu umfassen, um, wie hier beschrieben, die Ladungsträger zu detektieren.
Beispielsweise kann das Substrat 280 eine bleifreie Platte,
Schicht, Film, oder Substrat eines Kunststoffmaterials, ein Silizium-Material,
oder Glas-Material umfassen. Auch kann das Substrat 280 ein
ITO-beschichtetes Glas, ein flexibler Kunststoff oder ein anderes
flexibles Material sein. In vielen Fällen kann das Substrat 280 leichter
und/oder kostengünstiger
hergestellt werden, und/oder aus mehr Standardmaterialien konstruiert
werden mit TFT-Bauelementen, oder zur Bildung von TFT-Bauelementen darin,
als ein Substrat hoher Dichte. Beispielsweise wird der Fachmann
wissen, wie er das Substrat 280 mit einem Pixel-Array aus
Elektronikelementen herstellen kann, wie hier beschrieben, da die
Materialien und Verfahren verwendet wurden, um derartige Substrate
für andere
Zwecke herzustellen, wie beispielsweise um ein Pixel-Array zur Detektion
von Photonen, elektrischer Ladung, oder elektrischem Strom herzustellen.
In einigen Fällen
kann das Substrat 280 eine bleifreie Glasplatte sein, die
Amorphsilizium-TFT-Elektronik-Schalter und Kondensatoren umfaßt, die
mit den Elektroden 262 bis 266 gekoppelt sind,
die Pixel-Elektroden aus Indiumzinnoxid (ITO) sind, um das Array 260 herzustellen.
Es wird auch in Betracht gezogen, daß die Elektroden 262, 264 und 266 aus
einem Material bestehen und/oder eine Dicke aufweisen, wie oben
hinsichtlich der Elektrode 210 beschrieben wurde.
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3 zeigt
ein alternatives Ausführungsbeispiel
eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors. 3 zeigt
Photodetektor 300, der gleichartig ist zum Photodetektor 200,
aber ohne Schutzschicht 290. So sind in dem in 3 gezeigten
Ausführungsbeispiel
Photoelektronen, die in den Schichten 270 und/oder der
Elektrode 210 aus MV-Strahlung
erzeugt werden, die aus der Richtung 205 und/oder Richtung 207 auf
diese Schichten einfällt,
als Pfeile 373 bzw. 313 gezeigt. Jeder oder beide
dieser Pfeile repräsentieren
eine ausreichende Anzahl von Photoelektronen, die von der Schicht 240 konvertiert
werden und von der Schicht 260 detektiert werden. In einigen
Ausführungsbeispielen
des Photodetektors 300 kann die Schicht 270 dabei
behilflich sein, eine Vorspannung auf effiziente Weise entlang der
oberen Fläche
der Schicht 240 anzulegen, wie z.B. wenn ein Spannungsgenerator
(siehe z.B. Spannungsgenerator VG aus 2A) auch
zwischen die Schicht 270 und die Pixel 262, 264 und 266 gekoppelt
ist. Der mit der Schicht 270 gekoppelte Spannungsgenerator
kann der gleiche Spannungsgenerator sein, wie jener, der mit Elektrode 210 gekoppelt ist.
Zudem kann ein Spannungsgenerator mit der Schicht 270 gekoppelt
werden, während
kein Spannungsgenerator mit einer Elektrode 210 gekoppelt ist.
In solchen Fällen
kann die Elektrode 210 dünn sein, wie beispielsweise
mit einer Dicke zwischen 0.5 und 0.15 Mikrometern.
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4 stellt
ein weiteres alternatives Ausführungsbeispiel
eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors dar. 4 zeigt
einen Photodetektor 400, der gleichartig ist zum Photodetektor 300,
aber die Schicht 270 nicht einbezieht. So erzeugt MV-Strahlung,
die aus der Richtung 205 und/oder Richtung 207 auf
die Elektrode 210 fällt, eine
ausreichende Anzahl von Photoelektronen, die durch den Pfeil 413 gezeigt
sind, die von der Konversionsschicht 240 konvertiert werden
und durch das Array 260 detektiert werden. Beispielsweise
kann in dem Ausführungsbeispiel
des Photodetektors 400 die Elektrode 210 eine
Dicke von mehr als 50 Mikrometern aufweisen, wie beispielsweise
eine Dicke von 50, 75, 100, 200, 400, 800 Mikrometer, eine beliebige Zahl
dazwischen, oder eine Kombination dieser aufweisen.
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5 zeigt
ein Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zur Herstellung eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors. 5 zeigt
den Prozeß 500 zur
Herstellung und/oder Montage eines Sensors, wie er oben unter Bezugnahme
auf den Photodetektor 200, 300 und 400 aus
den 1-4 beschrieben
wurde.
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Am
Block 510 wird ein Substrat niedriger Dichte gebildet.
Der Block 510 kann das Ausbilden oder die Herstellung eines
Substrats mit Pixel-Arrays aus Dünnfilmtransistoren
und Kondensatoren umfassen, beispielsweise unter Verwendung von
Prozessen und/oder Substraten, die im Stand der Technik bekannt
sind. Auch kann der Block 510 das Ausbilden des Substrats 280,
des Detektorarrays 260, der Kondensatoren 282 bis 286 und/oder
der Schalter 283 bis 287 umfassen. Es ist einzusehen,
daß der Block 510 das
Ausbilden des Substrats gemäß verschiedener Applikationsverfahren
umfassen kann, die im Stand der Technik bekannt sind.
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Es
wird auch in Betracht gezogen, daß statt dem Ausbilden eines
Substrats niedriger Dichte beim Block 510 solch ein Substrat
auch für
nachfolgende Blöcke
oder Prozeß 500 vorgesehen
sein kann. Beispielsweise kann ein derartiges Substrat im voraus ausgebildet
oder hergestellt werden (z.B. durch eine andere Einheit oder an
einem anderen Ort) und in dem Prozeß 500 bei Block 520 integriert
werden.
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Am
Block 520 wird eine untere Elektrode ausgebildet oder am
Substrat niedriger Dichte angebracht. Der Block 520 kann
umfassen ausbilden, anbringen, verbinden, verkleben, darüber anordnen, ausbilden
in, oder bedecken von Teilen des Substrats 280 mit den
Elektroden 262, 264 und 266 umfassen. Beispielsweise
kann der Block 528 verschiedene aus dem Stand der Technik
bekannte Techniken umfassen, wie beispielsweise Beschichten, Metallisieren (bzw.
platieren), physikalische Dampfabscheidung, chemische Dampfabscheidung,
Sputtern, Ionenstrahlabscheidung und dergleichen, eingeschlossen Nicht-Vakuum-Verfahren
wie beispielsweise PIB-Bildung (PIB = "particle-in-binder" bzw. Teilchen im Verbinder) und Siebdruck.
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Am
Block 530 wird die Konversionsschicht auf der unteren Elektrode
ausgebildet oder an ihr angebracht. Beispielsweise kann der Block 530 obige Verfahren
mit Bezugnahme auf Block 520 umfassen, aber ein Halbleitermaterial
umfassen, wie es im Stand der Technik bekannt ist. So kann der Block 530 das
Ausbilden einer Konversionsschicht 240 mittels verschiedener
im Stand der Technik bekannter Techniken umfassen, wie beispielsweise
physikalische Dampfabscheidung, chemische Dampfabscheidung, Sputtern,
Ionenstrahlabscheidung, und dergleichen, eingeschlossen Nicht-Vakuum-Verfahren
wie beispielsweise beispielsweise PIB-Bildung (PIB = "particle-in-binder"), Siebdruck, Gießen, Extrudieren, Pressen,
Prägen
und Sprühen.
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In
einem Ausführungsbeispiel
kann, wie oben beschrieben, der Photoleiter zusätzlich Halbleitermaterialien
umfassen. In einem derartigen Ausführungsbeispiel wird ein zusätzliches
Halbleitermaterial über
dem Ausgangs-Halbleitermaterial
abgeschieden, um die Schicht 240 auszubilden.
-
Am
Block 540 wird die obere Elektrode auf der Konversionsschicht
ausgebildet oder an ihr angebracht. Block 540 kann Prozesse
umfassen, wie oben bzgl. Block 520 beschrieben wurden.
Ferner kann der Block 540 das Ausbilden einer durchgehenden
oberen Leitungselektrode unter Verwendung verschiedener im Stand
der Technik bekannter Verfahren umfassen, wie beispielsweise Beschichtung, Metallisierung
(bzw. Plattierung), physikalische Dampfabscheidung, chemische Dampfabscheidung, Sputtern,
Ionenstrahlabscheidung und dergleichen, eingeschlossen Nicht-Vakuum-Verfahren
wie PIB-Bildung
(PIB = "particle-in-binder"), Siebdruck, Gießen, Extrudieren,
Pressen, Prägen
und Sprühen.
-
Am
Block 550 wird die Schutzschicht auf der oberen Elektrode
ausgebildet oder auf ihr angebracht. Ein Teil von Block 550 ist
optional und der Prozeß 500 kann
am Block 550 oder 540 mit der Ausbildung der oberen
Elektrode enden, beispielsweise um den Photodetektor 300 oder 400 auszubilden,
wie er in den 3 oder 4 gezeigt
ist. Der Block 550 kann das Ausbilden einer Isolierschicht
umfassen, wie sie aus dem Stand der Technik bekannt ist. Zudem kann
der Block 550 auch das Ausbilden einer Schutzschicht unter
Verwendung von Pulver, Blättchen
(wie z.B. Saran WrapTM), physikalische Dampfabscheidung
(PVD), Bürsten
(wie beispielsweise HumisealTM, Sprühen, und
dergleichen. Block 550 kann auch das Anbringen einer im
voraus ausgebildeten Schutzschicht umfassen, beispielsweise wenn
die im voraus ausgebildete Schicht wie oben beschrieben ausgebildet
wird, aber daraufhin über
oder auf der oberen Elektrode platziert wird. Es wird auch in Betracht
gezogen, daß die
Schutzschicht eine Schicht sein kann, die nicht an die obere Elektrode
geklebt ist, sondern auf die Elektrode gelegt wird, oder diese bedeckt
und durch Befestigungsmittel, Schrauben, Nieten, Bolzen, Muttern
oder andere Befestigungsvorrichtungen in der Nähe des Randes des Photodetektors
an ihrem Platz gehalten werden.
-
Am
Block 560 wird eine Schicht hoher Dichte auf der Schutzschicht
ausgebildet oder an ihr angebracht. Auch Block 560 ist
optional, beispielsweise wenn der Photodetektor 400 wie
in 4 gezeigt ausgebildet wird. Wie oben beschrieben,
ist die Schutzschicht optional und kann auch weggelassen werden,
wie beispielsweise bei einem Prozeß zur Bildung des Photodetektors 300 wie
er in 3 beschrieben ist. Alternativ ist es auch vorgesehen,
daß der
Block 550 einen Prozeß 500 umfassen
kann und Block 560 weggelassen werden kann, beispielsweise zur
Realisierung eines Ausführungsbeispiels ähnlich zum
Photodetektor 400 unter Hinzufügung der Schicht 290,
die auf der Elektrode 210 ausgebildet wird (z.B. ein Ausführungsbeispiel,
das hier nicht in einer Figur dargestellt ist).
-
Der
Block 560 kann auch das Ausbilden einer Schicht hoher Dichte
umfassen, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Beispielsweise
kann der Block 560 das Ausbilden einer Schicht 270 unter Verwendung
von Techniken umfassen, wie beispielsweise Schmieden, Gießen, Elektroplattieren,
Sprühen,
physikalische Dampfabscheidung, chemische Dampfabscheidung, Sputtern,
Ionenstrahlabscheidung, und dergleichen, eingeschlossen Nicht-Vakuum-Verfahren
wie PIB-Bildung
(PIB = "particle-in-binder") und Siebdruck,
Drucken, Extrudieren, Pressen, Prägen und Sprühen, sowie Bürsten, Verfahren
unter Verwendung von Pulver, Beschichten, und dergleichen, wie sie
im Stand der Technik bekannt sind. Zudem kann der Block 560 auch
das Ausbilden der hochdichten Schicht unter Verwendung von aus dem Stand
der Technik bekannten Verfahren umfassen, wie sie oben unter Bezugnahme
auf die Ausbildung der unteren Elektrode bei Block 520 beschrieben wurden.
Die hochdichte Schicht aus Block 560 muß nicht an die Schutzschicht
oder die obere Elektrode geklebt werden, kann aber über diese
gelegt werden oder diese bedecken und wird ähnlich wie dies unter Bezugnahme
auf die Schutzschicht bei Block 550 beschrieben wurde,
an ihrem Platz gehalten. Ferner müssen in einem Ausführungsbeispiel,
das die Schutzschicht und die hochdichte Schicht umfaßt, die
beiden Schichten nicht an die obere Elektrode und aneinander geklebt
werden, sondern können über die
darunterliegende Schicht gelegt werden oder diese bedecken und,
wie bei Block 550 beschrieben, an ihrem Platz gehalten
werden. In einigen Fällen
werden sowohl die Schutzschicht als auch die hochdichte Schicht
auf die obere Elektrode gelegt oder bedecken diese und werden mittels
eines Rahmens, Schrauben, Bolzen, eines Klebstoffs oder anderen
Befestigungsvorrichtungen oder -mitteln in der Nähe des Außenbereichs eines Photodetektors
an ihrem Platz gehalten.
-
Der
Block 560 kann auch das Montieren einer im voraus ausgebildeten
Schicht hoher Dichte, wie beispielsweise einem Film, einer Folie,
einem Blatt, oder anderen Arten der Schicht 270 umfassen, die über oder
auf die Schutzschicht oder die obere Elektrode gelegt wird, oder
an dieser angebracht wird, und wie bei Block 550 beschrieben
an ihrem Platz gehalten wird.
-
Es
ist auch vorgesehen, daß der
Prozeß 500 das
Ausbilden eines Schwammschaumes, Kohlenstofffasern, oder anderen
Beschichtungen, einer Abdeckungen oder eines Schutzmittels auf der
letzten Schicht oder oberen Schicht des Photodetektors umfaßt (z.B.
egal ob diese Schicht die hochdichte Schicht 270, die Schutzschicht 290 oder
die obere Elektrode 210 ist). Beispielsweise kann solch
ein Schaum, Faser oder Schutzmittel mittels physikalischer Dampfabscheidung,
chemischer Dampfabscheidung, Sputtern, Ionenstrahlabscheidung, und dergleichen
ausgebildet werden, eingeschlossen Nicht-Vakuum-Prozesse Verfahren
wie PIB-Bildung (PIB
= "particle-in-binder"), Siebdruck, Gießen, Extrudieren,
und Pressen, sowie Bürsten,
Sprühen,
und dergleichen, wie sie im Stand der Technik bekannt sind.
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Es
ist auch anzumerken, daß der
dargestellte Prozeß vereinfacht
ist und auch Strukturieren (wie beispielsweise zur Isolation von
beispielsweise einzelnen Leitern) oder Polieren (wie beispielsweise
zur Einebnung einer Schicht) involvieren kann. Ferner kann auch
ein selbstausrichtender Prozeß verwendet werden,
bei dem einzelne Detektoren durch Ätzen einer Art Form nach Ausbilden
von Schichten auf dem Substrat aussortiert werden.
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6 stellt
ein Ausführungsbeispiel
eines Verfahrens zum Betrieb eines Photoleiter-basierten Megavolt-Strahlungssensors
dar. 6 zeigt einen Prozeß 600, wie beispielsweise
einen Prozeß zum Detektieren
oder Erfassen von Megavolt-Strahlung unter Verwendung eines Photodetektors
wie beispielsweise Detektor 200, 300 oder 400.
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Am
Block 610 werden die Array-Elektroden geerdet. Der Block 610 kann
dem Erden der Elektroden 262 bis 266 des Arrays 260 entsprechen,
wie beispielsweise durch Kopplung dieser Elektroden mit einer elektrischen
Erde.
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Am
Block 620 wird die obere Elektrode vorgespannt. Der Block 620 kann
der Ausbildung einer Vorspannung (bzw. Bias-Spannung) entsprechen, wie
sie oben unter Bezugnahme auf den Spannungsgenerator VG aus 2A und
den Bias-Beschreibungen
für 3 beschrieben
wurde. Beispielsweise kann, wenn die Konversionsschicht 240 aus
Quecksilberiodid besteht, der Block 620 das Vorspannen der
Elektrode 210 auf eine negative Spannung bzgl. den Elektroden
des Arrays 260 umfassen, wenn MV-Strahlung aus der Richtung 205 einfällt. Die
Vorspannung kann umgekehrt werden, wenn die Strahlung aus der Richtung 207 einfällt.
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Alternativ
kann, wenn die Schicht 240 eine Schicht aus Bleiiodid ist,
die Elektrode 210 positiv vorgespannt werden bzgl. den
Elektroden des Arrays 260 wenn Strahlung aus der Richtung 205 einfällt, und
negativ vorgespannt werden für Strahlung,
die aus der Richtung 207 einfällt. Demgemäß werden am Block 620 die
Elektroden derart vorgespannt, daß durch die Schicht 240 konvertierte
Ladungsträger von
Photoelektronen, die von der Elektrode 210, der Schicht 290,
und/oder der Schicht 270 aufgenommen wurden, gesammelt
oder vom Array 260 detektiert. Beispielsweise kann das
Vorspannen bewirken, daß freie
Ladungsträger
an der Elektrode 262 gesammelt werden, um in dem Kondensator 282 unter
der angelegten Vorspannung gespeichert zu werden. Die in dem Kondensator 282 gespeicherte
Ladung kann daraufhin elektronisch durch den Schalter 283 umgeschaltet
werden (z.B. Umschalten des Schalters 283 durch Aktivierung
der Gate-Leitung GL) und auf die Datenleitung D1 ausgegeben werden.
Die Ausgabe an verschiedenen Datenleitungen, wie beispielsweise
D1-D3, kann dann von einem elektronischen Bild und einer elektronischen
Bildschaltung gesammelt werden, um ein Bild eines Objekts, einer
Person, oder anderer Materialien zu erzeugen, die zwischen eine
MV-Strahlungsquelle und den Photodetektor 200, 300 oder 400 gestellt
werden.
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Beispielsweise
werden am Block 630 Röntgenstrahlen
durch den Photodetektor empfangen. Der Block 630 kann das
Empfangen von Röntgenstrahlung
aus der Richtung 205 und/oder der Richtung 207 umfassen,
wie unter Bezugnahme auf 2A beschrieben
wurde. Zudem kann der Block 630 das Empfangen von Röntgenstrahlen
umfassen, die auf einen Photodetektor einfallen, wie hier beschrieben
wurde, nachdem die Röntgenstrahlung durch
ein gesamtes Objekt, eine Person, eine Pflanze, Gepäck und dergleichen,
oder ein Teil derer, durchlaufen haben und/oder von diesen gebeugt wurden.
Beispielsweise können
gebeugte Röntgenstrahlen
Röntgenstrahlen
umfassen, die aus einem Röntgenstrahl
in verschiedene Beugungswinkel gebeugt wurden, durch Wechselwirkung
des Röntgenstrahls
mit einem Objekt, einer Person, einer Pflanze, einem Gepäck und dergleichen.
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Der
Block 630 kann das Empfangen von MV-Röntgenstrahlen
mit einer Energie in einem Bereich zwischen 1 und 1000 MV umfassen,
wie beispielsweise mit einer Energie von 1, 2, 4, 8, 10, 20, 40,
80, 100, 200, 400, 800 MV, einer beliebigen Zahl dazwischen, oder
einer Kombination dieser. In einigen Ausführungsbeispielen umfaßt der Block 630 das
Empfangen von Strahlung oder Röntgenstrahlen,
die durch einen Elektronenstrahlgenerator erzeugt wurden, indem
ein Strahl durch einen dynamischen Multileaf-Collimator gerichtet
wird (z.B. einen Kollimator, der eine Reihe gestapelter Metallscheiben
mit einem Zentrum aus Scheibenpaaren, bei denen jede Scheibe der
Paare einzeln bewegt werden kann, um eine geformte Öffnung zu
bilden, die geeignet ist, einen Strahlungsstrahl zu formen). Die
Strahlung kann vorgesehen sein zum Durchröntgen von Objekten aus Sicherheitsgründen, zur
Bestrahlung von Nahrung, für
medizinische Bildgebungszwecke, und/oder medizinisch-therapeutische
Zwecke. Beispielsweise kann die MV-Strahlung oder die Röntgenstrahlen
in einem Energiebereich zwischen 1 und 25 MV liegen. Es ist auch
vorgesehen, daß kV-Strahlung
wie hier beschrieben wird auf einen Photodetektor gerichtet wird
und/oder von diesem detektiert wird, beispielsweise kV-Strahlung in einem
Energiebereich zwischen 50 und 160 kV (z.B. einem Energiebereich
für das
Durchröntgen
von Objekten oder für medizinische
Bildgebungszwecke).
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Am
Block 640 wird eine Widerstandsänderung aufgezeichnet. Beispielsweise
kann der Block 640 das Aufzeichnen der Widerstandsänderung
zwischen Pixeln des Arrays 260 und der Elektrode 210 für jedes
Pixel umfassen, das aus den am Block 630 empfangenen Röntgenstrahlen
resultiert. Der Block 640 kann das Aufzeichnen der Widerstandsänderung unter
Verwendung eines Detektionssystems umfassen, wie beispielsweise
die Aufzeichnung einer Widerstandsänderung als eine Strom- oder
Spannungsänderung,
um die Gegenwart oder Stärke
von Röntgenstrahlen
aufzuzeichnen, die an einem oder mehreren Pixeln der Pixel 250 und/oder
dem Array 260 empfangen werden.
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Die 7 stellt
ein Ausführungsbeispiel
eines Megavolt-Röntgenstrahldetektionssystems
dar. Das Röntgenstrahldetektionssystem 700 umfaßt eine Rechenvorrichtung 704,
die mit einem Flachbilddetektor (Flat-Panel-Detektor) 776 gekoppelt
ist. Der Flachbilddetektor 776 kann durch Akkumulation
von Ladung auf Kondensatoren funktionieren, die durch die Pixel
des Photodetektors 200, 300 oder 400 erzeugt
werden. Typischerweise sind viele Pixel über einer Fläche des
Flachbilddetektors 776 angeordnet, wobei an jedem Pixel
beispielsweise TFTs einen geladenen Kondensator (z.B. Kondensator 282)
mit einem ladungssensitiven Verstärker 719 zum richtigen Zeitpunkt
verbinden (unter Verwendung der Datenleitung D1). In einem Ausführungsbeispiel
kann ein Röntgendetektor 776 beispielsweise
als ein Flachbilddetektor konstruiert sein, mit einer Matrix aus
einem oder mehreren Photodetektoren 200, 300 oder 400,
mit einer Ausleseelektronik, um die Photonen (z.B. Röntgen) -Intensität eines
Pixels in ein digitales Signal zur Weiterverarbeitung umzuwandeln.
Die Ausleseelektronik kann in den Randbereichen des Detektors angeordnet
sein, um das Empfangen von einfallenden Röntgenstrahlen auf jeder Oberfläche des
Detektors zu erleichtern.
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Der
Flachbilddetektor kann beispielsweise eine TFT-Schaltermatrix verwenden, die mit dem
Detektor 200 und den Kondensatoren gekoppelt ist, um die
durch den Strom vom Array 260 erzeugten Ladungen zu sammeln.
Die Ladungen werden gesammelt, verstärkt und verarbeitet, wie beispielsweise durch
das System 700. Die Wahl der Vorspannung kann die Sensitivität des Detektors
bestimmen und kann, wie oben für
Block 620 aus 6 beschrieben, angewendet werden.
Die Vorspannung kann durch das System 700 konfiguriert
werden. Der ladungssensitive Verstärker 719 steuert den
Analog-Digital (A/D)-Konverter 717,
der wiederum die vom Verstärker 719 empfangenen
analogen Signale in digitale Signale zur Weiterverarbeitung durch
die Rechenvorrichtung 704 konvertiert. Der A/D-Konverter 717 kann mit
der Rechenvorrichtung 704 unter Verwendung von beispielsweise
einem I/O-Gerät 710 oder
einer Verbindung 714 gekoppelt werden. Der A/D-Konverter 717 und
die ladungssensitiven Verstärker 719 können sich
innerhalb der Rechenvorrichtung 714 oder des Flachbilddetektors 776 oder
außerhalb
dieser Vorrichtungen befinden. Die Verstärker 719 integrieren
die in den Pixeln des Flachbilddetektors 776 akkumulierten
Ladungen und stellen Signale bereit, die proportional zur empfangenen
Röntgenstrahlungsdosis
sind. Die Verstärker 719 übertragen
diese Signale zum A/D-Konverter 717. Der A/D-Konverter 717 übersetzt
die Ladungssignale in digitale Werte, die der Rechenvorrichtung 704 zur
Weiterverarbeitung zugeführt
werden. Wenngleich die Funktion der Schaltmatrix hier unter Bezugnahme
auf eine TFT-Matrix beschrieben wurde, dann jedoch nur zur Vereinfachung
der Darstellung. Alternativ können
andere Arten von Schaltvorrichtungen, wie beispielsweise Schaltdioden
(z.B. Einzel- oder Doppeldioden) verwendet werden.
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In
der vorstehenden detaillierten Beschreibung wurde das Verfahren
und die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme
auf spezielle beispielhafte Ausführungsbeispiele
beschrieben. Es ist allerdings offensichtlich, daß verschiedene
Modifikationen und Abänderungen
gemacht werden können,
ohne vom breiteren Sinn und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung
abzuweichen. Insbesondere stellen die verschiedenen Blöcke der
verschiedenen Blockdiagramme funktionelle Blöcke von Verfahren oder Vorrichtungen
dar und zeigen nicht notwendigerweise eine physikalische oder logische Separation
oder eine Operationsreihenfolge auf, die dem Geist oder dem Umfang
der vorliegenden Erfindung innewohnt. Zudem sind die vorstehend
wiedergegebenen Materialien nur beispielhaft, da sie Materialien
repräsentieren,
wie sie in Photoleitern verwendet werden. Es ist einzusehen, daß andere
Halbleitermaterialien oder andere Materialien für die photoleitenden Materialien
oder Schichten verwendet werden könnten. Zudem kann ein beliebiges
Material hoher Dichte verwendet werden, das eine ausreichende Dichte
und Dicke aufweist, um MV-Strahlung in eine ausreichende Anzahl
von hochenergetischen Photoelektronen umzuwandeln, die von einer
Konversionsschicht aufgenommen werden und in eine ausreichende Anzahl
von freien Ladungsträgern
umgewandelt werden, die von einem Pixel-Array aus Dünnfilmelektronik-Kondensatoren und
Transistoren erfaßt werden,
die auf einem Substrat niedriger Dichte ausgebildet sind. Die vorliegende
Beschreibung und Figuren sind demgemäß beispielhaft und nicht einschränkend aufzufassen.