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Gebiet der
Erfindung
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Diese
Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung, welche in vorteilhafter
Weise beim Reinigen einer geschliffenen Rückseite eines Halbleiterwafers,
und dann Bestrahlen der Rückseite
mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung angewandt werden kann,
um einen Oxidfilm auszubilden.
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Beschreibung
des Standes der Technik
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In
der Herstellung einer Halbleitervorrichtung werden zahlreiche rechteckige
bzw. rechtwinkelige Bereiche durch Straßen definiert, die in einem
Gittermuster auf der Seite eines nahezu scheibenförmigen Halbleiterwafers
angeordnet sind, und eine Halbleiterschaltung bzw. ein -schaltkreis
ist bzw. wird in jedem der rechteckigen Bereiche ausgebildet. Dann wird
die Rückseite
des Wafers geschliffen, um die Dicke des Wafers ausreichend zu verringern.
Dann wird der Wafer entlang der Straßen geschnitten, um individuell
die rechteckigen Bereiche zu trennen, wo die Halbleiterschaltungen
ausgebildet wurden, wodurch Halbleitervorrichtungen erhalten werden. Wenn
der Wafer, der die geschliffene Rückseite aufweist, entlang der
Straßen
geschnitten werden soll, ist es übliche
Praxis, ein Schutzklebeband auf die Rückseite des Wafers aufzukleben
bzw. anzuhaften, das aus einem Film oder Blatt aus synthetischem Harz
gebildet ist.
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In
dem üblichen
bzw. gewöhnlichen
Herstellungsverfahren wird die Rückseite
eines Wafers nacheinander durch eine Schleifmaschine geschliffen,
die mit einem Schleifwerkzeug ausgestattet ist, das mit bzw. bei
einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, und die geschliffene Rückseite
wird gereinigt und in einer Kassette aufgenommen. Dann wird die
Kassette, die eine Mehrzahl von Wafern aufgenommen hat, die die
geschliffene Rückseite
aufweisen, zu einer Bandklebemaschine transportiert, wo die Wafer
einer nach dem anderen aus der Kassette entnommen werden, das Schutzklebeband
wird auf die Rückseite
von jedem Wafer geklebt und der Wafer wird in die Kassette aufgenommen.
Dann wird die Kassette, die die Mehrzahl von Wafern aufnimmt, die jeweils
das Schutzklebeband auf der Rückseite
aufgeklebt aufweisen, zu einer Schneidmaschine transportiert, die
mit einem Schneidwerkzeug ausgestattet ist, das mit bzw. bei einer
hohen Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht ist. In der Schneidmaschine werden
die Wafer sequentiell von der Kassette entnommen und entlang der
Straßen
geschnitten.
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In
der letzten Zeit wurde es praktisch gefunden, ein Schleifen, Kleben
des Schutzklebebandes und Schneiden unter dem Inline-System auszuführen, um
die Produktivität
zu erhöhen.
Das Ausführen eines
Schleifens, Klebens des Schutzklebebands und Schneidens unter dem
Inline-System hat jedoch gezeigt, daß es die folgenden Probleme
stellt: Es kann ein Fall eintreten, wo der Wafer, dessen Rückseite
durch die Schleifmaschine geschliffen und gereinigt wurde, in der
Kassette aufgenommen ist, die Kassette zu der Bandklebemaschine
transportiert wird, und dann das Schutzklebeband auf die Rückseite
des Wafers in der Bandklebemaschine geklebt wird. In diesem Fall
vergeht eine bemerkenswerte Zeit von dem Zeitpunkt, wenn die Rückseite
des Wafers geschliffen und gereinigt wird, bis zu der Zeit, wenn
das Schutzklebeband auf die Rückseite
des Wafers geklebt wird. Somit wird, bevor das schützende bzw.
Schutzklebeband auf die Rückseite
des Wafers geklebt ist bzw. wird, die Rückseite des Wafers oxidiert,
um einen Oxidfilm auszubilden. Mit dem Inline-System wird andererseits,
bevor eine ausreichende Zeit vergangen ist, nachdem die Rückseite
des Wafers geschliffen und gereinigt ist, das Schutzklebeband auf
die Rückseite
des Wafers geklebt, so daß die
Rückseite
des Wafers im wesentlichen frei von Oxidation ist. Wenn das Schutzklebeband
auf die Rückseite
des Wafers ohne wesentliche Ausbildung des Oxidfilms auf der Rückseite
des Wafers aufgeklebt ist, können
die folgenden Ereignisse auf- bzw. eintreten: (1) Affinität zwischen
der Rückseite
des Wafers und der Kleberschicht des Schutzklebebands ist so hoch,
daß die
Freigabe der individuellen Halbleitervorrichtungen von dem Schutzklebeband
nach einem Schneiden des Wafers schwierig ist, womit eine hohe Wahrscheinlichkeit
einer Beschädigung bzw.
eines Schadens der Halbleitervorrichtung mit sich gebracht wird,
wenn sie von dem Schutzklebeband abgelöst wird. (2) Metallionen, welche
in den Wafer während
einer Ausbildung der Halbleiterschaltungen bzw. -schalt kreise eintreten,
bewegen sich frei innerhalb des Wafers, und können die Funktion der Halbleiterschaltung
verschlechtern.
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Um
die oben erwähnten
Probleme zu lösen, offenbart
die japanische, nicht geprüfte
Patentpublikation Nr. 2005-72140 die Einbringung in das Inline-System
von Bestrahlungsmitteln, um die geschliffene und gereinigte Rückseite
des Wafers mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung zu bestrahlen,
um die Rückseite
des Wafers zu oxidieren, bevor das Schutzklebeband auf die Rückseite
des Wafers geklebt wird. In ähnlicher
Weise offenbart die nicht geprüfte,
japanische Patentpublikation Nr. 2005-85925 die Einbringung in das
Inline-System von Wasserstoffperoxid-Zufuhrmitteln, um die geschliffene
und gereinigte Rückseite
des Wafers mit einer wäßrigen Lösung von
Wasserstoffperoxid zu versorgen, um die Rückseite des Wafers zu oxidieren,
bevor das Schutzklebeband auf die Rückseite des Wafers geklebt
wird.
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Jedoch
ist die in der obigen japanischen, nicht geprüften Patentpublikation Nr.
2005-72140 geoffenbarte Art nicht vollständig zufriedenstellend, sondern
hat das Problem, daß,
da die Bestrahlungsmittel angeordnet sind, ein bemerkenswert großer Raum
für das
Inline-System erforderlich ist.
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Die
in der oben erwähnten,
japanischen, nicht geprüften
Patentpublikation Nr. 2005-85925 geoffenbarte Art erfordert andererseits,
daß, nachdem die
wäßrige Lösung von
Wasserstoffperoxid zugeführt
ist, um die Rückseite
des Wafers zu oxidieren, die Rückseite
des Wafers gereinigt wird, um die wäßrige Lösung von Wasserstoffperoxid
sorgfältig
zu entfernen, wodurch das Problem mit sich gebracht wird, daß die Zeit
für das
Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren exzessiv verlängert ist.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist daher ein Hauptgegenstand bzw. -ziel der vorliegenden Erfindung,
eine neue und verbesserte Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung
zur Verfügung
zu stellen, welche eine geschliffene und gereinigte Rückseite
eines Wafers unter dem Inline-System oxidieren kann, ohne exzessiv
einen erforderlichen Raum zu vergrößern und ohne exzessiv die
Zeit des Halbleiter-Herstellungsverfahrens zu verlängern.
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Der
Erfinder hat sorgfältige
Studien ausgeführt
und hat gefunden, daß der
obige Hauptgegenstand erzielt werden kann, indem eine Reinigungsvorrichtung
zum Reinigen der geschliffenen Rückseite
eines Halbleiterwafers und Bestrahlungsmittel zum Bestrahlen der
Rückseite
des Halbleiterwafers mit kurzwelligem, ultraviolettem Licht bzw.
ultraviolettem Licht kurzer Wellenlänge kombiniert werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird als eine Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung zum Erzielen
des obigen Hauptgegenstands eine Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung
zur Verfügung
gestellt, umfassend ein Gehäuse,
Haltemittel, die drehbar bzw. rotierbar in dem Gehäuse angeordnet
sind, Rotations- bzw. Drehmittel zum Drehen der Haltemittel und
Reinigungsmittel zum Reinigen eines Halbleiterwafers, der auf den
Haltemitteln gehalten ist, weiterhin umfassend:
Bestrahlungsmittel,
die zum Bestrahlen des Halbleiterwafers, der auf den Haltemitteln
gehalten ist, mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung angeordnet
sind.
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Vorzugsweise
ist ein Teil des Gehäuses durch
ein Verschlußglied
definiert, das zwischen einer verschließenden bzw. Verschlußposition
und einer öffnenden
bzw. Öffnungsposition
bewegbar ist; wenn das Verschlußglied
an der Ver schlußposition angeordnet
ist, ist das Gehäuse
im wesentlichen geschlossen, und wenn das Verschlußglied an
der Öffnungsposition
angeordnet ist, ist eine Öffnung
in dem Gehäuse
ausgebildet; und der Halbleiterwafer kann in das Gehäuse getragen
und aus dem Gehäuse durch
die Öffnung
getragen werden. Vorzugsweise sind die Haltemittel montiert bzw.
festgelegt, um um eine zentrale Achse drehbar zu sein, die sich
im wesentlichen vertikal erstreckt, und weisen eine im wesentlichen
horizontale, haltende obere Oberfläche auf; die Reinigungsmittel
beinhalten Reinigungsfluid-Sprüh- bzw. -Austragsmittel
und Trockengas-Sprühmittel;
und die Reinigungsfluid-Sprühmittel und
Trockengas-Sprühmittel
sind selektiv an einer Betätigungsposition,
wo ein Spritz- bzw. Sprühendabschnitt
von jedem der Reinigungsfluid-Sprühmittel und der Trockengas-Sprühmittel
einander gegenüberliegen
und über
der haltenden oberen Oberfläche
der Haltemittel angeordnet sind und über dieser stehen, und einer
Nicht-Betätigungsposition
angeordnet, wo der Sprühendabschnitt
von der haltenden oberen Oberfläche
der Haltemittel zurückweicht
bzw. zurückgezogen
ist. Vorzugsweise beinhalten die Bestrahlungsmittel eine Bestrahlungseinheit,
die Bestrahlungslampen mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung
aufweisen, und die Bestrahlungseinheit ist selektiv an einer Betätigungsposition,
wo die Bestrahlungseinheit der haltenden oberen Oberfläche der
Haltemittel in dem Gehäuse
gegenüberliegt
und über
dieser steht, und einer Nicht-Betätigungsposition angeordnet,
wo die Bestrahlungseinheit außerhalb
des Gehäuses
angeordnet ist. Vorzugsweise beinhalten die Bestrahlungsmittel ein
Abstütz-
bzw. Supportglied, das in der Bestrahlungseinheit montiert bzw.
festgelegt ist; das Supportglied und die Bestrahlungseinheit, die
auf dem Supportglied montiert bzw. festgelegt ist, sind bzw. werden
durch eine zusätzliche Öffnung bewegt,
die in der Wand des Gehäuses ausgebildet
ist, wodurch die Bestrahlungseinheit selektiv an der Bestätigungsposition
und der Nicht-Betätigungsposition
angeordnet ist; und das Supportglied weist einen ersten Verschlußabschnitt
zum im wesentlichen Verschließen
der zusätzlichen Öffnung, wenn
die Bestrahlungseinheit an der Betätigungsposition angeordnet
ist, und einen zweiten Verschlußabschnitt
zum im wesentlichen Verschließen
der zusätzlichen Öffnung auf,
wenn die Bestrahlungseinheit an der Nicht-Betätigungsposition angeordnet
ist.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht, die ein System zeigt, das eine bevorzugte
Ausbildung einer Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung inkorporiert
bzw. aufnimmt, die in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist.
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2 ist
eine perspektivische Ansicht, die ein typisches Beispiel eines Halbleiterwafers
zeigt, der mit dem System von 1 behandelt
ist bzw. wird.
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3-A und 3-B sind
Vorderansichten, teilweise im Schnitt, der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung,
die in das System von 1 inkorporiert ist.
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4-A und 4-B sind
Draufsichten, teilweise im Schnitt, der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung,
die in das System von 1 inkorporiert ist.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
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Bevorzugte
Ausbildungen einer Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung werden nun in weiterem Detail unter Bezugnahme auf die
beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt
ein typisches Beispiel eines Systems zum Schleifen, Reinigen und
Oxidieren der Rückseite
eines Halbleiterwafers, wobei das System eine bevorzugte Ausbildung
einer Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung inkorporiert bzw. aufnimmt,
die in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet bzw. aufgebaut ist. Dieses System
hat ein Gehäuse,
das insgesamt bzw. vollständig
mit Bezugszeichen 2 bezeichnet ist, und das Gehäuse 2 hat
einen rechteckigen, parallelepipedischen Hauptabschnitt 4,
der sich in einer länglichen Weise
erstreckt. Eine aufrechte bzw. aufgerichtete Wand 5, die
sich im wesentlichen vertikal und nach oben erstreckt, ist in bzw.
an einem rückwärtigen Endabschnitt
des Hauptabschnitts 4 angeordnet.
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Ein
Drehtisch 6 ist an der oberen Oberfläche einer rückwärtigen Hälfte des Hauptabschnitts 4 des Gehäuses 2 angeordnet.
Der Drehtisch 6 ist montiert bzw. festgelegt, um um eine
zentrale Achse drehbar zu sein, die sich im wesentlichen vertikal
erstreckt. Ein geeigneter, elektrischer Motor (nicht gezeigt) ist antreibbar
mit dem Drehtisch 6 verbunden, um den Drehtisch 6 intermittierend
um einen Winkel von 120 Grad zu drehen. Drei Ansaug- bzw. Einspannmittel 8 sind
auf dem Drehtisch 6 mit einem gleichen Winkelabstand in
Umfangsrichtung angeordnet. Jedes der Einspannmittel 8 besteht
aus einer porösen Scheibe,
die montiert ist, um um eine zentrale Achse drehbar zu sein, die
sich im wesentlichen vertikal erstreckt. Ein geeigneter Elektromotor
(nicht gezeigt) ist antreibbar mit jedem der Einspannmittel 8 verbunden,
um jedes der Einspannmittel 8 mit bzw. bei einer geeigneten
Geschwindigkeit bzw. Drehzahl zu drehen. Eine Vakuumquelle (nicht
gezeigt) ist selektiv in Wechselwirkung bzw. Verbindung mit den
Einspannmitteln 8 gebracht und, wie dies später erwähnt werden
wird, ein Halbleiterwafer, der auf den Einspannmitteln 8 angeordnet
ist, wird unter Vakuum auf die Einspannmittel 8 angezogen.
Der Drehtisch 6 ist bzw. wird intermittierend um 120 Grad
gedreht, wodurch jedes der Einspannmittel 8 sukzessive
in einer Eintrags- und Austragszone 10, einer Grobschleifzone 12 und
einer Präzisionsschleifzone 14 positioniert
ist bzw. wird.
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In
der aufgerichteten Wand 5 sind Grobschleifmittel, die insgesamt
mit dem Bezugszeichen 16 bezeichnet sind, um die Rückseite
des Wafers grob zu schleifen, der mittels Vakuum auf die Einspannmittel 8 angezogen
ist, die in der Grobschleifzone 12 angeordnet sind, und
Präzisionsschleifmittel angeordnet,
die insgesamt mit dem Bezugszeichen 18 bezeichnet sind,
um die Rückseite
des Wafers präzisionszuschleifen,
der mittels Vakuum auf die Einspannmittel 8 angezogen ist
bzw. wird, die in der Präzisionsschleifzone 14 angeordnet
sind. Die Grobschleifmittel 16 sind mit einem Grobschleifwerkzeug 20 ausgestattet,
das mit bzw. bei einer hohen Geschwindigkeit gedreht wird, während die
Präzisionsschleifmittel 18 mit
einem Präzisionsschleifwerkzeug 22 ausgestattet
bzw. ausgerüstet
sind, das bei einer hohen Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht
ist bzw. wird.
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Eine
Kassetten-Eintragszone 24, eine Wafer-Entnahmezone 26,
Transportmittel 28 und Wafer-Akzeptanzmittel 30 sind
auf der oberen Oberfläche
einer vorderen Hälfte
des Hauptabschnitts 4 des Gehäuses 2 angeordnet.
Transfer- bzw. Übertragungsmittel 32 und 34 sind
auf der oberen Oberfläche
eines zwischenliegenden bzw. Zwischenabschnitts des Hauptabschnitts 4 des
Gehäuses 2 angeordnet.
Eine Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung, die in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist und insgesamt mit
dem Bezugszeichen 36 angezeigt bzw. bezeichnet ist, ist weiterhin
in dem dargestellten bzw. illustrierten System angeordnet. Die Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 wird
später
im Detail beschrieben. Transportmittel 37 sind in bezug
auf die Wafer-Entnahmezone 26 angeordnet.
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Eine
Kassette 38, die eine Mehrzahl von Halbleiterwafern aufnimmt,
ist an der Kassetten-Eintragszone 24 angeordnet. 2 zeigt
ein typisches Beispiel des Halbleiterwafers. Ein Wafer 40,
der ein Siliziumwafer sein kann, ist nahezu insgesamt scheibenförmig und
eine Orientierungskerbe 41 ist an seiner Umfangskante ausgebildet.
Auf der Seite bzw. Fläche
des Wafers 40 sind Straßen 43 in einem Gittermuster
angeordnet und zahlreiche, rechteckige bzw. rechtwinkelige Bereiche 45 sind
definiert. Eine erforderliche Halbleiterschaltung ist in jedem der rechteckigen
Bereiche 45 ausgebildet. Falls erforderlich, ist ein Schutzklebeband
(nicht gezeigt) auf die Seite des Wafers 40 geklebt.
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Unter
weiterem Bezug auf 1 entnehmen die Transportmittel 28 die
Wafer 40 einen nach dem anderen von der Kassette 38,
die nach innen in die Kassetten-Eintragszone 24 getragen
ist, und ordnen die Wafer 40 mit der Rückseite nach oben zeigend auf
den Wafer-Akzeptanzmitteln 30 an. Die Transportmittel 32 tragen
die Wafer 40 auf die Wafer-Akzeptanzmittel 30 nach
innen auf die Ansaug- bzw. Einspannmittel 8, die in der
Wafer-Eintrags- und -Austragszone 10 angeordnet sind. Der
Wafer 40, der mit seiner Rückseite nach oben zeigend und
freiliegend bzw. freigelegt auf die Einspannmittel 8 gefördert wird,
ist bzw. wird in der Grobschleifzone 12 gemeinsam mit den
Einspannmitteln 8 nach bzw. bei einer 120 Grad Rotation
des Drehtisches 6 angeordnet. In der Grobschleifzone 12 werden
die Einspannmittel 8 gedreht und das Grobschleifwerkzeug 20 der Grobschleifmittel 16 wird
auch mit bzw. bei einer hohen Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht
und gegen die Rückseite
des Wa fers 40 auf den Einspannmitteln 8 gepreßt bzw.
gedrückt,
wodurch die Rückseite
des Wafers 40 grob geschliffen wird. Dann wird der Drehtisch 6 um
120 Grad gedreht, worauf die Einspannmittel 8, die durch
Vakuum den Wafer 40 anziehen, der die Rückseite grob geschliffen aufweist,
in der Präzisionsschleifzone 14 angeordnet
werden. In der Präzisionsschleifzone 14 werden
die Einspannmittel 8 rotiert und das Präzisionsschleifwerkzeug 22 der
Präzisionsschleifmittel 18 wird
ebenfalls bei einer hohen Geschwindigkeit gedreht und gegen die
Rückseite
des Wafers 40 auf den Einspannmitteln 8 gepreßt, wodurch
die Rückseite
des Wafers 40 präzisionsgeschliffen
wird. Dann wird der Drehtisch 6 um 120 Grad gedreht, worauf
der Wafer 40, der die Rückseite
präzisionsgeschliffen
aufweist, in der Eintrags- und Austragszone 10 positioniert
ist bzw. wird. Dann wird der Wafer 40, der in der Eintrags-
und Austragszone 10 angeordnet ist, in die Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 durch
die Transportmittel 34 getragen. In der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 wird
die geschliffene Rückseite des
Wafers 40 gereinigt und oxidiert. Dann wird der Wafer 40,
der die Rückseite
gereinigt und oxidiert aufweist, aus der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 durch
die Transportmittel 28 getragen und auf der Wafer-Entnahmezone 26 angeordnet. Der
Wafer 40, der auf der Wafer-Entnahmezone 26 angeordnet
ist, wird durch die Transportmittel 37 zu einer Bandklebemaschine
(nicht gezeigt) transportiert, um ein schützendes bzw. Schutzklebeband
auf die Rückseite
des Wafers 40 zu kleben.
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Die
Merkmale in dem oben beschriebenen System, welche verschieden von
jenen der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 sind,
können
im wesentlichen dieselben wie die Merkmale des Systems sein, das
beispielsweise in U.S. Patent 6,582,287 geoffenbart ist. Somit wird
eine Erklärung hier
für die
Merkmale in dem oben beschriebenen System weggelassen, welche verschieden
von jenen der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 sind.
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Als
nächstes
wird die Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 im Detail unter
Bezugnahme auf 3-A, 3-B und 4-A, 4-B gemeinsam
mit 1 beschrieben. Die Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 beinhaltet
ein Gehäuse 42.
Das Gehäuse 42 wird
teilweise durch eine obere Oberflächenwand des Hauptabschnitts 4 des Gehäuses 2,
wie zuvor ausgeführt,
ein stationäres Glied 44,
das an der oberen Oberfläche
des Hauptabschnitts 4 festgelegt ist, und ein Verschlußglied 46 definiert,
das an dem Hauptabschnitt 4 festgelegt ist, um anhebbar
und absenkbar zu sein. Das stationäre Glied 44 hat eine
rechteckige Seitenwand 48, die sich im wesentlichen vertikal
und nach oben von der oberen Oberfläche des Hauptabschnitts 4 erstreckt,
und eine obere Wand 50, die sich von der oberen Kante bzw.
dem oberen Rand der Seitenwand 48 im wesentlichen horizontal
und nach rechts in 3-A und 3-B erstreckt.
Die obere Wand 50 hat einen rechteckigen Hauptabschnitt
und einen trapezförmigen
bzw. trapezoidalen, vorderen Endabschnitt. Das Verschlußglied 46 erstreckt
sich in einer Draufsicht entlang der Umfangskante der oberen Wand 50 des stationären Glieds 44.
Geeignete Hebemittel (nicht gezeigt) sind an das Verschlußglied 46 so
angeschlossen bzw. festgelegt, daß das Verschlußglied 46 zwischen
einer Öffnungsposition,
die durch 3-A und 4-A angedeutet
bzw. dargestellt ist, und einer Verschlußposition angehoben und abgesenkt
wird, die in 3-B und 4-B dargestellt
ist. Wenn das Verschlußglied 46 zu
der Öffnungsposition bewegt
ist bzw. wird, wird der größte Anteil
der Seitenoberfläche
des Gehäuses 42 (d.h.
ein Abschnitt, welcher verschieden von dem Abschnitt ist, der durch die
Seitenwand 48 des stationären Glieds 44 definiert ist)
offen gemacht. Wenn das Verschlußglied 46 zu der Verschlußposition
bewegt ist bzw. wird, ist das Gehäuse 42 im wesentlichen
geschlossen.
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Rotierende
Mittel 52, welche ein Elektromotor sein können, sind
in dem Hauptabschnitt 4 des Gehäuses 2 angeordnet,
und eine Ausgangs- bzw. Abtriebswelle 54 der Rotationsmittel 52 durchdringt die
obere Oberflächenwand
des Hauptabschnitts 4 und ragt in das Gehäuse 42 vor.
Haltemittel 56, welche aus einer porösen Scheibe zusammengesetzt sein
können,
sind an dem oberen Ende der Abtriebswelle 54 festgelegt.
Die Haltemittel 56 sind bzw. werden selektiv in Wechselwirkung
bzw. Verbindung mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) über einen
Kommunikationsdurchtritt (nicht gezeigt) gebracht, der in der Abtriebswelle 54 ausgebildet
ist, um unter Vakuum den Wafer 40 anzuziehen, der auf der
oberen Oberfläche
der Haltemittel 56 angeordnet ist.
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Reinigungsmittel 58 sind
in der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 angeordnet.
In der illustrierten Ausbildung beinhalten die Reinigungsmittel 58 Reinigungsfluid-Sprühmittel 60 und
Trockengas-Sprühmittel 62.
Die Reinigungs-Sprühmittel 60 bestehen
aus einem Strahl- bzw. Spritz- bzw. Sprührohr, welches die obere Oberflächenwand
des Hauptabschnitts 4 des Gehäuses 2 penetriert
bzw. durchdringt, in das Gehäuse 42 vorragt,
sich im wesentlichen vertikal und nach oben in einem Eckabschnitt des
Gehäuses 42 erstreckt,
sich dann im wesentlichen horizontal erstreckt und weiterhin nach
unten erstreckt. Eine Düse
(nicht gezeigt) ist an einem spritzenden bzw. Sprühendabschnitt
des Sprührohrs
angeordnet. Die Trockengas-Sprühmittel 62 sind
in gleicher Weise aus einem Spritz- bzw. Strahl- bzw. Sprührohr zusammengesetzt,
welches die obere Oberflächenwand
des Hauptabschnitts 4 des Gehäuses 2 durchdringt,
in das Gehäuse 42 vorragt,
sich im wesentlichen vertikal und nach oben in dem Eckabschnitt
des Gehäuses 42 erstreckt,
sich dann im wesentlichen horizontal erstreckt und sich weiterhin nach
unten erstreckt. Eine Düse
(nicht gezeigt) ist in ähnlicher
Weise an einem Spritz- bzw. Strahlendabschnitt des Strahl- bzw.
Sprührohrs
angeordnet. Wie aus 3-A, 3-B und 4-A, 4-B verstanden
wird, erstreckt sich das Trockengas-Strahl- bzw. -Sprührohr entlang
des Reinigungsfluid-Sprührohrs
nach innen und nach unten von dem Reinigungsfluid-Strahlrohr. Bewegungsmittel
(nicht gezeigt), welche elektromagnetische Solenoide sein können, sind
an den Reinigungsfluid-Sprühmitteln 60 und
den Trockengas-Sprühmitteln 62 angelenkt
bzw. festgelegt, so daß die
Reinigungsfluid-Sprühmittel 60 und
die Trockengas-Sprühmittel 62 selektiv
an einer Nicht-Betätigungsposition,
die durch durchgezogene Linien in 3-B, 4-A und 4-B dargestellt bzw.
angedeutet ist, und einer Betätigungsposition angeordnet
sind, die durch durchgezogene Linien in 3-A angedeutet
ist und durch doppelt gepunktete Linien in 4-A angedeutet
ist. Wenn die Reinigungsfluid-Sprühmittel 60 und die
Trockengas-Sprühmittel 62 an
der Betätigungsposition
angeordnet sind, liegen ihre Sprühendabschnitte
einer haltenden oberen Oberfläche
der Haltemittel 56 gegenüber und liegen bzw. verbleiben über dieser
haltenden oberen Oberfläche.
Wenn die Reinigungsfluid-Sprühmittel 60 und
die Trockengas-Sprühmittel 62 an
der Nicht-Betätigungsposition
angeordnet sind, ziehen sich ihre Sprühendabschnitte von der haltenden
oberen Oberfläche
der Haltemittel 56 zurück
und verbleiben in einer Seitenposition des Gehäuses 42. Ein Reinigungsfluid,
welches reines Wasser sein kann, wird, wie geeignet, zu den Reinigungsfluid-Sprühmitteln 60 zugeführt. Ein
trocknendes bzw. Trockengas, welches heiße Luft sein kann, wird, wie geeignet,
zu den Trockengas-Sprühmitteln 62 zugeführt.
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Indem
weiter auf 3-A, 3-B und 4-A, 4-B gemeinsam
mit 1 Bezug genommen wird, sind Bestrahlungsmittel 66 zum
Bestrahlen der Rückseite
des Wafers 40 mit kurzwelligem, ultraviolettem Licht bzw.
ultraviolettem Licht kurzer Wellenlänge in der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 angeordnet.
In der illustrierten Ausbildung ist ein Gehäuse 68 benachbart
dem Hauptabschnitt 4 des Gehäuses 2 angeordnet
und ein hydraulischer Schieber 70, der sich im wesentlichen
horizontal erstreckt, ist an der oberen Oberfläche des Gehäuses 68 montiert bzw.
festgelegt. Ein Abstütz-
bzw. Supportglied 74 ist an dem vorderen Ende eines Schieberglieds 72 des
Schiebers 70 festgelegt. Das Supportglied 74 hat
einen Hauptabschnitt 76, der sich horizontal erstreckt,
einen verschließenden
bzw. Verschlußabschnitt 78,
der im wesentlichen vertikal von einem Ende des Hauptabschnitts 76 hinunterhängt, und
einen Verschlußabschnitt 80,
der im wesentlichen vertikal von dem anderen Ende des Hauptabschnitts 76 hinunterhängt. Eine
Bestrahlungseinheit 82 ist an der unteren Oberfläche des
Hauptabschnitts 76 des Supportglieds 74 montiert
bzw. angeordnet. Die Bestrahlungseinheit 82 beinhaltet
eine Mehrzahl von Emissionslampen (nicht gezeigt), welche kurzwellige,
ultraviolette Strahlung emittieren, die eine Wellenlänge von
150 bis 300 nm aufweist. Eine Bestrahlungseinheit, die unter dem
Handelsnamen "Excimer
VUV/O3" durch USHIO
INC., Japan, verkauft wird, kann als die bevorzugte Bestrahlungseinheit
bezeichnet bzw. genannt werden. Eine derartige Bestrahlungseinheit beinhaltet
eine Mehrzahl von Exzimer- bzw.
Erregungslampen, welche kurzwellige, ultraviolette Strahlung aussenden,
die eine Wellenlänge
von 172 nm aufweist. Eine Bestrahlungseinheit, beinhaltend Niederdruck-Quecksilberlampen,
welche kurzwellige, ultraviolette Strahlung aussenden, die eine
Wellenlänge
von 185 nm aufweist, können
statt der Bestrahlungseinheit, enthaltend die Erregungslampen, verwendet
werden. Eine zusätzliche Öffnung 84 einer Form
entsprechend der Form der Verschlußabschnitte 78 und 80 des
Supportglieds 74 ist in der Seitenwand 48 des
stationären
Glieds 44 ausgebildet, das das Gehäuse 42 definiert.
Wenn das Schiebeglied 72 des Schiebers 70 expandiert
wird und zusammengezogen wird, werden das Supportglied 74 und
die Bestrahlungseinheit 82, die daran montiert bzw. angeordnet
sind, durch die zusätzliche Öffnung 84 bewegt.
In dem Zustand, der in 3-A und 4-A gezeigt ist, ist die Bestrahlungseinheit 82 an
einer Nicht-Betätigungsposition
angeordnet und ist außerhalb
des Gehäuses 42 positioniert.
In diesem Zustand ruht der Verschlußabschnitt 78 des
Supportglieds 74 in der zusätzlichen Öffnung 84, um sie
im wesentlichen zu schließen.
In dem Zustand, der in 3-B und 4-B gezeigt ist, ist die Bestrahlungseinheit 82 an
einer Betätigungsposition
angeordnet und liegt der haltenden oberen Oberfläche der Haltemittel 56 innerhalb
des Gehäuses 42 gegenüber und
liegt über
dieser. In diesem Zustand ruht der Verschlußabschnitt 80 des
Supportglieds 74 in der zusätzlichen Öffnung 84, um sie
im wesentlichen zu schließen.
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Die
Wirkungen der oben beschriebenen Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 werden beschrieben.
Wie in 3-A und 4-A gezeigt, wird,
wenn sich das Verschlußglied 46 an
der Öffnungsposition
angeordnet befindet, der Wafer 40 auf den Einspannmitteln 8,
die in der Eintrags- und Austragszone 10 positioniert sind
(nämlich
der Wafer 40, der seine Rückseite grob geschliffen und
präzisionsgeschliffen
aufweist) nach innen auf die Haltemittel 56 der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung 36 durch
die Transportmittel 34 getragen. Dann wird das Verschlußglied 46 zu
der Verschlußposition
bewegt, die in 3-B und 4-B gezeigt
ist, um das Gehäuse 42 zu
verschließen.
Der Wafer 40, der auf den Haltemitteln 56 angeordnet
ist, mit der Rückseite desselben
nach oben zeigend und freigelegt, wird an die obere Oberfläche der
Haltemittel 56 mittels Vakuum angezogen. Die Reinigungsfluid-Sprühmittel 60 und
die Trockengas-Sprühmittel 62,
die die Reinigungsmittel 58 ausbilden, sind an der Betätigungsposition
angeordnet, die durch die durchgezogene Linie in 3-A angedeutet ist und die durch doppelt punktierte
Linien in 4-A angedeutet bzw. gezeigt ist.
Dann werden die Haltemittel 56 gedreht und das Reinigungsfluid
wird von den Reinigungsfluid-Sprühmitteln 60 zu
der Rückseite
des Wafers 40 gespritzt bzw. gesprüht, wodurch die Rückseite
des Wafers 40 gereinigt wird. Dann wird das Spritzen bzw.
Sprühen des
Reinigungsfluids gestoppt und das trocknende bzw. Trockengas wird
von den Trockengas-Sprühmitteln 62 zu
der Rückseite
des Wafers 40 gesprüht,
wodurch die Rückseite
des Wafers 40 getrocknet wird. Dann wird die Rotation der
Haltemittel 56 gestoppt und die Reinigungsfluid-Strahlmittel 60 und
die Trockengas-Strahlmittel 62, die die Reinigungsmittel 58 darstellen
bzw. ausbilden, werden zu der Nicht-Betätigungsposition bewegt, die
durch die durchgezogene Linien in 3-B, 4-A und 4-B angedeutet
ist. Dann werden das Supportglied 74 der Bestrahlungsmittel 66 und
die Bestrahlungseinheit 82, die auf dem Supportglied 74 montiert
ist, von der Nicht-Betätigungsposition,
die in 3-A und 4-A gezeigt
ist, zu der Betätigungsposition
bewegt, die in 3-B und 4-B gezeigt
ist. Dann wird die Rotation der Haltemittel 56 wieder aufgenommen
und die Bestrahlungseinheit 82 wird mit Energie versorgt.
Somit wird die Rückseite
des Wafers 40 mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung
bestrahlt, wodurch die Rückseite
des Wafers 40 oxidiert wird, um einen Oxidfilm auszubilden.
Dann wird die Rotation der Haltemittel 56 gestoppt und
die Bestrah lungseinheit 82 wird abgeschaltet bzw. deenergetisiert.
Dann werden das Supportglied 74 und die Bestrahlungseinheit 82,
die darauf montiert ist, zu der Nicht-Betätigungsposition bewegt, die
in 3-A und 4-A gezeigt
ist, und das Verschlußglied 46 wird
zu der Öffnungsposition
bewegt, die in 3-A und 4-A gezeigt
ist. Dann wird der Wafer 40 auf den Haltemitteln 56 aus
der Wafer-Entnahmezone 26 durch die Transportmittel 28 getragen.
Dann wird der nächste
Wafer 40 auf den Einspannmitteln 8, die in der
Eintrags- und Austragszone 10 positioniert sind, nach innen
auf die Haltemittel 56 durch die Transportmittel 34 getragen.
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Wie
dies gut bekannt ist, resultiert, wenn der Wafer 40 ein
Siliziumwafer ist, eine Bestrahlung seiner Rückseite mit kurzwelliger, ultravioletter
Strahlung in der Generation bzw. Ausbildung von aktivem Sauerstoff.
Falls gewünscht,
können
geeignete Abgasmittel (nicht gezeigt) an das Gehäuse 42 angeschlossen
bzw. festgelegt sein, und nach einer Bestrahlung der Rückseite
des Wafers 40 mit kurzwelliger, ultravioletter Strahlung
können
die Abgasmittel mit Energie versorgt bzw. eingeschaltet werden,
um den aktiven Sauerstoff in dem Gehäuse 42 zur Außenseite
des Gehäuses 42 auszutragen.
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Während die
bevorzugten Ausbildungen der Halbleiterwafer-Behandlungsvorrichtung,
die in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung konstruiert bzw. gebildet ist, im
Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben
wurden, ist es zu verstehen, daß die
vorliegende Erfindung nicht auf derartige Ausbildungen beschränkt ist,
sondern verschiedene Änderungen
und Modifikationen ohne Verlassen des Rahmens der vorliegenden Erfindung
gemacht werden können.