DE102006028259A1 - Licht emittierende Diode und Material zur Wellenlängenwandlung - Google Patents

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Abstract

Ein Material zur Wellenlängenwandlung, umfassend einen Aktivator zur Wellenlängenwandlung und ein Streuelement, wird zur Verfügung gestellt. Der Aktivator zur Wellenlängenwandlung ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge lambda<SUB>1</SUB> aktivierbar ist und dann Licht einer Wellenlänge lambda<SUB>2</SUB> emittiert. Das Streuelement ist auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung vorgesehen. Das Streuelement ist ausgebildet, um ein erstes Licht und ein zweites Licht zu streuen, das auf die Oberfläche eingestrahlt wird. Das Ergebnis ist, dass das Streuelement auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung den Abstand von zwei benachbart angeordneten Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung vergrößert. Dabei können die Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung ausreichend aktiviert werden, um Licht einer Wellenlänge lambda<SUB>2</SUB> zu emittieren, wobei das Material zur Wellenlängenwandlung mit Licht einer Wellenlänge lambda<SUB>1</SUB> bestrahlt wird. Dadurch ist die Helligkeit der LED mit dem Material zur Wellenlängenwandlung verbessert.

Description

  • Die gegenwärtige Erfindung bezieht sich auf eine Licht emittierende Diode und ein Material zur Wellenlängenwandlung. Im Besonderen bezieht sich die gegenwärtige Erfindung auf eine Licht emittierende Diode, die eine hohe Helligkeit besitzt und ein Material zur Wellenlängenwandlung für diese Diode.
  • 1 ist eine schematische Ansicht einer konventionellen Licht emittierenden Diode (LED). Die LED 100 umfasst einen Träger 110, einen blauen LED-Chip 120 und eine Kapselung 130 aus gelbem Phosphor. Der blaue LED-Chip 120 ist auf dem Träger 110 vorgesehen und mit dem Träger 100 elektrisch über einen Bond-Draht 140 verbunden. Der blaue LED-Chip 120 ist zur Emission von blauem Licht ausgebildet.
  • Die Kapselung 130 aus gelbem Phosphor ist direkt auf dem blauen LED-Chip 120 aufgebracht und ist im Beleuchtungsbereich des blauen Lichts vorgesehen. Die Kapselung 130 aus gelbem Phosphor umfasst ein transparentes Material 132 und gelben Phosphor 134, wobei der gelbe Phosphor 134 gleichmäßig im transparenten Material 132 verteilt ist. Der gelbe Phosphor 134 ist geeignet, durch das von dem blauen LED-Chip 120 emittierte blaue Licht angeregt zu werden, um gelbes Licht zu emittieren. Die LED 100 kann als Weißlichtquelle benutzt werden, nachdem das blaue Licht und das gelbe Licht in geeigneter Weise gemischt werden.
  • 2 ist eine vergrößerte schematische Ansicht der Region A aus 1. Wie in 2 dargestellt, ist der gelbe Phosphor 134 gleichmäßig im transparenten Material 132 verteilt, dennoch kommt es oft zu einer Aggregation des gelben Phosphors 134, wie durch den gelben Phosphor 134a bis 134c in 2a dargestellt. So kommt es beispielsweise dazu, dass gelber Phosphor (wie z.B. 134a) durch den anderen Phosphor (wie z.B. 134b und 134c) abgeschirmt wird, so dass dieser nicht durch das blaue Licht bestrahlt werden kann. Somit führt die Aggregation zu einer schlechten Effizienz der Wellenlängenwandlung des gelben Phosphors 134.
  • Ferner wird im Stand der Technik ein Streuelement oder Luftblasen in die Kapselung 130 aus gelbem Phosphor eingebracht, um blaues Licht und gelbes Licht in der LED 100 gleichmäßig zu mischen. Das Streuelement oder die Luftblasen sind gleichmäßig mit dem gelben Phosphor 134 gemischt. Das Streuelement und die Luftblasen sind gegenüber dem Licht unempfindlich und besitzen bevorzugt eine Reflektivität. Dennoch verzehrt dieses Verfahren einen bestimmten Anteil des Lichts und verringert somit die Helligkeit der Leuchtdiode 100.
  • Eine Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung ist, ein Material zur Wellenlängenwandlung zur Verfügung zu stellen, welches eine hohe Effizienz zur Wellenlängenwandlung aufweist.
  • Eine andere Aufgabe der gegenwärtigen Erfindung ist, eine LED zur Verfügung zu stellen, die eine große Helligkeit aufweist.
  • Das Material zur Wellenlängenwandlung, welches von der gegenwärtigen Erfindung zur Verfügung gestellt wird, umfasst einen Aktivator zur Wellenlängenwandlung und ein Streuelement. Der Aktivator zur Wellenlängenwandlung ist geeignet, durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 angeregt zu werden, um somit Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren. Das Streuelement ist auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung vorgesehen. Das Streuelement ist derart ausgebildet, dass es Licht streut, das auf dessen Oberfläche eingestrahlt wird.
  • Das gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschriebene Material zur Wellenlängenwandlung, das Material des Aktivators zur Wellenlängenwandlung umfasst fluoreszierendes Material, Phosphor-Material, Farbstoffe und jede Kombination aus den voranstehend genannten. Die Zusammensetzung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung wird z.B. durch die folgende Formel beschrieben: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4. ist. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung wie es in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, ist das Material des Streuelements z.B. aus folgenden Verbindungen ausgewählt: Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 oder einem Material der der Zusammensetzung: (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x'+s'y'+t'z':(E), wobei 0 ≤ x' ≤ 15, 0 ≤ y' ≤ 9, 0 ≤ z' ≤ 4. ist. s' ist die Valenzzahl der Komponente B und t' ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung, wie es in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, ist das Material des Streuelements derart ausgebildet, dass es durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden kann, so dass es Licht mit einer Wellenlänge λ3 emittiert.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung, wie es in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, ist das Streuelement derart ausgebildet, dass es durch Licht mit einer Wellenlänge λ2 aktiviert werden kann, so dass es Licht mit einer Wellenlänge λ3 emittiert.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung, wie es in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, ist ferner ein Haftvermittler vorgesehen, der zwischen dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement vorgesehen ist. Des Weiteren ist der Haftvermittler geeignet, mit Licht von einer Wellenlänge λ1 aktiviert zu werden, so dass er Licht mit einer Wellenlänge λ4 emittiert. Das Material des Haftvermittlers ist M2sTitOsu+2t oder M2xAl2yOxu+3y. Dabei ist M ausgewählt aus den Elementen Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K und Ag.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung, wie es in einem Ausführungsbeispiel der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, umfasst der Aktivator zur Wellenlängenwandlung einen Kern und eine erste transparente Beschichtung. Der Kern ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden dann, um so Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren. Der Kern ist mit der ersten transparenten Beschichtung umhüllt. Das Material des Kerns ist dabei ausgewählt aus einem fluoreszierenden Material, aus einem Phosphor-Material, aus Farbstoffen oder einer Kombination der vorstehend genannten. Die Zusammensetzung des Kerns wird dabei z.B. durch die folgende Zusammensetzung wiedergegeben: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung umfasst das Material zur Wellenlängenumwandlung eine zweite transparente Beschichtung, die zusätzlich auf der Umhüllung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement vorgesehen ist. Dabei besteht das Material der zweiten transparenten Beschichtung z.B. aus SiO2.
  • Gemäß dem Material zur Wellenlängenwandlung wie es in einem Ausführungsbeispiel der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, umfasst das Material zur Wellenlängenwandlung ein transparentes Material. Dabei ist der Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement im transparenten Material verteilt angeordnet.
  • Die durch die gegenwärtige Erfindung zur Verfügung gestellte LED umfasst einen Träger, einen LED-Chip und ein Material zur Wellenlängenwandlung. Der LED-Chip ist auf einem Träger angeordnet und elektrisch mit dem Träger verbunden, wobei der LED-Chip derartig ausgebildet ist, dass er Licht mit einer Wellenlänge λ1 emittiert. Das Material zur Wellenlängenwandlung ist um den LED-Chip herum angeordnet und umfasst einen Aktivator zur Wellenlängenwandlung und ein Streuelement. Der Aktivator zur Wellenlängenwandlung ist derart ausgebildet, dass er mit Licht einer Wellenlänge λ1 angeregt werden kann, um dann Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren. Das Streuelement ist auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung angeordnet und derart ausgebildet, dass es Licht streut, wenn dieses auf eine Oberfläche des Streuelements eingestrahlt wird.
  • Gemäß der in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschriebenen LED umfasst das Material des Aktivators zur Wellenlängenwandlung ein fluoreszierendes Material, Phosphor-Material oder Farbstoffe und jede Kombination aus den vorstehend genannten. Die Zusammensetzung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung ist z.B. durch folgende Zusammensetzung gegeben: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4 ist. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung besteht das Material des Streuelements der LED z.B. aus: Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 oder aus einem Material der Zusammensetzung: (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x'+s'y'+t'z':(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y' ≤ 9, 0 ≤ z' ≤ 4 ist. s' ist die Valenzzahl der Komponente B und t' ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta, und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Gemäß der in einer Ausführungsform beschriebenen LED der gegenwärtigen Erfindung ist das Streuelement geeignet, durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert zu werden, so dass es Licht mit einer Wellenlänge λ3 emittiert.
  • Gemäß der in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschriebenen LED ist das Streuelement geeignet, durch Licht mit einer Wellenlänge λ2 aktiviert zu werden, so dass es Licht mit einer Wellenlänge λ3 emittiert.
  • Gemäß der in einer Ausführungsform beschriebenen LED der gegenwärtigen Erfindung ist ferner ein Haftvermittler vorgesehen, der zwischen dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement angeordnet ist. Der Haftvermittler ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden kann, um dadurch Licht mit einer Wellenlänge λ4 zu emittieren. Das Material des Haftvermittlers besteht aus M2sTitOsu+2t oder M2xAl2yOxu+3y, wobei M aus den Elementen Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K und Ag ausgewählt wird.
  • Gemäß der in einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung beschriebenen LED umfasst der Aktivator zur Wellenlängenwandlung einen Kern und eine erste transparente Beschichtung. Der Kern ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden kann, um dadurch Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren. Der Kern ist mit einer ersten transparenten Beschichtung umhüllt, wobei das Material der ersten transparenten Beschichtung z.B. SiO2 ist. Das Material des Kerns ist ausgewählt aus fluoreszierendem Material, Phosphor-Material, Farbstoffen und jeder Kombination der vorstehend genannten. Die Zusammensetzung des Kerns kann z.B. wiedergegeben werden durch: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4 ist. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Ferner ist der Brechungsindex des transparenten Materials in etwa so groß wie der der ersten transparenten Beschichtung. Somit kann Totalreflexion und ein Fresnelverlust an der Verbindung der ersten transparenten Beschichtung und des transparenten Materials vermieden werden, wenn das Licht in das transparente Material von der transparenten Beschichtung aus eingestrahlt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform der LED der gegenwärtigen Erfindung ist eine zweite transparente Beschichtung zu der Umhüllung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung und des Streuelements hinzugefügt. Das Material der zweiten transparenten Beschichtung ist z.B. SiO2.
  • Gemäß einer Ausführungsform der LED, wie sie in der gegenwärtigen Erfindung beschrieben ist, umfasst das Material zur Wellenlängenwandlung ferner ein transparentes Material, in dem der Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement verteilt angeordnet sind.
  • Da die Streuelemente auf den Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung den Abstand zweier benachbart angeordneter Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung erhöhen, regt das Licht mit der Wellenlänge λ1 die Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung durch den Abstand zwischen den Aktivatoren zur Wellenwandlung an, wenn das Material zur Wellenlängenwandlung mit Licht von einer Wellenlänge λ1 beleuchtet wird. Deshalb können diese Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung ausreichend aktiviert werden, so dass sie Licht mit einer Wellenlänge λ2 emittieren. Dadurch ist die Helligkeit der Licht emittierenden Diode mit dem Material zur Wellenlängenwandlung höher.
  • Zum besseren Verständnis der vorstehend erwähnten und anderen Aufgaben, Merkmale und Vorteile der gegenwärtigen Erfindung werden nachstehend die bevorzugten Ausführungsbeispiele genauer beschrieben, wobei Bezug auf die Figuren genommen wird.
  • Die nachstehenden Zeichnungen werden zur Verfügung gestellt, um ein besseres Verständnis der Erfindung zu gewährleisten. Die Zeichnungen bilden somit einen Teil der Beschreibung. Die Zeichnungen illustrieren Ausführungsformen der Erfindung und erklären zusammen mit der Beschreibung die Prinzipien der Erfindung.
  • 1 ist eine schematische Darstellung einer LED des Standes der Technik.
  • 2 ist eine vergrößerte schematische Ansicht des Gebietes A aus 1.
  • 3 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 4 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 5 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung in der Form des Materials gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 6 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 7 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 8 ist eine schematische Ansicht der LED, gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung.
  • 3 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung. Gemäß 3 umfasst das Material 300 zur Wellenlängenwandlung einen Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung und ein Streuelement 320. Der Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung ist derart ausgebildet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden kann, um dadurch Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren, wobei λ1≠λ2 ist. Das Material des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung kann z.B. ausgewählt werden aus einem fluoreszierenden Material, einem Phosphor-Material, aus Farbstoffen und jeder Kombination der vorstehend genannten. Im Besonderen kann die Zusammensetzung des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung z.B. folgendermaßen wiedergegeben werden: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9 und 0 ≤ z ≤ 4 ist. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten.
  • Das Material des Streuelements 320 kann z.B. ausgewählt werden aus: Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 und jedem anderen Material, das geeignet ist, Licht mit einer bestimmten Wellenlänge zu reflektieren. Das Streuelement 320 ist physikalisch oder chemisch mit dem Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung verbunden und ist dabei auf dem Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung angeordnet. Es soll angemerkt werden, dass das Streuelement 320 nur mit der Eigenschaft ausgestattet werden kann, Licht eines spezifischen Wellenlängenbereichs zu reflektieren. Ebenso kann das Streuelement 320 die Eigenschaft besitzen, Licht eines spezifischen Wellenlängenbereichs zu reflektieren und dabei zur selben Zeit durch Licht aus einem anderen spezifischen Wellenlängenbereich angeregt zu werden. Das Material dieser Streuelemente 320, die die Doppelfunktion aufweisen, wird z.B. ausgewählt aus den Materialien Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 oder einem Material mit der Zusammensetzung (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x'+s'y'+t'z':(E), wobei 0 ≤ x' ≤ 15, 0 ≤ y' ≤ 9 und 0 ≤ z' ≤ 4 ist. s' ist die Valenzzahl der Komponente B und t' ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. Dabei ist zu bemerken, dass wenigstens ein Satz der Zahlenwerte von x' und x, y' und y, z' und z, s' und s, und t' und t unterschiedlich sind. Dies bedeutet, dass die Elemente in der Zusammensetzung des Streuelements 320 mit der Doppelfunktion gleich sein können zu den Elementen des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung, jedoch sind die Verhältnisse der Zusammensetzungen des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung und des Streuelements 320 unterschiedlich.
  • Das Streuelement 320 kann ferner durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 angeregt werden, um Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren und das Licht mit einer Wellenlänge λ2 zur reflektieren. Ferner kann bei einer anderen Ausführungsform das Streuelement 320 ebenfalls mit Licht einer Wellenlänge λ2 aktiviert werden, um Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren und das Licht mit einer Wellenlänge λ1 zu reflektieren. Ebenso kann in einer anderen Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung ein Teil des Streuelements 320 durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktiviert werden, um Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren und das Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu reflektieren. Der restliche Teil des Streuelements 320 ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ2 aktiviert werden kann, um Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren und das Licht mit einer Wellenlänge λ1 zu reflektieren.
  • Im Falle, dass das Streuelement 320 mit dem Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung chemisch verbunden ist, ist zwischen dem Streuelement 320 und dem Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung ein Haftvermittler 330 vorgesehen. Das Material des Haftvermittlers 330 besteht z.B. aus M2sTitOsu+2t oder M2xAl2yOxz+3y oder jeglicher Verbindung, die entsteht, wenn das Streuelement 320 und der Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung verbunden werden. Dabei ist M ausgewählt aus den Elementen Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K und Ag. Das Streuelement 320 ist derart ausgestaltet, das es Licht streut, welches auf die Oberfläche davon eingestrahlt wird.
  • Es ist anzumerken, dass die Menge des Haftvermittlers 330 von den Bedingungen der Bindungsreaktion abhängt. Neben dem Demaskieren eines Teils der Oberfläche des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung, wie in 3 dargestellt, kann es auch vorkommen, dass der Haftvermittler 330 den Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung vollständig umhüllt, wie dies in 4 dargestellt ist. 4 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung eines Ausführungsbeispiels der gegenwärtigen Erfindung. Ferner ist der Haftvermittler 330 bei dieser Ausführungsform derart ausgestaltet, dass er durch Licht eines spezifischen Wellenlängenbereichs aktiviert werden kann. Beispielsweise kann der Haftvermittler 330 durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 angeregt werden, um Licht mit einer Wellenlänge λ4 zu emittieren.
  • Zusätzlich zu der Ausführung des Materials 300 zur Wellenlängenwandlung in Form von Teilchen kann das Material ebenfalls in Form eines Gels während der Herstellung vorliegen. 5 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung in Form eines Gels gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung. Der Unterschied zwischen dem Material 300' und dem Material 300 zur Wellenlängenwandlung liegt hauptsächlich darin, dass das Material 300' zur Wellenlängenwandlung zusätzlich ein transparentes Material 340 enthält, in dem der Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement 320 verteilt angeordnet sind.
  • Ferner kann der Aktivator zur Wellenlängenwandlung einen Kern und eine erste transparente Beschichtung umfassen, die aus einem fluoreszierendem Material, einem Phosphor-Material, Farbstoffen und jeder Kombination der vorstehend genannten besteht. Die Beschreibung hierzu wird nachstehend im Detail erklärt.
  • 6 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung. Wie in 6 dargestellt, umfasst das Material 301 zur Wellenlängenwandlung im Wesentlichen einen Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung und ein Streuelement 320. Der Unterschied zwischen dem Material 301 zur Wellenlängenwandlung und dem Material 300 zur Wellenlängenwandlung (3) ist darin begründet, dass der Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung einen Kern 312 und eine erste transparente Beschichtung 314 umfasst. Der Kern 312 ist derart ausgestaltet, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 angeregt werden kann, um Licht mit einer Wellenlänge λ2 zu emittieren, wobei λ1≠λ2 ist.
  • Das Material des Kerns 312 kann z.B. ausgewählt werden aus fluoreszierendem Material, Phosphor-Material, Farbstoffen und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. Im Besonderen ist die Zusammensetzung des Aktivators 310 zur Wellenlängenwandlung durch folgendes Beispiel gegeben: (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E), wobei 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9 und 0 ≤ z ≤ 4 ist. s ist die Valenzzahl der Komponente B und t ist die Valenzzahl der Komponente C. A wird ausgewählt aus den Elementen Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. B wird ausgewählt aus den Elementen Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Li, Na, K, Ag und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. C wird ausgewählt aus den Elementen Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. D wird ausgewählt aus den Elementen O, S, Se und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. E wird ausgewählt aus den Elementen Ce, Eu, Tb, Mn und jeglicher Kombination der vorstehend genannten. Die erste transparente Beschichtung 314 umhüllt den Kern 312, wobei die erste transparente Beschichtung z.B. aus SiO2 oder einem anderen transparenten Material besteht. Das Streuelement 320 ist physikalisch oder chemisch mit der ersten transparenten Beschichtung 314 verbunden.
  • Ferner kann das Material 301 zur Wellenlängenwandlung des gegenwärtigen Ausführungsbeispiels ein transparentes Material 340 umfassen, wie dies in 5 dargestellt ist. Dabei ist das Material 301 zur Wellenlängenwandlung während der Herstellung in Form eines Gels, was in dieser Beschreibung nicht erneut erwähnt werden wird.
  • Zusätzlich kann bei einer anderen Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung das Material zur Wellenlängenwandlung eine zweite transparente Beschichtung umfassen, die zusätzlich zur ersten transparenten Beschichtung vorgesehen ist. 7 ist eine schematische Ansicht des Materials zur Wellenlängenwandlung gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung. Der Unterschied zwischen dem Material 302 zur Wellenlängenwandlung und den in 6 dargestellten Material 301 zur Wellenlängenwandlung liegt hauptsächlich darin begründet, dass das Material 302 zur Wellenlängenwandlung zusätzlich eine zweite transparente Beschichtung 350 umfasst, wobei die zweite transparente Beschichtung 350 umhüllend auf dem Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement 320 angebracht ist. Die zweite transparente Beschichtung 350 besteht z.B. aus SiO2 oder einem anderen transparenten Material.
  • Es ist selbstverständlich, dass das Material 302 zur Wellenlängenwandlung gemäß der Ausführungsform auch ein transparentes Material wie in 5 dargestellt umfassen kann. Dabei liegt das Material 302 zur Wellenlängenwandlung während der Herstellung in der Form eines Gels vor, was hier in der Beschreibung nicht genauer beschrieben wird.
  • Gemäß der gegenwärtigen Erfindung kann das oben genannte Material zur Wellenlängenwandlung, wie z.B. die Materialien 300, 301 und 302 zur Wellenlängenwandlung in verschiedenen Licht emittierenden Bauelementen, wie z.B. LED's, Feldemissionsbauelemente (FED's) oder anderen Licht emittierenden Bauelementen eingesetzt werden. Als Beispiel wird eine LED verwendet, um dieses im Detail nachstehend genauer zu beschreiben.
  • 8 ist eine schematische Ansicht einer LED gemäß einer Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung. Wie in 8 dargestellt, umfasst die LED 500 hauptsächlich einen Träger 510, einen LED-Chip 520 und ein Material 300' zur Wellenlängenwandlung. Dabei ist der LED-Chip 520 z.B. ein blauer LED-Chip, ein ultravioletter LED-Chip, ein blau-grüner LED-Chip oder ein anderer LED-Chip, der geeignet ist, als aktivierte Lichtquelle zu dienen. Der LED-Chip 520 ist auf dem Träger 510 vorgesehen und mit dem Träger 510 über einen Bond-Draht 530 elektrisch verbunden. Der LED-Chip 520 ist derart ausgestaltet, dass er Licht mit einer Wellenlänge λ1 emittiert. Es ist zu bemerken, dass die gegenwärtige Ausführungsform keine Beschränkung hinsichtlich der Form des Trägers und des Verbindungsverfahrens von LED-Chip und dem Träger darstellen soll. Gemäß einer anderen Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung ist der Träger in Form einer gedruckten Schaltung wiedergegeben und der Träger kann mit dem LED-Chip in einer anderen Art und Weise elektrisch verbunden werden.
  • Das Material 300' zur Wellenlängenwandlung ist um den LED-Chip 520 herum angeordnet. Des Weiteren umfasst die LED 500 der gegenwärtigen Erfindung ein Formmaterial 540, das auf dem Träger 510 vorgesehen ist. Durch das Formmaterial 540 wird der LED-Chip 520 und das Material 300' zur Wellenlängenwandlung zwischen dem Träger 510 und dem Formmaterial 540 versiegelt eingeschlossen.
  • Für den Fall, dass der LED-Chip 520 Licht mit einer Wellenlänge λ1, emittiert, wird ein Teil des Lichts mit der Wellenlänge λ1 direkt auf den Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung eingestrahlt. Der übrige Teil des Lichts mit der Wellenlänge λ1 wird auf das Streuelement 320 eingestrahlt und gelangt dann zum Aktivator 310 zur Wellenlängenwandlung nachdem es vom Streuelement 320 gestreut worden ist. Danach wird der Aktivator 310 mit dem Licht der Wellenlänge λ1 aktiviert, so dass er Licht mit einer Wellenlänge λ2 emittiert. Nachdem das Licht mit den zwei Wellenlängen gemischt worden ist, emittiert der LED-Chip 520 Farblicht mit einer spezifischen Farbe. Wenn beispielsweise die Wellenlänge λ1 in einem Wellenlängenbereich von blauem Licht liegt und die Wellenlänge λ2 in einem Wellenlängenbereich von gelbem Licht liegt, kann der LED-Chip 520 weißes Licht emittieren.
  • Obwohl die LED 500 mit dem Material 300' zur Wellenlängenwandlung als Beispiel genommen worden ist, kann in einer anderen Ausführungsform der gegenwärtigen Erfindung die LED mit dem Material 301 zur Wellenlängenwandlung versehen sein, das in Form eines Gels oder in Form des Materials 302 zur Wellenlängenwandlung verwendet werden kann. Es sollte bemerkt werden, dass, falls die LED während des Herstellungsprozesses das Material 301 zur Wellenlängenwandlung in Form eines Gels verwendet, bei der gegenwärtigen Ausführungsform der Brechungsindex des Lichts des transparenten Materials angepasst werden kann um ungefähr dem Brechungsindex der ersten transparenten Beschichtung 314 zu entsprechen, so dass dadurch Totalreflexion und Fresnelverlust an der Verbindung der ersten transparenten Beschichtung 314 und dem transparenten Material 340 vermieden werden, wenn Licht auf das transparente Material 340 von der ersten transparenten Beschichtung 314 aus eingestrahlt wird.
  • In Anbetracht des vorstehend erwähnten besitzt die LED und das Material zur Wellenlängenwandlung, wie sie durch die gegenwärtige Erfindung zur Verfügung gestellt werden, die folgenden Vorteile.
    • 1. Da die Streuelemente das auf ihre Oberfläche eingestrahlte Licht streuen können, kann das Licht mit der Wellenlänge λ1, welches durch die LED, und das Licht mit der Wellenlänge λ2, welches durch die Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung emittiert wird, gleichförmig gemischt werden.
    • 2. Da die Streuelemente auf den Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung den Abstand zwischen zwei benachbarten Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung erhöhen können, können die Aktivatoren zur Wellenlängenwandlung effektiv aktiviert werden. Betrachtet man 5 als ein Beispiel, so kann das Streuelement 320 den Abstand zwischen den Aktivatoren 310 zur Wellenlängenwandlung erhöhen und, obwohl das Aggregationsphänomen der Aktivatoren 310 zur Wellenlängenwandlung auftritt, kann dennoch ein geeigneter Abstand zwischen den benachbarten Aktivatoren 310 zur Wellenlängenwandlung eingehalten werden. Deshalb kann das Licht L mit der Wellenlänge λ1 den Aktivator zur Wellenlängenwandlung durch einen solchen Abstand hindurch aktivieren. Im Vergleich zum Stand der Technik kann der Aktivator zur Wellenlängenwandlung gemäß der gegenwärtigen Erfindung in ausreichender Weise aktiviert werden, so dass er Licht mit einer Wellenlänge λ2 emittiert.
    • 3. Falls die LED das Material zur Wellenlängenwandlung aufweist, wobei der Aktivator zur Wellenlängenwandlung effektiver und ausreichend aktiviert werden kann, ist die Helligkeit der durch die gegenwärtige Erfindung zur Verfügung gestellten LED höher.
  • Es ist für jeden Fachmann klar, dass verschiedene Modifikationen und Abwandlungen durchgeführt werden können, ohne dabei vom Schutzbereich der gegenwärtigen Erfindung abzuweichen. In Anbetracht des vorhergehenden ist beabsichtigt, dass die gegenwärtige Erfindung Modifikationen und Abwandlungen belegt, vorausgesetzt, sie fallen in den Schutzbereich der folgenden Ansprüche und ihrer Entsprechungen.

Claims (33)

  1. Ein Material zur Wellenlängenwandlung, umfassend: einen Aktivator zur Wellenlängenwandlung, der derart ausgestaltet ist, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht einer Wellenlänge λ2 zu emittieren; und ein Streuelement, das auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung angeordnet ist, wobei das Streuelement derart ausgebildet ist, dass es auf dessen Oberfläche eingestrahltes Licht streut.
  2. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei das Material des Aktivators zur Wellenlängenwandlung fluoreszierendes Material, Phosphor-Material, Farbstoffe und jede Kombination aus den vorstehend Erwähnten umfasst.
  3. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 2, wobei die Zusammensetzung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung aus (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E) besteht, wobei gilt 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4; s ist die Valenzzahl der Komponente B; t ist die Valenzzahl der Komponente C; und A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  4. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei das Material des Streuelements ausgewählt ist aus Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 oder Material der Zusammensetzung (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x'+s'y'+t'z':(E), wobei gilt 0 ≤ x' ≤ 15, 0 ≤ y' ≤ 9, 0 ≤ z' ≤ 4; s' ist die Valenzzahl der Komponente B; t' ist die Valenzzahl der Komponente C; und A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  5. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei das Streuelement durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren.
  6. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei das Streuelement durch Licht mit einer Wellenlänge λ2 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren.
  7. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, umfassend einen Haftvermittler, der zwischen dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement vorgesehen ist.
  8. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 7, wobei das Material des Haftvermittlers aus M2sTitOsu+2t oder M2xAl2yOxu+3y oder aus jeder Verbindung, die beim Verbinden des Streuelements und des Aktivators zur Wellenlängenwandlung entsteht, besteht, wobei M ausgewählt ist aus Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K und Ag.
  9. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 7, wobei der Haftvermittler durch Licht der Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ4 zu emittieren.
  10. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei der Aktivator zur Wellenlängenwandlung einen Kern umfasst, der durch Licht einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ4 zu emittieren, und dass eine erste transparente Beschichtung vorgesehen ist, die den Kern umschließt.
  11. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 10, wobei das Material des Kerns ausgewählt ist aus fluoreszierendem Material, Phosphor-Material, einer Färbung und jeder Kombination daraus.
  12. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 10, wobei die Zusammensetzung des Kerns aus (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E) besteht, wobei gilt 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4; s ist die Valenzzahl der Komponente B; t ist die Valenzzahl der Komponente C; und A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  13. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 10, wobei die erste transparente Beschichtung SiO2 ist.
  14. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei eine zweite transparente Beschichtung vorgesehen ist, die den Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement umschließt.
  15. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 14, wobei die zweite transparente Beschichtung SiO2 ist.
  16. Material zur Wellenlängenwandlung gemäß Anspruch 1, wobei ein transparentes Material vorgesehen ist, in dem der Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement verteilt angeordnet sind.
  17. Eine Licht-Emittierende-Diode (LED), umfassend einen Träger, einen auf dem Träger vorgesehenen LED-Chip, der mit dem Träger elektrisch verbunden ist, wobei der LED-Chip Licht mit einer Wellenlänge λ1 emittieren kann, und ein Material zur Wellenlängenwandlung, das um den LED-Chip herum angeordnet ist, wobei das Material zur Wellenlängenwandlung einen Aktivator zur Wellenlängenwandlung aufweist, der derart ausgestaltet ist, dass er durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist und dann Licht einer Wellenlänge λ2 emittiert; und ein Streuelement, das auf dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung vorgesehen ist, wobei das Streuelement derart ausgebildet ist, dass es auf dessen Oberfläche eingestrahltes Licht streut.
  18. LED gemäß Anspruch 17, wobei das Material des Aktivators zur Wellenlängenwandlung fluoreszierendes Material, Phosphor-Material, Farbstoffe und jede Kombination aus den vorstehend erwähnten umfasst.
  19. LED gemäß Anspruch 18, wobei die Zusammensetzung des Aktivators zur Wellenlängenwandlung aus (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E) besteht, wobei gilt 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4; s ist die Valenzzahl der Komponente B; t ist die Valenzzahl der Komponente C; und A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  20. LED gemäß Anspruch 17, wobei die Zusammensetzung des Materials des Streuelements ausgewählt ist aus Al2O3, ZnO, SiO2, TiO2 oder Material mit der Zusammensetzung (A)2x'(B)2y'(C)2z'(D)3x'+s'y'+t'z':(E), wobei gilt 0 ≤ x' ≤ 15, 0 ≤ y' ≤ 9, 0 ≤ z' ≤ 4; s' ist die Valenzzahl der Komponente B; t' ist die Valenzzahl der Komponente C; A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  21. LED gemäß Anspruch 17, wobei das Streuelement durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren.
  22. LED gemäß Anspruch 17, wobei das Streuelement durch Licht mit einer Wellenlänge λ2 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ3 zu emittieren.
  23. LED gemäß Anspruch 17, wobei ein Haftvermittler zwischen dem Aktivator zur Wellenlängenwandlung und dem Streuelement vorgesehen ist.
  24. LED gemäß Anspruch 23, wobei der Haftvermittler durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ4 zu emittieren.
  25. LED gemäß Anspruch 23, wobei das Material des Haftvermittlers aus M2sTitOsu+2t oder M2xAl2yOxu+3y oder aus jeder Verbindung, die beim Verbinden des Streuelements und des Aktivators zur Wellenlängenwandlung entsteht, besteht, wobei M ausgewählt ist aus Al, Y, Ce, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Ni, Li, Na, K und Ag.
  26. LED gemäß Anspruch 17, wobei der Aktivator zur Wellenlängenwandlung einen Kern umfasst, der durch Licht mit einer Wellenlänge λ1 aktivierbar ist, um so Licht mit einer Wellenlänge λ2 emittieren, und dass eine erste transparente Beschichtung vorgesehen ist, die den Kern umschließt.
  27. LED gemäß Anspruch 26, wobei das Material des Kerns aus fluoreszierendem Material, Phosphor-Material, einem Farbstoff und jeder Kombination aus den vorstehend erwähnten besteht.
  28. LED gemäß Anspruch 26, wobei die Zusammensetzung des Kerns aus (A)2x(B)2y(C)2z(D)3x+sy+tz:(E) besteht, wobei gilt 0 ≤ x ≤ 15, 0 ≤ y ≤ 9, 0 ≤ z ≤ 4; s ist die Valenzzahl der Komponente B; t ist die Valenzzahl der Komponente C; und A ist ausgewählt aus Y, Ce, Tb, Gd, Sc, Sm, Eu, Al, Ga, Tl, In, B, Lu und jeder Kombination daraus; B ist ausgewählt aus Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cu, Ni, Li, Na, K, Ag und jeder Kombination daraus; C ist ausgewählt aus Mo, W, P, V, Si, Ti, Zr, Nb, Ta und jeder Kombination daraus; D ist ausgewählt aus O, S, Se und jeder Kombination daraus; und E ist ausgewählt aus Ce, Eu, Tb, Mn und jeder Kombination daraus.
  29. LED gemäß Anspruch 17, wobei das Material zur Wellenlängenwandlung ein transparentes Material umfasst, in dem der Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement verteilt angeordnet sind.
  30. LED gemäß Anspruch 29, wobei der Brechungsindex des Lichts des transparenten Materials ungefähr dem Brechungsindex der ersten transparenten Beschichtung entspricht, um dadurch eine Totalreflexion und einen Fresnelverlust an der Verbindung zwischen der ersten transparenten Beschichtung und dem transparenten Material zu vermeiden, wenn das Licht von der ersten transparenten Beschichtung in das transparente Material eingestrahlt wird.
  31. LED gemäß Anspruch 26, wobei die erste transparente Beschichtung SiO2 ist.
  32. LED gemäß Anspruch 17, wobei das Material zur Wellenlängenwandlung eine zweite transparente Beschichtung aufweist, die den Aktivator zur Wellenlängenwandlung und das Streuelement umschließt.
  33. LED gemäß Anspruch 32, wobei die zweite transparente Beschichtung SiO2 ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012206646A1 (de) * 2012-04-23 2013-10-24 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
JP5104621B2 (ja) * 2008-07-28 2012-12-19 三菱化学株式会社 植物育成用の照明装置
KR101726807B1 (ko) 2010-11-01 2017-04-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR101227030B1 (ko) 2011-03-09 2013-01-28 희성금속 주식회사 형광체 원료용 합금 조성물 및 그의 제조 방법
CN102250616B (zh) * 2011-05-06 2014-01-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种双钙钛矿结构红色荧光粉、制备方法及应用
JP6068473B2 (ja) * 2012-08-01 2017-01-25 パナソニック株式会社 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置
CN103773367B (zh) * 2014-01-09 2015-06-03 延边大学 用于白光led的荧光材料及制备方法
JP2017218574A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 シャープ株式会社 ナノ粒子蛍光体素子および発光素子
CN114149262B (zh) * 2021-11-23 2023-05-12 松山湖材料实验室 可逆光致变色透明陶瓷及其制备方法和应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667A1 (de) * 1996-09-20 1998-04-02 Siemens Ag Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10247021A1 (de) * 2001-08-21 2004-04-22 Wen-Chih Ho Lichtmischungsschicht und Verfahren
DE102004024889A1 (de) * 2003-05-28 2005-01-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Konversions-LED
EP1560274A1 (de) * 2002-11-08 2005-08-03 Nichia Corporation Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs
DE202005010225U1 (de) * 2005-06-29 2005-11-24 Lighthouse Technology Co., Ltd Lichtemittierende Dioden-Baugruppenanordnung, Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe und photolumineszentes Material davon
DE102004063824A1 (de) * 2004-05-20 2005-12-15 Lighthouse Technology Co., Ltd Leuchtdioden-Baugruppe
DE102005041260A1 (de) * 2005-01-12 2006-07-20 Lighthouse Technology Co., Ltd Wellenlängen-Konvertierungssubstanz und Licht emittierende Vorrichtung und einkapselndes Material, das gleiches aufweist

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4024298A (en) * 1974-04-08 1977-05-17 Tektronix, Inc. Method of providing storage dielectric of phosphor particles coated with secondary emissive material
JP2525656B2 (ja) * 1988-12-08 1996-08-21 化成オプトニクス株式会社 蛍光体および蛍光体の表面処理方法
DE19626219A1 (de) * 1996-06-29 1998-01-02 Philips Patentverwaltung Leuchtstoffzubereitung mit SiO¶2¶-Partikel-Beschichtung
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP2000044942A (ja) 1998-07-27 2000-02-15 Mitsubishi Electric Corp 蛍光体及びその表面処理方法と、カラー陰極線管の形成方法
JP2002055637A (ja) * 2000-08-11 2002-02-20 Nemoto & Co Ltd 表示体および時計
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP3784651B2 (ja) * 2001-02-06 2006-06-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体とその製造方法
JP2003243727A (ja) * 2001-12-14 2003-08-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2004107572A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
JP4529349B2 (ja) * 2002-11-08 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体および発光装置
JP2004182907A (ja) 2002-12-04 2004-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤色蛍光体およびこれを用いた蛍光ランプ
DE10307281A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
JP2005029724A (ja) 2003-07-09 2005-02-03 Futaba Corp 白色発光蛍光体及び蛍光表示管
JP2005097599A (ja) 2003-09-02 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体とその製造方法、および当該蛍光体を用いたプラズマディスプレイパネル
US6982046B2 (en) * 2003-10-01 2006-01-03 General Electric Company Light sources with nanometer-sized VUV radiation-absorbing phosphors
JP4150362B2 (ja) 2004-07-21 2008-09-17 松下電器産業株式会社 ランプ用蛍光体の製造方法
US20060222757A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 General Electric Company Method for making phosphors

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667A1 (de) * 1996-09-20 1998-04-02 Siemens Ag Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10247021A1 (de) * 2001-08-21 2004-04-22 Wen-Chih Ho Lichtmischungsschicht und Verfahren
EP1560274A1 (de) * 2002-11-08 2005-08-03 Nichia Corporation Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs
DE102004024889A1 (de) * 2003-05-28 2005-01-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Konversions-LED
DE102004063824A1 (de) * 2004-05-20 2005-12-15 Lighthouse Technology Co., Ltd Leuchtdioden-Baugruppe
DE102005041260A1 (de) * 2005-01-12 2006-07-20 Lighthouse Technology Co., Ltd Wellenlängen-Konvertierungssubstanz und Licht emittierende Vorrichtung und einkapselndes Material, das gleiches aufweist
DE202005010225U1 (de) * 2005-06-29 2005-11-24 Lighthouse Technology Co., Ltd Lichtemittierende Dioden-Baugruppenanordnung, Kaltkathoden-Fluoreszenzlampe und photolumineszentes Material davon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012206646A1 (de) * 2012-04-23 2013-10-24 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse
US9380652B2 (en) 2012-04-23 2016-06-28 Osram Gmbh Lighting device with LED chip and protective cast
DE102012206646B4 (de) 2012-04-23 2024-01-25 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung

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