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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung eines
Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers.
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Bekannte
Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Einkristallen, z.B. Silizium-Einkristallen, die
für die
Realisierung von Halbleiterbauelementen benötigt werden, sind das sogenannte
Float-Zone-Verfahren (FZ-Verfahren) oder das Czochralski-Verfahren
(CZ-Verfahren). Aus den durch diese Verfahren hergestellten einkristallinen Halbleiterstäben werden
scheibenartige Halbleiterwafer abgeschnitten, die die Grundlage
für die
Herstellung von Halbleiterbauelementen bilden. Das CZ-Verfahren
ist im Vergleich zum FZ-Verfahren kostengünstiger durchführbar, bietet
aber den Nachteil, dass der Einkristall bedingt durch das Herstellungsverfahren
eine hohe Sauerstoffkonzentration aufweist, die typischerweise im
Bereich von einigen 1017 Atomen/cm3 liegt.
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Temperaturprozesse,
die während
der Verfahren zur Herstellung und Prozessierung der Halbleiterwafern
auftreten, führen
dazu, dass der in dem Wafer in hoher Konzentration vorhandene Sauerstoff sogenannte
Sauerstoffausscheidungen bzw. Sauerstoffpräzipitate bildet. Hierunter
sind Sauerstoffagglomerate oder Sauerstoff-Leerstellen-Agglomerate
in dem Halbleiterkristall zu verstehen. Diese Ausscheidungen wirken
unter anderem als Getterzentren für Schwermetallatome, die während des
Herstellverfahrens der Bauelemente in den Wafer gelangen können. Sofern
solche Ausscheidungen in einer aktiven Bauelementzone eines Halbleiterbauelements
vorhanden sind, führen
sie allerdings zu einer Verschlechterung der Bauelementeigenschaften,
indem sie als Rekombinationszentren für freie Ladungsträger wirken
und indem sie als Generationszentren für Ladungsträgerpaare wirken, wobei Letzteres
zu einer Erhöhung des
im Sperrbetrieb des Bauelements fließenden Leckstroms führt.
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Aus
den zuvor genannten Gründen
sind CZ-Wafer ohne weitere Behandlung für die Realisierung von Leistungsbauelementen,
die eine Spannungsfestigkeit von einigen hundert Volt besitzen, nur
bedingt geeignet. CZ-Wafer eignen sich ohne weitere Behandlung für diese
Bauelemente lediglich als Halbleitersubstrat, auf welches mittels
aufwendiger und damit kostenintensiver Epitaxieverfahren weitere
(sauerstoffarme) Halbleiterschichten aufgebracht werden, in welchen
die eine Sperrspannung aufnehmenden Bereiche eines Leistungsbauelements,
beispielsweise die Driftzone eines MOSFET oder die n-Basis eines
IGBT, realisiert werden.
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Es
gibt verschiedene Verfahren, Sauerstoffausscheidungen in oberflächennahen
Bereichen eines CZ-Wafers zu verhindern, so dass diese Bereiche
für die
Herstellung von aktiven Bauelementzonen genutzt werden können. Gleichzeitig
werden in tiefer gelegenen Bereichen bewusst Sauerstoffausscheidungen
erzeugt, die dort als "intrinsische
Getterzentren" für in den
Wafer eingebrachte, insbesondere unerwünschte Verunreinigungen wie
z.B. Schwermetallatome dienen.
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Ein
bekanntes Verfahren, Sauerstoffausscheidungen in oberflächennahen
Bereichen eines Wafers zu verhindern, besteht darin, die Sauerstoffkonzentration
in diesem Bereich des Wafers zu reduzieren, indem Sauerstoffatome
aus dem oberflächennahen
Bereich des Wafers mittels eines Temperaturprozesses ausdiffundiert
werden.
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Die
US 6,849,119 B2 (Falster)
beschreibt ein Verfahren, bei dem ein CZ-Halbleiterwafer einem Temperaturprozess
unterzogen wird, bei dem die Rückseite
des Wafers einer nitridierende Atmosphäre und dessen Vorderseite einer
nicht-nitridierenden Atmosphäre
ausgesetzt wird. Diese Temperaturbehandlung führt zur Erzeugung von Kristallleerstellen, wobei
das Maximum ei nes sich einstellenden Leerstellenprofils näher an der
Rückseite
als an der Vorderseite liegt. Der Wafer wird anschließend einer
weiteren Temperaturbehandlung bei Temperaturen von 800°C und 1000°C unterzogen,
wodurch Sauerstoffausscheidungen in Bereichen mit hoher Leerstellenkonzentration
entstehen.
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Weitere
Verfahren zur Behandlung eines Wafers mit dem Ziel eine präzipitatarme
Halbleiterzone in einem an eine Oberfläche angrenzenden Bereich eines
Wafers zu erzeugen, sind in der
US 5,882,989 (Falster)
oder
US 5,994,761 (Falster)
beschrieben.
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Die
EP 0769809 A1 (Schulze)
beschreibt ein Verfahren zur Reduzierung der Leerstellenkonzentration
in einem Wafer, indem interstitielles Silizium infolge eines Oxidationsprozesses
in den Wafer injiziert wird.
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In
Wondrak, W.: "Einsatz
von Protonenbestrahlung in der Technologie der Leistungshalbleiter", in: Archiv für Elektrotechnik,
1989, Band 72, Seite 133–140,
ist ein Verfahren zur n-Dotierung
eines Halbleitermaterials durch Protonenbestrahlung und anschließende Durchführung eines
Temperaturschrittes beschrieben.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Behandlung
eines Sauerstoff enthaltenden Wafers zur Verfügung zu stellen, durch welches
Sauerstoffausscheidungen in einem oberflächennahen Bereich des Wafers
verhindert werden.
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Diese
Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers, der
eine erste Seite, eine der ersten Seite gegenüberliegende zweite Seite, einen
sich an die erste Seite anschließenden ersten Halbleiterbereich
und einen sich an die zweite Seite anschließenden zwei ten Halbleiterbereich
aufweist, sieht vor, die zweite Seite des Wafers mit hochenergetischen
Teilchen zu bestrahlen, um dadurch Kristalldefekte – wie z.B. Leerstellen,
Doppelleerstellen oder Leerstellen/Sauerstoff-Komplexe – in dem
zweiten Halbleiterbereich des Wafers zu erzeugen. Anschließend wird
ein erster Temperaturprozess durchgeführt, bei dem der Wafer für eine vorgegebene
Zeitdauer auf Temperaturen zwischen 700°C und 1100°C aufgeheizt wird.
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Während dieses
ersten Temperaturprozesses bilden sich in dem zweiten Halbleiterbereich,
der im Vergleich zu dem ersten Halbleiterbereich eine hohe Konzentration
an Kristalldefekten und damit eine hohe Konzentration an Kristallgitterleerstellen aufweist,
z.B. höherwertige
Leerstellen(V)-Sauerstoff (O)-Komplexe (z.B. O2V-Komplexe).
Diese Leerstellen-Sauerstoff-Komplexe wirken als Nukleationskeime,
an die sich weitere Sauerstoffatome bzw. Sauerstoffionen oder auch
weitere Leerstellen/Sauerstoff-Komplexe anlagern, wodurch stabile
Sauerstoffagglomerate in dem zweiten Halbleiterbereich entstehen.
Die Leerstellen-Sauerstoff-Komplexe bzw. die Sauerstoffagglomerate
wirken darüber
hinaus als Getterzentren für
in dem Halbleiterwafer vorhandene Verunreinigungen, wie beispielsweise
Schwermetallatome, und für
Gitterleerstellen. Diese Getterwirkung der in dem zweiten Halbleiterbereich
vorhandenen Leerstellen-Sauerstoff-Komplexe und Sauerstoffagglomerate
führt darüber hinaus
zu einer Diffusion von Gitterleerstellen aus dem ersten Halbleiterbereich
in den zweiten Halbleiterbereich, wodurch der erste Halbleiterbereich
an Gitterleerstellen verarmt. Bedingt durch das Fehlen von Gitterleerstellen
in dem ersten Halbleiterbereich können sich in diesem Halbleiterbereich
keine oder nur sehr wenige Sauerstoffausscheidungen (Sauerstoffpräzipitate)
bilden, wodurch in dem sich an die erste Seite anschließenden ersten
Halbleiterbereich eine an Sauerstoffpräzipitaten arme Halbleiterzone,
eine sogenannten "Denuded
Zone" entsteht.
Eine solche Halbleiterzone wird nachfolgend als präzipitatarme
Zone bezeichnet.
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Mittels
des erfindungsgemäßen Verfahrens kann
eine deutlich größere vertikale
Ausdehnung der von Sauerstoffausscheidungen weitgehend freien Zone
als bei bekannten Verfahren erreicht werden. Dies ist insbesondere
geeignet für
vertikale Leistungshalbleiterbauelemente, die Durchbruchspannungen
oberhalb von 500 V aufweisen sollen und bei denen somit entsprechend
große
vertikale Abmessungen einer die Sperrspannung aufnehmenden Bauelementzone,
z.B. der Driftzone bei einem MOSFET, erforderlich sind.
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Die
Bestrahlung des Halbleiterkörpers
mit hochenergetischen Teilchen zur Erzeugung von Kristalldefekten,
insbesondere zur Erzeugung von Gitterleerstellen, führt zu einer
hohen Konzentration von Gitterleerstellen in dem zweiten Halbleiterbereich, damit
zu einer hohen Konzentration an Sauerstoffpräzipitaten in dem zweiten Halbleiterbereich,
da die Leerstellen die Sauerstoffpräzipitation, d.h. die Bildung
solcher Präzipitate,
erheblich begünstigen.
Außerdem
führt die
hohe Leerstellenkonzentration in dem zweiten Halbleiterbereich zu
einer besonders wirksamen Ausdiffusion von Gitterleerstellen aus dem
ersten Halbleiterbereich in den zweiten Halbleiterbereich.
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Während bei
einem Temperaturprozess in einer nitridierenden Atmosphäre lediglich
eine Leerstellenkonzentration zwischen 1012 und
1013 Leerstellen pro Kubikzentimeter (cm3) erreicht werden kann, lassen sich bei
einer Bestrahlung des Halbleiterkörpers beispielsweise mit Protonen
Leerstellenkonzentrationen von mehr als 1018 Leerstellen
pro cm3 erzeugen, was zu einer erheblichen
Verstärkung
des gewünschten
Effekts führt.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass
sich durch entsprechende Wahl der Bestrahlungsenergie und Bestrahlungsdosis
im Gegensatz zu einer Methode, die Nitridierungsschritte zur Leerstellenerzeugung
verwendet, nahezu beliebige Leerstellenverteilungen in der Halbleiterscheibe
einstellen lassen; insbesondere können auch in rela tiv großer Tiefe
des Halbleiterkristalls sehr hohe Leerstellenkonzentrationen erzeugt
werden.
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Die
zur Bestrahlung verwendeten hochenergetischen Teilchen sind insbesondere
nicht-dotierende Teilchen, wie Protonen, Edelgasionen, z.B. Heliumionen,
Neonionen oder Argonionen, oder Halbleiterionen, z.B. Germaniumionen
oder Siliziumionen. Als hochenergetische Teilchen zur Bestrahlung
des Halbleiterkörpers
mit dem Ziel, Kristalldefekte zu erzeugen, eignen sich jedoch auch
dotierende Teilchen, wie beispielsweise Phosphorionen. Da die Eindringtiefe
der hochenergetischen Teilchen bei einer gegebenen Bestrahlungsenergie
aber nicht zu gering sein sollte, kommen vorzugsweise Protonen oder Heliumionen
zur Anwendung, die bei einer gegebenen Energie tiefer eindringen
als die schwereren Teilchen.
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Die
vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert.
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1 veranschaulicht ein erfindungsgemäßes Verfahren
zur Behandlung eines Halbleiterwafers während unterschiedlicher Verfahrensschritte.
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2 veranschaulicht
eine Abwandlung des anhand von 1 erläuterten
erfindungsgemäßen Verfahrens.
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3 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung
einer n-dotierten Halbleiterzone in einer präzipitatarmen Halbleiterzone
eines CZ-Halbleiterwafers.
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4 zeigt
den Halbleiterwafer nach Durchführung
weiterer Verfahrensschritte, bei denen eine Epitaxieschicht auf
eine erste Seite des Halbleiterwafers aufgebracht wird.
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5 zeigt
in Seitenansicht im Querschnitt einen Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT,
der in einem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelten Halbleiterwafer
realisiert ist.
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6 zeigt
in Seitenansicht im Querschnitte eine Leistungsdiode, die in einem
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
behandelten Halbleiterwafer realisiert ist.
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In
den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen
gleiche Waferbereich bzw. Bauelementbereiche mit gleicher Bedeutung.
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1A zeigt
in Seitenansicht im Querschnitt schematisch einen Ausschnitt eines
Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers 100. Dieser Wafer
ist von einem durch ein Tiegelziehverfahren bzw. Czochralski-Verfahren
hergestellten Einkristall abgeschnitten und wird nachfolgend als
CZ-Wafer bezeichnet. Die Sauerstoffkonzentration eines solchen CZ-Wafers
liegt üblicherweise
oberhalb von 5·1017 Atomen/cm3.
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Der
Wafer 100 weist eine erste Seite 101, die nachfolgend
als Vorderseite bezeichnet wird, und eine zweite Seite 102,
die nachfolgend als Rückseite bezeichnet
wird, auf. In dem Kristallgitter des Wafers vorhandene Sauerstoffatome
sind in 1A schematisch durch Kreuze
dargestellt und mit dem Bezugszeichen 11 bezeichnet. Neben
Sauerstoffatomen sind in dem Kristallgitter nach Abschluss des Czochralski-Verfahrens
unweigerlich auch Leerstellen und Leerstellenagglomerate vorhanden,
die in 1A schematisch als Kreise dargestellt
und mit dem Bezugszeichen 12 bezeichnet sind. Ein sich
an die Vorderseite 101 in vertikaler Richtung des Wafers anschließender Halbleiterbereich
wird nachfolgend als erster Halbleiterbereich 103' bezeichnet,
während ein
sich an die Rückseite 102 in
vertikaler Richtung des Wafers 100 anschließender Bereich
nachfolgend als zweiter Halbleiterbereich 104' bezeichnet
wird.
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Ziel
des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist es, in dem sich an die Vorderseite 101 anschließenden ersten
Halbleiterbereich 103' eine
an Sauerstoffausscheidungen arme Halbleiterzone bzw. präzipitatarme
Halbleiterzone (Denuded Zone) zu erzeugen.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
sieht Bezug nehmend auf 1B hierzu
vor, den Wafer 100 über
dessen Rückseite 102 mit
hochenergetischen Teilchen zu bestrahlen, um dadurch in dem zweiten Halbleiterbereich 104 Kristalldefekte,
insbesondere Gitterleerstellen, zu erzeugen, so dass in dem zweiten
Halbleiterbereich 104' im
Vergleich zu dem ersten Halbleiterbereich 103 eine erhöhte Leerstellenkonzentration
vorhanden ist. Diese eine erhöhte
Leerstellenkonzentration aufweisende Halbleiterzone ist in 1B mit
dem Bezugszeichen 104'' bezeichnet. Unter
den durch die Bestrahlung mit hochenergetischen Teilchen hergestellten
Leerstellen sind nachfolgend Einfach-Leerstellen (V), Doppelleerstellen (VV)
und auch Leerstellen-Sauerstoff-Komplexe (OV) zu verstehen.
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Als
Teilchen für
die Bestrahlung des Wafers 100 eignen sich insbesondere
nicht-dotierende Teilchen, wie Protonen, Edelgasionen oder Halbleiterionen.
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Nach
Erzeugung der Leerstellen in dem zweiten Halbleiterbereich 104 durch
die Bestrahlung mit hochenergetischen Teilchen erfolgt ein erster Temperaturprozess,
bei dem der Wafer für
eine bestimmte Zeitdauer auf Temperaturen zwischen 700°C und 1100°C aufgeheizt
wird. Die Temperatur und Dauer dieses Temperaturprozesses sind dabei
so gewählt,
dass in dem eine hohe Leerstellenkonzentration aufweisenden zweiten
Halbleiterbereich 104'' Leerstellen-Sauerstoff-Zentren
(O2V-Zentren) oder auch höherwertige
Leerstellen-Sauerstoff-Komplexe entstehen. Der Temperaturprozess
kann insbesondere derart gestaltet sein, dass zeitlich aufeinanderfolgend
wenigstens zwei verschiedene Temperaturen eingestellt werden, die
jeweils für
eine vorgegebene Zeitdauer gehalten werden. Die Zeitdauern dieser einzelnen "Temperaturplateaus" können dabei
gleich lang oder auch unterschiedlich lang sein.
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Die
erzeugten Leerstellen-Sauerstoff-Zentren wirken als Nukleationskeime
für Sauerstoffausscheidungen,
so dass sich während
des ersten Temperaturprozesses stabile Sauerstoffagglomerate in dem
zweiten Halbleiterbereich 104 bilden. Die Nukleationskeime
und Sauerstoffagglomerate wirken außerdem als Getterzentren für in dem
Halbleiterwafer vorhandene, bzw. während nachfolgender Hochtemperaturprozesse
in den Halbleiter eindiffundierende, Verunreinigungen, wie beispielsweise
Schwermetallatome, und wirken zudem als Getterzentren für Gitterleerstellen.
Dies führt
dazu, dass während
des ersten Temperaturprozesses Gitterleerstellen aus dem ersten
Halbleiterbereich 103 in den zweiten Halbleiterbereich 104 eindiffundieren,
wodurch in dem ersten Halbleiterbereich 103 eine leerstellenarme
Halbleiterzone entsteht. Die Verarmung des ersten Halbleiterbereichs 103 an
Leerstellen wirkt einer Entstehung von Sauerstoffpräzipitaten
in dem ersten Halbleiterbereich 103 entgegen, so dass nach
Abschluss des Temperaturprozesses der erste Halbleiterbereich 103' eine präzipitatarme
Halbleiterzone bildet, die in 1C mit
dem Bezugszeichen 103 bezeichnet ist.
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Die
in dem zweiten Halbleiterbereich 104 vorhandenen Nukleationskeime
und Sauerstoffagglomerate sind stabil und werden durch nachfolgende
Temperaturprozesse, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von
Halbleiterbauelementen auf Basis des Wafer angewendet werden, nicht
mehr aufgelöst.
Mangels vorhandener Leerstellen in dem ersten Halbleiterbereich 103 können sich
während
solcher Temperaturprozesse in dem ersten Halbleiterbereich 103 keine
Sauerstoffpräzipitate
bilden, welche die Funktion eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines
Leistungsbauelements negativ beeinflussen würden, da ohne die Anwesenheit
von Leerstellen die Präzipitatbildung
sehr unwahrscheinlich wird und/oder sehr lange dauert. Die mittels
des erfindungsgemäßen Verfahrens
hergestellte präzi pitatarme
Halbleiterzone 103 des Wafers eignet sich somit insbesondere
auch zur Realisierung aktiver Bauelementzonen, insbesondere solcher
Bauelementzonen, die in Leistungshalbleiterbauelementen dazu dienen,
eine Sperrspannung des Bauelements aufzunehmen. Bei vertikalen Leistungshalbleiterbauelementen
kann der zweite Halbleiterbereich 104, der eine hohe Präzipitatdichte
aufweist, nach Beendigung der Vorderseitenprozesse entfernt werden
und anschließend
können
die sogenannten Rückseitenprozesse,
die für
die Fertigstellung des Halbleiterbauelements erforderlich sind,
durchgeführt
werden. Bei lateralen Bauelementen, bei denen eine Stromflussrichtung
in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers verläuft, kann der zweite Halbleiterbereich
auch verbleiben.
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Die
Dauer des ersten Temperaturprozesses, bei dem der Wafer auf Temperaturen
zwischen 700°C
und 1100°C
aufgeheizt wird, kann zwischen einer Stunde und mehr als 20 Stunden
betragen. Die Temperatur beträgt
vorzugsweise zwischen 780°C und
1020°C,
wobei vorzugsweise ein oder zwei Temperaturplateaus bei unterschiedlicher
Temperatur eingestellt werden.
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Bei
einer Ausführungsform
ist vorgesehen, den Wafer während
des ersten Temperaturprozesses zunächst für eine erste Zeitdauer, die
kürzer
ist als 10 Stunden, auf eine Temperatur zwischen 780°C und 810°C und anschließend für eine zweite
Zeitdauer, die länger
ist als 10 Stunden, auf eine Temperatur zwischen 980°C und 1020°C aufzuheizen.
Die erste Zeitdauer beträgt
beispielsweise 5 Stunden, während die
zweite Zeitdauer beispielsweise 20 Stunden beträgt.
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Das
Maximum der durch die Teilchenbestrahlung hergestellten Leerstellenkonzentration
in dem Halbleiterwafer lässt
sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren über die
Bestrahlungsbedingungen, d. h. insbesondere über die Art der verwendeten Teilchen
und die Bestrahlungsenergie mit der die Teilchen eingestrahlt werden,
vergleichsweise exakt einstellen.
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1D zeigt
qualitativ die Leerstellenverteilung in dem Halbleiterwafer 100 bei
einer Bestrahlung des Wafers mit hochenergetischen Teilchen über dessen
Rückseite 102.
Die maximale Leerstellenkonzentration liegt dabei im sogenannten End-Of-Range-Bereich
der Bestrahlung. Das ist der Bereich, bis zu dem die Bestrahlungsteilchen
ausgehend von der Rückseite 102 in
den Wafer 100 eindringen. Mit a ist in 1D der
Abstand zur Rückseite 102 des
Wafers bezeichnet, a1 bezeichnet den Abstand der maximalen Leerstellenkonzentration
ausgehend von der Rückseite 102.
Diese Position a1 der maximalen Leerstellenkonzentration ist von
der Bestrahlungsenergie abhängig
und liegt bei einer Protonenimplantation mit einer Implantationsenergie
von 2,25 MeV im Bereich zwischen 55 und 60 μm ausgehend von der Rückseite 102.
Die Bestrahlung mit Protonen kann insbesondere senkrecht oder auch unter
einem Neigungswinkel gegenüber
der Rückseite 102,
beispielsweise unter einem Winkel zwischen 5° und 10°, erfolgen.
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Bei
einer Protonenimplantationsdosis von 1014 cm-2 liegt die maximale Leerstellenkonzentration im
End-Of-Range-Bereich bei etwa 7·1018 Leerstellen/cm3. In dem zwischen dem End-Of-Range-Bereich und der Rückseite
angeordneten, von den Protonen durchstrahlten Halbleiterbereich
liegt die Leerstellenkonzentration bei der oben genannten Implantationsdosis
im Bereich von etwa 5·1017 Leerstellen/cm3.
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Die
Abmessungen der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 in vertikaler Richtung des Wafers sind ebenfalls
abhängig
von den Bestrahlungsbedingungen, insbesondere der Bestrahlungsenergie.
Die präzipitatarme
Halbleiterzone 103 entsteht bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
in dem Bereich, in dem keine zusätzlichen
Leerstellen durch die Teilchenbestrahlung erzeugt werden. Die Leerstellenreduktion in
dem ersten Halbleiterbereich kann während des ersten Temperaturprozesses
dabei umso effektiver erfolgen, je geringer die Abmessungen des
ersten Halbleiterbereichs 103 in vertikaler Richtung sind bzw.
je höher
die Leerstellenkonzentration in dem zweiten Halbleiterbereich und
je größer die
vertikale Ausdehnung des zweiten Halbleiterbereiches 104 ist. Vorzugsweise
erfolgt die Teilchenbestrahlung derart, dass der End-Of-Range-Bereich
der Bestrahlung möglichst
nahe an der zu erzeugenden präzipitatarmen,
sich an die Vorderseite 101 anschließenden Halbleiterzone 103 liegt.
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Vor
Durchführen
der Teilchenbestrahlung kann der Wafer optional einem zweiten Temperaturprozess
unterworfen werden, bei dem der Wafer in einer feuchten und/oder
oxidierenden Atmosphäre
auf Temperaturen größer als
1000°C aufgeheizt
wird. Ein solches Vorgehen ist aus der eingangs erwähnten
EP 0769809 A1 bekannt
und dient dazu, gezielt interstitielle Siliziumatome in den wafer
zu injizieren, wobei die Tiefe, bis zu der diese Siliziumatome injiziert
werden, von der Dauer des Temperaturprozesses abhängig ist
und umso größer ist,
je länger
dieser Temperaturprozess durchgeführt wird. Die Injektion dieser
interstitiellen Siliziumatome führt
insbesondere in den oberflächennahen
Bereichen des Halbleiterwafers bereits zu einer Reduktion von Leerstellen,
insbesondere zu einer Reduktion von Leerstellenagglomeraten und
beseitigt sogenannte D-Defekte in dem Halbleiterwafer. Die Vortemperung
des Halbleiterwafers mittels des zweiten Temperaturprozesses kann insbesondere
dazu dienen, gleiche "Anfangszustände" mehrerer durch das
erfindungsgemäße Verfahren
bearbeiteter Wafer herzustellen, um dadurch bei gleichen Verfahrensbedingungen
Wafer mit gleichen Eigenschaften zu erzeugen. Diesem Vorgehen liegt die
Erkenntnis zugrunde, dass sich einzelne Wafer, die aus unterschiedlichen
Einkristallen abgeschnitten sind, bezüglich ihrer Leerstellenkonzentrationen
und bezüglich
der sogenannten D-Defektverteilungen unterscheiden können.
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Da
solche gleichen definierten Ausgangsbedingungen insbesondere im
Bereich der späteren präzipitatarmen
Halbleiterzone erwünscht
sind, genügt
es, während
dieser Vortemperung die Vorderseite 101 einer feuchten
und/oder oxidierenden Umgebung auszusetzen, wobei bei Bedarf die
Eindringtiefe der intersti tiellen Siliziumatome auch auf die vertikale
Ausdehnung der Halbleiterzone 103 beschränkt werden
kann. Selbstverständlich
besteht jedoch auch die Möglichkeit,
beide Seiten 101, 102 des Wafers während dieser
Vortemperung einer feuchten und/oder oxidierenden Atmosphäre auszusetzen.
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Optional
besteht außerdem
die Möglichkeit, den
Wafer nach oder auch unmittelbar vor Durchführen des ersten Temperaturprozesses,
durch den die Nukleationszentren und Sauerstoffagglomerate erzeugt
werden, einem weiteren Temperaturprozess zu unterziehen, bei dem
wenigstens die erste Halbleiterzone 103 derart aufgeheizt
wird, dass Sauerstoffatome aus dieser ersten Halbleiterzone über die
Vorderseite 101 des Wafers ausdiffundieren. Die Temperaturen
dieses weiteren Temperaturprozesses liegen beispielsweise im Bereich
zwischen 900°C
und 1250°C.
Durch diesen weiteren Temperaturprozess wird die Sauerstoffkonzentration
in der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 weiter reduziert, was die Wahrscheinlichkeit
für das
Entstehen von Sauerstoffpräzipitaten
in dieser Halbleiterzone während
nachfolgender Temperaturprozesse weiter reduziert. Darüber hinaus
reduziert die Sauerstoffreduktion in der präzipitatarmen Halbleiterzone
die Gefahr einer Entstehung sogenannter thermischer Donatoren. Solche thermischen
Donatoren können
in einem Kristallgitter bei Vorhandensein interstitiellen Sauerstoffs
und bei Temperaturprozessen mit Temperaturen zwischen 400°C und 500°C entstehen.
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Alle
zuvor erläuterten
Temperaturprozesse können
als herkömmliche
Ofenprozesse realisiert werden, bei denen der Wafer in einem Ofen
auf die gewünschte
Temperatur aufgeheizt wird. Die Temperaturprozesse können darüber hinaus
auch als RTA-Prozesse
(RTA = Rapid Thermal Annealing) durchgeführt werden, bei denen der Wafer
beispielsweise mittels einer Lampe oder eines Laserstrahls, aufgeheizt
wird.
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Zur
Erzeugung der Kristalldefekte in der zweiten Halbleiterzone 104' besteht außerdem die Möglichkeit,
mehrere Implanta tionsschritte mit unterschiedlichen Implantationsenergien
durchzuführen. Hierbei
besteht zudem die Möglichkeit,
mehrere erste Temperaturprozesse derart durchzuführen, dass zwischen zwei Implantationsprozessen
ein erster Temperaturprozess bei den genannten Temperaturen durchgeführt wird.
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Bezug
nehmend auf 2 besteht die Möglichkeit,
vor Durchführen
der Teilchenbestrahlung ausgehend von der Rückseite 102 Gräben 110 in
den Halbleiterkörper
einzubringen. Während
des nachfolgenden Bestrahlungsschrittes dringen die hochenergetischen
Teilchen sowohl über
die Rückseite 102 als auch über die
Gräben 110 in
den zweiten Halbleiterbereich 104 des Wafers ein. Die Gräben bieten
eine weitere Möglichkeit,
die Eindringtiefe der hochenergetischen Teilchen in den Halbleiterwafer 100 zu
beeinflussen.
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Außer der
Durchführung
einer Teilchenbestrahlung zur Erzeugung von Gitterleerstellen in
dem zweiten Halbleiterbereich
104 besteht zur Erzeugung dieser
Leerstellen auch die Möglichkeit,
den Halbleiterwafer einem Temperaturprozess zu unterziehen, bei
dem die Rückseite
102 des
Wafers einer nitridierenden Atmosphäre ausgesetzt wird, während die Vorderseite,
beispielsweise durch Aufbringen eines Oxids, vor einer solchen nitridierenden
Atmosphäre geschützt wird.
Der Temperaturprozess in der nitridierenden Atmosphäre bewirkt
eine Erzeugung von Gitterleerstellen in dem zweiten Halbleiterbereich
104,
wobei die erreichbare Leerstellenkonzentration allerdings niedriger
ist als bei der zuvor erläuterten Teilchenbestrahlung.
Während
des Temperaturprozesses zur Herstellung dieser Leerstellen wird
der Wafer vorzugsweise rasch aufgeheizt, beispielsweise mittels
eines RTA-Schrittes, und dann vergleichsweise langsam abgekühlt, was
in der eingangs erwähnten
US 6,849,119 B2 erläutert ist.
Die Herstellung von Gitterleerstellen durch einen Temperaturprozess
in einer nitridierenden Atmosphäre
eignet sich insbesondere in Verbindung mit der anhand von
2 erläuterten
Herstellung von Gräben
110 ausgehend
von der Rückseite
102 des
Halbleiterwafers.
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Das
zuvor erläuterte
Verfahren zur Herstellung einer präzipitatarmen Halbeiterzone
eignet sich auch zur Herstellung einer präzipitatarmen Halbleiterzone
in dem Halbleitersubstrat eines SOI-Substrats. Ein solches SOI-Substrat
weist bekanntlich ein Halbleitersubstrat, eine auf dem Halbleitersubstrat angeordnete
Isolationsschicht und eine auf der Isolationsschicht angeordnete
Halbleiterschicht auf. Ein solches Substrat kann z.B. hergestellt
werden, indem eine Schichtanordnung mit der Isolationsschicht und der
Halbleiterschicht auf das Halbleitersubstrat mittels eines Waferbondverfahrens
gebondet wird. Das Halbleitersubstrat kann dabei insbesondere ein CZ-Wafer
sein.
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In 1A sind
eine Isolationsschicht 302 und eine Halbleiterschicht 301,
die den CZ-Wafer zu einem SOI-Substrat ergänzen, gestrichelt dargestellt. Mittels
des zuvor erläuterten
Verfahrens lässt
sich eine präzipitatarme
Halbleiterzone in dem Wafer 100 in einem Bereich anschließend an
die Isolationsschicht 302 erzeugen. Besonders vorteilhaft
ist dieses Vorgehen, wenn in dem an die Isolierschicht angrenzenden
Bereich des SOI-Substrats bei Betrieb des Bauelements ein elektrisches
Feld aufgebaut wird. Bislang musste dieser Bereich als epitaktisch abgeschiedene
Halbleiterschicht ausgeführt
werden, um z.B. den durch Generation verursachten Sperrstrom innerhalb
tolerabler und eng tolerierter Grenzen zu halten. Auf die Erzeugung
dieser aufwändigen und
teuren Epitaxieschicht kann dank des erfindungsgemäßen Verfahrens
verzichtet werden, oder eine solche Epitaxieschicht kann zumindest
deutlich dünner
und somit kostengünstiger
als bisher üblich ausgeführt werden.
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Darüber hinaus
kann auch die oberhalb der Isolationsschicht 302 vorhandene
Halbleiterzone 301 als präzipitatarme Zone eines CZ-Grundmaterials unter
Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens
hergestellt werden. Hierzu wird eine weitere CZ-Halbleiterscheibe, die die spätere Zone 301 umfasst,
dem erfindungsgemäßen Verfahren
unterzogen, so dass eine präzipitatarme,
an eine Oberfläche der
Scheibe angrenzende Zone entsteht. Diese weitere Scheibe wird dann
auf das Halbleitersubstrat gebondet, wobei die präzipitatarme
Zone der weiteren Scheibe dem Substrat 100 bzw. der Isolationsschicht 302 zugewandt
ist. Eine präzipitatreiche
Zone (nicht dargestellt) dieser weiteren Scheibe wird nach dem Waferbonden
z.B. durch Schleifen und/oder Ätzen wieder
entfernt.
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Waferbondverfahren
selbst sind grundsätzlich
bekannt, so dass hierzu keine weitere Ausführungen erforderlich sind.
Bei einem solchen Verfahren werden zwei zu verbindende Halbleiteroberflächen aufeinander
gebracht, von den eine oder auch beide oxidiert sein können, wobei
anschließend
ein Temperaturprozess durchgeführt
wird, um die beiden Oberflächen
zu verbinden. Übliche
Temperaturen hierfür liegen
im Bereich zwischen 400°C
und 1000°C
-
Das
erfindungsgemäße Verfahren
lässt sich auch
sehr gut mit den sogenannten SIMOX-Technologien zur Herstellung
eines SOI-Substrats
kombinieren. D. h. zuerst wird mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens
die präzipitatarme
Zone 103 erzeugt und anschließend wird mittels einer Sauerstoffimplantation
die Isolationsschicht in dieser Zone 103 erzeugt.
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Der
Halbleiterwafer, der nach der erfindungsgemäßen Behandlung im Bereich seiner
Vorderseite 101 eine präzipitatfreie
oder zumindest präzipitatarme
Halbleiterzone 103 aufweist, eignet sich insbesondere zur
Realisierung vertikaler Leistungsbauelemente, wie dies nachfolgend
noch erläutert
werden wird. Der Wafer kann eine Grunddotierung, beispielsweise
eine n-Grunddotierung besitzen, die bereits bei Ziehen des Einkristalls
während
des Czochralski-Verfahrens erzeugt wird. Die präzipitatarme Halbleiterzone 103 kann
insbesondere zur Realisierung einer eine Sperrspannung des Leistungsbauelements
aufnehmenden Halbleiterzone dienen.
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Anhand
der 3A bis 3C wird
nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung einer n-dotierten Halbleiterzone
in der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 des CZ-Wafers 100 erläutert. Dieses
Verfahren kann zusätzlich
zur Herstellung einer n-Grunddotierung
während
des Ziehens des Einkristalls angewendet werden, kann jedoch auch
zur Herstellung einer n-dotierten
Halbleiterzone bei einem undotierten CZ-Wafer angewendet werden,
die wie eine grunddotierte Zone wirkt, d. h. in vertikaler Richtung
zumindest über
einen großen
Teil ihrer vertikalen Ausdehnung eine annähernd konstante Dotierung aufweist. Letzteres
ist insbesondere deshalb vorteilhaft, weil die Herstellung einer
Grunddotierung des Wafers während
des Ziehens des Einkristalls aufgrund der vorhandenen Sauerstoffpräzipitate
zu nicht zufriedenstellenden Ergebnissen, insbesondere zu einer inhomogenen
und schlecht reproduzierbaren Dotierung führt.
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Bezug
nehmend auf 3A ist bei diesem Verfahren
vorgesehen, Protonen über
die Vorderseite 101 in die präzipitatarme Halbleiterzone 103 des Wafers 100 zu
implantieren. Die Implantationsrichtung kann dabei senkrecht zu
der Vorderseite 101, kann jedoch auch unter einem Winkel
gegenüber
dieser Vorderseite 101 verlaufen. Durch die Protonenimplantation
werden zum Einen Kristalldefekte in dem von Protonen durchstrahlten
Bereich der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 hervorgerufen. Darüber hinaus werden durch die
Protonenimplantation Protonen in die präzipitatarme Halbleiterzone 103 eingebracht.
Die Abmessungen einer Kristalldefekte aufweisenden, von Protonen
durchstrahlten Zone in vertikaler Richtung ausgehend von der Vorderseite 101 sind
dabei von der Implantationsenergie abhängig. Die Abmessungen dieser
Zone sind dabei umso größer sind,
je höher
die Implantationsenergie ist, je tiefer also die Protonen über die
Vorderseite 101 in den Wafer 100 eindringen.
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An
die Protonenbestrahlung schließt
sich ein Temperaturprozess an, bei dem der Wafer 100 wenigstens
im Bereich der mit Protonen bestrahlten Zone auf Temperaturen zwischen
400°C und
570°C aufgeheizt
wird, wodurch aus den durch die Protonenbestrahlung erzeugten Kristalldefekten
und den eingebrachten Protonen wasserstoffinduzierte Donatoren entstehen.
Die Temperatur während
dieses Temperaturprozesses liegt vorzugsweise im Bereich zwischen
450°C und
550°C.
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Durch
die Protonenimplantation werden die Protonen hauptsächlich in
den End-Of-Range-Bereich der Bestrahlung eingebracht. Die Position
dieses Bereichs ausgehend von der Vorderseite 101 ist von
der Implantationsenergie abhängig.
Der End-Of-Range-Bereich
bildet das "Ende" des durch die Protonenimplantation
bestrahlten Gebietes in vertikaler Richtung des Wafers 100.
Die Bildung wasserstoffinduzierter Donatoren setzt – wie bereits
erläutert – das Vorhandensein
von geeigneten Kristalldefekten und das Vorhandensein von Protonen
voraus. Die Dauer des Temperaturprozesses ist vorzugsweise so gewählt, dass
die hauptsächlich
in den End-Of-Range-Bereich eingebrachten Protonen in nennenswertem
Umfang in Richtung der Vorderseite 101 diffundieren, um
dadurch eine möglichst
homogene n-Dotierung in dem durchstrahlten Bereich der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 zu erzeugen. Die Dauer dieses Temperaturprozesses
liegt zwischen einer Stunde und 10 Stunden, vorzugsweise zwischen
3 und 6 Stunden.
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Ergebnis
des Temperaturprozesses ist Bezug nehmend auf 3B eine
n-dotierte Halbleiterzone 105 in der präzipitatarmen Halbleiterzone 103 des
Wafers 100. Die n-Halbleiterzone 105 erstreckt sich
ausgehend von der Vorderseite 101 bis zu einer Tiefe d0
in den Wafer 100 hinein, wobei diese Tiefe in erläuterter
Weise von der Implantationsenergie abhängig ist.
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3C zeigt
ein Beispiel für
ein Dotierprofil dieser n-Halbleiterzone 105.
In 3C ist die Dotierungskonzentra tion ausgehend von
der Vorderseite 101 aufgetragen. Mit ND0 ist
hierbei die Grunddotierung des Wafers 100 vor Durchführung des
Dotierverfahrens bezeichnet.
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Wie 3C zu
entnehmen ist, weist die n-Halbleiterzone 105 ausgehend
von der Vorderseite 101 einen annähernd homogenen Dotierungsverlauf mit
einer Dotierungskonzentration ND auf, die
in einem Endbereich der n-Halbleiterzone 105 auf eine maximale
Dotierungskonzentration NDmax ansteigt und
danach auf die Grunddotierung ND0 absinkt.
Der Endbereich der n-Halbleiterzone,
in dem die Dotierung zunächst
ansteigt und dann auf die Grunddotierung absinkt, resultiert aus
dem End-Of-Range-Bereich
der Protonenimplantation, in den während der Implantation der
Großteil
der Protonen eingelagert werden. In Folge des Temperaturprozesses
diffundiert ein großer
Teil der Protonen in Richtung der Vorderseite 101, woraus
die homogene Dotierung ND in dem von den
Protonen durchstrahlten Bereich resultiert. Die in die Tiefe des
Halbleiters in Richtung der Rückseite 102 diffundierenden
Protonen führen
in diesem Bereich nicht zur Bildung von Donatoren, da dort keine
implantationsinduzierten Kristalldefekte, die zur Bildung von Donatoren
erforderlich sind, vorhanden sind. Die Differenz zwischen der maximalen Dotierungskonzentration
NDmax im End-Of-Range-Bereich und der homogenen Dotierungskonzentration ND in dem durchstrahlten Bereich ist maßgeblich
abhängig
von der Temperatur während
des Temperaturprozesses und der Dauer des Temperaturprozesses. Hierbei
gilt, dass bei gleicher Dauer des Temperaturprozesses diese Differenz
umso geringer ist, je höher die
Temperatur während
des Temperaturprozesses ist, und dass bei einer gegebenen Temperatur
während
des Temperaturprozesses die Differenz umso geringer ist, je länger die
Dauer des Temperaturprozesses ist. Bei ausreichend hoher Temperatur
und ausreichend langer Dauer des Temperaturprozesses kann diese
Differenz auch gegen Null gehen bzw. sehr klein werden.
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Die
mittels des zuvor erläuterten
Verfahrens hergestellte, eine n-Dotierung mit wasserstoffinduzierten
Donatoren aufweisende Halbleiterzone eignet sich insbesondere zur
Realisierung einer eine Sperrspannung aufnehmenden Halbleiterzone
eines Leistungshalbleiterbauelements. Eine solche Zone ist beispielsweise
die Driftzone eines MOSFET, die Driftzone bzw. n-Basis eines IGBT oder die Driftzone
bzw. n-Basis einer Diode.
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Die
Herstellung der n-Halbleiterzone 105 kann insbesondere
auch derart erfolgen, dass das Maximum der Dotierungskonzentration
in dem Sauerstoffagglomerate aufweisenden Bereich 104 liegt, so
dass die präzipitatarme
Zone 103 infolge des Dotierungsverfahrens eine homogene
n-Dotierung erhält.
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Zu
dem anhand der 1A bis 1C erläuterten
Behandlungsverfahren ist anzufügen,
dass bei diesem Verfahren bei Verwendung von Protonen als hochenergetische
Teilchen keine wasserstoffinduzierten Donatoren gebildet werden,
da die bei diesem Verfahren angewendeten Temperaturen zwischen 700°C und 1100°C zu hoch
für die
Erzeugung wasserstoffinduzierter Donatoren sind.
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Zur
Vorbereitung des Wafers 100 für die Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen
kann optional Bezug nehmend auf 4 eine einkristalline Epitaxieschicht 200 auf
der Vorderseite 101 oberhalb der präzipitatarmen Halbleiterzone 103 erzeugt
werden. Die Dotierungskonzentration dieser Epitaxieschicht 200 wird
vorzugsweise an die Dotierungskonzentration der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 bzw. der in der präzipitatarmen Halbleiterzone 103 vorhandenen
n-dotierten Halbleiterzone 105 angepasst. Die Einstellung
der Dotierungskonzentration der Epitaxieschicht 200 erfolgt
in bekannter Weise während
des Abscheideverfahrens dieser Epitaxieschicht oder optional auch
durch eine Protonenbestrahlung in Kombination mit einer geeigneten
Temperung gemäß dem zuvor
erläuterten
Verfahren.
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Der
mittels der zuvor erläuterten
Behandlungsverfahren bearbeitete Halbleiterwafer 100 eignet
sich zur Herstellung von vertikalen Leistungshalbleiterbauelementen,
was nachfolgend anhand der 5 und 6 erläutert wird.
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Das
Ausgangsmaterial für
die Leistungshalbleiterbauelemente bildet der Wafer 100,
auf den optional eine anhand von 4 erläuterte Epitaxieschicht 200 aufgebracht
sein kann. Für
die nachfolgende Erläuterung
wird vom Vorhandensein einer solchen Epitaxieschicht 200 ausgegangen.
Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass auf diese Epitaxieschicht 200 auch
verzichtet werden kann, insbesondere dann, wenn die präzipitatarme
Halbleiterzone 103 in vertikaler Richtung des Wafers 100 eine ausreichend
große
Abmessung zur Realisierung aktiver Bauelementzonen, insbesondere
zur Realisierung von eine Sperrspannung aufnehmenden Bauelementzonen
des Leistungshalbleiterbauelements aufweist.
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5 zeigt
in Seitenansicht im Querschnitt einen vertikalen Leistungs-MOSFET,
der auf Basis eines nach dem zuvor erläuterten Verfahren behandelten
CZ-Wafer 100 hergestellt wurde. Der MOSFET weist einen
Halbleiterkörper
auf, der durch einen Abschnitt 100' des behandelten Wafers (100 in
den 1 bis 4) und in
dem Beispiel durch eine auf den Wafer aufgebrachte Epitaxieschicht 200 gebildet ist.
Das Bezugszeichen 201 bezeichnet in dem Beispiel eine Vorderseite
der Epitaxieschicht, die gleichzeitig die Vorderseite des Halbleiterkörpers bildet. Der
Waferabschnitt 100' ist
in nicht näher
dargestellter Weise durch Abtragen des Wafers 100 ausgehend
von dessen Rückseite
(Bezugszeichen 102 in den 1 bis 4)
entstanden. Das Bezugszeichen 111 bezeichnet die nach dem
Abtragen vorhandene Oberfläche
dieses Waferabschnitts 100',
die gleichzeitig die Rückseite
des Halbleiterkörpers
bildet.
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Der
MOSFET ist in dem Beispiel als vertikaler Trench-MOSFET ausgebildet
und weist eine Source-Zone 21, eine sich an die Source-Zone 21 in vertikaler
Richtung anschließende
Body-Zone 22, eine sich an die Body-Zone 22 in
vertikaler Richtung anschließende
Driftzone 23 sowie eine sich an die Driftzone 23 in
vertikaler Richtung anschließende Drain-Zone 24 auf.
Die Source-Zone 21 und die Body-Zone 22 sind bei
dem in 5 dargestellten Bauelement in der Epitaxieschicht 200 angeordnet.
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Zur
Steuerung eines Inversionskanals in der Body-Zone 22 ist
eine Gate-Elektrode 27 vorhanden, von der in 5 zwei
Elektrodenabschnitte dargestellt sind und die in einem Graben angeordnet
ist, der sich ausgehend von der Vorderseite 201 in vertikaler
Richtung in den Halbleiterkörper
hineinerstreckt. Die Gate-Elektrode 27 ist mittels eines Gate-Dielektrikums 28, üblicherweise
einer Oxidschicht gegenüber
dem Halbleiterkörper
dielektrisch isoliert. Die Herstellung der Source- und Body-Zonen 21, 22 kann
in bekannter Weise mittels Implantations- und Diffusionsschritten
erfolgen. Die Herstellung der Gate-Elektrode erfolgt durch Ätzen des
Grabens, Aufbringen einer Gate-Dielektrikumsschicht in dem Graben
und Abscheiden einer Elektrodenschicht in dem Graben.
-
Die
Source-Zone 21 ist durch eine Source-Elektrode 25 kontaktiert,
die sich abschnittsweise in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers bis
in die Body-Zone 22 erstreckt, um dadurch die Source-Zone 21 und
die Body-Zone 22 in bekannter Weise kurzzuschließen. Die
Drain-Zone 24 ist durch eine auf die Rückseite 111 aufgebrachte
Drain-Elektrode 26 kontaktiert.
-
Die
Driftzone 23 des MOSFET ist abschnittsweise durch die Epitaxieschicht 20 und
abschnittsweise durch die präzipitatarme
Halbleiterzone 103 des Waferabschnitts 100' gebildet. Die
Drain-Zone 24 ist eine im Vergleich zur Driftzone 23 hochdotierte Halbleiterzone,
die beispielsweise durch Implantation von Dotierstoffatomen über die
Rückseite 111 hergestellt
werden kann. Die Drain-Zone 24 kann dabei vollständig in
der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 angeordnet sein, kann je doch auch in
einem nach dem Zurückätzen oder
Zurückschleifen
verbliebenen Abschnitt der Sauerstoffagglomerate enthaltenden Halbleiterzone
(Bezugszeichen 104 in den 1 bis 3) angeordnet sein. Maßgeblich für ein ordnungsgemäßes Funktionieren
des Bauelements ist hierbei, dass die Driftzone, die dazu dient,
bei sperrendem Bauelement eine anliegende Sperrspannung aufzunehmen,
nur durch Abschnitte der präzipitatarmen Halbleiterzone 103 gebildet
ist. Andernfalls würden
in der Driftzone 23 vorhandene Sauerstoffagglomerate die
Leistungsfähigkeit
des Bauelements, insbesondere dessen Spannungsfestigkeit und Leckstromverhalten
degradieren.
-
Die
Spannungsfestigkeit des dargestellten Leistungs-MOSFET ist maßgeblich
abhängig
von den Abmessungen der Driftzone 23 in vertikaler Richtung
und darüber
hinaus von der Dotierungskonzentration dieser Driftzone. Der Waferabschnitt 100', der nach dem
Zurückschleifen
des Wafers während
des Bauelementherstellverfahrens verbleibt, kann ausschließlich die
zuvor erzeugte präzipitatarme
Halbleiterzone 103 umfassen, kann jedoch im Bereich der Rückseite 102 auch
Abschnitte der Sauerstoffagglomerate 104 aufweisenden Zone
umfassen, wobei diese Sauerstoffagglomerate aufweisende Zone dann
lediglich zur Realisierung der hochdotierten Drain-Zone 24 und
nicht zur Realisierung der eine Sperrspannung aufnehmenden Driftzone 23 dienen darf.
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Auf
das Aufbringen einer Epitaxieschicht 200 kann insbesondere
dann verzichtet werden, wenn die Abmessungen der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 in vertikaler Richtung ausreichend groß sind,
um eine Driftzone mit einer für
eine gewünschte
Spannungsfestigkeit ausreichenden Dicke zu realisieren.
-
Der
dargestellte vertikale Leistungs-MOSFET ist insbesondere ein n-Leistungs-MOSFET.
In diesem Fall sind die Source-Zone 21, die Driftzone 23 und
die Drain-Zone 24 n-dotiert, während die Body-Zone 22 p-dotiert
ist. Selbstverständlich
ist basie rend auf dem mittels des zuvor erläuterten Verfahrens behandelten
Wafer auch ein p-Leistungs-MOSFET realisierbar, dessen Bauelementzonen
im Vergleich zu einem n-Leistungs-MOSFET komplementär dotiert
sind.
-
Die
Dotierung der Driftzone 23 kann gemäß dem zuvor erläuterten
Verfahren mittels einer Protonenimplantation in die Scheibenvorderseite
und einem anschließenden
Temperschritt erzeugt werden. Diese Schritte zur Dotierung der Driftzone 23 erfolgen
vorzugsweise erst nach der Herstellung der Source- und Body-Zonen 21, 22 und
des Gate-Oxids 28, da diese Herstellschritte Temperaturen
erfordern, die weit oberhalb von 600°C liegen sodass eine Protonen-induzierte
Dotierung verschwinden würde. Herstellschritte,
die Temperaturen unterhalb von etwa 430°C erfordern – wie z.B. die Temperung der Metallisierung
oder von abgeschiedenen Polyimidschichten – können dagegen später, d.h.
nach der Dotierung der Driftzone 23, erfolgen. Dabei kann
das Temperaturbudget der nachfolgenden Herstellschritte auf das
Temperaturbudget beim Tempern der Protonen-induzierten Dotierung
der Driftzone 23 angerechnet werden. Eine solche weitere
Temperung kann dann entsprechend kürzer durchgeführt werden oder
sogar vollständig
entfallen.
-
Auf
Basis des behandelten Wafergrundmaterials lassen sich auch bipolare
Leistungsbauelemente, wie beispielsweise ein Trench-IGBT realisieren. Die
Struktur eines solchen Trench-IGBT
entspricht der Struktur des in 5 dargestellten
vertikalen Leistungs-MOSFET, mit dem Unterschied, dass anstelle
einer den gleichen Leitungstyp wie die Driftzone 23 aufweisenden
Drain-Zone 24 eine komplementär zu der Driftzone 23 dotierte
Emitterzone 24 vorhanden ist.
-
Bei
einem IGBT kann der Emitterzone 24 in der Driftzone 23 eine
Feldstoppzone 29 vorgelagert sein, die vom gleichen Leitungstyp
wie die Driftzone 23, jedoch höher als die Driftzone 23 dotiert
ist. Diese Feldstoppzone 29 kann sich an die Emitterzone 24 anschließen, kann
jedoch auch beabstandet zu der Emitterzone 24 angeordnet
sein. Die Feldstoppzone 29 liegt jedoch näher an der
Emitterzone 24 als an der Body-Zone 22.
-
Die
Driftzone 23 ist bei einem IGBT üblicherweise n-dotiert. Entsprechend
sind die Body- und die Emitterzone 22, 24 p-dotiert. Die Herstellung
einer n-dotierten Feldstoppzone 29 kann beispielsweise durch
Protonenimplantation über
die Rückseite 111 bzw. über die
Rückseite 102 des
noch nicht abgetragenen Wafers und einen sich daran anschließenden Temperaturprozess
bei Temperaturen zwischen 350°C
und 570°C
und besonders bevorzugt im Temperaturbereich zwischen 360°C und 400°C erfolgen.
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Auch
die Grunddotierung der Driftzone 23 wird vorzugsweise in
der erläuterten
Weise durch eine Protonenimplantation in Kombination mit einem geeigneten
Temperschritt erzeugt, wobei die Protonenimplantation vorzugsweise über die
Vorderseite 201 erfolgt. Alternativ oder ergänzend kann
diese Protonenimplantation aber auch über die Scheibenrückseite 111 erfolgen,
und zwar besonders bevorzugt nachdem ein rückseitiger Dünnungsprozess durchgeführt wurde.
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6 zeigt
in Seitenansicht im Querschnitt eine auf Basis des behandelten Wafergrundmaterial realisierte
vertikale Leistungsdiode. Mit dem Bezugszeichen 201 ist
in 6 die Vorderseite eines Halbleiterkörpers, in
dem die Diode integriert ist, bezeichnet, während das Bezugszeichen 111 eine
Rückseite dieses
Halbleiterkörpers
bezeichnet. Der Halbleiterkörper
umfasst einen Waferabschnitt 100', der durch Zurückschleifen des anhand der 1 bis 3 erläuterten
Wafers 100 erhalten wird. Auf diesen Waferabschnitt 100' ist optional
die anhand von 4 erläuterte Epitaxieschicht 200 aufgebracht.
-
Die
Leistungsdiode weist im Bereich der Vorderseite 201 eine
p-Emitterzone bzw. Anodenzone 31, eine sich an die p-Emitterzone anschließende Basiszone 32 sowie
eine sich in vertikaler Richtung an die Basiszone 32 anschließende n-Emitterzone bzw. Kathodenzone 33 auf.
Die Basiszone 32 ist entweder p- oder n-dotiert und dient
bei in Sperrrichtung betriebener Leistungsdiode zur Aufnahme der
anliegenden Sperrspannung. Die Basiszone 32 ist in dem
Beispiel durch einen Abschnitt der Epitaxieschicht 200 und durch
einen Abschnitt der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 des Waferabschnitts 100' gebildet. Der n-Emitter 33 kann
ebenfalls vollständig
in der präzipitatarmen
Halbleiterzone 103 ausgebildet sein. Dieser n-Emitter wird
beispielsweise durch Implantation von n-Dotierstoffatomen über die Rückseite 111 erzeugt. Der
n-Emitter 33 kann
jedoch auch abschnittsweise durch die Sauerstoffagglomerate aufweisende
Halbleiterzone (Bezugszeichen 104 in den 1 bis 3) des Wafers gebildet sein. Maßgeblich
ist jedoch, dass die die Sperrspannung aufnehmende Basiszone 32 nur
durch präzipitatarme
Halbleiterzonen 103 des Wafers gebildet wird.
-
Die
Anodenzone 31 der Diode ist durch eine Anodenelektrode 34 kontaktiert,
die einen Anodenanschluss A bildet. Die Kathodenzone 33 ist
durch eine Kathodenelektrode 35 kontaktiert, die einen
Kathodenanschluss K bildet.
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- 11
- Sauerstoffatome
- 12
- Leerstelle
- 21
- Source-Zone
- 22
- Body-Zone
- 23
- Driftzone
- 24
- Drain-Zone,
Emitterzone
- 25
- Source-Elektrode
- 26
- Drain-Elektrode,
Emitter-Elektrode
- 27
- Gate-Elektrode
- 28
- Gate-Dielektrikum
- 31
- p-Emitter
- 32
- Basis
- 33
- n-Emitter
- 34,
35
- Anschlusselektrode
- 100
- Halbleiterwafer
- 100'
- Waferabschnitt
nach Abtragen des Wafers
- 101
- Vorderseite
des Halbleiterwafers
- 102
- Rückseite
des Halbleiterwafers
- 103
- präzipitatarme
Halbleiterzone des Wafers
- 103'
- erster
Halbleiterbereich des Wafers
- 104
- Sauerstoffagglomerate
enthaltende Halbleiterzone des Wafers
- 104'
- zweiter
Halbleiterbereich des Wafers
- 104''
- Bereich
des Halbleiterwafers mit erhöhter Leerstelenkonzentration
- 110
- Gräben
- 111
- Rückseite
des abgetragenen Halbleiterwafers, Rückseite eines Halbleiterkörpers
- 200
- Epitaxieschicht
- 201
- Vorderseite
der Epitaxieschicht, Vorderseite eines Halbleiterkörpers
- A
- Anodenanschluss
- D
- Drain-Anschluss
- E
- Emitter-Anschluss
- G
- Gate-Anschluss
- K
- Kathodenanschluss
- S
- Source-Anschluss